KR20080084187A - 반도체 기판의 습식 처리 장치 및 이를 이용한 반도체기판의 습식 처리 방법 - Google Patents

반도체 기판의 습식 처리 장치 및 이를 이용한 반도체기판의 습식 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 기판의 습식 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 기판의 습식 처리 방법에 관한 것으로, 반도체 기판에 대해 습식 처리를 하기 위한 케미컬을 담고 있는 배스와, 상기 반도체 기판을 상기 배스로 이송시키는 이송부 및 상기 반도체 기판을 회전시키는 구동부를 포함하기 때문에, 반도체 기판의 전체 표면에 걸쳐 고르게 습식 처리가 진행될 수 있다.
배스, 반도체 기판, 습식 처리, 습식 식각, 습식 세정

Description

반도체 기판의 습식 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 기판의 습식 처리 방법{Apparatus for wet processing of semiconductor substrate and method for using the same}
도 1은 본 발명에 따른 반도체 기판의 습식 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 기판의 습식 처리 방법을 설명하기 위하여 도시한 반도체 기판의 습식 처리 장치의 개략적인 사시도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
102 : 반도체 기판 104 : 웨이퍼 척
106 : 롤러 108 : 구동부
110 : 배스
본 발명은 반도체 기판의 습식 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 기판의 습식 처리 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 기판에 대해 균일하게 습식 처리를 할 수 있는 반도체 기판의 습식 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 기판의 습식 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 디바이스(device)는 반도체 기판의 표면 상부에 여러 가지 기능을 수행하는 박막을 증착하고 이를 패터닝(patterning)하여 다양한 회로 기하구조를 형성함으로써 제조한다. 이러한 반도체 디바이스를 제조하기 위한 공정은 크게, 반도체 기판 상부에 물질막을 증착하는 박막 증착(deposition) 공정, 반도체 기판 표면에 층간 절연막 등을 증착한 후에 일괄적으로 반도체 기판 표면을 연마하여 단차를 없애는 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP)와 같은 평탄화 공정, 산화막 등을 형성하거나 막질을 치밀하게 만들기 위해 실시하는 열처리 공정, 식각(etching) 공정, 세정 공정 등을 포함하는 여러 단위 공정들로 이루어져 있다. 반도체 디바이스를 제조하기 위해서는 이와 같은 여러 단위 공정들을 선택적이고도 반복적으로 실시하여야 한다.
이 중에서 식각 공정은 증착 공정으로 형성된 물질막 상부에 감광막을 코팅하고 마스크(mask)를 이용하여 감광막을 노광한 후, 노광되어 패터닝된 상기 감광막을 식각 마스크로서 이용하여 반도체 기판 상부에 증착되어 있는 물질막을 패터닝하는 포토리소그래피(photolithography)와 같은 공정이다. 여기에서 식각 공정은 다시 건식 식각(dry etching) 공정과 습식 식각(wet etching) 공정으로 분류될 수 있다. 건식 식각 공정은 식각 기체를 이용하여 식각을 진행하는 것을 말하고, 습식 식각 공정은 케미컬(chemical)을 이용하여 식각을 진행하는 것을 말한다. 따라서, 습식 식각 장치는 통상 케미컬을 담고 있는 배스(bath)를 구비하고 있다.
한편, 이러한 여러 단위 공정을 진행하는 과정에서 많은 오염 물질들이 필연적으로 발생하게 된다. 특히, 반도체 기판 상부의 물질막을 패터닝하는 식각 공정 이 완료된 후에는 반도체 기판 상부를 비롯한 주변 장비에 오염물질들이 많이 존재하게 된다. 따라서, 후속 공정을 진행하기 전에 이러한 오염물질 제거를 위한 세정 공정을 필수적으로 진행하게 된다. 이러한 반도체 디바이스 제조 과정에서의 세정공정은, 반도체 기판 상부에 회로 패턴층을 형성하는 과정에서 식각 공정 등으로부터 충분히 제거되지 않은 감광막과 같은 불필요한 물질층이나 공정 과정에서 생성되는 폴리머를 포함한 불순물 및 각종 형태의 파티클 등이 후속 공정에서 불량 요인으로 작용하는 것을 방지하도록 제거하는 공정을 말한다. 이러한 세정 공정은 크게 화학약품을 이용하는 습식 세정과 증기 또는 플라즈마를 이용하는 건식 세정으로 구분할 수 있다. 그리고, 상기 습식 세정에 사용되는 세정액은 제거하고자 하는 불순물의 종류에 따라 산성 또는 알칼리성 세정액으로 구분할 수 있는데, 이러한 세정액은 세정되는 반도체 기판의 종류 및 공정 상태 등과 같은 세정 조건에 따라 그 농도와 양, 그리고 온도 등의 조건 등이 매우 디테일하게 적용된다. 이러한 세정 공정은 대부분 케미컬을 담고 있는 습식 세정 장치에서 진행된다. 즉, 케미컬의 화학적 작용을 통해서 세정 공정이 진행된다. 또한, 습식 식각 공정은 습식 식각 후에 반도체 기판에 묻어 있는 케미컬을 제거하기 위한 세정 공정을 포함할 수 있다. 이에 따라, 습식 식각 장치는 습식 식각용 배스와 습식 세정용 배스를 별도로 구비할 수 있다.
따라서, 반도체 기판에 대한 습식 처리라 함은 습식 식각 및 습식 세정을 포함하는 개념이라 할 수 있다.
본 발명은 반도체 기판을 습식 처리할 때 반도체 기판을 회전시키면서 케미컬을 담고 있는 배스에 인입 및 인출시키기 때문에, 반도체 기판의 전체 표면에 걸쳐 고르게 습식 처리가 진행될 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 기판의 습식 처리 장치는, 반도체 기판에 대해 습식 처리를 하기 위한 케미컬을 담고 있는 배스와, 상기 반도체 기판을 상기 배스로 이송시키는 이송부 및 상기 반도체 기판을 회전시키는 구동부를 포함할 수 있다.
상기 구동부는 상기 반도체 기판의 에지와 맞닿아 설치되는 롤러를 구비할 수 있다. 상기 구동부는 상기 롤러를 회전시키는 모터를 더욱 구비할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 반도체 기판의 습식 처리 방법은, 반도체 기판을 케미컬에 담궈서 상기 반도체 기판에 대해 습식 식각 및 습식 세정을 포함하는 습식 처리를 실시할 때, 상기 반도체 기판을 회전시켜서 상기 케미컬에 인입 및 인출시킬 수 있다.
상기 반도체 기판의 회전 속도는 1~1000RPM일 수 있다. 상기 반도체 기판을 상기 케미컬에 인입시킬 때 180도 회전시킬 수 있다. 상기 반도체 기판을 상기 케미컬로부터 인출시킬 때 180도 회전시킬 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다.
그러나, 본 발명은 이하에서 설명하는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예 에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 기판의 습식 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 기판의 습식 처리 방법을 설명하기 위하여 도시한 반도체 기판의 습식 처리 장치의 개략적인 사시도이다.
도 1을 참조하면, 습식 처리가 요구되는 다수의 반도체 기판(102)은 웨이퍼 척(104)에 의해 고정된다. 하지만 반도체 기판(102)은 웨이퍼 척(104) 내부에서 회전이 가능하다. 배스(110) 내부에는 반도체 기판(102)의 습식 처리 단계에 적합한 케미컬(도시하지 않음)이 저장된다. 다수의 반도체 기판(102)은 웨이퍼 척(104)에 의해 다수의 배스(110)를 순차적으로 이동하며 각각의 배스(110)에 담긴 케미컬(도시하지 않음)에 담궈짐으로서 반도체 기판(102)은 습식 처리가 진행된다.
한편, 웨이퍼 척(104)의 일단에는 중심축을 따라 회전 가능한 롤러(106)가 설치된다. 롤러(106)는 반도체 기판(102)의 에지(edge)과 접하여 설치되어 롤러(106)가 회전하면 마찰력에 의해 반도체 기판(102)이 회전한다. 롤러(106)는 두 개 이상의 롤러로 설치될 수 있다.
또한, 롤러(106)의 일측면에는 롤러(106)를 회전시키는 구동력을 제공하는 구동부(108)가 설치된다. 구동부(108)는 모터 등으로 설치할 수 있으며, 롤러(108) 의 중심축에 설치되어 최소한의 구동력으로 롤러(106)를 회전시킬 수 있다. 한편, 배스(110), 웨이퍼 척(104), 롤러(106) 및 구동부(108)는 배스(110) 내부에 저장되는 케미컬(도시하지 않음)과 화학 반응을 하지 않는 물질로 형성하거나 이러한 물질로 외부를 코팅하는 것이 바람직하다.
상기와 같은 구성을 통하여, 본 발명에 따른 반도체 기판의 습식 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 기판의 습식 처리 방법을 설명하면 다음과 같다.
습식 처리가 요구되는 반도체 기판(102)은 웨이퍼 척(104)에 의해 배스(110) 상부로 이동된다. 그러면 구동부(108)의 회전에 의해 롤러(106)가 회전하고, 롤러(106)의 회전에 의해 반도체 기판(102)은 웨이퍼 척(104) 내에서 회전하게 된다. 반도체 기판(102)이 회전하는 속도는 1~1000RPM으로 하는 것이 바람직하다. 그리고, 웨이퍼 척(104)을 아래로 이동시켜 배스(110)에 저장된 케미컬(도시하지 않음)에 반도체 기판(102)을 인입시킨다. 반도체 기판(102)이 케미컬(도시하지 않음)에 완전히 인입되면, 반도체 기판(102)이 케미컬(도시하지 않음)에 인입하기 시작했을 때보다 180도로 회전된 상태가 된다. 이어서, 케미컬(도시하지 않음)에 의해 반도체 기판(102)에 습식 처리가 진행된다.
이후에, 반도체 기판(102)이 습식 처리를 끝내고 케미컬(도시하지 않음)에서 인출될 때 반도체 기판(102)은 회전한다. 반도체 기판(102)이 회전하는 속도는 1~1000RPM으로 하는 것이 바람직하다. 이때, 반도체 기판(102)이 케미컬(도시하지 않음)에서 완전히 인출될 때까지 180도로 회전하여, 반도체 기판(102)이 케미컬(도시하지 않음)에 인입하기 시작했을 때와 동일하게 위치되도록 한다. 이로 인하여 반도체 기판(102)이 케미컬(도시하지 않음)에 담궈지는 방향에 상관없이 반도체 기판(102)의 표면에 고르게 케미컬(도시하지 않음)이 접하여 습식 처리가 진행될 수 있다.
통상적으로, 반도체 기판(102)에 대해 습식 처리를 진행할 때 반도체 기판(102)을 수직으로 배스(110)에 담그게 된다. 그러면 최초로 담궈진 반도체 기판(102)의 일부분과 최후로 담궈진 반도체 기판(102)의 일부분이 케미컬에 반응하는 시간은 반도체 기판(102)의 직경에 따라 차이가 나게 된다. 그러면 반도체 기판(102)의 전체 표면에 대해 고르게 습식 처리가 진행되지 않고 불균일하게 습식 처리가 진행될 수 있다. 예를 들어, 습식 처리가 습식 식각일 경우 반도체 기판(102)의 위치에 따라 식각되는 양이 차이가 나기 때문에, 반도체 기판(102) 상에 불균일한 두께의 막이 형성될 수 있다. 특히, 이러한 경향은 반도체 소자의 생산 수율을 향상시키기 위하여 반도체 기판의 직경을 보다 크게 형성하려는 기술 발전 방향을 고려하면, 앞으로 더욱 중요한 이슈가 될 것이다.
하지만, 본 발명의 실시예에 따르면, 반도체 기판(102)의 습식 처리를 위하여 배스(110)에 저장된 케미컬에 반도체 기판(102)을 인입하거나 인출할 때 반도체 기판(102)을 회전시킴으로써, 배스(110)로 진입하는 반도체 기판(102)의 방향과 상관없이 반도체 기판(102) 표면에 케미컬이 반응하는 시간이 균일할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 기판의 습식 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 기판의 습식 처리 방법은 반도체 기판을 습식 처리할 때 반도체 기판을 회전시키면서 케미컬을 담고 있는 배스에 인입 및 인출시키기 때문에, 반도체 기판의 전체 표면에 걸쳐 고르게 습식 처리가 진행될 수 있다.

Claims (7)

  1. 반도체 기판에 대해 습식 처리를 하기 위한 케미컬을 담고 있는 배스;
    상기 반도체 기판을 상기 배스로 이송시키는 이송부; 및
    상기 반도체 기판을 회전시키는 구동부를 포함하는 반도체 기판의 습식 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 구동부는 상기 반도체 기판의 에지와 맞닿아 설치되는 롤러를 구비하는 반도체 기판의 습식 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 구동부는 상기 롤러를 회전시키는 모터를 더욱 구비하는 반도체 기판의 습식 처리 장치.
  4. 반도체 기판을 케미컬에 담궈서 상기 반도체 기판에 대해 습식 식각 및 습식 세정을 포함하는 습식 처리를 실시할 때,
    상기 반도체 기판을 회전시켜서 상기 케미컬에 인입 및 인출시키는 반도체 기판의 습식 처리 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 반도체 기판의 회전 속도는 1~1000RPM인 반도체 기판의 습식 처리 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 반도체 기판을 상기 케미컬에 인입시킬 때 180도 회전시키는 반도체 기판의 습식 처리 방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 반도체 기판을 상기 케미컬로부터 인출시킬 때 180도 회전시키는 반도체 기판의 습식 처리 방법.
KR1020070025517A 2007-03-15 2007-03-15 반도체 기판의 습식 처리 장치 및 이를 이용한 반도체기판의 습식 처리 방법 KR20080084187A (ko)

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