TW202036469A - 處理條件選擇方法、基板處理方法、基板製品製造方法、處理條件選擇裝置、電腦程式以及記憶媒體 - Google Patents

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Abstract

處理條件選擇方法係包含有步驟(S21)以及步驟(S22)。在步驟(S21)中，比較用以顯示在對象物的複數個測定位置分別測定的複數個厚度的分布之厚度圖案(TM)與預先記憶的複數個參照圖案(RP)，依據規定規則從複數個參照圖案(RP)中特定與厚度圖案(RM)相關度高的參照圖案(RP)。在步驟(S22)中，取得已被分別賦予關連至複數個參照圖案(RP)之複數個參照處理條件中之已被賦予關連至已被特定的參照圖案(RP)之參照處理條件，並作為對象物的處理條件。複數個參照圖案(RP)的各個參照圖案係顯示參照對象物的物理量的分布。複數個參照處理條件的各個參照處理條件係顯示過去已對具有參照圖案(RP)的參照對象物執行處理時的處理條件。

Description

處理條件選擇方法、基板處理方法、基板製品製造方法、處理條件選擇裝置、電腦程式以及記憶媒體
本發明係有關於一種處理條件選擇方法、基板處理方法、基板製品製造方法、處理條件選擇裝置、電腦程式以及記憶媒體。
在專利文獻1所記載的半導體裝置中，作成對應表並決定已形成於半導體基板上之絕緣膜的蝕刻時間。對應表係用以對照已形成於半導體基板上之停止膜(stopper film)的膜厚平均值與絕緣膜的蝕刻時間。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-71862號公報。
[發明所欲解決之課題]
然而，在專利文獻1所記載之半導體裝置中，對應表不過是用以對照針對基板的特定的二十五個部位測定停止膜的膜厚並從測定結果求出膜厚平均值與絕緣膜的蝕刻時間。
另一方面，本發明的發明人係具有下述的卓見：針對基板的某個位置(以下記載為「位置LC」)的蝕刻處理係對位置LC附近的膜厚分部造成影響。
因此，對應表即使對基板的特定的二十五個部位的膜厚平均值制定良好的蝕刻時間，絕緣膜的蝕刻亦不一定會在基板的廣範圍的區域皆良好。結果，當觀察基板的廣範圍的區域時，會有於蝕刻後的絕緣膜的厚度產生參差不齊的可能性。
換言之，會有於蝕刻液等處理液所為之處理後的對象物的厚度產生參差不齊的可能性。
本發明係有鑑於上述課題而研創，目的在於提供一種能在構成基板之對象物的廣範圍的區域中抑制處理後的對象物的厚度的參差不齊之處理條件選擇方法、基板處理方法、基板製品製造方法、處理條件選擇裝置、電腦程式以及記憶媒體。 [用以解決課題之手段]
依據本發明的態樣，在處理條件選擇方法中從複數個參照處理條件中選擇藉由處理液處理構成基板之對象物時可使用的處理條件。處理條件選擇方法係包含有下述步驟：在前述對象物的複數個測定位置的各個測定位置中，在前述處理液所為之處理前測定前述對象物的厚度；比較用以顯示在複數個前述測定位置分別測定的複數個前述厚度的分布之厚度圖案與預先記憶於記憶部的複數個參照圖案，並依據規定規則從複數個前述參照圖案中特定與前述厚度圖案相關度高的參照圖案；以及從前述記憶部取得已被分別賦予關連至複數個前述參照圖案之複數個參照處理條件中之已被賦予關連至已被特定的前述參照圖案之參照處理條件，並作為前述處理條件。複數個前述參照圖案的各個前述參照圖案係顯示參照對象物的物理量的分布。複數個前述參照處理條件的各個前述參照處理條件係顯示過去已對具有前述參照圖案的前述參照對象物執行前述處理液所為之處理時的處理條件。
較佳為在本發明的處理條件選擇方法中，複數個前述參照圖案的各個前述參照圖案係預先被分類至複數個參照群組中的某一個參照群組。較佳為複數個前述參照群組係依據參照圖案的形狀的特徵而制定。較佳為用以特定前述參照圖案之前述步驟係包含有下述步驟：將前述厚度圖案分類至複數個前述參照群組中的某一個參照群組；以及將複數個前述參照圖案中之被分類於已分類有前述厚度圖案之前述參照群組的兩個以上的參照圖案作為對象，依據前述規定規則進行前述厚度圖案與前述參照圖案之間的比較，並決定與前述厚度圖案相關度高的前述參照圖案。
較佳為在本發明的處理條件選擇方法中，複數個前述參照群組係包含有第一參照群組、第二參照群組以及第三參照群組中的至少一個參照群組。較佳為前述第一參照群組係顯示於從前述對象物或者前述參照對象物的中心部至邊緣部之間具有極小部之圖案的群組。較佳為前述第二參照群組係顯示於前述對象物或者前述參照對象物的中心部至邊緣部之間具有極大部之圖案的群組。較佳為前述第一參照群組係顯示從前述對象物或者前述參照對象物的中心部朝邊緣部往一方向傾斜之圖案的群組。
較佳為在本發明的處理條件選擇方法中，在已分類有前述厚度圖案之前述參照群組為前述第一參照群組之情形中，在決定前述參照圖案之前述步驟中，比較依據前述厚度圖案之第一差分與依據前述參照圖案之第二差分，並依據比較結果決定與前述厚度圖案相關度高的前述參照圖案。較佳為前述第一差分係顯示藉由前述厚度圖案的極小部所示的前述對象物的厚度與藉由前述厚度圖案的邊緣部所示的前述對象物的邊緣部的厚度之間的差分。較佳為前述第二差分係顯示藉由前述參照圖案的極小部所示的前述參照對象物的物理量與藉由前述參照圖案的邊緣部所示的前述參照對象物的邊緣部的物理量之間的差分。
較佳為在本發明的處理條件選擇方法中，在已分類有前述厚度圖案之前述參照群組為前述第二參照群組之情形中，在決定前述參照圖案之前述步驟中，比較依據前述厚度圖案之第一距離與依據前述參照圖案之第二距離，並依據比較結果決定與前述厚度圖案相關度高的前述參照圖案。較佳為前述第一距離係顯示從前述對象物的中心部至與前述厚度圖案的極大部對應的位置為止之距離。較佳為前述第二距離係顯示從前述參照對象物的中心部至與前述參照圖案的極大部對應的位置為止之距離。
較佳為在本發明的處理條件選擇方法中，在已分類有前述厚度圖案之前述參照群組為前述第三參照群組之情形中，在決定前述參照圖案之前述步驟中，比較前述厚度圖案的傾斜與前述參照圖案的傾斜，並依據比較結果決定與前述厚度圖案相關度高的前述參照圖案。
較佳為在本發明的處理條件選擇方法中，特定前述參照圖案之前述步驟係進一步包含有使前述厚度圖案的次元與前述參照圖案的次元一致之步驟。較佳為在決定前述參照圖案之前述步驟中，使前述厚度圖案的次元與前述參照圖案的次元一致後，依據前述規定規則決定與前述厚度圖案相關度高的前述參照圖案。
較佳為在本發明的處理條件選擇方法中，複數個前述參照處理條件的各個前述參照處理條件係包含有用以顯示包含有前述參照對象物之基板的旋轉速度之資訊、用以顯示對前述參照對象物噴出前述處理液之噴嘴的折返位置之資訊以及用以顯示沿著前述參照對象物之前述噴嘴的移動速度之資訊。
較佳為本發明的處理條件選擇方法係進一步包含有下述步驟：比較用以顯示前述厚度圖案的特徵之第一特徵量與用以顯示前述參照圖案的特徵之第二特徵量，並依據比較結果調整用以顯示從前述記憶部所取得且藉由前述步驟所取得的前述處理條件所含有之前述噴嘴的移動速度之資訊。較佳為前述第一特徵量係顯示前述厚度圖案的極值、前述厚度圖案所示的前述對象物的中心部的厚度或者前述厚度圖案所示的前述對象物的邊緣部的厚度。較佳為前述第二特徵量係顯示前述參照圖案的極值、前述參照圖案所示的前述參照對象物的中心部的物理量或者前述參照圖案所示的前述參照對象物的邊緣部的物理量。
在本發明的處理條件選擇方法中，亦可在特定前述參照圖案之前述步驟中，依據使用者對於輸入裝置的輸入結果特定與前述厚度圖案相關度高的前述參照圖案。
較佳為本發明的處理條件選擇方法係進一步包含有下述步驟：將利用於用以特定或者調整與前述處理液所為之處理前的前述對象物的前述厚度圖案相關度高的前述參照圖案之資訊或者利用於用以評價前述處理液所為之處理後的前述對象物的厚度圖案之資訊顯示於顯示裝置。
較佳為在本發明的處理條件選擇方法中，前述處理液係用以蝕刻前述對象物之蝕刻液。較佳為前述物理量係蝕刻率(etching rate)或者蝕刻量。
較佳為在本發明的處理條件選擇方法中，前述處理液係用以去除前述對象物之去除液。較佳為前述物理量係去除率或者去除量。
依據本發明的其他態樣，基板處理方法係包含有：上述態樣的處理條件選擇方法；以及用以遵循在前述處理條件選擇方法中所選擇的前述處理條件藉由前述處理液處理前述對象物之步驟。
較佳為本發明的基板處理方法係進一步包含有下述步驟：在前述處理液所為之處理後的前述對象物的複數個測定位置的各個前述測定位置中，測定處理後的前述對象物的厚度。
較佳為本發明的基板處理方法係進一步包含有下述步驟：將用以顯示處理前的前述對象物的厚度的分布之處理前的前述厚度圖案、與處理前的前述厚度圖案相關度高的前述參照圖案、前述處理條件、以及用以顯示處理後的前述對象物的厚度的分布之處理後的厚度圖案賦予關連並記憶至記憶部。
較佳為本發明的基板處理方法係進一步包含有下述步驟：將用以顯示處理前的前述對象物的厚度的分布之處理前的前述厚度圖案、與處理前的前述厚度圖案相關度高的前述參照圖案、前述處理條件、用以顯示處理後的前述對象物的厚度的分布之處理後的厚度圖案、以及針對處理後的前述厚度圖案之評價結果賦予關連並記憶至記憶部。
依據本發明的另一個其他態樣，在基板製品製造方法中，藉由上述其他態樣的基板處理方法處理前述基板並製造屬於處理後的前述基板的基板製品。
依據本發明的另一個其他態樣，處理條件選擇裝置係從複數個參照處理條件中選擇藉由處理液處理構成基板之對象物時可使用的處理條件。處理條件選擇裝置係具備有厚度測定部、記憶部、特定部以及取得部。厚度測定部係在前述對象物的複數個測定位置的各個前述測定位置中，在前述處理液所為之處理前測定前述對象物的厚度。記憶部係預先記憶用以分別顯示參照對象物的物理量的分布之複數個參照圖案。特定部係比較用以顯示在複數個前述測定位置分別測定的複數個前述厚度的分布之厚度圖案與複數個前述參照圖案，並依據規定規則從複數個前述參照圖案中特定與前述厚度圖案相關度高的參照圖案。取得部係從前述記憶部取得已被分別賦予關連至複數個參照圖案之複數個參照處理條件中之已被賦予關連至已被特定的前述參照圖案之參照處理條件，並作為前述處理條件。複數個前述參照處理條件的各個前述參照處理條件係顯示過去已對具有前述參照圖案的前述參照對象物執行前述處理液所為之處理時的處理條件。
依據本發明的另一個其他態樣，電腦程式係從複數個參照處理條件中選擇藉由處理液處理構成基板之對象物時可使用的處理條件。電腦程式係使電腦執行下述步驟：在前述對象物的複數個測定位置的各個測定位置中，在前述處理液所為之處理前測定前述對象物的厚度；比較用以顯示在複數個前述測定位置分別測定的複數個前述厚度的分布之厚度圖案與預先記憶於記憶部的複數個參照圖案，並依據規定規則從複數個前述參照圖案中特定與前述厚度圖案相關度高的參照圖案；以及從前述記憶部取得已被分別賦予關連至複數個前述參照圖案之複數個參照處理條件中之已被賦予關連至已被特定的前述參照圖案之參照處理條件，並作為前述處理條件。複數個前述參照圖案的各個前述參照圖案係顯示參照對象物的物理量的分布。複數個前述參照處理條件的各個前述參照處理條件係顯示過去已對具有前述參照圖案的前述參照對象物執行前述處理液所為之處理時的處理條件。
依據本發明的另一個其他態樣，記憶媒體係記憶上述態樣的電腦程式。 [發明功效]
依據本發明，能提供一種能在構成基板之對象物的廣範圍的區域中抑制處理後的對象物的厚度的參差不齊之處理條件選擇方法、基板處理方法、基板製品製造方法、處理條件選擇裝置、電腦程式以及記憶媒體。
以下，一邊參照圖式一邊說明本發明的實施形態。此外，圖式中針對相同或者相當的部分附上相同的元件符號並不重複說明。此外，在本發明的實施形態中，X軸、Y軸以及Z軸係彼此正交，X軸以及Y軸係於水平方向平行，Z軸係於鉛直方向平行。此外，「俯視觀看」係表示從鉛直上方觀看對象。
參照圖1至圖11說明本發明的實施形態的基板處理裝置100。首先，參照圖1說明基板處理裝置100。圖1係顯示基板處理裝置100之圖。圖1所示的基板處理裝置100係藉由處理液處理基板W。
具體而言，基板處理裝置100係藉由處理液處理構成基板W之對象物。以下，將屬於處理液的處理對象之對象物稱為「對象物TG」。構成基板W之對象物TG係例如為基板本體(例如由矽所構成的基板本體)或者形成於基板本體的表面之物質。形成於基板本體的表面之物質係例如為與基板本體相同材料的物質(例如由矽所構成的層)或者與基板本體不同材料的物質(例如氧化矽膜、氮化矽膜或者阻劑(resist))。「物質」亦可構成膜。
基板處理裝置100係葉片型，用以逐片地處理基板W。基板W係略圓板狀。
基板W係例如為半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(FED；Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板或者太陽電池用基板。在以下的實施形態的說明中，基板W係半導體晶圓。
尤其，在本實施形態中，基板處理裝置100係作為「處理條件選擇裝置」發揮作用，「處理條件選擇裝置」係用以從複數個參照處理條件中選擇藉由處理液處理構成基板W之對象物TG時可使用的處理條件。
如圖1所示，基板處理裝置100係具備有處理單元1、顯示裝置19、輸入裝置20、控制裝置21、閥V1、供給配管K1、閥V2以及供給配管K2。
控制裝置21係控制處理單元1、顯示裝置19、輸入裝置20、閥V1以及閥V2。顯示裝置19係顯示各種資訊。顯示裝置19係例如為液晶顯示器。輸入裝置20係接受來自使用者的輸入，並將用以顯示輸入結果之資訊輸出至控制裝置21。輸入裝置20係例如包含有觸控面板以及指向器件(pointing device)。觸控面板係例如配置於顯示裝置19的顯示面。顯示裝置19與輸入裝置20係例如構成圖形化使用者介面(graphical user interface)。
處理單元1係對基板W噴出處理液並處理基板W。具體而言，處理單元1係包含有腔室(chamber)2、自轉夾具(spin chuck)3、自轉馬達(spin motor)5、噴嘴7、噴嘴移動部9、噴嘴11、複數個防護罩(guard)13(在本實施形態中為兩個防護罩13)、厚度測定部15以及探測器(probe)移動部17。
腔室2係具有略箱形狀。腔室2係收容基板W、自轉夾具3、自轉馬達5、噴嘴7、噴嘴移動部9、噴嘴11、複數個防護罩13、厚度測定部15、探測器移動部17、供給配管K1的一部分以及供給配管K2的一部分。
自轉夾具3係保持並旋轉基板W。具體而言，自轉夾具3係在腔室2內一邊水平地保持基板W一邊使基板W繞著旋轉軸線AX旋轉。具體而言，自轉夾具3係被自轉馬達5驅動而旋轉。
自轉夾具3係包含有複數個夾具構件32以及自轉基座(spin base)33。複數個夾具構件32係沿著基板W的周緣設置於自轉基座33。複數個夾具構件32係以水平的姿勢保持基板W。自轉基座33係略圓板狀，以水平的姿勢支撐複數個夾具構件32。自轉馬達5係使自轉基座33繞著旋轉軸線AX旋轉。因此，自轉基座33係繞著旋轉軸線AX旋轉。結果，被設置於自轉基座33的複數個夾具構件32保持的基板W係繞著旋轉軸線AX旋轉。具體而言，自轉馬達5係包含有馬達本體51以及軸53。軸53係結合至自轉基座33。並且，馬達本體51係使軸53旋轉，藉此使自轉基座33旋轉。
噴嘴7係在基板W的旋轉中朝基板W噴出處理液。處理液係藥液。
以下，在本實施形態中，說明基板處理裝置100對基板W(具體而言為對象物TG)執行蝕刻處理且處理液為蝕刻液之情形。因此，基板處理裝置100係作為「處理條件選擇裝置」發揮作用，「處理條件選擇裝置」係用以從複數個參照處理條件中選擇藉由蝕刻液蝕刻處理構成基板W之對象物TG時可使用的處理條件。
蝕刻液係例如為氫氟硝酸(氫氟酸(HF)與硝酸(HNO3 )的混合液)、氫氟酸、緩衝氫氟酸(BHF；Buffered Hydrogen Fluoride)、氟化銨(ammonium fluoride)、HFEG(hydrof luorine ethylene glycol；氫氟酸乙二醇)(氫氟酸與乙二醇的混合液)、或者磷酸(H3 PO4 )。
供給配管K1係對噴嘴7供給蝕刻液。閥V1係切換開始對噴嘴7供給蝕刻液以及停止對噴嘴7供給蝕刻液。
噴嘴移動部9係於略鉛直方向以及略水平方向移動噴嘴7。具體而言，噴嘴移動部9係包含有臂91、轉動軸93以及噴嘴移動機構95。臂91係沿著略水平方向延伸。於臂91的前端部配置有噴嘴7。臂91係結合至轉動軸93。轉動軸93係沿著略鉛直方向延伸。噴嘴移動機構95係使轉動軸93繞著沿著略鉛直方向的轉動軸線轉動，並使臂91沿著略水平面轉動。結果，噴嘴7係沿著略水平面移動。此外，噴嘴移動機構95係使轉動軸93沿著略鉛直方向升降，並使臂91升降。結果，噴嘴7係沿著略鉛直方向移動。噴嘴移動機構95係例如包含有滾珠螺桿(ball screw)機構以及用以對滾珠螺桿機構賦予驅動力之電動馬達。
噴嘴11係於基板W的旋轉中朝基板W噴出清洗液。清洗液係例如為去離子水、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水或者稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水。
供給配管K2係對噴嘴11供給清洗液。閥V2係切換開始對噴嘴11供給清洗液以及停止對噴嘴11供給清洗液。
複數個防護罩13的各個防護罩13係具有略筒形狀。複數個防護罩13的各個防護罩13係接住從基板W排出的處理液或者清洗液。
厚度測定部15係以非接觸方式測定對象物TG的厚度，並將用以顯示對象物TG的厚度之資訊輸出至控制裝置21。厚度測定部15係例如藉由光譜干擾(spectral interference)法測定對象物TG的厚度。具體而言，厚度測定部15係包含有光學探測器151、連接線153以及厚度測定器155。光學探測器151係包含有透鏡(lens)。連接線153係連接光學探測器151與厚度測定器155。連接線153係包含有光纖。厚度測定器155係包含有光源以及受光元件。厚度測定器155的光源所射出的光線係經由連接線153以及光學探測器151射出至對象物TG。被對象物TG所反射的光線係經由光學探測器151以及連接線153被厚度測定器155的受光元件接收。厚度測定器155係解析所接收的光線，並依據解析結果算出對象物TG的厚度。厚度測定器155係將用以顯示對象物TG的厚度之資訊輸出至控制裝置21。
探測器移動部17係於略鉛直方向以及略水平方向移動光學探測器151。具體而言，探測器移動部17係包含有臂171、轉動軸173以及探測器移動機構175。臂171係沿著略水平方向延伸。於臂171的前端部配置有光學探測器151。臂171係結合至轉動軸173。轉動軸173係沿著略鉛直方向延伸。探測器移動機構175係使轉動軸173繞著沿著略鉛直方向的轉動軸線轉動，並使臂171沿著略水平面轉動。結果，光學探測器151係沿著略水平面移動。此外，探測器移動機構175係使轉動軸173沿著略鉛直方向升降，並使臂171升降。結果，光學探測器151係沿著略鉛直方向移動。探測器移動機構175係例如包含有滾珠螺桿機構以及用以對滾珠螺桿機構賦予驅動力之電動馬達。
接著，參照圖2說明噴嘴7所為之基板W的掃描處理。圖2係顯示噴嘴7所為之基板W的掃描處理之俯視圖。如圖2所示，所謂噴嘴7所為之掃描處理係下述處理：俯視觀看時，以處理液對於對象物TG的表面之著液位置形成圓弧狀的軌跡TJ1之方式一邊移動噴嘴7一邊將處理液噴出至對象物TG。軌跡TJI係通過基板W的邊緣部EG與基板W的中心部CT。中心部CT係顯示基板W中之旋轉軸線AX所通過的部分。邊緣部EG係顯示基板W的周緣部。噴嘴7所為之基板W的掃描處理係在基板W的旋轉中執行。噴嘴7所為之基板W的掃描處理中，噴嘴7的移動速度係一定。噴嘴7的移動速度係例如藉由噴嘴7移動時的噴嘴7的角速度或者速度所表示。
具體而言，噴嘴7係進行朝向順時鐘方向的轉動方向RT1之轉動以及朝向逆時鐘方向的轉動方向RT2之轉動。亦即，噴嘴7係朝向轉動方向RT1轉動並在折返位置TR1折返而於轉動方向RT2轉動。並且，噴嘴7係在折返位置TR2折返而於轉動方向RT1轉動。亦即，噴嘴7係在折返位置TR1與折返位置TR2之間反復移動。折返位置TR1係顯示轉動方向RT1中的噴嘴7的折返位置。折返位置TR2係顯示轉動方向RT2中的噴嘴7的折返位置。折返位置TR1與折返位置TR2係俯視觀看時在軌跡TJ1上夾著中心部CT。折返位置TR1與折返位置TR2係因應處理液的處理條件而被適當地變更。此外，針對折返位置TR3係容後述。
接著，參照圖3說明光學探測器151所為之基板W的掃描處理。圖3係顯示光學探測器151所為之基板W的掃描處理之俯視圖。如圖3所示，所謂光學探測器151所為之掃描處理係下述處理：俯視觀看時，以針對對象物TG之厚度的測定位置形成圓弧狀的軌跡TJ2之方式一邊移動光學探測器151一邊測定對象物TG的厚度。軌跡TJ2係通過基板W的邊緣部EG以及基板W的中心部CT。光學探測器151所為之基板W的掃描處理係在基板W的旋轉中執行。
具體而言，俯視觀看時，光學探測器151係一邊在基板W的中心部CT與邊緣部EG之間移動一邊移動測定位置。換言之，厚度測定部15係在對象物TG的複數個測定位置的各個測定位置中測定對象物TG的厚度。結果，在從基板W的中心部CT至邊緣部EG中測定對象物TG的厚度的分布。亦即，測定基板W的徑方向RD中的對象物TG的厚度的分布。
接著，參照圖4中的(a)至圖4中的(c)說明基板處理裝置100對於基板W(具體而言為對象物TG)的蝕刻處理。圖4中(a)係顯示蝕刻前的厚度圖案TA、TB、TC之圖。圖4中的(b)係顯示蝕刻率分布EA、EB、EC之圖，圖4中的(c)係顯示蝕刻後的厚度圖案TAR、TBR、TCR之圖。「厚度圖案」係顯示在對象物TG的複數個測定位置分別測定的複數個厚度的分布。亦即，「厚度圖案」係顯示基板W的徑方向RD中的對象物TG的厚度的分布。
在圖4中的(a)至圖4中的(c)中，橫軸係顯示基板W上的位置。在圖4中的(a)至圖4中的(c)中，縱軸係顯示對象物TG的厚度。在圖4中的(b)中，縱軸係顯示對象物TG的蝕刻率。蝕刻率係每單位時間的蝕刻量。
如圖4中的(a)所示，在對象物TG於蝕刻前具有厚度圖案TA之情形中，如圖4中的(b)所示般以具有與厚度圖案TA相關度高的蝕刻率分布EA之方式制定處理條件，並執行蝕刻處理。結果，依據本實施形態，如圖4中的(c)所示，在對象物TG於蝕刻前具有厚度圖案TA之情形中，蝕刻後的對象物TG的厚度圖案TAR係變成略平坦(flat)。亦即，能在對象物TG廣範圍的區域(從中心部CT至邊緣部EG為止的區域)中抑制蝕刻後的對象物TG的厚度的參差不齊。
同樣地，如圖4中的(a)以及圖4中的(b)所示，以具有與蝕刻前的對象物TG的厚度圖案TB相關度高的蝕刻率分布EB之方式制定處理條件，並執行蝕刻處理。結果，如圖4中的(c)所示，在對象物TG於蝕刻前具有厚度圖案TB之情形中，蝕刻後的對象物TG的厚度圖案TBR係變成略平坦。
同樣地，如圖4中的(a)以及圖4中的(b)所示，以具有與蝕刻前的對象物TG的厚度圖案TC相關度高的蝕刻率分布EC之方式制定處理條件，並執行蝕刻處理。結果，如圖4中的(c)所示，在對象物TG於蝕刻前具有厚度圖案TC之情形中，蝕刻後的對象物TG的厚度圖案TCR係變成略平坦。
此外，假設在以對象物的厚度於徑方向略均勻(亦即對象物的厚度圖案略平坦)為前提制定了蝕刻率分布變成略一定的處理條件之情形中，當對象物的厚度於徑方向不均勻時，蝕刻後的對象物的厚度圖案不會變成略平坦，有可能會於蝕刻後的對象物的厚度產生參差不齊。
接著，參照圖5說明控制裝置21。圖5係顯示控制裝置21之方塊圖。如圖5所示，控制裝置21係包含有控制部31以及記憶部41。控制部31係控制記憶部41。此外，控制部31係控制基板處理裝置100的其他各個構成。
控制部31係包含有如CPU(Central Processing Unit；中央處理器)此種的處理器。記憶部41係包含有記憶裝置，並記憶資料以及電腦程式。具體而言，記憶部41係包含有如半導體記憶體此種的主記憶裝置以及如半導體記憶體以及／或者硬碟機此種的輔助記憶裝置。記憶部41亦可包含有如光碟此種的可移媒體(removable media)。控制部31的處理器係執行記憶部41的記憶裝置所記憶的電腦程式並控制基板處理裝置100的各個構成。
具體而言，記憶部41係記憶處方(recipe)資料415以及電腦程式417。此外，記憶部41係包含有參照圖案資料庫411。較佳為記憶部41係包含有處理結果資料庫413。
參照圖案資料庫411係記憶複數個參照圖案RP。複數個參照圖案RP的各個參照圖案RP係被預先分類至複數個參照群組G中的某一個參照群組G。複數個參照群組G係依據參照圖案RP的形狀的特徵而制定。此外，參照圖案資料庫411係記憶複數個參照處理條件。複數個參照處理條件係分別被賦予關聯至複數個參照圖案RP。
處理結果資料庫413係記憶用以顯示處理液所為之對象物TG的處理結果之資訊。處方資料415係包含有用以顯示複數個處方之資訊。複數個處方的各個處方係規定基板W的處理內容以及處理順序。電腦程式417係使控制部31的處理器執行包含有本實施形態的處理條件選擇方法之基板處理方法。例如，電腦程式417係使控制部31的處理器動作，以從複數個參照處理條件中選擇藉由處理液處理構成基板W之對象物TG時可使用的處理條件。處理器係相當於「電腦」的一例。
控制部31係包含有特定部311以及取得部313。控制部31的處理器係執行電腦程式417並作為特定部311以及取得部313發揮作用。
特定部311係從厚度測定部15取得用以顯示在處理液所為之處理前藉由厚度測定部15所測定的對象物TG的厚度之資訊。用以顯示對象物TG的厚度之資訊係包含有處理液所為之處理前的對象物TG的厚度圖案(以下有稱為「厚度圖案TM」之情形)。
特定部311係比較厚度圖案TM以及預先記憶於記憶部41(具體而言為參照圖案資料庫411)之複數個參照圖案RP。並且，特定部311係依據規定規則(以下稱為「規定規則RU」)從複數個參照圖案RP中特定與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP。換言之，在本說明書中，「與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP」係例如為「具有與厚度圖案TM的形狀(輪廓(profile))類似的形狀(輪廓)之參照圖案RP」。
例如，特定部311係依據規定規則RU從複數個參照圖案RP中特定與厚度圖案TM最相關度高的參照圖案RP。換言之，在本說明書中，「與厚度圖案TM最相關度高的參照圖案RP」係例如為「具有與厚度圖案TM的形狀(輪廓)最近似的形狀(輪廓)之參照圖案RP」。
相關度高的基準係被規定規則RU制定。相關度高的基準係被實驗性以及／或者經驗性地制定。例如，相關度高係表示在厚度圖案TM與參照圖案RP之間一個以上的特徵一致或者近似。
在存在有與厚度圖案TM最相關度高的複數個參照圖案RP之情形中，特定部311係選擇對於參照圖案資料庫411的登錄日期時間最新的參照圖案RP。並且，特定部311係將所選擇的參照圖案RP特定成「與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP」。
用以顯示規定規則RU之資訊係例如記憶於記憶部41。記憶部41亦可記憶複數個規定規則RU。在此情形中，使用者係能經由輸入裝置20從複數個規定規則RU中選擇已因應狀況的規定規則RU。並且，特定部311係依據使用者所選擇的規定規則RU進行比較動作，並特定與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP。
此外，亦可利用可內建或者讀入規定規則RU之檢索引擎。檢索引擎係檢索厚度圖案TM作為輸入資訊並進行比較動作，且特定與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP。
複數個參照圖案RP的各個參照圖案RP係顯示參照對象物的物理量的分布。參照對象物係構成過去已被處理過的基板之對象物。參照對象物係例如為過去已被處理過的基板本體。或者，參照對象物係例如為形成於基板本體的表面之物質，且為過去已被處理過的物質。形成於基板本體的表面之物質係例如為與基板本體相同材料的物質或者與基板本體不同材料的物質。「物質」亦可構成膜。
「過去已被處理過的基板」的素材以及構成係與包含有對象物TG之基板W的素材以及構成相同。此外，「參照對象物」的素材以及構成係與對象物TG的素材以及構成相同。
取得部313係從記憶部41(具體而言為參照圖案資料庫411)取得被分別賦予關連至複數個參照圖案RP的複數個參照處理條件中之已被賦予關連至已被特定部311特定的參照圖案RP之參照處理條件，並作為針對對象物TG的處理條件。亦即，取得部313係將所取得的參照處理條件決定成處理條件。「處理條件」係藉由處理液處理對象物TG時可使用的處理條件。
複數個參照處理條件的各個參照處理條件係顯示過去已對具有被賦予關連有參照處理條件的參照圖案RP之參照對象物執行過處理液所為之處理時的處理條件。此情形中的「處理液」係與處理對象物TG時的處理液相同。
以上，如已參照圖5進行說明般，依據本實施形態，取得已被賦予關連至與對象物TG的厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP之參照處理條件，並作為針對對象物TG的處理條件。亦即，從複數個參照處理條件中取得已被賦予關連至與對象物TG的厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP之參照處理條件，並作為針對對象物TG的處理條件。因此，依循所選擇的處理條件處理對象物TG，藉此能在構成基板W之對象物TG的廣範圍的區域中抑制處理後的對象物TG的厚度的參差不齊。在本實施形態中，「廣範圍的區域」係表示從基板W的中心部CT至邊緣部EG為止的區域。
尤其，在本實施形態中，處理液係用以蝕刻對象物TG之蝕刻液。在此情形中，用以定義參照圖案RP之「參照對象物的物理量的分布」中的「物理量」係蝕刻率。亦即，參照圖案RP係顯示參照對象物的蝕刻率的分布。
因此，選擇用以顯示與對象物TG的厚度圖案TM相關度高的蝕刻率的分布之參照圖案RP。並且，取得已被賦予關連至用以顯示此種蝕刻率的分布的參照圖案RP之參照處理條件，並作為針對對象物TG的處理條件。 因此，依循所取得的處理條件蝕刻處理對象物TG，藉此能在對象物TG的廣範圍的區域中抑制蝕刻處理後的對象物TG的厚度的參差不齊。亦即，能在對象物TG的廣範圍的區域中將蝕刻處理後的對象物TG的厚度圖案(以下亦有稱為「厚度圖案TMR」之情形)構成為略平坦。
以圖4中的(a)至圖4中的(c)作為例子，圖4中的(a)所示的蝕刻處理前的厚度圖案TA至厚度圖案TC各者係相當於蝕刻處理前的厚度圖案TM。此外，圖4中的(b)所示的蝕刻率分布EA至蝕刻率分布EC各者係相當於用以顯示與厚度圖案TM相關度高的蝕刻率的分布之參照圖案RP。再者，圖4中的(c)所示的蝕刻處理後的厚度圖案TAR至厚度圖案TCR各者係相當於蝕刻處理後的厚度圖案TMR。
此外，用以定義參照圖案RP之「參照對象物的物理量的分布」中的「物理量」亦可為蝕刻量。亦即，參照圖案RP亦可顯示參照對象物的蝕刻量的分布。
此外，在本實施形態中，複數個參照處理條件的各個參照處理條件係包含有用以顯示包含有參照對象物之基板的旋轉速度之資訊、用以顯示對參照對象物噴出處理液之噴嘴7的折返位置之資訊以及用以顯示沿著參照對象物之噴嘴7的移動速度之資訊。因此，取得已被賦予關連至與對象物TG的厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP之參照處理條件作為針對對象物TG的處理條件，藉此能因應對物象TG的厚度圖案TM適當地決定處理時的基板W的旋轉速度、朝對象物TG噴出處理液之噴嘴7的折返位置以及沿著對象物TG之噴嘴7的移動速度。結果，能在對象物TG的廣範圍的區域中進一步地抑制處理後的對象物TG的厚度的參差不齊。具體而言，能在對象物TG的廣範圍的區域中進一步地抑制蝕刻處理後的對象物TG的厚度的參差不齊。
接著，參照圖5說明控制部31的特定部311。如圖5所示，較佳為特定部311係包含有分類部311a以及決定部311c。
分類部311a係將蝕刻處理前的對象物TG的厚度圖案TM分類至複數個參照群組G中的某一個參照群組G。並且，決定部311c係將複數個參照圖案RP中之被分類於已分類有對象物TG的厚度圖案TM之參照群組G的兩個以上的參照圖案RP作為對象，依據規定規則RU進行厚度圖案TM與參照圖案RP之間的比較，並決定與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP。因此，依據本實施形態，與比較所有的參照圖案RP的各個參照圖案RP與厚度圖案TM並特定與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP之情形相比，能短時間地決定與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP。「藉由決定部311c所決定的參照圖案RP」係相當於「藉由特定部311所特定的參照圖案RP」。
例如，決定部311c係從複數個參照圖案RP中之被分類於已分類有對象物TG的厚度圖案TM之參照群組G的兩個以上的參照圖案RP決定與厚度圖案TM最相關度高的參照圖案RP。
在存在有與厚度圖案TM最相關度高的複數個參照圖案RP之情形中，決定部311c係選擇對於參照圖案資料庫411的登錄日期時間最新的參照圖案RP。並且，特定部311c係將所選擇的參照圖案RP特定成「與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP」。
規定規則RU係被制定於每個參照群組G。用以顯示規定規則RU之資訊係例如記憶於記憶部41中的每個參照群組G。記憶部41亦可於每個參照群組G記憶複數個規定規則RU。在此情形中，使用者係能經由輸入裝置20因應參照群組G從複數個規定規則RU中選擇已因應狀況的規定規則RU。並且，特定部311c係依據使用者所選擇的規定規則RU進行比較動作，並特定與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP。
此外，亦可利用可內建或者讀入規定規則RU之檢索引擎。檢索引擎係將被分類於已分類有厚度圖案TM之參照群組G的兩個以上的參照圖案RP作為對象，並檢索厚度圖案TM作為輸入資訊，藉此進行比較動作，且決定與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP。
取得部313係從記憶部41(更具體而言為參照圖案資料庫411)取得已被賦予關連至藉由決定部311c所決定的參照圖案RP之參照處理條件，並作為針對對象物TG之處理條件。
較佳為特定部311係進一步包含有前處理部311b。前處理部311b係使對象物TG的厚度圖案TM的次元(「長度L」)與參照圖案RP的次元(「長度L」／「時間T」)一致。
例如，前處理部311b係將參照圖案RP的次元轉換成厚度圖案TM的次元。具體而言，在此情形中，前處理部311b係算出轉換係數CV。並且，前處理部311b係對已被分類有厚度圖案TM的參照群組G所含有之複數個參照圖案RP的各個參照圖案RP乘上轉換係數CV，藉此將複數個參照圖案RP的各個參照圖案RP的次元轉換成厚度圖案TM的次元。
轉換係數CV係藉由將平均值AV1除以平均值AV2而算出。平均值AV1係複數個厚度值的平均值，該複數個厚度值係構成厚度圖案TM。平均值AV2係複數個蝕刻率值的平均值，該複數個蝕刻率值係構成已被分類有厚度圖案TM的參照群組G所含有之複數個參照圖案RP。
例如，前處理部311b亦可將厚度圖案TM的次元轉換成參照圖案RP的次元。例如，前處理部311b亦可對厚度圖案TM以及參照圖案RP執行規格化或者正規化，並將厚度圖案TM與參照圖案RP予以無次元化。
決定部311c係藉由前處理部311b使厚度圖案TM的次元與參照圖案RP的次元一致後，依據規定規則RU從已被分類有厚度圖案TM的參照群組G所含有之複數個參照圖案RP中決定與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP(亦即與厚度圖案TM類似的參照圖案RP)。因此，依據本實施形態，能更精度佳地決定與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP(亦即與厚度圖案TM類似的參照圖案RP)。
接著，參照圖5至圖9中的(b)說明參照群組G。如圖5所示，複數個參照群組G係包含有第一參照群組G1、第二參照群組G2以及第三參照群組G3中的至少一個。在本實施形態中，複數個參照群組G係包含有第一參照群組G1、第二參照群組G2以及第三參照群組G3。因此，分類部311a係將蝕刻處理前的對象物TG的厚度圖案TM分類至第一參照群組G1至第三參照群組G3中之任一個參照群組。
另一方面，在本實施形態中，複數個參照圖案RP的各個參照圖案RP係被預先分類至第一參照群組G1至第三參照群組G3中的任一個參照群組G。並且，決定部311c係藉由前處理部311b使厚度圖案TM的次元與參照圖案RP的次元一致後，依據規定規則RU從第一參照群組G1至第三參照群組G3中之被分類於已分類有對象物TG的厚度圖案TM之參照群組G的兩個以上的參照圖案RP決定與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP(亦即與厚度圖案TM類似的參照圖案RP)。
圖6中的(a)係顯示被分類至第一參照群組G1之厚度圖案T1之圖。橫軸係顯示基板W上的位置，縱軸係顯示對象物TG的厚度。如圖6中的(a)所示，分類部311a係將蝕刻處理前的對象物TG的厚度圖案T1分類至第一參照群組G1。第一參照群組G1係顯示於從對象物TG或者參照對象物的中心部CT至邊緣部EG為止之間具有極小部之圖案(亦即朝下方凸起的曲線狀的圖案)的群組。此種圖案係厚度圖案T1以及參照圖案RP1的「特徵」的一例。厚度圖案T1係於從中心部CT至邊緣部EG為止之間具有厚的極小部P1。
圖6中的(b)係顯示被分類至第二參照群組G2之厚度圖案T2之圖。橫軸係顯示基板W上的位置，縱軸係顯示對象物TG的厚度。如圖6中的(b)所示，分類部311a係將蝕刻處理前的對象物TG的厚度圖案T2分類至第二參照群組G2。第二參照群組G2係顯示於從對象物TG或者參照對象物的中心部CT至邊緣部EG為止之間具有極大部之圖案(亦即朝上方凸起的曲線狀的圖案)的群組。此種圖案係厚度圖案T2以及參照圖案RP2的「特徵」的一例。厚度圖案T2係於從中心部CT至邊緣部EG為止之間具有厚的極大部P3。
圖6中的(c)係顯示被分類至第三參照群組G3之厚度圖案T3之圖。橫軸係顯示基板W上的位置，縱軸係顯示對象物TG的厚度。如圖6中的(c)所示，分類部311a係將蝕刻處理前的對象物TG的厚度圖案T3分類至第三參照群組G3。第三參照群組G3係顯示從對象物TG或者參照對象物的中心部CT朝邊緣部EG往一方向傾斜之圖案的群組。在本實施形態中，第三參照群組G3係顯示以從對象物TG或者參照對象物的中心部CT朝邊緣部EG增加之方式傾斜之圖案的群組。此種圖案係厚度圖案T3以及參照圖案RP3的「特徵」的一例。厚度圖案T2係以中心部CT朝邊緣部EG增加之方式傾斜。
圖7中的(a)係顯示被分類至第一參照群組G1之複數個參照圖案RP1之圖。如圖7中的(a)所示，於第一參照群組G1附屬有複數個圖表(table)BL1。複數個圖表BL1的各個圖表BL1係包含有彼此不同的複數個參照圖案RP1。
於複數個圖表BL1被分別賦予關連有用以顯示彼此不同的複數個旋轉速度之資訊。並且，於一個圖表BL1所含有之複數個參照圖案RP1被賦予關連有用以顯示相同旋轉速度之資訊。「旋轉速度」係顯示包含有參照對象物之基板的旋轉速度，例如藉由每單位時間的基板的旋轉數來表示。用以顯示複數個旋轉速度之資訊的各個資訊係分別為參照處理條件的一種。
在複數個表格BL1的各個表格BL1中，U軸係顯示轉動方向RT1(圖2)中的噴嘴7的折返位置TR1，V軸係顯示轉動方向RT2(圖2)中的噴嘴7的折返位置TR2。在折返位置TR1以及折返位置TR2的各者中顯示從基板的中心部CT起的位置。
並且，在複數個表格BL1的各個表格BL1中以一個折返位置TR1以及一個折返位置TR2特定一個參照圖案RP1。亦即，針對一個參照圖案RP1賦予關聯有一個折返位置TR1以及一個折返位置TR2。用以顯示折返位置TR1之資訊以及用以顯示折返位置TR2之資訊係參照處理條件的一種。
此外，於第一參照群組G1所含有之複數個參照圖案RP1(具體而言為所有的參照圖案RP1)係被賦予關連有用以顯示相同移動速度之資訊。「移動速度」係沿著參照對象物之噴嘴7的移動速度。用以顯示噴嘴7的移動速度之資訊係參照處理條件的一種。
圖7中的(b)係顯示參照圖案RP1的詳細情形之圖。橫軸係顯示基板上的位置，縱軸係顯示參照對象物的蝕刻率。如圖7中的(b)所示，參照圖案RP1係被分類至第一參照群組G1。參照圖案RP1係於從中心部CT至邊緣部EG為止之間具有蝕刻率的極小部P1#。
圖8中的(a)係顯示被分類至第二參照群組G2之複數個參照圖案RP2之圖。如圖8中的(a)所示，於第二參照群組G2附屬有複數個表格BL2。複數個表格BL2的各個表格BL2係包含有彼此不同的複數個參照圖案RP2。表格BL2包含有參照圖案RP2之方面係表格BL2與包含有參照圖案RP1之表格BL1(圖7中的(a))的差異。此外，表格BL2的其他方面係與表格BL1相同，因此省略說明。
圖8中的(b)係顯示參照圖案RP2的詳細情形之圖。橫軸係顯示基板上的位置，縱軸係顯示參照對象物的蝕刻率。如圖8中的(b)所示，參照圖案RP2係被分類至第二參照群組G2。參照圖案RP2係於從中心部CT至邊緣部EG為止之間具有蝕刻率的極大部P3#。
圖9中的(a)係顯示被分類至第三參照群組G3之複數個參照圖案RP3之圖。如圖9中的(a)所示，於第三參照群組G3附屬有複數個表格BL3。複數個表格BL3的各個表格BL3係包含有彼此不同的複數個參照圖案RP3。表格BL3包含有參照圖案RP3之方面係表格BL3與包含有參照圖案RP1之表格BL1(圖7中的(a))的差異。此外，表格BL3的其他方面係與表格BL1相同，因此省略說明。
圖9中的(b)係顯示參照圖案RP3的詳細情形之圖。橫軸係顯示基板上的位置，縱軸係顯示參照對象物的蝕刻率。如圖9中的(b)所示，參照圖案RP3係被分類至第三參照群組G3。在參照圖案RP3中，蝕刻率係從中心部CT朝邊緣部EG往一方向傾斜。具體而言，在參照圖案RP3中，以蝕刻率從中心部CT朝邊緣部EG增加之方式傾斜。
以上，如參照圖5至圖9中的(b)所說明般，依據本實施形態，第一參照群組G1至第三參照群組G3各者係簡單形狀的圖案的群組。因此，分類部311a係能容易地進行厚度圖案TM的分類。
接著，參照圖6中的(a)以及圖7中的(b)說明厚度圖案T1已被分類至第一參照群組G1時的決定部311c的處理的詳細情形。在已被分類有厚度圖案T1之參照群組G為第一參照群組G1之情形中，使厚度圖案T1與參照圖案RP1之間的次元一致後，決定部311c係比較依據厚度圖案T1之第一差分D1以及依據參照圖案RP1之第二差分D1#，並依據比較結果從複數個參照圖案RP1中決定與厚度圖案T1相關度高的參照圖案RP1(亦即與厚度圖案T1類似的參照圖案RP1)。此種決定的規則係第一參照群組G1中的規定規則RU的一例。
如圖6中的(a)所示，第一差分D1係顯示藉由厚度圖案T1的極小部P1所示的對象物TG的厚度t2與藉由厚度圖案T1的邊緣部P2所示的對象物TG的邊緣部EG的厚度t0之間的差分的絕對值。
如圖7中的(b)所示，第二差分D1#係顯示藉由參照圖案RP1的極小部P1#所示的參照對象物的蝕刻率t2#與藉由參照圖案RP1的邊緣部P2#所示的參照對象物的邊緣部EG的蝕刻率t0#之間的差分的絕對值。
由於基板W的旋轉速度的影響係容易顯現於對象物TG的邊緣部EG的蝕刻率，因此在本實施形態中依據第一差分D1與第二差分D1#的比較結果決定與厚度圖案T1相關度高的參照圖案RP1，藉此能針對具有厚度圖案T1之對象物TG取得更良好的處理條件(例如基板W的旋轉速度)。
例如，決定部311c係從複數個參照圖案RP1中決定第一差分D1與第二差分D1#之間的差的絕對值最小之參照圖案RP1，並作為與厚度圖案T1相關度高的參照圖案RP1。例如，決定部311c係從複數個參照圖案RP1中決定第一差分D1與第二差分D1#之間的差的絕對值為預定值VA1以下之參照圖案RP1，並作為與厚度圖案T1相關度高的參照圖案RP1。這些例子的決定的規則係第一參照群組G1中的規定規則RU的一例。
此外，決定部311c亦可比較圖6中的(a)所示的第一差分D1、距離L0、距離L1、厚度t0、厚度t1、厚度t2、差分(＝t1－t2)中的至少一個以上的資訊以及圖7中的(b)所示的第二差分D1#、距離L0#、距離L1#、蝕刻率t0#、蝕刻率t1#、蝕刻率t2#、差分(＝t1#－t2#)中的至少一個以上的資訊，並依據比較結果從複數個參照圖案RP1中決定與厚度圖案T1相關度高的參照圖案RP1。此種決定的規則係第一參照群組G1中的規定規則RU的一例。
距離L0係顯示從對象物TG的中心部CT至與厚度圖案T1的極小部P1對應的位置R1為止之距離。距離L1係顯示從與對象物TG的極小部P1對應的位置R1至對象物TG的邊緣部EG為止之距離。厚度t0係顯示對象物TG的邊緣部EG的厚度。厚度t1係顯示對象物TG的中心部CT的厚度。厚度t2係顯示藉由厚度圖案T1的極小部P1所示的對象物TG的厚度。
距離L0#係顯示從參照對象物的中心部CT至與參照圖案RP1的極小部P1#對應的位置R1#為止之距離。距離L1#係顯示從與參照對象物的極小部P1#對應的位置R1#至參照對象物的邊緣部EG為止之距離。蝕刻率t0#係顯示參照對象物的邊緣部EG的蝕刻率。蝕刻率t1#係顯示參照對象物的中心部CT的蝕刻率。蝕刻率t2#係顯示藉由參照圖案RP1的極小部P1#所示的參照對象物的蝕刻率。
此外，第一差分D1、距離L0、距離L1、厚度t0、厚度t1、厚度t2以及差分(＝t1－t2)係厚度圖案T1的「特徵」的一例。此外，第二差分D1#、距離L0#、距離L1#、蝕刻率t0#、蝕刻率t1#、蝕刻率t2#以及差分(＝t1#－t2#)係參照圖案RP1的「特徵」的一例。
接著，參照圖6中的(b)以及圖8中的(b)說明厚度圖案T2被分類至第二參照群組G2時的決定部311c的處理的詳細情形。在被分類有厚度圖案T2之參照群組G為第二參照群組G2之情形中，使厚度圖案T2與參照圖案RP2之間的次元一致後，決定部311c係比較依據厚度圖案T2之第一距離L2與依據參照圖案RP2之第二距離L2#，並依據比較結果從複數個參照圖案RP2中決定與厚度圖案T2相關度高的參照圖案RP2(亦即與厚度圖案T2類似的參照圖案RP2)。此種決定的規則係第二參照群組G2中的規定規則RU的一例。
如圖6中的(b)所示，第一距離L2係顯示從對象物TG的中心部CT至與厚度圖案T2的極大部P3對應的位置R2為止之距離。
如圖8中的(b)所示，第二距離L2#係顯示從參照對象物的中心部CT至與參照圖案RP2的極大部P3#對應的位置R2#為止之距離。
在噴嘴7的折返位置中，由於存在對象物TG的蝕刻率變成最大之情形，因此在本實施形態中依據第一距離L2與第二距離L2#的比較結果決定與厚度圖案T2相關度高的參照圖案RP2，因此能針對具有厚度圖案T2的對象物TG取得更良好的處理條件(例如噴嘴7的折返位置)。在噴嘴7的折返位置中對象物TG的蝕刻率變成最大之理由如下：由於噴嘴7在噴嘴7的折返位置中停止，因此在噴嘴7的折返位置中朝對象物TG的處理液的噴出量變多。此現象在處理液為氫氟硝酸之情形時很顯著。
例如，決定部311c係從複數個參照圖案RP2中決定第一距離L2與第二距離L2#之間的差的絕對值最小之參照圖案RP2，並作為與厚度圖案T2相關度高的參照圖案RP2。例如，決定部311c係從複數個參照圖案RP2中決定第一距離L2與第二距離L2#之間的差的絕對值為預定值VA2以下的參照圖案RP2，並作為與厚度圖案T2相關度高的參照圖案RP2。這些例子的決定的規則係第二參照群組G2中的規定規則RU的一例。
此外，決定部311c亦可比較圖6中的(b)所示的第一距離L2、距離L3、厚度t3、厚度t4、厚度t5、差分(＝t3－t5)、差分(＝t3－t4)中的至少一個以上的資訊以及圖8中的(b)所示的第二距離L2#、距離L3#、蝕刻率t3#、蝕刻率t4#、蝕刻率t5#、差分(＝t3#－t5#)、差分(＝t3#－t4#)中的至少一個以上的資訊，並依據比較結果從複數個參照圖案RP2中決定與厚度圖案T2相關度高的參照圖案RP2。此種決定的規則係第二參照群組G2中的規定規則RU的一例。
距離L3係顯示從與厚度圖案T2的極大部P3對應的位置R2至對象物TG的邊緣部EG為止之距離。厚度t3係顯示藉由厚度圖案T2的極大部P3所示的對象物TG的厚度。厚度t4係顯示對象物TG的中心部CT的厚度。厚度t5係顯示對象物TG的邊緣部EG的厚度。
距離L3#係顯示從與參照圖案RP2的極大部P3#對應的位置R2#至參照對象物的邊緣部EG為止之距離。蝕刻率t3#係顯示藉由參照圖案RP2的極大部P3#所示的參照對象物的蝕刻率。蝕刻率t4#係顯示參照對象物的中心部CT的蝕刻率。蝕刻率t5#係顯示參照對象物的邊緣部EG的蝕刻率。
此外，第一距離L2、距離L3、厚度t3、厚度t4、厚度t5、差分(＝t3－t5)以及差分(＝t3－t4)係厚度圖案T2的「特徵」的一例。此外，第二距離L2#、距離L3#、蝕刻率t3#、蝕刻率t4#、蝕刻率t5#、差分(＝t3#－t5#)以及差分(＝t3#－t4#)係參照圖案RP2的「特徵」的一例。
接著，參照圖6中的(c)以及圖9中的(b)說明厚度圖案T3被分類至第三參照群組G3時的決定部311c的處理的詳細情形。在分類有厚度圖案T3之參照群組G為第三參照群組G3之情形中，使厚度圖案T3與參照圖案RP3之間的次元一致後，決定部311c係比較厚度圖案T3的傾斜與參照圖案RP3的傾斜，並依據比較結果從複數個參照圖案RP3中決定與厚度圖案T3相關度高的參照圖案RP3(亦即與厚度圖案T3類似的參照圖案RP3)。此種決定的規則係第三參照群組G3中的規定規則RU的一例。
如圖6中的(c)所示，厚度圖案T3的傾斜係例如藉由傾斜角度θ所示。傾斜角度θ係顯示厚度圖案T3相對於包含有對象物TG的基板W的徑方向之傾斜角度。
如圖9中的(b)所示，參照圖案RP3的傾斜係例如藉由傾斜角度θ#所示。傾斜角度θ#係顯示參照圖案RP3相對於包含有參照對象物的基板的徑方向之傾斜角度。
由於存在有因為離心力導致對於對象物TG的邊緣部EG之處理液的量比對於對象物TG的中心部CT之處理液的量還多之情形，因此在本實施形態中依據厚度圖案T3的傾斜與參照圖案RP3的傾斜的比較結果決定與厚度圖案T3相關度高的參照圖案RP3，藉此能針對具有厚度圖案T3的對象物TG取得更良好的處理條件(例如基板W的旋轉速度)。
例如，決定部311c係從複數個參照圖案RP3中決定傾斜角度θ與傾斜角度θ#之間的差的絕對值最小的參照圖案RP3，並作為與厚度圖案T3相關度高的參照圖案RP3。例如，決定部311c係從複數個參照圖案RP3中決定傾斜角度θ與傾斜角度θ#之間的差的絕對值為預定值VA3以下的參照圖案RP3，並作為與厚度圖案T3相關度高的參照圖案RP3。這些例子的決定的規則係第三參照群組G3中的規定規則RU的一例。
此外，決定部311c亦可比較圖6中的(c)所示的傾斜角度θ、厚度t6、厚度t8、差分(＝t6－t8)中的至少一個以上的資訊以及圖9中的(b)所示的傾斜角度θ#、蝕刻率t6#、蝕刻率t8#、差分(＝t6#－t8#)中的至少一個以上的資訊，並依據比較結果從複數個參照圖案RP3中決定與厚度圖案T3相關度高的參照圖案RP3。此種決定的規則係第三參照群組G3中的規定規則RU的一例。
厚度t6係顯示對象物TG的邊緣部EG的厚度。厚度t8係顯示對象物TG的中心部CT的厚度。
蝕刻率t6#係顯示參照對象物的邊緣部EG的蝕刻率。蝕刻率t8#係顯示參照對象物的中心部CT的蝕刻率。
此外，傾斜角度θ、厚度t6、厚度t8以及差分(＝t6－t8)係厚度圖案T3的「特徵」的一例。此外，傾斜角度θ#、蝕刻率t6#、蝕刻率t8#以及差分(＝t6#－t8#)係參照圖案RP3的「特徵」的一例。
接著，參照圖5至圖9中的(b)說明控制部31。如圖5所示，較佳為控制部31係進一步包含有解析部315以及調整部317。解析部315係解析對象物TG的厚度圖案TM，並算出用以顯示厚度圖案TM的特徵之第一特徵量FT。第一特徵量FT係顯示厚度圖案TM的極值、厚度圖案TM所示的對象物TG的中心部CT的厚度或者厚度圖案TM所示的對象物TG的邊緣部EG的厚度。厚度圖案TM的極值係厚度圖案TM的極大部或者極小部。
此外，記憶部41係將用以顯示參照圖案RP的特徵之第二特徵量SC預先記憶至每個參照圖案RP。第二特徵量SC係顯示參照圖案RP的極值、參照圖案RP所示的參照對象物的中心部CT的蝕刻率或者參照圖案RP所示的參照對象物的邊緣部EG的蝕刻率。
此外，調整部317係比較用以顯示厚度圖案TM的特徵之第一特徵量FT與用以顯示參照圖案RP的特徵之第二特徵量SC，並依據比較結果調整用以顯示藉由取得部313所取得的處理條件所含有之噴嘴7的移動速度之資訊。結果，在本實施形態中，由於噴嘴7的移動速度變得更良好，因此能在用以構成基板W之對象物TG的廣範圍的區域中進一步地抑制蝕刻處理後的對象物TG的厚度的參差不齊。
具體而言，如圖6中的(a)以及圖7中的(b)所示，在厚度圖案T1已被分類至第一參照群組G1之情形中，使厚度圖案T1與參照圖案RP1之間的次元一致後，調整部317係比較藉由作為厚度圖案T1的第一特徵量FT之極小部P1所示的厚度t2與藉由作為參照圖案RP1的第二特徵量SC之極小部P1#所示的蝕刻率t2#，並依據比較結果調整用以顯示處理條件所含有之噴嘴7的移動速度之資訊。
例如，使厚度圖案T1與參照圖案RP1之間的次元一致後，在藉由極小部P1所示的對象物TG的厚度t2比藉由極小部P1#所示的蝕刻率t2#還大之情形中，調整部317係將處理條件所含有之噴嘴7的移動速度設小達至已與厚度t2與蝕刻率t2#之間的差的絕對值相應之值。此原因在於噴嘴7的移動速度愈小則蝕刻率愈變大。另一方面，在厚度t2比蝕刻率t2#還小之情形中，調整部317係將處理條件所含有之噴嘴7的移動速度設大達至已與厚度t2與蝕刻率t2#之間的差的絕對值相應之值。
如圖6中的(b)以及圖8中的(b)所示，在厚度圖案T2已被分類至第二參照群組G2之情形中，使厚度圖案T2與參照圖案RP2之間的次元一致後，調整部317係比較作為厚度圖案T2的第一特徵量FT之對象物TG的中心部CT的厚度t4與作為參照圖案RP2的第二特徵量SC之參照對象物的中心部CT的蝕刻率t4#，並依據比較結果調整用以顯示處理條件所含有之噴嘴7的移動速度之資訊。
例如，使厚度圖案T2與參照圖案RP2之間的次元一致後，在對象物TG的中心部CT的厚度t4比參照對象物的中心部CT的蝕刻率t4#還大之情形中，調整部317係將處理條件所含有之噴嘴7的移動速度設小達至已與厚度t3與蝕刻率t4#之間的差的絕對值相應之值。此原因在於噴嘴7的移動速度愈小則蝕刻率愈變大。另一方面，在厚度t4比蝕刻率t4#還小之情形中，調整部317係將處理條件所含有之噴嘴7的移動速度設大達至已與厚度t4與蝕刻率t4#之間的差相應之值。
如圖6中的(c)以及圖9中的(b)所示，在厚度圖案T3已被分類至第三參照群組G3之情形中，使厚度圖案T3與參照圖案RP3之間的次元一致後，調整部317係比較作為厚度圖案T3的第一特徵量FT之對象物TG的中點位置RM的厚度t7與作為參照圖案RP3的第二特徵量SC之參照對象物的中點位置RM的蝕刻率t7#，並依據比較結果調整用以顯示處理條件所含有之噴嘴7的移動速度之資訊。
例如，使厚度圖案T3與參照圖案RP3之間的次元一致後，在對象物TG的中點位置RM的厚度t7比參照對象物的中點位置RM的蝕刻率t7#還大之情形中，調整部317係將處理條件所含有之噴嘴7的移動速度設小達至已與厚度t7與蝕刻率t7#之間的差的絕對值相應之值。此原因在於噴嘴7的移動速度愈小則蝕刻率愈變大。另一方面，在厚度t7比蝕刻率t7#還小之情形中，調整部317係將處理條件所含有之噴嘴7的移動速度設大達至已與厚度t7與蝕刻率t7#之間的差的絕對值相應之值。
接著，參照圖5進一步說明控制部31。較佳為控制部31係進一步包含有處理時間算出部318。處理時間算出部318係依據複數個蝕刻率值的平均值與針對對象物TG之期望的蝕刻量算出蝕刻處理時間，該複數個蝕刻率值係構成已被賦予關連至藉由取得部313所取得的處理條件之參照圖案RP。
或者，處理時間算出部318係依據藉由調整部317調整過的處理條件之蝕刻率與針對對象物TG之期望的蝕刻量算出蝕刻處理時間。
在本實施形態中，蝕刻處理時間係藉由噴嘴7對於基板W的掃描次數而制定。
較佳為控制部31係進一步包含有顯示控制部323。顯示控制部323係控制顯示裝置19顯示資訊IN1，該資訊IN1係利用於用以特定或者調整與處理液所為之處理前的對象物TG的厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP。因此，顯示裝置19係顯示資訊IN1。結果，依據本實施形態，使用者能容易地確認或者利用資訊IN1。
資訊IN1係例如為對象物TG的厚度圖案TM、厚度圖案TM的特徵量、複數個參照圖案RP、複數個參照圖案RP的各個參照圖案RP的特徵量、或者複數個參照處理條件。
接著，參照圖5說明藉由處理液處理基板W後的處理。厚度測定部15係在處理液所為之處理後的對象物TG的複數個測定位置的各個測定位置測定處理後的對象物TG的厚度。因此，使用者係能知道處理後的對象物TG的厚度，因此能進行對於處理後的對象物TG之蝕刻處理的評價。
此外，較佳為控制部31係進一步包含有記憶控制部321。記憶控制部321係以將用以顯示處理前的對象物TG的厚度的分布之處理前的厚度圖案TM、與處理前的厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP、藉由取得部313所取得的處理條件、以及用以顯示處理後的對象物TG的厚度的分布之處理後的厚度圖案TMR賦予關聯並記憶之方式控制記憶部41(具體而言為處理結果資料庫413)。因此，記憶部41係將厚度圖案TM、與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP、處理條件以及厚度圖案TMR賦予關連並記憶。結果，依據本實施形態，使用者係能經由輸入裝置20存取記憶部41，因此能有效地活用這些資訊。
再者，較佳為控制部31係進一步包含有評價部319。評價部319係比較處理前的厚度圖案TM與處理後的厚度圖案TMR，並依據比較結果進行對於處理後的對象物TG之蝕刻處理的評價。
此外，顯示控制部323亦可以顯示利用於用以評價處理液所為之處理後的對象物TG的厚度圖案TMR之資訊IN2之方式控制顯示裝置19。在此情形中，顯示裝置19係顯示資訊IN2。因此，依據本實施形態，使用者係能確認資訊IN2並進行對於處理後的對象物TG之蝕刻處理的評價。並且，輸入裝置20係從使用者接受用以顯示評價結果之資訊的輸入。再者，記憶控制部321係以從使用者記憶用以顯示評價結果之資訊之方式控制記憶部41(具體而言為處理結果資料庫413)。
資訊IN2係例如為藉由取得部313所取得的處理條件、處理前的對象物TG的厚度圖案TM、厚度圖案TM的特徵量、與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP、與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP的特徵量、處理後的對象物TG的厚度圖案TMR、或者厚度圖案TMR的特徵量。
此外，記憶控制部321係以將用以顯示處理前的對象物TG的厚度的分布之處理前的厚度圖案TM、與處理前的厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP、藉由取得部313所取得的處理條件、用以顯示處理後的對象物TG的厚度的分布之處理後的厚度圖案TMR、針對處理後的厚度圖案TMR之評價結果賦予關連並記憶之方式控制記憶部41(具體而言為處理結果資料庫413。因此，記憶部41係將厚度圖案TM、與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP、處理條件、厚度圖案TMR、針對厚度圖案TMR之評價結果賦予關聯並記憶。結果，依據本實施形態，使用者係經由輸入裝置20存取記憶部41，藉此能有效地活用這些資訊。
此外，控制部31的處理器係執行電腦程式417，並作為解析部315、調整部317、處理時間算出部318、評價部319、記憶控制部321以及顯示控制部323發揮功能。
接著，參照圖5以及圖10說明本發明的實施形態的基板處理方法。圖10係顯示基板處理方法之流程圖。如圖10所示，基板處理方法係包含有步驟S1至步驟S15。基板處理方法係藉由基板處理裝置100針對每一片基板W執行。
如圖5以及圖10所示，在步驟S1中，基板處理裝置100的控制部31係以保持基板W之方式控制自轉夾具3。結果，自轉夾具3係保持基板W。
接著，在步驟S2中，控制部31係以測定構成基板W之對象物TG的厚度之方式控制厚度測定部15。結果，厚度測定部15係測定處理前的對象物TG的厚度，並將用以顯示處理前的對象物TG的厚度圖案TM之資訊輸出至控制部31。
接著，在步驟S3中，控制部31係從複數個參照處理條件中選擇藉由處理液處理構成基板W之對象物TG時可使用的處理條件。
接著，在步驟S4中，控制部31係將處方資料415所含有之「處理液(蝕刻液)所為之處理條件」變更成在步驟S3中所選擇的處理條件。
接著，在步驟S5中，控制部31係以依循在步驟S3中所選擇的處理條件藉由處理液處理基板W之方式控制自轉馬達5以及噴嘴移動部9。結果，依循在步驟S3中所選擇的處理條件處理基板W。具體而言，以在步驟S3中所選擇的處理條件所含有之旋轉速度旋轉基板W。此外，以在步驟S3中所選擇的處理條件所含有之移動速度移動噴嘴7。再者，噴嘴7係在步驟S3中所選擇的處理條件所含有之折返位置折返。
接著，在步驟S6中，控制部31係以噴嘴11將清洗液噴出至基板W之方式控制閥V2。結果，噴嘴11係噴出清洗液。
接著，在步驟S7中，控制部31係以使基板W旋轉之方式控制自轉馬達5。結果，自轉馬達5使自轉夾具3旋轉，藉此使基板W旋轉。藉由基板W的旋轉使基板W乾燥。
接著，在步驟S8中，控制部31係以測定構成基板W之對象物TG的厚度之方式控制厚度測定部15。結果，厚度測定部15係測定處理後的對象物TG的厚度，並將用以顯示處理後的厚度圖案TMR之資訊輸出至控制部31。
接著，在步驟S9中，控制部31的記憶控制部321係以將用以顯示處理前的對象物TG的厚度的分布之處理前的厚度圖案TM、與處理前的厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP、在步驟S3中所選擇的處理條件、用以顯示處理後的對象物TG的厚度的分布之處理後的厚度圖案TMR賦予關連並記憶之方式控制記憶部41。結果，記憶部41(具體而言為處理結果資料庫413)係記憶這些資訊。
接著，在步驟S10中，控制部31係以從腔室2取出基板W之方式控制搬運機器人。結果，搬運機器人係從腔室2取出基板W。
接著，在步驟S11中，控制部31的評價部319係比較處理前的厚度圖案TM與處理後的厚度圖案TMR，依據比較結果進行針對處理後的對象物TG之蝕刻處理的評價。
接著，在步驟S12中，控制部31的記憶控制部321係以將用以顯示處理前的對象物TG的厚度的分布之處理前的厚度圖案TM、與處理前的厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP、在步驟S3中所選擇的處理條件、用以顯示處理後的對象物TG的厚度的分布之處理後的厚度圖案TMR、針對處理後的厚度圖案TMR之評價結果賦予關連並記憶之方式控制記憶部41。結果，記憶部41(具體而言為處理結果資料庫413)係記憶這些資訊。
接著，在步驟S13中，控制部31的顯示控制部323係以顯示記憶於參照圖案資料庫411之資訊或者記憶於處理結果資料庫413之資訊之方式控制顯示裝置19。結果，顯示裝置19係顯示這些資訊。
接著，在步驟S14中，控制部31係經由輸入裝置20接受來自使用者的輸入。具體而言，使用者係一邊閱覽在步驟S13中所顯示的資訊一邊經由輸入裝置20輸入各種資訊。並且，控制部31係經由輸入裝置20接受來自使用者的輸入。
接著，在步驟S15中，控制部31係以記憶依據從使用者所接受的輸入之資訊之方式控制記憶部41。結果，記憶部41係記憶依據從使用者接受的輸入之資訊。在步驟S15後，結束處理。
在本實施形態的基板製品製造方法中，藉由包含有步驟S1至步驟S15之基板處理方法處理基板W，並製造屬於處理後的基板W之基板製品。
接著，參照圖5以及圖11說明圖10的步驟S3。圖11係顯示圖10的步驟S3之流程圖。步驟S3係包含有步驟S21至步驟S25。步驟S3係相當於「處理條件選擇方法」的一例。
如圖5以及圖11所示，在步驟S21中，控制部31的特定部311係比較用以顯示在對象物TG的複數個測定位置分別測定的複數個厚度的分布之厚度圖案TM與預先記憶於記憶部41之複數個參照圖案RP，並依據規定規則RU從複數個參照圖案RP中特定與對象物TG的厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP。
接著，在步驟S22中，取得部313係從記憶部41取得已分別被賦予關連至複數個參照圖案RP之複數個參照處理條件中之已被賦予關連至在步驟S21中被特定的參照圖案RP之參照處理條件，並作為處理條件。
接著，在步驟S23中，解析部315係解析對象物TG的厚度圖案TM，並算出用以顯示厚度圖案TM的特徵之第一特徵量FT。
接著，在步驟S24中，調整部317係比較用以顯示厚度圖案TM的特徵之第一特徵量FT與用以顯示參照圖案RP的特徵之第二特徵量SC，並依據比較結果調整用以顯示藉由步驟S22所取得的處理條件所含有之噴嘴7的移動速度之資訊。
接著，在步驟S25中，處理時間算出部318係依據藉由步驟S24所調整的處理條件之蝕刻率與針對對象物TG之期望的蝕刻量算出蝕刻處理時間。
具體而言，步驟S21係包含有步驟S31、步驟S51、步驟S52、步驟S61、步驟S62、步驟S71以及步驟S72。此外，步驟S22係包含有步驟S53、步驟S63以及步驟S73。再者，步驟S23係包含有步驟S54、步驟S64以及步驟S74。再者，步驟S24係包含有步驟S55、步驟S65以及步驟S75。再者，步驟S25係包含有步驟S56、步驟S66以及步驟S76。
在步驟S31中，控制部31的分類部311a係將處理前的對象物TG的厚度圖案TM分類至複數個參照群組G中的任一個參照群組G。具體而言，分類部311a係將厚度圖案TM分類至第一參照群組G1至第三參照群組G3中的任一個參照群組G。
在步驟S31中厚度圖案TM被分類至第一參照群組G1之情形中，處理係移行至步驟S51。
接著，在步驟S51中，前處理部311b係使厚度圖案TM的次元與參照圖案RP1的次元一致。
接著，在步驟S52中，決定部311c係使厚度圖案TM的次元與參照圖案RP1的次元一致後，依據規定規則RU決定與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP1(亦即與厚度圖案TM類似的參照圖案RP1)。
接著，在步驟S53中，取得部313係從記憶部41取得已分別被賦予關連至複數個參照圖案RP1之複數個參照處理條件中之被賦予至在步驟S52中所決定的參照圖案RP1之參照處理條件，並作為處理條件。
接著，在步驟S54中，解析部315係解析被分類至第一參照群組G1之厚度圖案TM，並算出用以顯示厚度圖案TM的特徵之第一特徵量FT。
接著，在步驟S55中，調整部317係比較用以顯示厚度圖案TM的特徵之第一特徵量FT與用以顯示參照圖案RP1的特徵之第二特徵量SC，並依據比較結果調整用以顯示藉由步驟S53所取得的處理條件所含有之噴嘴7的移動速度之資訊。
接著，在步驟S56中，處理時間算出部318係依據藉由步驟S55所調整的處理條件之蝕刻率與針對對象物TG之期望的蝕刻量算出蝕刻處理時間。接著，處理係移行至圖10的步驟S4。
另一方面，在步驟S31中厚度圖案TM被分類至第二參照群組G2之情形中，處理係移行至步驟S61。步驟S61至步驟S66的處理係除了參照群組G不同之點外與步驟S51至步驟S56的處理相同，故省略說明。
此外，在步驟S31中厚度圖案TM被分類至第三參照群組G3之情形中，處理係移行至步驟S71。步驟S71至步驟S76的處理係除了參照群組G不同之點外與步驟S51至步驟S56的處理相同，故省略說明。
此外，在步驟S21中，亦可依據使用者朝輸入裝置20的輸入結果特定與處理前的對象物TG的厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP。同樣地，在步驟S24中，亦可依據使用者朝輸入裝置20的輸入結果調整處理條件。
以上已參照圖式說明本發明的實施形態。然而，本發明並未限定於上述實施形態，在未逸離本發明的精神範圍內可在各種態樣中實施。此外，上述實施形態所揭示之複數個構成要素係可適當改變。例如，亦可將某個實施形態所示的全部的構成要素中的某個構成要素追加至其他的實施形態的構成要素，或者亦可從實施形態刪除某個實施形態所示的全部的構成要素中的幾個構成要素。
此外，為了容易理解發明，將各個構成要素主體性地示意地顯示，且所圖示的各個構成要素的厚度、長度、個數、間隔等亦會有因為圖式繪製的關係而與實際不同之情形。此外，上述實施形態所示的各個構成要素的構成係一例，並未特別限定，在未實質性地逸離本發明的功效之範圍內可進行各種變更。
(1)在參照圖1至圖11所說明的本實施形態中，雖然用以定義參照圖案RP之「參照對象物的物理量的分布」中的「物理量」係蝕刻率，但亦可為參照對象物的厚度。亦即，參照圖案RP亦可表示參照對象物的厚度的分布。
在此情形中，選擇用以顯示與對象物TG的厚度圖案TM相關度高的厚度的分布之參照圖案RP(亦即用以顯示與厚度圖案TM類似的厚度的分布之參照圖案RP)。並且，取得已被賦予關連至用以顯示此種厚度的分布之參照圖案RP之參照處理條件，並作為針對對象物TG的處理條件。因此，依循所取得的處理條件蝕刻處理對象物TG，藉此在對象物TG的廣範圍的區域中能抑制蝕刻處理後的對象物TG的厚度的參差不齊。
(2)在參照圖1至圖11所說明的本實施形態中，已說明蝕刻液作為處理液的例子。然而，處理液只要是用以處理基板W則未限定於蝕刻液。例如，處理液亦可為用以去除對象物TG之去除液。在此情形中，用以定義參照圖案RP之「參照對象物的物理量的分布」中的「物理量」係參照對象物的去除率或者去除量。因此，在此情形中，參照圖案RP係表示對象物TG的去除率或者去除量的分布。
在基板處理裝置100對基板W執行阻劑去除處理之情形中，去除液係例如為硫酸過氧化氫水混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture；SPM)。所謂阻劑去除處理係指用以從半導體基板的表面去除阻劑之處理。
(3)在參照圖5所說明的本實施形態中，前處理部311b亦可在分類部311a所為之分類後且在決定部311c所為之決定前使對象物TG的厚度圖案TM的次元與參照圖案RP的次元一致。然而，記憶可41亦可預先記憶藉由規則化或者正規化而被無次元化的複數個參照圖案RP。並且，前處理部311b亦可在分類部311a所為之分類前藉由規格化或者正規化將厚度圖案TM無次元化。
(4)圖5所示的特定部311亦可從複數個參照圖案RP中特定與厚度圖案TM相關度高的兩個以上的參照圖案RP。在此情形中，取得部313亦可針對已分別被賦予關連至兩個以上的參照圖案RP之兩個以上的參照處理條件進行插補(內插)或者外插，並決定處理條件。
(5)圖5所示的特定部311亦可在從厚度圖案TM去除雜訊成分後，特定與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP。在此情形中，能進一步精度佳地特定與厚度圖案TM相關度高的參照圖案RP。
(6)圖5所示的厚度測定部15所為之對象物TG中的測定位置係能任意地制定。例如，厚度的測定位置亦可等間隔地設定。例如，厚度的測定位置亦可為對象物TG的中心部CT、邊緣部EG以及中間位置。中間位置係中心部CT與邊緣部EG之間的位置，且為因應蝕刻特性所制定的位置。例如，能針對對象物TG的特定區域縮短測定間隔，並能針對其他的區域加長測定間隔。
(7)在參照圖2所說明的本實施形態中，噴嘴7係在折返位置TR1與折返位置TR2折返。然而，噴嘴7亦可在邊緣部EG側的折返位置TR1與中心部CT側的折返位置TR3折返。在此情形中，於參照處理條件包含有折返位置TR1的資訊以及折返位置TR3的資訊。
(8)圖11的步驟S23至步驟S25亦可不設置。 [產業可利用性]
本發明係一種處理條件選擇方法、基板處理方法、基板製品製造方法、處理條件選擇裝置、電腦程式以及記憶媒體，且具有產業可利用性。
1:處理單元 2:腔室 3:自轉夾具 5:自轉馬達 7,11:噴嘴 9:噴嘴移動部 13:防護罩 15:厚度測定部 17:探測器移動部 19:顯示裝置 20:輸入裝置 21:控制裝置 31:控制部 32:夾具構件 33:自轉基座 41:記憶部(記憶媒體) 51:馬達本體 53:軸 91,171:臂 93,173:轉動軸 95:噴嘴移動機構 100:基板處理裝置(處理條件選擇裝置) 151:光學探測器 153:連接線 155:厚度測定器 175:探測器移動機構 311:特定部 311a:分類部 311b:前處理部 311c:決定部 313:取得部 315:解析部 317:調整部 318:處理時間算出部 319:評價部 321:記憶控制部 323:顯示控制部 411:參照圖案資料庫 413:處理結果資料庫 415:處方資料 417:電腦程式 AX:旋轉軸線 BL1,BL2,BL3:圖表 CT:中心部 D1:第一差分 D1#:第二差分 EA,EB,EC:蝕刻率分布 EG:邊緣部 G:參照群組 G1:第一參照群組 G2:第二參照群組 G3:第三參照群組 K1,K2:供給配管 L0,L0#,L1,L1#,L3,L3#:距離 L2:第一距離 L2#:第二距離 P1,P1#:極小部 P2,P2#:邊緣部 P3,P3#:極大部 R1,R1#,R2,R2#:位置 RD:徑方向 RP,RP1,RP2,RP3:參照圖案 RT1,RT2:轉動方向 RM:中點位置 S1~S15,S21~S25,S31,S51~S57,S61~S66,S71~S76:步驟 t0,t1,t2,t3,t4,t5,t6,t7,t8:厚度 t0#,t1#,t2#,t3#,t4#,t5#,t6#,t7#,t8#:蝕刻率 T1,T2,T3,TA,TAR,TB,TBR,TC,TCR,TM:厚度圖案 TG:對物象 TJI,TJ2:軌跡 TR1,TR2,TR3:折返位置 V1,V2:閥 W:基板 θ,θ#:傾斜角度
[圖1]係顯示本發明的實施形態的基板處理裝置之圖。 [圖2]係顯示實施形態的基板處理裝置的噴嘴所為之基板的掃瞄處理之俯視圖。 [圖3]係顯示實施形態的基板處理裝置的光學探測器(optical probe)所為之基板的掃描處理之俯視圖。 [圖4]中(a)係顯示實施形態的基板處理裝置所為之蝕刻前的厚度圖案之圖，(b)係顯示實施形態的基板處理裝置所為之蝕刻率分布之圖，(c)係顯示實施形態的基板處理裝置所為之蝕刻後的厚度圖案之圖。 [圖5]係顯示實施形態的基板處理裝置的控制裝置之方塊圖。 [圖6]中的(a)係顯示被分類至實施形態的第一參照群組之厚度圖案之圖，(b)係顯示被分類至實施形態的第二參照群組之厚度圖案之圖，(c)係顯示被分類至實施形態的第三參照群組之厚度圖案之圖。 [圖7]中的(a)係顯示被分類至實施形態的第一參照群組之複數個參照圖案之圖，(b)係顯示被分類至實施形態的第一參照群組之參照圖案的詳細情形之圖。 [圖8]中的(a)係顯示被分類至實施形態的第二參照群組之複數個參照圖案之圖，(b)係顯示被分類至實施形態的第二參照群組之參照圖案的詳細情形之圖。 [圖9]中的(a)係顯示被分類至實施形態的第三參照群組之複數個參照圖案之圖，(b)係顯示被分類至實施形態的第三參照群組之參照圖案的詳細情形之圖。 [圖10]係顯示實施形態的基板處理方法之流程圖。 [圖11]係顯示圖10的步驟S3之流程圖。
S21~S25,S31,S51~S56,S61~S66,S71~S76:步驟
G1:第一參照群組
G2:第二參照群組
G3:第三參照群組

Claims (21)

  1. 一種處理條件選擇方法，係用以從複數個參照處理條件中選擇藉由處理液處理構成基板之對象物時可使用的處理條件，前述處理條件選擇方法係包含有下述步驟： 在前述對象物的複數個測定位置的各個測定位置中，在前述處理液所為之處理前測定前述對象物的厚度； 比較用以顯示在複數個前述測定位置分別測定的複數個前述厚度的分布之厚度圖案與預先記憶於記憶部的複數個參照圖案，並依據規定規則從複數個前述參照圖案中特定與前述厚度圖案相關度高的參照圖案；以及 從前述記憶部取得已被分別賦予關連至複數個前述參照圖案之複數個參照處理條件中之已被賦予關連至已被特定的前述參照圖案之參照處理條件，並作為前述處理條件； 複數個前述參照圖案的各個前述參照圖案係顯示參照對象物的物理量的分布； 複數個前述參照處理條件的各個前述參照處理條件係顯示過去已對具有前述參照圖案的前述參照對象物執行前述處理液所為之處理時的處理條件。
  2. 如請求項1所記載之處理條件選擇方法，其中複數個前述參照圖案的各個前述參照圖案係預先被分類至複數個參照群組中的某一個參照群組； 複數個前述參照群組係依據參照圖案的形狀的特徵而制定； 用以特定前述參照圖案之前述步驟係包含有下述步驟： 將前述厚度圖案分類至複數個前述參照群組中的某一個參照群組；以及 將複數個前述參照圖案中之被分類於已分類有前述厚度圖案之前述參照群組的兩個以上的參照圖案作為對象，依據前述規定規則進行前述厚度圖案與前述參照圖案之間的比較，並決定與前述厚度圖案相關度高的前述參照圖案。
  3. 如請求項2所記載之處理條件選擇方法，其中複數個前述參照群組係包含有第一參照群組、第二參照群組以及第三參照群組中的至少一個參照群組； 前述第一參照群組係顯示於從前述對象物或者前述參照對象物的中心部至邊緣部之間具有極小部之圖案的群組； 前述第二參照群組係顯示於前述對象物或者前述參照對象物的中心部至邊緣部之間具有極大部之圖案的群組； 前述第一參照群組係顯示從前述對象物或者前述參照對象物的中心部朝邊緣部往一方向傾斜之圖案的群組。
  4. 如請求項3所記載之處理條件選擇方法，其中在已分類有前述厚度圖案之前述參照群組為前述第一參照群組之情形中，在決定前述參照圖案之前述步驟中，比較依據前述厚度圖案之第一差分與依據前述參照圖案之第二差分，並依據比較結果決定與前述厚度圖案相關度高的前述參照圖案； 前述第一差分係顯示藉由前述厚度圖案的極小部所示的前述對象物的厚度與藉由前述厚度圖案的邊緣部所示的前述對象物的邊緣部的厚度之間的差分； 前述第二差分係顯示藉由前述參照圖案的極小部所示的前述參照對象物的物理量與藉由前述參照圖案的邊緣部所示的前述參照對象物的邊緣部的物理量之間的差分。
  5. 如請求項3或4所記載之處理條件選擇方法，其中在已分類有前述厚度圖案之前述參照群組為前述第二參照群組之情形中，在決定前述參照圖案之前述步驟中，比較依據前述厚度圖案之第一距離與依據前述參照圖案之第二距離，並依據比較結果決定與前述厚度圖案相關度高的前述參照圖案； 前述第一距離係顯示從前述對象物的中心部至與前述厚度圖案的極大部對應的位置為止之距離； 前述第二距離係顯示從前述參照對象物的中心部至與前述參照圖案的極大部對應的位置為止之距離。
  6. 如請求項3或4所記載之處理條件選擇方法，其中在已分類有前述厚度圖案之前述參照群組為前述第三參照群組之情形中，在決定前述參照圖案之前述步驟中，比較前述厚度圖案的傾斜與前述參照圖案的傾斜，並依據比較結果決定與前述厚度圖案相關度高的前述參照圖案。
  7. 如請求項2至4中任一項所記載之處理條件選擇方法，其中特定前述參照圖案之前述步驟係進一步包含有使前述厚度圖案的次元與前述參照圖案的次元一致之步驟； 在決定前述參照圖案之前述步驟中，使前述厚度圖案的次元與前述參照圖案的次元一致後，依據前述規定規則決定與前述厚度圖案相關度高的前述參照圖案。
  8. 如請求項1至4中任一項所記載之處理條件選擇方法，其中複數個前述參照處理條件的各個前述參照處理條件係包含有用以顯示包含有前述參照對象物之基板的旋轉速度之資訊、用以顯示對前述參照對象物噴出前述處理液之噴嘴的折返位置之資訊以及用以顯示沿著前述參照對象物之前述噴嘴的移動速度之資訊。
  9. 如請求項8所記載之處理條件選擇方法，其中進一步包含有下述步驟：比較用以顯示前述厚度圖案的特徵之第一特徵量與用以顯示前述參照圖案的特徵之第二特徵量，並依據比較結果調整用以顯示從前述記憶部所取得且藉由前述步驟所取得的前述處理條件所含有之前述噴嘴的移動速度之資訊； 前述第一特徵量係顯示前述厚度圖案的極值、前述厚度圖案所示的前述對象物的中心部的厚度或者前述厚度圖案所示的前述對象物的邊緣部的厚度； 前述第二特徵量係顯示前述參照圖案的極值、前述參照圖案所示的前述參照對象物的中心部的物理量或者前述參照圖案所示的前述參照對象物的邊緣部的物理量。
  10. 如請求項1所記載之處理條件選擇方法，其中在特定前述參照圖案之前述步驟中，依據使用者對於輸入裝置的輸入結果特定與前述厚度圖案相關度高的前述參照圖案。
  11. 如請求項1至4中任一項所記載之處理條件選擇方法，其中進一步包含有下述步驟：將利用於用以特定或者調整與前述處理液所為之處理前的前述對象物的前述厚度圖案相關度高的前述參照圖案之資訊或者利用於用以評價前述處理液所為之處理後的前述對象物的厚度圖案之資訊顯示於顯示裝置。
  12. 如請求項1至4中任一項所記載之處理條件選擇方法，其中前述處理液係用以蝕刻前述對象物之蝕刻液； 前述物理量係蝕刻率或者蝕刻量。
  13. 如請求項1至4中任一項所記載之處理條件選擇方法，其中前述處理液係用以去除前述對象物之去除液； 前述物理量係去除率或者去除量。
  14. 一種基板處理方法， 係包含有： 如請求項1至13中任一項所記載之處理條件選擇方法；以及 用以遵循在前述處理條件選擇方法中所選擇的前述處理條件藉由處理液處理前述對象物之步驟。
  15. 如請求項14所記載之基板處理方法，其中進一步包含有下述步驟：在前述處理液所為之處理後的前述對象物的複數個測定位置的各個前述測定位置中，測定處理後的前述對象物的厚度。
  16. 如請求項15所記載之基板處理方法，其中進一步包含有下述步驟：將用以顯示處理前的前述對象物的厚度的分布之處理前的前述厚度圖案、與處理前的前述厚度圖案相關度高的前述參照圖案、前述處理條件、以及用以顯示處理後的前述對象物的厚度的分布之處理後的厚度圖案賦予關連並記憶至記憶部。
  17. 如請求項15所記載之基板處理方法，其中進一步包含有下述步驟：將用以顯示處理前的前述對象物的厚度的分布之處理前的前述厚度圖案、與處理前的前述厚度圖案相關度高的前述參照圖案、前述處理條件、用以顯示處理後的前述對象物的厚度的分布之處理後的厚度圖案、以及針對處理後的前述厚度圖案之評價結果賦予關連並記憶至記憶部。
  18. 一種基板製品製造方法， 係用以藉由如請求項14至17中任一項所記載之基板處理方法處理前述基板並製造屬於處理後的前述基板的基板製品。
  19. 一種處理條件選擇裝置，係用以從複數個參照處理條件中選擇藉由處理液處理構成基板之對象物時可使用的處理條件，前述處理條件選擇裝置係具備有： 厚度測定部，係在前述對象物的複數個測定位置的各個前述測定位置中，在前述處理液所為之處理前測定前述對象物的厚度； 記憶部，係預先記憶用以分別顯示參照對象物的物理量的分布之複數個參照圖案； 特定部，係比較用以顯示在複數個前述測定位置分別測定的複數個前述厚度的分布之厚度圖案與複數個前述參照圖案，並依據規定規則從複數個前述參照圖案中特定與前述厚度圖案相關度高的參照圖案； 取得部，係從前述記憶部取得已被分別賦予關連至複數個參照圖案之複數個參照處理條件中之已被賦予關連至已被特定的前述參照圖案之參照處理條件，並作為前述處理條件； 複數個前述參照處理條件的各個前述參照處理條件係顯示過去已對具有前述參照圖案的前述參照對象物執行前述處理液所為之處理時的處理條件。
  20. 一種電腦程式，係用以從複數個參照處理條件中選擇藉由處理液處理構成基板之對象物時可使用的處理條件，前述電腦程式係使電腦執行下述步驟： 在前述對象物的複數個測定位置的各個測定位置中，在前述處理液所為之處理前測定前述對象物的厚度； 比較用以顯示在複數個前述測定位置分別測定的複數個前述厚度的分布之厚度圖案與預先記憶於記憶部的複數個參照圖案，並依據規定規則從複數個前述參照圖案中特定與前述厚度圖案相關度高的參照圖案；以及 從前述記憶部取得已被分別賦予關連至複數個前述參照圖案之複數個參照處理條件中之已被賦予關連至已被特定的前述參照圖案之參照處理條件，並作為前述處理條件； 複數個前述參照圖案的各個前述參照圖案係顯示參照對象物的物理量的分布； 複數個前述參照處理條件的各個前述參照處理條件係顯示過去已對具有前述參照圖案的前述參照對象物執行前述處理液所為之處理時的處理條件。
  21. 一種記憶媒體，係記憶如請求項20所記載之電腦程式。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7505439B2 (ja) 2021-04-12 2024-06-25 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JPWO2022270129A1 (zh) * 2021-06-24 2022-12-29
CN114252643B (zh) * 2021-12-10 2024-07-09 北京华晟源医疗科技有限公司 尿液滴液的采样方法及装置、电子设备和存储介质

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10275753A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Hitachi Ltd 半導体基板の製造方法
JP4486217B2 (ja) * 2000-05-01 2010-06-23 浜松ホトニクス株式会社 厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法
JP2004071862A (ja) 2002-08-07 2004-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
US9002497B2 (en) * 2003-07-03 2015-04-07 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data
JP2005051210A (ja) * 2003-07-15 2005-02-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 面内分布データの圧縮法、面内分布の測定方法、面内分布の最適化方法、プロセス装置の管理方法及びプロセス管理方法
JP4405236B2 (ja) * 2003-10-31 2010-01-27 キヤノン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP4088616B2 (ja) * 2004-08-30 2008-05-21 三菱重工業株式会社 プラズマｃｖｄ装置、基板処理システム、及び製膜・セルフクリーニング方法
JP5143477B2 (ja) * 2007-05-31 2013-02-13 信越化学工業株式会社 Ｓｏｉウエーハの製造方法
JP2008034877A (ja) * 2007-10-10 2008-02-14 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および製造システム
CN103173766A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 湿法蚀刻工艺的先进工艺控制方法
JP5998010B2 (ja) * 2012-10-24 2016-09-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理システム、基板処理装置の制御方法、プログラムおよび記録媒体
US9698062B2 (en) * 2013-02-28 2017-07-04 Veeco Precision Surface Processing Llc System and method for performing a wet etching process
US9543225B2 (en) * 2014-04-29 2017-01-10 Lam Research Corporation Systems and methods for detecting endpoint for through-silicon via reveal applications
US9460944B2 (en) * 2014-07-02 2016-10-04 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method of treating substrate
TWI641934B (zh) * 2014-08-05 2018-11-21 聯華電子股份有限公司 虛擬量測系統與方法
KR20160045299A (ko) * 2014-10-17 2016-04-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 연계 처리 시스템 및 기판 처리 방법
US9870928B2 (en) * 2014-10-31 2018-01-16 Veeco Precision Surface Processing Llc System and method for updating an arm scan profile through a graphical user interface
WO2016091534A1 (en) * 2014-12-09 2016-06-16 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for image analysis
EP3234987B1 (en) * 2014-12-19 2020-09-23 GlobalWafers Co., Ltd. Systems and methods for performing epitaxial smoothing processes on semiconductor structures
TWI738757B (zh) * 2016-04-05 2021-09-11 美商維克儀器公司 經由化學的適應性峰化來控制蝕刻速率的裝置和方法
US10699926B2 (en) * 2017-08-30 2020-06-30 Kla-Tencor Corp. Identifying nuisances and defects of interest in defects detected on a wafer

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