KR20230169296A - 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 및 데이터 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 및 데이터 처리 방법 Download PDF

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KR20230169296A
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다카시 오타
히데지 나오하라
다카시 이케우치
데쓰야 히라오카
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 데이터 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 장치(100)는, 두께 측정부(8), 제어부(102), 및 기억부(103)를 구비한다. 두께 측정부(8)는, 기판(W)에 포함되는 대상물(TG)의 두께를 측정한다. 제어부(102)는, 학습이 완료된 모델(LM)에 대해 입력 데이터를 입력함으로써, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 처리 조건을 출력하게 한다. 기억부(103)는, 학습이 완료된 모델(LM)의 구축에 이용된 복수의 학습용 데이터(LD)에 의거하여 취득된 기준 데이터(RE)를 기억한다. 제어부(102)는, 기판 처리의 실행 전의 대상물(TG)의 두께를 나타내는 처리 전 측정 데이터를 취득하고, 대상물(TG)의 두께의 목표값을 나타내는 목표 데이터와 처리 전 측정 데이터에 의거하여 입력 데이터를 생성한다. 제어부(102)는, 입력 데이터와 기준 데이터(RE)를 비교하여, 기판 처리를 실행할지 여부를 결정한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 및 데이터 처리 방법
본 발명은, 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 및 데이터 처리 방법에 관한 것이다.
학습이 완료된 모델을 실장하는 기판 처리 장치가 제안되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조.). 이러한 기판 처리 장치는, 학습이 완료된 모델로부터 출력되는 출력 데이터에 의거하여 동작한다.
특허문헌 1의 기판 처리 장치는, 토출 노즐과, 카메라와, 제어부를 구비한다. 카메라는, 토출 노즐의 선단과, 그 선단으로부터 토출되는 처리액을 촬상한다. 카메라는, 기판에 대해 처리액을 토출하는 기간에 촬상을 실행하여, 복수의 화상 데이터를 취득한다. 제어부는, 기계 학습이 끝난 분류기(학습이 완료된 모델)를 갖는다. 분류기는, 화상 데이터를 복수의 카테고리(클래스) 중 하나로 분류한다.
카테고리는, 처리액의 토출 상태에 따라 설정되어 있다. 구체적으로는, 복수의 카테고리는, 토출 노즐로부터 처리액이 연속류로서 흘러내려가는 정상 토출 상태를 나타내는 카테고리와, 처리액의 토출 정지 시에 처리액이 액적으로서 낙하하는 드리핑 상태를 나타내는 카테고리와, 처리액이 토출되지 않은 토출 정지 상태를 나타내는 카테고리를 포함한다.
제어부는, 분류기에 의한 분류의 결과(출력 데이터)에 의거하여, 처리액의 토출 상태를 판정한다. 제어부는, 처리액의 토출 상태가 드리핑 상태라고 판정한 경우, 작업자에게 에러를 통지한다.
일본국 특허공개 2020-32409호 공보
그러나, 학습이 완료된 모델로부터 출력되는 출력 데이터의 신뢰성을 보증하는 것은 곤란하다. 즉, 학습이 완료된 모델의 출력 데이터는, 최적의 데이터가 아닐 가능성이 있다. 예를 들면, 학습이 완료된 모델이, 기판 처리의 조건인 처리 조건(설정값)을 출력하는 경우, 최적이 아닌 처리 조건(최적이 아닌 설정값)이 설정될 가능성이 있다. 최적이 아닌 처리 조건이 설정된 경우, 기판 처리 후의 기판의 상태가 목표 상태와 상이할 가능성이 있다. 따라서, 학습이 완료된 모델을 실장하는 기판 처리 장치에는, 또 다른 개량의 여지가 있다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이고, 그 목적은, 학습이 완료된 모델로부터 출력되는 처리 조건의 신뢰성을 보증할 수 있는 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 및 데이터 처리 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 기판 처리 장치는, 기판에 대한 처리인 기판 처리를 실행한다. 당해 기판 처리 장치는, 두께 측정부와, 제어부와, 기억부를 구비한다. 상기 두께 측정부는, 상기 기판에 포함되는 대상물의 두께를 측정한다. 상기 제어부는, 상기 기판 처리의 실행 시에 있어서의 처리 조건을 출력하는 학습이 완료된 모델에 대해, 상기 기판 처리에 의한 처리량의 목표값을 나타내는 입력 데이터를 입력함으로써, 상기 학습이 완료된 모델로부터 상기 처리 조건을 출력하게 한다. 상기 기억부는, 상기 학습이 완료된 모델의 구축에 이용된 복수의 학습용 데이터에 의거하여 취득된 기준 데이터를 기억한다. 상기 학습용 데이터는, 학습 시의 상기 기판 처리에 의한 처리량을 나타낸다. 상기 제어부는, 상기 기판 처리의 실행 전에, 상기 두께 측정부로 하여금 상기 대상물의 두께를 측정하게 하여, 상기 기판 처리의 실행 전의 상기 대상물의 두께를 나타내는 처리 전 측정 데이터를 취득한다. 상기 제어부는, 상기 대상물의 두께의 목표값을 나타내는 목표 데이터와 상기 처리 전 측정 데이터에 의거하여 상기 입력 데이터를 생성한다. 상기 제어부는, 상기 입력 데이터와 상기 기준 데이터를 비교하여, 상기 기판 처리를 실행할지 여부를 결정한다.
어떤 실시 형태에 있어서, 상기 기억부는, 상기 입력 데이터와 상기 기준 데이터의 비교 결과에 대한 적어도 하나의 역치를 기억한다. 상기 제어부는, 상기 입력 데이터와 상기 기준 데이터를 비교하여 상기 비교 결과를 취득하고, 상기 비교 결과와 상기 적어도 하나의 역치에 의거하여, 상기 기판 처리를 실행할지 여부를 결정한다.
어떤 실시 형태에 있어서, 상기 제어부는, 상기 비교 결과와 상기 적어도 하나의 역치에 의거하여, 복수의 결정 항목 중 하나를 선택한다. 상기 복수의 결정 항목은, 제1 결정 항목, 제2 결정 항목, 및 제3 결정 항목을 포함한다. 상기 제1 결정 항목은, 상기 기판 처리를 실행하지 않는 것을 결정하는 항목이다. 상기 제2 결정 항목은, 상기 학습이 완료된 모델로부터 출력된 상기 처리 조건에 의거하여 상기 기판 처리를 실행함과 더불어, 상기 기판 처리를 실행한 것을 나타내는 정보를 상기 기억부로 하여금 기억하게 하는 것을 결정하는 항목이다. 상기 제3 결정 항목은, 상기 학습이 완료된 모델로부터 출력된 상기 처리 조건에 의거하여 상기 기판 처리를 실행하는 것을 결정하는 항목이다.
어떤 실시 형태에 있어서, 상기 적어도 하나의 역치는, 제1 역치와, 상기 제1 역치보다 값이 작은 제2 역치를 포함한다. 상기 제어부는, 상기 비교 결과가 상기 제1 역치보다 큰 경우, 상기 제1 결정 항목을 선택한다. 상기 제어부는, 상기 비교 결과가 상기 제2 역치보다 크며, 상기 제1 역치 이하가 되는 경우, 상기 제2 결정 항목을 선택한다. 상기 제어부는 상기 비교 결과가 상기 제2 역치 이하가 되는 경우, 상기 제3 결정 항목을 선택한다.
어떤 실시 형태에 있어서, 상기 기억부는, 상기 처리 조건으로서, 기정(旣定) 조건을 더 기억한다. 상기 복수의 결정 항목은, 제4 결정 항목을 더 포함한다. 상기 제4 결정 항목은, 상기 기정 조건에 의거하여 상기 기판 처리를 실행함과 더불어, 상기 기판 처리를 실행한 것을 나타내는 정보를 상기 기억부로 하여금 기억하게 하는 것을 결정하는 항목이다.
어떤 실시 형태에 있어서, 상기 적어도 하나의 역치는, 제1 역치와, 상기 제1 역치보다 값이 작은 제2 역치를 포함한다. 상기 제어부는, 상기 비교 결과가 상기 제1 역치보다 큰 경우, 상기 제1 결정 항목을 선택한다. 상기 제어부는, 상기 비교 결과가 상기 제2 역치보다 크며, 상기 제1 역치 이하가 되는 경우, 상기 제2 결정 항목 또는 상기 제4 결정 항목을 선택한다. 상기 제어부는, 상기 비교 결과가 상기 제2 역치 이하가 되는 경우, 상기 제3 결정 항목을 선택한다.
어떤 실시 형태에 있어서, 상기의 기판 처리 장치는, 설정 화면을 표시하는 표시부를 더 구비한다. 상기 설정 화면은, 상기 적어도 하나의 역치를 설정하기 위한 설정란을 포함한다.
어떤 실시 형태에 있어서, 상기의 기판 처리 장치는, 설정 화면을 표시하는 표시부를 더 구비한다. 상기 설정 화면은, 상기 적어도 하나의 역치에 대해 상기 복수의 결정 항목 중 하나를 설정하기 위한 제1 설정란을 포함한다.
어떤 실시 형태에 있어서, 상기 설정 화면은, 상기 적어도 하나의 역치를 설정하기 위한 제2 설정란을 더 포함한다.
어떤 실시 형태에 있어서, 상기 설정 화면은, 상기 복수의 학습용 데이터를 수치화한 그래프를 표시하는 그래프 표시란을 더 포함한다.
어떤 실시 형태에 있어서, 상기 설정 화면은, 상기 그래프 표시란에 상기 적어도 하나의 역치를 표시한다.
어떤 실시 형태에 있어서, 상기의 기판 처리 장치는, 상기 기판을 향해 처리액을 토출하는 노즐을 더 구비한다. 상기 기판 처리는, 상기 노즐로부터 상기 기판을 향해 상기 처리액을 토출하는 처리를 포함한다.
어떤 실시 형태에 있어서, 상기의 기판 처리 장치는, 상기 기판 처리의 실행 시에 상기 노즐을 이동시키는 노즐 이동 기구를 더 구비한다.
어떤 실시 형태에 있어서, 상기 처리 조건은, 상기 노즐의 이동 속도를 포함한다.
어떤 실시 형태에 있어서, 상기 처리액은, 상기 대상물을 에칭하는 에칭액을 포함한다.
본 발명의 다른 양태에 의하면, 기판 처리 시스템은, 두께 측정 장치와, 기판 처리 장치를 구비한다. 상기 두께 측정 장치는, 기판에 포함되는 대상물의 두께를 측정한다. 상기 기판 처리 장치는, 상기 두께 측정 장치에 의한 상기 대상물의 두께의 측정 후에, 상기 기판에 대한 처리인 기판 처리를 실행한다. 상기 기판 처리 장치는, 제어부와, 기억부를 구비한다. 상기 제어부는, 상기 기판 처리의 실행 시에 있어서의 처리 조건을 출력하는 학습이 완료된 모델에 대해, 상기 기판 처리에 의한 처리량의 목표값을 나타내는 입력 데이터를 입력함으로써, 상기 학습이 완료된 모델로부터 상기 처리 조건을 출력하게 한다. 상기 기억부는, 상기 학습이 완료된 모델의 구축에 이용된 복수의 학습용 데이터에 의거하여 취득된 기준 데이터를 기억한다. 상기 학습용 데이터는, 학습 시의 상기 기판 처리에 의한 처리량을 나타낸다. 상기 제어부는, 상기 두께 측정 장치의 측정 결과로부터, 상기 기판 처리의 실행 전의 상기 대상물의 두께를 나타내는 처리 전 측정 데이터를 취득한다. 상기 제어부는, 상기 대상물의 두께의 목표값을 나타내는 목표 데이터와 상기 처리 전 측정 데이터에 의거하여 상기 입력 데이터를 생성한다. 상기 제어부는, 상기 입력 데이터와 상기 기준 데이터를 비교하여, 상기 기판 처리를 실행할지 여부를 결정한다.
본 발명의 다른 양태에 의하면, 기판 처리 시스템은, 두께 측정 장치와, 결정 장치와, 기판 처리 장치를 구비한다. 상기 두께 측정 장치는, 기판에 포함되는 대상물의 두께를 측정한다. 상기 결정 장치는, 상기 기판에 대한 처리인 기판 처리를 실행할지 여부를 결정한다. 상기 기판 처리 장치는, 상기 기판 처리의 실행 시에 있어서의 처리 조건을 출력하는 학습이 완료된 모델로 하여금 상기 처리 조건을 출력하게 하여, 상기 기판 처리를 실행한다. 상기 결정 장치는, 기억부와, 결정부를 구비한다. 상기 기억부는, 상기 학습이 완료된 모델의 구축에 이용된 복수의 학습용 데이터에 의거하여 취득된 기준 데이터를 기억한다. 상기 결정부는, 상기 기판 처리를 실행할지 여부를 결정한다. 상기 학습용 데이터는, 학습 시의 상기 기판 처리에 의한 처리량을 나타낸다. 상기 결정부는, 상기 두께 측정 장치의 측정 결과로부터, 상기 기판 처리의 실행 전의 상기 대상물의 두께를 나타내는 처리 전 측정 데이터를 취득한다. 상기 결정부는, 상기 대상물의 두께의 목표값을 나타내는 목표 데이터와 상기 처리 전 측정 데이터에 의거하여, 상기 기판 처리에 의한 처리량의 목표값을 나타내는 입력 데이터를 생성한다. 상기 결정부는, 상기 입력 데이터와 상기 기준 데이터를 비교하여, 상기 기판 처리를 실행할지 여부를 결정한다. 상기 기판 처리 장치는, 제어부를 구비한다. 상기 제어부는, 상기 결정 장치에 의해 상기 기판 처리를 실행하는 것이 결정된 경우에, 상기 학습이 완료된 모델에 상기 입력 데이터를 입력하여, 상기 학습이 완료된 모델로부터 상기 처리 조건을 출력하게 한다.
본 발명의 다른 양태에 의하면, 데이터 처리 방법은, 기판에 포함되는 대상물의 두께를, 기판 처리의 실행 전에 측정하여, 상기 대상물의 두께의 측정 결과를 나타내는 처리 전 측정 데이터를 취득하는 단계와, 상기 대상물의 두께의 목표값을 나타내는 목표 데이터와 상기 처리 전 측정 데이터에 의거하여, 상기 기판 처리에 의한 처리량의 목표값을 나타내는 입력 데이터를 생성하는 단계와, 학습이 완료된 모델의 구축에 이용된 복수의 학습용 데이터에 의거하여 취득된 기준 데이터와, 상기 입력 데이터를 비교하여, 상기 기판 처리를 실행할지 여부를 결정하는 단계를 포함한다. 상기 학습용 데이터는, 학습 시의 상기 기판 처리에 의한 처리량을 나타낸다. 상기 학습이 완료된 모델은, 상기 입력 데이터가 입력됨으로써, 상기 기판 처리의 실행 시에 있어서의 처리 조건을 출력한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 및 데이터 처리 방법에 의하면, 학습이 완료된 모델로부터 출력되는 처리 조건의 신뢰성을 보증할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태 1에 따른 기판 처리 장치의 모식도이다.
도 2는, 기판 처리 장치가 구비하는 처리 유닛의 모식도이다.
도 3의 (a)는, 프로브 이동 처리를 나타내는 평면도이다. (b)는, 두께 측정 처리를 나타내는 평면도이다.
도 4는, 제1 노즐에 의한 기판의 스캔 처리를 나타내는 평면도이다.
도 5는, 스캔 속도 정보를 나타내는 도면이다.
도 6은, 제1 노즐의 이동 속도의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 7은, 약액 공급부의 모식도이다.
도 8은, 기판 처리 장치가 구비하는 제어 장치의 블록도이다.
도 9는, 기준 데이터의 구축에 이용된 학습용 데이터 세트를 나타내는 도면이다.
도 10은, 복수의 학습용 데이터에 포함되는 처리량의 편차와 역치의 관계를 나타내는 도면이다.
도 11은, 설정 화면을 나타내는 도면이다.
도 12는, 기판 처리 장치의 제어 장치가 실행하는 처리를 나타내는 플로 차트이다.
도 13은, 판정 처리를 나타내는 플로 차트이다.
도 14는, 조건 설정 처리를 나타내는 플로 차트이다.
도 15는, 기판 처리를 나타내는 플로 차트이다.
도 16은, 본 발명의 실시 형태 2에 따른 기판 처리 장치가 구비하는 제어 장치의 블록도이다.
도 17은, 조건 설정 처리를 나타내는 플로 차트이다.
도 18은, 본 발명의 실시 형태 3에 따른 기판 처리 장치의 제어 장치가 실행하는 처리를 나타내는 플로 차트이다.
도 19는, 추가 학습용 데이터의 생성 처리를 나타내는 플로 차트이다.
도 20은, 본 발명의 실시 형태 4에 따른 기판 처리 시스템을 나타내는 도면이다.
도 21은, 본 발명의 실시 형태 5에 따른 기판 처리 시스템을 나타내는 도면이다.
도 22는, 정보 처리 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
이하, 도면(도 1~도 22)을 참조하여 본 발명의 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 및 데이터 처리 방법에 따른 실시 형태를 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시 형태로 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 양태에 있어서 실시하는 것이 가능하다. 또한, 설명이 중복되는 개소에 대해서는, 적절히 설명을 생략하는 경우가 있다. 또, 도면 중, 동일 또는 상당 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙여서 설명을 반복하지 않는다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 및 데이터 처리 방법에 있어서 기판 처리의 대상이 되는 「기판」에는, 반도체 웨이퍼, 포토마스크용 유리 기판, 액정 표시용 유리 기판, 플라스마 표시용 유리 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 및 광 자기 디스크용 기판 등의 각종 기판을 적용 가능하다. 이하에서는 주로, 원반 형상의 반도체 웨이퍼를 기판 처리의 대상으로 하는 경우를 예로 본 발명의 실시 형태를 설명하는데, 본 발명에 따른 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 및 데이터 처리 방법은, 상기한 반도체 웨이퍼 이외의 각종 기판에 대해서도 동일하게 적용 가능하다. 또, 기판의 형상에 대해서도, 원반 형상으로 한정되지 않고, 본 발명에 따른 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 및 데이터 처리 방법은, 각종 형상의 기판에 대해 적용 가능하다.
[실시 형태 1]
이하, 도 1~도 15를 참조하여 본 발명의 실시 형태 1을 설명한다. 우선, 도 1을 참조하여 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)를 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)의 모식도이다. 상세하게는, 도 1은, 기판 처리 장치(100)의 모식적인 평면도이다. 기판 처리 장치(100)는, 기판 처리를 실행한다. 보다 구체적으로는, 기판 처리 장치(100)는, 매엽식 장치이며, 기판(W)마다 기판 처리를 실행한다. 기판 처리는, 기판(W)에 대한 처리이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 복수의 처리 유닛(1)과, 유체 캐비넷(100A)과, 복수의 유체 박스(100B)와, 복수의 로드 포트(LP)와, 인덱서 로봇(IR)과, 센터 로봇(CR)과, 제어 장치(101)를 구비한다.
로드 포트(LP) 각각은, 복수 장의 기판(W)을 적층하여 수용한다. 예를 들면, 로드 포트(LP)는, 연삭 처리 후의 기판(W)을 수용한다. 인덱서 로봇(IR)은, 로드 포트(LP)와 센터 로봇(CR) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 센터 로봇(CR)은, 인덱서 로봇(IR)과 처리 유닛(1) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 또한, 인덱서 로봇(IR)과 센터 로봇(CR) 사이에, 기판(W)을 일시적으로 재치(載置)하는 재치대(패스)를 설치하여, 인덱서 로봇(IR)과 센터 로봇(CR) 사이에서 재치대를 통해 간접적으로 기판(W)을 수도(受渡)하는 장치 구성으로 해도 된다.
복수의 처리 유닛(1)은, 복수의 타워(TW)(도 1에서는 4개의 타워(TW))를 형성하고 있다. 복수의 타워(TW)는, 평면에서 봤을 때 센터 로봇(CR)을 둘러싸도록 배치된다. 각 타워(TW)는, 상하로 적층된 복수의 처리 유닛(1)(도 1에서는 3개의 처리 유닛(1))을 포함한다.
유체 캐비넷(100A)은, 처리액을 수용한다. 유체 박스(100B)는 각각, 복수의 타워(TW) 중 하나에 대응하고 있다. 유체 캐비넷(100A) 내의 처리액은, 어느 하나의 유체 박스(100B)를 통해, 유체 박스(100B)에 대응하는 타워(TW)에 포함되는 모든 처리 유닛(1)에 공급된다.
처리 유닛(1) 각각은, 처리액을 기판(W)의 상면에 공급한다. 처리액은, 약액과, 린스액을 포함한다. 본 실시 형태에 있어서, 처리 유닛(1) 각각은, 에칭 처리를 실행한다. 약액은, 에칭액이다. 기판(W)의 상면이, 에칭액에 의해 에칭된다. 예를 들면, 처리 유닛(1) 각각은, 연삭 처리에 의해 발생하는 연삭 흔적을 에칭 처리에 의해 제거한다.
에칭액은, 예를 들면, 불질산(불산(HF)과 질산(HNO3)의 혼합액), 불산, 버퍼드불산(BHF), 불화암모늄, HFEG(불산과 에틸렌글리콜의 혼합액), 또는, 인산(H3PO4)이다. 린스액은, 예를 들면, 탈이온수, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수, 또는, 희석 농도(예를 들면, 10ppm~100ppm 정도)의 염산수이다.
계속해서 제어 장치(101)를 설명한다. 제어 장치(101)는, 기판 처리 장치(100)의 각 부의 동작을 제어한다. 예를 들면, 제어 장치(101)는, 로드 포트(LP), 인덱서 로봇(IR), 및 센터 로봇(CR)을 제어한다. 제어 장치(101)는, 제어부(102)와, 기억부(103)를 포함한다.
제어부(102)는, 프로세서를 갖는다. 제어부(102)는, 예를 들면, CPU(Central Processing Unit), 또는, MPU(Micro Processing Unit)를 갖는다. 혹은, 제어부(102)는, 범용 연산기 또는 전용 연산기를 가져도 된다. 제어부(102)는, NCU(Neural Network Processing Unit)를 더 가져도 된다.
기억부(103)는, 데이터 및 컴퓨터 프로그램을 기억한다. 데이터는, 레시피 데이터(RP)(도 8 참조)를 포함한다. 레시피 데이터(RP)는, 기판 처리의 내용 및 기판 처리의 순서를 규정하는 레시피를 나타낸다. 레시피에는, 기판 처리의 실행 시에 있어서의 처리 조건(설정값)이 설정된다. 컴퓨터 프로그램은, 제어 프로그램(PG)(도 8 참조), 및 학습이 완료된 모델(LM)(도 8 참조)을 포함한다.
기억부(103)는, 주기억 장치를 갖는다. 주기억 장치는, 예를 들면, 반도체 메모리이다. 기억부(103)는, 보조 기억 장치를 더 가져도 된다. 보조 기억 장치는, 예를 들면, 반도체 메모리 및 하드 디스크 드라이브 중 적어도 한쪽을 포함한다. 기억부(103)는 리무버블 미디어를 포함하고 있어도 된다. 제어부(102)는, 기억부(103)에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램 및 데이터에 의거하여, 기판 처리 장치(100)의 각 부의 동작을 제어한다.
계속해서, 도 1 및 도 2를 참조하여, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)를 더 설명한다. 도 2는, 기판 처리 장치(100)가 구비하는 처리 유닛(1)의 모식도이다. 상세하게는, 도 2는, 처리 유닛(1)의 모식적인 단면도이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(1)은, 챔버(2)와, 스핀 척(3)과, 스핀 모터부(4)와, 제1 노즐(51)과, 노즐 이동 기구(6)와, 제2 노즐(71)과, 두께 측정부(8)와, 프로브 이동 기구(9)와, 복수의 가드(10)(도 2에서는 2개의 가드(10))를 구비한다. 또, 기판 처리 장치(100)는, 약액 공급부(5)와, 린스액 공급부(7)를 구비한다. 약액 공급부(5)는, 제1 공급 배관(52)을 갖고, 린스액 공급부(7)는, 제2 공급 배관(72)을 갖는다. 제어 장치(101)(제어부(102))는, 스핀 척(3), 스핀 모터부(4), 약액 공급부(5), 노즐 이동 기구(6), 린스액 공급부(7), 두께 측정부(8), 및 프로브 이동 기구(9)를 제어한다.
챔버(2)는 대략 상자 형상을 갖는다. 챔버(2)는, 기판(W), 스핀 척(3), 스핀 모터부(4), 제1 노즐(51), 제1 공급 배관(52)의 일부, 노즐 이동 기구(6), 제2 노즐(71), 제2 공급 배관(72)의 일부, 두께 측정부(8), 프로브 이동 기구(9), 및 복수의 가드(10)를 수용한다.
스핀 척(3)은, 기판(W)을 수평으로 유지한다. 스핀 척(3)은, 기판 유지부의 일례이다. 구체적으로는, 스핀 척(3)은, 스핀 베이스(31)와, 복수의 척 부재(33)를 갖는다. 스핀 베이스(31)는, 대략 원판 형상이고, 수평한 자세로 복수의 척 부재(33)를 지지한다. 복수의 척 부재(33)는, 스핀 베이스(31)의 주연부에 배치된다. 복수의 척 부재(33)는, 기판(W)의 주연부를 지지한다. 복수의 척 부재(33)에 의해, 기판(W)이 수평한 자세로 유지된다.
스핀 모터부(4)는, 제1 회전 축선(AX1)을 중심으로 하여 기판(W)과 스핀 척(3)을 일체로 회전시킨다. 제1 회전 축선(AX1)은, 상하 방향으로 연장된다. 본 실시 형태에서는, 제1 회전 축선(AX1)은, 대략 연직 방향으로 연장된다. 제1 회전 축선(AX1)은 중심축의 일례이며, 스핀 모터부(4)는 기판 회전부의 일례이다.
상세하게는, 스핀 모터부(4)는, 제1 회전 축선(AX1)을 중심으로 하여 스핀 베이스(31)를 회전시킨다. 따라서, 스핀 베이스(31)는, 제1 회전 축선(AX1)을 중심으로 하여 회전한다. 그 결과, 스핀 척(3)에 유지된 기판(W)이, 제1 회전 축선(AX1)을 중심으로 하여 회전한다.
구체적으로는, 스핀 모터부(4)는, 모터 본체(41)와, 샤프트(43)와, 인코더(45)를 갖는다. 샤프트(43)는 스핀 베이스(31)에 결합된다. 모터 본체(41)는, 샤프트(43)를 회전시킨다. 그 결과, 스핀 베이스(31)가 회전한다.
인코더(45)는, 기판(W)의 회전 속도를 검출하여, 기판(W)의 회전 속도를 나타내는 신호(이하, 「회전 속도 신호」라고 기재한다.)를 제어 장치(101)(제어부(102))에 출력한다. 구체적으로는, 인코더(45)는, 모터 본체(41)의 회전 속도를 검출한다. 제어 장치(101)(제어부(102))는, 회전 속도 신호에 의거하여 스핀 모터부(4)를 제어한다.
제1 노즐(51)은, 기판(W)을 향해 약액(에칭액)을 토출한다. 본 실시 형태에 있어서, 기판 처리는, 제1 노즐(51)로부터 기판(W)을 향해 약액을 토출하는 토출 처리를 포함한다. 상세하게는, 제1 노즐(51)은, 기판(W)의 상방으로부터, 회전 중인 기판(W)을 향해 약액을 토출한다. 제1 노즐(51)은, 처리액 공급부의 일례이다. 예를 들면, 제1 노즐(51)은, 연삭 처리 후의 기판(W)을 향해 에칭액을 토출하여, 연삭 처리 후의 기판(W)의 상면을 평탄하게 한다.
보다 구체적으로는, 기판(W)에 포함되는 대상물(TG)(도 3 참조)을 향해 약액이 토출된다. 이 결과, 약액에 의해 기판(W)이 처리된다. 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)(처리 유닛(1))는, 대상물(TG)에 에칭액을 토출하여, 대상물(TG)의 두께를 목표 두께(두께의 목표값)로 한다.
대상물(TG)은, 예를 들면, 기판 본체(예를 들면, 실리콘으로 이루어지는 기판 본체), 기판 본체의 표면에 형성된 물질, 또는 기판(W)이다. 기판 본체의 표면에 형성된 물질은, 예를 들면, 기판 본체와 같은 재료의 물질(예를 들면, 실리콘으로 이루어지는 층), 또는, 기판 본체와 상이한 재료의 물질(예를 들면, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 또는 레지스트)이다. 「물질」은 막을 구성하고 있어도 된다.
약액 공급부(5)는, 제1 노즐(51)에 약액을 공급한다. 상세하게는, 약액은, 제1 공급 배관(52)을 통해 제1 노즐(51)에 공급된다. 제1 공급 배관(52)은, 약액이 유통하는 관 형상 부재이다.
노즐 이동 기구(6)는, 기판 처리의 실행 시에 제1 노즐(51)을 이동시킨다. 상세하게는, 노즐 이동 기구(6)는, 대략 연직 방향을 따른 제2 회전 축선(AX2)을 중심으로 하는 둘레 방향을 따라 제1 노즐(51)을 이동시킨다. 제1 노즐(51)은, 이동하면서, 기판(W)을 향해 약액을 토출한다. 제1 노즐(51)은, 스캔 노즐이라고 칭해지는 경우가 있다.
구체적으로는, 노즐 이동 기구(6)는, 노즐 아암(61)과, 제1 회전축(63)과, 제1 구동부(65)를 갖는다. 노즐 아암(61)은 대략 수평 방향을 따라 연장된다. 노즐 아암(61)의 선단부에 제1 노즐(51)이 배치된다. 노즐 아암(61)은 제1 회전축(63)에 결합된다. 제1 회전축(63)은, 대략 연직 방향을 따라 연장된다.
제1 구동부(65)는, 제2 회전 축선(AX2)을 중심으로 하여 제1 회전축(63)을 회전시켜, 제1 회전축(63)을 중심으로 노즐 아암(61)을 선회시킨다. 그 결과, 제1 노즐(51)이 대략 수평면을 따라 이동한다. 상세하게는, 제1 노즐(51)은, 제2 회전 축선(AX2)을 중심으로 하는 둘레 방향을 따라, 제1 회전축(63) 둘레를 이동한다.
제1 구동부(65)는, 제1 노즐(51)의 회전 위치를 나타내는 회전 위치 신호를 제어 장치(101)(제어부(102))에 출력한다. 예를 들면, 제1 구동부(65)는, 모터 본체와, 홀 소자를 포함한다. 홀 소자는, 모터 본체의 회전 위치를 검출한다. 제어 장치(101)(제어부(102))는, 회전 위치 신호에 의거하여 제1 구동부(65)를 제어한다. 제1 구동부(65)는, 예를 들면, 스테핑 모터를 포함한다. 혹은, 제1 구동부(65)는, 모터와, 감속기를 포함해도 된다.
제2 노즐(71)은, 기판(W)의 상방으로부터, 회전 중인 기판(W)에 린스액을 공급한다. 린스액 공급부(7)는, 제2 노즐(71)에 린스액을 공급한다. 상세하게는, 린스액은, 제2 공급 배관(72)을 통해 제2 노즐(71)에 공급된다. 제2 공급 배관(72)은, 린스액이 유통하는 관 형상 부재이다. 제2 노즐(71)은, 정지한 상태로 린스액을 토출한다. 제2 노즐(71)은, 고정 노즐이라고 칭해지는 경우가 있다. 또한, 제2 노즐(71)은 스캔 노즐이어도 된다.
가드(10) 각각은, 대략 통 형상을 갖는다. 복수의 가드(10)는, 기판(W)으로부터 배출된 약액 및 린스액을 받는다.
두께 측정부(8)는, 기판(W)에 포함되는 대상물(TG)(도 3 참조)의 두께를 측정하여, 측정 결과를 나타내는 측정 신호를 생성한다. 두께 측정부(8)는, 대상물(TG)의 두께를 비접촉 방식으로 측정한다. 측정 신호는, 제어 장치(101)(제어부(102))에 입력된다.
두께 측정부(8)는, 예를 들면, 분광 간섭법에 따라 대상물(TG)의 두께를 측정한다. 구체적으로는, 두께 측정부(8)는, 광학 프로브(81)와, 신호선(83)과, 두께 측정기(85)를 포함한다.
광학 프로브(81)는, 렌즈를 갖는다. 신호선(83)은, 광학 프로브(81)와 두께 측정기(85)를 광학적으로 접속한다. 신호선(83)은, 예를 들면 광 섬유를 포함한다. 두께 측정기(85)는, 광원과 수광 소자를 갖는다.
두께 측정기(85)의 광원이 출사한 광은, 신호선(83) 및 광학 프로브(81)를 통해, 기판(W)에 출사된다. 기판(W)에 의해 반사된 광은, 광학 프로브(81) 및 신호선(83)을 통해, 두께 측정기(85)의 수광 소자로 수광된다.
두께 측정기(85)는, 수광 소자가 수광한 광을 해석하여, 대상물(TG)의 두께의 값을 산출한다. 두께 측정기(85)는, 산출한 두께의 값을 나타내는 측정 신호를 생성한다.
프로브 이동 기구(9)는, 광학 프로브(81)를 이동시킨다. 상세하게는, 프로브 이동 기구(9)는, 대략 연직 방향을 따른 제3 회전 축선(AX3)을 중심으로 하는 둘레 방향을 따라 광학 프로브(81)를 이동시킨다.
구체적으로는, 프로브 이동 기구(9)는, 프로브 아암(91)과, 제2 회전축(93)과, 제2 구동부(95)를 갖는다. 프로브 아암(91)은 대략 수평 방향을 따라 연장된다. 프로브 아암(91)의 선단부에 광학 프로브(81)가 배치된다. 프로브 아암(91)은 제2 회전축(93)에 결합된다. 제2 회전축(93)은, 대략 연직 방향을 따라 연장된다.
제2 구동부(95)는, 제3 회전 축선(AX3)을 중심으로 하여 제2 회전축(93)을 회전시켜, 제2 회전축(93)을 중심으로 프로브 아암(91)을 선회시킨다. 그 결과, 광학 프로브(81)가 대략 수평면을 따라 이동한다. 상세하게는, 광학 프로브(81)는, 제3 회전 축선(AX3)을 중심으로 하는 둘레 방향을 따라, 제2 회전축(93) 둘레를 이동한다.
제2 구동부(95)는, 광학 프로브(81)의 회전 위치를 나타내는 회전 위치 신호를 제어 장치(101)(제어부(102))에 출력한다. 예를 들면, 제2 구동부(95)는, 모터 본체와, 홀 소자를 포함한다. 홀 소자는, 모터 본체의 회전 위치를 검출한다. 제어 장치(101)(제어부(102))는, 회전 위치 신호에 의거하여 제2 구동부(95)를 제어한다. 제2 구동부(95)는, 예를 들면, 스테핑 모터를 포함한다. 혹은, 제2 구동부(95)는, 모터와, 감속기를 포함해도 된다.
계속해서, 도 3의 (a), 및 도 3의 (b)를 참조하여, 프로브 이동 처리와, 두께 측정 처리를 설명한다. 프로브 이동 처리는, 광학 프로브(81)를 측정 위치(P)로 이동시키는 처리를 나타낸다. 측정 위치(P)는, 대상물(TG)의 두께를 측정하는 위치를 나타낸다. 도 3의 (a)는, 프로브 이동 처리를 나타내는 평면도이다. 도 3의 (b)는, 두께 측정 처리를 나타내는 평면도이다.
우선, 도 3의 (a)를 참조하여 프로브 이동 처리를 설명한다. 도 1을 참조하여 설명한 제어부(102)는, 기판 처리의 실행 전에, 프로브 이동 기구(9)를 제어하여, 광학 프로브(81)를 측정 위치(P)로 이동시킨다. 본 실시 형태에서는, 프로브 이동 처리는, 기판(W)의 회전 중에 실행된다. 단, 프로브 이동 처리는, 기판 처리의 실행 전에 실행되면 된다. 예를 들면, 프로브 이동 처리는, 기판(W)의 회전 개시 전에 실행되어도 된다.
도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 프로브 이동 기구(9)는, 평면에서 봤을 때 원호 형상의 궤적 TJ1을 따라 광학 프로브(81)를 이동시킬 수 있다. 궤적 TJ1은, 기판(W)의 에지부(EG)와 기판(W)의 중심부(CT)를 지난다. 에지부(EG)는, 기판(W)의 주연부를 나타낸다. 중심부(CT)는, 기판(W) 중 제1 회전 축선(AX1)이 지나가는 부분을 나타낸다. 프로브 이동 기구(9)는, 소정의 측정 위치(P)까지, 궤적 TJ1을 따라 광학 프로브(81)를 이동시킨다. 측정 위치(P)는, 도 1을 참조하여 설명한 기억부(103)에 미리 기억되어 있다.
계속해서, 도 3의 (b)를 참조하여 두께 측정 처리를 설명한다. 두께 측정 처리는, 기판 처리의 실행 전에 실행된다. 구체적으로는, 도 1을 참조하여 설명한 제어부(102)가, 기판 처리의 실행 전에, 두께 측정부(8)로 하여금 대상물(TG)의 두께를 측정하게 한다. 도 3의 (b)에 나타내는 바와 같이, 광학 프로브(81)는, 두께 측정 처리의 실행 중에, 측정 위치(P)에 배치된다. 환언하면, 두께 측정 처리의 실행 중에, 광학 프로브(81)의 위치는 측정 위치(P)에 고정된다.
두께 측정부(8)는, 측정 위치(P)(일정한 위치)에서 대상물(TG)의 두께를 측정한다. 두께 측정 처리의 실행 중, 기판(W)은 회전하고 있다. 따라서, 두께 측정부(8)는, 기판(W)의 둘레 방향(CD)을 따른 대상물(TG)의 두께를 측정한다. 따라서, 측정 신호는, 기판(W)의 둘레 방향(CD)에 있어서의 대상물(TG)의 두께의 분포를 나타낸다.
도 1을 참조하여 설명한 제어부(102)는, 측정 신호에 의거하여 처리 전 측정 데이터를 취득한다. 처리 전 측정 데이터는, 기판 처리의 실행 전의 대상물(TG)의 두께를 나타낸다. 보다 상세하게는, 처리 전 측정 데이터는, 대상물(TG)의 두께의 분포를 나타낸다.
계속해서 도 4를 참조하여, 제1 노즐(51)에 의한 기판(W)의 스캔 처리를 설명한다. 도 4는, 제1 노즐(51)에 의한 기판(W)의 스캔 처리를 나타내는 평면도이다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 스캔 처리란, 평면에서 봤을 때 대상물(TG)의 표면에 대한 약액의 착액 위치가 원호 형상의 궤적 TJ2를 형성하도록 제1 노즐(51)이 이동하면서 대상물(TG)에 약액을 토출하는 처리이다. 궤적 TJ2는, 기판(W)의 중심부(CT)를 지난다. 스캔 처리는, 기판(W)의 회전 중에 실행된다.
본 실시 형태에서는, 제1 노즐(51)은, 제1 위치(X1)에서 제9 위치(X9)까지 이동하면서, 회전 중인 기판(W)을 향해 약액을 토출한다. 각 위치 X1~X9는, 궤적 TJ2에 포함된다.
제1 위치(X1)는, 약액의 토출 개시 위치를 나타낸다. 제1 위치(X1)에 있어서의 제1 노즐(51)의 이동 속도는 0mm/s이다. 따라서, 제1 위치(X1)는, 스캔 처리의 개시 위치이다. 또, 제1 위치(X1)는, 제1 노즐(51)의 이동 개시 위치이다.
제9 위치(X9)는, 약액의 토출 정지 위치를 나타낸다. 제9 위치(X9)에 있어서의 제1 노즐(51)의 이동 속도는 0mm/s이다. 제9 위치(X9)는, 스캔 처리의 종료 위치이다. 또, 제9 위치(X9)는, 제1 노즐(51)의 이동 종료 위치이다.
제1 노즐(51)은, 스캔 처리 중에, 제1 위치(X1)와 제9 위치(X9) 사이의 각 중간 위치(제2 위치(X2)에서 제8 위치(X8)까지의 각 위치 X2~X8)를 지난다. 각 중간 위치는, 스캔 처리 중에 제1 노즐(51)이 이동하는 이동 구간을, 복수의 구간으로 분할한다.
계속해서, 도 5를 참조하여 스캔 속도 정보에 대해서 설명한다. 스캔 속도 정보는, 스캔 처리 시에 있어서의 제1 노즐(51)의 이동 속도의 설정값을 나타낸다. 이하, 스캔 처리 시에 있어서의 제1 노즐(51)의 이동 속도를, 「스캔 속도」라고 기재하는 경우가 있다. 도 5는, 스캔 속도 정보를 나타내는 도면이다. 상세하게는, 도 5는, 도 4를 참조하여 설명한 각 위치 X1~X9와, 스캔 속도의 설정값의 관계를 나타낸다.
도 5에 있어서, 상측의 란은, 제1 노즐(51)의 이동 구간에 포함되는 각 위치 X1~X9를 나타낸다. 상세하게는, 상측의 란은, 제1 노즐(51)의 이동 구간의 개시 위치(제1 노즐(51)의 이동 개시 위치), 제1 노즐(51)의 이동 구간의 종료 위치(제1 노즐(51)의 이동 종료 위치), 및, 제1 노즐(51)의 이동 구간의 개시 위치와 종료 위치 사이의 복수의 중간 위치(제1 노즐(51)이 통과하는 복수의 위치)를 나타낸다. 각 위치 X1~X9는, 기판(W)의 반경 위치로 규정된다.
도 5에 있어서, 하측의 란은, 스캔 속도의 설정값을 나타낸다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 스캔 속도 정보는, 제1 노즐(51)의 이동 구간에 포함되는 각 위치 X1~X9마다, 스캔 속도의 설정값을 나타낸다. 구체적으로는, 위치 X1~X9 각각에 대해 스캔 속도 Y1~Y9가 설정된다. 이하, 제1 노즐(51)의 이동 구간에 포함되는 각 위치 X1~X9를, 「속도 설정 위치」라고 기재하는 경우가 있다. 본 실시 형태에서는, 스캔 속도 정보는, 9개소의 속도 설정 위치를 나타낸다.
도 5에 나타내는 각 속도 설정 위치는, 도 4를 참조하여 설명한 각 위치 X1~X9에 대응한다. 또한, 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 노즐(51)의 이동 구간의 개시 위치(제1 위치(X1))에 있어서 설정되는 스캔 속도 Y1은, 0[mm/s]이며, 제1 노즐(51)의 이동 구간의 종료 위치(제9 위치(X9))에 있어서 설정되는 스캔 속도 Y9는, 0[mm/s]이다.
도 1을 참조하여 설명한 제어부(102)는, 스캔 속도 정보에 의거하여, 도 2를 참조하여 설명한 노즐 이동 기구(6)의 제1 구동부(65)를 제어한다. 그 결과, 제1 노즐(51)은, 각 속도 설정 위치(위치 X1~X9)에서의 스캔 속도가, 스캔 속도 정보로 규정되고 있는 스캔 속도(스캔 속도 Y1~Y9)가 되도록, 도 4를 참조하여 설명한 궤적 TJ2를 따라 이동한다.
계속해서, 도 6을 참조하여, 스캔 처리에 있어서의 제1 노즐(51)의 이동 속도(스캔 속도)에 대해서 설명한다. 도 6은, 제1 노즐(51)의 이동 속도의 일례를 나타내는 그래프이다.
도 6에 있어서, 종축은 스캔 속도[mm/s]를 나타내며, 횡축은 기판(W)의 반경 위치[mm]를 나타낸다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 스캔 처리의 개시 시의 스캔 속도는 0[mm/s]이다. 또, 스캔 처리의 종료 시의 스캔 속도는 0[mm/s]이다.
도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이, 스캔 속도(스캔 속도 Y1~Y9)는, 각 속도 설정 위치(위치 X1~X9)마다 설정되어 있다. 그 결과, 도 6에 나타내는 바와 같이, 서로 이웃하는 속도 설정 위치 사이에서, 한쪽의 속도 설정 위치에 대해 설정되어 있는 스캔 속도로부터, 다른 쪽 속도 설정 위치에 대해 설정되어 있는 스캔 속도까지, 스캔 속도가 연속적으로 변화한다.
예를 들면, 도 5에 나타내는 바와 같이, 제3 위치(X3)에 대해 스캔 속도 Y3이 설정되어 있으며, 제4 위치(X4)에 대해 스캔 속도 Y4가 설정되어 있다. 따라서, 제1 노즐(51)의 스캔 속도는, 제1 노즐(51)이 제3 위치(X3)에서 제4 위치(X4)로 이동하는 동안에, 스캔 속도 Y3에서 스캔 속도 Y4로 연속적으로 변화한다.
계속해서, 도 7을 참조하여 약액 공급부(5)를 설명한다. 도 7은, 약액 공급부(5)의 모식도이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 약액 공급부(5)는, 온도 센서(521)와, 농도 센서(522)와, 밸브(523)와, 믹싱 밸브(524)와, 유량계(525)와, 가열 히터(526)를 더 갖는다.
온도 센서(521)는, 제1 공급 배관(52)을 흐르는 약액의 온도를 계측한다. 이하, 제1 공급 배관(52)을 흐르는 약액의 온도를, 「약액 온도」라고 기재한다. 온도 센서(521)는, 약액 온도를 나타내는 온도 신호를 생성한다. 온도 신호는, 도 1을 참조하여 설명한 제어부(102)에 입력된다. 제어부(102)는, 온도 신호에 의거하여 가열 히터(526)를 제어한다. 가열 히터(526)는, 제1 공급 배관(52)을 흐르는 약액을 가열한다.
농도 센서(522)는, 제1 공급 배관(52)을 흐르는 약액(에칭액)에 포함되는 에칭 성분의 농도를 측정한다. 이하, 제1 공급 배관(52)을 흐르는 약액에 포함되는 에칭 성분의 농도를 「약액 농도」라고 기재한다. 농도 센서(522)는, 약액 농도를 나타내는 농도 신호를 생성한다. 농도 신호는, 도 1을 참조하여 설명한 제어부(102)에 입력된다. 제어부(102)는, 농도 신호에 의거하여 믹싱 밸브(524)를 제어한다.
밸브(523)는, 제1 공급 배관(52)에 배치된다. 밸브(523)는, 제1 노즐(51)에 대한 약액의 공급 및 공급 정지를 전환한다. 상세하게는, 밸브(523)가 열리면, 제1 노즐(51)로부터 기판(W)을 향해 약액이 토출된다. 한편, 밸브(523)가 닫히면, 약액의 토출이 정지한다.
또, 밸브(523)는, 제1 공급 배관(52)에 있어서 밸브(523)보다 하류로 흐르는 약액의 유량을 제어한다. 상세하게는, 밸브(523)의 개도에 따라, 밸브(523)보다 하류로 흐르는 약액의 유량이 조정된다. 따라서, 밸브(523)의 개도에 따라, 약액의 토출 유량이 조정된다. 밸브(523)는, 예를 들면, 모터 밸브이다.
믹싱 밸브(524)는, 제1 공급 배관(52)에 배치된다. 믹싱 밸브(524)가 열리면, 제1 공급 배관(52)으로 순수가 유입되어, 약액이 희석된다. 따라서, 약액 농도가 감소한다.
유량계(525)는, 약액의 토출 유량을 계측한다. 구체적으로는, 유량계(525)는, 제1 공급 배관(52)을 흐르는 약액의 유량을 계측한다. 유량계(525)는, 약액의 토출 유량을 나타내는 토출 유량 신호를 생성한다. 토출 유량 신호는, 도 1을 참조하여 설명한 제어부(102)에 입력된다. 제어부(102)는, 토출 유량 신호에 의거하여 밸브(523)를 제어한다.
계속해서, 도 8을 참조하여 제어 장치(101)를 설명한다. 도 8은, 기판 처리 장치(100)가 구비하는 제어 장치(101)의 블록도이다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 제어 장치(101)는, 표시부(104)와, 입력부(105)를 더 포함한다.
표시부(104)는 각종 정보를 표시한다. 예를 들면, 표시부(104)는, 각종 에러 화면, 및 각종 설정 화면(입력 화면)을 표시한다. 표시부(104)는, 예를 들면, 액정 디스플레이 또는 유기 EL(electroluminescence) 디스플레이를 갖는다.
입력부(105)는, 작업자로부터의 입력을 접수하여, 제어부(102)에 각종 정보를 출력한다. 입력부(105)는, 예를 들면, 키보드, 포인팅 디바이스, 및 터치 패널과 같은 입력 장치를 포함한다. 터치 패널은, 예를 들면, 표시부(104)의 표시면에 배치되어, 표시부(104)와 함께 그래피컬 유저 인터페이스를 구성해도 된다. 작업자는, 표시부(104)에 설정 화면이 표시되어 있을 때에, 입력부(105)를 조작하여 각종 처리 조건 또는 각종 설정값을 입력할 수 있다.
계속해서, 도 8을 참조하여 제어부(102) 및 기억부(103)를 더 설명한다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 기억부(103)는, 제어 프로그램(PG)과, 레시피 데이터(RP)를 기억한다. 레시피 데이터(RP)에는, 기판 처리의 실행 시에 있어서의 각종 처리 조건이 설정된다. 예를 들면, 레시피 데이터(RP)에는, 처리 조건으로서, 제1 노즐(51)의 이동 속도(각 속도 설정 위치에 있어서의 스캔 속도), 기판(W)의 회전 속도, 약액 온도, 약액 농도, 및 약액의 토출 유량의 각 설정값이 설정된다. 제어부(102)는, 제어 프로그램(PG) 및 레시피 데이터(RP)에 의거하여, 기판 처리 장치(100)의 각 부를 제어한다.
예를 들면, 제어부(102)는, 각 속도 설정 위치에 있어서의 스캔 속도가 설정값과 일치하도록, 도 2를 참조하여 설명한 제1 구동부(65)를 제어한다. 마찬가지로, 제어부(102)는, 기판(W)의 회전 속도가 설정값과 일치하도록, 도 2를 참조하여 설명한 모터 본체(41)를 제어한다. 제어부(102)는, 약액 온도가 설정값과 일치하도록, 도 7을 참조하여 설명한 가열 히터(526)를 제어한다. 제어부(102)는, 약액 농도가 설정값과 일치하도록, 도 7을 참조하여 설명한 믹싱 밸브(524)를 제어한다. 제어부(102)는, 약액의 토출 유량이 설정값과 일치하도록, 도 7을 참조하여 설명한 밸브(523)를 제어한다.
기억부(103)는, 학습이 완료된 모델(LM)을 더 기억한다. 학습이 완료된 모델(LM)은, 입력 데이터에 의거하여, 기판 처리의 실행 시에 있어서의 처리 조건을 출력한다. 제어부(102)는, 기판 처리의 개시 전에, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력된 처리 조건을 레시피 데이터(RP)에 설정한다.
본 실시 형태에 있어서, 학습이 완료된 모델(LM)은, 입력 데이터에 의거하여 스캔 속도 정보를 출력한다. 제어부(102)는, 기판 처리의 개시 전에, 입력 데이터를 학습이 완료된 모델(LM)에 입력하고, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 스캔 속도 정보를 출력하게 한다. 그리고, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력된 스캔 속도 정보에 의거하여, 제1 노즐(51)의 이동 속도(각 속도 설정 위치에 있어서의 스캔 속도)를 레시피 데이터(RP)에 설정한다. 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력되는 스캔 속도 정보는 목적 변수이다.
상세하게는, 제어부(102)는, 기판 처리에 의한 처리량의 목표값을 나타내는 입력 데이터를 생성한다. 학습이 완료된 모델(LM)에 입력되는 처리량의 목표값은 설명 변수이다. 본 실시 형태에 있어서, 처리량의 목표값은, 에칭량의 목표값이다. 에칭량의 목표값은, 대상물(TG)의 두께를 목표 두께로 하기 위해 필요한 에칭량의 분포를 나타낸다. 제어부(102)는, 처리 전 측정 데이터(기판 처리의 실행 전의 대상물(TG)의 두께의 분포)와, 대상물(TG)의 두께의 목표값(목표 두께)를 나타내는 목표 데이터에 의거하여 입력 데이터를 생성한다. 구체적으로는, 입력 데이터는, 기판 처리의 실행 전의 대상물(TG)의 두께의 분포와 목표 두께의 차분을 나타낸다.
이하, 기판 처리의 실행 전의 대상물(TG)의 두께를, 「처리 전 두께」라고 기재하는 경우가 있다. 마찬가지로, 기판 처리의 실행 후의 대상물(TG)의 두께를, 「처리 후 두께」라고 기재하는 경우가 있다.
기억부(103)는, 기준 데이터(RE)를 더 기억한다. 기준 데이터(RE)는, 학습이 완료된 모델(LM)의 구축에 이용된 복수의 학습용 데이터(LD)에 의거하여 취득된다. 학습이 완료된 모델(LM)은, 복수의 학습용 데이터(LD)를 기계 학습함으로써 구축된다.
또한, 학습이 완료된 모델(LM)을 구축하기 위한 기계 학습 알고리즘은, 교사 학습이면, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 결정 트리, 최근접 이웃법, 단순 베이즈 분류기, 서포트 벡터 머신, 또는, 뉴럴 네트워크이다. 따라서, 학습이 완료된 모델(LM)은, 결정 트리, 최근접 이웃법, 단순 베이즈 분류기, 서포트 벡터 머신, 또는, 뉴럴 네트워크를 포함한다. 기계 학습에, 오차 역전파법이 이용되어도 된다.
예를 들면, 뉴럴 네트워크는, 입력층, 단수 또는 복수의 중간층, 및, 출력층을 포함한다. 구체적으로는, 뉴럴 네트워크는, 딥 뉴럴 네트워크(DNN： Deep Neural Network), 순환 뉴럴 네트워크(RNN：Recurrent Neural Network), 또는, 컨볼루션 뉴럴 네트워크(CNN：Convolutional Neural Network)이며, 딥 러닝을 행한다. 예를 들면, 딥 뉴럴 네트워크는, 입력층, 복수의 중간층, 및, 출력층을 포함한다.
제어부(102)는, 입력 데이터와 기준 데이터(RE)에 의거하여 판정 처리를 실행한다. 판정 처리는, 기판 처리를 실행할지 여부를 결정하기 위한 처리이다. 구체적으로는, 제어부(102)는, 입력 데이터와 기준 데이터(RE)를 비교하여, 기판 처리를 실행할지 여부를 결정한다.
제어부(102)는, 기판 처리를 실행하는 것을 결정한 경우, 입력 데이터를 학습이 완료된 모델(LM)에 입력한다. 그리고, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력된 스캔 속도 정보에 의거하여 제1 노즐(51)의 이동 속도(각 속도 설정 위치에 있어서의 스캔 속도)를 레시피 데이터(RP)에 설정한 후, 처리 유닛(1)을 제어하여, 처리 유닛(1)으로 하여금 기판 처리를 실행하게 한다.
한편, 제어부(102)는, 기판 처리를 실행하지 않는 것을 결정한 경우, 입력 데이터를 학습이 완료된 모델(LM)에 입력하지 않고, 처리 유닛(1)에 의한 기판 처리의 실행을 정지시킨다. 그리고, 표시부(104)로 하여금, 에러 화면을 표시하게 한다. 에러 화면은, 에러가 발생한 것을 작업자에게 통지하는 화면이다.
계속해서, 도 9를 참조하여 기준 데이터(RE)를 설명한다. 도 9는, 기준 데이터(RE)의 구축에 이용된 학습용 데이터 세트(LDS)를 나타내는 도면이다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 학습용 데이터 세트(LDS)는, 복수의 학습용 데이터(LD)를 포함한다.
학습용 데이터(LD)는 각각, 스캔 속도 정보와, 처리량 정보를 포함한다. 스캔 속도 정보 및 처리량 정보는, 서로 관련지어져 있다. 도 9는, 스캔 속도 정보＃A1~＃A4에 관련지어진 처리량 정보 DA1~DA4를 예시하고 있다. 학습용 데이터(LD)는, 학습 대상의 기판에 대해 기판 처리를 실행함으로써 생성된다. 이하, 학습 대상의 기판을, 「학습 대상 기판」이라고 기재하는 경우가 있다.
스캔 속도 정보는, 학습 대상 기판에 대해 기판 처리를 실행할 때에 설정된 각 속도 설정 위치의 스캔 속도를 나타낸다. 처리량 정보는, 학습 시의 기판 처리에 의한 처리량을 나타낸다. 구체적으로는, 처리량은, 학습 대상 기판의 처리 전 두께와 처리 후 두께의 차분을 나타낸다. 본 실시 형태에 있어서, 처리량은, 에칭량이다. 상세하게는, 처리량 정보는, 학습 대상 기판의 처리 전 두께의 분포와 처리 후 두께의 분포의 차분을 나타낸다. 따라서, 처리량 정보는, 학습 시의 에칭 처리에 의한 에칭량의 분포를 나타낸다.
기준 데이터(RE)는, 각 학습용 데이터(LD)의 처리량 정보에 의거하여 취득된다. 예를 들면, 기준 데이터(RE)는, 복수의 학습용 데이터(LD)에 포함되는 처리량의 평균값이어도 된다. 혹은, 기준 데이터(RE)는, 복수의 학습용 데이터(LD)에 포함되는 처리량 중에서 선정되어도 된다. 혹은, 기준 데이터(RE)는, 복수의 학습용 데이터(LD)에 포함되는 처리량에 의거하여 작업자가 작성해도 된다.
이상, 도 1~도 9를 참조하여 설명한 바와 같이, 제어부(102)는, 학습 시의 기판 처리에 의한 처리량에 의거하여 취득된 기준 데이터(기준 데이터(RE))와, 처리량의 목표값(입력 데이터)을 비교하여, 기판 처리를 실행할지 여부를 결정한다. 따라서, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력되는 처리 조건의 신뢰성을 보증할 수 있다.
예를 들면, 처리량의 목표값(입력 데이터)이, 학습 시에 취득하지 않은 처리량에 대응하는 경우, 최적이 아닌 처리 조건(예기치 못한 처리 조건)이 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력될 가능성이 있다. 이에 반해, 본 실시 형태에 의하면, 제어부(102)는, 처리량의 목표값(입력 데이터)이, 학습 시에 취득하지 않은 처리량에 대응하는 경우에, 기판 처리를 실행하지 않는 것을 결정할 수 있다. 따라서, 최적이 아닌 처리 조건(예기치 못한 처리 조건)이 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력되는 것을 막을 수 있다. 또, 제어부(102)는, 처리량의 목표값(입력 데이터)이, 학습 시에 취득한 처리량에 대응하는 경우에, 기판 처리를 실행하는 것을 결정할 수 있다. 이 경우, 최적이 아닌 처리 조건(예기치 못한 처리 조건)이 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력될 가능성은 낮다. 따라서, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력되는 처리 조건의 신뢰성을 보증할 수 있다.
또한, 학습용 데이터(LD)는, 처리량(에칭량)이 목표 처리량(목표 에칭량)과 일치하지 않는 것을 나타내는 정보, 혹은, 처리량이 허용 범위 내의 값이 아닌 것을 나타내는 정보를 더 포함해도 된다.
계속해서, 도 8을 참조하여 제어부(102)가 실행하는 판정 처리에 대해서 더 설명한다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 기억부(103)는, 역치(TH)를 더 기억한다. 역치(TH)는, 입력 데이터와 기준 데이터(RE)의 비교 결과에 대한 역치이다. 제어부(102)는, 입력 데이터와 기준 데이터(RE)를 비교하여 비교 결과를 취득하고, 비교 결과와 역치(TH)에 의거하여, 기판 처리를 실행할지 여부를 결정한다.
본 실시 형태에 있어서, 역치(TH)는, 기준 데이터(RE)와 입력 데이터의 유클리드 거리에 대한 역치를 나타낸다. 제어부(102)는, 기준 데이터(RE)와 입력 데이터의 유클리드 거리를 산출한다. 그리고, 산출한 유클리드 거리와 역치(TH)를 비교하여, 유클리드 거리가 역치(TH)보다 큰 경우에, 기판 처리를 실행하지 않는 것을 결정하고, 유클리드 거리가 역치(TH) 이하인 경우에, 기판 처리를 실행하는 것을 결정한다. 이하, 기준 데이터(RE)와 입력 데이터의 유클리드 거리를, 「제1 유클리드 거리」로 기재하는 경우가 있다.
보다 구체적으로는, 기준 데이터(RE)는 정규화되어 있다. 제어부(102)는, 입력 데이터를 정규화하고, 기준 데이터(RE)와 정규화 후의 입력 데이터의 유클리드 거리(제1 유클리드 거리)를 산출한다. 정규화된 기준 데이터(RE)는, 각 학습용 데이터(LD)의 처리량을, 그 평균값 또는 최저값으로 정규화함으로써 취득할 수 있다. 마찬가지로, 제어부(102)는, 입력 데이터의 평균값 또는 최저값을 취득하여, 입력 데이터를 그 평균값 또는 최저값으로 정규화한다.
본 실시 형태에 의하면, 역치(TH)를 이용하여, 기판 처리를 실행할지 여부를 결정할 수 있다. 따라서, 기판 처리를 실행할지 여부를 용이하게 결정할 수 있다.
계속해서 도 8 및 도 10을 참조하여, 제어부(102)가 실행하는 판정 처리를 더 설명한다. 도 10은, 복수의 학습용 데이터(LD)에 포함되는 처리량의 불균일과 역치(TH)의 관계를 나타내는 도면이다.
도 10에 있어서, 횡축은, 유클리드 거리를 나타낸다. 종축은, 횡축에 포함되는 각 유클리드 거리에 대응하는 학습용 데이터(LD)의 수를 나타낸다. 그래프(GR)는, 복수의 학습용 데이터(LD)에 포함되는 처리량의 불균일을 나타낸다.
그래프(GR)는, 각 학습용 데이터(LD)의 처리량을 정규화하고, 정규화된 기준 데이터(RE)와 각 학습용 데이터(LD)의 정규화 후의 처리량의 유클리드 거리를 산출함으로써 취득된다. 이하, 학습용 데이터(LD)의 처리량과 기준 데이터(RE)의 유클리드 거리를, 「제2 유클리드 거리」라고 기재하는 경우가 있다.
본 실시 형태에 있어서, 역치(TH)는, 제1 역치(TH1)와, 제2 역치(TH2)를 포함한다. 제어부(102)는, 입력 데이터와 기준 데이터(RE)를 비교하여 비교 결과를 취득하고, 비교 결과와 역치(TH)(제1 역치(TH1) 및 제2 역치(TH2))에 의거하여, 복수의 결정 항목 중 하나를 선택한다.
복수의 결정 항목은, 제1 결정 항목~제3 결정 항목을 포함한다. 제1 결정 항목은, 기판 처리를 실행하지 않는 것을 결정하는 항목이다. 제2 결정 항목은, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력된 처리 조건에 의거하여 기판 처리를 실행함과 더불어, 기판 처리를 실행한 것을 나타내는 플래그 정보를 기억부(103)로 하여금 기억하게 하는 것을 결정하는 항목이다. 제3 결정 항목은, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력된 처리 조건에 의거하여 기판 처리를 실행하는 것을 결정하는 항목이다. 또한, 제3 결정 항목에서는, 기판 처리를 실행한 것을 나타내는 플래그 정보는 부여하지 않는다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 제1 역치(TH1)의 값 A는, 제2 유클리드 거리의 최대값보다 큰 값으로 설정된다. 즉, 제1 역치(TH1)는, 복수의 학습용 데이터(LD)의 처리량에 포함되지 않는 처리량에 대응한다. 환언하면, 제1 역치(TH1)는, 학습 시에 취득하지 않은 처리량에 대응한다. 따라서, 제1 유클리드 거리가 제1 역치(TH1)보다 큰 경우에 입력 데이터를 학습이 완료된 모델(LM)에 입력하면, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 예기치 않은 처리 조건이 출력될 가능성이 높다.
본 실시 형태에 있어서, 제어부(102)는, 제1 유클리드 거리가 제1 역치(TH1)보다 큰 경우에, 제1 결정 항목을 선택하여, 기판 처리를 실행하지 않는 것을 결정한다. 따라서, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력되는 처리 조건이 최적이 아닐 가능성이 있는 경우에, 학습이 완료된 모델(LM)에 입력 데이터가 입력되지 않는다. 이로 인해, 신뢰성을 보증할 수 없는 처리 조건이 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력되는 것을 막을 수 있다. 따라서, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력되는 처리 조건의 신뢰성을 보증할 수 있다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 제2 역치(TH2)의 값 B는, 학습용 데이터(LD)의 수가 적은 영역의 값으로 설정된다. 학습용 데이터(LD)의 수가 적은 영역은, 학습 시에 취득하지 않은 처리량이 많은 영역을 나타낸다. 학습 시에 취득하지 않은 처리량이 많은 영역에 포함되는 처리량이 입력 데이터인 경우, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 최적의 처리 조건이 출력되지 않을 가능성이 약간 있다. 따라서, 제1 유클리드 거리가 제1 역치(TH1) 이하이며, 제2 역치(TH2)보다 큰 경우에 입력 데이터를 학습이 완료된 모델(LM)에 입력하면, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 최적이 아닌 처리 조건(예기치 못한 처리 조건)이 출력될 가능성이 약간 있다. 환언하면, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력되는 처리 조건의 신뢰성이 약간 낮다.
제어부(102)는, 제1 유클리드 거리가 제1 역치(TH1) 이하이며, 제2 역치(TH2)보다 큰 경우에, 제2 결정 항목을 선택하여, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력된 처리 조건에 의거하여 기판 처리를 실행함과 더불어, 기판 처리를 실행한 것을 나타내는 플래그 정보를 기억부(103)로 하여금 기억하게 하는 것을 결정한다. 따라서, 기판 처리 후의 기판(W)에 포함되는 대상물(TG)의 두께나 상면의 상태가 소기의 두께나 소기 상태와 상이한 경우에, 작업자는, 그 원인을 검증할 수 있다.
또한, 제어부(102)는, 유클리드 거리가 제2 역치(TH2) 이하인 경우에, 제3 결정 항목을 선택하여, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력된 처리 조건에 의거하여 기판 처리를 실행하는 것을 결정한다. 이 경우, 기판 처리를 실행한 것을 나타내는 플래그 정보는 기억부(103)에 기억되지 않는다.
계속해서 도 8 및 도 11을 참조하여 설정 화면(SE)을 설명한다. 도 11은, 설정 화면(SE)을 나타내는 도면이다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 표시부(104)는, 설정 화면(SE)을 표시한다. 설정 화면(SE)은, 그래프 표시란(111)과, 제1 설정란(112)~제4 설정란(115)을 포함한다.
제1 설정란(112)은, 작업자가 입력부(105)를 조작하여 제1 역치(TH1)의 값 A를 입력하는 입력란이다. 제2 설정란(113)은, 작업자가 입력부(105)를 조작하여 제2 역치(TH2)의 값 B를 입력하는 입력란이다. 또한, 도 11은, 제1 설정란(112) 및 제2 설정란(113)에 입력하는 수치가 퍼센티지로 표시되는 경우를 예시하고 있다. 구체적으로는, 제1 설정란(112) 및 제2 설정란(113)에는, 기준 데이터(RE)로부터의 유클리드 거리를 평균 제곱근 편차로 환산한 값에 상당하는 퍼센티지가 표시된다.
제3 설정란(114)은, 제1 유클리드 거리가 제1 역치(TH1)보다 큰 경우에 기판 처리 장치(100)로 하여금 실행하게 하는 동작을 입력하는 입력란이다. 환언하면, 제3 설정란(114)은, 제1 유클리드 거리가 제1 역치(TH1)보다 큰 경우에 제어부(102)로 하여금 선택하게 하는 결정 항목을 입력하는 입력란이다. 도 11에 나타내는 「처리 정지」는, 제1 결정 항목에 대응한다.
제4 설정란(115)은, 제1 유클리드 거리가 제2 역치(TH2)보다 크며, 제1 역치(TH1) 이하인 경우에 기판 처리 장치(100)로 하여금 실행하게 하는 동작을 입력하는 입력란이다. 환언하면, 제4 설정란(115)은, 제1 유클리드 거리가 제2 역치(TH2)보다 크며, 제1 역치(TH1) 이하인 경우에 제어부(102)로 하여금 선택하게 하는 결정 항목을 입력하는 입력란이다. 도 11에 나타내는 「처리 계속」은, 제2 결정 항목에 대응한다.
그래프 표시란(111)에는, 그래프(GR)와, 횡축과, 종축이 표시된다. 본 실시 형태에 있어서, 그래프(GR)는, 에칭량의 편차를 나타낸다. 횡축은, 유클리드 거리를 나타낸다. 종축은, 횡축에 포함되는 각 유클리드 거리에 대응하는 학습용 데이터(LD)의 수를 나타낸다. 본 실시 형태에 있어서, 그래프 표시란(111)에는, 제1 설정란(112) 및 제2 설정란(113)에 입력된 제1 역치(TH1) 및 제2 역치(TH2)가 더 표시된다.
본 실시 형태에 의하면, 역치(TH)의 값(제1 역치(TH1)의 값 A 및 제2 역치(TH2)의 값 B)을 유저가 임의의 값으로 설정할 수 있다. 따라서, 편리성이 향상된다.
또, 제1 유클리드 거리가 역치(TH)의 값(제1 역치(TH1)의 값 A 또는 제2 역치(TH2)의 값 B)을 초과한 경우에 기판 처리 장치(100)로 하여금 실행하게 하는 동작을 유저가 임의로 설정할 수 있다. 따라서, 편리성이 향상된다.
또한, 그래프 표시란(111)에 그래프(GR)가 표시되기 때문에, 유저는, 역치(TH)의 값을 결정하기 쉽다. 마찬가지로, 그래프 표시란(111)에 그래프(GR)가 표시되기 때문에, 유저는, 제1 유클리드 거리가 역치(TH)의 값(제1 역치(TH1)의 값 A 또는 제2 역치(TH2)의 값 B)을 초과한 경우에 기판 처리 장치(100)로 하여금 실행하게 하는 동작을 결정하기 쉽다.
또, 제1 설정란(112) 및 제2 설정란(113)에 입력된 제1 역치(TH1) 및 제2 역치(TH2)가 그래프(GR)와 함께 추가로 표시되기 때문에, 유저는, 역치(TH)의 값을 결정하기 쉽다.
또한, 그래프 표시란(111)은 생략되어도 된다.
계속해서, 도 1~도 12를 참조하여, 기판 처리 장치(100)의 제어 장치(101)(제어부(102))가 실행하는 처리를 설명한다. 도 12는, 기판 처리 장치(100)의 제어 장치(101)(제어부(102))가 실행하는 처리를 나타내는 플로 차트이다. 상세하게는, 도 12는, 1장의 기판(W)에 대해 기판 처리를 실행할 때에 제어부(102)가 실행하는 처리를 나타낸다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 제어부(102)가 실행하는 처리는, 단계 S1~단계 S9를 포함한다. 또한, 단계 S1~단계 S9 중, 단계 S4 및 단계 S5는, 데이터 처리 방법에 포함된다.
도 12에 나타내는 처리는, 작업자가 입력부(105)를 조작하여 기판(W)의 에칭 처리의 개시를 지시함으로써 개시한다. 작업자가 입력부(105)를 조작하여 기판(W)의 에칭 처리의 개시를 지시하면, 제어부(102)는, 인덱서 로봇(IR) 및 센터 로봇(CR)을 제어하여, 처리 유닛(1)의 챔버(2) 내에 기판(W)을 반입시킨다(단계 S1). 반입된 기판(W)은, 스핀 척(3)에 의해 유지된다(단계 S2).
스핀 척(3)이 기판(W)을 유지하면, 제어부(102)는, 스핀 모터부(4)를 제어하여, 기판(W)의 회전을 개시하게 한다(단계 S3). 구체적으로는, 스핀 모터부(4)는, 스핀 척(3)과 일체로 기판(W)을 회전시킨다.
기판(W)의 회전수가 소정의 회전수로 안정되면, 제어부(102)는, 두께 측정부(8)를 제어하여, 기판(W)에 포함되는 대상물(TG)의 두께(처리 전 두께)를 측정하게 한다(단계 S4).
구체적으로는, 도 3의 (a)를 참조하여 설명한 바와 같이, 제어부(102)는, 프로브 이동 기구(9)를 제어하여, 광학 프로브(81)를 측정 위치(P)까지 이동시킨다(프로브 이동 처리). 그리고, 두께 측정부(8)로 하여금 대상물(TG)의 두께를 측정하게 한다(두께 측정 처리). 제어부(102)는, 두께 측정부(8)의 두께 측정기(85)로부터 출력되는 측정 신호에 의거하여, 처리 전 측정 데이터를 취득한다. 처리 전 측정 데이터는, 기판 처리의 실행 전에 있어서의 대상물(TG)의 두께(처리 전 두께)의 분포를 나타낸다.
제어부(102)는, 처리 전 측정 데이터를 취득한 후, 도 8~도 11을 참조하여 설명한 판정 처리를 실행하여, 기판 처리를 실행할지 여부를 결정한다(단계 S5).
제어부(102)는, 기판 처리를 실행하는 것을 결정하면(단계 S5의 Yes), 학습이 완료된 모델(LM)에 입력 데이터를 입력하여, 스캔 속도 정보(처리 조건)를 취득한다. 그리고, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 취득한 스캔 속도 정보에 의거하여, 레시피 데이터(RP)에 각 속도 설정 위치의 스캔 속도를 설정한다(단계 S6).
제어부(102)는, 레시피 데이터(RP)에 각 속도 설정 위치의 스캔 속도를 설정한 후, 기판 처리를 실행한다(단계 S7). 구체적으로는, 도 4를 참조하여 설명한 스캔 처리를 실행한다. 즉, 노즐 이동 기구(6)를 제어하여, 제1 노즐(51)을 이동시키면서, 약액 공급부(5)를 제어하여, 제1 노즐(51)로부터 기판(W)을 향해 약액을 토출시킨다.
제어부(102)는, 기판 처리의 실행 후, 스핀 척(3)에 의한 기판(W)의 유지를 해제한다. 그리고, 센터 로봇(CR)을 제어하여, 처리 유닛(1)의 챔버(2) 내로부터 기판(W)을 반출시킨다(단계 S8). 또, 센터 로봇(CR) 및 인덱서 로봇(IR)을 제어하여, 처리 유닛(1)의 챔버(2)로부터 반출시킨 기판(W)을, 복수의 로드 포트(LP) 중 하나까지 반송시킨다. 이 결과, 도 12에 나타내는 처리가 종료된다.
제어부(102)는, 기판 처리를 실행하지 않는 것을 결정하면(단계 S5의 No), 경보 처리를 실행하여(단계 S9), 도 12에 나타내는 처리를 종료한다. 경보 처리는, 기판 처리 장치(100)에 있어서 에러가 발생한 것을 통지하는 처리이다. 제어부(102)는, 예를 들면, 표시부(104)로 하여금 에러 화면을 표시하게 함으로써, 기판 처리 장치(100)에 있어서 에러가 발생한 것을 통지한다.
계속해서 도 1~도 13을 참조하여 판정 처리(단계 S5)를 설명한다. 도 13은, 판정 처리(단계 S5)를 나타내는 플로 차트이다. 도 13에 나타내는 바와 같이, 판정 처리(단계 S5)는, 단계 S51~단계 S54를 포함한다.
판정 처리(단계 S5)를 개시하면, 제어부(102)는, 처리 전 측정 데이터(처리 전 두께)와 목표 데이터(목표 두께)에 의거하여 입력 데이터를 생성하여, 기준 데이터(RE)와 입력 데이터의 유클리드 거리(제1 유클리드 거리)를 취득한다(단계 S51).
제어부(102)는, 제1 유클리드 거리를 취득하면, 제1 유클리드 거리가 제1 역치(TH1)보다 큰지 여부를 판정한다(단계 S52). 제어부(102)는, 제1 유클리드 거리가 제1 역치(TH1)보다 크다고 판정한 경우(단계 S52의 Yes), 기판 처리를 실행하지 않는 것을 결정한다. 이 결과, 판정 처리(단계 S5)가 종료되고, 제어부(102)가 실행하는 처리는, 도 12를 참조하여 설명한 단계 S9로 나아간다.
제어부(102)는, 제1 유클리드 거리가 제1 역치(TH1)보다 크지 않다고 판정한 경우(단계 S52의 No), 제1 유클리드 거리가 제2 역치(TH2)보다 큰지 여부를 판정한다(단계 S53).
제어부(102)는, 제1 유클리드 거리가 제2 역치(TH2)보다 크다고 판정한 경우(단계 S53의 Yes), 기판 처리를 실행한 것을 나타내는 플래그 정보를 기억부(103)로 하여금 기억하게 한다. 이 결과, 판정 처리(단계 S5)가 종료되고, 제어부(102)가 실행하는 처리는, 도 12를 참조하여 설명한 단계 S6으로 나아간다.
제1 유클리드 거리가 제2 역치(TH2)보다 크지 않다고 제어부(102)가 판정한 경우(단계 S53의 No), 판정 처리(단계 S5)가 종료되고, 제어부(102)가 실행하는 처리는, 도 12를 참조하여 설명한 단계 S6으로 나아간다.
계속해서 도 1~도 14를 참조하여 조건 설정 처리(단계 S6)를 설명한다. 도 14는, 조건 설정 처리(단계 S6)를 나타내는 플로 차트이다. 도 14에 나타내는 바와 같이, 조건 설정 처리(단계 S6)는, 단계 S61~단계 S63을 포함한다.
조건 설정 처리(단계 S6)를 개시하면, 제어부(102)는, 학습이 완료된 모델(LM)에 입력 데이터를 입력한다(단계 S61). 그 결과, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 스캔 속도 정보(처리 조건)가 출력되어, 제어부(102)는, 스캔 속도 정보를 취득한다(단계 S62). 제어부(102)는, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 취득한 스캔 속도 정보에 의거하여, 레시피 데이터(RP)에 각 속도 설정 위치의 스캔 속도를 설정한다(단계 S63). 이 결과, 조건 설정 처리(단계 S6)가 종료되고, 제어부(102)가 실행하는 처리는, 도 12를 참조하여 설명한 단계 S7로 나아간다.
계속해서 도 1~도 15를 참조하여 기판 처리(단계 S7)를 설명한다. 도 15는, 기판 처리(단계 S7)를 나타내는 플로 차트이다. 도 15에 나타내는 바와 같이, 기판 처리(단계 S7)는, 단계 S71~단계 S73을 포함한다.
기판 처리(단계 S7)를 개시하면, 제어부(102)는, 약액 공급부(5) 및 노즐 이동 기구(6)를 제어하여, 제1 노즐(51)을 이동시키면서, 제1 노즐(51)로부터 기판(W)을 향해 에칭액을 토출시킨다(단계 S71). 이 결과, 기판(W)이 에칭된다(에칭 처리).
기판(W)의 에칭이 완료되면, 제어부(102)는, 린스액 공급부(7)를 제어하여, 제2 노즐(71)로부터 기판(W)을 향해 린스액을 토출시킨다(단계 S72). 이 결과, 기판(W)으로부터 에칭액이 제거된다. 구체적으로는, 에칭액이 린스액에 의해 기판(W)의 바깥쪽으로 밀려나 기판(W)의 주위로 배출된다. 따라서, 기판(W) 상의 에칭액의 액막이, 린스액의 액막으로 치환된다.
에칭액을 린스액으로 치환한 후, 제어부(102)는, 스핀 모터부(4)를 제어하여, 기판(W)을 건조시킨다(단계 S73). 이 결과, 기판 처리(단계 S7)가 종료되고, 제어부(102)가 실행하는 처리는, 도 12를 참조하여 설명한 단계 S8로 나아간다.
구체적으로는, 제어부(102)는, 기판(W)의 회전 속도를, 에칭 처리 시 및 린스 처리 시의 회전 속도보다 증대시킨다. 이 결과, 기판(W) 상의 린스액에 큰 원심력이 부여되어, 기판(W)에 부착되어 있는 린스액이 기판(W)의 주위로 떨쳐내어진다. 이와 같이 하여, 기판(W)으로부터 린스액을 제거하여, 기판(W)을 건조시킨다. 또한, 제어부(102)는, 예를 들면 기판(W)의 고속 회전을 개시하고 나서 소정 시간이 경과한 후에, 스핀 모터부(4)에 의한 기판(W)의 회전을 정지시킨다.
이상, 도 1~도 15를 참조하여 본 발명의 실시 형태 1을 설명했다. 본 실시 형태에 의하면, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력되는 처리 조건의 신뢰성을 보증할 수 있다. 구체적으로는, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력되는 처리 조건이 최적이 아닐 가능성이 있는 경우에, 제어부(102)는, 학습이 완료된 모델(LM)에 입력 데이터를 입력하지 않는다. 따라서, 신뢰성을 보증할 수 없는 처리 조건이 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력되는 것을 막을 수 있다. 또, 본 실시 형태에 의하면, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력되는 처리 조건(스캔 속도 정보)이 최적이 아닐 가능성이 있는 경우에, 기판(W)이 처리되는 것을 막을 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 처리 전 두께를 측정했는데, 처리 전 두께에 더하여 처리 후 두께를 추가로 측정해도 된다.
또, 본 실시 형태에서는, 제1 역치(TH1) 및 제2 역치(TH2)가 설정되었는데, 제1 역치(TH1) 및 제2 역치(TH2) 중, 제1 역치(TH1)만이 설정되어도 된다.
[실시 형태 2]
계속해서 도 1~도 7, 도 9~도 13, 및 도 15~도 17을 참조하여 본 발명의 실시 형태 2에 대해서 설명한다. 단, 실시 형태 1과 상이한 사항을 설명하고, 실시 형태 1과 같은 사항에 대한 설명은 생략한다. 실시 형태 2는, 조건 설정 처리(단계 S6)가 실시 형태 1과 상이하다.
우선 도 16을 참조하여, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)가 구비하는 제어 장치(101)를 설명한다. 도 16은, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)가 구비하는 제어 장치(101)의 블록도이다.
도 16에 나타내는 바와 같이, 기억부(103)는, 기정 스캔 속도 정보(SC)를 더 기억한다. 기정 스캔 속도 정보(SC)는, 기정 조건의 일례이다.기정 스캔 속도 정보(SC)는, 미리 규정된 스캔 속도 정보를 나타낸다.
제어부(102)는, 입력 데이터와 기준 데이터(RE)를 비교하여 비교 결과를 취득하고, 비교 결과와 역치(TH)(제1 역치(TH1) 및 제2 역치(TH2))에 의거하여, 복수의 결정 항목 중 하나를 선택한다.
본 실시 형태에 있어서, 복수의 결정 항목은, 제4 결정 항목을 더 포함한다. 제4 결정 항목은, 기정 스캔 속도 정보(SC)에 의거하여 기판 처리를 실행함과 더불어, 기판 처리를 실행한 것을 나타내는 정보를 기억부(103)로 하여금 기억하게 하는 것을 결정하는 항목이다. 작업자는, 도 11을 참조하여 설명한 설정 화면(SE)에 있어서, 제4 설정란(115)에, 제2 결정 항목, 또는, 제4 결정 항목을 입력할 수 있다.
또한, 제1 결정 항목은, 기판 처리를 실행하지 않는 것을 결정하는 항목이다. 제2 결정 항목은, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력된 처리 조건에 의거하여 기판 처리를 실행함과 더불어, 기판 처리를 실행한 것을 나타내는 플래그 정보를 기억부(103)로 하여금 기억하게 하는 것을 결정하는 항목이다. 제3 결정 항목은, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력된 처리 조건에 의거하여 기판 처리를 실행하는 것을 결정하는 항목이다.
계속해서 도 17을 참조하여 제어부(102)가 실행하는 조건 설정 처리를 설명한다. 도 17은, 조건 설정 처리(단계 S6)를 나타내는 플로 차트이다. 상세하게는, 도 17은, 설정 화면(SE)의 제4 설정란(115)에 제4 결정 항목이 입력된 경우에 있어서의 조건 설정 처리를 나타낸다. 도 17에 나타내는 조건 설정 처리(단계 S6)는, 도 14에 나타내는 단계 S61~단계 S63에 더하여, 단계 S611 및 단계 S612를 더 포함한다.
조건 설정 처리(단계 S6)를 개시하면, 제어부(102)는, 기판 처리를 실행한 것을 나타내는 플래그 정보가 기억부(103)에 기억되어 있는지 여부를 판정한다(단계 S611). 기판 처리를 실행한 것을 나타내는 플래그 정보는, 도 13에 나타내는 단계 S54에 있어서, 기억부(103)에 기억된다.
제어부(102)는, 플래그 정보가 기억부(103)에 기억되어 있다고 판정한 경우(단계 S611의 Yes), 기정 스캔 속도 정보(SC)에 의거하여, 레시피 데이터(RP)에 각 속도 설정 위치의 스캔 속도를 설정한다(단계 S612). 이 결과, 조건 설정 처리(단계 S6)가 종료되고, 제어부(102)가 실행하는 처리는, 도 12를 참조하여 설명한 단계 S7로 나아간다.
제어부(102)는, 플래그 정보가 기억부(103)에 기억되어 있지 않다고 판정한 경우(단계 S611의 No), 도 14를 참조하여 설명한 단계 S61~단계 S63의 각 처리를 실행한다. 이 결과, 조건 설정 처리(단계 S6)가 종료되고, 제어부(102)가 실행하는 처리는, 도 12를 참조하여 설명한 단계 S7로 나아간다.
이상, 도 1~도 7, 도 9~도 13, 및 도 15~도 17을 참조하여 본 발명의 실시 형태 2를 설명했다. 본 실시 형태에 의하면, 실시 형태 1과 마찬가지로, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력되는 처리 조건의 신뢰성을 보증할 수 있다.
또, 이미 설명한 바와 같이, 제1 유클리드 거리가 제1 역치(TH1) 이하이며, 제2 역치(TH2)보다 큰 경우에 입력 데이터를 학습이 완료된 모델(LM)에 입력한 경우, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 예기치 못한 스캔 속도 정보가 출력될 가능성이 약간 있다. 이에 반해, 본 실시 형태에 의하면, 제1 유클리드 거리가 제1 역치(TH1) 이하이며, 제2 역치(TH2)보다 큰 경우에, 기정 스캔 속도 정보(SC)에 의거하여, 레시피 데이터(RP)에 각 속도 설정 위치의 스캔 속도를 설정할 수 있다. 따라서, 제1 유클리드 거리가 제1 역치(TH1) 이하이며, 제2 역치(TH2)보다 큰 경우에, 예기치 못한 스캔 속도가 레시피 데이터(RP)에 설정되는 것을 막을 수 있다.
[실시 형태 3]
계속해서 도 1~도 11 및 도 13~도 19를 참조하여 본 발명의 실시 형태 3에 대해서 설명한다. 단, 실시 형태 1, 2와 상이한 사항을 설명하고, 실시 형태 1, 2와 같은 사항에 대한 설명은 생략한다. 실시 형태 3은, 제어부(102)가 추가 학습용 데이터를 생성하는 점에서 실시 형태 1, 2와 상이하다.
도 18은, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)의 제어 장치(101)(제어부(102))가 실행하는 처리를 나타내는 플로 차트이다. 도 18에 나타내는 처리는, 도 12에 나타내는 단계 S1~단계 S9에 더하여, 단계 S10 및 단계 S20을 더 포함한다.
또한, 본 실시 형태에서는, 건조 처리(도 15의 단계 S73)의 종료 시에, 스핀 모터부(4)에 의한 기판(W)의 회전을 정지시키지 않는다. 예를 들면, 제어부(102)는, 건조 처리 후, 기판(W)의 회전 속도를, 에칭 처리 시 및 린스 처리 시의 회전 속도까지 감소시킨다.
제어부(102)는, 기판 처리의 실행 후(단계 S7), 기판 처리를 실행한 것을 나타내는 플래그 정보가 기억부(103)에 기억되어 있는지 여부를 판정한다(단계 S10).
제어부(102)는, 플래그 정보가 기억부(103)에 기억되어 있다고 판정한 경우(단계 S10의 Yes), 추가 학습용 데이터를 생성한다(단계 S20). 제어부(102)는, 추가 학습용 데이터의 생성 후, 스핀 모터부(4)에 의한 기판(W)의 회전을 정지시킨다. 그리고, 도 12를 참조하여 설명한 단계 S8을 실행한다. 이 결과, 도 18에 나타내는 처리가 종료된다.
제어부(102)는, 플래그 정보가 기억부(103)에 기억되어 있지 않다고 판정한 경우(단계 S10의 No), 스핀 모터부(4)에 의한 기판(W)의 회전을 정지시킨다. 그리고, 도 12를 참조하여 설명한 단계 S8을 실행한다. 이 결과, 도 18에 나타내는 처리가 종료된다.
계속해서 도 19를 참조하여 추가 학습용 데이터의 생성 처리(단계 S20)를 설명한다. 도 19는, 추가 학습용 데이터의 생성 처리(단계 S20)를 나타내는 플로 차트이다. 도 19에 나타내는 바와 같이, 추가 학습용 데이터의 생성 처리(단계 S20)는, 단계 S21~단계 S23을 포함한다.
제어부(102)는, 추가 학습용 데이터의 생성 처리(단계 S20)를 개시하면, 두께 측정부(8)를 제어하여, 기판(W)에 포함되는 대상물(TG)의 두께(처리 후 두께)를 측정하게 한다(단계 S21).
구체적으로는, 도 3의 (a)를 참조하여 설명한 바와 같이, 제어부(102)는, 프로브 이동 기구(9)를 제어하여, 광학 프로브(81)를 측정 위치(P)까지 이동시킨다(프로브 이동 처리). 그리고, 두께 측정부(8)로 하여금 대상물(TG)의 두께를 측정하게 한다(두께 측정 처리). 제어부(102)는, 두께 측정부(8)의 두께 측정기(85)로부터 출력되는 측정 신호에 의거하여, 처리 후 측정 데이터를 취득한다. 처리 후 측정 데이터는, 기판 처리의 실행 후에 있어서의 대상물(TG)의 두께(처리 후 두께)의 분포를 나타낸다.
제어부(102)는, 처리 후 측정 데이터를 취득한 후, 처리 전 측정 데이터와 처리 후 측정 데이터에 의거하여 처리량을 취득한다(단계 S22). 구체적으로는, 처리량은, 처리 전 두께와 처리 후 두께의 차분을 나타낸다.
제어부(102)는, 처리량을 취득하면, 추가 학습용 데이터를 생성한다(단계 S23). 추가 학습용 데이터는, 도 9를 참조하여 설명한 학습용 데이터(LD)와 마찬가지로, 스캔 속도 정보, 및 처리량 정보를 포함한다. 제어부(102)는, 레시피 데이터(RP)에 설정한 각 속도 설정 위치의 스캔 속도와, 처리량에 의거하여, 추가 학습용 데이터를 생성한다.
제어부(102)는, 추가 학습용 데이터의 생성 후, 스핀 모터부(4)에 의한 기판(W)의 회전을 정지시킨다. 그 결과, 추가 학습용 데이터의 생성 처리(단계 S20) 가 종료되고, 제어부(102)가 실행하는 처리는, 도 18에 나타내는 단계 S8로 나아간다.
이상, 도 1~도 11 및 도 13~도 19를 참조하여 본 발명의 실시 형태 3을 설명했다. 본 실시 형태에 의하면, 제1 유클리드 거리가 제1 역치(TH1) 이하이며, 제2 역치(TH2)보다 큰 경우에, 추가 학습용 데이터를 생성할 수 있다. 이미 설명한 바와 같이, 제2 역치(TH2)의 값 B는, 학습용 데이터(LD)의 수가 적은 영역의 값으로 설정된다. 따라서, 제1 유클리드 거리가 제1 역치(TH1) 이하이며, 제2 역치(TH2)보다 큰 경우에, 추가 학습용 데이터를 생성함으로써, 추가 학습 시에, 학습용 데이터(LD)의 수가 적은 영역의 학습용 데이터(LD)의 수를 늘릴 수 있다. 이 결과, 학습이 완료된 모델(LM)의 예측의 정밀도가 향상된다.
또한, 본 실시 형태에서는, 제1 유클리드 거리가 제1 역치(TH1) 이하이며, 제2 역치(TH2)보다 큰 기판(W)을, 추가 학습의 대상으로 했는데, 기판 처리를 실행한 모든 기판(W)을 추가 학습의 대상으로 해도 된다. 이 경우, 제1 유클리드 거리가 제1 역치(TH1) 이하가 되는 기판(W)이 전부 추가 학습의 대상이 된다.
또, 추가 학습용 데이터는, 처리량(에칭량)이 목표 처리량(목표 에칭량)과 일치하지 않는 것을 나타내는 정보, 혹은, 처리량이 허용 범위 내의 값이 아닌 것을 나타내는 정보를 더 포함해도 된다. 이 경우, 제어부(102)는, 처리량(에칭량)이 입력 데이터(목표 에칭량)와 일치하고 있는지 여부를 판정한다. 혹은, 제어부(102)는, 처리량이 허용 범위 내의 값인지 여부를 판정한다.
[실시 형태 4]
계속해서 도 1~도 20을 참조하여 본 발명의 실시 형태 4에 대해서 설명한다. 단, 실시 형태 1~3과 상이한 사항을 설명하고, 실시 형태 1~3과 같은 사항에 대한 설명은 생략한다. 실시 형태 4는, 대상물(TG)의 두께가 기판 처리 장치(100)의 외부의 장치로 측정되는 점에서 실시 형태 1~3과 상이하다.
도 20은, 본 실시 형태의 기판 처리 시스템(1000)을 나타내는 도면이다. 도 20에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태의 기판 처리 시스템(1000)은, 기판 처리 장치(100)와, 막두께 측정 장치(200)를 구비한다. 막두께 측정 장치(200)는, 두께 측정 장치의 일례이다.
막두께 측정 장치(200)는, 기판 처리의 실행 전의 기판(W)에 포함되는 대상물(TG)의 두께를 측정한다. 기판 처리 장치(100)는, 막두께 측정 장치(200)에 의한 대상물(TG)의 두께의 측정 후에, 기판 처리를 실행한다.
상세하게는, 기판 처리 장치(100)의 제어부(102)는, 막두께 측정 장치(200)의 측정 결과를 취득한다. 예를 들면, 기판 처리 장치(100)와 막두께 측정 장치(200)를 통신 가능하게 접속하여, 막두께 측정 장치(200)로부터 기판 처리 장치(100)로, 막두께 측정 장치(200)의 측정 결과를 나타내는 데이터를 송신해도 된다. 통신 매체는, 통신 케이블이어도 되고, 무선이어도 된다. 혹은, 데이터를 보유하는 매체를 이용하여, 기판 처리 장치(100)의 제어부(102)로 하여금 막두께 측정 장치(200)의 측정 결과를 취득하게 해도 된다. 예를 들면, 데이터를 보유하는 매체로서, 콤팩트 디스크 또는 DVD와 같은 광 디스크, 혹은 USB 메모리와 같은 기억 장치를 이용해도 된다.
기판 처리 장치(100)의 제어부(102)는, 막두께 측정 장치(200)의 측정 결과로부터 처리 전 측정 데이터(기판 처리의 실행 전의 대상물(TG)의 두께의 분포)를 취득한다. 그리고, 실시 형태 1~3에 있어서 설명한 바와 같이, 대상물(TG)의 두께의 목표값(목표 두께)를 나타내는 목표 데이터와 처리 전 측정 데이터에 의거하여 입력 데이터를 생성하고, 입력 데이터와 기준 데이터(RE)를 비교하여, 기판 처리를 실행할지 여부를 결정한다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 기판 처리 장치(100)는, 두께 측정부(8)를 구비해도 되고, 구비하지 않아도 된다.
이상, 도 1~도 20을 참조하여 본 발명의 실시 형태 4를 설명했다. 본 실시 형태에 의하면, 실시 형태 1~3과 마찬가지로, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력되는 처리 조건의 신뢰성을 보증할 수 있다.
[실시 형태 5]
계속해서 도 1~도 19, 도 21, 및 도 22를 참조하여 본 발명의 실시 형태 5에 대해서 설명한다. 단, 실시 형태 1~4와 상이한 사항을 설명하고, 실시 형태 1~4와 같은 사항에 대한 설명은 생략한다. 실시 형태 4는, 기판 처리를 실행할지 여부를 기판 처리 장치(100)의 외부의 장치가 결정하는 점에서 실시 형태 1~4와 상이하다.
도 21은, 본 실시 형태의 기판 처리 시스템(1000)을 나타내는 도면이다. 도 21에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태의 기판 처리 시스템(1000)은, 기판 처리 장치(100)와, 막두께 측정 장치(200)와, 정보 처리 장치(300)를 구비한다. 막두께 측정 장치(200)는, 두께 측정 장치의 일례이다. 또, 정보 처리 장치(300)는, 결정 장치의 일례이다.
막두께 측정 장치(200)는, 기판 처리의 실행 전의 기판(W)에 포함되는 대상물(TG)의 두께를 측정한다. 정보 처리 장치(300)는, 막두께 측정 장치(200)의 측정 결과를 취득한다. 예를 들면, 정보 처리 장치(300)와 막두께 측정 장치(200)를 통신 가능하게 접속하여, 막두께 측정 장치(200)로부터 정보 처리 장치(300)로, 막두께 측정 장치(200)의 측정 결과를 나타내는 데이터를 송신해도 된다. 통신 매체는, 통신 케이블이어도 되고, 무선이어도 된다. 혹은, 데이터를 보유하는 매체를 이용하여, 정보 처리 장치(300)로 하여금 막두께 측정 장치(200)의 측정 결과를 취득하게 해도 된다. 예를 들면, 데이터를 보유하는 매체로서, 콤팩트 디스크 또는 DVD와 같은 광 디스크, 혹은 USB 메모리와 같은 기억 장치를 이용해도 된다.
정보 처리 장치(300)는, 막두께 측정 장치(200)의 측정 결과에 의거하여, 기판 처리를 실행할지 여부를 결정한다. 구체적으로는, 정보 처리 장치(300)는, 도 8~도 11을 참조하여 설명한 판정 처리를 실행하여, 기판 처리를 실행할지 여부를 결정한다.
기판 처리 장치(100)는, 정보 처리 장치(300)로부터, 판정 결과와, 학습이 완료된 모델(LM)에 입력하는 입력 데이터를 취득한다. 판정 결과는, 기판 처리를 실행할지 여부를 나타낸다. 예를 들면, 정보 처리 장치(300)와 기판 처리 장치(100)를 통신 가능하게 접속하여, 정보 처리 장치(300)로부터 기판 처리 장치(100)로, 판정 결과를 나타내는 데이터, 및 입력 데이터를 송신해도 된다. 통신 매체는, 통신 케이블이어도 되고, 무선이어도 된다. 혹은, 데이터를 보유하는 매체를 이용하여, 기판 처리 장치(100)로 하여금 판정 결과 및 입력 데이터를 취득하게 해도 된다. 예를 들면, 데이터를 보유하는 매체로서, 콤팩트 디스크 또는 DVD와 같은 광 디스크, 혹은 USB 메모리와 같은 기억 장치를 이용해도 된다.
기판 처리 장치(100)는, 정보 처리 장치(300)에 의해 기판 처리를 실행하는 것이 결정된 경우, 실시 형태 1~4에 있어서 설명한 바와 같이, 학습이 완료된 모델(LM)에 입력 데이터를 입력한다. 그리고, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력된 처리 조건에 의거하여, 기판 처리를 실행한다.
또한, 기판 처리를 실행하는 것이 결정된 경우에만, 기판 처리 장치(100)가 입력 데이터를 취득해도 된다.
계속해서, 도 22를 참조하여 정보 처리 장치(300)의 구성을 설명한다. 도 22는, 정보 처리 장치(300)의 구성을 나타내는 블록도이다. 도 22에 나타내는 바와 같이, 정보 처리 장치(300)는, 처리부(301)와, 기억부(302)와, 표시부(303)와, 입력부(304)를 구비한다. 정보 처리 장치(300)는, 예를 들면, 서버 또는 퍼스널 컴퓨터(PC)이다. 단, 정보 처리 장치(300)는, 연산 처리가 가능한 기기인 한, 특별히 한정되지 않는다.
처리부(301)는, 프로세서를 갖는다. 처리부(301)는, 예를 들면, CPU, 또는 MPU를 갖는다. 혹은, 처리부(301)는, 범용 연산기 또는 전용 연산기를 가져도 된다.
기억부(302)는, 데이터 및 컴퓨터 프로그램을 기억한다. 데이터는, 기준 데이터(RE)를 포함한다. 본 실시 형태에 있어서, 데이터는, 역치(TH)를 더 포함한다. 처리부(301)는, 기억부(302)에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램 및 데이터에 의거하여, 각종 연산 처리를 실행한다.
기억부(302)는, 주기억 장치를 갖는다. 주기억 장치는, 예를 들면, 반도체 메모리이다. 기억부(302)는, 보조 기억 장치를 더 가져도 된다. 보조 기억 장치는, 예를 들면, 반도체 메모리 및 하드 디스크 드라이브 중 적어도 한쪽을 포함한다. 기억부(302)는 리무버블 미디어를 포함하고 있어도 된다.
표시부(303)는 각종 정보를 표시한다. 본 실시 형태에 있어서, 표시부(303)는, 도 11을 참조하여 설명한 설정 화면(SE)을 표시한다. 표시부(303)는, 예를 들면, 액정 디스플레이 또는 유기 EL 디스플레이를 갖는다.
입력부(304)는, 작업자로부터의 입력을 접수하여, 처리부(301)에 각종 정보를 출력한다. 입력부(304)는, 예를 들면, 키보드, 포인팅 디바이스, 및 터치 패널과 같은 입력 장치를 포함한다. 터치 패널은, 예를 들면, 표시부(303)의 표시면에 배치되어, 표시부(303)와 함께 그래피컬 유저 인터페이스를 구성해도 된다.
작업자는, 표시부(303)에 설정 화면(SE)이 표시되어 있을 때에, 입력부(304)를 조작하여, 도 11을 참조하여 설명한 제1 설정란(112) 및 제2 설정란(113)에, 제1 역치(TH1) 및 제2 역치(TH2)의 값을 각각 입력할 수 있다. 또, 입력부(304)를 조작하여, 도 11을 참조하여 설명한 제3 설정란(114) 및 제4 설정란(115)에, 기판 처리 장치(100)로 하여금 실행하게 하는 동작을 각각 입력할 수 있다.
처리부(301)는, 결정부의 일례이다. 처리부(301)는, 실시 형태 1~4에 있어서 설명한 기판 처리 장치(100)의 제어부(102)와 마찬가지로, 막두께 측정 장치(200)의 측정 결과로부터 처리 전 측정 데이터(기판 처리의 실행 전의 대상물(TG)의 두께의 분포)를 취득한다. 그리고, 대상물(TG)의 두께의 목표값(목표 두께)를 나타내는 목표 데이터와 처리 전 측정 데이터에 의거하여 입력 데이터를 생성하고, 입력 데이터와 기준 데이터(RE)를 비교하여, 기판 처리를 실행할지 여부를 결정한다. 구체적으로는, 처리부(301)는, 입력 데이터와 기준 데이터(RE)를 비교하여 비교 결과를 취득하고, 비교 결과와 역치(TH)에 의거하여, 기판 처리를 실행할지 여부를 결정한다.
이상, 도 1~도 19, 도 21, 및 도 22를 참조하여 본 발명의 실시 형태 5를 설명했다. 본 실시 형태에 의하면, 실시 형태 1~4와 마찬가지로, 학습이 완료된 모델(LM)로부터 출력되는 처리 조건의 신뢰성을 보증할 수 있다.
이상, 도면(도 1~도 22)을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명했다. 단, 본 발명은, 상기의 실시 형태로 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 양태에 있어서 실시할 수 있다. 또, 상기의 실시 형태에 개시되는 복수의 구성 요소는 적절히 개변 가능하다. 예를 들면, 어떤 실시 형태에 나타나는 전체 구성 요소 중 어떤 구성 요소를 다른 실시 형태의 구성 요소에 추가해도 되고, 또는, 어떤 실시 형태에 나타나는 전체 구성 요소 중 몇 가지 구성 요소를 실시 형태로부터 삭제해도 된다.
도면은, 발명의 이해를 용이하게 하기 위해, 각각의 구성 요소를 주체에 모식적으로 나타내고 있으며, 도시된 각 구성 요소의 두께, 길이, 개수, 간격 등은, 도면 작성의 형편상 실제와는 상이한 경우도 있다. 또, 상기의 실시 형태에서 나타내는 각 구성 요소의 구성은 일례이며, 특별히 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 효과로부터 실질적으로 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경이 가능하다는 것은 말할 필요도 없다.
예를 들면, 도 1~도 22를 참조하여 설명한 실시 형태에서는, 기판(W)을 유지하는 구성으로서, 기판(W)을 협지하는 협지식 척에 대해서 설명했는데, 기판(W)을 유지하는 구성은, 기판(W)을 수평으로 유지할 수 있는 한, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 스핀 척(3)은, 진공식 척이어도 되고, 베르누이식 척이어도 된다.
또, 도 1~도 22를 참조하여 설명한 실시 형태에서는, 작업자가 제1 역치(TH1)의 값을 설정했는데, 제1 역치(TH1)의 값은 기정값이어도 된다. 마찬가지로, 도 1~도 22를 참조하여 설명한 실시 형태에서는, 작업자가 제2 역치(TH2)의 값을 설정했는데, 제2 역치(TH2)의 값은 기정값이어도 된다.
또, 도 1~도 22를 참조하여 설명한 실시 형태에서는, 제1 유클리드 거리가 제1 역치(TH1)보다 큰 경우에 있어서의 기판 처리 장치(100)의 동작을 작업자가 설정했는데, 제1 유클리드 거리가 제1 역치(TH1)보다 큰 경우에 있어서의 기판 처리 장치(100)의 동작은, 기정 동작이어도 된다. 마찬가지로, 도 1~도 22를 참조하여 설명한 실시 형태에서는, 제1 유클리드 거리가 제2 역치(TH2)보다 크며, 제1 역치(TH1) 이하인 경우에 있어서의 기판 처리 장치(100)의 동작을 작업자가 설정했는데, 제1 유클리드 거리가 제2 역치(TH2)보다 크며, 제1 역치(TH1) 이하인 경우에 있어서의 기판 처리 장치(100)의 동작은, 기정 동작이어도 된다.
또, 도 1~도 22를 참조하여 설명한 실시 형태에서는, 역치(TH)로서, 2개의 역치(제1 역치(TH1) 및 제2 역치(TH2))가 설정되었는데, 3개 이상의 역치가 설정되어도 된다.
또, 도 1~도 22를 참조하여 설명한 실시 형태에서는, 기준 데이터(RE)와 입력 데이터를 비교하여 유클리드 거리(제1 유클리드 거리)를 산출했는데, 기준 데이터(RE)와 입력 데이터를 비교하여, 기준 데이터(RE)와 입력 데이터의 유사도를 산출해도 된다. 구체적으로는, DTW(Dynamic time warping)에 의해, 기준 데이터(RE)와 입력 데이터의 유사도를 산출해도 되고, DDTW(Derivative DTW)에 의해, 기준 데이터(RE)와 입력 데이터의 유사도를 산출해도 된다. 이 경우, 학습용 데이터(LD)의 처리량과 기준 데이터(RE)의 유클리드 거리(제2 유클리드 거리)를 대신하여, DTW 또는 DDTW에 의해, 학습용 데이터(LD)의 처리량과 기준 데이터(RE)의 유사도가 산출된다.
또, 도 1~도 22를 참조하여 설명한 실시 형태에서는, 표시부(104)가 에러 화면을 표시함으로써, 작업자에게 에러가 통지되었는데, 에러의 통지는 에러 화면의 표시로 한정되지 않는다. 예를 들면, 기판 처리 장치(100)는, 스피커를 구비할 수 있다. 이 경우, 제어부(102)는, 스피커로부터 에러음을 출력시켜도 된다. 혹은, 기판 처리 장치(100)는, 램프를 구비할 수 있다. 이 경우, 제어부(102)는, 램프를 점멸시켜 작업자에게 에러를 통지해도 되고, 램프를 점등시켜 작업자에게 에러를 통지해도 된다.
또, 도 1~도 22를 참조하여 설명한 실시 형태에 있어서, 스캔 속도 정보는 각 속도 설정 위치의 스캔 속도를 나타냈는데, 스캔 속도 정보는, 스캔 속도의 설정값을 1개만 나타내도 된다. 이 경우, 제1 노즐(51)은, 제1 노즐(51)의 이동 구간의 개시 위치에서 종료 위치까지 일정 속도로 이동한다.
또, 도 1~도 22를 참조하여 설명한 실시 형태에서는, 제1 노즐(51)의 이동 속도가 설정되었는데, 제1 노즐(51)과 기판(W)의 상대적인 이동 속도가 설정되어도 된다. 또한, 기판(W)이 회전하는 경우, 제1 노즐(51)과 기판(W)의 상대적인 이동 속도는, 회전하는 기판(W)의 표면과 제1 노즐(51)의 상대적인 이동 속도를 나타낸다. 예를 들면, 상대적인 이동 속도는, 제1 노즐(51)의 속도 성분(벡터)과, 회전하는 기판(W)에 있어서 제1 노즐(51)과 대향하는 부분의 속도 성분(벡터)의 합을 나타낸다. 여기서, 기판(W)의 속도 성분은, 둘레 방향(CD)의 속도를 나타낸다.
또, 도 1~도 22를 참조하여 설명한 실시 형태에서는, 제1 노즐(51)이 선회했는데, 제1 노즐(51)은 직선 이동해도 된다.
또, 도 1~도 22를 참조하여 설명한 실시 형태에 있어서, 제1 노즐(51)은 스캔 노즐이었는데, 제1 노즐(51)은 고정 노즐이어도 된다. 이 경우, 처리 유닛(1)은, 노즐 이동 기구(6)를 대신하여, 기판(W)을 이동시키는 기판 이동 기구를 구비한다. 레시피 데이터(RP)에는, 스캔 속도를 대신하여, 기판(W)의 이동 속도가 설정된다. 이 경우, 학습이 완료된 모델(LM)은, 기판(W)의 이동 속도를 나타내는 기판 속도 정보를 출력한다. 제어부(102)는, 기판 속도 정보에 의거하여, 기판 이동 기구를 제어한다. 기판 속도 정보는, 스캔 속도 정보와 마찬가지로, 기판(W)이 이동하는 이동 구간을 복수의 구간으로 분할하는 각 위치(각 기판 위치)마다 설정된 기판(W)의 이동 속도를 나타내도 된다. 또한, 기판(W)은 선회해도 되고, 직선 이동해도 된다.
또, 도 1~도 22를 참조하여 설명한 실시 형태에서는, 기판(W)의 처리 중에 제1 노즐(51)만이 이동했는데, 제1 노즐(51)과 기판(W)이 이동해도 된다. 이 경우, 처리 유닛(1)은, 노즐 이동 기구(6)에 더하여, 기판(W)을 이동시키는 기판 이동 기구를 더 구비한다. 레시피 데이터(RP)에는, 스캔 속도와 함께, 기판(W)의 이동 속도가 설정된다. 이 경우, 학습이 완료된 모델(LM)은, 스캔 속도 정보에 더하여, 기판(W)의 이동 속도를 규정하는 기판 속도 정보를 출력한다. 제어부(102)는, 기판 속도 정보에 의거하여, 기판 이동 기구를 제어한다.
또, 도 1~도 22를 참조하여 설명한 실시 형태에서는, 대상물(TG)의 두께를 측정할 때에 광학 프로브(81)가 측정 위치(P)(일정한 위치)에 고정되었는데, 대상물(TG)의 두께를 측정할 때에 광학 프로브(81)는 이동해도 된다. 이 경우, 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 평면에서 봤을 때, 대상물(TG)에 대한 두께의 측정 위치가 원호 형상의 궤적 TJ1을 형성하도록 광학 프로브(81)가 이동한다.
구체적으로는, 대상물(TG)의 두께를 측정할 때에, 광학 프로브(81)는, 평면에서 봤을 때, 기판(W)의 중심부(CT)와 에지부(EG) 사이를 이동하면서, 대상물(TG)를 향해 광을 출사한다. 이 결과, 궤적 TJ1에 포함되는 각 측정 위치에 있어서, 대상물(TG)의 두께가 측정된다. 각 측정 위치는, 기판(W)의 각 반경 위치에 대응하고 있다. 따라서, 두께 측정 처리에 의해, 기판(W)의 경방향(徑方向)에 있어서의 대상물(TG)의 두께의 분포가 측정된다.
또, 도 1~도 22를 참조하여 설명한 실시 형태에 있어서, 학습이 완료된 모델(LM)은 목적 변수로서 스캔 속도 정보를 출력했는데, 스캔 속도 정보를 대신하여, 또는 스캔 속도 정보에 더하여, 처리량에 영향을 주는 다른 처리 조건을 출력해도 된다. 예를 들면, 학습이 완료된 모델(LM)은, 다른 처리 조건으로서, 기판(W)의 회전 속도, 약액 온도, 약액 농도, 및 약액의 토출 유량 중 적어도 하나를 출력해도 된다.
또, 도 1~도 22를 참조하여 설명한 실시 형태에 있어서, 약액은 에칭액이었는데, 약액은 에칭액으로 한정되지 않는다. 약액은, 기판(W)을 처리하는 액체이면 된다. 예를 들면, 약액은, 대상물(TG)을 제거하는 제거액이어도 된다. 제거액을 이용함으로써, 특정 막을 제거하는 처리나, 이물이 혼입되어 있는 특정 막을 제거하는 처리를 실행할 수 있다. 제거액은, 기판(W)에 대해 레지스트 제거 처리를 실행하는 경우, 예를 들면, 황산 과산화수소수 혼합액(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：SPM)이다. 레지스트 제거 처리란, 반도체 기판의 표면으로부터 레지스트를 제거하는 처리이다.
또, 도 1~도 22를 참조하여 설명한 실시 형태에 있어서, 기판 처리는 에칭 처리를 포함하는데, 기판 처리는 에칭 처리로 한정되지 않는다. 예를 들면, 기판 처리는, 성막 처리를 포함할 수 있다. 기판 처리 장치(100)가 성막 처리를 실행하는 경우, 처리액은, 예를 들면, SPM, 또는 오존수이다. 이 경우, 기판(W)에 산화막이 형성된다. 또, 처리량은, 성막량을 나타낸다.
또, 도 1~도 22를 참조하여 설명한 실시 형태에 있어서, 기판 처리 장치(100)는, 기판(W)마다 기판 처리를 실행하는 매엽식 장치였는데, 기판 처리 장치(100)는 복수의 기판(W)에 대해 동시에 기판 처리를 실행하는 배치(batch)식 장치여도 된다.
본 발명은, 기판을 처리하는 분야에 유용하다.
6：노즐 이동 기구 8：두께 측정부
51：제1 노즐 100：기판 처리 장치
102：제어부 103：기억부
104：표시부 111：그래프 표시란
112：제1 설정란 113：제2 설정란
114：제3 설정란 115：제4 설정란
200：막두께 측정 장치 300：정보 처리 장치
301：처리부 302：기억부
1000：기판 처리 시스템 GR：그래프
LD：학습용 데이터 LM：학습이 완료된 모델
RE：기준 데이터 SC：기정 스캔 속도 정보
SE：설정 화면 TG：대상물
TH：역치 TH1：제1 역치
TH2：제2 역치 W：기판

Claims (18)

  1. 기판에 대한 처리인 기판 처리를 실행하는 기판 처리 장치로서,
    상기 기판에 포함되는 대상물의 두께를 측정하는 두께 측정부와,
    상기 기판 처리의 실행 시에 있어서의 처리 조건을 출력하는 학습이 완료된 모델에 대해, 상기 기판 처리에 의한 처리량의 목표값을 나타내는 입력 데이터를 입력함으로써, 상기 학습이 완료된 모델로부터 상기 처리 조건을 출력하게 하는 제어부와,
    상기 학습이 완료된 모델의 구축에 이용된 복수의 학습용 데이터에 의거하여 취득된 기준 데이터를 기억하는 기억부
    를 구비하고,
    상기 학습용 데이터는, 학습 시의 상기 기판 처리에 의한 처리량을 나타내며,
    상기 제어부는,
    상기 기판 처리의 실행 전에, 상기 두께 측정부로 하여금 상기 대상물의 두께를 측정하게 하여, 상기 기판 처리의 실행 전의 상기 대상물의 두께를 나타내는 처리 전 측정 데이터를 취득하고,
    상기 대상물의 두께의 목표값을 나타내는 목표 데이터와 상기 처리 전 측정 데이터에 의거하여 상기 입력 데이터를 생성하고,
    상기 입력 데이터와 상기 기준 데이터를 비교하여, 상기 기판 처리를 실행할지 여부를 결정하는, 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기억부는, 상기 입력 데이터와 상기 기준 데이터의 비교 결과에 대한 적어도 하나의 역치를 기억하고,
    상기 제어부는, 상기 입력 데이터와 상기 기준 데이터를 비교하여 상기 비교 결과를 취득하고, 상기 비교 결과와 상기 적어도 하나의 역치에 의거하여, 상기 기판 처리를 실행할지 여부를 결정하는, 기판 처리 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 비교 결과와 상기 적어도 하나의 역치에 의거하여, 복수의 결정 항목 중 하나를 선택하고,
    상기 복수의 결정 항목은,
    상기 기판 처리를 실행하지 않는 것을 결정하는 제1 결정 항목과,
    상기 학습이 완료된 모델로부터 출력된 상기 처리 조건에 의거하여 상기 기판 처리를 실행함과 더불어, 상기 기판 처리를 실행한 것을 나타내는 정보를 상기 기억부로 하여금 기억하게 하는 것을 결정하는 제2 결정 항목과,
    상기 학습이 완료된 모델로부터 출력된 상기 처리 조건에 의거하여 상기 기판 처리를 실행하는 것을 결정하는 제3 결정 항목
    을 포함하는, 기판 처리 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 적어도 하나의 역치는, 제1 역치와, 상기 제1 역치보다 값이 작은 제2 역치를 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 비교 결과가 상기 제1 역치보다 큰 경우, 상기 제1 결정 항목을 선택하고,
    상기 비교 결과가 상기 제2 역치보다 크며, 상기 제1 역치 이하가 되는 경우, 상기 제2 결정 항목을 선택하고,
    상기 비교 결과가 상기 제2 역치 이하가 되는 경우, 상기 제3 결정 항목을 선택하는, 기판 처리 장치.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 기억부는, 상기 처리 조건으로서, 기정(旣定) 조건을 더 기억하고,
    상기 복수의 결정 항목은, 상기 기정 조건에 의거하여 상기 기판 처리를 실행함과 더불어, 상기 기판 처리를 실행한 것을 나타내는 정보를 상기 기억부로 하여금 기억하게 하는 것을 결정하는 제4 결정 항목을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 적어도 하나의 역치는, 제1 역치와, 상기 제1 역치보다 값이 작은 제2 역치를 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 비교 결과가 상기 제1 역치보다 큰 경우, 상기 제1 결정 항목을 선택하고,
    상기 비교 결과가 상기 제2 역치보다 크며, 상기 제1 역치 이하가 되는 경우, 상기 제2 결정 항목 또는 상기 제4 결정 항목을 선택하고,
    상기 비교 결과가 상기 제2 역치 이하가 되는 경우, 상기 제3 결정 항목을 선택하는, 기판 처리 장치.
  7. 청구항 2 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    설정 화면을 표시하는 표시부를 더 구비하고,
    상기 설정 화면은, 상기 적어도 하나의 역치를 설정하기 위한 설정란을 포함하는, 기판 처리 장치.
  8. 청구항 3 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    설정 화면을 표시하는 표시부를 더 구비하고,
    상기 설정 화면은, 상기 적어도 하나의 역치에 대해 상기 복수의 결정 항목 중 하나를 설정하기 위한 제1 설정란을 포함하는, 기판 처리 장치.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 설정 화면은, 상기 적어도 하나의 역치를 설정하기 위한 제2 설정란을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  10. 청구항 7 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 설정 화면은, 상기 복수의 학습용 데이터를 수치화한 그래프를 표시하는 그래프 표시란을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 설정 화면은, 상기 그래프 표시란에 상기 적어도 하나의 역치를 표시하는, 기판 처리 장치.
  12. 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판을 향해 처리액을 토출하는 노즐을 더 구비하고,
    상기 기판 처리는, 상기 노즐로부터 상기 기판을 향해 상기 처리액을 토출하는 처리를 포함하는. 기판 처리 장치.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 기판 처리의 실행 시에 상기 노즐을 이동시키는 노즐 이동 기구를 더 구비하는, 기판 처리 장치.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 처리 조건은, 상기 노즐의 이동 속도를 포함하는, 기판 처리 장치.
  15. 청구항 12 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리액은, 상기 대상물을 에칭하는 에칭액을 포함하는, 기판 처리 장치.
  16. 기판에 포함되는 대상물의 두께를 측정하는 두께 측정 장치와,
    상기 두께 측정 장치에 의한 상기 대상물의 두께의 측정 후에, 상기 기판에 대한 처리인 기판 처리를 실행하는 기판 처리 장치
    를 구비하는, 기판 처리 시스템으로서,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 기판 처리의 실행 시에 있어서의 처리 조건을 출력하는 학습이 완료된 모델에 대해, 상기 기판 처리에 의한 처리량의 목표값을 나타내는 입력 데이터를 입력함으로써, 상기 학습이 완료된 모델로부터 상기 처리 조건을 출력하게 하는 제어부와,
    상기 학습이 완료된 모델의 구축에 이용된 복수의 학습용 데이터에 의거하여 취득된 기준 데이터를 기억하는 기억부
    를 구비하고,
    상기 학습용 데이터는, 학습 시의 상기 기판 처리에 의한 처리량을 나타내며,
    상기 제어부는,
    상기 두께 측정 장치의 측정 결과로부터, 상기 기판 처리의 실행 전의 상기 대상물의 두께를 나타내는 처리 전 측정 데이터를 취득하고,
    상기 대상물의 두께의 목표값을 나타내는 목표 데이터와 상기 처리 전 측정 데이터에 의거하여 상기 입력 데이터를 생성하고,
    상기 입력 데이터와 상기 기준 데이터를 비교하여, 상기 기판 처리를 실행할지 여부를 결정하는, 기판 처리 시스템.
  17. 기판에 포함되는 대상물의 두께를 측정하는 두께 측정 장치와,
    상기 기판에 대한 처리인 기판 처리를 실행할지 여부를 결정하는 결정 장치와,
    상기 기판 처리의 실행 시에 있어서의 처리 조건을 출력하는 학습이 완료된 모델로 하여금 상기 처리 조건을 출력하게 하여, 상기 기판 처리를 실행하는 기판 처리 장치
    를 구비하는, 기판 처리 시스템으로서,
    상기 결정 장치는,
    상기 학습이 완료된 모델의 구축에 이용된 복수의 학습용 데이터에 의거하여 취득된 기준 데이터를 기억하는 기억부와,
    상기 기판 처리를 실행할지 여부를 결정하는 결정부
    를 구비하고,
    상기 학습용 데이터는, 학습 시의 상기 기판 처리에 의한 처리량을 나타내며,
    상기 결정부는,
    상기 두께 측정 장치의 측정 결과로부터, 상기 기판 처리의 실행 전의 상기 대상물의 두께를 나타내는 처리 전 측정 데이터를 취득하고,
    상기 대상물의 두께의 목표값을 나타내는 목표 데이터와 상기 처리 전 측정 데이터에 의거하여, 상기 기판 처리에 의한 처리량의 목표값을 나타내는 입력 데이터를 생성하고,
    상기 입력 데이터와 상기 기준 데이터를 비교하여, 상기 기판 처리를 실행할지 여부를 결정하며,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 결정 장치에 의해 상기 기판 처리를 실행하는 것이 결정된 경우에, 상기 학습이 완료된 모델에 상기 입력 데이터를 입력하여, 상기 학습이 완료된 모델로부터 상기 처리 조건을 출력하게 하는 제어부를 구비하는, 기판 처리 시스템.
  18. 기판에 포함되는 대상물의 두께를, 기판 처리의 실행 전에 측정하여, 상기 대상물의 두께의 측정 결과를 나타내는 처리 전 측정 데이터를 취득하는 단계와,
    상기 대상물의 두께의 목표값을 나타내는 목표 데이터와 상기 처리 전 측정 데이터에 의거하여, 상기 기판 처리에 의한 처리량의 목표값을 나타내는 입력 데이터를 생성하는 단계와,
    학습이 완료된 모델의 구축에 이용된 복수의 학습용 데이터에 의거하여 취득된 기준 데이터와, 상기 입력 데이터를 비교하여, 상기 기판 처리를 실행할지 여부를 결정하는 단계
    를 포함하고,
    상기 학습용 데이터는, 학습 시의 상기 기판 처리에 의한 처리량을 나타내며,
    상기 학습이 완료된 모델은, 상기 입력 데이터가 입력됨으로써, 상기 기판 처리의 실행 시에 있어서의 처리 조건을 출력하는, 데이터 처리 방법.

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