JP2020068228A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、第1実施形態の基板処理装置100の全体構成を示す図である。基板処理装置100は、処理対象である基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。基板処理装置100は、円形薄板状であるシリコン基板である基板Wに対して、エッチング液および純水などのリンス液を用いて洗浄処理を行った後、乾燥処理を行う。エッチング液としては、フッ酸や硝酸などを含む各種の薬液を採用してもよい。リンス液としては、純水や超純水などの各種の液体を採用してもよい。以下の説明では、エッチング液とリンス液を総称して「処理液」と称する場合がある。
以下、基板処理装置100に搭載された12個の洗浄処理ユニット1のうちの1つに説明するが、他の洗浄処理ユニット1についても、ノズル30の配置関係が異なる点以外は、同一の構成を有する。
関係式912は、基板W周辺の周辺領域PA1の温度分布から、その温度分布状況下でエッチング処理を行った場合のエッチング量の予測値を求めるための数式である。関係式912は、エッチング量を目的変数(従属変数)、サーモグラフィが示す温度分布を説明変数(独立変数)とする重回帰分析によって求められる。
判定用閾値914は、特徴値が示すエッチング量の予測値が予め適正かどうかをエッチング判定部9031が判定するために設定される。判定用閾値914は、例えば、次式(2)で算出されるエッチング量の面内平均値YAve(基板Wの各円周C1〜Cnのエッチング量Y1〜Ynの平均値)について良否基準値(最大値ST1maxおよび最小値ST1min)を含めてもよい。この場合、特徴値演算部902は、関係式912(回帰関数)から求められるエッチング量Y1〜Yn(予測値)から、面内平均値YAveを特徴値として算出するとよい。
次に、基板処理装置100において実施されるエッチング処理のシーケンスについて説明する。図6は、エッチング処理のシーケンスの前半部を示す図である。図7は、エッチング処理のシーケンスの後半部を示す図である。図6および図7に示す各処理は、特に断らない限り、制御部9の制御下で行われるものとする。図6および図7に示すシーケンスは、1つの洗浄処理ユニット1に対して、エッチング処理対象の基板Wが搬入される前の段階から、基板Wがエッチング液で処理された後搬出される段階までの一連の処理を示している。図6および図7に示す各処理が実行されることは必須ではなく、一部を省略してもよい。また、各処理は、矛盾が生じない限りにおいて、異なる順番で実行されてもよい。
基板処理装置100によれば、基板Wが占有する占有領域の温度分布だけではなく、そのまわりの周辺領域PA1の温度分布も取得される。この周辺領域PA1の温度分布を関係式912に代入することによって、エッチング量の予測血に関する特徴値が算出される。このため、予測されるエッチング量を精度良く算出できる。
次に、第2実施形態について説明する。なお、以降の説明において、既に説明した要素と同様の機能を有する要素については、同じ符号又はアルファベット文字を追加した符号を付して、詳細な説明を省略する場合がある。
10 チャンバ
11 側壁
20 基板保持ステージ
21 上面
22 スピンモータ
25 熱源
30 ノズル
36 処理液供給部
37 エッチング液供給部
40 処理カップ
70 サーモグラフィカメラ
9,9A 制御部
91 記憶部
92 表示部
93 操作部
94 報知部
901 サーモグラフィ生成部
902,902A 特徴値演算部
903,903A 規定処理実行部
9031,9031A エッチング判定部
9032 温度制御部
9033 スケジュール変更部
9034 出力制御部
904 関係式生成部
912 関係式(回帰関数)
914 判定用閾値
100 基板処理装置
103 主搬送ロボット
Ax1 回転軸線
K2 分類器
PA 撮像領域
PA1 周辺領域
TH1 サーモグラフィ
TS1 処理空間
W 基板
W1 上面
YAve 面内平均値(特徴値)
YRan 面内レンジ(特徴値)
Yi エッチング量
ri 半径距離
Claims (15)
- 基板をエッチング処理する基板処理装置であって、
内部に処理空間を有するチャンバと、
前記チャンバ内における既定位置に基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板にエッチング液を供給するエッチング液供給部と、
前記基板保持部を既定の回転軸線まわりに回転させる回転部と、
前記チャンバ内のうち、前記既定位置に配された場合に前記基板が占有する基板領域の周りの周辺領域における温度分布を取得する温度分布取得部と、
前記温度分布から、前記エッチング液を用いたエッチング処理による前記基板のエッチング量に関する特徴値を算出する特徴値演算部と、
を備える、基板処理装置。 - 請求項1の基板処理装置であって、
前記特徴値と予め定められた閾値との比較に基づいて、前記基板に対するエッチング処理の良否を判定するエッチング判定部、をさらに含む、基板処理装置。 - 請求項1または請求項2の基板処理装置であって、
前記特徴値演算部は、前記温度分布と前記エッチング量との関係を示す関係式とから前記特徴値を算出する、基板処理装置。 - 請求項3の基板処理装置であって、
前記エッチング処理における規定タイミングでの前記温度分布、および当該エッチング処理が行われた前記基板のエッチング量に基づいて、前記関係式を生成する関係式生成部、
をさらに備える、基板処理装置。 - 請求項4の基板処理装置であって、
前記特徴値演算部は、前記エッチング処理における前記規定タイミングに対応するタイミングの前記温度分布を前記関係式に代入することによって、前記特徴値を算出する、基板処理装置。 - 請求項3から請求項5のいずれか1項の基板処理装置であって、
前記エッチング量は、前記回転軸線を中心とする、異なる半径の各円周上におけるエッチング量である、基板処理装置。 - 請求項1から請求項6のいずれか1項の基板処理装置であって、
前記温度分布取得部は、前記基板保持部によって保持される基板が配置される領域を撮像領域に含むサーモグラフィカメラを有し、
前記温度分布は、サーモグラフィである、基板処理装置。 - 請求項7の基板処理装置であって、
前記関係式は、前記サーモグラフィを構成する各画素値が示す温度を独立変数とし、前記異なる半径の各円周上のエッチング量を従属変数とする回帰関数である、基板処理装置。 - 請求項1から請求項8のいずれか1項の基板処理装置であって、
前記特徴値演算部は、前記基板保持部が前記基板を保持していない状態で取得される前記温度分布から前記特徴値を算出する、基板処理装置。 - 請求項9の基板処理装置であって、
前記特徴値に応じて、前記既定位置に配された基板及び前記周辺領域の温度を変更する温度変更部、
をさらに備える、基板処理装置。 - 請求項9または請求項10の基板処理装置であって、
前記特徴値に応じて、前記チャンバに前記基板が搬入される時間を規定したスケジュールを変更するスケジュール変更部、
をさらに備える、基板処理装置。 - 請求項1から請求項8のいずれか1項の基板処理装置であって、
前記特徴値演算部は、前記基板保持部が前記基板を保持している状態で取得される前記温度分布から前記特徴値を算出する、基板処理装置。 - 請求項12の基板処理装置であって、
前記特徴値に応じて、前記既定位置に配された基板及び前記周辺領域の温度を変更する温度変更部、
をさらに備える、基板処理装置。 - 請求項12または請求項13の基板処理装置であって、
前記特徴値に応じて、前記チャンバに前記基板が搬入される時間を規定したスケジュールを変更するスケジュール変更部、
をさらに備える、基板処理装置。 - 基板処理方法であって、
a) チャンバ内における既定位置に基板を保持することと、
b) 工程a)によって前記既定位置にある前記基板を回転軸線まわりに回転させることと、
c) 工程b)によって回転する前記基板の表面にエッチング液を供給することと、
d) 前記チャンバ内において、前記既定位置に配された場合に前記基板が占有する基板領域の周りの周辺領域における温度分布を取得することと、
e) 工程d)によって取得された前記温度分布から、前記基板に対する前記エッチング液を用いたエッチング処理を評価するための特徴値を算出することと、
を含む、基板処理方法。
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