JPH05113578A - アクテイブマトリクス表示装置 - Google Patents
アクテイブマトリクス表示装置Info
- Publication number
- JPH05113578A JPH05113578A JP27292591A JP27292591A JPH05113578A JP H05113578 A JPH05113578 A JP H05113578A JP 27292591 A JP27292591 A JP 27292591A JP 27292591 A JP27292591 A JP 27292591A JP H05113578 A JPH05113578 A JP H05113578A
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- Japan
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- electrode
- active matrix
- substrate
- electrodes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アクティブマトリクス表示装置の有効表示部
におけるディスクリネーションの発生を防止し、表示品
位を高くする。 【構成】 隣合う絵素電極１７、１７間の隙間に対して
真向いにある対向電極４２部分が、絵素電極１７の形成
されたアクティブマトリクス基板３０側に突出した凸状
に形成され、その凸状部４２ａと絵素電極１７との間の
距離Ｌ１が、隣合う絵素電極１７、１７間の離隔距離Ｌ
２と同等又はそれよりも短い寸法に設定されている。こ
のため、絵素電極１７と対向電極４２との間に働く電界
が強まり、隣合う絵素電極１７、１７間で働く電界の大
きさが相対的に小さくなる。よって、絵素電極１７の端
部において生じる電気力線６０がアクティブマトリクス
基板３０に対して垂直な理想的な形に近くなり、有効表
示部におけるディスクリネーションの発生が防止され
る。
におけるディスクリネーションの発生を防止し、表示品
位を高くする。 【構成】 隣合う絵素電極１７、１７間の隙間に対して
真向いにある対向電極４２部分が、絵素電極１７の形成
されたアクティブマトリクス基板３０側に突出した凸状
に形成され、その凸状部４２ａと絵素電極１７との間の
距離Ｌ１が、隣合う絵素電極１７、１７間の離隔距離Ｌ
２と同等又はそれよりも短い寸法に設定されている。こ
のため、絵素電極１７と対向電極４２との間に働く電界
が強まり、隣合う絵素電極１７、１７間で働く電界の大
きさが相対的に小さくなる。よって、絵素電極１７の端
部において生じる電気力線６０がアクティブマトリクス
基板３０に対して垂直な理想的な形に近くなり、有効表
示部におけるディスクリネーションの発生が防止され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ（以
下ではＴＦＴと称する）を用いたアクティブマトリクス
表示装置に関する。
下ではＴＦＴと称する）を用いたアクティブマトリクス
表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のアクティブマトリクス表示装置
は、図８（Ａ）、図６及び図７に示すように構成された
ものが知られている。この表示装置は、図８（Ａ）に示
すようにアクティブマトリクス基板１５０と、この基板
１５０に対向配設した対向基板１６０と、両基板１５０
と１６０の間に挟まれ、シール樹脂１０８にて封入され
た液晶層１１０とを備える。
は、図８（Ａ）、図６及び図７に示すように構成された
ものが知られている。この表示装置は、図８（Ａ）に示
すようにアクティブマトリクス基板１５０と、この基板
１５０に対向配設した対向基板１６０と、両基板１５０
と１６０の間に挟まれ、シール樹脂１０８にて封入され
た液晶層１１０とを備える。
【０００３】アクティブマトリクス基板１５０は、ガラ
ス等からなる第１の絶縁性基板１０１上に、図６に示す
ようにＴＦＴ１０２がマトリクス状に設けられ、このＴ
ＦＴ１０２には走査信号を供給するゲートバス配線１１
４及び映像信号を供給するソースバス配線１１５が接続
されている。ゲートバス配線１１４とソースバス配線１
１５は、その途中の複数箇所が各ＴＦＴ１０２のゲート
電極とソース電極を構成し、端部が前記シール樹脂１０
８の外側で電極端子に接続されている。
ス等からなる第１の絶縁性基板１０１上に、図６に示す
ようにＴＦＴ１０２がマトリクス状に設けられ、このＴ
ＦＴ１０２には走査信号を供給するゲートバス配線１１
４及び映像信号を供給するソースバス配線１１５が接続
されている。ゲートバス配線１１４とソースバス配線１
１５は、その途中の複数箇所が各ＴＦＴ１０２のゲート
電極とソース電極を構成し、端部が前記シール樹脂１０
８の外側で電極端子に接続されている。
【０００４】このアクティブマトリクス基板１５０の上
の全面には、図８（Ａ）に示すように保護膜１０９が形
成され、この保護膜１０９にはＴＦＴ１０２のドレイン
電極上部にコンタクトホール１１１が設けられている。
更に、保護膜１０９の上には、コンタクトホール１１１
を介して各ＴＦＴ１０２のドレイン電極と接続したマト
リクス状の絵素電極１０３が設けられ、その上に通常ポ
リイミド膜からなる配向膜１０４が形成されている。配
向膜１０４はラビング法によって配向処理が施されてい
る。
の全面には、図８（Ａ）に示すように保護膜１０９が形
成され、この保護膜１０９にはＴＦＴ１０２のドレイン
電極上部にコンタクトホール１１１が設けられている。
更に、保護膜１０９の上には、コンタクトホール１１１
を介して各ＴＦＴ１０２のドレイン電極と接続したマト
リクス状の絵素電極１０３が設けられ、その上に通常ポ
リイミド膜からなる配向膜１０４が形成されている。配
向膜１０４はラビング法によって配向処理が施されてい
る。
【０００５】一方、対向基板１６０は、図８（Ａ）に示
すようにガラス等からなる第２の絶縁性基板１０５上に
遮光膜１２０が形成されている。この遮光膜１２０の形
成は、クロム膜をスパッタリング法で成膜し、図７に斜
線で示した形状にパターニングして行われる。この遮光
膜１２０はアクティブマトリクス基板１５０からの漏れ
光を遮断する機能を果たすものであり、これを部分的に
開口して形成された開口部１２１が有効表示部となる。
このような遮光膜１２０の上には、図８（Ａ）に示すよ
うに更に透明電極からなる対向電極１０６がほぼ全面に
形成され、対向電極１０６上には配向処理が施された配
向膜１０７が形成されている。
すようにガラス等からなる第２の絶縁性基板１０５上に
遮光膜１２０が形成されている。この遮光膜１２０の形
成は、クロム膜をスパッタリング法で成膜し、図７に斜
線で示した形状にパターニングして行われる。この遮光
膜１２０はアクティブマトリクス基板１５０からの漏れ
光を遮断する機能を果たすものであり、これを部分的に
開口して形成された開口部１２１が有効表示部となる。
このような遮光膜１２０の上には、図８（Ａ）に示すよ
うに更に透明電極からなる対向電極１０６がほぼ全面に
形成され、対向電極１０６上には配向処理が施された配
向膜１０７が形成されている。
【０００６】かかる対向基板１６０と上記アクティブマ
トリクス基板１５０の間には、上述した液晶層１１０が
シール樹脂１０８によって封入され、更にスペーサとし
てのプラスチックビーズ１７０が挟まれている。このプ
ラスチックビーズ１７０により両基板１５０と１６０の
間隔が一定に保たれる。
トリクス基板１５０の間には、上述した液晶層１１０が
シール樹脂１０８によって封入され、更にスペーサとし
てのプラスチックビーズ１７０が挟まれている。このプ
ラスチックビーズ１７０により両基板１５０と１６０の
間隔が一定に保たれる。
【０００７】このように構成されたアクティブマトリク
ス表示装置は、液晶層１１０を挟む絵素電極１０３と対
向電極１０６との間でコンデンサが形成されており、駆
動は次のようにして行われる。図６における最上段のゲ
ートバス配線１１４から順次走査パルス信号を入力し、
ゲートバス配線１１４に接続されたそれぞれのＴＦＴ１
０２をオン状態とする。この走査パルス信号に同期し
て、ソースバス配線１１５から映像信号を入力すると、
上記コンデンサを形成する絵素電極１０３と対向電極１
０６とに電圧が印加され、液晶層１１０内の液晶分子の
配向変化が起こり、表示が行われる。
ス表示装置は、液晶層１１０を挟む絵素電極１０３と対
向電極１０６との間でコンデンサが形成されており、駆
動は次のようにして行われる。図６における最上段のゲ
ートバス配線１１４から順次走査パルス信号を入力し、
ゲートバス配線１１４に接続されたそれぞれのＴＦＴ１
０２をオン状態とする。この走査パルス信号に同期し
て、ソースバス配線１１５から映像信号を入力すると、
上記コンデンサを形成する絵素電極１０３と対向電極１
０６とに電圧が印加され、液晶層１１０内の液晶分子の
配向変化が起こり、表示が行われる。
【０００８】上記配向変化を具体的に説明する。電圧を
印加しないときには、図８（Ｂ）に示すように液晶層１
１０の液晶分子１３０は分子軸を一定方向に向けて、例
えば液晶層１１０の誘電率異方性が正の場合には絵素電
極１０３の表面に対してプレティルト角θをもって配向
している。ところが、電圧を印加すると、液晶分子１３
０の分子軸は絵素電極１０３の表面に対して略垂直に配
向状態を変える。この配向変化により表示が行われる。
上記プレティルト角θは、電圧印加時に液晶分子１３０
の配向変化の方向を同一方向に揃え、均質な表示を行う
ために設定されている。
印加しないときには、図８（Ｂ）に示すように液晶層１
１０の液晶分子１３０は分子軸を一定方向に向けて、例
えば液晶層１１０の誘電率異方性が正の場合には絵素電
極１０３の表面に対してプレティルト角θをもって配向
している。ところが、電圧を印加すると、液晶分子１３
０の分子軸は絵素電極１０３の表面に対して略垂直に配
向状態を変える。この配向変化により表示が行われる。
上記プレティルト角θは、電圧印加時に液晶分子１３０
の配向変化の方向を同一方向に揃え、均質な表示を行う
ために設定されている。
【０００９】なお、上記誘電率異方性が負の場合には、
液晶分子１３０の分子軸の方向は、電圧が印加されたと
きと印加されないときとで逆になるが、液晶分子１３０
は同様に配向状態を変える。
液晶分子１３０の分子軸の方向は、電圧が印加されたと
きと印加されないときとで逆になるが、液晶分子１３０
は同様に配向状態を変える。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来のアクティブマトリクス表示装置の場合は、図９（ゲ
ートバス配線１１４を横切る部分の断面図）に示すよう
に、絶縁性の保護膜１０９を挟んでゲートバス配線１１
４と絵素電極１０３とが重なる構造となし、これにより
絵素電極の面積の増大化などを図るが、その一方で隣合
う絵素電極１０３、１０３の離隔距離Ｌ２が狭くなって
いる。
来のアクティブマトリクス表示装置の場合は、図９（ゲ
ートバス配線１１４を横切る部分の断面図）に示すよう
に、絶縁性の保護膜１０９を挟んでゲートバス配線１１
４と絵素電極１０３とが重なる構造となし、これにより
絵素電極の面積の増大化などを図るが、その一方で隣合
う絵素電極１０３、１０３の離隔距離Ｌ２が狭くなって
いる。
【００１１】このように上記離隔距離Ｌ２が狭くなる
と、隣接する２つの絵素電極１０３、１０３間で電位が
相互に影響を及ぼし合い易くなる。このため、特に隣接
する絵素電極電位の極性が異なる場合、絵素電極１０３
の端部における液晶層１１０中の電界は、矢印で示す電
気力線１３２が第１の絶縁性基板１０１に対して垂直な
望ましい形から歪んで、基板１０１に平行な横方向成分
が強くなる。なお、絵素電極１０３の端部以外では、隣
接する絵素電極１０３、１０３間で電位が相互に影響を
及ぼしにくいので、前記コンデンサを構成する一方の絵
素電極１０３に向いて、或は他方の対向電極１０６に向
いて、電気力線１３２が形成される。
と、隣接する２つの絵素電極１０３、１０３間で電位が
相互に影響を及ぼし合い易くなる。このため、特に隣接
する絵素電極電位の極性が異なる場合、絵素電極１０３
の端部における液晶層１１０中の電界は、矢印で示す電
気力線１３２が第１の絶縁性基板１０１に対して垂直な
望ましい形から歪んで、基板１０１に平行な横方向成分
が強くなる。なお、絵素電極１０３の端部以外では、隣
接する絵素電極１０３、１０３間で電位が相互に影響を
及ぼしにくいので、前記コンデンサを構成する一方の絵
素電極１０３に向いて、或は他方の対向電極１０６に向
いて、電気力線１３２が形成される。
【００１２】このように電気力線１３２に歪が発生する
と、図１０に示すように、絵素電極１０３の端部の矢印
１３３で示す部分では、液晶分子１３０が正常に配向せ
ずにディスクリネーションが発生する。このディスクリ
ネーションが発生すると、その発生部分では液晶分子１
３０による光制御が正常に行われず、コントラストの低
下等が生じる。このとき、ディスクリネーションの発生
する部分が、前記遮光膜１２０にて一部覆われた状態で
あるため、開口部１２１にて定まる有効表示部にディス
クリネーションの発生した部分が現れ、表示品位が損な
われるという問題があった。
と、図１０に示すように、絵素電極１０３の端部の矢印
１３３で示す部分では、液晶分子１３０が正常に配向せ
ずにディスクリネーションが発生する。このディスクリ
ネーションが発生すると、その発生部分では液晶分子１
３０による光制御が正常に行われず、コントラストの低
下等が生じる。このとき、ディスクリネーションの発生
する部分が、前記遮光膜１２０にて一部覆われた状態で
あるため、開口部１２１にて定まる有効表示部にディス
クリネーションの発生した部分が現れ、表示品位が損な
われるという問題があった。
【００１３】本発明はこのような従来技術の課題を解決
するものであり、有効表示部におけるディスクリネーシ
ョンの発生を防止した表示品位の高いアクティブマトリ
クス表示装置を提供することを目的とする。
するものであり、有効表示部におけるディスクリネーシ
ョンの発生を防止した表示品位の高いアクティブマトリ
クス表示装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス表示装置は、液晶層を挟んで対向配設された一対
の絶縁性基板の一方の内面に絵素電極が間隔を開けてマ
トリクス状に配列され、他方の基板の内面に対向電極が
形成されたアクティブマトリクス表示装置であって、該
他方の基板に形成された対向電極の、隣合う絵素電極間
の隙間に対して真向いにある部分が、該一方の基板側に
突出した凸状に形成され、その凸状部と絵素電極との間
の距離が、隣合う絵素電極間の離隔距離と同等又はそれ
よりも短い寸法に設定されており、そのことにより上記
目的が達成される。
リクス表示装置は、液晶層を挟んで対向配設された一対
の絶縁性基板の一方の内面に絵素電極が間隔を開けてマ
トリクス状に配列され、他方の基板の内面に対向電極が
形成されたアクティブマトリクス表示装置であって、該
他方の基板に形成された対向電極の、隣合う絵素電極間
の隙間に対して真向いにある部分が、該一方の基板側に
突出した凸状に形成され、その凸状部と絵素電極との間
の距離が、隣合う絵素電極間の離隔距離と同等又はそれ
よりも短い寸法に設定されており、そのことにより上記
目的が達成される。
【００１５】
【作用】本発明にあっては、隣合う絵素電極間の隙間に
対して真向いにある対向電極部分が、絵素電極の形成さ
れた基板側に突出した凸状に形成され、その凸状部と絵
素電極との間の距離が、隣合う絵素電極間の離隔距離と
同等又はそれよりも短い寸法に設定されている。このた
め、絵素電極と対向電極との間に働く電界が強まり、隣
合う絵素電極間で働く電界の大きさが相対的に小さくな
る。よって、絵素電極端部において生じる電気力線が基
板に対して垂直な理想的な形に近くなり、表示部におけ
るディスクリネーションの発生が防止される。
対して真向いにある対向電極部分が、絵素電極の形成さ
れた基板側に突出した凸状に形成され、その凸状部と絵
素電極との間の距離が、隣合う絵素電極間の離隔距離と
同等又はそれよりも短い寸法に設定されている。このた
め、絵素電極と対向電極との間に働く電界が強まり、隣
合う絵素電極間で働く電界の大きさが相対的に小さくな
る。よって、絵素電極端部において生じる電気力線が基
板に対して垂直な理想的な形に近くなり、表示部におけ
るディスクリネーションの発生が防止される。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１７】図１は本実施例のアクティブマトリクス表
示装置の断面図である。この表示装置は、アクティブマ
トリクス基板３０と、この基板３０に対向配設した対向
基板４０と、両基板３０と４０の間に封入された液晶層
５０とを備える。アクティブマトリクス基板３０は従来
と同一構造に形成されているが、対向基板４０は従来と
は異ならせて形成されている。
示装置の断面図である。この表示装置は、アクティブマ
トリクス基板３０と、この基板３０に対向配設した対向
基板４０と、両基板３０と４０の間に封入された液晶層
５０とを備える。アクティブマトリクス基板３０は従来
と同一構造に形成されているが、対向基板４０は従来と
は異ならせて形成されている。
【００１８】次に、本実施例のアクティブマトリクス表
示装置の詳細な構造を製造工程に従って説明する。
示装置の詳細な構造を製造工程に従って説明する。
【００１９】アクティブマトリクス基板３０は、図４
（Ａ）〜（Ｅ）及び図５（Ａ）〜（Ｅ）（図４（Ａ）〜
（Ｅ）のＹ−Ｙ線による断面図）に示すようにして形成
される。即ち、図４（Ａ）及び図５（Ａ）に示すよう
に、ガラス基板１０上の全面にＴａ等からなる金属薄膜
を形成し、パターニングすることによりゲートバス配線
２及びゲートバス支線２ａを形状した。ゲートバス支線
２ａの先端部は、後に形成されるＴＦＴ１（図４（Ｄ）
参照）のゲート電極として機能する。なお、この例では
金属薄膜の形成にはスパッタリング法を使用し、パター
ニングにはフォトリソグラフィ法を使用した。
（Ａ）〜（Ｅ）及び図５（Ａ）〜（Ｅ）（図４（Ａ）〜
（Ｅ）のＹ−Ｙ線による断面図）に示すようにして形成
される。即ち、図４（Ａ）及び図５（Ａ）に示すよう
に、ガラス基板１０上の全面にＴａ等からなる金属薄膜
を形成し、パターニングすることによりゲートバス配線
２及びゲートバス支線２ａを形状した。ゲートバス支線
２ａの先端部は、後に形成されるＴＦＴ１（図４（Ｄ）
参照）のゲート電極として機能する。なお、この例では
金属薄膜の形成にはスパッタリング法を使用し、パター
ニングにはフォトリソグラフィ法を使用した。
【００２０】次に、このガラス基板１０上の全面に、例
えばプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜、ノンドー
プアモルファスシリコン膜、ｎ+アモルファスシリコン
膜を順次形成し、上側２層のアモルファスシリコン膜及
びｎ+アモルファスシリコン膜をパターニングした。上
記窒化シリコン膜は図５（Ｂ）に示すようにゲート絶縁
膜１２になる。パターニングされたアモルファスシリコ
ン膜及びｎ+アモルファスシリコン膜は、図４（Ｂ）に
示すようにゲートバス支線２ａの先端部に形成された半
導体層１３及びコンタクト層１４となる。
えばプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜、ノンドー
プアモルファスシリコン膜、ｎ+アモルファスシリコン
膜を順次形成し、上側２層のアモルファスシリコン膜及
びｎ+アモルファスシリコン膜をパターニングした。上
記窒化シリコン膜は図５（Ｂ）に示すようにゲート絶縁
膜１２になる。パターニングされたアモルファスシリコ
ン膜及びｎ+アモルファスシリコン膜は、図４（Ｂ）に
示すようにゲートバス支線２ａの先端部に形成された半
導体層１３及びコンタクト層１４となる。
【００２１】次に、この基板１０上の全面にＴｉ等から
なる金属薄膜を形成し、パターニングを行い、これによ
り図４（Ｃ）及び図５（Ｃ）に示す形状のソース電極１
５、ドレイン電極１６及びソースバス配線２０を形成し
た。このとき、コンタクト層１４の中央部も同時にエッ
チング除去して、ソース電極１５の下方の部分と、ドレ
イン電極１６の下方の部分とを分割する。以上によりＴ
ＦＴ１が完成する。
なる金属薄膜を形成し、パターニングを行い、これによ
り図４（Ｃ）及び図５（Ｃ）に示す形状のソース電極１
５、ドレイン電極１６及びソースバス配線２０を形成し
た。このとき、コンタクト層１４の中央部も同時にエッ
チング除去して、ソース電極１５の下方の部分と、ドレ
イン電極１６の下方の部分とを分割する。以上によりＴ
ＦＴ１が完成する。
【００２２】次に、この基板１０上の全面に窒化シリコ
ン膜をプラズマＣＶＤ法によって形成し、パターニング
を行って、図５（Ｄ）に示すようにドレイン電極１６上
部のコンタクトホール１９を除く全面に保護膜１８を形
成した。この保護膜１８の形成は、例えばスピンナーで
ポリイミドを塗布し、焼成パターニングすることにより
行った。
ン膜をプラズマＣＶＤ法によって形成し、パターニング
を行って、図５（Ｄ）に示すようにドレイン電極１６上
部のコンタクトホール１９を除く全面に保護膜１８を形
成した。この保護膜１８の形成は、例えばスピンナーで
ポリイミドを塗布し、焼成パターニングすることにより
行った。
【００２３】次に、この基板１０上の全面にＩＴＯ膜を
形成し、パターニングを行って、図５（Ｅ）に示す形状
の絵素電極１７を形成した。この絵素電極１７は、コン
タクトホール１９を介してＴＦＴ１のドレイン電極１６
と接続される。更に、その上に配向膜２４を形成し、ア
クティブマトリクス基板３０が完成する。
形成し、パターニングを行って、図５（Ｅ）に示す形状
の絵素電極１７を形成した。この絵素電極１７は、コン
タクトホール１９を介してＴＦＴ１のドレイン電極１６
と接続される。更に、その上に配向膜２４を形成し、ア
クティブマトリクス基板３０が完成する。
【００２４】一方、上記アクティブマトリクス基板３０
と組合せられる対向基板４０は、図２（Ａ）〜（Ｂ）及
び図３（Ａ）〜（Ｂ）（図２（Ａ）〜（Ｂ）のＸ−Ｘ線
による断面図）に示すように形成される。先ず、図２
（Ａ）及び図３（Ａ）に示すように、ガラス基板４１上
にクロム膜をスパッタリング法で成膜し、パターニング
を行って開口部７２を有する遮光膜７１を形成する。次
に、ガラス基板４１上に窒化シリコン膜をプラズマＣＶ
Ｄ法によって形成し、パターニングを行って図３（Ｂ）
に示すごとく開口部７２を除く遮光膜７１部分の上に凸
部７０を形成した。この凸部７０は、隣合う２つの絵素
電極１７、１７間の隙間の真向いに配設される。
と組合せられる対向基板４０は、図２（Ａ）〜（Ｂ）及
び図３（Ａ）〜（Ｂ）（図２（Ａ）〜（Ｂ）のＸ−Ｘ線
による断面図）に示すように形成される。先ず、図２
（Ａ）及び図３（Ａ）に示すように、ガラス基板４１上
にクロム膜をスパッタリング法で成膜し、パターニング
を行って開口部７２を有する遮光膜７１を形成する。次
に、ガラス基板４１上に窒化シリコン膜をプラズマＣＶ
Ｄ法によって形成し、パターニングを行って図３（Ｂ）
に示すごとく開口部７２を除く遮光膜７１部分の上に凸
部７０を形成した。この凸部７０は、隣合う２つの絵素
電極１７、１７間の隙間の真向いに配設される。
【００２５】次に、この基板４１上の全面にＩＴＯ等か
らなる対向電極４２を形成し、更に配向膜４３を形成し
た。これにより対向基板４０が完成する。
らなる対向電極４２を形成し、更に配向膜４３を形成し
た。これにより対向基板４０が完成する。
【００２６】以上のようにして作製されたアクティブマ
トリクス基板３０及び対向基板４０は、各基板３０、４
０に備わった配向膜２４、４３が共にラビング処理を施
された後、貼合わされる。ラビング処理は、両基板３
０、４０の間に封入される液晶層５０の液晶分子のプレ
ティルト角を設定するためになされる。また、貼合わせ
る際、ソースバス配線２０、ゲートバス配線２はシール
樹脂の外側の電極端子に接続されている。更に、両基板
３０、４０間に液晶層５０が封入される。これにより本
実施例のアクティブマトリクス表示装置が完成する。
トリクス基板３０及び対向基板４０は、各基板３０、４
０に備わった配向膜２４、４３が共にラビング処理を施
された後、貼合わされる。ラビング処理は、両基板３
０、４０の間に封入される液晶層５０の液晶分子のプレ
ティルト角を設定するためになされる。また、貼合わせ
る際、ソースバス配線２０、ゲートバス配線２はシール
樹脂の外側の電極端子に接続されている。更に、両基板
３０、４０間に液晶層５０が封入される。これにより本
実施例のアクティブマトリクス表示装置が完成する。
【００２７】したがって、本実施例のアクティブマトリ
クス表示装置においては、図１に示すように、アクティ
ブマトリクス基板３０に形成された隣合う２つの絵素電
極１７、１７間の隙間に対して凸部７０が真向いに存在
する。即ち、凸部７０の上に形成された対向電極４２
は、凸部７０の箇所がアクティブマトリクス基板３０側
に突出した凸状部４２ａを有し、この凸状部４２ａと前
記隙間とが対向する。これにより、絵素電極１７と対向
電極４２との間の距離Ｌ１を短くすることができる。
クス表示装置においては、図１に示すように、アクティ
ブマトリクス基板３０に形成された隣合う２つの絵素電
極１７、１７間の隙間に対して凸部７０が真向いに存在
する。即ち、凸部７０の上に形成された対向電極４２
は、凸部７０の箇所がアクティブマトリクス基板３０側
に突出した凸状部４２ａを有し、この凸状部４２ａと前
記隙間とが対向する。これにより、絵素電極１７と対向
電極４２との間の距離Ｌ１を短くすることができる。
【００２８】このとき、隣合う２つの絵素電極１７、１
７の離隔距離Ｌ２に対し前記距離Ｌ１を同一又はそれよ
りも短くすると、絵素電極１７の端部において絵素電極
１７と対向電極４２との間に働く電界が強まり、隣合う
絵素電極１７、１７間で働く電界の大きさが相対的に小
さくなる。よって、液晶層５０の絵素電極端部において
生じる電気力線６０が基板３０又は４０に対して垂直な
理想的な形に近くなり、有効表示部におけるディスクリ
ネーションの発生が防止される。これにより表示品位を
高めることが可能となる。
７の離隔距離Ｌ２に対し前記距離Ｌ１を同一又はそれよ
りも短くすると、絵素電極１７の端部において絵素電極
１７と対向電極４２との間に働く電界が強まり、隣合う
絵素電極１７、１７間で働く電界の大きさが相対的に小
さくなる。よって、液晶層５０の絵素電極端部において
生じる電気力線６０が基板３０又は４０に対して垂直な
理想的な形に近くなり、有効表示部におけるディスクリ
ネーションの発生が防止される。これにより表示品位を
高めることが可能となる。
【００２９】
【発明の効果】本発明による場合には、有効表示部での
ディスクリネーションの発生を防止できるので、コント
ラストが良好で、高い表示品位を有するアクティブマト
リクス表示装置が得られる。
ディスクリネーションの発生を防止できるので、コント
ラストが良好で、高い表示品位を有するアクティブマト
リクス表示装置が得られる。
【図１】本実施例のアクティブマトリクス表示装置の断
面図である。
面図である。
【図２】（Ａ）及び（Ｂ）は共に対向基板の製造工程を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は共に図２（Ａ）及び図２
（Ｂ）のＸ−Ｘ線による断面図である。
（Ｂ）のＸ−Ｘ線による断面図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）は
共にアクティブマトリクス基板の製造工程を示す平面図
である。
共にアクティブマトリクス基板の製造工程を示す平面図
である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）は
共に図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）、図４（Ｄ）
及び図４（Ｅ）のＹ−Ｙ線による断面図である。
共に図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）、図４（Ｄ）
及び図４（Ｅ）のＹ−Ｙ線による断面図である。
【図６】従来のアクティブマトリクス基板を示す平面図
である。
である。
【図７】従来の対向基板の平面図である。
【図８】（Ａ）は従来のアクティブマトリクス表示装置
の断面図、（Ｂ）は従来のアクティブマトリクス表示装
置における液晶分子の配向方向を示す断面図である。
の断面図、（Ｂ）は従来のアクティブマトリクス表示装
置における液晶分子の配向方向を示す断面図である。
【図９】従来のアクティブマトリクス表示装置における
電気力線の方向を示す断面図である。
電気力線の方向を示す断面図である。
【図１０】ディスクリネーションが有効表示部上に発生
した状態を示す断面図である。
した状態を示す断面図である。
１ ＴＦＴ １０ ガラス基板 １７ 絵素電極 ３０ アクティブマトリクス基板 ４０ 対向基板 ４１ ガラス基板 ４２ 対向電極 ４２ａ 凸状部 ５０ 液晶層 ７０ 凸部 Ｌ１ 絵素電極と対向電極との間の距離 Ｌ２ 隣合う２つの絵素電極の離隔距離
Claims (1)
- 【請求項１】液晶層を挟んで対向配設された一対の絶縁
性基板の一方の内面に絵素電極が間隔を開けてマトリク
ス状に配列され、他方の基板の内面に対向電極が形成さ
れたアクティブマトリクス表示装置であって、 該他方の基板に形成された対向電極の、隣合う絵素電極
間の隙間に対して真向いにある部分が、該一方の基板側
に突出した凸状に形成され、その凸状部と絵素電極との
間の距離が、隣合う絵素電極間の離隔距離と同等又はそ
れよりも短い寸法に設定されたアクティブマトリクス表
示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27292591A JPH05113578A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | アクテイブマトリクス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27292591A JPH05113578A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | アクテイブマトリクス表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05113578A true JPH05113578A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17520670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27292591A Withdrawn JPH05113578A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | アクテイブマトリクス表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05113578A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6683592B1 (en) | 1999-08-20 | 2004-01-27 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device |
| KR100462012B1 (ko) * | 1996-12-19 | 2005-04-13 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터형액정표시소자 |
| JP2020064192A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 日本放送協会 | 液晶光変調器、液晶表示装置、およびホログラフィ装置 |
-
1991
- 1991-10-21 JP JP27292591A patent/JPH05113578A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100462012B1 (ko) * | 1996-12-19 | 2005-04-13 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터형액정표시소자 |
| US6683592B1 (en) | 1999-08-20 | 2004-01-27 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device |
| US7064735B2 (en) | 1999-08-20 | 2006-06-20 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device |
| JP2020064192A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 日本放送協会 | 液晶光変調器、液晶表示装置、およびホログラフィ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |