JP5208405B2 - 基板の処理方法及びプログラム - Google Patents
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Description
4 加熱炉
18 平坦化装置
83 ブラシ
A 塗布絶縁膜
B 下地パターン
W ウェハ
Claims (15)
- 基板に多層配線構造を形成するにあたり、金属配線間に平坦な絶縁膜を形成するための基板の処理方法であって、
基板に絶縁膜の塗布液を塗布し、塗布膜を形成する塗布工程と、
次いで前記基板を加熱して、前記塗布液の溶剤を供給しても溶解しない状態になるように前記塗布膜を途中まで硬化する中間硬化工程と、
前記途中まで硬化された塗布膜の表面に接触体を押し当てて、当該接触体を塗布膜の表面に沿って移動させて、塗布膜を平坦化する平坦化工程と、
その後、塗布膜を硬化する硬化工程と、を有し、
前記平坦化工程においては、前記基板を回転させながら前記塗布液の溶剤を供給することで、前記接触体と塗布膜との間に発生する摩擦熱を除去しつつ塗布膜の残渣を洗い落とすことを特徴とする、基板の処理方法。 - 前記平坦化工程においては、前記接触体が基板の中心部に位置しているときより、基板の周辺部に位置しているときの方が、溶剤の供給量が多いことを特徴とする、請求項1に記載の基板の処理方法。
- 前記平坦化工程においては、前記接触体が基板の中心位置から、基板の縁部が接触体に接触する周縁部位置まで移動することを特徴とする、請求項1〜2のいずれかに記載の基板の処理方法。
- 前記平坦化工程においては、前記接触体は基板の中心部と端部との間を往復移動させ、
接触体による平坦化を終了する際には塗布膜の表面に接触体を押し当てたまま、接触体を基板の外側まで移動させて接触体を基板から離脱させることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の基板の処理方法。 - 前記平坦化工程においては、平坦化の後に、基板表面を洗浄する洗浄工程を有し、
この洗浄工程においては、基板を回転させながら塗布液の溶剤を基板の中心に吐出し、その後基板中心に窒素ガスまたは不活性ガスを吹き付けて基板中心部の液膜を除去する工程を有することを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の基板の処理方法。 - 前記平坦化工程と前記硬化工程の間に、前記平坦化工程で形成された平坦面上に、前記塗布工程における塗布膜よりも薄い塗布膜を形成する塗布膜形成工程を有し、
前記薄い塗布膜は、前記硬化工程後に、エッチングによって除去されることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の基板の処理方法。 - 前記薄い塗布膜が形成された基板を加熱することを特徴とする、請求項6に記載の基板の処理方法。
- 前記平坦化工程では、最終的に形成される目標平坦面上に薄い塗布膜が残るように、塗布膜が平坦化され、
前記薄い塗布膜は、前記硬化工程後に、エッチングにより除去されることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の基板の処理方法。 - 前記平坦化工程の終了した基板を加熱する加熱工程を有することを特徴とする、請求項1〜8のいずれかに記載の基板の処理方法。
- 前記加熱工程よりも高い温度で基板を加熱する高温加熱工程、又は基板に紫外線を照射する紫外線照射工程の少なくともいずれかを、前記加熱工程の後に行うことを特徴とする、請求項9に記載の基板の処理方法。
- 前記平坦化工程では、スポンジ状の接触体により塗布膜が平坦化されることを特徴とする、請求項1〜10のいずれかに記載の基板の処理方法。
- 前記塗布工程は、素子分離溝の形成された下地上に絶縁材料を塗布する工程であることを特徴とする、請求項1〜11のいずれかに記載の基板の処理方法。
- 前記塗布工程は、電子素子の形成された下地上に絶縁材料を塗布する工程であることを特徴とする、請求項1〜11のいずれかに記載の基板の処理方法。
- 前記塗布工程は、金属配線の形成された下地上に絶縁材料を塗布する工程であることを特徴とする、請求項1〜11のいずれかに記載の基板の処理方法。
- 請求項1〜14のいずれかに記載の基板の処理方法を基板処理装置によって実行させるために、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
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