JPH0888257A - シリコンウエーハの評価方法 - Google Patents
シリコンウエーハの評価方法Info
- Publication number
- JPH0888257A JPH0888257A JP6248458A JP24845894A JPH0888257A JP H0888257 A JPH0888257 A JP H0888257A JP 6248458 A JP6248458 A JP 6248458A JP 24845894 A JP24845894 A JP 24845894A JP H0888257 A JPH0888257 A JP H0888257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- correlation
- formula
- microroughness
- evaluation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q30/00—Auxiliary means serving to assist or improve the scanning probe techniques or apparatus, e.g. display or data processing devices
- G01Q30/04—Display or data processing devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/34—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/852—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe for detection of specific nanostructure sample or nanostructure-related property
- Y10S977/854—Semiconductor sample
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコンウエーハの表面形状の変化を敏感
に捉えることができ、シリコンウエーハの表面近傍の結
晶品質の評価を可能とするシリコンウエーハの評価方法
を提供する。 【構成】 シリコンウエーハ上の複数の測定点における
基準面からの高さｘｉ（ｉ＝１，２，…，Ｎ）をＡＦＭ
（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）
を用いて測定し、下記数式 を表す。）で表される自己相関関数Ｒｊを求め、該自己
相関関数Ｒjの中から相関の強い値を任意の数だけ選定
し、Ｒj=0の点と該選定した相関の強いＲjの点との距離
とから、前記シリコンウエーハ上のマイクロラフネスを
解析する。
に捉えることができ、シリコンウエーハの表面近傍の結
晶品質の評価を可能とするシリコンウエーハの評価方法
を提供する。 【構成】 シリコンウエーハ上の複数の測定点における
基準面からの高さｘｉ（ｉ＝１，２，…，Ｎ）をＡＦＭ
（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）
を用いて測定し、下記数式 を表す。）で表される自己相関関数Ｒｊを求め、該自己
相関関数Ｒjの中から相関の強い値を任意の数だけ選定
し、Ｒj=0の点と該選定した相関の強いＲjの点との距離
とから、前記シリコンウエーハ上のマイクロラフネスを
解析する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリコンウエーハの評価
方法に関する。さらに詳しくは、シリコンウエーハの表
面近傍の結晶品質をマイクロラフネス解析により評価す
る方法に関する。
方法に関する。さらに詳しくは、シリコンウエーハの表
面近傍の結晶品質をマイクロラフネス解析により評価す
る方法に関する。
【０００２】
【発明の背景技術】半導体装置の製造に用いるシリコン
ウエーハは、その表面近傍にデバイスが形成される。従
って、このデバイスの活性領域となるシリコンウエーハ
の表面近傍の平坦性が要求される。また、マイクロラフ
ネスと呼ばれる原子レベルの凹凸は、結晶品質を反映す
ると考えられるので、このマイクロラフネスについて従
来より様々な方法で評価が行われてきた。
ウエーハは、その表面近傍にデバイスが形成される。従
って、このデバイスの活性領域となるシリコンウエーハ
の表面近傍の平坦性が要求される。また、マイクロラフ
ネスと呼ばれる原子レベルの凹凸は、結晶品質を反映す
ると考えられるので、このマイクロラフネスについて従
来より様々な方法で評価が行われてきた。
【０００３】また、水酸化アンモニウム（ＮＨ4ＯＨ）
及び過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）の混合水溶液からなる洗浄
液、特にシリコンウエーハに対して比較的弱いエッチン
グ作用を持つ洗浄液で処理した後のシリコンウエーハ上
のマイクロラフネスの悪化挙動は、結晶品質を反映する
ものと考えられる。しかし、このエッチング作用が弱い
ことから、その観察手段は極めて高い精度が要求され
る。このため、原子レベルの観察もでき得る測定法が必
要となる。
及び過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）の混合水溶液からなる洗浄
液、特にシリコンウエーハに対して比較的弱いエッチン
グ作用を持つ洗浄液で処理した後のシリコンウエーハ上
のマイクロラフネスの悪化挙動は、結晶品質を反映する
ものと考えられる。しかし、このエッチング作用が弱い
ことから、その観察手段は極めて高い精度が要求され
る。このため、原子レベルの観察もでき得る測定法が必
要となる。
【０００４】シリコンウエーハ上のマイクロラフネスの
測定方法としては、一般に原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉ
ｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、以下「ＡＦ
Ｍ」と言う。）や走査型トンネル顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉ
ｎｇ ＴｕｎｎｅｌｌｉｎｇＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、以
下「ＳＴＭ」と言う。）により測定する方法が挙げられ
る。
測定方法としては、一般に原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉ
ｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、以下「ＡＦ
Ｍ」と言う。）や走査型トンネル顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉ
ｎｇ ＴｕｎｎｅｌｌｉｎｇＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、以
下「ＳＴＭ」と言う。）により測定する方法が挙げられ
る。
【０００５】ＡＦＭは、ファンデルワールス力に代表さ
れる原子間に働くミクロの力を検出し、これらの力が原
子間の距離の僅かな差によって変化するのを検出して表
面の凹凸を測定するものであり、試料表面を破壊するこ
となく極めて正確に凹凸を測定することができることか
ら、マイクロラフネスの測定には最適である。ＡＦＭで
測定した結果を評価する方法としては、従来、ＲＭＳ
（Ｒｏｏｔ ＭｅａｎＳｑｕａｒｅ）、Ｐ−Ｖ（Ｐｅａ
ｋ ｔｏ Ｖａｌｌｅｙ）等による方法が採用されてい
た。ＲＭＳは、Ｎ個の測定点での基準面からの高さをｘ
i（ｉ＝１，２，…，Ｎ）とした場合、以下の式で表さ
れる。
れる原子間に働くミクロの力を検出し、これらの力が原
子間の距離の僅かな差によって変化するのを検出して表
面の凹凸を測定するものであり、試料表面を破壊するこ
となく極めて正確に凹凸を測定することができることか
ら、マイクロラフネスの測定には最適である。ＡＦＭで
測定した結果を評価する方法としては、従来、ＲＭＳ
（Ｒｏｏｔ ＭｅａｎＳｑｕａｒｅ）、Ｐ−Ｖ（Ｐｅａ
ｋ ｔｏ Ｖａｌｌｅｙ）等による方法が採用されてい
た。ＲＭＳは、Ｎ個の測定点での基準面からの高さをｘ
i（ｉ＝１，２，…，Ｎ）とした場合、以下の式で表さ
れる。
【数式３】
【数式４】 を表す。） また、Ｐ−Ｖは、以下の数式で表される。
【数式５】Ｐ−Ｖ＝［ｘi］max−［ｘ i］min （但し、［ｘi］maxはｘiの最大値を、［ｘ i］minはｘ i
の最小値を表す。）
の最小値を表す。）
【０００６】シリコンウエーハをＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2／
Ｈ２Ｏ＝１：１：５で構成される洗浄液で処理した後、
前記洗浄液による処理によって生じるシリコンウエーハ
上のマイクロラフネス悪化をＳＴＭで評価した例として
は、ＣＺ結晶、ＦＺ結晶、エピタキシャル成長層等の種
々の結晶品質とＲａ評価によるマイクロラフネスとの関
係についての報告がなされている（Ｔ．Ｏｈｍｉ ｅｔ
ａｌ． Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖ
ｏｌ．３９，ｐｐ２１３３−２１４２（１９９２））。
Ｈ２Ｏ＝１：１：５で構成される洗浄液で処理した後、
前記洗浄液による処理によって生じるシリコンウエーハ
上のマイクロラフネス悪化をＳＴＭで評価した例として
は、ＣＺ結晶、ＦＺ結晶、エピタキシャル成長層等の種
々の結晶品質とＲａ評価によるマイクロラフネスとの関
係についての報告がなされている（Ｔ．Ｏｈｍｉ ｅｔ
ａｌ． Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖ
ｏｌ．３９，ｐｐ２１３３−２１４２（１９９２））。
【０００７】ここでＲａとは、以下の数式
【数式６】
【数式７】 を表す。）に示す通り、ＲＭＳに類似したマイクロラフ
ネス評価値である。
ネス評価値である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記評価方法では、一
定の観察面積での測定を数点行うが、シリコウエーハ上
のマイクロラフネスを評価する場合、その観察面積を変
えて測定すると、それぞれのシリコン結晶によってＲＭ
Ｓの挙動が異なることが明らかとなっている。
定の観察面積での測定を数点行うが、シリコウエーハ上
のマイクロラフネスを評価する場合、その観察面積を変
えて測定すると、それぞれのシリコン結晶によってＲＭ
Ｓの挙動が異なることが明らかとなっている。
【０００９】図３は、上記評価方法における観察面積
（縦軸）とＲＭＳ（横軸）との関係を示す。図におい
て、○の試料は熱処理を施さなかったものでヘイズレベ
ル７（ＢＩＴ）のもの、□の試料は１０００℃２０分の
熱処理を施したものでヘイズレベル１６（ＢＩＴ）のも
の、△の試料は１１００℃数時間の熱処理を施したもの
でヘイズレベル１０７（ＢＩＴ）のものである。ここで
ヘイズレベルとは、ラフネスの指標の一つであり、ヘイ
ズレベルの値が大きいことはラフネスの悪化が大きいこ
とを意味する。図から分かるように、観察面積によって
評価結果が異なり、ヘイズレベルとの良好な相関が得ら
れない。
（縦軸）とＲＭＳ（横軸）との関係を示す。図におい
て、○の試料は熱処理を施さなかったものでヘイズレベ
ル７（ＢＩＴ）のもの、□の試料は１０００℃２０分の
熱処理を施したものでヘイズレベル１６（ＢＩＴ）のも
の、△の試料は１１００℃数時間の熱処理を施したもの
でヘイズレベル１０７（ＢＩＴ）のものである。ここで
ヘイズレベルとは、ラフネスの指標の一つであり、ヘイ
ズレベルの値が大きいことはラフネスの悪化が大きいこ
とを意味する。図から分かるように、観察面積によって
評価結果が異なり、ヘイズレベルとの良好な相関が得ら
れない。
【００１０】このように、上記評価方法はある固定した
観察面積でのＲＭＳ、Ｒａによるマイクロラフネス評価
とならざるを得ないが、このようなある固定した観察面
積でのＲＭＳによるマイクロラフネス評価は、その結晶
品質評価に対して一面的であり、適当ではない。すなわ
ち、ＡＦＭ測定の観察領域が非常に小さいために、ＲＭ
Ｓのような算出法でシリコン表面形状を捉えることは困
難である。
観察面積でのＲＭＳ、Ｒａによるマイクロラフネス評価
とならざるを得ないが、このようなある固定した観察面
積でのＲＭＳによるマイクロラフネス評価は、その結晶
品質評価に対して一面的であり、適当ではない。すなわ
ち、ＡＦＭ測定の観察領域が非常に小さいために、ＲＭ
Ｓのような算出法でシリコン表面形状を捉えることは困
難である。
【００１１】また、酸化膜耐圧による結晶品質評価方法
では、測定のためにウエーハの洗浄、酸化膜形成、電極
膜形成等、複雑で手間のかかる工程が必要となる。
では、測定のためにウエーハの洗浄、酸化膜形成、電極
膜形成等、複雑で手間のかかる工程が必要となる。
【００１２】そこで本発明は、上記の点を解決しようと
するもので、シリコンウエーハの表面形状の変化を敏感
に捉え、これに基づいてシリコンウエーハの結晶品質を
評価する方法を提供することを目的とする。
するもので、シリコンウエーハの表面形状の変化を敏感
に捉え、これに基づいてシリコンウエーハの結晶品質を
評価する方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、シリコンウエ
ーハ上の複数の測定点における基準面からの高さｘ
i（ｉ＝１，２，…，Ｎ）をＡＦＭを用いて測定し、下
記数式
ーハ上の複数の測定点における基準面からの高さｘ
i（ｉ＝１，２，…，Ｎ）をＡＦＭを用いて測定し、下
記数式
【数式８】
【数式９】 を表す。）で表される自己相関関数Ｒjを求め、該自己
相関関数Ｒjの中から相関の強い値を任意の数だけ選定
し、Ｒ j=0の点と該選定した相関の強いＲ jの点までの距
離とから、前記シリコンウエーハ上のマイクロラフネス
を解析することにより、シリコンウエーハの結晶品質を
評価するようにした。前記「任意の数」は、特に限定さ
れないが、２以上で且つコンピュータ等による処理が可
能な範囲の数が実際的と考えられる。
相関関数Ｒjの中から相関の強い値を任意の数だけ選定
し、Ｒ j=0の点と該選定した相関の強いＲ jの点までの距
離とから、前記シリコンウエーハ上のマイクロラフネス
を解析することにより、シリコンウエーハの結晶品質を
評価するようにした。前記「任意の数」は、特に限定さ
れないが、２以上で且つコンピュータ等による処理が可
能な範囲の数が実際的と考えられる。
【００１４】前記シリコンウエーハは、水酸化アンモニ
ウム（ＮＨ4ＯＨ）及び過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）の混合水
溶液からなる洗浄液による処理を行った後に前記ＡＦＭ
による測定を行うのが好ましい。またこの洗浄液は、Ｎ
Ｈ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏの比が１：１：５であるのが好
ましい。
ウム（ＮＨ4ＯＨ）及び過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）の混合水
溶液からなる洗浄液による処理を行った後に前記ＡＦＭ
による測定を行うのが好ましい。またこの洗浄液は、Ｎ
Ｈ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏの比が１：１：５であるのが好
ましい。
【００１５】
【作用】本発明は、ＡＦＭ測定におけるシリコンウエー
ハ上のマイクロラフネスの周期性に注目し、自己相関関
数を用いることによって各シリコン結晶間の表面形状を
捉え、その結晶品質を評価する方法である。
ハ上のマイクロラフネスの周期性に注目し、自己相関関
数を用いることによって各シリコン結晶間の表面形状を
捉え、その結晶品質を評価する方法である。
【００１６】シリコンウエーハ上のマイクロラフネスの
周期性については従来全く注目されていなかったが、本
発明者らはマイクロラフネスについても周期性があるこ
とを見出した。従って、従来はランダムな凹凸と考えら
れていたマイクロラフネスについて各凹凸間の相関を自
己相関関数を用いて解析することにより、ＡＦＭで測定
した原子レベルのマイクロラフネスを周期的関数として
評価することが可能となった。
周期性については従来全く注目されていなかったが、本
発明者らはマイクロラフネスについても周期性があるこ
とを見出した。従って、従来はランダムな凹凸と考えら
れていたマイクロラフネスについて各凹凸間の相関を自
己相関関数を用いて解析することにより、ＡＦＭで測定
した原子レベルのマイクロラフネスを周期的関数として
評価することが可能となった。
【００１７】
【実施例】次に、本発明の実施例を説明する。結晶品質
が異なると考えられる結晶引き上げ速度の異なるＣＺシ
リコン単結晶ウエーハ（引き上げ速度０．４ｍｍ／ｍｉ
ｎの低速及び１．１ｍｍ／ｍｉｎの高速引き上げにより
育成したウエーハ）を、洗浄液（ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：
Ｈ2Ｏ＝１：１：５）に０分、３０分、６０分及び９０
分浸漬した。
が異なると考えられる結晶引き上げ速度の異なるＣＺシ
リコン単結晶ウエーハ（引き上げ速度０．４ｍｍ／ｍｉ
ｎの低速及び１．１ｍｍ／ｍｉｎの高速引き上げにより
育成したウエーハ）を、洗浄液（ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：
Ｈ2Ｏ＝１：１：５）に０分、３０分、６０分及び９０
分浸漬した。
【００１８】次に、各ウエーハ上の複数の測定点におけ
る基準面からの高さｘi（ｉ＝１，２，…，Ｎ）をＡＦ
Ｍを用いて測定し、下記数式
る基準面からの高さｘi（ｉ＝１，２，…，Ｎ）をＡＦ
Ｍを用いて測定し、下記数式
【数式１０】
【数式１１】 を表す。）で表される自己相関関数Ｒjを求めた。
【００１９】次に、自己相関関数Ｒjの中から相関の強
いもの５点を選択して相対強度（Ｒｅｌａｔｉｖｅ Ｐ
ｏｗｅｒ）とし、選定した５点において、Ｒj=0の点と
該選定した相関の強いＲjの点までの距離を各々相関距
離（ＣｏｒｒｅｌａｔｉｏｎＤｉｓｔａｎｃｅ）とし、
低速引き上げ（０．４ｍｍ／ｍｉｎ）ウエーハについて
は図１に、高速引き上げ（１．１ｍｍ／ｍｉｎ）ウエー
ハについては図２に、それぞれ相関距離と自己相関関数
Ｒjとの関係を示した。
いもの５点を選択して相対強度（Ｒｅｌａｔｉｖｅ Ｐ
ｏｗｅｒ）とし、選定した５点において、Ｒj=0の点と
該選定した相関の強いＲjの点までの距離を各々相関距
離（ＣｏｒｒｅｌａｔｉｏｎＤｉｓｔａｎｃｅ）とし、
低速引き上げ（０．４ｍｍ／ｍｉｎ）ウエーハについて
は図１に、高速引き上げ（１．１ｍｍ／ｍｉｎ）ウエー
ハについては図２に、それぞれ相関距離と自己相関関数
Ｒjとの関係を示した。
【００２０】図１及び図２の横軸は相関距離すなわちマ
イクロラフネスの周期を表し、縦軸は自己相関関数Ｒj
の値すなわちその周期における相関の強さを表してい
る。ここで、相関の強さが大きいことは、その周期を持
つマイクロラフネスの悪化が大きいことを示す。図２か
ら分るように、高速引き上げウエーハにおいては相関距
離４００ｎｍ以下の短周期のラフネス悪化が急速に進む
のに対して、図１から分るように、低速引き上げウエー
ハでは、特定の周期のラフネスの進行は見られない。こ
れは、低速引き上げウエーハが前記洗浄液に対してエッ
チングされにくく、結晶品質が相対的に良好であること
を示しているものと考えられる。
イクロラフネスの周期を表し、縦軸は自己相関関数Ｒj
の値すなわちその周期における相関の強さを表してい
る。ここで、相関の強さが大きいことは、その周期を持
つマイクロラフネスの悪化が大きいことを示す。図２か
ら分るように、高速引き上げウエーハにおいては相関距
離４００ｎｍ以下の短周期のラフネス悪化が急速に進む
のに対して、図１から分るように、低速引き上げウエー
ハでは、特定の周期のラフネスの進行は見られない。こ
れは、低速引き上げウエーハが前記洗浄液に対してエッ
チングされにくく、結晶品質が相対的に良好であること
を示しているものと考えられる。
【００２１】以上の結果から分るように、ウエーハの結
晶製造条件とマイクロラフネスの悪化挙動には緻密な関
係があり、本評価方法は、酸化膜耐圧による複雑で手間
のかかる従来の評価方法に代わり、シリコンウエーハの
表面近傍の結晶品質を敏感に捉えることができる方法で
あると言える。
晶製造条件とマイクロラフネスの悪化挙動には緻密な関
係があり、本評価方法は、酸化膜耐圧による複雑で手間
のかかる従来の評価方法に代わり、シリコンウエーハの
表面近傍の結晶品質を敏感に捉えることができる方法で
あると言える。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、シ
リコンウエーハ上のマイクロラフネスの周期性を考慮す
ることにより、従来法では得られなかったシリコンウエ
ーハの表面形状の変化を敏感に捉えることができ、シリ
コンウエーハの表面近傍の結晶品質の評価を可能とし
た。また、本発明により、水酸化アンモニウム及び過酸
化水素の混合水溶液からなる洗浄液による処理によって
生じるマイクロラフネスの周期についての情報も得るこ
とができるようになった。さらに、酸化膜耐圧評価のよ
うな手間のかかる作業をしなくても、比較的短時間で迅
速に評価を行うことができる。
リコンウエーハ上のマイクロラフネスの周期性を考慮す
ることにより、従来法では得られなかったシリコンウエ
ーハの表面形状の変化を敏感に捉えることができ、シリ
コンウエーハの表面近傍の結晶品質の評価を可能とし
た。また、本発明により、水酸化アンモニウム及び過酸
化水素の混合水溶液からなる洗浄液による処理によって
生じるマイクロラフネスの周期についての情報も得るこ
とができるようになった。さらに、酸化膜耐圧評価のよ
うな手間のかかる作業をしなくても、比較的短時間で迅
速に評価を行うことができる。
【図１】低速引き上げウエーハのマイクロラフネスの周
期とその重みを示す図である。
期とその重みを示す図である。
【図２】高速引き上げウエーハのマイクロラフネスの周
期とその重みを示す図である。
期とその重みを示す図である。
【図３】シリコンウエーハのマイクロラフネスをＡＦＭ
で測定し、ＲＭＳで評価する場合の観測面積とＲＭＳの
関係を示す図である。
で測定し、ＲＭＳで評価する場合の観測面積とＲＭＳの
関係を示す図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコンウエーハ主面上の複数の測定点
における基準面からの高さｘi（ｉ＝１，２，…，Ｎ）
を原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃ
ｒｏｓｃｏｐｅ、以下「ＡＦＭ」と言う。）を用いて測
定し、下記数式 【数式１】 【数式２】 を表す。）で表される自己相関関数Ｒjを求め、該自己
相関関数Ｒjの中から相関の強い値を任意の数だけ選定
し、Ｒ j=0の点と該選定した相関の強いＲ jの点までの距
離とから、前記シリコンウエーハ上のマイクロラフネス
を解析することにより、シリコンウエーハの結晶品質を
評価することを特徴とするシリコンウエーハの評価方
法。 - 【請求項２】 前記シリコンウエーハは水酸化アンモニ
ウム（ＮＨ4ＯＨ）及び過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）の混合水
溶液からなる洗浄液による処理を行った後に前記ＡＦＭ
による測定を行うことを特徴とする請求項１記載のシリ
コンウエーハの評価方法。 - 【請求項３】 前記洗浄液はＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ
の比が１：１：５であることを特徴とする請求項２記載
のシリコンウエーハの評価方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6248458A JP3055598B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | シリコンウエーハの評価方法 |
| US08/528,007 US5533387A (en) | 1994-09-16 | 1995-09-14 | Method of evaluating silicon wafers |
| DE69513474T DE69513474D1 (de) | 1994-09-16 | 1995-09-15 | Verfahren zur Auswertung von Siliziumscheiben |
| EP95114565A EP0702204B1 (en) | 1994-09-16 | 1995-09-15 | A method of evaluating silicon wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6248458A JP3055598B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | シリコンウエーハの評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888257A true JPH0888257A (ja) | 1996-04-02 |
| JP3055598B2 JP3055598B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=17178442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6248458A Expired - Lifetime JP3055598B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | シリコンウエーハの評価方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5533387A (ja) |
| EP (1) | EP0702204B1 (ja) |
| JP (1) | JP3055598B2 (ja) |
| DE (1) | DE69513474D1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008501120A (ja) * | 2004-05-28 | 2008-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 光学測定における形状ラフネス測定 |
| WO2010050365A1 (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 暗視野検査装置校正用基準ウエハ、暗視野検査装置校正用基準ウエハの製造方法、暗視野検査装置の校正方法、暗視野検査装置およびウエハ検査方法 |
| CN103630708A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-03-12 | 河北同光晶体有限公司 | 一种辨别碳化硅晶片硅碳面的方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6023338A (en) * | 1996-07-12 | 2000-02-08 | Bareket; Noah | Overlay alignment measurement of wafers |
| JP4368454B2 (ja) | 1999-05-31 | 2009-11-18 | 協和発酵ケミカル株式会社 | アルコールの製造法 |
| US6552337B1 (en) * | 1999-11-02 | 2003-04-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods and systems for measuring microroughness of a substrate combining particle counter and atomic force microscope measurements |
| US6275293B1 (en) | 2000-05-10 | 2001-08-14 | Seh America, Inc. | Method for measurement of OSF density |
| US6798526B2 (en) | 2002-09-12 | 2004-09-28 | Seh America, Inc. | Methods and apparatus for predicting oxygen-induced stacking fault density in wafers |
| SG170805A1 (en) | 2006-02-09 | 2011-05-30 | Kla Tencor Tech Corp | Methods and systems for determining a characteristic of a wafer |
| KR101647010B1 (ko) * | 2008-06-19 | 2016-08-10 | 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 | 웨이퍼의 하나 이상의 특성들을 결정하기 위한 컴퓨터-구현 방법들, 컴퓨터-판독 가능 매체, 및 시스템들 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5476006A (en) * | 1992-07-07 | 1995-12-19 | Matsushita Electronics Corporation | Crystal evaluation apparatus and crystal evaluation method |
| JPH0642953A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 原子間力顕微鏡 |
| US5308974B1 (en) * | 1992-11-30 | 1998-01-06 | Digital Instr Inc | Scanning probe microscope using stored data for vertical probe positioning |
| JPH06248458A (ja) | 1993-02-23 | 1994-09-06 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置およびその装置を用いた磁気ディスク製造方法 |
-
1994
- 1994-09-16 JP JP6248458A patent/JP3055598B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-09-14 US US08/528,007 patent/US5533387A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-15 EP EP95114565A patent/EP0702204B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-15 DE DE69513474T patent/DE69513474D1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008501120A (ja) * | 2004-05-28 | 2008-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 光学測定における形状ラフネス測定 |
| JP4842931B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2011-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 光学測定における形状ラフネス測定 |
| WO2010050365A1 (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 暗視野検査装置校正用基準ウエハ、暗視野検査装置校正用基準ウエハの製造方法、暗視野検査装置の校正方法、暗視野検査装置およびウエハ検査方法 |
| JP2010109257A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 暗視野検査装置校正用基準ウエハ、暗視野検査装置校正用基準ウエハの製造方法、暗視野検査装置の校正方法、暗視野検査装置およびウエハ検査方法 |
| US8831899B2 (en) | 2008-10-31 | 2014-09-09 | Hitachi High-Technologies Corporation | Inspecting apparatus and an inspecting method |
| CN103630708A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-03-12 | 河北同光晶体有限公司 | 一种辨别碳化硅晶片硅碳面的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0702204A2 (en) | 1996-03-20 |
| JP3055598B2 (ja) | 2000-06-26 |
| EP0702204A3 (en) | 1996-07-31 |
| DE69513474D1 (de) | 1999-12-30 |
| US5533387A (en) | 1996-07-09 |
| EP0702204B1 (en) | 1999-11-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5534112A (en) | Method for testing electrical properties of silicon single crystal | |
| Fang et al. | Comparison of Si surface roughness measured by atomic force microscopy and ellipsometry | |
| JPH0888257A (ja) | シリコンウエーハの評価方法 | |
| Abe et al. | Microroughness measurements on polished silicon wafers | |
| JPH06295945A (ja) | 半導体製造プロセスの評価方法および装置 | |
| Ajito et al. | Strain imaging analysis of Si using Raman microscopy | |
| JP3773477B2 (ja) | 結晶欠陥の検査方法 | |
| JPH0862122A (ja) | シリコンウェーハの酸素析出欠陥密度評価方法 | |
| JP2001015567A (ja) | 半導体基板の評価装置および評価方法 | |
| JP3767116B2 (ja) | シリコンウエーハ表層の重金属汚染評価方法 | |
| RU2522724C2 (ru) | Способ металлографического анализа | |
| JP3629694B2 (ja) | シリコンウェーハの評価方法 | |
| JP4003943B2 (ja) | シリコンウエハの八面体ボイドの評価方法 | |
| Sparks et al. | Depth profiling of residual stress along interrupted test cuts in machined germanium crystals | |
| JPH1174493A (ja) | Ｓｏｉウエーハの欠陥検査方法 | |
| RU215362U1 (ru) | Тестовый образец для вертикальной и латеральной калибровки атомно-силового микроскопа | |
| KR20000027700A (ko) | 웨이퍼의 전기적 특성에 영향을 미치는 결정 결함 측정 방법 | |
| Sopori et al. | A scanning defect-mapping system for large-area silicon substrates | |
| KR100862312B1 (ko) | 반도체소자의 웨이퍼 결함 측정방법 | |
| JP2000114333A (ja) | シリコンウエハ表面微細欠陥評価方法 | |
| KR0154768B1 (ko) | 전자 현미경 분석을 위한 미세 영역의 단면 관찰용시료 제작 방법 | |
| Sopori et al. | Process monitoring in solar cell manufacturing | |
| JP2864920B2 (ja) | シリコンウェーハの品質検査方法 | |
| JP2001176943A (ja) | 半導体ウェーハの評価方法 | |
| JP2001257243A (ja) | シリコンウェーハ表面上の微粒子の測定方法 |