JP3067315B2 - 配向処理方法 - Google Patents

配向処理方法

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JP3067315B2
JP3067315B2 JP25102391A JP25102391A JP3067315B2 JP 3067315 B2 JP3067315 B2 JP 3067315B2 JP 25102391 A JP25102391 A JP 25102391A JP 25102391 A JP25102391 A JP 25102391A JP 3067315 B2 JP3067315 B2 JP 3067315B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶素子に用いる基板
の上に液晶分子を配向させるための配向処理を施す方法
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶素子に用いる基板の上に施される配
向処理は、一般に、基板上に配向膜を形成し、この配向
膜面をラビングローラにより一方向にラビングする方法
で行なわれている。
【0003】図3は従来の配向処理方法を示す平面図で
あり、液晶素子用基板(ガラス基板)1の表示領域の上
にはITO膜等の透明導電膜からなる複数の透明電極2
が形成されており、これら電極2の端子2aは、表示領
域の外側に導出されて基板1の一端縁部に配列されてい
る。
【0004】なお、図に示した基板1は、単純マトリッ
クス型液晶素子の一方の基板であり、上記電極2は、走
査電極または信号電極である。また、この電極2の端子
2aは、2つの端子群に分けて配列されており、各端子
群毎に駆動回路に接続されるようになっている。
【0005】そして、この基板1上への配向処理は、基
板1の電極形成領域(表示領域)の上にポリイミド樹脂
等からなる配向膜3を形成し、この配向膜3の膜面を、
外周面に植毛布からなるラビング布を巻付けたラビング
ローラ4によって一方向にラビングする方法で行なわれ
ている。
【0006】この配向膜3面のラビングは、基板1上に
所定の接触圧でラビングローラ4を接触させ、このラビ
ングローラ4をその移動方向とは逆方向に回転させなが
ら基板1の一端側から他端側に移動させることによって
行なわれており、ラビングローラ4は、その軸方向が配
向膜3のラビング方向に対して直交する姿勢で配置さ
れ、配向膜3のラビング方向に(ローラ軸に対して直交
する方向)に移動されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の配向処理方法では、配向膜3に均一な配向性をもた
せることができなかった。
【0008】これは、基板1の一端側から他端側に移動
されるラビングローラ4が基板1の端子配列縁部を通過
するときに、このラビングローラ4のうち前記端子配列
縁部に配列されている端子群の上を通る部分がITO膜
等からなる端子2aの表面を擦りながら端子2a上を通
過するに対し、ラビングローラ4の他の部分、つまり端
子群がない箇所を通る部分は端子2aには触れないため
であり、そのため、ラビングローラ外周面のラビング布
の表面状態に差が生じて、ラビングローラ4による配向
膜3面のラビング性(延伸効果等)が、端子群の上を通
ったローラ部分でラビングされる領域Aと、他の領域
(端子上を通らないローラ部分でラビングされる領域)
Bとで異なってしまう。なお、この領域A,Bのラビン
グ性の差は、配向処理回数が多くなるのにともなって大
きくなる。
【0009】また、図3では、ラビングローラ4を基板
1の端子配列縁部側から他端側に移動させているが、上
記領域A,Bのラビング性の差は、ラビングローラ4を
逆方向に移動させてラビングを行なう場合にも発生して
おり、その場合は、最初に配向処理される基板の配向膜
面は均一にラビングできるが、ラビングローラ4が配向
膜3面をラビングした後に基板1の端子配列縁部を通る
ため、2枚目以後の基板の配向処理において、配向膜3
面のラビング性に同様な差が発生する。
【0010】このため、従来の配向処理方法で配向処理
された配向膜3は、その配向性が、図に斜線を施した領
域と他の領域とで異なっており、そのため、従来の方法
で配向処理した基板を用いて製造された液晶素子は、そ
の光学特性が不均一で、縞状の表示むらが発生するとい
う問題をもっていた。
【0011】これは、特にSTN型の液晶素子において
顕著であり、STN型液晶素子は、液晶分子のツイスト
角が大きく、かつ液晶層厚が小さいため、配向膜3の配
向性が光学特性に大きく影響して、上記表示むらが大き
くなる。本発明の目的は、配向膜面をその全域にわたっ
て一様にラビングして、均一な配向性をもたせることが
できる配向処理方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の配向処理方法
は、複数の透明電極を形成するとともにこれら電極の透
明電極からなる端子を基板縁部に配列した液晶素子用基
板の電極形成領域の上に配向膜を形成し、この配向膜面
をラビングローラにより前記液晶素子用基板の一辺に対
して斜めの方向にラビングする配向処理方法において、
前記配向膜の全面をラビングする前記ラビングローラの
幅のうち、前記端子面に接触するラビングローラの部分
以外の他の部分によりラビングされる前記基板の領域で
あって、前記基板の一端から他端に移動する前記ラビン
グローラの進行方向に対して一端側の隣接する2辺の基
板縁部に、前記端子と同じ材質の疑似電極を前記2辺の
基板縁部に繋げた形状に形成し、前記配向膜全面を、前
記端子面または前記疑似電極面に接触した前記ラビング
ローラによりラビングをすることを特徴とするものであ
る。
【0013】
【作用】この配向処理方法によれば、ラビングローラが
基板の端子配列縁部を通過するときに、このラビングロ
ーラの少なくとも配向膜をラビングする領域の全ての部
分が端子またはこの端子と同じ材質の擬似電極の上を通
るため、ラビングローラ外周面のラビング布の表面状態
の変化は、配向膜ラビング領域の全域にわたって一様で
あり、したがって配向膜面は、端子上を通ったローラ部
分でラビングされる領域も、他の領域(端子上を通らな
いローラ部分でラビングされる領域)も同じ状態にラビ
ングされる。
【0014】
【実施例】以下、本発明の第1の実施例を図1を参照し
て説明する。なお、図1において、図3に示したものと
対応するものについては、図に同符号を付してその説明
を省略する。
【0015】この実施例の配向処理方法は、基板1の端
子配列縁部に、この基板1の電極形成領域(表示領域)
の上に形成する配向膜3の膜面のうち、ラビングローラ
4の各端子群上を通る部分以外の部分でラビングされる
領域Bに対応させて、透明電極2の端子2aと同じ材質
の導電膜(ITO膜等)からなる擬似電極5を形成して
おき、配向膜3面の前記領域Bを、ラビングローラ4の
前記擬似電極5上を通る部分でラビングするものであ
る。
【0016】なお、この実施例では、上記擬似電極5
を、基板1の端子配列縁部に2つの群に分けて配列され
ている端子群の間と、各端子群の外端側との3箇所に形
成するとともに、これら擬似電極5をそれぞれ、ラビン
グローラ4の配向膜3面をラビングする領域のうち上記
端子群の上を通らない部分のみにその全域にわたって接
する形状に形成している。
【0017】また、上記基板1に対する配向処理は、上
記透明電極2およびその端子2aと擬似電極5とを形成
した基板1の電極形成領域(表示領域)の上にポリイミ
ド樹脂等からなる配向膜3を形成し、この配向膜3の膜
面を、ラビングローラ4によって一方向にラビングする
方法で行なう。この配向膜3面のラビングは、従来の配
向処理方法と同様に、基板1上に所定の接触圧でラビン
グローラ4を接触させ、このラビングローラ4をその移
動方向とは逆方向に回転させながら基板1の一端側から
他端側に移動させることによって行なう。
【0018】そして、この実施例の配向処理方法におい
ては、基板1の一端側から他端側に移動されるラビング
ローラ4が基板1の端子配列縁部を通過するときに、こ
のラビングローラ4のうち前記端子配列縁部に配列され
ている端子群の上を通る部分がITO膜等からなる端子
2aの表面を擦りながら端子2a上を通過し、ラビング
ローラ4の他の部分、つまり端子群がない箇所を通る部
分は、上記端子2aと同じITO膜等からなる擬似電極
5の表面を擦りながらこの擬似電極5の上を通過する。
【0019】このため、上記端子配列縁部を通過したラ
ビングローラ4の外周面のラビング布の表面状態の変化
は、配向膜3面をラビングする領域全体にわたって等し
く、したがって、ラビングローラ4による配向膜3面の
ラビング性(延伸効果等)が、端子群の上を通ったロー
ラ部分でラビングされる領域Aと、他の領域つまり擬似
電極5の上を通ったローラ部分でラビングされる領域B
とで異なってしまうことはない。
【0020】したがって、上記実施例の配向処理方法で
配向処理された配向膜3は、その全域(図上斜線を施し
た領域)の配向性が全て均一であるから、この方法で配
向処理した基板を用いて液晶素子を製造すれば、表示領
域全体の光学特性が均一で、表示むらのない、良好な表
示品質をもつ液晶素子を得ることができる。
【0021】なお、基板1に形成しておいた上記擬似電
極5は、配向膜3面をラビングした後にエッチングして
除去すればよい。ただし、この擬似電極5が端子群と駆
動回路とを接続する上で特に障害とならない場合は、こ
の擬似電極5をそのまま基板1上に残しておいてもよ
い。
【0022】また、上記実施例では、各擬似電極5をそ
れぞれ、ラビングローラ4の配向膜ラビング領域だけに
接するように設けているが、各端子群の外端側に形成す
る擬似電極5は、図1に鎖線で示すように、その外端側
をラビングローラ4の配向膜ラビング領域より外側の部
分にも接するように延長させた形状としてもよく、この
ようにすれば、基板1の配置位置がその幅方向にずれた
場合でも、ラビングローラ4の配向膜側縁部をラビング
する部分が必ず擬似電極5の上を通るから、配向膜3面
全体を一様のラビングすることができる。
【0023】さらに、上記実施例では、擬似電極5を、
ラビングローラ4の端子群上を通らない部分のみに接す
るように形成しているが、この擬似電極5は、ラビング
ローラ4の端子群上を通る部分にも接するように形成し
てもよい。
【0024】すなわち、図2は本発明の第2の実施例を
示している。この実施例は、電極2の端子2aと同じI
TO膜等からなる擬似電極5を、少なくともラビングロ
ーラ4の配向膜ラビング領域全体に接するように形成し
たものであり、この擬似電極5は、基板1の端子配列縁
部に、この縁部に配列された端子群の外側(基板1の縁
部側)に位置させて形成されている。
【0025】この実施例の配向処理方法においては、基
板1の一端側から他端側に移動されるラビングローラ4
が基板1の端子配列縁部を通過するときに、このラビン
グローラ4の少なくとも配向膜ラビング領域全体が端子
2aと同じITO膜等からなる擬似電極5の表面を擦り
ながらこの擬似電極5の上を通過するため、この後にラ
ビングローラ4のうち端子群上を通る部分だけが端子2
aの表面を擦りながら端子2a上を通過したとしても、
このラビングローラ4の外周面のラビング布の表面状態
が端子群上を通った部分と、他の部分(端子上を通らな
いローラ部分)とで異なってしまうことはない。
【0026】したがって、この実施例の配向処理方法で
配向処理された配向膜3も、その全域(図上斜線を施し
た領域)の配向性が全て均一であるから、この方法で配
向処理した基板を用いて液晶素子を製造すれば、表示領
域全体の光学特性が均一で、表示むらのない、良好な表
示品質をもつ液晶素子を得ることができる。この実施例
においては、上記擬似電極5が形成された部分は、配向
膜3面をラビングした後に端子群の外縁で基板ごと切断
して除去される。
【0027】なお、上記第1および第2の実施例では、
ラビングローラ4を基板1の端子配列縁部側から他端側
に移動させているが、上記ラビングローラ4の移動方向
は逆でもよく、その場合も、配向膜3面をラビングした
ラビングローラ4が基板1の端子配列縁部を通過すると
きに、このラビングローラ4の少なくとも配向膜ラビン
グ領域の全ての部分が端子2aまたはこの端子と同じ材
質の擬似電極5の上を通るため、ラビングローラ外周面
のラビング布の表面状態の変化は、配向膜ラビング領域
の全域にわたって一様であり、したがって、次に配向処
理される基板の配向膜面のラビング性(延伸効果等)
が、端子群の上を通ったローラ部分でラビングされる領
域と、他の領域を通ったローラ部分でラビングされる領
域とで異なってしまうことはない。
【0028】また、上記各実施例では、電極2の端子2
aを一端縁部に配列した基板1に対する配向処理につい
て説明したが、本発明は、電極の端子を基板両端縁部に
配列した基板に対する配向処理にも適用できるもので、
その場合は、基板の両端の端子配列縁部にそれぞれ、少
なくとも配向膜面のうちラビングローラの端子上を通る
部分以外の部分でラビングされる領域に対応させて擬似
電極を形成しておけばよい。
【0029】また、上記各実施例では、端子2aを、電
極2と同じ導電膜(ITO膜等)で形成しているが、こ
の端子2aは、ITO膜等の透明導電膜の上にCr 等の
金属膜を積層した2層膜であってもよく、その場合は、
前記擬似電極5を端子2aの上層の金属膜と同じ材質の
金属で形成すればよい。
【0030】
【発明の効果】本発明の配向処理方法によれば、ラビン
グローラが基板の端子配列縁部を通過するときに、この
ラビングローラの少なくとも配向膜をラビングする領域
の全ての部分が端子またはこの端子と同じ材質の擬似電
極の上を通るため、ラビングローラ外周面のラビング布
の表面状態の変化は、配向膜ラビング領域の全域にわた
って一様であり、したがって配向膜面は、端子上を通っ
たローラ部分でラビングされる領域も、他の領域(端子
上を通らないローラ部分でラビングされる領域)も同じ
状態にラビングされるから、配向膜面をその全域にわた
って一様にラビングして、均一な配向性をもたせること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例による配向処理方法を示
す平面図。
【図2】本発明の第2の実施例による配向処理方法を示
す平面図。
【図3】従来の配向処理方法を示す平面図。
【符号の説明】
1…基板、2…電極、2a…端子、3…配向膜、4…ラ
ビングローラ、5…擬似電極、A…端子群の上を通った
ローラ部分でラビングされる領域、B…他の領域(端子
上を通らないローラ部分でラビングされる領域)。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数の透明電極を形成するとともにこれら
    電極の透明電極からなる端子を基板縁部に配列した液晶
    素子用基板の電極形成領域の上に配向膜を形成し、この
    配向膜面をラビングローラにより前記液晶素子用基板の
    一辺に対して斜めの方向にラビングする配向処理方法に
    おいて、前記配向膜の全面をラビングする前記ラビングローラの
    幅のうち、前記端子面に接触するラビングローラの部分
    以外の他の部分によりラビングされる前記基板の領域で
    あって、前記基板の一端から他端に移動する前記ラビン
    グローラの進行方向に対して一端側の隣接する2辺の基
    板縁部に、前記端子と同じ材質の疑似電極を前記2辺の
    基板縁部に繋げた形状に形成し、前記配向膜全面を、前
    記端子面または前記疑似電極面に接触した前記ラビング
    ローラにより ラビングをすることを特徴とする配向処理
    方法。
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