JPH04316022A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH04316022A JPH04316022A JP10827291A JP10827291A JPH04316022A JP H04316022 A JPH04316022 A JP H04316022A JP 10827291 A JP10827291 A JP 10827291A JP 10827291 A JP10827291 A JP 10827291A JP H04316022 A JPH04316022 A JP H04316022A
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子（以下、
ＬＣＤと略称）の製造方法に係り、特に、Ｓ−ＴＮタイ
プのドツトマトリクス型ＬＣＤのように透明電極がフア
インピツチに形成されているＬＣＤにおける電極基板の
製造方法に関する。
ＬＣＤと略称）の製造方法に係り、特に、Ｓ−ＴＮタイ
プのドツトマトリクス型ＬＣＤのように透明電極がフア
インピツチに形成されているＬＣＤにおける電極基板の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ドツトマトリクス型ＬＣＤの電極基板を
製造する従来技術は、概ね次のとおりである。
製造する従来技術は、概ね次のとおりである。
【０００３】まず、ガラス基板上にＩＴＯ等からなる透
明導電膜を蒸着やスパツタ等の手法を用いて形成し、こ
の透明導電膜上にホトレジスト層を塗布形成してから、
８０〜１１０℃に温度設定して溶媒を除去するためのプ
リベークを行う。次いで、ホトレジスト層を所定のパタ
ーン形状となすべく露光・現像し、薬品で洗浄してパタ
ーン領域以外のホトレジスト層を除去する。さらに、残
存するホトレジスト層を熱硬化させるべく１２０℃程度
でポストベークしてから、このホトレジスト層にマスク
されていない透明導電膜をエツチング処理して、所望の
パターン形状の透明導電膜、つまり透明電極を得る。な
お、これら一連の工程はホトエツチング技術と称される
。そして、透明電極上のホトレジスト層を剥離した後、
ポリイミド等からなる配向膜を塗布形成して各透明電極
を被覆し、この配向膜の表面をラビング布で所定方向に
こするというラビング配向処理を行つて、電極基板を完
成する。こうして得た電極基板は、シール材を介して一
対組み合わされ、微小ギヤツプを存して対向配置される
両電極基板間に液晶を封入して液晶セルとなる。
明導電膜を蒸着やスパツタ等の手法を用いて形成し、こ
の透明導電膜上にホトレジスト層を塗布形成してから、
８０〜１１０℃に温度設定して溶媒を除去するためのプ
リベークを行う。次いで、ホトレジスト層を所定のパタ
ーン形状となすべく露光・現像し、薬品で洗浄してパタ
ーン領域以外のホトレジスト層を除去する。さらに、残
存するホトレジスト層を熱硬化させるべく１２０℃程度
でポストベークしてから、このホトレジスト層にマスク
されていない透明導電膜をエツチング処理して、所望の
パターン形状の透明導電膜、つまり透明電極を得る。な
お、これら一連の工程はホトエツチング技術と称される
。そして、透明電極上のホトレジスト層を剥離した後、
ポリイミド等からなる配向膜を塗布形成して各透明電極
を被覆し、この配向膜の表面をラビング布で所定方向に
こするというラビング配向処理を行つて、電極基板を完
成する。こうして得た電極基板は、シール材を介して一
対組み合わされ、微小ギヤツプを存して対向配置される
両電極基板間に液晶を封入して液晶セルとなる。
【０００４】ところで今日、この種のドツトマトリクス
型ＬＣＤは、解像度を高めるために透明電極のピツチが
ますます狭められる傾向にあるが、上述した従来技術に
おいて透明電極のパターンがフアインピツチに形成され
ると、隣接する透明電極間にリバースドメインが発生し
やすくなり、表示品位を損なう要因となつていた。これ
は、図２に示すように、ガラス基板１上にパターニング
されている透明電極２が断面視長方形状であつて、そこ
に塗布される配向膜３も同様の形状となることから、隣
接する透明電極２，２の間隔が狭くなると同図のＡ部に
ラビング布（図示せず）が当接しにくくなり、その結果
、配向不良を招来するためと考えられる。
型ＬＣＤは、解像度を高めるために透明電極のピツチが
ますます狭められる傾向にあるが、上述した従来技術に
おいて透明電極のパターンがフアインピツチに形成され
ると、隣接する透明電極間にリバースドメインが発生し
やすくなり、表示品位を損なう要因となつていた。これ
は、図２に示すように、ガラス基板１上にパターニング
されている透明電極２が断面視長方形状であつて、そこ
に塗布される配向膜３も同様の形状となることから、隣
接する透明電極２，２の間隔が狭くなると同図のＡ部に
ラビング布（図示せず）が当接しにくくなり、その結果
、配向不良を招来するためと考えられる。
【０００５】そこで従来、特開平２−２７２４２８号公
報に開示されているように、所定のパターン形状の透明
電極を形成した後、その基板をエツチング液に浸漬する
ことにより、各透明電極の角部を除去するという手法が
提案されている。このようにして各透明電極の断面視形
状に丸みを持たせてやると、透明電極を被覆して塗布形
成される配向膜の凹凸がなだらかになるので、透明電極
のパターンがフアインピツチの場合にも配向膜に対する
ラビング配向処理にむらが生じにくくなり、配向不良が
回避できる。
報に開示されているように、所定のパターン形状の透明
電極を形成した後、その基板をエツチング液に浸漬する
ことにより、各透明電極の角部を除去するという手法が
提案されている。このようにして各透明電極の断面視形
状に丸みを持たせてやると、透明電極を被覆して塗布形
成される配向膜の凹凸がなだらかになるので、透明電極
のパターンがフアインピツチの場合にも配向膜に対する
ラビング配向処理にむらが生じにくくなり、配向不良が
回避できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来提案は、各透明電極の角部を除去するためにエツ
チング液に浸漬するという工程を付加しなければならな
いので、工程数増加による生産性の劣化やコストアツプ
を余儀なくされるという不具合があつた。
た従来提案は、各透明電極の角部を除去するためにエツ
チング液に浸漬するという工程を付加しなければならな
いので、工程数増加による生産性の劣化やコストアツプ
を余儀なくされるという不具合があつた。
【０００７】したがつて本発明の目的とするところは、
上記従来技術の課題を解消し、工程数を増やさずに各透
明電極の断面視形状に丸みを持たせて配向不良が回避で
きるＬＣＤの製造方法を提供することにある。
上記従来技術の課題を解消し、工程数を増やさずに各透
明電極の断面視形状に丸みを持たせて配向不良が回避で
きるＬＣＤの製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記した本発明の目的は
、透明導電膜上にホトレジスト層を形成してプリベーク
、露光・現像を行つた後のポストベーク工程で、その温
度を５０〜９０℃に設定することによつて達成される。
、透明導電膜上にホトレジスト層を形成してプリベーク
、露光・現像を行つた後のポストベーク工程で、その温
度を５０〜９０℃に設定することによつて達成される。
【０００９】
【作用】５０〜９０℃という比較的低温でポストベーク
を行うとホトレジスト層と透明導電膜との密着性がさほ
ど強くならないので、ホトレジスト層にマスクされてい
ない透明導電膜を除去するというその後のエツチング工
程で、ホトレジスト層にマスクされている透明導電膜の
角部が除去されるサイドエツチングが行われ、結果とし
て各透明電極の断面視形状が丸みを帯びる。
を行うとホトレジスト層と透明導電膜との密着性がさほ
ど強くならないので、ホトレジスト層にマスクされてい
ない透明導電膜を除去するというその後のエツチング工
程で、ホトレジスト層にマスクされている透明導電膜の
角部が除去されるサイドエツチングが行われ、結果とし
て各透明電極の断面視形状が丸みを帯びる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図に基づいて説明す
る。
る。
【００１１】図１は本発明の一実施例に係るドツトマト
リクス型ＬＣＤの電極基板の製造工程図であつて、まず
、同図（ａ）に示すように、ガラス基板５上に蒸着やス
パツタ等の手法を用いてＩＴＯ等からなる透明導電膜６
を形成する。なお、図示はしていないが実際にはガラス
基板５と透明導電膜６との間に、ガラス中のＮａ成分の
溶出を防止するためのアンダーコート層が介設される。 次いで、同図（ｂ）に示すように、透明導電膜６上にホ
トレジスト層７を塗布形成し、８０〜１１０℃に温度設
定して溶媒を除去するためのプリベークを行う。この後
、ホトレジスト層７を所定のパターン形状となすべく露
光・現像し、薬品で洗浄してパターン領域以外のホトレ
ジスト層７を除去することにより、同図（ｃ）に示すよ
うに、ドツトマトリクス型ＬＣＤの電極パターン形状に
対応させた複数条のホトレジスト層７を残存させる。そ
して、残存するホトレジスト層７を熱硬化させるべくポ
ストベークを行うが、そのときの温度は従来（約１２０
℃）よりも低い８０℃に設定しておき、ポストベーク後
にエツチング処理して、ホトレジスト層７にマスクされ
ていない透明導電膜６を除去することにより、同図（ｄ
）に示すように、透明導電膜６をパターニングしてなる
透明電極８を得る。このエツチング工程では、ポストベ
ーク工程での温度が低くホトレジスト層７と透明導電膜
６との密着性がさほど強くないことから、ホトレジスト
層７にマスクされていない透明導電膜６が除去されるの
みならず、ホトレジスト層７にマスクされている透明導
電膜６の角部も除去（サイドエツチング）され、その結
果図示の如く、各透明電極８の断面視形状は丸みを帯び
たものとなる。この後、同図（ｅ）に示すように、透明
電極８上のホトレジスト層７を剥離し、次いで同図（ｆ
）に示すように、ポリイミド等からなる配向膜９を塗布
形成して各透明電極８を被覆し、しかる後、この配向膜
９の表面をラビング布（図示せず）を用いて配向処理し
、電極基板を完成する。
リクス型ＬＣＤの電極基板の製造工程図であつて、まず
、同図（ａ）に示すように、ガラス基板５上に蒸着やス
パツタ等の手法を用いてＩＴＯ等からなる透明導電膜６
を形成する。なお、図示はしていないが実際にはガラス
基板５と透明導電膜６との間に、ガラス中のＮａ成分の
溶出を防止するためのアンダーコート層が介設される。 次いで、同図（ｂ）に示すように、透明導電膜６上にホ
トレジスト層７を塗布形成し、８０〜１１０℃に温度設
定して溶媒を除去するためのプリベークを行う。この後
、ホトレジスト層７を所定のパターン形状となすべく露
光・現像し、薬品で洗浄してパターン領域以外のホトレ
ジスト層７を除去することにより、同図（ｃ）に示すよ
うに、ドツトマトリクス型ＬＣＤの電極パターン形状に
対応させた複数条のホトレジスト層７を残存させる。そ
して、残存するホトレジスト層７を熱硬化させるべくポ
ストベークを行うが、そのときの温度は従来（約１２０
℃）よりも低い８０℃に設定しておき、ポストベーク後
にエツチング処理して、ホトレジスト層７にマスクされ
ていない透明導電膜６を除去することにより、同図（ｄ
）に示すように、透明導電膜６をパターニングしてなる
透明電極８を得る。このエツチング工程では、ポストベ
ーク工程での温度が低くホトレジスト層７と透明導電膜
６との密着性がさほど強くないことから、ホトレジスト
層７にマスクされていない透明導電膜６が除去されるの
みならず、ホトレジスト層７にマスクされている透明導
電膜６の角部も除去（サイドエツチング）され、その結
果図示の如く、各透明電極８の断面視形状は丸みを帯び
たものとなる。この後、同図（ｅ）に示すように、透明
電極８上のホトレジスト層７を剥離し、次いで同図（ｆ
）に示すように、ポリイミド等からなる配向膜９を塗布
形成して各透明電極８を被覆し、しかる後、この配向膜
９の表面をラビング布（図示せず）を用いて配向処理し
、電極基板を完成する。
【００１２】このように上記実施例にあっては、ポスト
ベーク温度を低く設定することで透明電極８の断面視形
状に丸みを持たせてあるので、透明電極８のパターンが
フアインピツチに形成された場合にも配向膜９の凹凸が
なだらかになり、配向膜９に対するラビング配向処理に
むらが生じにくくなつて配向不良が回避できる。しかも
、透明電極８の断面視形状に丸みを帯びさせるために特
別な工程を付加する必要がないので、生産性の劣化やコ
ストアツプの心配もない。
ベーク温度を低く設定することで透明電極８の断面視形
状に丸みを持たせてあるので、透明電極８のパターンが
フアインピツチに形成された場合にも配向膜９の凹凸が
なだらかになり、配向膜９に対するラビング配向処理に
むらが生じにくくなつて配向不良が回避できる。しかも
、透明電極８の断面視形状に丸みを帯びさせるために特
別な工程を付加する必要がないので、生産性の劣化やコ
ストアツプの心配もない。
【００１３】なお、上記実施例ではポストベーク温度を
８０℃に設定してあるが、本発明者らが種々実験したと
ころによると、ポストベーク温度が５０℃よりも低いと
エツチング精度が劣化してしまい、逆にポストベーク温
度が９０℃よりも高いとリバースドメインが発生しやす
くなることが確認された。したがつて、ポストベーク温
度は５０〜９０℃に設定することが望ましい。
８０℃に設定してあるが、本発明者らが種々実験したと
ころによると、ポストベーク温度が５０℃よりも低いと
エツチング精度が劣化してしまい、逆にポストベーク温
度が９０℃よりも高いとリバースドメインが発生しやす
くなることが確認された。したがつて、ポストベーク温
度は５０〜９０℃に設定することが望ましい。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、透明電極
形成時のポストベーク工程の温度を低く設定することに
より、その後のエツチング工程で透明電極がサイドエツ
チングされるようにし、その結果として各透明電極を被
覆する配向膜の凹凸をなだらかにするというものなので
、透明電極のパターンがフアインピツチに形成された場
合にもラビング配向処理にむらが生じにくくなつて配向
不良が回避でき、しかも工程数の増加を伴わないので生
産性を劣化させずコストアツプの心配もない。
形成時のポストベーク工程の温度を低く設定することに
より、その後のエツチング工程で透明電極がサイドエツ
チングされるようにし、その結果として各透明電極を被
覆する配向膜の凹凸をなだらかにするというものなので
、透明電極のパターンがフアインピツチに形成された場
合にもラビング配向処理にむらが生じにくくなつて配向
不良が回避でき、しかも工程数の増加を伴わないので生
産性を劣化させずコストアツプの心配もない。
【図１】本発明の一実施例に係るＬＣＤの電極基板の製
造工程図である。
造工程図である。
【図２】従来技術の問題点を説明するための電極基板の
断面図である。
断面図である。
５ ガラス基板
６ 透明導電膜
７ ホトレジスト層
８ 透明電極
９ 配向膜
Claims (1)
- 【請求項１】 パターニングされて透明電極となる透
明導電膜を基板上に形成し、該透明導電膜上にホトレジ
スト層を形成した後、プリベークして溶媒を除去し、次
いで、露光・現像してパターン領域以外の上記ホトレジ
スト層を除去し、さらに、ポストベークして熱硬化させ
てから、該ホトレジスト層にマスクされていない上記透
明導電膜をエツチング処理にて除去して透明電極を形成
し、該透明電極上の上記ホトレジスト層を剥離した後、
該透明電極を配向膜にて被覆して配向処理することによ
り電極基板が製造される液晶表示素子において、透明電
極形成時の上記ポストベーク工程の温度を５０〜９０℃
に設定したことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10827291A JP2815246B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10827291A JP2815246B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04316022A true JPH04316022A (ja) | 1992-11-06 |
| JP2815246B2 JP2815246B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=14480444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10827291A Expired - Lifetime JP2815246B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2815246B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6362858B1 (en) | 1998-12-16 | 2002-03-26 | Hyundai Display Technology, Inc. | Method of manufacturing liquid crystal display device |
| US7038754B2 (en) | 1996-01-26 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optical device |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP10827291A patent/JP2815246B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7038754B2 (en) | 1996-01-26 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optical device |
| US7136128B2 (en) | 1996-01-26 | 2006-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optical device |
| US7728942B2 (en) | 1996-01-26 | 2010-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal electro-optical device |
| US8199300B2 (en) | 1996-01-26 | 2012-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device utilizing electric field parallel to substrate |
| US8514361B2 (en) | 1996-01-26 | 2013-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal having common electrode |
| US6362858B1 (en) | 1998-12-16 | 2002-03-26 | Hyundai Display Technology, Inc. | Method of manufacturing liquid crystal display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2815246B2 (ja) | 1998-10-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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