JPH0728091A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板が、ガラス
基板１０上に走査電極１１と信号電極１２とをマトリク
ス状に設置し、走査電極と信号電極との交点に薄膜トラ
ンジスタが設置され、この薄膜トランジスタを介して信
号電極１２と接続された第１の画素電極１４を有し、前
記薄膜トランジスタのゲート電極１１と同層に形成され
た接続容量電極１５と、この接続容量電極１５により前
記第１の画素電極１４と容量接続された第２の画素電極
１６とを有することを特徴とする液晶表示装置である。 【効果】 第２の電極を形成するために、プロセスを増
加する必要がなく、歩留まりの向上、製造コストの低下
に効果がある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はコンピュータやテレビ等
に用いられる液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、Ｘ，Ｙ電極が付いた２
枚のガラス板の間に５ｕｍ厚程度の液晶を挟み込み、上
記Ｘ−Ｙ電極に印加する電圧によって液晶分子の動きを
制御することにより画像表示を行なう方式であるため、
ＣＲＴに比べ非常に薄い表示装置が可能になる。

【０００３】液晶をＸＹマトリクス駆動（時分割駆動）
する場合、例えばパーソナルコンピュータやワードプロ
セッサのように走査線の本数が多くなると、表示させた
い画素（選択画素）と表示させない画素（非選択画素）
にかかる実効電圧の差が小さくなる。このため、表示画
像のコントラストが低下する問題が生じる。このコント
ラスト低下の問題を防ぎ、高走査線（大容量）ディスプ
レイを実現する方式として薄膜トランジスタを用いたア
クティブマトリクス駆動法が研究されている。

【０００４】薄膜トランジスタを液晶表示装置に応用す
る場合、歩留まり良くかつ低コストに薄膜トランジスタ
アレイを形成する必要がある。一方大画面の表示装置や
車載用表示装置等へ応用する場合には特にあらゆる視野
から見て、視角依存性の無い表示装置の出現が望まれて
いる。しかし、液晶表示装置の場合には図１２に示され
るような固有の視角依存性がある。特に、上下方向の視
角特性がせまく、階調反転が起こらずコントラスト５：
１以上が確保できる視角範囲は３０度しかなく、液晶表
示装置の応用拡大を妨げている原因になっていた。した
がって、歩留まりよく、低コストで視角依存性の少ない
表示装置の出現が望まれている。

【０００５】視角依存性を改良する方法として、画素を
２から３分割し、それぞれの領域の液晶に異なる電圧を
印加する方法が提案された（例えば スナタ等 インタ
ーナショナル ディスプレイ リサーチ コンファレン
ス ２２５ページ １９９１年、Ｔ．Ｓｕｎａｔａ ｅ
ｔ ａｌ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｄｉｓｐｌａ
ｙ Ｒｅｓｅｒｃｈ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｐ２５５
１９９１あるいは特開平２−３１０５３４号公報、特
開平４−３６６８１３号公報、特開平２−１２号公報、
特開平３−１２２６２１号公報参照）。この方法は図１
３にその方法を示す表示装置の素子平面図を示すよう
に、ガラス基板等絶縁性基板上に走査電極１３１と信号
電極１３２をマトリクス状に設置し、その交点に走査電
極、信号電極と第１の画素電極１３４に接続されたゲー
ト電極、ソース・ドレイン電極を有する薄膜トランジス
タが設置されたアクティブマトリクス液晶表示装置にお
いて該第１の画素電極１３４と容量接続された第２の画
素電極１３５を有するＴＦＴアレイ基板を形成し、それ
ぞれの画素電極に印加される電圧の大きさを変えること
によりそれぞれの画素電極に対応する領域の液晶に印加
される電圧の大きさを変える。これにより第１の画素電
極上の領域の液晶では中間調表示の電圧が印加され、第
２の画素電極上の液晶では閾値電圧以下の電圧が印加さ
れるように信号電圧と接続容量を設定することができ
る。この時、液晶素子の動作として、閾値電圧以下の印
加電圧を与えられた液晶素子の視角特性は比較的良好な
ため、第１の画素電極と第２の画素電極上の領域の液晶
はそれぞれの領域の液晶に印加された電圧に対応した視
角特性が得られ、全体としてはそれぞれを重ね合わせた
特性を示す。このため、結果として中間調表示でも視角
特性の比較的良好な表示素子が得られる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図１３の画素
電極構造を形成するためには、ＴＦＴに接続された第１
の画素電極１３４を形成したのち接続容量用絶縁膜を形
成し、その後第２の画素電極１３５を形成する必要があ
り、絶縁膜形成と第２の画素電極形成に必要なプロセス
の増加につながり、液晶表示装置における最も重要な歩
留まりの低下、コストの増大を引き起こしてしまう。

【０００７】一方、画素電極上に液晶の配向方向を分割
し、特に上下方向の視角異方性を平均化し、階調反転が
起こらない方法が提案された。（例えば 高取等 ジャ
パンディスプレイ ５９１ページ １９９２年 Ｋ．Ｔ
ａｋａｔｏｒｉ ｅｔ ａｌ Ｊａｐａｎ ｄｉｓｐｌ
ａｙ ｐ５９１ １９９２あるいは特開昭６３−１０６
６２４号公報、特開平１−８８５２０号公報、特開平１
−２４５２２３号公報参照）しかし、この場合には図１
４に示されるように階調反転が起こらないものの、視角
を大きくしたときの黒状態における輝度が上がってしま
い、コントラストが低下する現象が起きる。このためコ
ントラストが５：１以上に確保できる視角範囲は６０度
以下に制限される。

【０００８】本発明は、かかる視角範囲を向上し、且つ
簡単な構造でプロセスの少ない液晶表示装置を提供する
事にある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、第１の画素電
極と第２の画素電極とを容量接続するにあたって、薄膜
トランジスタのゲート電極または走査電極または蓄積容
量電極と同層に接続容量電極を形成し、この接続容量電
極により、第１の画素電極と第２の画素電極とも容量接
続することを特徴とする。

【００１０】また、複数の接続容量電極により複数の画
素電極を容量的に接続することができる。

【００１１】すなわち、透明絶縁性基板上に走査電極と
信号電極とをマトリクス状に設置し、走査電極と信号電
極との交点に薄膜トランジスタが設置され、この薄膜ト
ランジスタを介して信号電極と接続された第１の画素電
極と、この画素電極に対向する対向電極と、前記画素電
極と前記対向電極とに挟持された液晶層とを有する液晶
表示装置において、前記薄膜トランジスタのゲート電極
または前記走査電極または蓄積容量電極と同層に形成さ
れた接続容量電極と、この接続容量電極により前記第１
の画素電極と容量接続された少なくとも１つの画素電極
とを有することを特徴とする液晶表示装置である。

【００１２】または、第２の画素電極を、薄膜トランジ
スタのゲート電極または走査電極または蓄積容量電極と
同層に形成し、なおかつ、第１の画素電極と容量接続す
るように形成することを特徴とする。

【００１３】すなわち、透明絶縁性基板上に走査電極と
信号電極とをマトリクス状に設置し、走査電極と信号電
極との交点に薄膜トランジスタが設置され、この薄膜ト
ランジスタを介して信号電極と接続された第１の画素電
極と、この画素電極に対向する対向電極と、前記画素電
極と前記対向電極とに挟持された液晶層とを有する液晶
表示装置において、前記薄膜トランジスタのゲート電極
または前記走査電極または蓄積容量電極と同層に形成さ
れ、かつ、前記第１の画素電極と容量接続された少なく
とも１つの画素電極を有することを特徴とする液晶表示
装置である。

【００１４】さらに、各画素電極上には配向方向の異な
る２つ以上の液晶配向領域を設けても良い。

【００１５】透明絶縁基板としては、ガラス基板等を用
いることができる。

【００１６】走査電極、信号電極、ゲート電極、蓄積容
量電極接続容量電極等には、Ｃｒ，Ｔａ，Ａｌ，ＴａＮ
等の金属や合金、積層膜が知られている。

【００１７】画素電極としては、ＩＴＯ等の透明導電膜
が知られている。

【００１８】薄膜トランジスタとしては、チャネルエッ
チ型非晶質Ｓｉ薄膜トランジスタやチャネル保護膜型非
晶質Ｓｉ薄膜トランジスタ、あるいは他の材料のトラン
ジスタでもかまわない。

【００１９】

【作用】本発明では、第１の画素電極と第２の画素電極
とを容量接続するにあたって、薄膜トランジスタのゲー
ト電極または走査電極または蓄積容量電極と同層に接続
容量電極を形成し、この接続容量電極により、第１の画
素電極と第２の画素電極とを容量接続している。また
は、第２の画素電極を、薄膜トランジスタのゲート電極
または走査電極または蓄積容量電極と同層に形成し、な
おかつ、第１の画素電極と容量接続するように形成して
いる。このため第２の電極を形成するために、プロセス
を増加する必要がなく、歩留まりの向上、製造コストの
低下に効果がある。

【００２０】さらに、図５に実施例が示されているが、
それぞれの画素電極上には配向方向の異なる液晶配向領
域２１０、２１１があるため異なる画素電極電位で駆動
していたときに問題になっていた図２に示されるような
視野角の高いときに起こる階調反転が起こらない。ま
た、画素内で配向方向の異なる液晶表示領域だけを有す
る図１４に示されているような視角を増加したときに起
こるコントラストの低下が発生しない。この結果、図６
に示されるような上下方向の視角特性が大幅に改善さ
れ、上下、左右ともに視角特性の良い液晶表示装置が提
供される。

【００２１】

【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。図１は第１の発明の第１の実施例を示す液晶
表示装置のＴＦＴアレイ基板の（ａ）平面図と（ｂ）Ａ
−Ａ′断面図である。

【００２２】まず透明ガス基板１０上に例えばＣｒを１
５００Ａの厚さでスパッタ成膜し走査電極、ゲート電極
１１と接続容量電極１５、蓄積容量電極１７を島状に形
成する。また、蓄積容量電極を用いない場合も考えられ
るがこの場合においても本発明の有効性は損なわない。
続いてゲート絶縁膜１８を５００Ａ、非晶質Ｓｉ膜１９
を３０００ＡをプラズマＣＶＤ法で形成する。非晶質Ｓ
ｉ膜を島状に形成し、続いて透明電極である酸化インジ
ウム錫を５００Ａスパッタ成膜して第１の画素電極１４
と第２の画素電極１６を同時に島状に形成する。この
時、第１の画素電極と第２の画素電極面積は液晶の表示
モードにより異なる。ノーマリブラックモードでは第１
の画素電極を第２の画素電極に対し同等から２倍程度大
きく設定し、ノーマリホワイトモードではほぼ同等から
半分程度小さく設定した。続いてＣｒを１５００Ａスパ
ッタ成膜して信号電極、ソース電極１２とドレイン電極
１３を島状に形成する。非晶質Ｓｉのオーミック層を部
分的にエッチングして薄膜トランジスタを完成させ、最
後に保護膜である窒化Ｓｉを２０００Ａ形成してＴＦＴ
アレイ基板を完成させる。この後、配向処理を行い、カ
ラーフィルタ基板を張り合わせ、液晶を注入、封止した
後、硝子基板を切断、駆動回路、バックライトを接続し
液晶表示装置を完成させた。

【００２３】得られた液晶表示装置の視角特性を図２に
示す。図１２に示された従来構造の液晶表示装置の視角
特性に比べて中間調表示領域の視角特性が大幅に改善さ
れていることがわかる。

【００２４】図３は本発明の第２の実施例を液晶表示装
置におけるＴＦＴアレイの（ａ）平面図と（ｂ）Ａ−
Ａ′断面図を示す。この場合には走査電極３１にＣｒと
酸化インジウム錫透明電極の積層膜を用い、容量接続電
極３５には走査電極の１部に用いられた透明電極を用い
た。この場合においても走査電極やゲート電極を形成す
るプロセスと容量接続電極を形成するプロセスが同時に
行われるため、基本プロセスは従来構造と同等のまま視
角特性を改善することができる。

【００２５】図４は本第１の発明の第３の実施例を示す
液晶表示装置のＴＦＴアレイの（ａ）平面図と（ｂ）Ａ
−Ａ′断面図である。まず透明ガラス基板４０上に例え
ばＴａを２０００Ａの厚さでスパッタ成膜し走査電極、
ゲート電極４１と接続容量電極４５を島状に形成する。
続いてゲート絶縁膜４８を５０００Ａ、非晶質Ｓｉ膜４
９を３０００ＡをプラズマＣＶＤ法で形成する。非晶質
Ｓｉ膜を島状に形成し、続いて透明電極である酸化イン
ジウム錫を５００Ａスパッタ成膜して第１の画素電極と
第２の画素電極及び第３の画素電極を同時に島状に形成
する。この時、第１から第３の画素電極はそれぞれ接続
容量電極に空間的に重なるように接続容量電極と第１か
ら第３の画素電極を設計する。

【００２６】さらに第１から第３の画素電極を前段の走
査電極に空間的に重なるように第１から第３の画素電極
を設計することにより液晶表示動作の安定性を向上させ
る。この時走査電極への重なりは全ての画素電極が重な
らなくとも良い。また、第１の画素電極と第２の画素電
極面積は液晶の表示モードにより異なる。続いてＣｒを
１５００Ａスパッタ成膜して信号電極、ソース電極４２
とドレイン電極４３を島状に形成する。非晶質Ｓｉ中の
オーミック層を部分的にエッチングして薄膜トランジス
タを完成させ、最後に保護膜である窒化Ｓｉを２０００
Ａ形成してＴＦＴアレイ基板を完成させる。本実施例で
はチャネルエッチ型非晶質Ｓｉ薄膜トランジスタで形成
したが、チャネル保護膜型非晶質Ｓｉ薄膜トランジスタ
等のトランジスタ構造、他材料のトランジスタでも本発
明は有効である。この後、配向処理を行い、カラーフィ
ルタ基板を張り合わせ、液晶を注入、封止した後、硝子
基板を切断、駆動回路、バックライトを接続し液晶表示
装置を完成させた。

【００２７】図５は本第１の発明の第１の実施例に画素
電極１４と画素電極１６上に液晶の配向状態の異なる領
域２１０、２１１を形成した第４の実施例を示す（ａ）
平面図と（ｂ）Ａ−Ａ′断面図である。ＴＦＴアレイ基
板は第１の実施例と同様の方法で作製した。配向処理
は、図７７１の方向にガラス基板全体に配向処理を行
い、続いて７３の領域にレジストを被覆し、さらにガラ
ス基板全体を７２の方向に配向処理を行なう。その後、
レジストを剥離すると７３の領域には７１の方向に配向
処理がなされ、７４の領域には７２の方向の配向処理が
なされる。この時液晶注入後の液晶のプレティルト角が
３度以上になるように配向膜を選択した。一方カラーフ
ィルタ基板の配向処理には７２の方向と９０度直行する
ように配向処理を施した。この時の液晶のプレティルト
角は１度程度になるように配向膜を選択した。また、カ
ラーフィルタ基板の配向処理において、ＴＦＴの設置さ
れた基板の配向処理と同様に、画素に対応する部分を２
つの領域に分け、それぞれ７１の方向、７２の方向と９
０度ねじれた方向に配向処理をすることも可能である。

【００２８】さらに、配向方向を多くした例えば配向処
理を施さないランダム配向においても本発明は有効に作
用する。その後、ＴＦＴの基板とカラーフィルタの基板
を張り合わせ、液晶を注入、封止した後、ガラス基板を
切断、駆動回路、バックライトを接続し液晶表示装置を
完成させた。

【００２９】得られた液晶表示装置の視角特性を図６に
示すが、図２や、従来特性である図１４に示された液晶
表示装置の視角特性に比べて中間調表示領域の視角特性
が大幅に改善されていることがわかる。

【００３０】図８は本第１の発明の第５の実施例を示
す、液晶表示装置のＴＦＴアレイの（ａ）平面図と
（ｂ）断面図である。まず透明ガラス基板８０上に例え
ばＴａを２０００Ａの厚さでスパッタ成膜し走査電極、
ゲート電極８１と接続容量電極８５を島状に形成する。
続いてゲート絶縁膜８８を５０００Ａ、非晶質Ｓｉ膜８
９を３０００ＡをプラズマＣＶＤ法で形成する。非晶質
Ｓｉ膜を島状に形成し、続いて透明電極である酸化イン
ジウム錫を５００Ａスパッタ成膜して第１の画素電極８
４と第２の画素電極８６及び第３の画素電極８７を同時
に島状に形成する。この時、第１から第３の画素電極は
それぞれ接続容量電極に空間的に重なるように接続容量
電極と第１から第３の画素電極を設計する。さらに第１
から第３の画素電極を前段の走査電極に空間的に重なる
ように第１から第３の画素電極を設計することにより液
晶表示動作の安定性を向上させる。この時走査電極への
重なりは全ての画素電極が重ならなくとも良い。また、
第１の画素寝極と第２の画素電極面積は液晶の表示モー
ドにより異なる。続いてＣｒを１５００Ａスパッタ成膜
して信号電極、ソース電極８２とドレイン電極８３を島
状に形成する。非晶質Ｓｉ中のオーミック層を部分的に
エッチングして薄膜トランジスタを完成させ、最後に保
護膜である窒化Ｓｉを２０００Ａ形成してＴＦＴアレイ
基板を完成させる。

【００３１】この後、さらに８１０領域に液晶注入後の
液晶プレティルト角が１度以下の配向膜を形成し、８１
１の領域に液晶注入後の液晶のプレティルト角が３度以
上の配向膜をパターン形成する。その後８１２の方向に
配向処理を行なう。一方、カラーフィルタ基板の配向膜
の形成は８１０の領域に対応するカラー基板の領域では
液晶注入後の液晶のプレティルト角が３度以上の配向膜
を、８１１の領域に対応するカラーフィルタ基板側の領
域では液晶注入後の液晶のプレティルト角が１度以下に
なるように配向膜を選びパターン形成する。さらにＴＦ
Ｔ側の配向方向とほぼ９０度捻れるように配向方向を選
択し、配向処理を行なう。続いて、ＴＦＴアレイ基板と
カラーフィルタ基板を張り合わせ、液晶を注入、封止し
た後、硝子基板を切断、駆動回路、バックライトを接続
し液晶表示装置を完成させた。

【００３２】図９は本第２の発明の第１の実施例におけ
る液晶表示装置のＴＦＴアレイの（ａ）平面図と（ｂ）
断面図を示す。まず透明ガラス基板９０上に例えばＣｒ
を１０００Ａの厚さでスパッタ成膜し走査電極、ゲート
電極９１と続いて酸化インジウム錫を５００Ａスパッタ
成膜し、接続容量電極兼第２の画素電極９６を島状に形
成する。この時の金属電極はＣｒの他にＡｌ，ＴａＮ，
等の金属や合金、積層膜が知られているがいずれの場合
でも本発明は有効である。また、接続容量電極の一部に
金属膜を使用したり、走査電極やゲート電極に透明電極
を積層しても本発明は有効である。続いてゲート絶縁膜
９８を４０００Ａ、非晶質Ｓｉ膜９９を３０００Ａをプ
ラズマＣＶＤ法で形成する。非晶質Ｓｉ膜を島状に形成
し、続いて透明電極である酸化インジウム錫を５００Ａ
スパッタ成膜して第１の画素電極を島状に形成する。こ
の時、第１と第３の画素電極は空間的に重なるように画
素電極を設計する。

【００３３】さらに第１と第２の画素電極を前段の走査
電極に空間的に重なるように第１、第２の画素電極を設
計すことにより液晶表示動作の安定性を向上させること
もできる。この時走査電極への重なりは全ての画素電極
が重ならなくとも良い。また、第１の画素電極と第２の
画素電極面積は液晶の表示モードにより異なる。続いて
Ｃｒを１５００Ａスパッタ成膜して信号電極、ソース電
極９２とドレイン電極９３を島状に形成する。非晶質Ｓ
ｉ中のオーミック層を部分的にエッチングして薄膜トラ
ンジスタを完成させ、最後に保護膜である窒化Ｓｉを２
０００Ａ形成してＴＦＴアレイ基板を完成させる。この
後、配向処理を行ない、カラーフィルタ基板を張り合わ
せ、液晶を注入、封止した後、硝子基板を切断、駆動回
路、バックライトを接続し液晶表示装置を完成させた。
本液晶表示装置の視角特性は図２に示された視角特性と
ほぼ同等な視角特性が得られ、従来構造よりも良好な視
角特性が得られた。

【００３４】図１０は本第２の発明の第１の実施例にお
ける液晶表示装置と同様にただし、配向処理を行わずに
作製したＴＦＴアレイの（ａ）平面図と（ｂ）断面図を
示す。配向処理を行わずに、カラーフィルタ基板を張り
合わせ、液晶を注入、封止した後、硝子基板を切断、駆
動回路、バックライトを接続し液晶表示装置を完成させ
た。この場合には画素内の２つの画素電極上には液晶配
向方向の異なる多くの配向領域が得られた。この場合に
は視角特性は改善されたが、コントラストの低下が観測
された。この画素電極構造においては、第２の発明のよ
うなそれぞれの画素電極上で液晶配向分割方法を行った
場合にはコントラストの低下は起こらず、視角特性は大
幅に改善された。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、図１１で示される従来の液晶表示装置で使用されて
いる薄膜トランジスタアレイ構造に比べ、走査電極やゲ
ート電極、蓄積容量電極と接続容量電極を同時に形成で
きる。また、視角特性も図１２に示されている従来構造
に比べて上下方向の視角範囲で３０度から５５度の改善
ができている。さらに、図１３に示されるような報告れ
た視角特性を改善した液晶表示装置における薄膜トラン
ジスタアレイ構造から予想される構造より簡単であり、
視角特性も維持できている。また、蓄積容量も工程を増
やさず導入できるため低コストで安定で、視角特性の良
い液晶表示装置が提供される構造が提供され、本発明の
効果は顕著である。

【００３６】走査電極と接続電極は同層に形成され、し
かも第１の画素電極と第２の画素電極は接続容量と容量
接続されるため第１の画素電極電位と第２の画素電極電
位には異なった電圧を印加することが可能となり、視角
特性が改善された図１３の従来の画素分割型液晶表示装
置の構造に比べ、構造が簡単な液晶表示装置を提供する
ことが可能となる。さらに、それぞれの画素電極上には
配向方向の異なる液晶配向領域があるため、異なる画素
電極電位で駆動したときの液晶表示装置の視角特性で問
題になっていた図２で示されるような階調反転が起こら
ない。また、画素内で配向方向の異なる液晶表示領域だ
けを有する図１４で示されるような従来の配向分割型の
液晶表示素子の視角を増加したときに起こっていたコン
トラストの低下が起こらない。この結果、図６で示され
るように、上下方向で視角特性は従来の画素分割型液晶
表示装置の階調反転が起こらないでコントラスト５：１
以上の視角範囲が５５度であり、また、図１２に示され
た従来の配向分割型液晶表示装置の視角範囲を６０度に
くらべて、図６に本発明の視角特性が示されているよう
に視角範囲が８０度以上と大幅な改善をすることがで
き、本発明の効果は顕著である。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の発明の第１の実施例を示す液晶表示装置
の薄膜トランジスタアレイの平面図と断面図を示す。

【図２】本発明の液晶表示装置の８階調表示における視
角特性を示す。

【図３】第１の発明の第２の実施例を示す液晶表示装置
の薄膜トランジスタアレイの平面図と断面図を示す。

【図４】第１の発明の第３の実施例を示す液晶表示装置
の薄膜トランジスタアレイの平面図と断面図を示す。

【図５】第２の発明の第１の実施例を示す液晶表示装置
の薄膜トランジスタアレイの平面図と断面図を示す。

【図６】本発明の液晶表示装置の８階調表示における視
角特性を示す。

【図７】第２の発明の第１の実施例を示す液晶表示装置
の構成図を示す。

【図８】第２の発明の第２の実施例を示す液晶表示装置
の薄膜トランジスタアレイの平面図と断面図を示す。

【図９】第３の発明の第１の実施例を示す液晶表示装置
の薄膜トランジスタアレイの平面図と断面図を示す。

【図１０】第４の発明の第１の実施例を示す液晶表示装
置の薄膜トランジスタアレイの平面図と断面図を示す。

【図１１】従来の液晶表示装置の薄膜トランジスタアレ
イの平面図と断面図を示す。

【図１２】従来の液晶表示装置の視角特性を示す。

【図１３】視角特性を改善した液晶表示装置の薄膜トラ
ンジスタアレイの平面図を示す。

【図１４】配向方向を分割したのみの液晶表示装置の上
下方向の８階調表示における視角特性を示す。

【符号の説明】

１０，３０，４０，７０，８０，９０，１００，１１０
ガラス基板 １１，３１，４１，８１，９１，１０１，１１１ 走査
電極またはゲート電極 １２，１３，３２，３３，４２，４３，８２，８３，９
２，９３，１０２，１０３，１１２，１１３ ソース電
極またはドレイン電極または信号電極 １４，３４，４４，７７，８４，９４，１０４，１１
４，１３４ 第１の画素電極 １５，３５，４５，７１０，８５ 接続容量電極 １６，３６，４６，７８，８６，９６，１０６，１３５
第２の画素電極 １７，７９ 蓄積容量電極 １８，３８，４８，８８，９８，１０８，１１８ ゲー
ト絶縁膜 １９，３９，４９，８９，９９，１０９，１１９ 半導
体膜 ４００，８７ 第３の画素電極 ７３，７４，２１０，２１１，８１０，８１１，１０１
０，１０１１ 液晶配向領域 ７１，７２，３１１，８１２ 液晶配向処理方向 ７５ カラーフィルタ基板 ７６ 配向膜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明絶縁性基板上に走査電極と信号電極
   とをマトリクス状に設置し、走査電極と信号電極との交
   点に薄膜トランジスタが設置され、この薄膜トランジス
   タを介して信号電極と接続された第１の画素電極と、こ
   の画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と前記
   対向電極とに挟持された液晶層とを有する液晶表示装置
   において、前記薄膜トランジスタのゲート電極または前
   記走査電極または蓄積容量電極と同層に形成された接続
   容量電極と、この接続容量電極により前記第１の画素電
   極と容量接続された少なくとも１つの画素電極とを有す
   ることを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 透明絶縁性基板上に走査電極と信号電極
   とをマトリクス状に設置し、走査電極と信号電極との交
   点に薄膜トランジスタが設置され、この薄膜トランジス
   タを介して信号電極と接続された第１の画素電極と、こ
   の画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と前記
   対向電極とに挟持された液晶層とを有する液晶表示装置
   において、前記薄膜トランジスタのゲート電極または前
   記走査電極または蓄積容量電極と同層に形成され、か
   つ、前記第１の画素電極と容量接続された少なくとも１
   つの画素電極を有することを特徴とする液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記各画素電極上に配向方向の異なる２
   つ以上の液晶配向領域を有することを特徴とする請求項
   １または２記載の液晶表示装置。