JPH0961845A - 液晶表示基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 表示用電極と基準電極との離間距離を常時一
定に形成できるようにする。 【構成】 液晶層を介して互いに対向して配置される透
明基板のうち、その一方の透明基板の液晶層側の面に表
示用電極と基準電極とが備えられ、これら表示用電極と
基準電極の間に透明基板面と平行に発生させる電界によ
って前記液晶層の光透過率を変化させる液晶表示基板に
おいて、前記表示用電極と基準電極は同一の工程で形成
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示基板の製造方法
に係り、特に、いわゆる横電界方式と称される液晶表示
基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、いわゆる横電界方式と称される液
晶表示基板が知られるようになってきた。これに対して
従来の液晶表示基板は対比的に縦電界方式と称されるも
のである。

【０００３】すなわち、縦電界方式と称されるものは、
液晶を介して互いに対向配置される透明基板のそれぞれ
に電極を備え、これら各電極によって透明基板と垂直方
向に電界を発生させることによって該液晶の光透過率を
変化させる構成となっている。

【０００４】これに対して、横電界方式と称されるもの
は、液晶を介して互いに対向配置される透明基板のうち
の一方の透明基板に一対の電極（表示用電極および基準
電極）を備え、これら各電極によって透明基板と平行な
方向に電界を発生させることによって該液晶の光透過率
を変化させる構成となっている。

【０００５】横電界方式の液晶表示基板は、その表示面
に対して大きな角度方向から該表示面を観察しても鮮明
な画像が得られ、いわゆる広視野角で画像認識できると
いう効果を備えるものである。

【０００６】なお、このような液晶表示基板は、たとえ
ば特許出願公表平５−５０５２４７あるいは特公昭６３
−２１９０７等の文献等に詳述されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このような構成からな
る液晶表示基板は、通常、表示用電極を中心としてその
両脇に基準電極を配置させる構成をとるとともに、それ
ら各表示用電極と基準電極はそれぞれ別工程で製造する
ようになっていた。

【０００８】このため、これら各電極の形成の際のマス
クアライメントのずれによって、各基準電極間の中心に
完全に表示用電極が位置づけられることは少なく、一方
の基準電極側に必要以上に近接しかつ他方の基準電極側
に必要以上に離間されて配置されてしまうということが
生じていた。

【０００９】このように構成された場合、各単位画素
（カラー表示の場合の色別の各画素をいう）において透
過量の大きい部分と小さい部分とが生じることとなっ
て、所望の色が表示できなくなるという問題が指摘され
るに至った。

【００１０】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、表示用電極と基準電極と
の離間距離を常時一定に形成できる液晶表示基板の製造
方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１２】すなわち、液晶層を介して互いに対向して
配置される透明基板のうち、その一方の透明基板の液晶
層側の面に表示用電極と基準電極とが備えられ、これら
表示用電極と基準電極の間に透明基板面と平行に発生さ
せる電界によって前記液晶層の光透過率を変化させる液
晶表示基板において、前記表示用電極と基準電極は同一
の工程で形成することを特徴とするものである。

【００１３】

【作用】このように構成した液晶表示基板の製造方法
は、特に、表示用電極と基準電極とを同一の工程で形成
している。

【００１４】このことは、同一のマスク（フォトマス
ク）で該表示用電極と基準電極とを形成することにな
り、これら各電極の離間距離を常に一定のままで形成で
きることを意味する。

【００１５】

【実施例】以下、本発明による液晶表示基板およびその
製造方法の実施例について図面を用いて説明する。

【００１６】まず、本発明の対象となるいわゆる横電界
方式の液晶表示基板の概略について説明する。

【００１７】図２に示すように、液晶表示基板１があ
り、この液晶表示基板１の液晶を介して互いに対向配置
される透明基板のうち一方の透明基板１Ａの液晶側の面
に、そのｘ方向に延在しｙ方向に並設される走査信号線
２が形成され、この走査信号線２と絶縁されてｙ方向に
延在しｘ方向に並設される映像信号線３が形成されてい
る。

【００１８】これら走査信号線２および映像信号線３に
よって囲まれる矩形状の各領域において単位画素が形成
される領域となり、これら各単位画素がマトリッスク状
に配置された表示面を構成するようになっている。

【００１９】これら各単位画素の詳細な構成については
後に説明するが、いわゆる横電界方式においてはｘ方向
に並設されるそれぞれの画素群に共通な基準信号線４が
設けられており、これら各基準信号線４にはそれぞれ一
定の電圧が印加されるようになっている。

【００２０】液晶表示基板１には、その外部回路として
垂直走査回路５および映像信号駆動回路６が備えられ、
該垂直走査回路５によって前記走査信号線２のそれぞれ
に順次走査信号（電圧）が供給され、そのタイミングに
合わせて映像信号駆動回路６は映像信号線３に映像信号
を供給するようになっている。

【００２１】なお、垂直走査回路５および映像信号駆動
回路６は表示情報処理回路７からの情報によって駆動さ
れるようになっており、特に、垂直走査回路５はその走
査信号の走査時間を決定するクロック回路８を介して駆
動されるようになっている。

【００２２】また、前記基準信号線４に印加される電圧
も表示情報処理回路７から供給されるようになってい
る。

【００２３】以下、このように構成される液晶表示基板
１における各単位画素の実施例を以下説明する。

【００２４】実施例１．図１に示すように、まず、透明
基板１Ａの主表面に、そのｘ方向に延在し互いに平行な
走査信号線２と基準信号線４が形成され、これら走査信
号線２と基準信号線４をも被ってほぼ全域にわたって形
成された絶縁膜１０を介して、ｙ方向に延在して互いに
平行な映像信号線３が形成されている。

【００２５】走査信号線２上の一部に薄膜トランジスタ
ＴＦＴが形成され、この薄膜トランジスタＴＦＴは前記
走査信号線２の一部をゲート電極とし、前記走査信号線
２に走査信号が供給された際にオン動作するようになっ
ている。

【００２６】映像信号線３からの映像信号は、薄膜トラ
ンジスタＴＦＴのドレイン電極３Ａに供給されるように
なっており、該薄膜トランジスタＴＦＴがオンした際に
はそのソース電極９Ａを介して表示用電極９に供給され
るようになっている。

【００２７】表示用電極９は、互いに隣接する映像信号
線３のほぼ中央をｙ方向に延在されて形成されていると
ともに、その先端は基準信号線４と前記絶縁膜１０を介
して一部重畳するようにして形成されている。基準信号
線との間に容量素子Ｃｓｔｇを形成する目的でなされ、
この容量素子Ｃｓｔｇによって前記薄膜トランジスタＴ
ＦＴがオフした後の映像信号を長く蓄積する等の効果を
ねらっている。

【００２８】また、表示用電極９を間にして映像信号線
３と近接して配置される一対の基準電極４Ａがｙ方向に
延在されて形成されている。これら各基準電極４Ａの基
準信号線４側の端部は絶縁膜１０に形成された孔を通し
て該基準信号線４に接続されている。

【００２９】これにより、映像信号が供給された表示電
極９と基準電極４Ａとの間に電圧差を生じせしめ、それ
らの間の液晶に発生する横方向の電界によって該液晶の
光透過率が変化するようになっている。

【００３０】なお、図示していないが、このように構成
された透明基板１Ａの主表面の全域にはたとえばシリコ
ン窒化膜からなる保護膜３０が形成されているととも
に、その保護膜３０の面の全域には配向膜３１が形成さ
れている（図３参照）。

【００３１】図３は、他方の透明基板１１によって挟持
された液晶ＬＣに印加される電界Ｅの状態を示した断面
図であり、該液晶ＬＣ内には透明基板１Ａの主表面と平
行な電界Ｅが発生し、この電界Ｅによって液晶分子がそ
の長軸を含む面内で回転するようになっている。これに
より観察する方向によって液晶分子の見え方（屈折率異
方性）の差が小さくなるため、広い視野角の表示を達成
することができるようになる。いわゆる横電界方式の液
晶表示基板の最も顕著な効果となるものである。

【００３２】なお、他方の透明基板１１の液晶側の面に
は、その単位画素となる領域にカラーフィルタ１２が設
けられ、このカラーフィルタ１２はその周辺においてブ
ラックマトリックス１３を被った状態で形成されてい
る。また、これらカラーフィルタ１２およびブラックマ
トリックス１３を覆って保護膜４０および配向膜４１が
順次形成されている。

【００３３】次に、図１に示した構成を得るための製造
工程について図４を用いて以下説明する。

【００３４】工程１．図４（ａ）に示すように、透明基
板１Ａの主表面にたとえばクロム（Ｃｒ）からなる走査
信号線２および基準信号線４を周知のフォトリソグラフ
ィ技術による選択エッチング方法により形成する。その
後、走査信号線２および基準信号線４を含んだ全域にシ
リコン窒化膜からなる絶縁膜１０をたとえばプラズマＣ
ＶＤ法により形成する。

【００３５】工程２．つづいて前記絶縁膜１０上にａ−
Ｓｉ（アモルファスＳｉ）層、ｎ型ａ−Ｓｉ層を順次プ
ラズマＣＶＤ法により形成し、これらａ−Ｓｉ層および
ｎ型ａ−Ｓｉ層を周知のフォトリソグラフィ技術による
同一パターンの選択エッチング方法を用いて、半導体積
層体１５を図４（ｂ）に示すように形成する。

【００３６】この半導体積層体１５は、薄膜トランジス
タＴＦＴの形成領域に形成されるものであるが、この
際、走査信号線２および基準信号線４のそれぞれの映像
信号線３との交差部にても同時に形成されるようになっ
ている。絶縁膜１０とともに層間絶縁膜としての信頼性
を向上させようとする趣旨である。

【００３７】工程３．絶縁膜１０の一部を周知のフォト
リソグラフィ技術による選択エッチング方法により孔開
けし、これにより基準信号線４の一部を露出させる。こ
の露出部は後の工程で形成される基準電極４Ａが該基準
信号線４と接続されるために設けられるものである。

【００３８】工程４．たとえばＭｏからなる映像信号線
３（薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極３Ａが一体
化されている）、表示用電極９（薄膜トランジスタＴＦ
Ｔのソース電極９Ａが一体化されている）および基準電
極４Ａを周知のフォトリソグラフィ技術による選択エッ
チング方法により形成する。

【００３９】この場合、映像信号線３、表示用電極９お
よび基準電極４Ａは同一マスクによるフォトリソグラフ
ィ技術により形成されるものとなっており、これによ
り、それら相互の位置関係は全くずれが生じることなく
設定通りに形成されるようになっている。

【００４０】したがって、前記マスクの形成時におい
て、表示用電極９のパターンを間にしてその両脇に等し
い間隔で基準電極４Ａのパターンを描くことによって、
形成される基準電極４Ａはそれぞれ表示用電極９に対し
て全く等しい間隔で常に形成されることになる。

【００４１】そして、上述した実施例では、走査信号線
２と基準信号線４とを同工程で、また、映像信号線３、
基準電極４Ａおよび表示用電極９とを同工程で形成して
いることから、製造工程の低減が図れるようになる。

【００４２】実施例２．図５は図１と対応する図であ
り、図１と同符号のものは同一の機能を有する部材から
なっている。

【００４３】図１と異なる構成は、まず、基準電極４Ａ
は基準配線４と一体に形成されている。また、表示用電
極９はそれと別体の導電層によって形成される薄膜トラ
ンジスタＴＦＴのソース電極９Ａと接続されているとと
もに、該導電層と同一の導電層によって形成される容量
素子Ｃｓｔｇの電極９Ｂと接続されている。そして、こ
の場合の容量素子Ｃｓｔｇの誘電体はシリコン窒化膜か
らなる絶縁膜に半導体層がさらに積層された積層体１６
から構成されている。

【００４４】さらに、絶縁膜は、前記容量素子Ｃｓｔｇ
の誘電体の一部としての他に、薄膜トランジスタＴＦＴ
のゲート絶縁膜、および層間絶縁膜の一部としてのみ形
成され、他の領域には形成されていないものとなってい
る。

【００４５】次に、図５に示した構成を得るための製造
工程について図６を用いて以下説明する。

【００４６】工程１．図６（ａ）に示すように、透明基
板１Ａの主表面にたとえばＴａ／ＴａＮからなる走査信
号線２、表示用電極９、基準信号線４およびこの基準信
号線４と一体になっている基準電極４Ａを周知のフォト
リソグラフィ技術による選択エッチング方法により形成
する。

【００４７】この場合、映像信号線３、表示用電極９お
よび基準電極４Ａは同一マスクによるフォトリソグラフ
ィ技術により形成されるものとなっており、これによ
り、それら相互の位置関係は全くずれが生じることなく
設定通りに形成されるようになっている。

【００４８】したがって、前記マスクの形成時におい
て、表示用電極９のパターンを間にしてその両脇に等し
い間隔で基準電極４Ａのパターンを描くことによって、
形成される基準電極４Ａはそれぞれ表示用電極９に対し
て全く等しい間隔で常に形成されることになる。

【００４９】工程２．つづいて透明基板１Ａ上にシリコ
ン窒化膜からなる絶縁膜、ａ−Ｓｉ（アモルファスＳ
ｉ）層、およびｎ型ａ−Ｓｉ層を順次プラズマＣＶＤ法
により形成し、これらｎ型ａ−Ｓｉ層、ａ−Ｓｉ層およ
び絶縁膜を周知のフォトリソグラフィ技術による同一パ
ターンの選択エッチング方法を用いて、積層体１６を図
６（ｂ）に示すように形成する。

【００５０】この積層体１６は、薄膜トランジスタＴＦ
Ｔの形成領域、および容量素子Ｃｓｔｇの形成領域に形
成される他に、走査信号線２および基準信号線４のそれ
ぞれの映像信号線３との交差部にも形成されるようにな
っている。層間絶縁膜としての信頼性を向上させようと
する趣旨である。

【００５１】工程３．たとえばＣｒからなる映像信号線
３（薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極３Ａが一体
化されている）、表示用電極９と接続される薄膜トラン
ジスタＴＦＴのソース電極９Ａ、および表示電極９と接
続される容量素子Ｃｓｔｇの電極９Ｂを周知のフォトリ
ソグラフィ技術による選択エッチング方法により形成す
る。

【００５２】上述した製造工程によれば、最初に、走査
信号線２、表示用電極９、基準信号線４、およびこの基
準信号線４と一体に形成される基準電極４Ａとを形成
し、薄膜トランジスタＴＦＴの形成後に、映像信号線３
の形成と同時に前記表示用電極９を該薄膜トランジスタ
ＴＦＴに接続させていることから大幅な工数低減を図る
ことができるようになる。

【００５３】実施例３．図７は図１と対応する図であ
り、図１と同符号のものは同一の機能を有する部材から
なっている。

【００５４】図１と異なる構成は、まず、走査信号線２
および基準信号線４の映像信号線３に対する層間絶縁膜
の一部として形成される絶縁膜１０は、実質的に画素領
域となる部分において孔開けがなされている。そして、
この孔開けがなされた部分において、互いに同材料とな
っている画素用電極９と基準電極４Ａとが形成されてい
るが、特に、このうち基準電極４Ａに関しては他の導電
層との積層構造となっている。

【００５５】すなわち、絶縁膜１０の下層として形成さ
れている基準信号線４は前記基準電極４Ａの形成領域に
及んで充分延在された延在部４Ｂを備えたものとなって
おり、前記基準電極４Ａは該延在部４Ｂに重畳されて形
成されている。

【００５６】図８は、図７のVIII−VIII線における断面
を示す図であり、基準信号線４はその下層に形成される
前記延在部４Ｂとともに積層構造となっていることを示
している。

【００５７】次に、図７に示した構成を得るための製造
工程について図９を用いて以下説明する。

【００５８】工程１．図９（ａ）に示すように、透明基
板１Ａの主表面にたとえばＣｒからなる走査信号線２お
よび基準信号線４を周知のフォトリソグラフィ技術によ
る選択エッチング方法により形成する。この場合、基準
信号線４には基準電極４Ａを形成すべき領域に及んで延
在された延在部４Ａが形成されている。

【００５９】その後、走査信号線２および基準信号線４
（および延在部４Ｂ）をも含んで全域にシリコン窒化膜
からなる絶縁膜１０をたとえばプラズマＣＶＤ法により
形成する。

【００６０】工程２．つづいて前記絶縁膜１０上にａ−
Ｓｉ（アモルファスＳｉ）層、ｎ型ａ−Ｓｉ層を順次プ
ラズマＣＶＤ法により形成し、これらａ−Ｓｉ層および
ｎ型ａ−Ｓｉ層を周知のフォトリソグラフィ技術による
同一パターンの選択エッチング方法を用いて、半導体積
層体１５を図９（ｂ）に示すように形成する。

【００６１】この半導体積層体１５は、薄膜トランジス
タＴＦＴの形成領域に形成されるものであるが、この
際、走査信号線２および基準信号線４のそれぞれの映像
信号線３との交差部にても同時に形成されるようになっ
ている。絶縁膜１０とともに層間絶縁膜としての信頼性
を向上させようとする趣旨である。

【００６２】工程３．実質的に画素領域となる部分に相
当する絶縁膜１０を周知のフォトリソグラフィ技術によ
る選択エッチング方法により除去する。

【００６３】これにより基準信号線４と一体に形成され
たその延在部４Ｂの大部分が露出されるようになる。こ
の露出部は後の工程で形成される基準電極４Ａが該延在
部４Ｂと積層されて接続されるために設けられるもので
ある。

【００６４】工程４．Ｃｒからなる映像信号線３（薄膜
トランジスタＴＦＴのドレイン電極３Ａが一体化されて
いる）、表示用電極９（薄膜トランジスタＴＦＴのソー
ス電極９Ａが一体化されている）および基準電極４Ａを
周知のフォトリソグラフィ技術による選択エッチング方
法により形成する。

【００６５】この場合、映像信号線３、表示用電極９お
よび基準電極４Ａは同一マスクによるフォトリソグラフ
ィ技術により形成されるものとなっており、これによ
り、それら相互の位置関係は全くずれが生じることなく
設定通りに形成されるようになっている。

【００６６】したがって、前記マスクの形成時におい
て、表示用電極９のパターンを間にしてその両脇に等し
い間隔で基準電極４Ａのパターンを描くことによって、
形成される基準電極４Ａはそれぞれ表示用電極９に対し
て全く等しい間隔で常に形成されることになる。

【００６７】ここで、延在部４Ｂを形成する際のマスク
と、該延在部４Ｂに積層される基準電極４Ａを形成する
際のマスクとが、それぞれのアライメントにおいてずれ
が生じたとしてもそれらの材料が同一である限り特に問
題となることはなく、基準電極４Ａはそれぞれ表示用電
極９に対して全く等しい間隔で常に形成されることにな
る。

【００６８】すなわち、図１０（ａ）に示すように、透
明基板１Ａ面に前記延在部４Ｂを形成し、その延在部４
Ｂと同一の材料からなる導電層４Ｘを全面に形成した
後、この導電層４Ｘを選択エッチングする際のマスクと
なるフォトレジスト膜１８がマスクアライメントのずれ
によってＬ１分だけずれた場合を考えてみる。

【００６９】エッチング液によってフォトレジスト膜１
８から露出されている導電層４Ｘはエッチングされるこ
とになるが、この際に、該フォトレジスト膜１８に対し
てずれて形成された部分の延在部４Ｂもともにエッチン
グされることになり、図１０（ｂ）に示すように前記フ
ォトレジスト膜１８のパターンどおりの基準電極４Ａが
形成されることになる。このことから、基準電極４Ｂの
表示用電極９からの離間距離には前記延在部４Ｂに全く
関係しないことが明らかとなる。

【００７０】また、このようにすることによって、基準
電極４Ａの抵抗値を低減できる効果をも有する。

【００７１】実施例４．図１１は図１と対応する図であ
り、図１と同符号のものは同一の機能を有する部材から
なっている。なお、図１１のXII−XII線における断面図
を図１２に示している。

【００７２】図７と異なる構成は、まず、走査信号線２
と基準信号線４とがそれぞれ積層構造で形成されている
ことにある。透明基板１Ａ側に第１導電層２０が形成さ
れ、その第１導電層を完全に覆った状態で第２導電層２
１が形成されている。

【００７３】このようにする趣旨は、走査信号線２およ
び基準信号線４の抵抗値をできるだけ下げようとするも
ので、たとえば第１導電層２０の材料としては抵抗の極
めて低いアルミニュウム（Ａｌ）あるいはその合金を選
択するのが望ましい。また、第２導電層２１の材料とし
ては上述した趣旨から比較的高い抵抗の材料であっても
よく、したがって、Ａｌ等からなる第１導電層に発生す
ることが知られているヒロックの発生を抑制できる材料
を選択するのが望ましい。この場合の材料としてはたと
えばＣｒ，Ｔａ，Ｔｉ，ＭｏやＩＴＯ（Indium-Tin-Oxi
de）膜が好適となる。

【００７４】前記第１導電層２０を形成する際には、同
時に表示用電極９および基準電極４Ａをも形成してい
る。この場合、この表示用電極９および基準電極４Ａは
同一マスクによるフォトリソグラフィ技術により形成さ
れることになるから、それら相互の位置関係は全くずれ
が生じることなく設定通りに形成されるようになること
は上述したとおりである。

【００７５】そして、走査信号線２および基準信号線４
を覆って形成される絶縁膜１０は実質的な画素領域部に
孔開けがなされており、これにより、前記表示電極９お
よび基準電極４Ａは前記絶縁膜１０が露出された状態と
なっている。

【００７６】さらに、薄膜トランジスタＴＦＴ、および
走査信号線２および基準信号線４の映像信号線３に対す
る交差部のそれぞれの形成領域に、半導体からなる半導
体積層体１５を形成した後は、映像信号線３を形成する
が、この場合、表示用電極９と接続される薄膜トランジ
スタＴＦＴのソース電極９Ａおよび該表示用電極９と接
続される容量素子Ｃｓｔｇの一方の電極をも同時に形成
している。

【００７７】実施例５．図１３は実施例４に示した図１
１と対応する図であり、図１１と同符号のものは同一の
機能を有する部材からなっている。

【００７８】同図において、図１１と異なる構成は、表
示用電極９および基準電極４Ａは、透明基板１Ａ面から
第１導電層２０(たとえばＡｌ)および第２導電層２１
（たとえばＩＴＯ膜）の順次積層体から構成さる走査信
号線２および基準信号線のうち前記第２導電層２１の形
成時に同時に形成されることにある。

【００７９】このようにした場合でも、表示用電極９お
よび基準電極４Ａは同一マスクによるフォトリソグラフ
ィ技術により形成されることになるから、それら相互の
位置関係は全くずれが生じることなく設定通りに形成さ
れるようになることは上述したとおりである。

【００８０】また、走査信号線２および基準信号線４の
高抵抗化を抑制できるようになる。

【００８１】

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示基板の製造方法によれば、表示用
電極と基準電極との離間距離を常時一定に形成できるよ
うになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示基板の一実施例を示す要
部平面図である。

【図２】本発明による液晶表示基板の一実施例の回路図
である。

【図３】本発明による液晶表示基板の一実施例の断面図
である。

【図４】図１に示した液晶表示基板の製造方法の一実施
例を示す工程図である。

【図５】本発明による液晶表示基板の他の実施例を示す
要部平面図である。

【図６】図５に示した液晶表示基板の製造方法の一実施
例を示す工程図である。

【図７】本発明による液晶表示基板の他の実施例を示す
要部平面図である。

【図８】図７のVIII−VIII線における断面図である。

【図９】図７に示した液晶表示基板の製造方法の一実施
例を示す工程図である。

【図１０】図６に示した製造工程の効果を示す説明図で
ある。

【図１１】本発明による液晶表示基板の他の実施例を示
す要部平面図である。

【図１２】図１１のXII−XII線における断面図である。

【図１３】本発明による液晶表示基板の他の実施例を示
す要部平面図である。

【符号の説明】

２……走査信号線、３……映像信号線、４……基準信号
線、４Ａ……基準電極、９……表示用電極、１０……絶
縁膜、ＴＦＴ……膜膜トランジスタ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳川 和彦 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 箭内 雅弘 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 小西 信武 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶層を介して互いに対向して配置され
   る透明基板のうち、その一方の透明基板の液晶層側の面
   に表示用電極と基準電極とが備えられ、これら表示用電
   極と基準電極の間に透明基板面と平行に発生させる電界
   によって前記液晶層の光透過率を変化させる液晶表示基
   板において、 前記表示用電極と基準電極は同一の工程で形成すること
   を特徴とする液晶表示基板の製造方法。
2. 【請求項２】 表示電極は、それを中心として両脇にそ
   れぞれ基準電極が形成されることを特徴とする請求項１
   記載の液晶表示基板の製造方法。
3. 【請求項３】 カラー表示用であることを特徴とする請
   求項１あるいは２記載の液晶表示基板の製造方法。
4. 【請求項４】 薄膜トランジスタと、この薄膜トランジ
   スタをオンさせる走査信号線と、このオンされた薄膜ト
   ランジスタを介して表示用電極に映像信号を供給する映
   像信号線と、基準電極に基準電圧を印加する基準信号線
   とを備えるものであって、前記走査信号線と基準信号線
   とを同時に形成する工程と、前記薄膜トランジスタを形
   成する工程と、前記表示用電極を前記薄膜トランジスタ
   に接続させかつ前記基準電極を前記基準信号線に接続さ
   せるようにそれぞれ同時に形成する工程を含む請求項１
   ないし３記載のうちいずれか記載の液晶表示基板の製造
   方法。
5. 【請求項５】 映像信号線を表示用電極および基準電極
   とともに同時に形成することを特徴とする請求項４記載
   の液晶表示基板の製造方法。
6. 【請求項６】 薄膜トランジスタと、この薄膜トランジ
   スタをオンさせる走査信号線と、このオンされた薄膜ト
   ランジスタを介して表示用電極に映像信号を供給する映
   像信号線と、基準電極に基準電圧を印加する基準信号線
   とを備えるものであって、走査信号線は前記表示用電極
   および基準電極とともに同一の工程で形成されるととも
   に、その後前記薄膜トランジスタを形成する工程が含ま
   れることを特徴とする請求項１ないし３記載のうちいず
   れか記載の液晶表示基板の製造方法。
7. 【請求項７】 基準信号線は基準電極とともに形成され
   ることを特徴とする請求項６記載の液晶表示基板の製造
   方法。
8. 【請求項８】 薄膜トランジスタの形成後に形成する映
   像信号線の形成と同時に表示用電極の前記薄膜トランジ
   スタとの接続を図ることを特徴とする請求項６記載の液
   晶表示基板の製造方法。
9. 【請求項９】 薄膜トランジスタと、この薄膜トランジ
   スタをオンさせる走査信号線と、このオンされた薄膜ト
   ランジスタを介して表示用電極に映像信号を供給する映
   像信号線と、基準電極に基準電圧を印加する基準信号線
   とを備えるものであって、走査信号線は基準電極と一体
   化される基準信号線とともに同時に形成する工程と、薄
   膜トランジスタを形成する工程と、前記基準電極にさら
   に重畳させた基準電極を表示用電極および映像信号線と
   ともに同時に形成する工程とを、少なくとも備えること
   を特徴とする請求項１ないし３記載のうちいずれか記載
   の液晶表示基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 薄膜トランジスタ形成の前後に形成さ
    れるそれぞれの基準電極は同一の材料で構成されている
    ことを特徴とする請求項９記載の液晶表示基板の製造方
    法。
11. 【請求項１１】 薄膜トランジスタと、この薄膜トラン
    ジスタをオンさせる走査信号線と、このオンされた薄膜
    トランジスタを介して表示用電極に映像信号を供給する
    映像信号線と、基準電極に基準電圧を印加する基準信号
    線とを備えるものであって、走査信号線および基準信号
    線は第１導電層と第２導電層との積層構造からなるとと
    もに、表示用電極および基準電極は前記第１導電層と同
    時に形成することを特徴とする請求項１ないし３記載の
    うちいずれか記載の液晶表示基板の製造方法。
12. 【請求項１２】 第１導電層は第２導電層に対して抵抗
    値の小さな材料で構成されていることを特徴とする請求
    項１１記載の液晶表示基板の製造方法。
13. 【請求項１３】 第１導電層はアルミニュウムで構成さ
    れていることを特徴とする請求項１２記載の液晶表示基
    板の製造方法。
14. 【請求項１４】 第２導電層はＩＴＯ膜で構成されてい
    ることを特徴とする請求項１３記載の液晶表示基板の製
    造方法。
15. 【請求項１５】 薄膜トランジスタと、この薄膜トラン
    ジスタをオンさせる走査信号線と、このオンされた薄膜
    トランジスタを介して表示用電極に映像信号を供給する
    映像信号線と、基準電極に基準電圧を印加する基準信号
    線とを備えるものであって、走査信号線および基準信号
    線は第１導電層と第２導電層との積層構造からなるとと
    もに、表示用電極および基準電極は前記第２導電層と同
    時に形成することを特徴とする請求項１ないし３記載の
    うちいずれか記載の液晶表示基板の製造方法。
16. 【請求項１６】 第１導電層はアルミニュウムで構成さ
    れていることを特徴とする請求項１５記載の液晶表示基
    板の製造方法。
17. 【請求項１７】 第２導電層はＩＴＯ膜で構成されてい
    ることを特徴とする請求項１５記載の液晶表示基板の製
    造方法。