WO2021152983A1

WO2021152983A1 - 処理条件特定方法、基板処理方法、基板製品製造方法、コンピュータープログラム、記憶媒体、処理条件特定装置、及び、基板処理装置

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Publication number: WO2021152983A1
Application number: PCT/JP2020/043838
Authority: WO
Inventors: 大稲木; 達矢島野; 喬太田
Original assignee: 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
Priority date: 2020-01-30
Filing date: 2020-11-25
Publication date: 2021-08-05
Also published as: CN114746987A; TWI769642B; US20230053059A1; TW202133222A; JP7408421B2; JP2021120982A; KR20220127924A

Abstract

処理条件特定方法では、処理液の吐出位置を移動しながら基板Ｗを処理するときに使用可能なレシピ情報を、複数のレシピ情報のうちから特定する。処理条件特定方法は工程Ｓ３１と工程Ｓ３２と工程Ｓ３３とを含む。工程Ｓ３１では、基板Ｗの厚みの測定値を含む測定厚み情報に基づいて、複数のレシピ情報ごとに、基板Ｗの処理後の厚みの予測値を含む予測厚み情報を算出する。工程Ｓ３２では、複数のレシピ情報に対してそれぞれ算出された複数の予測厚み情報を、所定評価方法に従って評価して、複数の予測厚み情報から予測厚み情報を選択する。工程Ｓ３３では、選択された予測厚み情報に対応するレシピ情報を特定する。測定厚み情報に含まれる測定値は、基板Ｗの処理前に測定された基板Ｗの厚みを示す。

Description

処理条件特定方法、基板処理方法、基板製品製造方法、コンピュータープログラム、記憶媒体、処理条件特定装置、及び、基板処理装置

　本発明は、処理条件特定方法、基板処理方法、基板製品製造方法、コンピュータープログラム、記憶媒体、処理条件特定装置、及び、基板処理装置に関する。

　特許文献１に記載されている基板処理装置は、ノズル体を有するアーム体と、制御装置とを備える。制御装置は、ノズル体が基板の周辺部から中心部に向かうときにアーム体の移動速度を次第に増加させ、中心部から周辺部に向かうときには移動速度を次第に低下させるようアーム体の移動速度を制御する。従って、基板の周辺部に中心部よりも処理液を多く供給することができる。その結果、基板の中心部と周辺部とで処理液をほぼ同じ時間で滞留させることができる。よって、処理液による基板の処理を均一化することが可能となる。

特開２０１０－０６７８１９号公報

　しかしながら、特許文献１に記載されている基板処理装置では、処理液による処理後の基板の表面が平坦にならない可能性がある。なぜなら、処理液による処理前の基板の表面形状が平坦でない場合があり得るためである。例えば、処理液による処理前の基板が機械研磨されている場合には、基板の表面形状が平坦でない場合があり得る。

　本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、処理後の基板の表面が平坦に近くなる、処理液による処理を実現することの可能な処理条件特定方法、基板処理方法、基板製品製造方法、コンピュータープログラム、記憶媒体、処理条件特定装置、及び、基板処理装置を提供することにある。

　本発明の一局面によれば、処理条件特定方法では、処理対象の基板である対象基板の径方向に沿って処理液の吐出位置を移動しながら前記対象基板を処理するときに使用可能な処理条件を、複数の処理条件のうちから特定する。処理条件特定方法は、前記対象基板の径方向における複数の位置での厚みの測定値を含む測定厚み情報に基づいて、前記複数の処理条件ごとに、前記対象基板の前記複数の位置での処理後の厚みの予測値を含む予測厚み情報を算出する工程と、前記複数の処理条件に対してそれぞれ算出された複数の前記予測厚み情報を、所定評価方法に従って評価して、前記複数の予測厚み情報から予測厚み情報を選択する工程と、前記選択された予測厚み情報に対応する前記処理条件を特定する工程とを含む。前記測定厚み情報に含まれる前記測定値は、前記処理液による前記対象基板の処理前に、前記対象基板の径方向に沿って測定された前記対象基板の厚みを示す。

　本発明の処理条件特定方法は、前記選択された予測厚み情報に含まれる複数の前記予測値のうち、前記対象基板の径方向の端領域における予測値の最大値に基づいて、端領域処理時間を算出する工程をさらに含むことが好ましい。前記端領域処理時間は、前記対象基板の前記端領域に対する処理時間であって、前記処理液の吐出位置が固定された状態での処理時間を示すことが好ましい。

　本発明の処理条件特定方法において、前記端領域処理時間を算出する前記工程では、前記対象基板の前記端領域における前記予測値の前記最大値と、前記対象基板の目標厚み値と、処理係数とに基づいて、前記端領域処理時間を算出することが好ましい。前記処理係数は、予め設定されており、前記処理液による単位時間当たりの基板の処理量を示すことが好ましい。

　本発明の処理条件特定方法において、前記予測厚み情報を算出する前記工程では、前記対象基板の前記測定厚み情報と、前記対象基板の目標厚み値と、基板の径方向に沿って予め実測して得られた前記基板の径方向における複数の位置での処理量を含む実測処理量情報とに基づいて、前記予測厚み情報を算出することが好ましい。前記実測処理量情報に含まれる前記処理量は、前記複数の処理条件のうち前記実測処理量情報に関連付けられた処理条件に従って前記基板を処理したときの処理量を示すことが好ましい。

　本発明の処理条件特定方法において、前記予測厚み情報を算出する前記工程は、前記対象基板の前記測定厚み情報と、前記対象基板の前記目標厚み値と、前記実測処理量情報とに基づいて、前記対象基板の前記複数の位置の各々での厚みが前記目標厚み値になるときの処理時間を、前記対象基板の前記複数の位置ごとに算出する工程と、前記対象基板の前記複数の位置に対してそれぞれ算出された複数の前記処理時間から、最も短い処理時間を選択する工程と、前記対象基板の前記測定厚み情報と、前記実測処理量情報と、前記最も短い処理時間とに基づいて、前記予測厚み情報を算出する工程とを含むことが好ましい。

　本発明の処理条件特定方法において、前記予測厚み情報を選択する前記工程では、前記対象基板の表面のうち径方向の端領域よりも内側の内領域における２以上の位置での処理後の前記厚みの予測値を使用して、前記複数の予測厚み情報を評価することが好ましい。

　本発明の処理条件特定方法において、前記所定評価方法は、前記予測厚み情報によって示される予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であることが好ましい。前記予測厚みパターンは、前記対象基板の径方向における前記厚みの予測値の分布を示すことが好ましい。前記所定評価方法は、第１評価方法と第２評価方法と第３評価方法とのうちの少なくとも１つの評価方法を含むことが好ましい。前記第１評価方法は、前記予測厚みパターンの凹凸の程度を示す指標によって、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であることが好ましい。前記第２評価方法は、前記予測厚みパターンを構成する複数の前記予測値のうち前記対象基板の目標厚み値に近い予測値の数に基づく指標によって、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であることが好ましい。前記第３評価方法は、前記予測厚みパターンの傾斜がどの程度ゼロに近いかを示す指標によって、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であることが好ましい。

　本発明の処理条件特定方法において、前記第１評価方法は、第１方法と第２方法と第３方法と第４方法とのうちの少なくとも１つの方法を含むことが好ましい。前記第１評価方法の前記第１方法は、第１評価直線上の値から前記予測厚みパターンを構成する前記予測値を差し引いた値である差分値を前記指標として、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であることが好ましい。前記第１評価直線は、前記予測厚みパターンよりも大きい側から前記予測厚みパターンに接する直線であることが好ましい。前記第１評価方法の前記第２方法は、前記予測厚みパターンを構成する前記予測値から第２評価直線上の値を差し引いた値である差分値を前記指標として、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であることが好ましい。前記第２評価直線は、前記予測厚みパターンよりも小さい側から前記予測厚みパターンに接する直線であることが好ましい。前記第１評価方法の前記第３方法は、前記予測厚みパターンを構成する前記予測値から第３評価直線上の値を差し引いた値である差分値を前記指標として、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であることが好ましい。前記第３評価直線は、最小二乗法によって得られる前記予測厚みパターンの近似直線であることが好ましい。前記第１評価方法の前記第４方法は、前記予測厚みパターンを構成する前記予測値から第４評価直線上の値を差し引いた値である差分値を前記指標として、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であることが好ましい。前記第４評価直線は、前記対象基板の目標厚み値を示す直線であることが好ましい。

　本発明の処理条件特定方法において、前記第２評価方法は、第１方法と第２方法とのうちの少なくとも１つの方法を含むことが好ましい。前記第２評価方法の前記第１方法は、前記予測厚みパターンを構成する前記複数の予測値のうち、第５評価直線を含む許容範囲内に存在する予測値の数を、前記指標として、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であることが好ましい。前記第５評価直線は、前記対象基板の前記目標厚み値を示す直線であることが好ましい。前記第２評価方法の前記第２方法は、前記予測厚みパターンを構成する前記複数の予測値の各々から第６評価直線上の値を差し引いた値である各差分値を、前記指標として、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であることが好ましい。前記第６評価直線は、前記対象基板の前記目標厚み値を示す直線であることが好ましい。

　本発明の処理条件特定方法において、前記第３評価方法は、第１方法と第２方法とのうちの少なくとも１つの方法を含むことが好ましい。前記第３評価方法の前記第１方法は、第８評価直線に対する第７評価直線の傾斜を前記指標として、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であることが好ましい。前記第７評価直線は、最小二乗法によって得られる前記予測厚みパターンの近似直線であることが好ましい。前記第８評価直線は、一定値を示す直線であることが好ましい。前記第３評価方法の前記第２方法は、前記対象基板の径方向の前記各位置での前記予測厚みパターンの傾斜を前記指標として、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であることが好ましい。

　本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、上記の処理条件特定方法によって特定された前記処理条件に基づいて、前記対象基板の径方向に沿って前記処理液の吐出位置を移動しながら前記対象基板を前記処理液によって処理する工程を含む。

　本発明の更に他の局面によれば、基板製品製造方法は、上記の基板処理方法によって前記対象基板を処理して、処理後の前記対象基板である基板製品を製造する。

　本発明の更に他の局面によれば、コンピュータープログラムは、上記の処理条件特定方法をコンピューターに実行させる。

　本発明の更に他の局面によれば、記憶媒体は、上記のコンピュータープログラムを記憶する。

　本発明の更に他の局面によれば、処理条件特定装置は、処理対象の基板である対象基板の径方向に沿って処理液の吐出位置を移動しながら前記対象基板を処理するときに使用可能な処理条件を、複数の処理条件のうちから特定する。処理条件特定装置は、厚み予測部と、評価部と、特定部とを備える。厚み予測部は、前記対象基板の径方向における複数の位置での厚みの測定値を含む測定厚み情報に基づいて、前記複数の処理条件ごとに、前記対象基板の前記複数の位置での処理後の厚みの予測値を含む予測厚み情報を算出する。評価部は、前記複数の処理条件に対してそれぞれ算出された複数の前記予測厚み情報を、所定評価方法に従って評価して、前記複数の予測厚み情報から予測厚み情報を選択する。特定部は、前記選択された予測厚み情報に対応する前記処理条件を特定する。前記測定厚み情報に含まれる前記測定値は、前記処理液による前記対象基板の処理前に、前記対象基板の径方向に沿って測定された前記対象基板の厚みを示す。

　本発明の更に他の局面によれば、基板処理装置は、上記の処理条件特定装置と、処理装置とを備える。処理装置は、前記処理条件特定装置によって特定された前記処理条件に基づいて、前記対象基板の径方向に沿って前記処理液の吐出位置を移動しながら前記対象基板を前記処理液によって処理する。

　本発明によれば、処理後の基板の表面が平坦に近くなる、処理液による処理を実現することが可能である。

本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す図である。本実施形態に係る基板処理装置のノズルによる基板のスキャン処理を示す平面図である。本実施形態に係る基板処理装置の光学プローブによる基板のスキャン処理を示す平面図である。本実施形態に係る制御装置を示すブロック図である。本実施形態に係る厚み測定部による基板の厚みの測定値を示すグラフである。本実施形態に係る制御部によって算出された基板の厚みの予測値を示グラフである。本実施形態に係る制御部によって選択された基板の厚みの予測値を示すグラフである。本実施形態に係る記憶部に記憶された実測処理量テーブルを示す図である。（ａ）は、本実施形態に係る制御部によって算出された基板の処理時間を示すグラフであり、（ｂ）は、本実施形態に係る制御部によって算出された基板の厚みの予測値を示すグラフであり、（ｃ）は、本実施形態に係る厚みの予測値と目標厚み値との差分値を示すグラフである。（ａ）は、本実施形態に係る第１評価方法の第１方法を示す図であり、（ｂ）は、第１評価方法の第２方法を示す図であり、（ｃ）は、第１評価方法の第３方法を示す図であり、（ｄ）は、第１評価方法の第４方法を示す図である。（ａ）は、本実施形態に係る第２評価方法の第１方法を示す図であり、（ｂ）は、第２評価方法の第２方法を示す図である。（ａ）は、本実施形態に係る第３評価方法の第１方法を示す図であり、（ｂ）は、第３評価方法の第２方法を示す図である。本実施形態に係る基板の端領域における厚みの予測値を示すグラフである。本実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図１４の工程Ｓ３を示すフローチャートである。図１５の工程Ｓ３１を示すフローチャートである。図１４の工程Ｓ４を示すフローチャートである。

　以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、図中、理解を容易にするために、Ｘ軸、Ｙ軸、及び、Ｚ軸を適宜図示している。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。なお、「平面視」は、鉛直上方から対象を見ることを示す。

　図１～図１７を参照して、本発明の実施形態に係る基板処理装置１００を説明する。まず、図１を参照して基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００を示す図である。図１に示す基板処理装置１００は、基板Ｗを処理液によって処理する。つまり、基板Ｗは、処理液による処理対象の基板である。基板Ｗは「対象基板」の一例に相当する。基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型である。基板Ｗは略円板状である。

　基板Ｗは、本実施形態では、ベア基板である。ベア基板とは、成膜されていない基板のことである。つまり、ベア基板とは、成膜される前の基板のことである。例えば、ベア基板は、機械研磨された後の基板であって、成膜される前の基板である。

　基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。以下の実施形態の説明では、基板Ｗは、シリコンからなる半導体ウエハである。

　図１に示すように、基板処理装置１００は、処理装置１と、制御装置１９と、バルブＶ１と、供給配管Ｋ１と、バルブＶ２と、供給配管Ｋ２とを備える。制御装置１９は、処理装置１、バルブＶ１、及び、バルブＶ２を制御する。

　処理装置１は、基板Ｗに処理液を吐出して基板Ｗを処理する。具体的には、処理装置１は、基板Ｗの径方向に沿って処理液の吐出位置を移動しながら基板Ｗを処理液によって処理する。処理液は薬液である。例えば、処理液がエッチング液である場合、処理装置１は、基板Ｗに対してエッチング処理を実行する。

　エッチング液は、例えば、フッ硝酸（フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ₃）との混合液）、フッ酸、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）、または、燐酸（Ｈ₃ＰＯ₄）を含む。なお、基板Ｗをエッチングできる限りにおいては、エッチング液の種類は、特に限定されず、例えば、酸性であってもよいし、アルカリ性であってもよい。

　具体的には、処理装置１は、チャンバー２と、スピンチャック３と、スピンモーター５と、ノズルＮｚｍと、ノズル移動部９と、ノズル１１と、複数のガード１３（本実施形態では２つのガード１３）と、厚み測定部１５と、プローブ移動部１７とを含む。「ノズルＮｚｍ」における「ｍ」は、１以上の整数を示す。図１の例では、ｍ＝１である。つまり、図１の例では、処理装置１は、処理液を吐出するノズルＮＺ１を備えている。ただし、処理装置１は、各々が処理液を吐出する複数のノズルＮＺｍを備えていてもよい。

　チャンバー２は略箱形状を有する。チャンバー２は、基板Ｗ、スピンチャック３、スピンモーター５、ノズルＮＺ１、ノズル移動部９、ノズル１１、複数のガード１３、厚み測定部１５、プローブ移動部１７、供給配管Ｋ１の一部、および、供給配管Ｋ２の一部を収容する。

　スピンチャック３は、基板Ｗを保持して回転する。具体的には、スピンチャック３は、チャンバー２内で基板Ｗを水平に保持しながら、回転軸線ＡＸの回りに基板Ｗを回転させる。具体的には、スピンチャック３は、スピンモーター５によって駆動されて回転する。

　スピンチャック３は、複数のチャック部材３２と、スピンベース３３とを含む。複数のチャック部材３２は、基板Ｗの周縁に沿ってスピンベース３３に設けられる。複数のチャック部材３２は基板Ｗを水平な姿勢で保持する。スピンベース３３は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材３２を支持する。スピンモーター５は、スピンベース３３を回転軸線ＡＸの回りに回転させる。従って、スピンベース３３は回転軸線ＡＸの回りに回転する。その結果、スピンベース３３に設けられた複数のチャック部材３２に保持された基板Ｗが回転軸線ＡＸの回りに回転する。具体的には、スピンモーター５は、モーター本体５１と、シャフト５３とを含む。シャフト５３はスピンベース３３に結合される。そして、モーター本体５１は、シャフト５３を回転させることで、スピンベース３３を回転させる。

　ノズルＮＺ１は、基板Ｗの回転中に基板Ｗに向けて処理液を吐出する。処理液は薬液である。例えば、処理液はエッチング液である。

　供給配管Ｋ１はノズルＮＺ１に処理液を供給する。バルブＶ１は、ノズルＮＺ１に対する処理液の供給開始と供給停止とを切り替える。

　ノズル移動部９は、略鉛直方向および略水平方向にノズルＮＺ１を移動する。具体的には、ノズル移動部９は、アーム９１と、回動軸９３と、ノズル移動機構９５とを含む。アーム９１は略水平方向に沿って延びる。アーム９１の先端部にはノズルＮＺ１が配置される。アーム９１は回動軸９３に結合される。回動軸９３は、略鉛直方向に沿って延びる。ノズル移動機構９５は、回動軸９３を略鉛直方向に沿った回動軸線のまわりに回動させて、アーム９１を略水平面に沿って回動させる。その結果、ノズルＮＺ１が略水平面に沿って移動する。また、ノズル移動機構９５は、回動軸９３を略鉛直方向に沿って昇降させて、アーム９１を昇降させる。その結果、ノズルＮＺ１が略鉛直方向に沿って移動する。ノズル移動機構９５は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モーターとを含む。

　ノズル１１は、基板Ｗの回転中に基板Ｗに向けてリンス液を吐出する。リンス液は、例えば、脱イオン水、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、又は、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水である。

　供給配管Ｋ２はノズル１１にリンス液を供給する。バルブＶ２は、ノズル１１に対するリンス液の供給開始と供給停止とを切り替える。

　複数のガード１３の各々は略筒形状を有する。複数のガード１３の各々は、基板Ｗから排出された処理液又はリンス液を受け止める。

　厚み測定部１５は、基板Ｗの厚みを測定して、基板Ｗの厚みを示す測定厚み情報（以下、「測定厚み情報ＭＧ」と記載する。）を制御装置１９に出力する。本実施形態では、厚み測定部１５は、基板Ｗの厚みを非接触方式で測定して、基板Ｗの厚みを示す測定厚み情報ＭＧを制御装置１９に出力する。厚み測定部１５は、例えば、分光干渉法によって基板Ｗの厚みを測定する。具体的には、厚み測定部１５は、光学プローブ１５１と、接続線１５３と、厚み測定器１５５とを含む。光学プローブ１５１はレンズを含む。接続線１５３は、光学プローブ１５１と厚み測定器１５５とを接続する。接続線１５３は光ファイバーを含む。厚み測定器１５５は、光源と受光素子とを含む。厚み測定器１５５の光源が出射した光は、接続線１５３および光学プローブ１５１を介して、基板Ｗに出射される。基板Ｗによって反射された光は、光学プローブ１５１および接続線１５３を介して、厚み測定器１５５の受光素子に受光される。厚み測定器１５５は、受光された光を解析して、解析結果に基づいて、基板Ｗの厚みを算出する。厚み測定器１５５は、基板Ｗの厚みを示す測定厚み情報ＭＧを制御装置１９に出力する。

　プローブ移動部１７は、略鉛直方向および略水平方向に光学プローブ１５１を移動する。具体的には、プローブ移動部１７は、アーム１７１と、回動軸１７３と、プローブ移動機構１７５とを含む。アーム１７１は略水平方向に沿って延びる。アーム１７１の先端部には光学プローブ１５１が配置される。アーム１７１は回動軸１７３に結合される。回動軸１７３は、略鉛直方向に沿って延びる。プローブ移動機構１７５は、回動軸１７３を略鉛直方向に沿った回動軸線のまわりに回動させて、アーム１７１を略水平面に沿って回動させる。その結果、光学プローブ１５１が略水平面に沿って移動する。また、プローブ移動機構１７５は、回動軸１７３を略鉛直方向に沿って昇降させて、アーム１７１を昇降させる。その結果、光学プローブ１５１が略鉛直方向に沿って移動する。プローブ移動機構１７５は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モーターとを含む。

　次に、図２を参照して、ノズルＮＺ１による基板Ｗのスキャン処理を説明する。図２は、ノズルＮＺ１による基板Ｗのスキャン処理を示す平面図である。図２に示すように、ノズルＮＺ１による基板Ｗのスキャン処理とは、基板Ｗの径方向ＲＤに沿って処理液の吐出位置を移動しながら基板Ｗを処理液によって処理することである。具体的には、ノズルＮＺ１によるスキャン処理とは、平面視において、基板Ｗの表面ＳＦに対する処理液の着液位置が円弧状の軌跡ＴＪ１を形成するように、ノズルＮＺ１を移動しながら、処理液を基板Ｗに吐出する処理のことである。スキャン処理中、ノズルＮＺ１は、回転軸線ＡＸ方向において、基板Ｗに対して間隔をあけている。なお、基板Ｗの半径Ｒは、アーム９１の長さと比較して小さいため、実質的には、軌跡ＴＪ１を略直線とみなすことができる。

　軌跡ＴＪ１は、基板ＷのエッジＥＧと基板Ｗの中心ＣＴとを通る。中心ＣＴは、基板Ｗのうち回転軸線ＡＸが通る部分を示す。エッジＥＧは、基板Ｗの周縁部を示す。ノズルＮＺ１による基板Ｗのスキャン処理は、基板Ｗの回転中に実行される。

　具体的には、ノズルＮＺ１は、基板Ｗの中心ＣＴの直上位置ＴＲ０と折り返し位置ＴＲ１との間において、基板Ｗに対して処理液を基板Ｗに吐出しながら、時計回りの回動方向ＲＴ１への回動と、反時計回りの回動方向ＲＴ２への回動とを行う。本実施形態では、折り返し位置ＴＲ１は、基板Ｗの径方向ＲＤの端領域ＥＡの直上位置である。また、折り返し位置ＴＲ１は、回動方向ＲＴ１でのノズルＮＺ１の折り返し位置を示す。基板Ｗの中心ＣＴの直上位置ＴＲ０は、回動方向ＲＴ２でのノズルＮＺ１の折り返し位置を示す。

　なお、基板Ｗの表面ＳＦは、端領域ＥＡと、端領域ＥＡよりも基板Ｗの径方向ＲＤ内側の内領域ＩＡとを含んでいる。内領域ＩＡは略円形状の領域である。端領域ＥＡは、内領域ＩＡを囲む略円環状の領域である。端領域ＥＡの径方向ＲＤの幅は、例えば、基板Ｗの半径Ｒの１／１５以上１／５以下の長さである。

　更に具体的には、ノズルＮＺ１は、基板Ｗの中心ＣＴの直上位置ＴＲ０から回動方向ＲＴ１へ回動して、折り返し位置ＴＲ１で折り返して、回動方向ＲＴ２に回動する。さらに、ノズルＮＺ１は、基板Ｗの中心ＣＴの直上位置ＴＲ０で折り返して、回動方向ＲＴ１に回動する。ノズルＮＺ１は、基板Ｗの中心ＣＴの直上位置ＴＲ０と折り返し位置ＴＲ１との間で移動を繰り返しながら、基板Ｗの表面ＳＦに処理液を吐出する。

　ノズルＮＺ１の移動速度は、例えば、ノズルＮＺ１の位置が折り返し位置ＴＲ１に近いほど低くなる。ノズルＮＺ１の移動速度は、基板Ｗの径方向ＲＤにおける移動速度を示す。なお、ノズルＮＺ１の移動速度の変化は、線形には限定されず、非線形であってもよい。また、ノズルＮＺ１の移動速度は、ステップ状に変化してもよい。なお、ノズルＮＺ１の移動速度は一定であってもよい。

　なお、ノズルＮＺ１は、折り返し位置ＴＲ１と折り返し位置ＴＲ２との間で移動を繰り返してもよい。具体的には、ノズルＮＺ１は、回動方向ＲＴ１へ回動して、折り返し位置ＴＲ１で折り返して、回動方向ＲＴ２に回動する。そして、ノズルＮＺ１は、折り返し位置ＴＲ２で折り返して、回動方向ＲＴ１に回動する。折り返し位置ＴＲ１と折り返し位置ＴＲ２とは、平面視において、軌跡ＴＪ１上で基板Ｗの中心ＣＴを挟んでいる。折り返し位置ＴＲ２は、回動方向ＲＴ２でのノズルＮＺ１の折り返し位置を示す。また、折り返し位置ＴＲ２は、折り返し位置ＴＲ１と異なる位置であって、基板Ｗの径方向ＲＤの端領域ＥＡの直上位置である。

　次に、図３を参照して、光学プローブ１５１による基板Ｗのスキャン処理を説明する。図３は、光学プローブ１５１による基板Ｗのスキャン処理を示す平面図である。図３に示すように、光学プローブ１５１によるスキャン処理とは、平面視において、基板Ｗに対する厚みの測定位置が円弧状の軌跡ＴＪ２を形成するように、光学プローブ１５１を移動しながら、基板Ｗの厚みを測定する処理のことである。軌跡ＴＪ２は、基板ＷのエッジＥＧと基板Ｗの中心ＣＴとを通る。光学プローブ１５１による基板Ｗのスキャン処理は、基板Ｗの回転中に実行される。

　具体的には、光学プローブ１５１は、平面視において、基板Ｗの中心ＣＴとエッジＥＧとの間を移動しながら、測定位置を移動する。換言すれば、厚み測定部１５は、基板Ｗの複数の測定位置の各々において、基板Ｗの厚みを測定する。その結果、基板Ｗの中心ＣＴからエッジＥＧまでにおいて、基板Ｗの厚みの分布が測定される。つまり、基板Ｗの径方向ＲＤにおける厚みの分布が測定される。

　次に、図４～図７を参照して、図１に示す制御装置１９の詳細を説明する。図４は、制御装置１９を示すブロック図である。図４に示す制御装置１９は、処理対象の基板Ｗの径方向ＲＤに沿って処理液の吐出位置を移動しながら基板Ｗを処理するときに使用可能なレシピ情報ＲＣｎを、互いに異なる複数のレシピ情報ＲＣｎのうちから特定する。「ＲＣｎ」の「ｎ」は１以上の整数を示す。制御装置１９は、「処理条件特定装置」の一例に相当する。

　レシピ情報ＲＣｎは、基板Ｗの処理内容及び処理手順を規定する情報である。つまり、レシピ情報ＲＣｎは、基板Ｗに対する処理条件を規定する情報である。一例として、基板Ｗに対する処理条件は、少なくとも、処理液による基板Ｗの処理の実行時間と、基板Ｗに処理液を吐出するノズルＮＺ１を示す情報と、基板Ｗに処理液を吐出するノズルＮＺ１の移動速度を示す情報とを含む。ノズルＮＺ１の移動速度は、例えば、基板Ｗの径方向ＲＤにおける各位置の移動速度、又は、基板Ｗの径方向ＲＤにおける各区間の移動速度である。レシピ情報ＲＣｎは、処理液による基板Ｗに対する「処理条件」の一例に相当する。

　具体的には、図４に示すように、制御装置１９は、制御部２１と、記憶部２３とを備える。制御部２１は記憶部２３を制御する。また、制御部２１は、基板処理装置１００のその他の各構成を制御する。

　制御部２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）等のプロセッサーを含む。記憶部２３は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。制御部２１のプロセッサーは、記憶部２３の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、基板処理装置１００の各構成を制御する。

　例えば、記憶部２３は、半導体メモリー等の主記憶装置と、半導体メモリー及びハードディスクドライブ等の補助記憶装置とを含む。記憶部２３は、光ディスク等のリムーバブルメディアを含んでいてもよい。記憶部２３は、例えば、非一時的コンピューター読取可能記憶媒体である。記憶部２３は、「記憶媒体」の一例に相当する。

　具体的には、記憶部２３は、実測処理量テーブル２３１と、複数のレシピ情報ＲＣｎと、基板Ｗの目標厚み値ＴＧと、コンピュータープログラム２３２とを予め記憶する。基板Ｗの目標厚み値ＴＧは、処理液による処理後の基板Ｗの厚みの目標値を示す。目標厚み値ＴＧは、入力装置を介したユーザーからの入力によって変更されてもよい。実測処理量テーブル２３１については後述する。

　また、記憶部２３は、厚み測定部１５が出力した基板Ｗの測定厚み情報ＭＧを記憶する。測定厚み情報ＭＧは、基板Ｗの径方向ＲＤにおける複数の位置（複数の測定位置）での厚みの測定値を含む。つまり、測定厚み情報ＭＧは、基板Ｗの径方向ＲＤにおける複数の位置（複数の測定位置）でそれぞれ測定された複数の厚みの測定値を含む。本実施形態では、基板Ｗの径方向ＲＤにおける複数の位置（複数の測定位置）は、基板Ｗの径方向ＲＤにおいて等間隔である。

　図５は、厚み測定部１５による基板Ｗの厚みの測定値を示すグラフである。横軸は、基板Ｗの中心ＣＴからの、基板Ｗの径方向ＲＤに沿った基板Ｗ上の位置（ｍｍ）を示す。横軸において、「０」ｍｍの位置は、基板Ｗの中心ＣＴを示し、「Ｒ」ｍｍの位置は、基板Ｗの径方向ＲＤの最外位置（エッジＥＧ近傍）を示す。「Ｒ」は基板Ｗの半径Ｒに相当する。縦軸は、基板Ｗの厚みの測定値を示す。例えば、縦軸は、数μｍ～数十μｍのオーダーである。

　図５に例示する基板Ｗでは、基板Ｗの中心ＣＴ近傍から径方向ＲＤ外側に向かって厚みが徐々に小さくなり、基板Ｗの端領域ＥＡ（Ｒｂ［ｍｍ］～Ｒ［ｍｍ］）において厚みが急に大きくなっている。基板Ｗの径方向ＲＤの最外位置（エッジＥＧ近傍）において、基板Ｗの厚みが最も大きい。

　図４に戻って、制御部２１は、厚み予測部２１１と、評価部２１２と、特定部２１３とを備える。具体的には、制御部２１のプロセッサーは、記憶部２３の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラム２３２を実行して、厚み予測部２１１、評価部２１２、及び、特定部２１３として機能する。制御部２１は端領域処理部２１４をさらに備えることが好ましい。この場合、制御部２１のプロセッサーは、記憶部２３の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラム２３２を実行して、端領域処理部２１４として機能する。端領域処理部２１４については後述する。

　厚み予測部２１１は、記憶部２３から測定厚み情報ＭＧを取得する。厚み予測部２１１は、測定厚み情報ＭＧに基づいて、複数のレシピ情報ＲＣｎごとに、予測厚み情報ＰＴｎを算出する。つまり、厚み予測部２１１は、測定厚み情報ＭＧに基づいて、複数のレシピ情報ＲＣｎのそれぞれに対応して、複数の予測厚み情報ＰＴｎを算出する。「ＰＴｎ」の「ｎ」は１以上の整数を示す。予測厚み情報ＰＴｎは、基板Ｗの径方向ＲＤにおける複数の位置での処理後の厚みの予測値を含む。つまり、予測厚み情報ＰＴｎは、基板Ｗの径方向ＲＤにおける複数の位置でそれぞれ予測された処理後の複数の厚みの予測値を含む。本実施形態では、基板Ｗの径方向ＲＤにおける複数の位置は、基板Ｗの径方向ＲＤにおいて等間隔である。記憶部２３は、レシピ情報ＲＣｎと関連付けて予測厚み情報ＰＴｎを記憶する。予測厚み情報ＰＴｎの算出方法の詳細は後述する。

　ここで、予測厚み情報ＰＴｎによって示される予測厚みパターン（以下、「予測厚みパターンＰＮｎ」と記載する。）を定義する。「ＰＮｎ」における「ｎ」は１以上の整数を示す。予測厚みパターンＰＮｎは、基板Ｗの径方向ＲＤにおける処理後の厚みの予測値の分布を示す。予測厚みパターンＰＮｎを構成する処理後の厚みの予測値は、予測厚み情報ＰＴｎに含まれる処理後の厚みの予測値である。

　以下、一例として、複数のレシピ情報ＲＣ１～ＲＣ３にそれぞれ対応して複数の予測厚み情報ＰＴ１～ＰＴ３が算出される場合を説明する。なお、レシピ情報ＲＣｎの数は、３に限定されず、２であってもよいし、４以上であってもよい。同様に、予測厚み情報ＰＴｎの数は、３に限定されず、２であってもよいし、４以上であってもよい。

　図６は、予測厚み情報ＰＴ１～ＰＴ３を示すグラフである。横軸は、基板Ｗの中心ＣＴからの、基板Ｗの径方向ＲＤに沿った基板Ｗ上の位置（ｍｍ）を示す。縦軸は、基板Ｗの処理後の厚みの予測値を示す。例えば、縦軸は、数μｍ～数十μｍのオーダーである。図６において、予測厚み情報ＰＴ１の各予測値は、四角形のプロットで表されており、予測厚みパターンＰＮ１を示している。予測厚み情報ＰＴ２の各予測値は三角形のプロットで表されており、予測厚みパターンＰＮ２を示している。予測厚み情報ＰＴ３の各予測値は円形のプロットで表されており、予測厚みパターンＰＮ３を示している。なお、図６では、基板Ｗの内領域ＩＡ（０［ｍｍ］～Ｒｂ［ｍｍ］）における複数の位置での処理後の厚みの予測値が示されている。

　図４及び図６に示すように、予測厚み情報ＰＴ１は、レシピ情報ＲＣ１に対応して算出されている。予測厚み情報ＰＴ２は、レシピ情報ＲＣ２に対応して算出されている。予測厚み情報ＰＴ３は、レシピ情報ＲＣ３に対応して算出されている。３つの予測厚み情報ＰＴ１～ＰＴ３は互いに異なっている。

　評価部２１２は、複数のレシピ情報ＲＣ１～ＲＣ３に対してそれぞれ算出された複数の予測厚み情報ＰＴ１～ＰＴ３を、所定評価方法に従って評価して、複数の予測厚み情報ＰＴ１～ＰＴ３から少なくとも１つの予測厚み情報ＰＴｎを選択する。本実施形態では、評価部２１２は、複数の予測厚み情報ＰＴ１～ＰＴ３を所定評価方法に従って評価して、複数の予測厚み情報ＰＴ１～ＰＴ３から１つの予測厚み情報ＰＴ３を選択する。具体的には、評価部２１２は、複数の予測厚み情報ＰＴ１～ＰＴ３を所定評価方法に従って評価して、複数の予測厚み情報ＰＴ１～ＰＴ３から、最も平坦に近い予測厚みパターンＰＮ３を示す予測厚み情報ＰＴ３を選択する。所定評価方法の詳細は後述する。

　図７は、評価部２１２によって選択された予測厚み情報ＰＴ３を示すグラフである。図７の横軸及び縦軸は、それぞれ、図６の横軸及び縦軸と同様である。

　図４及び図７に示すように、特定部２１３は、評価部２１２によって選択された予測厚み情報ＰＴ３に対応するレシピ情報ＲＣ３を特定する。そして、制御部２１は、特定部２１３によって特定されたレシピ情報ＲＣ３に基づいて、処理装置１を制御する。その結果、処理装置１は、特定されたレシピ情報ＲＣ３に基づいて、基板Ｗの径方向ＲＤに沿って処理液の吐出位置を移動しながら基板Ｗを処理液によって処理する。この場合、例えば、制御部２１は、特定部２１３によって特定されたレシピ情報ＲＣ３に従って基板Ｗを処理するように処理装置１を制御する。その結果、処理装置１は、特定されたレシピ情報ＲＣ３に従って基板Ｗを処理液によって処理する。又は、例えば、制御部２１は、特定部２１３によって特定されたレシピ情報ＲＣ３を改変して、改変後のレシピ情報ＲＣ３に従って基板Ｗを処理するように、処理装置１を制御してもよい。その結果、処理装置１は、改変後のレシピ情報ＲＣ３に従って基板Ｗを処理液によって処理する。

　以上、図４～図７を参照して説明したように、本実施形態によれば、評価部２１２による評価に基づいて選択された予測厚み情報ＰＴ３に対応するレシピ情報ＲＣ３が特定される。

　従って、特定部２１３によって特定されたレシピ情報ＲＣ３に基づいて基板Ｗを処理することで、評価部２１２によって適正に評価された予測厚み情報ＰＴ３に含まれる厚みの予測値に応じた厚みになるように、基板Ｗを処理できる。その結果、処理後の基板Ｗの表面ＳＦが平坦に近くなる、処理液による処理を実現することが可能である。

　換言すれば、特定部２１３によって特定されたレシピ情報ＲＣ３に基づいて基板Ｗを処理することで、最も平坦に近い予測厚みパターンＰＮ３に応じた厚みになるように、基板Ｗを処理できる。その結果、処理後の基板Ｗの表面ＳＦが平坦に近くなる、処理液による処理を実現することが可能である。

　特に、本実施形態では、図６を参照して説明したように、評価部２１２は、基板Ｗの表面ＳＦのうち径方向ＲＤの端領域ＥＡよりも内側の内領域ＩＡにおける２以上の位置での処理後の厚みの予測値を使用して、複数の予測厚み情報ＰＴ１～ＰＴ３を評価することが好ましい。なぜなら、基板Ｗの内領域ＩＡにおける処理後の厚みの予測値の方が、基板Ｗの端領域ＥＡにおける処理後の厚みの予測値よりも、特徴的な分布を示すからである。

　次に、図４及び図８を参照して厚み予測部２１１の詳細を説明する。図４に示すように、厚み予測部２１１は、基板Ｗの測定厚み情報ＭＧと、基板Ｗの目標厚み値ＴＧと、実測処理量テーブル２３１に含まれる実測処理量情報（以下、「実測処理量情報ＥＭｎ」と記載する。）とに基づいて、基板Ｗの予測厚み情報ＰＴｎを算出する。「ＥＭｎ」の「ｎ」は１以上の整数を示す。

　実測処理量情報ＥＭｎは、基板（以下、「基板ＷＡ」と記載する。）の径方向ＲＤに沿って予め実測して得られた基板ＷＡの径方向ＲＤにおける複数の位置での処理量を含む。各位置での処理量は、各位置での処理液による処理量を示す。基板ＷＡの仕様は、処理対象の基板Ｗの仕様と同じである。つまり、基板ＷＡの組成及びサイズは、処理対象の基板Ｗの組成及びサイズと同じである。

　図８は、図４に示す記憶部２３に記憶された実測処理量テーブル２３１を示す図である。図８に示すように、実測処理量テーブル２３１は、複数の実測処理量情報ＥＭｎ（ＥＭ１、ＥＭ２、…）を含む。実測処理量テーブル２３１では、互いに異なる複数の実測処理量情報ＥＭｎ（ＥＭ１、ＥＭ２、…）は、それぞれ、互いに異なる複数のレシピ情報ＲＣｎ（ＲＣ１、ＲＣ２、…）と関連付けられている。具体的には、複数の実測処理量情報ＥＭｎ（ＥＭ１、ＥＭ２、…）は、それぞれ、複数のレシピ情報ＲＣｎ（ＲＣ１、ＲＣ２、…）の識別情報と関連付けられている。

　図８の例では、複数の実測処理量情報ＥＭｎの各々は、基板ＷＡの径方向ＲＤにおける複数の位置（具体的にはＪ個の位置）での実測の処理量を示す。Ｊは２以上の整数を示す。実測処理量テーブル２３１における「位置」は、基板ＷＡの中心ＣＴからの、基板ＷＡの径方向ＲＤに沿った基板ＷＡ上の位置（ｍｍ）を示す。実測処理量テーブル２３１における「処理量」は、基板ＷＡの「位置」での実測の処理量（μｍ）を示す。本実施形態では、基板ＷＡの径方向ＲＤにおける複数の「位置」は、基板ＷＡの径方向ＲＤにおいて等間隔である。

　実測処理量情報ＥＭｎに含まれる基板ＷＡの各位置での処理量は、複数のレシピ情報ＲＣｎのうち実測処理量情報ＥＭｎに関連付けられたレシピ情報ＲＣｎに従って基板ＷＡを処理したときの基板ＷＡの各位置での処理量を示す。例えば、実測処理量情報ＥＭ１によって示される基板ＷＡの各位置での処理量ａ１～ａＪは、実測処理量情報ＥＭ１に関連付けられたレシピ情報ＲＣ１に従って基板ＷＡを処理したときの基板ＷＡの各位置での処理量を示す。なお、図８では、例えば、実測処理量情報ＥＭ２は処理量ｂ１～ｂＪを含む。

　なお、実測処理量情報ＥＭｎに含まれる基板ＷＡの各位置での処理量は、所定の実行時間だけスキャン処理を実行することによって基板ＷＡを処理した後に実測されている。この場合の「所定の実行時間」は、レシピ情報ＲＣ１に含まれる「処理の実行時間」と同じでもよいし、異なっていてもよい。

　以上、図４及び図８を参照して説明したように、本実施形態によれば、厚み予測部２１１は、実測処理量情報ＥＭｎに基づいて基板Ｗの予測厚み情報ＰＴｎを算出する。その結果、精度の高い予測厚み情報ＰＴｎを得ることができる。

　特に、実測処理量テーブル２３１は、ノズルＮＺ１に対応して、複数の実測処理量情報ＥＭｎを含んでいる。つまり、実測処理量テーブル２３１では、複数の実測処理量情報ＥＭｎにノズルＮＺ１が関連付けられている。

　そして、厚み予測部２１１は、基板Ｗの測定厚み情報ＭＧと、基板Ｗの目標厚み値ＴＧと、ノズルＮＺ１に関連付けられた複数の実測処理量情報ＥＭｎとに基づいて、複数の実測処理量情報ＥＭｎごとに、基板Ｗの予測厚み情報ＰＴｎを算出する。

　換言すれば、厚み予測部２１１は、基板Ｗの測定厚み情報ＭＧと、基板Ｗの目標厚み値ＴＧと、ノズルＮＺ１に関連付けられた複数の実測処理量情報ＥＭｎとに基づいて、複数のレシピ情報ＲＣｎごとに、基板Ｗの予測厚み情報ＰＴｎを算出する。なぜなら、複数の実測処理量情報ＥＭｎにそれぞれ対応して複数のレシピ情報ＲＣｎが関連付けられているからである。

　なお、処理装置１が複数のノズルＮＺｍを備えている場合は、実測処理量テーブル２３１は、複数のノズルＮＺｍごとに、複数の実測処理量情報ＥＭｎを含む。そして、厚み予測部２１１は、複数のノズルＮＺｍから少なくとも１つのノズルＮＺｍを選択する。例えば、厚み予測部２１１は、複数のノズルＮＺｍから１つのノズルＮＺｍを選択する。そして、厚み予測部２１１は、基板Ｗの測定厚み情報ＭＧと、基板Ｗの目標厚み値ＴＧと、選択されたノズルＮＺｍに関連付けられた複数の実測処理量情報ＥＭｎとに基づいて、複数の実測処理量情報ＥＭｎごとに、基板Ｗの予測厚み情報ＰＴｎを算出する。なお、図８の例では、実測処理量テーブル２３１は、ノズルＮＺ２に関連付けられた複数の実測処理量情報ＥＭｎ（ＥＭ１１、ＥＭ１２、…）を含む。例えば、レシピ情報ＲＣ１１に関連付けられた実測処理量情報ＥＭ１１は、処理量ｃ１～ｃＪを含み、レシピ情報ＲＣ１２に関連付けられた実測処理量情報ＥＭ１２は、処理量ｄ１～ｄＪを含む。

　次に、図４、図８、及び、図９（ａ）～図９（ｃ）を参照して厚み予測部２１１を更に詳細に説明する。図４及び図８に示すように、厚み予測部２１１は、基板Ｗの測定厚み情報ＭＧと、基板Ｗの目標厚み値ＴＧと、ノズルＮＺ１に関連付けられた実測処理量情報ＥＭｎとに基づいて、基板Ｗの径方向ＲＤの複数の位置Ｌｋの各々での厚みが目標厚み値ＴＧになるときの処理時間Ｔｋを、基板Ｗの径方向ＲＤの複数の位置Ｌｋごとに算出する。「ｋ」は、０以上の整数を示す。

　具体的には、厚み予測部２１１は、式（１）に基づいて、基板Ｗの複数の位置Ｌｋの各々での厚みが目標厚み値ＴＧになるときの処理時間Ｔｋを算出する。式（１）において、Ｍｋは、基板Ｗの位置Ｌｋでの厚みの測定値を示し、ＴＧは、基板Ｗの目標厚み値を示し、Ｅｋは、基板ＷＡの位置Ｌｋでの処理量を示す。基板Ｗの位置Ｌｋでの測定値Ｍｋは、測定厚み情報ＭＧに含まれる測定値である。基板ＷＡの位置Ｌｋでの処理量Ｅｋは、実測処理量情報ＥＭｎに含まれる処理量である。「ｋ」は、０以上の整数を示す。なお、式（１）において、Ｅｋは、基板ＷＡの位置Ｌｋでの単位時間当たりの処理量を示してもよい。この場合は、実測処理量情報ＥＭｎに含まれる処理量も、単位時間当たりの処理量を示す。

　Ｔｋ＝（Ｍｋ－ＴＧ）／Ｅｋ　　　…（１）

　図９（ａ）は、式（１）によって算出された処理時間Ｔｋの一例を示すグラフである。横軸は、基板Ｗの中心ＣＴからの、基板Ｗの径方向ＲＤに沿った基板Ｗ上の位置Ｌｋ（例えばｍｍ）を示す。この点は、後述する図９（ｂ）及び図９（ｃ）の横軸も同様である。縦軸は、処理時間Ｔｋを示す。

　図９（ａ）に示すように、厚み予測部２１１は、基板Ｗの複数の位置Ｌｋに対してそれぞれ算出された複数の処理時間Ｔｋから、最も短い処理時間Ｔｘを選択する。図９（ａ）の例では、最も短い処理時間Ｔｘは、位置Ｌ２（＝２ｍｍ）での処理時間Ｔ２である。

　そして、厚み予測部２１１は、基板Ｗの測定厚み情報ＭＧと、ノズルＮＺ１に関連付けられた実測処理量情報ＥＭｎと、最も短い処理時間Ｔｘとに基づいて、予測厚み情報ＰＴｎを算出する。

　具体的には、厚み予測部２１１は、式（２）に基づいて、基板Ｗの径方向ＲＤの複数の位置Ｌｋでの処理後の厚みの予測値Ｐｋを算出する。「ｋ」は、０以上の整数を示す。基板Ｗの複数の位置Ｌｋでの複数の予測値Ｐｋは、予測厚み情報ＰＴｎを構成する。

　Ｐｋ＝Ｍｋ－（Ｅｋ×Ｔｘ）　　　…（２）

　図９（ｂ）は、式（２）によって算出された基板Ｗの処理後の厚みの予測値Ｐｋを示すグラフである。縦軸は、基板Ｗの厚みの予測値Ｐｋを示す。

　図９（ｂ）の例では、複数の予測値Ｐｋのうち、位置Ｌ２（＝２ｍｍ）での予測値Ｐｘ（＝Ｐ２）が、目標厚み値ＴＧに一致する。そして、全ての予測値Ｐｋは目標厚み値ＴＧ以上である。なぜなら、式（２）に示すように、全ての厚みの予測値Ｐｋは、最も短い処理時間Ｔｘに基づいて算出されるからである。

　図９（ｃ）は、厚みの予測値Ｐｋと目標厚み値ＴＧとの差分値ＤＦｋ（＝Ｐｋ－ＴＧ）を示すグラフである。ｋは、０以上の整数を示す。縦軸は、差分値ＤＦｋを示す。図９（ｃ）に示すように、全ての位置Ｌｋにおいて、差分値ＤＦｋは０以上である。図９（ｃ）の例では、位置Ｌ２（＝２ｍｍ）での差分値ＤＦ２が０である。なぜなら、図９（ａ）に示すように、位置Ｌ２（＝２ｍｍ）での処理時間Ｔ２が最も短い処理時間Ｔｘとして選択されているからである。

　以上、図９（ａ）～図９（ｃ）を参照して説明したように、本実施形態によれば、厚み予測部２１１は、複数の処理時間Ｔｋのうち最も短い処理時間Ｔｘに基づいて予測厚み情報ＰＴｎを算出する。従って、予測厚み情報ＰＴｎに含まれる全ての厚みの予測値Ｐｋが目標厚み値ＴＧ以上になる範囲で、各位置Ｌｋでの厚みの予測値Ｐｋを算出できる。その結果、評価部２１２によって選択された予測厚み情報ＰＴｎに対応するレシピ情報ＲＣｎに基づいて基板Ｗを処理する際に、目標厚み値ＴＧ未満となる厚みの部分が基板Ｗに発生することを抑制できる。つまり、基板Ｗが過剰に処理されることを抑制できる。

　次に、図１０（ａ）～図１２（ｂ）を参照して、評価部２１２によって実行される所定評価方法を説明する。図１０（ａ）～図１２（ｂ）の横軸及び縦軸は、それぞれ、図６の横軸及び縦軸と同様である。また、「ｎ」は１以上の整数のうちのいずれかの整数を示す。

　本実施形態に係る所定評価方法は、予測厚み情報ＰＴｎによって示される予測厚みパターンＰＮｎが平坦にどの程度近いかを評価する方法である。具体的には、所定評価方法は、第１評価方法と第２評価方法と第３評価方法とのうちの少なくとも１つの評価方法を含む。

　第１評価方法は、予測厚みパターンＰＮｎの凹凸の程度を示す指標によって、予測厚みパターンＰＮｎが平坦にどの程度近いかを評価する方法である。本実施形態では、第１評価方法によって、「予測厚みパターンＰＮｎの凹凸の程度」の観点から、予測厚みパターンＰＮｎの平坦の程度を容易に評価できる。第１評価方法は、第１方法と第２方法と第３方法と第４方法とのうちの少なくとも１つの方法を含む。第１方法～第４方法については後述する。

　第２評価方法は、予測厚みパターンＰＮｎを構成する複数の予測値のうち基板Ｗの目標厚み値ＴＧに近い予測値の数に基づく指標によって、予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法である。本実施形態では、第２評価方法によって、「基板Ｗの目標厚み値ＴＧに近い予測値の数」の観点から、予測厚みパターンＰＮｎの平坦の程度を容易に評価できる。第２評価方法は、第１方法と第２方法とのうちの少なくとも１つの方法を含む。第１方法及び第２方法については後述する。

　第３評価方法は、予測厚みパターンＰＮｎの傾斜がどの程度ゼロに近いかを示す指標によって、予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法である。本実施形態では、第３評価方法によって、「予測厚みパターンＰＮｎの傾斜がゼロに近い程度」の観点から、予測厚みパターンＰＮｎの平坦の程度を容易に評価できる。第３評価方法は、第１方法と第２方法とのうちの少なくとも１つの方法を含む。第１方法及び第２方法については後述する。

　まず、図１０（ａ）～図１０（ｄ）を参照して第１評価方法の第１方法～第４方法を説明する。

　図１０（ａ）は、第１評価方法の第１方法を示す図である。図１０（ａ）に示すグラフには、予測厚み情報ＰＴｎによって示される予測厚みパターンＰＮｎ及び第１評価直線Ｖａが示される。第１評価直線Ｖａは、予測厚みパターンＰＮｎよりも大きい側から予測厚みパターンＰＮｎに接する直線である。つまり、第１評価直線Ｖａは、予測厚みパターンＰＮｎのうち、予測値が増加する方向に向いた凸点Ａ１と凸点Ａ２とを通る直線である。

　第１評価方法の第１方法は、第１評価直線Ｖａ上の値から予測厚みパターンＰＮｎを構成する予測値を差し引いた値である差分値ｄｆを指標として、予測厚みパターンＰＮｎが平坦にどの程度近いかを評価する方法である。具体的には、第１方法では、差分値ｄｆは、基板Ｗの径方向ＲＤにおける複数の位置ごとに算出される。そして、基板Ｗの複数の位置にそれぞれ対応する複数の差分値ｄｆのうち、最大差分値Ｑａを指標として、予測厚みパターンＰＮｎが平坦にどの程度近いかが評価される。最大差分値Ｑａが小さい程、予測厚みパターンＰＮｎが平坦に近いことを示す。

　具体的には、評価部２１２は、複数の予測厚み情報ＰＴｎによってそれぞれ示される複数の予測厚みパターンＰＮｎごとに、第１評価直線Ｖａ、複数の差分値ｄｆ、及び、最大差分値Ｑａを算出する。そして、評価部２１２は、複数の予測厚みパターンＰＮｎにそれぞれ対応する複数の最大差分値Ｑａのうち、最も小さい最大差分値Ｑａを特定する。さらに、評価部２１２は、複数の予測厚み情報ＰＴｎから、最も小さい最大差分値Ｑａに対応する予測厚みパターンＰＮｎを示す予測厚み情報ＰＴｎを選択する。

　以上、図１０（ａ）を参照して説明したように、本実施形態に係る第１評価方法の第１方法によれば、第１評価直線Ｖａに基づいて予測厚みパターンＰＮｎを簡易かつ精度良く評価できる。

　図１０（ｂ）は、第１評価方法の第２方法を示す図である。図１０（ｂ）に示すグラフには、予測厚みパターンＰＮｎ及び第２評価直線Ｖｂが示される。第２評価直線Ｖｂは、予測厚みパターンＰＮｎよりも小さい側から予測厚みパターンＰＮｎに接する直線である。つまり、第２評価直線Ｖｂは、予測厚みパターンＰＮｎのうち、予測値が減少する方向に向いた凸点Ａ３と凸点Ａ４とを通る直線である。

　第１評価方法の第２方法は、予測厚みパターンＰＮｎを構成する予測値から第２評価直線Ｖｂ上の値を差し引いた値である差分値ｄｆを指標として、予測厚みパターンＰＮｎが平坦にどの程度近いかを評価する方法である。具体的には、第２方法では、差分値ｄｆは、基板Ｗの径方向ＲＤにおける複数の位置ごとに算出される。そして、基板Ｗの複数の位置にそれぞれ対応する複数の差分値ｄｆのうち、最大差分値Ｑｂを指標として、予測厚みパターンＰＮｎが平坦にどの程度近いかが評価される。最大差分値Ｑｂが小さい程、予測厚みパターンＰＮｎが平坦に近いことを示す。

　具体的には、評価部２１２は、複数の予測厚み情報ＰＴｎによってそれぞれ示される複数の予測厚みパターンＰＮｎごとに、第２評価直線Ｖｂ、複数の差分値ｄｆ、及び、最大差分値Ｑｂを算出する。そして、評価部２１２は、第１評価方法の第１方法と同様にして、複数の予測厚み情報ＰＴｎから、最も小さい最大差分値Ｑｂに対応する予測厚みパターンＰＮｎを示す予測厚み情報ＰＴｎを選択する。

　以上、図１０（ｂ）を参照して説明したように、本実施形態に係る第１評価方法の第２方法によれば、第２評価直線Ｖｂに基づいて予測厚みパターンＰＮｎを簡易かつ精度良く評価できる。

　図１０（ｃ）は、第１評価方法の第３方法を示す図である。図１０（ｃ）に示すグラフには、予測厚みパターンＰＮｎ及び第３評価直線Ｖｃが示される。第３評価直線Ｖｃは、最小二乗法によって得られる予測厚みパターンＰＮｎの近似直線である。

　第１評価方法の第３方法は、予測厚みパターンＰＮｎを構成する予測値から第３評価直線Ｖｃ上の値を差し引いた値である差分値ｄｆを指標として、予測厚みパターンＰＮｎが平坦にどの程度近いかを評価する方法である。具体的には、第３方法では、予測厚みパターンＰＮｎを構成する最大予測値から第３評価直線Ｖｃ上の値を差し引いた値である第１差分値Ｑｃと、予測厚みパターンＰＮｎを構成する最小予測値から第３評価直線Ｖｃ上の値を差し引いた値である第２差分値Ｑｄとが、算出される。そして、第１差分値Ｑｃの絶対値と第２差分値Ｑｄの絶対値との和ＳＭを指標として、予測厚みパターンＰＮｎが平坦にどの程度近いかが評価される。和ＳＭが小さい程、予測厚みパターンＰＮｎが平坦に近いことを示す。

　具体的には、評価部２１２は、複数の予測厚み情報ＰＴｎによってそれぞれ示される複数の予測厚みパターンＰＮｎごとに、第３評価直線Ｖｃ、第１差分値Ｑｃ、第２差分値Ｑｄ、及び、和ＳＭを算出する。そして、評価部２１２は、複数の予測厚みパターンＰＮｎにそれぞれ対応する複数の和ＳＭのうち、最も小さい和ＳＭを特定する。さらに、評価部２１２は、複数の予測厚み情報ＰＴｎから、最も小さい和ＳＭに対応する予測厚みパターンＰＮｎを示す予測厚み情報ＰＴｎを選択する。

　以上、図１０（ｃ）を参照して説明したように、本実施形態に係る第１評価方法の第３方法によれば、第３評価直線Ｖｃに基づいて予測厚みパターンＰＮｎを簡易かつ精度良く評価できる。

　図１０（ｄ）は、第１評価方法の第４方法を示す図である。図１０（ｄ）に示すグラフには、予測厚みパターンＰＮｎ及び第４評価直線Ｖｄが示される。第４評価直線Ｖｄは、基板Ｗの目標厚み値ＴＧを示す直線である。

　第１評価方法の第４方法は、予測厚みパターンＰＮｎを構成する予測値から第４評価直線Ｖｄ上の値を差し引いた値である差分値ｄｆを指標として、予測厚みパターンＰＮｎが平坦にどの程度近いかを評価する方法である。具体的には、第４方法では、差分値ｄｆは、基板Ｗの径方向ＲＤにおける複数の位置ごとに算出される。そして、複数の差分値ｄｆのうちの最大差分値Ｑｅを指標として、予測厚みパターンＰＮｎが平坦にどの程度近いかが評価される。最大差分値Ｑｅが小さい程、予測厚みパターンＰＮｎが平坦に近いことを示す。

　具体的には、評価部２１２は、複数の予測厚み情報ＰＴｎによってそれぞれ示される複数の予測厚みパターンＰＮｎごとに、第４評価直線Ｖｄ、複数の差分値ｄｆ、及び、最大差分値Ｑｅを算出する。そして、評価部２１２は、複数の予測厚みパターンＰＮｎにそれぞれ対応する複数の最大差分値Ｑｅのうち、最も小さい最大差分値Ｑｅを特定する。さらに、評価部２１２は、複数の予測厚み情報ＰＴｎから、最も小さい最大差分値Ｑｅに対応する予測厚みパターンＰＮｎを示す予測厚み情報ＰＴｎを選択する。

　以上、図１０（ｄ）を参照して説明したように、本実施形態に係る第１評価方法の第４方法によれば、第４評価直線Ｖｄに基づいて予測厚みパターンＰＮｎを簡易かつ精度良く評価できる。

　次に、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）を参照して第２評価方法の第１方法及び第２方法を説明する。

　図１１（ａ）は、第２評価方法の第１方法を示す図である。図１１（ａ）に示すグラフには、予測厚みパターンＰＮｎ、第５評価直線Ｖｅ、及び、許容範囲ＲＧが示される。第５評価直線Ｖｅは、基板Ｗの目標厚み値ＴＧを示す直線である。許容範囲ＲＧは、基板Ｗにおいて許容可能な凹凸の範囲である。具体的には、許容範囲ＲＧは、上限値ＴＨと、下限値である目標厚み値ＴＧとを含む。

　第２評価方法の第１方法は、予測厚みパターンＰＮｎを構成する複数の予測値のうち、第５評価直線Ｖｅを含む許容範囲ＲＧ内に存在する予測値の数ＮＭを指標として、予測厚みパターンＰＮｎが平坦にどの程度近いかを評価する方法である。許容範囲ＲＧ内に存在する予測値の数ＮＭが多い程、予測厚みパターンＰＮｎが平坦に近いことを示す。

　具体的には、評価部２１２は、複数の予測厚み情報ＰＴｎによってそれぞれ示される複数の予測厚みパターンＰＮｎごとに、許容範囲ＲＧ内に存在する予測値の数ＮＭを計数して、数ＮＭを示す計数情報を得る。そして、評価部２１２は、複数の予測厚みパターンＰＮｎにそれぞれ対応する複数の計数情報のうち、最も大きい数ＮＭを示す計数情報を特定する。さらに、評価部２１２は、複数の予測厚み情報ＰＴｎから、最も大きい数ＮＭを示す計数情報に対応する予測厚みパターンＰＮｎを示す予測厚み情報ＰＴｎを選択する。

　以上、図１１（ａ）を参照して説明したように、本実施形態に係る第２評価方法の第１方法によれば、第５評価直線Ｖｅを含む許容範囲ＲＧに基づいて予測厚みパターンＰＮｎを簡易かつ精度良く評価できる。

　図１１（ｂ）は、第２評価方法の第２方法を示す図である。図１１（ｂ）に示すグラフには、予測厚みパターンＰＮｎ及び第６評価直線Ｖｆが示される。第６評価直線Ｖｆは、基板Ｗの目標厚み値ＴＧを示す直線である。

　第２評価方法の第２方法は、予測厚みパターンＰＮｎを構成する複数の予測値の各々から第６評価直線Ｖｆ上の値を差し引いた値である各差分値ｄｆを指標として、予測厚みパターンＰＮｎが平坦にどの程度近いかを評価する方法である。具体的には、第２方法では、差分値ｄｆは、基板Ｗの径方向ＲＤにおける複数の位置ごとに算出される。そして、基板Ｗの複数の位置にそれぞれ対応する複数の差分値ｄｆの平均値ＡＶが算出される。平均値ＡＶが小さい程、予測厚みパターンＰＮｎが平坦に近いことを示す。

　具体的には、評価部２１２は、複数の予測厚み情報ＰＴｎによってそれぞれ示される複数の予測厚みパターンＰＮｎごとに、複数の差分値ｄｆ、及び、平均値ＡＶを算出する。そして、評価部２１２は、複数の予測厚みパターンＰＮｎにそれぞれ対応する複数の平均値ＡＶのうち、最も小さい平均値ＡＶを特定する。さらに、評価部２１２は、複数の予測厚み情報ＰＴｎから、最も小さい平均値ＡＶに対応する予測厚みパターンＰＮｎを示す予測厚み情報ＰＴｎを選択する。

　以上、図１１（ｂ）を参照して説明したように、本実施形態に係る第２評価方法の第２方法によれば、第６評価直線Ｖｆに基づいて予測厚みパターンＰＮｎを簡易かつ精度良く評価できる。

　次に、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）を参照して第３評価方法の第１方法及び第２方法を説明する。

　図１２（ａ）は、第３評価方法の第１方法を示す図である。図１２（ａ）に示すグラフには、予測厚みパターンＰＮｎ、第７評価直線Ｖｇ、及び、第８評価直線Ｖｈが示される。第７評価直線Ｖｇは、最小二乗法によって得られる予測厚みパターンＰＮｎの近似直線である。第８評価直線Ｖｈは、一定値を示す直線である。

　第３評価方法の第１方法は、第８評価直線Ｖｈに対する第７評価直線Ｖｇの傾斜を指標として、予測厚みパターンＰＮｎが平坦にどの程度近いかを評価する方法である。具体的には、第１方法では、第８評価直線Ｖｈに対する第７評価直線Ｖｇの傾斜を示す傾斜角θａを指標として、予測厚みパターンＰＮｎが平坦にどの程度近いかが評価される。傾斜角θａが小さい程、予測厚みパターンＰＮｎが平坦に近いことを示す。この場合、傾斜角θａの表現形式は特に限定されない。

　具体的には、評価部２１２は、複数の予測厚み情報ＰＴｎによってそれぞれ示される複数の予測厚みパターンＰＮｎごとに、第７評価直線Ｖｇ、及び、傾斜角θａを算出する。そして、評価部２１２は、複数の予測厚みパターンＰＮｎにそれぞれ対応する複数の傾斜角θａのうち、最も小さい傾斜角θａを特定する。さらに、評価部２１２は、複数の予測厚み情報ＰＴｎから、最も小さい傾斜角θａに対応する予測厚みパターンＰＮｎを示す予測厚み情報ＰＴｎを選択する。

　以上、図１２（ａ）を参照して説明したように、本実施形態に係る第３評価方法の第１方法によれば、第７評価直線Ｖｇ及び第８評価直線Ｖｈに基づいて予測厚みパターンＰＮｎを簡易かつ精度良く評価できる。

　図１２（ｂ）は、第３評価方法の第２方法を示す図である。図１２（ｂ）に示すグラフには、予測厚みパターンＰＮｎ、複数の評価ベクトルＶＴ、及び、第９評価直線Ｖｉが示される。複数の評価ベクトルＶＴの各々は、基板Ｗの径方向ＲＤの各位置での予測厚みパターンＰＮｎの傾斜を示す。第９評価直線Ｖｉは、傾斜がゼロの任意の直線である。

　第３評価方法の第２方法は、基板Ｗの径方向ＲＤの各位置での予測厚みパターンＰＮｎの傾斜を指標として、予測厚みパターンＰＮｎが平坦にどの程度近いかを評価する方法である。具体的には、第２方法では、基板Ｗの径方向ＲＤの各位置での予測値に対応して、各位置での評価ベクトルＶＴが算出される。評価ベクトルＶＴは、隣り合う２つの予測値のうち、一方の予測値から他方の予測値に向いている。また、評価ベクトルＶＴは、隣り合う２つの予測値のうち、一方の予測値を始点とし、他方の予測値を終点とする。評価ベクトルＶＴの傾斜は、第９評価直線Ｖｉに対する評価ベクトルＶＴの傾斜角θｂによって示される。傾斜角θｂの表現形式は特に限定されない。そして、複数の評価ベクトルＶＴのうち、最大傾斜角θｍｘを有する評価ベクトルＶＴＭを指標として、予測厚みパターンＰＮｎが平坦にどの程度近いかが評価される。最大傾斜角θｍｘが小さい程、予測厚みパターンＰＮｎが平坦に近いことを示す。

　具体的には、評価部２１２は、複数の予測厚み情報ＰＴｎによってそれぞれ示される複数の予測厚みパターンＰＮｎごとに、複数の評価ベクトルＶＴ、複数の傾斜角θｂ、及び、最大傾斜角θｍｘを算出する。そして、評価部２１２は、複数の予測厚みパターンＰＮｎにそれぞれ対応する複数の最大傾斜角θｍｘのうち、最も小さい最大傾斜角θｍｘを特定する。さらに、評価部２１２は、複数の予測厚み情報ＰＴｎから、最も小さい最大傾斜角θｍｘに対応する予測厚みパターンＰＮｎを示す予測厚み情報ＰＴｎを選択する。

　以上、図１２（ｂ）を参照して説明したように、本実施形態に係る第３評価方法の第２方法によれば、複数の評価ベクトルＶＴに基づいて予測厚みパターンＰＮｎを簡易かつ精度良く評価できる。

　次に、図４、図５、及び、図１３を参照して、基板Ｗの端領域ＥＡの処理を説明する。図５に示すように、一般的に、基板Ｗの端領域ＥＡは、内領域ＩＡと比較して、急峻に突出している。そこで、基板Ｗの全領域（ＩＡ＋ＥＡ）に対するスキャン処理に加えて、端領域ＥＡに対して個別の処理を行うことが好ましい。以下、この好ましい例を説明する。この場合、図６及び図７を参照して説明した場合と同様に、一例として、評価部２１２が、複数の予測厚み情報ＰＴ１～ＰＴ３から予測厚み情報ＰＴ３を選択した場合を説明する。

　図１３は、基板Ｗの端領域ＥＡにおける処理後の厚みの予測値を示すグラフである。図１３の横軸及び縦軸は、それぞれ、図６の横軸及び縦軸と同様である。図１３では、横軸において、基板Ｗの端領域ＥＡ（Ｒｂ［ｍｍ］～Ｒ［ｍｍ］）が示されている。図１３に示すように、予測厚み情報ＰＴ３は、基板Ｗの端領域ＥＡにおいて、２以上の厚みの予測値を含んでいる。

　図４及び図１３に示すように、端領域処理部２１４は、評価部２１２によって選択された予測厚み情報ＰＴ３に含まれる複数の予測値のうち、基板Ｗの径方向ＲＤの端領域ＥＡにおける予測値の最大値Ｐｍに基づいて、端領域処理時間（以下、「端領域処理時間ＴＥ」と記載する。）を算出する。端領域処理時間ＴＥは、基板Ｗの端領域ＥＡに対する処理時間であって、処理液の吐出位置が固定された状態での処理時間を示す。

　制御部２１は、ノズルＮＺ１が基板Ｗの端領域ＥＡの直上位置（例えば、図２の折り返し位置ＴＲ１）に位置するように、ノズル移動部９を制御する。その結果、ノズルＮＺ１が基板Ｗの端領域ＥＡの直上位置に静止する。そして、制御部２１は、端領域処理時間ＴＥだけ、ノズルＮＺ１が基板Ｗの端領域ＥＡに向けて処理液を吐出するように、バルブＶ１を制御する。その結果、ノズルＮＺ１は、基板Ｗの端領域ＥＡの直上位置に静止したまま、端領域処理時間ＴＥだけ、回転中の基板Ｗの端領域ＥＡに向けて処理液を吐出する。よって、本実施形態によれば、基板Ｗの端領域ＥＡが集中して処理されて、基板Ｗの表面ＳＦをより平坦に近づけることができる。

　具体的には、端領域処理部２１４は、基板Ｗの端領域ＥＡにおける予測値の最大値Ｐｍと、基板Ｗの目標厚み値ＴＧと、処理係数ＰＣとに基づいて、端領域処理時間ＴＥを算出する。処理係数ＰＣは、制御部２１に対して予め設定されており、処理液による単位時間当たりの基板の処理量を示す。従って、本実施形態によれば、処理係数ＰＣを使用することで、端領域処理時間ＴＥを容易に算出できる。更に具体的には、端領域処理部２１４は、式（３）に基づいて、端領域処理時間ＴＥを算出する。

　ＴＥ＝（Ｐｍ－ＴＧ）／ＰＣ　　　…（３）

　次に、図４及び図１４～図１７を参照して、本発明の実施形態に係る処理条件特定方法及び基板処理方法を説明する。図１４は、本実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図１４に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１～工程Ｓ９を含む。基板処理方法は、１枚の基板Ｗごとに基板処理装置１００によって実行される。工程Ｓ３及び工程Ｓ４は、本実施形態に係る処理条件特定方法を構成する。

　図４および図１４に示すように、工程Ｓ１において、基板処理装置１００の制御部２１は、基板Ｗを保持するように、スピンチャック３を制御する。その結果、スピンチャック３は基板Ｗを保持する。

　次に、工程Ｓ２において、制御部２１は、基板Ｗの厚みを測定するように、厚み測定部１５を制御する。その結果、厚み測定部１５は、処理液による処理前に、基板Ｗの径方向ＲＤに沿って各位置で基板Ｗの厚みを測定する。そして、厚み測定部１５は、基板Ｗの各位置での厚みの測定値を含む測定厚み情報ＭＧを、制御部２１に出力する。

　次に、工程Ｓ３において、制御部２１は、基板Ｗの径方向ＲＤに沿って処理液の吐出位置を移動しながら基板Ｗを処理するときに使用可能なレシピ情報ＲＣｎを、複数のレシピ情報ＲＣｎのうちから特定する。

　次に、工程Ｓ４において、制御部２１は、基板Ｗの端領域ＥＡを処理するときの端領域処理時間ＴＥを算出する。

　次に、工程Ｓ５において、制御部２１は、工程Ｓ３で特定されたレシピ情報ＲＣｎに基づいて、基板Ｗに対してノズルＮＺ１がスキャン処理を実行するように、バルブＶ１及びノズル移動部９を制御する。その結果、ノズルＮＺ１は、基板Ｗの径方向ＲＤに沿って処理液の吐出位置を移動しながら基板Ｗの全領域（内領域ＩＡ＋端領域ＥＡ）を処理液によって処理する。つまり、ノズルＮＺ１は、基板Ｗの全領域に処理液を吐出する。

　次に、工程Ｓ６において、制御部２１は、工程Ｓ４で算出された端領域処理時間ＴＥだけ、処理液の吐出位置が固定された状態でノズルＮＺ１が基板Ｗの端領域ＥＡを処理するように、バルブＶ１及びノズル移動部９を制御する。その結果、ノズルＮＺ１は、端領域処理時間ＴＥだけ、処理液の吐出位置が固定された状態で基板Ｗの端領域ＥＡを処理する。つまり、ノズルＮＺ１は、端領域処理時間ＴＥだけ、静止したままの状態で基板Ｗの端領域ＥＡに処理液を吐出する。

　次に、工程Ｓ７において、制御部２１は、ノズル１１がリンス液を基板Ｗに吐出するように、バルブＶ２を制御する。その結果、ノズル１１がリンス液を吐出する。

　次に、工程Ｓ８において、制御部２１は、基板Ｗが回転するようにスピンモーター５を制御する。その結果、スピンモーター５がスピンチャック３を回転させることによって、基板Ｗが回転する。基板Ｗの回転によって基板Ｗが乾燥する。

　次に、工程Ｓ９において、制御部２１は、チャンバー２から基板Ｗを取り出すように、搬送ロボットを制御する。その結果、搬送ロボットは基板Ｗをチャンバー２から取り出す。工程Ｓ９の後、基板処理方法による処理は終了する。

　本実施形態に係る基板製品製造方法では、工程Ｓ１～工程Ｓ９を含む基板処理方法によって基板Ｗを処理して、処理後の基板Ｗである基板製品を製造する。また、図４に示すコンピュータープログラム２３２は、制御装置１９に、工程Ｓ１～工程Ｓ９を含む基板処理方法を実行させる。さらに、図４に示すコンピュータープログラム２３２は、制御装置１９に、工程Ｓ３及び工程Ｓ４を含む処理条件特定方法を実行させてもよい。制御装置１９は「コンピューター」の一例に相当する。

　なお、工程Ｓ５の前に、工程Ｓ６が実行されてもよい。また、工程Ｓ６において、工程Ｓ５で使用するノズルＮＺ１と異なるノズルＮＺ２を使用してもよい。さらに、基板処理方法は、工程Ｓ４及び工程Ｓ６を含まなくてもよい。

　次に、図４及び図１５を参照して、図１４の工程Ｓ３を説明する。図１５は、図１４の工程Ｓ３を示すフローチャートである。図１５に示すように、工程Ｓ３は、工程Ｓ３１～工程Ｓ３３を含む。

　図４及び図１５に示すように、工程Ｓ３１において、制御部２１の厚み予測部２１１は、基板Ｗの径方向ＲＤにおける複数の位置での厚みの測定値を含む測定厚み情報ＭＧに基づいて、複数のレシピ情報ＲＣｎごとに、基板Ｗの複数の位置での処理後の厚みの予測値を含む予測厚み情報ＰＴｎを算出する。つまり、厚み予測部２１１は、複数の予測厚み情報ＰＴｎを算出する。測定厚み情報ＭＧに含まれる測定値は、処理液による基板Ｗの処理前に、基板Ｗの径方向ＲＤに沿って測定された基板Ｗの厚みを示す。

　具体的には、工程Ｓ３１において、厚み予測部２１１は、基板Ｗの測定厚み情報ＭＧと、基板Ｗの目標厚み値ＴＧと、実測処理量情報ＥＭｎとに基づいて、基板Ｗの中心ＣＴからエッジＥＧまでの各位置での処理後の厚みの予測値を含む予測厚み情報ＰＴｎを算出する。

　次に、工程Ｓ３２において、制御部２１の評価部２１２は、複数のレシピ情報ＲＣｎに対してそれぞれ算出された複数の予測厚み情報ＰＴｎを、所定評価方法に従って評価して、複数の予測厚み情報ＰＴｎから予測厚み情報ＰＴｎを選択する。この場合、評価部２１２は、所定評価方法に含まれる第１評価方法の第１方法～第４方法、所定評価方法に含まれる第２評価方法の第１方法及び第２方法、並びに、所定評価方法に含まれる第３評価方法の第１方法及び第２方法のうち、１つの方法によって複数の予測厚み情報ＰＴｎを評価してもよいし、２以上の方法を組み合わせて複数の予測厚み情報ＰＴｎを評価してもよい。

　次に、工程Ｓ３３において、制御部２１の特定部２１３は、工程Ｓ３２で選択された予測厚み情報ＰＴｎに対応するレシピ情報ＲＣｎを特定する。工程Ｓ３３の後、レシピ情報ＲＣｎを特定する処理は終了し、処理は図１４の工程Ｓ４に進む。

　次に、図４及び図１６を参照して、図１５の工程Ｓ３１を説明する。図１６は、図１５の工程Ｓ３１を示すフローチャートである。図１６に示すように、工程Ｓ３１は、工程Ｓ３１１～工程Ｓ３１４を含む。

　図４及び図１６に示すように、工程Ｓ３１１において、厚み予測部２１１は、基板Ｗの測定厚み情報ＭＧと、基板Ｗの目標厚み値ＴＧと、実測処理量情報ＥＭｎとに基づいて、基板Ｗの径方向ＲＤの複数の位置の各々での厚みが目標厚み値ＴＧになるときの処理時間Ｔｋを、基板Ｗの複数の位置ごとに算出する。具体的には、厚み予測部２１１は、上述の式（１）に基づいて処理時間Ｔｋを算出する。

　次に、工程Ｓ３１２において、厚み予測部２１１は、基板Ｗの径方向ＲＤの複数の位置に対してそれぞれ算出された複数の処理時間Ｔｋから、最も短い処理時間Ｔｘを選択する。

　次に、工程Ｓ３１３において、厚み予測部２１１は、基板Ｗの測定厚み情報ＭＧと、実測処理量情報ＥＭｎと、最も短い処理時間Ｔｘとに基づいて、予測厚み情報ＰＴｎを算出する。具体的には、厚み予測部２１１は、上述の式（２）に基づいて予測厚み情報ＰＴｎ（具体的には複数の予測値Ｐｋ）を算出する。

　次に、工程Ｓ３１４において、厚み予測部２１１は、ノズルＮＺ１に関連付けられた全ての実測処理量情報ＥＭｎに対して、工程Ｓ３１１～工程Ｓ３１３の処理が完了したか否かを判定する。

　工程Ｓ３１４で否定判定（Ｎｏ）がされた場合は、処理は工程Ｓ３１１に進む。

　工程Ｓ３１４で肯定判定（Ｙｅｓ）がされた場合は、複数の予測厚み情報ＰＴｎを算出する処理は終了し、処理は図１５の工程Ｓ３２に進む。

　次に、図４及び図１７を参照して、図１４の工程Ｓ４を説明する。図１７は、図１４の工程Ｓ４を示すフローチャートである。図１７に示すように、工程Ｓ４は、工程Ｓ４１～工程Ｓ４３を含む。

　図４及び図１７に示すように、工程Ｓ４１において、制御部２１の端領域処理部２１４は、図１５の工程Ｓ３２で選択された予測厚み情報ＰＴｎに含まれる処理後の複数の厚みの予測値から、基板Ｗの端領域ＥＡにおける２以上の位置での処理後の厚みの予測値を取得する。

　次に、工程Ｓ４２において、端領域処理部２１４は、工程Ｓ４１で取得した、基板Ｗの端領域ＥＡにおける２以上の位置での処理後の厚みの予測値から、最大値Ｐｍを選択する。

　次に、工程Ｓ４３において、端領域処理部２１４は、工程Ｓ４２で選択した、基板Ｗの端領域ＥＡにおける予測値の最大値Ｐｍと、基板Ｗの目標厚み値ＴＧと、処理係数ＰＣとに基づいて、端領域処理時間ＴＥを算出する。具体的には、端領域処理部２１４は、上述の式（３）に基づいて端領域処理時間ＴＥを算出する。工程Ｓ４３の後、端領域処理時間ＴＥを算出する処理は終了し、処理は図１４の工程Ｓ５に進む。

　以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

　また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。

　（１）図１～図１７を参照して説明した本実施形態では、基板Ｗはベア基板であったが、基板Ｗは、成膜後の基板であってもよい。

　（２）図１～図１７を参照して説明した本実施形態において、処理液による処理がエッチング処理である場合は、「処理液」を「エッチング液」と読み替え、「処理量」を「エッチング量」と読み替えることができる。

　（３）図１に示す処理装置１は、厚み測定部１５及びプローブ移動部１７を備えていなくてもよい。この場合は、処理装置１の外部に配置される厚み測定部１５及びプローブ移動部１７によって、基板Ｗの厚みが測定される。また、図１に示す基板処理装置１００は、厚み測定部１５及びプローブ移動部１７を備えていなくてもよい。この場合は、基板処理装置１００の外部に配置される厚み測定部１５及びプローブ移動部１７によって、基板Ｗの厚みが測定される。すなわち、処理前に基板Ｗの厚みを測定できる限りにおいては、基板Ｗの厚みが測定される場所は、特に限定されない。

　本発明は、処理条件特定方法、基板処理方法、基板製品製造方法、コンピュータープログラム、記憶媒体、処理条件特定装置、及び、基板処理装置に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。

　１　　処理装置
　１９　　制御装置（処理条件特定装置、コンピューター）
　２３　　記憶部（記憶媒体）
　１００　　基板処理装置
　２１１　　厚み予測部
　２１２　　評価部
　２１３　　特定部
　２１４　　端領域処理部
　２３２　　コンピュータープログラム
　Ｗ　　基板

Claims

　処理対象の基板である対象基板の径方向に沿って処理液の吐出位置を移動しながら前記対象基板を処理するときに使用可能な処理条件を、複数の処理条件のうちから特定する処理条件特定方法であって、
　前記対象基板の径方向における複数の位置での厚みの測定値を含む測定厚み情報に基づいて、前記複数の処理条件ごとに、前記対象基板の前記複数の位置での処理後の厚みの予測値を含む予測厚み情報を算出する工程と、
　前記複数の処理条件に対してそれぞれ算出された複数の前記予測厚み情報を、所定評価方法に従って評価して、前記複数の予測厚み情報から予測厚み情報を選択する工程と、
　前記選択された予測厚み情報に対応する前記処理条件を特定する工程と
　を含み、
　前記測定厚み情報に含まれる前記測定値は、前記処理液による前記対象基板の処理前に、前記対象基板の径方向に沿って測定された前記対象基板の厚みを示す、処理条件特定方法。
　前記選択された予測厚み情報に含まれる複数の前記予測値のうち、前記対象基板の径方向の端領域における予測値の最大値に基づいて、端領域処理時間を算出する工程をさらに含み、
　前記端領域処理時間は、前記対象基板の前記端領域に対する処理時間であって、前記処理液の吐出位置が固定された状態での処理時間を示す、請求項１に記載の処理条件特定方法。
　前記端領域処理時間を算出する前記工程では、前記対象基板の前記端領域における前記予測値の前記最大値と、前記対象基板の目標厚み値と、処理係数とに基づいて、前記端領域処理時間を算出し、
　前記処理係数は、予め設定されており、前記処理液による単位時間当たりの基板の処理量を示す、請求項２に記載の処理条件特定方法。
　前記予測厚み情報を算出する前記工程では、前記対象基板の前記測定厚み情報と、前記対象基板の目標厚み値と、基板の径方向に沿って予め実測して得られた前記基板の径方向における複数の位置での処理量を含む実測処理量情報とに基づいて、前記予測厚み情報を算出し、
　前記実測処理量情報に含まれる前記処理量は、前記複数の処理条件のうち前記実測処理量情報に関連付けられた処理条件に従って前記基板を処理したときの処理量を示す、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の処理条件特定方法。
　前記予測厚み情報を算出する前記工程は、
　前記対象基板の前記測定厚み情報と、前記対象基板の前記目標厚み値と、前記実測処理量情報とに基づいて、前記対象基板の前記複数の位置の各々での厚みが前記目標厚み値になるときの処理時間を、前記対象基板の前記複数の位置ごとに算出する工程と、
　前記対象基板の前記複数の位置に対してそれぞれ算出された複数の前記処理時間から、最も短い処理時間を選択する工程と、
　前記対象基板の前記測定厚み情報と、前記実測処理量情報と、前記最も短い処理時間とに基づいて、前記予測厚み情報を算出する工程と
　を含む、請求項４に記載の処理条件特定方法。
　前記予測厚み情報を選択する前記工程では、前記対象基板の表面のうち径方向の端領域よりも内側の内領域における２以上の位置での処理後の前記厚みの予測値を使用して、前記複数の予測厚み情報を評価する、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の処理条件特定方法。
　前記所定評価方法は、前記予測厚み情報によって示される予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であり、
　前記予測厚みパターンは、前記対象基板の径方向における前記厚みの予測値の分布を示し、
　前記所定評価方法は、第１評価方法と第２評価方法と第３評価方法とのうちの少なくとも１つの評価方法を含み、
　前記第１評価方法は、前記予測厚みパターンの凹凸の程度を示す指標によって、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であり、
　前記第２評価方法は、前記予測厚みパターンを構成する複数の前記予測値のうち前記対象基板の目標厚み値に近い予測値の数に基づく指標によって、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であり、
　前記第３評価方法は、前記予測厚みパターンの傾斜がどの程度ゼロに近いかを示す指標によって、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法である、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の処理条件特定方法。
　前記第１評価方法は、第１方法と第２方法と第３方法と第４方法とのうちの少なくとも１つの方法を含み、
　前記第１評価方法の前記第１方法は、第１評価直線上の値から前記予測厚みパターンを構成する前記予測値を差し引いた値である差分値を前記指標として、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であり、
　前記第１評価直線は、前記予測厚みパターンよりも大きい側から前記予測厚みパターンに接する直線であり、
　前記第１評価方法の前記第２方法は、前記予測厚みパターンを構成する前記予測値から第２評価直線上の値を差し引いた値である差分値を前記指標として、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であり、
　前記第２評価直線は、前記予測厚みパターンよりも小さい側から前記予測厚みパターンに接する直線であり、
　前記第１評価方法の前記第３方法は、前記予測厚みパターンを構成する前記予測値から第３評価直線上の値を差し引いた値である差分値を前記指標として、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であり、
　前記第３評価直線は、最小二乗法によって得られる前記予測厚みパターンの近似直線であり、
　前記第１評価方法の前記第４方法は、前記予測厚みパターンを構成する前記予測値から第４評価直線上の値を差し引いた値である差分値を前記指標として、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であり、
　前記第４評価直線は、前記対象基板の目標厚み値を示す直線である、請求項７に記載の処理条件特定方法。
　前記第２評価方法は、第１方法と第２方法とのうちの少なくとも１つの方法を含み、
　前記第２評価方法の前記第１方法は、前記予測厚みパターンを構成する前記複数の予測値のうち、第５評価直線を含む許容範囲内に存在する予測値の数を、前記指標として、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であり、
　前記第５評価直線は、前記対象基板の前記目標厚み値を示す直線であり、
　前記第２評価方法の前記第２方法は、前記予測厚みパターンを構成する前記複数の予測値の各々から第６評価直線上の値を差し引いた値である各差分値を、前記指標として、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であり、
　前記第６評価直線は、前記対象基板の前記目標厚み値を示す直線である、請求項７又は請求項８に記載の処理条件特定方法。
　前記第３評価方法は、第１方法と第２方法とのうちの少なくとも１つの方法を含み、
　前記第３評価方法の前記第１方法は、第８評価直線に対する第７評価直線の傾斜を前記指標として、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法であり、
　前記第７評価直線は、最小二乗法によって得られる前記予測厚みパターンの近似直線であり、
　前記第８評価直線は、一定値を示す直線であり、
　前記第３評価方法の前記第２方法は、前記対象基板の径方向の前記各位置での前記予測厚みパターンの傾斜を前記指標として、前記予測厚みパターンが平坦にどの程度近いかを評価する方法である、請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の処理条件特定方法。
　請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の処理条件特定方法によって特定された前記処理条件に基づいて、前記対象基板の径方向に沿って前記処理液の吐出位置を移動しながら前記対象基板を前記処理液によって処理する工程を含む、基板処理方法。
　請求項１１に記載の基板処理方法によって前記対象基板を処理して、処理後の前記対象基板である基板製品を製造する、基板製品製造方法。
　請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の処理条件特定方法をコンピューターに実行させるためのコンピュータープログラム。
　請求項１３に記載のコンピュータープログラムを記憶した記憶媒体。
　処理対象の基板である対象基板の径方向に沿って処理液の吐出位置を移動しながら前記対象基板を処理するときに使用可能な処理条件を、複数の処理条件のうちから特定する処理条件特定装置であって、
　前記対象基板の径方向における複数の位置での厚みの測定値を含む測定厚み情報に基づいて、前記複数の処理条件ごとに、前記対象基板の前記複数の位置での処理後の厚みの予測値を含む予測厚み情報を算出する厚み予測部と、
　前記複数の処理条件に対してそれぞれ算出された複数の前記予測厚み情報を、所定評価方法に従って評価して、前記複数の予測厚み情報から予測厚み情報を選択する評価部と、
　前記選択された予測厚み情報に対応する前記処理条件を特定する特定部と
　を備え、
　前記測定厚み情報に含まれる前記測定値は、前記処理液による前記対象基板の処理前に、前記対象基板の径方向に沿って測定された前記対象基板の厚みを示す、処理条件特定装置。
　請求項１５に記載の処理条件特定装置と、
　前記処理条件特定装置によって特定された前記処理条件に基づいて、前記対象基板の径方向に沿って前記処理液の吐出位置を移動しながら前記対象基板を前記処理液によって処理する処理装置と
　を備える、基板処理装置。