JP2005136345A - 基板処理方法、基板処理装置、測定装置およびデータ制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】測定部14からの検出信号に基づいて、基板の表面に付着している残渣の個数が測定データ演算部61で演算されると、データ比較部63は、参照データ記憶部62に記憶されている参照データを参照して、その残渣の個数に応じたSPM往復スキャン回数を取得する。そして、そのSPM往復スキャン回数のデータを洗浄制御部57に与える。洗浄制御部57は、レシピで定められているSPM往復スキャン回数を、データ比較部63から与えられたデータに応じたSPM往復スキャン回数に変更し、その変更後のレシピに従って、薬液洗浄部13における処理のための制御を行う。
【選択図】 図6
Description
請求項1記載の発明によれば、除去処理工程の開始以前に基板上の除去対象物の状態が測定されて、この測定結果に応じた条件で当該基板に対する除去処理が行われる。たとえば、基板上の除去対象物の量に応じて除去処理工程の時間を調節することにより、基板の表面にダメージを与えることなく、基板の表面から除去対象物(たとえば、レジスト膜、またはレジストを含む残渣)を良好に除去することができる。
この発明によれば、処理液の液滴の噴流を基板上に供給することにより、処理液が有する処理能力(たとえば、酸化力)に加えて、その液滴の噴流が基板の表面に衝突したときの衝撃によって、基板上から除去対象物を排除することができる。
また、液滴の噴流の供給位置を所定範囲内で往復移動させる場合、その往復移動回数が多いほど、基板に対して処理液の液滴の噴流による処理が強く施されるので、液滴の噴流の供給位置の往復移動回数を、除去対象物状態測定工程で測定された基板上の除去対象物の状態に応じた適切な回数に設定することにより、基板の表面にダメージを与えることなく、基板の表面から除去対象物を良好に除去することができる。
この発明によれば、硫酸と過酸化水素水との混合液が有する強い酸化力によって、基板上の除去対象物を良好に除去することができる。
請求項1の発明の効果としても述べたように、基板上の除去対象物の量に応じて除去処理工程の時間を調節することにより、基板の表面にダメージを与えることなく、基板の表面から除去対象物を良好に除去することができる。
この発明によれば、除去対象物状態測定工程での測定結果を、次の基板に対するプラズマ灰化処理工程での処理の条件を設定するために利用することにより、被処理基板のばらつきに応じたアッシング処理を行えるため、プラズマ灰化処理工程で当該次の基板の表面にダメージを与えることなく、そのプラズマ灰化処理工程後の基板の表面に付着している除去対象物の量を少なく抑えるといったことが可能になる。
また、プラズマ灰化処理工程の処理時間と除去処理工程の処理時間との比率が、プラズマ灰化処理を行うユニット数と除去処理を行うユニット数との比率と逆になるように設定すれば、除去処理工程が実行される処理部から基板が搬出されるのとほぼ同時に、プラズマ灰化処理工程が実行される処理部から基板を搬出することができ、その搬出した基板を除去処理工程が実行される処理部に即座に搬入することができる。よって、基板処理装置を最も効率よく稼働させることができ、基板処理の速度を飛躍的に向上させることができる。
請求項15に記載のように、上記プラズマ灰化処理工程に先立って、そのプラズマ灰化処理工程でプラズマ灰化処理を受けるべき基板上に処理液を供給するプレ処理工程が行われてもよく、この場合、請求項16に記載のように、上記プラズマ灰化処理工程の開始以前に、基板上の除去対象物の状態を測定するプレ除去対象物状態測定工程が行われ、このプレ除去対象物状態測定工程で測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、その基板の次の基板に対する上記プレ処理工程での処理の条件を設定するプレ処理条件設定工程がさらに行われることが好ましい。
上記処理ガス導入手段は、請求項18に記載のように、少なくとも酸素ガスとフッ素系ガスとを含み、フッ素系ガスの濃度が1体積%以下である混合ガスとして上記プラズマ処理室内に導入するものであってもよいし、請求項19に記載のように、少なくとも酸素ガスと、フッ素系ガスと、水素ガスをその濃度が4体積%以下となるように不活性ガスで希釈したフォーミングガスとを含み、フッ素系ガスの濃度が1体積%以下であって、かつ、フォーミングガスの濃度が50体積%以下である混合ガスを処理ガスとして上記プラズマ処理室内に導入するものであってもよい。
請求項20記載の発明は、上記プラズマ処理室内の気体を排気するための排気手段(124,41)と、上記プラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理の際に、上記処理ガス導入手段および排気手段を制御して、上記プラズマ処理室内に処理ガスを100〜6000sccmの範囲内の所定の流量で供給しつつ排気して、上記プラズマ処理室内の気圧を5〜400Paの範囲内に維持する気圧制御手段とをさらに含むことを特徴とする請求項17乃至19のいずれかに記載の基板処理装置である。
請求項21記載の発明は、上記プラズマ処理室内に設けられていて、処理対象の基板が載置される基板載置台(127)と、上記基板載置台に載置された基板を加熱するための基板加熱手段(128)と、上記プラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理の際に、上記基板加熱手段を制御して、上記基板載置台に載置された基板の温度を常温〜400℃の範囲内に保持する灰化処理時基板温度制御手段(44)とをさらに含むことを特徴とする請求項17乃至20のいずれかに記載の基板処理装置である。
請求項24記載の発明は、上記除去処理手段は、基板上に硫酸と過酸化水素水との混合液を供給する硫酸過水供給手段(52)を備えていることを特徴とする請求項17乃至23のいずれかに記載の基板処理装置である。
請求項25記載の発明は、上記除去処理手段は、処理液と気体とを衝突させて形成した当該処理液の液滴の噴流を基板上に供給する噴流供給手段(133)を備えていることを特徴とする請求項17乃至24のいずれかに記載の基板処理装置である。
請求項26記載の発明は、上記除去処理手段は、基板上における上記噴流供給手段からの噴流の供給位置を所定の範囲内で往復移動させるスキャン手段(56,135,136)をさらに備え、上記除去処理条件設定手段は、上記除去対象物状態測定手段によって測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、上記スキャン手段による基板上における噴流の供給位置の往復移動回数を設定するものであることを特徴とする請求項25記載の基板処理装置である。
請求項27記載の発明は、上記除去処理条件設定手段は、上記除去対象物状態測定手段によって測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、その基板に対する上記除去処理手段による除去処理の実行時間を設定するものであることを特徴とする請求項17乃至26のいずれかに記載の基板処理方法である。
請求項28記載の発明は、上記除去対象物状態測定手段によって測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、その基板の次の基板に対する上記プラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理の条件を設定するフィードバック灰化処理条件設定手段(63)をさらに含むことを特徴とする請求項17乃至27のいずれかに記載の基板処理装置である。
請求項29記載の発明は、上記除去対象物状態測定手段は、上記プラズマ灰化処理工程の途中で、基板上の除去対象物の状態を測定するためのもの(81)であり、上記除去処理条件設定手段は、上記除去対象物状態測定手段によって測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、その基板に対する上記除去処理手段による除去処理の実行時間を設定するものであり、上記基板処理装置は、上記プラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理の途中で、上記除去処理条件設定手段によって設定された除去処理の実行時間に基づいて、そのプラズマ灰化処理の実行時間を設定するプラズマ灰化処理時間設定手段(84)をさらに含むことを特徴とする請求項17乃至27のいずれかに記載の基板処理装置である。
請求項30記載の発明は、上記プラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理の開始以前に、基板上の除去対象物の状態を測定するプレ除去対象物状態測定手段(14A)と、上記プレ除去対象物状態測定手段によって測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、その基板に対する上記プラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理の条件を設定するフィードフォワード灰化処理条件設定手段とをさらに含むことを特徴とする請求項17乃至29のいずれかに記載の基板処理装置である。
請求項31記載の発明は、上記プラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理工程に先立って、そのプラズマ灰化処理を受けるべき基板上に処理液を供給するプレ処理手段(13)をさらに含むことを特徴とする請求項17乃至30のいずれかに記載の基板処理装置である。
請求項32記載の発明は、上記プラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理の開始以前に、基板上の除去対象物の状態を測定するプレ除去対象物状態測定手段(14A)と、このプレ除去対象物状態測定手段によって測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、その基板の次の基板に対する上記プレ処理手段による処理の条件を設定するプレ処理条件設定手段とをさらに含むことを特徴とする請求項31記載の基板処理装置である。
請求項33記載の発明は、基板(W)上のレジストをプラズマを用いて灰化して除去するためのプラズマ灰化処理を実行するプラズマ灰化処理部(12)と、このプラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理後の基板上に処理液を供給して、当該基板上の除去対象物を除去するための除去処理を実行する除去処理部(13)とを備えた基板処理装置に適用される測定装置であって、上記除去処理部における除去処理の開始以前に、基板上の除去対象物の状態を測定する測定手段(14,81)と、この測定手段による測定結果を上記除去処理部における除去処理を制御するための除去処理制御手段(57)に入力するための測定結果フィードフォワード入力手段(63,84)とを含むことを特徴とする測定装置である。
請求項34記載の発明は、上記測定手段による測定結果を上記プラズマ灰化処理部におけるプラズマ灰化処理を制御するための灰化処理制御手段(44)に入力するための測定結果フィードバック入力手段(63)をさらに含むことを特徴とする請求項33記載の測定装置である。
請求項35記載の発明は、基板(W)上のレジストをプラズマを用いて灰化して除去するためのプラズマ灰化処理を実行するプラズマ灰化処理部(12)と、このプラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理後の基板上に処理液を供給して、当該基板上の除去対象物を除去するための除去処理を実行する除去処理部(13)と、上記除去処理部における除去処理の開始以前に、基板上の除去対象物の状態を測定する測定手段(14,81)とを備えた基板処理装置におけるデータ制御方法であって、上記測定手段による測定結果を表すデータを取得するデータ取得ステップと、このデータ取得ステップで取得したデータを、上記除去処理部における除去処理を制御するための除去処理制御手段(57)に入力するデータフィードフォワード入力ステップとを含むことを特徴とするデータ制御方法である。
請求項36記載の発明は、上記測定手段による測定結果を表すデータを、上記プラズマ灰化処理部におけるプラズマ灰化処理を制御するための灰化処理制御手段(44)に入力するデータフィードバック入力ステップをさらに含むことを特徴とする請求項35記載のデータ制御方法である。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す簡略化した平面図である。この基板処理装置は、基板の一例としてのウエハWに対してレジスト除去処理を行うための装置であり、具体的には、レジストパターン(レジストコーティング、露光および現像の各工程を経ることによってパターン形成されたレジスト膜)が形成された酸化膜などの薄膜上にエッチング液を供給することにより、その薄膜が選択的にエッチングされたウエハW、または、レジストパターンが形成された表面上にリン、砒素、硼素などの不純物のイオンを照射することにより、その表面に不純物が局所的に注入されたウエハWを処理対象として、ウエハWの表面から不要になったレジストパターンを除去する処理を行うための装置である。
インデクサ部2には、インデクサロボット21が備えられていて、このインデクサロボット21は、カセット載置台3に載置されたカセットCにアクセスして、カセットCから未処理のウエハWを取り出すことができ、その取り出した未処理のウエハWを基板搬送ロボット15に受け渡すことができる。また、インデクサロボット21は、処理済のウエハWを基板搬送ロボット15から受け取ることができ、その受け取ったウエハWをカセット載置台3に載置されたカセットCに収納することができる。処理済のウエハWは、そのウエハWが未処理の状態のときに収容されていたカセットCに収納されてもよいし、未処理のウエハWを収容するカセットCと処理済のウエハWを収容するカセットCとを分けておいて、未処理の状態のときに収容されていたカセットCとは別のカセットCに収容されてもよい。
ガス導入管125には、バルブや流量制御器などを含むガス導入装置42が接続されている。ガス導入装置42には、酸素含有ガス源421からの酸素含有ガス、フッ素含有ガス源422からのフッ素含有ガス(フッ素系ガス)およびフォーミングガス源423からのフォーミングガスが供給されるようになっており、ガス導入装置42内の各ガス供給ライン(酸素含有ガス供給ライン、フッ素含有ガス供給ライン、フォーミングガス供給ライン)上に設けられたバルブの開閉を制御することによって、ガス導入管125からプラズマ処理室123に導入される処理ガスに含まれるガスの種類を変更することができる。また、各ガス供給ライン上に設けられた流量制御器を制御することにより、ガス導入管125からプラズマ処理室123に導入される処理ガスの流量およびその処理ガスに含まれる各ガス成分の濃度(ガス混合比)を変更することができる。
二流体スプレーノズル133には、所定温度に温度調節されたSPM(H2SO4+H2O2)を供給するためのSPM供給管52と、窒素ガス供給源からの高圧の窒素ガス(N2)を供給するための高圧窒素ガス供給管53とが接続されている。二流体スプレーノズル133にSPMと高圧窒素ガスとが同時に供給されると、そのSPMと高圧窒素ガスとが混合されて、SPMの微細な液滴が形成され、このSPMの液滴が噴流となって、二流体スプレーノズル133から吐出される。SPM供給管52の途中部には、二流体スプレーノズル133へのSPMの供給を制御するためのSPM供給バルブ54が介装されている。また、高圧窒素ガス供給管53の途中部には、二流体スプレーノズル133への窒素ガスの供給を制御するための高圧窒素ガス供給バルブ55が介装されている。
ウエハWがスピンチャック132に受け渡されると、まず、回転駆動機構51が制御されて、スピンチャック132に保持されたウエハWが所定の回転速度で回転される。また、旋回駆動機構56が制御されて、二流体スプレーノズル133がカップ134の外側に設定された待機位置からスピンチャック132に保持されたウエハWの上方に設定された処理開始位置に配置される。
データ比較部63は、測定部14での測定対象のウエハWの表面に付着している残渣の個数が測定データ演算部61によって演算されると、参照データを参照して、その演算された残渣の個数が属する範囲を認定し、この範囲に対応づけられているSPM往復スキャン回数を取得する。たとえば、ウエハWの表面に付着している残渣の個数が50個であれば、範囲「40〜60個」に対応づけられているSPM往復スキャン回数「2」を参照データの中から取得する。また、ウエハWの表面に付着している残渣の個数が3500個であれば、範囲「1000〜5000個」に対応づけられているSPM往復スキャン回数「4」を参照データの中から取得する。そして、データ比較部63は、そのようにして取得したSPM往復スキャン回数のデータを洗浄制御部57に与える。
この実施形態では、プラズマアッシング部12における処理後のウエハWの表面に付着している残渣の個数に応じて、薬液洗浄部13による処理におけるSPM往復スキャン回数が変更される場合を例にとって説明したが、薬液洗浄部13で行われる処理の他の条件が変更されてもよく、たとえば、二流体スプレーノズル133への高圧窒素ガスの供給流量が変更されてもよい。
この実施形態では、プラズマアッシング部12に、ウエハWの表面上のレジストパターンの膜厚に応じた検出信号を出力する測定装置81が備えられている。このような測定装置81としては、光干渉式の膜厚測定器や、排気口124(図3参照)と排気装置41(図3参照)との間の排気ライン上に設けられて、排気口124からの排気の組成を検出する四重極質量分析装置(通称:Q−MASS)を用いることができる。測定装置81の検出信号は、測定データ演算部82に入力されるようになっており、測定データ演算部82は、測定装置81からの入力信号に基づいて、プラズマアッシング部12における処理中にウエハWの表面に残っているレジストパターンの膜厚を求める(in−situ膜厚測定)。測定装置81として四重極質量分析装置が採用された場合には、測定装置81によって検出される排気口124からの排気中に含まれるアッシングされたレジスト成分の経時変化データから、測定データ演算部82によって、プラズマアッシング部12での処理によるレジストパターンのアッシングの進み具合が推定され、これに基づいてレジストパターンの膜厚が求められるとよい。
参照データ記憶部83に記憶されている参照データは、たとえば、図9に示すように、ウエハWの表面に残っているレジストパターンの膜厚(残膜厚)を適当な6つの範囲に分けて、各範囲ごとに、薬液洗浄部13における適切な処理時間(ウエハWの表面にダメージを与えることなく、そのウエハWの表面からレジストパターンを完全に除去することができる処理時間。以下、単に「SPM処理時間」という。)をSPMの温度別に定めることによって作成されたレジスト膜厚−処理時間テーブルのデータである。
また、プラズマアッシング部12におけるウエハWに対する処理が開始されると、測定データ演算部82は、測定装置81からの入力信号に基づいて、ウエハWの表面に残っているレジストパターンの膜厚を求める(ステップE2)。そして、測定データ演算部82によってレジストパターンの膜厚が求められると、つづいて、データ比較部84によって、参照データ記憶部83に記憶されている参照データが参照されて、その求められた膜厚が属する参照データ中の範囲を認定し、この範囲に対応づけられているSPM処理時間の中から、薬液洗浄部13で用いられるSPMの温度に応じたSPM処理時間が取得される(ステップE3)。たとえば、ウエハWの表面に残っているレジストパターンの膜厚が15nmであり、薬液洗浄部13で用いられるSPMの温度が80℃であれば、範囲「10〜50nm」および温度80℃に対応づけられているSPM処理時間「100sec」が取得される。また、ウエハWの表面に残っているレジストパターンの膜厚が320nmであり、薬液洗浄部13で用いられるSPMの温度が100℃であれば、範囲「200〜500nm」および温度100℃に対応づけられているSPM処理時間「300sec」が取得される。
しかも、ウエハWに対するプラズマアッシング部12における処理は、その後に当該ウエハWが薬液洗浄部13で処理を受ける時間(SPM処理時間t2)と同じ時間だけ行われるから、この実施形態のようにプラズマアッシング部12のユニット数(2つ)と薬液洗浄部13のユニット数(2つ)とが同じであれば、薬液洗浄部13から処理済のウエハWが搬出されるのとほぼ同時に、プラズマアッシング部12からウエハWが搬出されて、その搬出されたウエハWを薬液洗浄部13に即座に搬入することができる。よって、基板処理装置を最も効率よく稼働させることができ、単位時間あたりのウエハ処理枚数を飛躍的に増加させることができる。
図11は、この発明のさらに他の実施形態について説明するための概念図である。この実施形態では、ウエハWに対してプラズマアッシング部12における処理が行われる前に、ウエハWが薬液洗浄部13に搬入されて、そのウエハWに対して薬液洗浄部13によるプレ洗浄処理が行われる。また、このプレ洗浄処理後のウエハWが、たとえば、光干渉式の膜厚測定器を備えた測定部14Aに搬入される。プレ洗浄処理によって、ウエハWの表面上に形成されているレジストパターンが少しは除去され、測定部14Aでは、その若干は薄くなったレジストパターンの膜厚が測定される。
また、この実施形態の構成であっても、プラズマアッシング部12における処理(当該ウエハWの次のウエハWに対する処理)が、測定部14による測定結果(プラズマアッシング部12における処理後のウエハWの表面に付着している残渣の個数)に基づいてフィードバック的に制御されるようにしてもよい。このようにした場合において、プラズマアッシング部12における処理の或る条件について、測定部14Aによる測定結果に基づいて設定される値と測定部14による測定結果に基づいて設定される値とが異なる場合には、これら両値の平均値が採用されてもよいし、両値のうちの基板処理装置全体における処理時間が結果として短くなる方の値が採用されてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
12 プラズマアッシング部
13 薬液洗浄部
14 測定部
14A 測定部
41 排気装置
42 ガス導入装置
43 高周波電源
44 アッシング制御部
52 SPM供給管
56 旋回駆動機構
57 洗浄制御部
63 データ比較部
81 測定装置
84 データ比較部
122 誘電体窓
123 プラズマ処理室
124 排気口
125 ガス導入管
127 ウエハステージ
128 ヒータ
129 高周波電力供給器
133 二流体スプレーノズル
135 旋回軸
136 ノズルアーム
421 酸素含有ガス源
422 フッ素含有ガス源
423 フォーミングガス源
W ウエハ
Claims (36)
- 少なくとも酸素を含む処理ガスのプラズマによって基板上のレジストを灰化して除去するプラズマ灰化処理工程と、
このプラズマ灰化処理工程の終了後に、基板上に処理液を供給して、当該基板上の除去対象物を除去する除去処理工程と、
この除去処理工程の開始以前に、基板上の除去対象物の状態を測定する除去対象物状態測定工程と、
この除去対象物状態測定工程で測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、その基板に対する上記除去処理工程での処理の条件を設定する除去処理条件設定工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 上記プラズマ灰化処理工程は、少なくとも酸素ガスとフッ素系ガスとを含み、フッ素系ガスの濃度が1体積%以下である混合ガスを処理ガスとして、その処理ガスのプラズマを発生させて、そのプラズマによって基板上のレジストを灰化して除去する工程であることを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。
- 上記プラズマ灰化処理工程は、少なくとも酸素ガスと、フッ素系ガスと、水素ガスをその濃度が4体積%以下となるように不活性ガスで希釈したフォーミングガスとを含み、フッ素系ガスの濃度が1体積%以下であって、かつ、フォーミングガスの濃度が50体積%以下である混合ガスを処理ガスとして、その処理ガスのプラズマを発生させて、そのプラズマによって基板上のレジストを灰化して除去する工程であることを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。
- 上記プラズマ灰化処理工程は、処理対象の基板が収容されているプラズマ処理室内に処理ガスを100〜6000sccmの範囲内の所定の流量で供給しつつ排気して、当該プラズマ処理室内の気圧を5〜400Paの範囲内に維持した状態で、処理ガスのプラズマを発生させて、そのプラズマによって基板上のレジストを灰化して除去する工程であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理方法。
- 上記プラズマ灰化処理工程は、処理対象の基板の温度を常温〜400℃の範囲内に保った状態で行われることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の基板処理方法。
- 上記除去処理工程は、基板上に処理液を供給して、当該基板上に残っているレジスト膜を除去対象物として除去する工程であり、
上記除去対象物状態測定工程は、上記レジスト膜の膜厚を測定する工程であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の基板処理方法。 - 上記除去処理工程は、基板上に処理液を供給して、当該基板上に残っているレジストを含む残渣を除去対象物として除去する工程であり、
上記除去対象物状態測定工程は、上記残渣の量を測定する工程であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の基板処理方法。 - 上記除去処理工程は、処理液と気体とを衝突させて形成した当該処理液の液滴の噴流を基板上に供給して、当該基板上の除去対象物を除去する工程であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の基板処理方法。
- 上記除去処理工程は、基板上における処理液の液滴の噴流の供給位置を所定の範囲内で往復移動させるスキャン工程を含み、
上記除去処理条件設定工程は、上記除去対象物状態測定工程で測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、上記スキャン工程における処理液の液滴の噴流の供給位置の往復移動回数を設定する工程を含むことを特徴とする請求項8記載の基板処理方法。 - 上記除去処理工程は、基板上に硫酸と過酸化水素水との混合液を供給して、当該基板上の除去対象物を除去する工程であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の基板処理方法。
- 上記除去処理条件設定工程は、上記除去対象物状態測定工程で測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、その基板に対する上記除去処理工程の実行時間を設定する工程であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の基板処理方法。
- 上記除去対象物状態測定工程で測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、その基板の次の基板に対する上記プラズマ灰化処理工程での処理の条件を設定するフィードバック灰化処理条件設定工程をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の基板処理方法。
- 上記除去対象物状態測定工程は、上記プラズマ灰化処理工程の途中で行われ、
上記除去処理条件設定工程は、上記除去対象物状態測定工程で測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、その基板に対する上記除去処理工程の実行時間を設定する工程であり、
上記基板処理方法は、上記プラズマ灰化処理工程の途中で、上記除去処理条件設定工程で設定された上記除去処理工程の実行時間に基づいて、そのプラズマ灰化処理工程の実行時間を設定するプラズマ灰化処理時間設定工程をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の基板処理方法。 - 上記プラズマ灰化処理工程の開始以前に、基板上の除去対象物の状態を測定するプレ除去対象物状態測定工程と、
上記プレ除去対象物状態測定工程で測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、その基板に対する上記プラズマ灰化処理工程での処理の条件を設定するフィードフォワード灰化処理条件設定工程と
をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至13のいずれかに記載の基板処理方法。 - 上記プラズマ灰化処理工程に先立って、そのプラズマ灰化処理工程でプラズマ灰化処理を受けるべき基板上に処理液を供給するプレ処理工程をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至14のいずれかに記載の基板処理方法。
- 上記プラズマ灰化処理工程の開始以前に、基板上の除去対象物の状態を測定するプレ除去対象物状態測定工程と、
このプレ除去対象物状態測定工程で測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、その基板の次の基板に対する上記プレ処理工程での処理の条件を設定するプレ処理条件設定工程と
をさらに含むことを特徴とする請求項15記載の基板処理方法。 - 処理対象の基板を収容するためのプラズマ処理室、このプラズマ処理室内に、少なくとも酸素を含む処理ガスを導入する処理ガス導入手段および処理ガスが導入された上記プラズマ処理室内に向けてマイクロ波を放射して、処理ガスのプラズマを励起させるためのプラズマ励起手段を備え、基板上のレジストをプラズマを用いて灰化して除去するためのプラズマ灰化処理を実行するプラズマ灰化処理手段と、
このプラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理後の基板上に処理液を供給して、当該基板上の除去対象物を除去するための除去処理を実行する除去処理手段と、
この除去処理手段による除去処理の開始以前に、基板上の除去対象物の状態を測定するための除去対象物状態測定手段と、
この除去対象物状態測定手段によって測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、その基板に対する上記除去処理手段による除去処理の条件を設定する除去処理条件設定手段と
を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 上記処理ガス導入手段は、少なくとも酸素ガスとフッ素系ガスとを含み、フッ素系ガスの濃度が1体積%以下である混合ガスとして上記プラズマ処理室内に導入するものであることを特徴とする請求項17記載の基板処理装置。
- 上記処理ガス導入手段は、少なくとも酸素ガスと、フッ素系ガスと、水素ガスをその濃度が4体積%以下となるように不活性ガスで希釈したフォーミングガスとを含み、フッ素系ガスの濃度が1体積%以下であって、かつ、フォーミングガスの濃度が50体積%以下である混合ガスを処理ガスとして上記プラズマ処理室内に導入するものであることを特徴とする請求項17記載の基板処理装置。
- 上記プラズマ処理室内の気体を排気するための排気手段と、
上記プラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理の際に、上記処理ガス導入手段および排気手段を制御して、上記プラズマ処理室内に処理ガスを100〜6000sccmの範囲内の所定の流量で供給しつつ排気して、上記プラズマ処理室内の気圧を5〜400Paの範囲内に維持する気圧制御手段と
をさらに含むことを特徴とする請求項17乃至19のいずれかに記載の基板処理装置。 - 上記プラズマ処理室内に設けられていて、処理対象の基板が載置される基板載置台と、
上記基板載置台に載置された基板を加熱するための基板加熱手段と、
上記プラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理の際に、上記基板加熱手段を制御して、上記基板載置台に載置された基板の温度を常温〜400℃の範囲内に保持する灰化処理時基板温度制御手段と
をさらに含むことを特徴とする請求項17乃至20のいずれかに記載の基板処理装置。 - 上記除去対象物状態測定手段は、基板上に残っているレジスト膜の膜厚を測定するものであることを特徴とする請求項17乃至21のいずれかに記載の基板処理装置。
- 上記除去対象物状態測定手段は、基板上に残っているレジストを含む残渣の量を測定するものであることを特徴とする請求項17乃至21のいずれかに記載の基板処理装置。
- 上記除去処理手段は、基板上に硫酸と過酸化水素水との混合液を供給する硫酸過水供給手段を備えていることを特徴とする請求項17乃至23のいずれかに記載の基板処理装置。
- 上記除去処理手段は、処理液と気体とを衝突させて形成した当該処理液の液滴の噴流を基板上に供給する噴流供給手段を備えていることを特徴とする請求項17乃至24のいずれかに記載の基板処理装置。
- 上記除去処理手段は、基板上における上記噴流供給手段からの噴流の供給位置を所定の範囲内で往復移動させるスキャン手段をさらに備え、
上記除去処理条件設定手段は、上記除去対象物状態測定手段によって測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、上記スキャン手段による基板上における噴流の供給位置の往復移動回数を設定するものであることを特徴とする請求項25記載の基板処理装置。 - 上記除去処理条件設定手段は、上記除去対象物状態測定手段によって測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、その基板に対する上記除去処理手段による除去処理の実行時間を設定するものであることを特徴とする請求項17乃至26のいずれかに記載の基板処理方法。
- 上記除去対象物状態測定手段によって測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、その基板の次の基板に対する上記プラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理の条件を設定するフィードバック灰化処理条件設定手段をさらに含むことを特徴とする請求項17乃至27のいずれかに記載の基板処理装置。
- 上記除去対象物状態測定手段は、上記プラズマ灰化処理工程の途中で、基板上の除去対象物の状態を測定するためのものであり、
上記除去処理条件設定手段は、上記除去対象物状態測定手段によって測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、その基板に対する上記除去処理手段による除去処理の実行時間を設定するものであり、
上記基板処理装置は、上記プラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理の途中で、上記除去処理条件設定手段によって設定された除去処理の実行時間に基づいて、そのプラズマ灰化処理の実行時間を設定するプラズマ灰化処理時間設定手段をさらに含むことを特徴とする請求項17乃至27のいずれかに記載の基板処理装置。 - 上記プラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理の開始以前に、基板上の除去対象物の状態を測定するプレ除去対象物状態測定手段と、
上記プレ除去対象物状態測定手段によって測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、その基板に対する上記プラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理の条件を設定するフィードフォワード灰化処理条件設定手段と
をさらに含むことを特徴とする請求項17乃至29のいずれかに記載の基板処理装置。 - 上記プラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理工程に先立って、そのプラズマ灰化処理を受けるべき基板上に処理液を供給するプレ処理手段をさらに含むことを特徴とする請求項17乃至30のいずれかに記載の基板処理装置。
- 上記プラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理の開始以前に、基板上の除去対象物の状態を測定するプレ除去対象物状態測定手段と、
このプレ除去対象物状態測定手段によって測定された基板上の除去対象物の状態に基づいて、その基板の次の基板に対する上記プレ処理手段による処理の条件を設定するプレ処理条件設定手段と
をさらに含むことを特徴とする請求項31記載の基板処理装置。 - 基板上のレジストをプラズマを用いて灰化して除去するためのプラズマ灰化処理を実行するプラズマ灰化処理部と、このプラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理後の基板上に処理液を供給して、当該基板上の除去対象物を除去するための除去処理を実行する除去処理部とを備えた基板処理装置に適用される測定装置であって、
上記除去処理部における除去処理の開始以前に、基板上の除去対象物の状態を測定する測定手段と、
この測定手段による測定結果を上記除去処理部における除去処理を制御するための除去処理制御手段に入力するための測定結果フィードフォワード入力手段と
を含むことを特徴とする測定装置。 - 上記測定手段による測定結果を上記プラズマ灰化処理部におけるプラズマ灰化処理を制御するための灰化処理制御手段に入力するための測定結果フィードバック入力手段をさらに含むことを特徴とする請求項33記載の測定装置。
- 基板上のレジストをプラズマを用いて灰化して除去するためのプラズマ灰化処理を実行するプラズマ灰化処理部と、このプラズマ灰化処理手段によるプラズマ灰化処理後の基板上に処理液を供給して、当該基板上の除去対象物を除去するための除去処理を実行する除去処理部と、上記除去処理部における除去処理の開始以前に、基板上の除去対象物の状態を測定する測定手段とを備えた基板処理装置におけるデータ制御方法であって、
上記測定手段による測定結果を表すデータを取得するデータ取得ステップと、
このデータ取得ステップで取得したデータを、上記除去処理部における除去処理を制御するための除去処理制御手段に入力するデータフィードフォワード入力ステップと
を含むことを特徴とするデータ制御方法。 - 上記測定手段による測定結果を表すデータを、上記プラズマ灰化処理部におけるプラズマ灰化処理を制御するための灰化処理制御手段に入力するデータフィードバック入力ステップをさらに含むことを特徴とする請求項35記載のデータ制御方法。
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CN109661718A (zh) * | 2016-09-26 | 2019-04-19 | 株式会社斯库林集团 | 基板清洗方法、基板清洗规程作成方法以及基板清洗规程作成装置 |
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JP2009218548A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-09-24 | Tsukuba Semi Technology:Kk | 高ドーズインプラ工程のレジスト除去方法及びレジスト除去装置 |
US8901012B2 (en) | 2012-02-27 | 2014-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
JP2015173209A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-01 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 洗浄システム、および洗浄方法 |
CN109661718A (zh) * | 2016-09-26 | 2019-04-19 | 株式会社斯库林集团 | 基板清洗方法、基板清洗规程作成方法以及基板清洗规程作成装置 |
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