JPH03241858A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
半導体基板の製造方法Info
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- JPH03241858A JPH03241858A JP3874590A JP3874590A JPH03241858A JP H03241858 A JPH03241858 A JP H03241858A JP 3874590 A JP3874590 A JP 3874590A JP 3874590 A JP3874590 A JP 3874590A JP H03241858 A JPH03241858 A JP H03241858A
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- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 16
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体基板の製造方法に関し、特に半導体基板
表面の平坦化の改良に関するものである。
表面の平坦化の改良に関するものである。
［従来の技術］
従来より半導体基板表面を平坦化する方法として、樹脂
層を形成して表面の凹凸及びうねりを平坦化するという
技術があり、多層配線構造を有した半導体装置等の製造
工程において広く一般に用いられている。
層を形成して表面の凹凸及びうねりを平坦化するという
技術があり、多層配線構造を有した半導体装置等の製造
工程において広く一般に用いられている。
樹脂層を形成する方法としては、ロールコータ、８スピ
ンナ、印刷等により塗布し形成する方法があ凹凸の段差
や段差間の空間部が大きくなると平坦化は困難になるが
、特開平１−１８８８０２号公報の様に、樹脂を基板表
面に充填することによって平坦化する方法が提案されて
いる。この方法は全面にわたる平坦性を実現するもので
、前記微小部分の平坦化に対して、平滑化と呼び区別す
る。
ンナ、印刷等により塗布し形成する方法があ凹凸の段差
や段差間の空間部が大きくなると平坦化は困難になるが
、特開平１−１８８８０２号公報の様に、樹脂を基板表
面に充填することによって平坦化する方法が提案されて
いる。この方法は全面にわたる平坦性を実現するもので
、前記微小部分の平坦化に対して、平滑化と呼び区別す
る。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら上記のような平坦化法では半導体基板の凹
凸に沿った樹脂層が形成されるため、完全な平坦化は困
難である。さらに平坦化を図るために樹脂層を数回重ね
て形成すると、製造工数が多く、膜厚が大きくなる等の
問題がある。
凸に沿った樹脂層が形成されるため、完全な平坦化は困
難である。さらに平坦化を図るために樹脂層を数回重ね
て形成すると、製造工数が多く、膜厚が大きくなる等の
問題がある。
また、樹脂は、溶剤の揮発あるいは樹脂自体の特性によ
って焼成時に熱変形が生じる。このため充填し平坦化し
た塗布を行なっても、焼成後は半導体基板の凹凸を反映
した塗布量に応じて変形が起こり、平坦化が困難である
という課題を有していた。
って焼成時に熱変形が生じる。このため充填し平坦化し
た塗布を行なっても、焼成後は半導体基板の凹凸を反映
した塗布量に応じて変形が起こり、平坦化が困難である
という課題を有していた。
本発明は、このような従来の欠点を解決するもので、そ
の目的とするところは、簡単な製造工程で半導体基板表
面の凹凸を平坦化できるとともに、全面にわたって均一
に平滑化することができる半導体基板の製造方法を提供
するものである。
の目的とするところは、簡単な製造工程で半導体基板表
面の凹凸を平坦化できるとともに、全面にわたって均一
に平滑化することができる半導体基板の製造方法を提供
するものである。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体基板の製造方法は、
（１） ａ）前記半導体基板上に樹脂層を形成する工程
と、 ｂ）前記樹脂層を半硬化させるため前焼成する工程と、 Ｃ）前記焼成した樹脂層に所定の圧力を加えたスキージ
を密着して走らせることによって、前記半導体基板表面
を平坦化する工程からなることを特徴とする。
と、 ｂ）前記樹脂層を半硬化させるため前焼成する工程と、 Ｃ）前記焼成した樹脂層に所定の圧力を加えたスキージ
を密着して走らせることによって、前記半導体基板表面
を平坦化する工程からなることを特徴とする。
（２） ａ）前記半導体基板上に樹脂層を形成する工程
と、 ｂ）前記樹脂層を形成した半導体基板表面に所定の間隔
を有したスキージを走らせることにより樹脂を充填する
工程と、 Ｃ）前記樹脂層を半硬化させるため前焼成する工程ｄ）
前記焼成した樹脂層に所定の圧力を加えたスキージを密
着して走らせることによって、前記半導体基板表面を平
坦化する工程、 からなることを特徴とする。
と、 ｂ）前記樹脂層を形成した半導体基板表面に所定の間隔
を有したスキージを走らせることにより樹脂を充填する
工程と、 Ｃ）前記樹脂層を半硬化させるため前焼成する工程ｄ）
前記焼成した樹脂層に所定の圧力を加えたスキージを密
着して走らせることによって、前記半導体基板表面を平
坦化する工程、 からなることを特徴とする。
［実施例コ
以下、本発明の一実施例について図面を用いて詳細に説
明する。
明する。
実施例１
実施例１においては、まず４μｍの段差を有した半導体
基板上にスピンコータを用いてポリイミドをできるだけ
均一に塗布する。
基板上にスピンコータを用いてポリイミドをできるだけ
均一に塗布する。
次にポリイミドを完全に硬化させないように１００℃〜
１３０℃で約１５分間焼成を行なう、、焼成後、ポリイ
ミド層は第２図（ｂ）の様な形状に変化する。
１３０℃で約１５分間焼成を行なう、、焼成後、ポリイ
ミド層は第２図（ｂ）の様な形状に変化する。
次に第１図と同様な方法によって、今度はスキージに所
定の圧力を加えポリイミド層に密着して走らせる。前記
焼成によってポリイミドは加工容易な硬度を残している
ので、表面のうねりはスキージによって第２図（Ｃ）の
如く平坦化される。
定の圧力を加えポリイミド層に密着して走らせる。前記
焼成によってポリイミドは加工容易な硬度を残している
ので、表面のうねりはスキージによって第２図（Ｃ）の
如く平坦化される。
この後完全に硬化させてもポリイミドの変形はほとんど
なく、平坦性は保存される。
なく、平坦性は保存される。
実施例２
実施例２においては、まず４μｍの段差を有した半導体
基板上にスピンコータを用いてポリイミドを塗布し、次
いで第１図に示すようにスキージを走らせることによっ
て、第２図（ａ）の如くポリイミドを基板部に充填し平
坦化層を形成する。
基板上にスピンコータを用いてポリイミドを塗布し、次
いで第１図に示すようにスキージを走らせることによっ
て、第２図（ａ）の如くポリイミドを基板部に充填し平
坦化層を形成する。
次にポリイミドを完全に硬化させないように１００″Ｃ
〜１３０℃で約１５分間焼成を行なう。焼成後、ポリイ
ミド層は第２図（ｂ）の様な形状に変化する。
〜１３０℃で約１５分間焼成を行なう。焼成後、ポリイ
ミド層は第２図（ｂ）の様な形状に変化する。
次に実施例１と同様、スキージに所定の圧力を加えポリ
イミド層に密着して走らせる。前記焼成によってポリイ
ミドは加工容易な硬度を残しているので、表面の−うね
りはスキージによって第２図（Ｃ）の如く平坦化される
。
イミド層に密着して走らせる。前記焼成によってポリイ
ミドは加工容易な硬度を残しているので、表面の−うね
りはスキージによって第２図（Ｃ）の如く平坦化される
。
実施例２において、樹脂を塗布する際スキージを走らせ
ることによって充填し平坦化層を形成する工程は、焼成
後の表面のうねりを最小にする効果があり、平坦化をよ
り簡単に行うための方法である。
ることによって充填し平坦化層を形成する工程は、焼成
後の表面のうねりを最小にする効果があり、平坦化をよ
り簡単に行うための方法である。
このように半導体基板表面の微小部分の平坦化だけでな
く、基板全面にわたる平滑化も簡単に行うことができる
。さらに樹脂の塗布■、焼成温度及びスキージの圧力を
適当に調整することによって、所望の膜厚を得ることも
可能である。
く、基板全面にわたる平滑化も簡単に行うことができる
。さらに樹脂の塗布■、焼成温度及びスキージの圧力を
適当に調整することによって、所望の膜厚を得ることも
可能である。
以上のように本発明は、樹脂を半導体基板の表面形状に
とられれることなく塗布また硬化できるので、これによ
り表面が平滑な半導体基板を得ることができる。
とられれることなく塗布また硬化できるので、これによ
り表面が平滑な半導体基板を得ることができる。
なお本発明の実施例では樹脂にポリイミドを用いたが、
他の樹脂を用いた場合でも本発明の方法により平坦化さ
れるので、本発明は有効である。
他の樹脂を用いた場合でも本発明の方法により平坦化さ
れるので、本発明は有効である。
また半導体基板表面が本発明の実施例の矩形型形状以外
の場合でも平坦化効果があり、本発明は有効である。
の場合でも平坦化効果があり、本発明は有効である。
さらに多層構造を有した半導体装置の製造においても本
発明の方法により平坦化を行なうことができるので、本
発明は有効である。
発明の方法により平坦化を行なうことができるので、本
発明は有効である。
［発明の効果コ
以上述べてきたように本発明によれば、半導体基板の表
面形状に影響されることなく、平滑な半導体基板を簡単
な方法で得られるものである。これにより基板上に透明
電極の形成、加工が容易にできる。また、表面が平坦で
あるので、多層構造を構成する一要素として加工するこ
とができる。
面形状に影響されることなく、平滑な半導体基板を簡単
な方法で得られるものである。これにより基板上に透明
電極の形成、加工が容易にできる。また、表面が平坦で
あるので、多層構造を構成する一要素として加工するこ
とができる。
本実施例の別の効果として、均一なギャップのパネルを
作成することができるので、液晶パネル等に用いられる
光導電体として応用することができる。
作成することができるので、液晶パネル等に用いられる
光導電体として応用することができる。
第１図は本発明の一実施例における半導体基板上ｔこ樹
脂を平坦に塗布する状態を示す図、第２図（ａ）〜（Ｃ
）は本発明の一実施例における工程の断面図である。 １０１ ・・・ スキージ １０２ ・・・ 半導体基板 １０３ ・・・ 樹脂層が形成された半導体基板部１０
４ ・・・ 樹脂 以 上
脂を平坦に塗布する状態を示す図、第２図（ａ）〜（Ｃ
）は本発明の一実施例における工程の断面図である。 １０１ ・・・ スキージ １０２ ・・・ 半導体基板 １０３ ・・・ 樹脂層が形成された半導体基板部１０
４ ・・・ 樹脂 以 上
Claims (2)
- （１）半導体基板上に樹脂層を形成して前記半導体基板
表面の凹凸及びうねりを平坦化する方法において、 ａ）前記半導体基板上に樹脂層を形成する工程と、ｂ）
前記樹脂層を半硬化させるため前焼成する工程と、 ｃ）前記焼成した樹脂層に所定の圧力を加えたスキージ
を密着して走らせることによって、前記半導体基板表面
を平坦化する工程、 からなることを特徴とする半導体基板の製造方法。 - （２）半導体基板上に樹脂層を形成して前記半導体基板
表面の凹凸及びうねりを平坦化する方法において、 ａ）前記半導体基板上に樹脂層を形成する工程と、ｂ）
前記樹脂層を形成した半導体基板表面に所定の間隔を有
したスキージを走らせることにより樹脂を充填する工程
と、、 ｃ）前記樹脂層を半硬化させるため前焼成する工程と、 ｄ）前記焼成した樹脂層に所定の圧力を加えたスキージ
を密着して走らせることによって、前記半導体基板表面
を平坦化する工程、 からなることを特徴とする半導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3874590A JPH03241858A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3874590A JPH03241858A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 半導体基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03241858A true JPH03241858A (ja) | 1991-10-29 |
Family
ID=12533852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3874590A Pending JPH03241858A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03241858A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007201428A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法及びプログラム |
| JP2018081957A (ja) * | 2016-11-14 | 2018-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法及び記憶媒体 |
-
1990
- 1990-02-20 JP JP3874590A patent/JPH03241858A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007201428A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法及びプログラム |
| JP2018081957A (ja) * | 2016-11-14 | 2018-05-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法及び記憶媒体 |
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