KR910006755A - 그레이 스케일을 사용한 능동 메트릭스 액정 디스플레이 및 그 제작방법 - Google Patents

그레이 스케일을 사용한 능동 메트릭스 액정 디스플레이 및 그 제작방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

그레이 스케일을 사용한 능동 메트릭스 액정 디스플레이 및 그 제작방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 평행한 편광기를 가진 전형적인 트위스트형 네메틱(nematic) 액정 디스플레이의 전달률 대 인가전압의 관계를 관찰각으로 나타낸 그래프.
제2a도는 종래 기술의 픽셀을 개략적으로 나타낸 도면.
제2b도는 종래 기술에 따른 제2a도 픽셀의 전기등가회로.
제3a도는 본 발명에 사용된 픽셀의 개략도.
제3b도는 제3a도 픽셀의 전기등가회로.
제4도는 공통 전극기질의 패턴을 나타내는 도면.
제5도는 공통전극 제작시의 제1의 ITO층 패턴을 나타낸 도면.

Claims (18)

  1. 중간색의 그레이 스케일을 가진 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이에 있어서, 제1기질(16)상의 복수의 픽셀(12)과; 제1기질(16)상의 복수의 트랜지스터(15)를 구비하는데, 상기 트랜지스터 각각은 상기 복수의 픽셀(12)중 대응 픽셀에 접속하고, 제2기판(18)상의 복수의 제어 커패시터 그룹(20)를 구비하는데, 상기 제어 커패시터 그룹(20) 각각은 복수의 제어 커패시터 그룹(20)를 가지며, 각 제어 커패시터 그룹(20)은 상기 복수의 픽셀(12)중 하나의 픽셀에 대응하고, 각 제어 커패시터 그룹(20)중 제어 커패시터 각각은 서브 픽셀을 형성하며 이 서브픽셀의 커패시턴스에 직렬로 접속되고, 상기 제어 커패시터(20)는 공통 접속부를 갖는 것을 특징으로 하는 광역 관찰각 능동 매트릭스 액정 디스플레이.
  2. 중간색의 그레이 스케일을 가진 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이에 있어서, 제1유리기질(18)과; 상기 제1유리 기질상에 용착되며, 제어 커패시터(20)를 위한 영역을 한정하는 에칭된 패턴(22)을 갖고 이 제어 커패시터를 위한 공통적전극으로써 작용하는 인듐 주석 산화물의 제1층(18)과; 상기 인듐 주석 산화물(22)상에 용착되며, 제어 커패시터(20)를 위한 유전체를 한정하는 에칭된 패턴(26)을 가진 실리콘 질화물 유전체의 제1층과; 실리콘 질화물 유전체의 제1층과; 실리콘 질화물 유전체(22)의 상기 제1층상에 용착되며, 서브 픽셀을 위한 영역을 한정하는 에칭된 패턴(24)을 갖는 인듐 주석 산화물의 제2층과(24)과; 상기 인듐 주석 산화물의 제2층상에 용착된 폴리이미드의 제1정렬층을 구비하는 것을 특징으로 하는 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이.
  3. 제2항에 있어서, 풀칼라 동작을 위해 상기 제1의 기질(18)과 상기 인듐 주석 산화물의 제1층(22)사이에 삽입된 칼라 필터(32, 36)를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이장치.
  4. 제3에 있어서, 상기 칼라 필터는 상기 디스플레이의 콘트라스트를 향상시키기 위한 가변 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이장치.
  5. 제3항에 있어서, 제2유리기질(16)과; 상기 제2유리 기질 상에 용착된 인듐 주석 산화물의 제3층과; 상기 인듐 주석 산화물의 제3층에 융착된 니크롬 층을 구비하는데, 상기 인듐 주석 산화물의 제3층 및 상기 니크롬층은 픽셀(54), 트랜지스터 게이트 및 게이트 버스(51)를 한정하는 에칭된 패턴을 갖고; 상기 니크롬 층상에 용착된 실리콘 질화물의 제2층과; 상기 실리콘 질화물의 2층 및 제2층상에 용착된 비결정 실리콘 층을 구비하는데, 상기 실리콘 질화물의 제2층 및 상기 비결정 실리콘층은 트랜지스터 아일랜드(52)를 한정하는 에칭된 패턴을 가지며; 상기 실리콘 질화물의 제2층 및 상기 비결정 실리콘 층상에 용착되며, 트랜지스터 소오스(53) 및 드레인(53)을 한정하는 에칭된 패턴을 가진 알루미늄 합금의 제1층과; 상기 알루미늄 합금의 제1층상에 용착된 실리콘 2산화물의 비활성층(55)과; 상기 비활성층상에 용착되며 광차폐부를 한정하는 에칭된 패턴을 가진 알루미늄 합금의 제2층을 구비하는데, 상기 비활성층은 상기 비활성층(55) 및 상기 니크롬층으로부터 픽셀(54)를 제거하는 에칭된 패턴을 갖고; 상기 인듐 주석 산화물의 제3층상에 용착된 폴리이미드의 제2정렬층과; 상기 폴리이미드의 제1 및 제2정렬층 사이에 끼워져서 최종점으로 상기 능동 메트릭스 액정 디스플레이를 형성하는 액정물질층(64)을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이장치.
  6. 제5항에 있어서, 소망의 공간을 유지하도록 상기 제1 및 제2기질 사이에 위치 설정된 스페이스(65)와; 상기 제1기질(18)에 부착된 편광물질의 제1층(62)과; 상기 제2기질(16)에 부착된 편광물질의 제2층(62)을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 인듐 주석 산화물의 제1층은 약300Å의 두께를 갖고 제1의 실리콘 질화물 유전체는 약12,000Å의 두께를 가지며, 상기 인듐 주석 산화물의제2층은 약300Å의 두께를 갖고, 상기 인듐 주석 산화물의 제3층은 약300Å의 두께를 가지며, 상기 니크롬층은 약1200Å의 두께를 갖고, 상기 실리콘 질화물의 제2층은 약300Å의 두께를 갖고, 상기 비결정 실리콘층은 약 1000Å의 두께를 가지며, 상기 알루미늄 합금의 제1층은 약 5000Å의 두께를 갖고, 상기 비활성층은 약10,000Å의 두께를 가지며, 상기 제2의 알루미늄 합금의 제1층은 약 1500Å의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 칼라 필터(32,36)는 가변 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2기질은 코닝 7059 유리이며, 상기 액정물질은 MEREK 2861물질인 것을 특징으로 하는 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이장치.
  10. 픽셀, 구성 서브픽셀 및 중간색 그레이 스케일을 가진 강역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이를 제작하는 방법에 있어서, 제1유리기질(18)상에 서브픽셀에 접속된 커패시터(20)를 가진 제어 커패시터장치(20)를 제작하는 단계를 포함하는데, 상기 제어 커패시터장치 제작단계는 유리상에 제1의 인듐 주석 산화물층을 용착하는 단계와, 인듐 주석 산화물(22)층을 어닐링하는 단계와; 상기 제어 커패시터장치(20)를 한정하는 제1패턴(22)을 가진 제1인듐 주석 산화물을 에칭하는 단계와, 상기 제1인듐 주석 산화물층상에 실리콘 질화물층을 용착하는 단계와; 제2패턴을 가진 실리콘 질화물층을 에칭하여 각 픽셀의 서브픽셀중 하나에서 제2커패시터(20)중 하나를 제거하는 단계와; 제2의 인듐 주석 산화물(24)의 층을 용착하는 단계와, 제2의 인듐 주석 산화물층을 어닐링하는 단계와: 서브픽셀에 대응하는 영역을 한정하는 제3패턴(24)을 가진 제2의 인듐 주석 산화물층을 에칭하는 단계와; 트랜지스터 및 픽셀을 가진 제2의 유리 기질상에 능동 메트릭스를 제작하는 단계와; 제2유리 기질상의 능동 메트릭스 다음에 제1유리 기질상의 제어 커패시터 장치를 병렬로 위치설정하는 단계를 포함하는데, 상기 커패시터 장치와 능동 메트릭스 사이에는 액정 물질이 삽입되는 것을 특징으로 하는 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이 제작방법.
  11. 제10항에 있어서, 샐 공간을 유지하도록 커패시터 장치와 능동 메트릭스 사이에 위치 설정된 스페이서를 사용하는 단계와; 연마된 폴리이미드층의 사용을 통하여 제1유리 기질과 제2유리 기질상에 액정물질을 정열하는 단계와, 제1및 제2유리 기질의 외측면에 편광기를 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이 제작방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 알루미늄 합금은 4% 구리와 1%실리콘을 포함하고, 상기 액정 물질은 MERCK 2861이며, 상기 제1 및 제2유리 기질은 코닝 7059 유리이고, 상기 제1, 제2 및 제3패턴의 에칭은 사진 석판술에 의한 것을 특징으로 하는 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이 제작방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 디스플레이의 풀칼라 동작을 위해 제1기질(18)과 제1인듐 주석 산화물층(22)사이에 칼라 필터(32, 36)를 삽입하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이 제작방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 디스플레이의 콘트라스트를 향상시키기 위해 칼라 필터(32, 36)의 두께를 변화시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이 제작방법.
  15. 중간색의 그레이 스케일을 가진 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이를 제작하는 방법에 있어서, 제1기질(18)상에 서브픽셀에 직렬로 접속된 커패시터를 가진 제어 커패시터장치(20)를 제작하는 단계를 포함하는데, 상기 제어 커패시터 장치 제작 단계는 섭씨 300℃에서 유리상에 약300Å의 제1인듐 주석 산화물(22)을 스퍼터 용착하는 단계와; 약30분동안 섭씨 약 400℃에서 인듐 주석 산화물을 어닐링 하는 단계와, 제어 커패시터장치(20)를 한정하는 제1인듐 주석 산화물층상에 제1패턴을 형성하는 단계와; 제1패턴(22)을 에칭하는 단계와; 제1인듐 주석 산화물층상에 약 12,000Å의 실리콘 질화물 유전체(26)를 플라즈마 용착하는 단계와; 각 픽셀에 대한 서브픽셀의 하나에서 제어 커패시터중 하나를 제거하도록 제2패턴(26)을 형성하는 단계와; 제2패턴(24)을 에칭하는 단계와; 섭씨 300(℃)에서 실리콘 질화물 유전체상에 약300Å의 제2인듐 주석 산화물층(24)을 스퍼터 용착하는 단계와; 약30분동안 섭씨 약400(℃)에서 제2인듐 주석 산화물층(24)을 어닐링 하는 단계와; 제2인듐 주석 산화물층상에 서브픽셀을 형성하는 전극을 한정하는 제3패턴을 형성하는 단계와; 제3패턴을 에칭하는 단계와;픽셀을 삽입하기 위해 제2기질 상에 픽셀 및 박막 트랜지스터를 가진 능동 메트릭스를 제작하는 단계와: 제1기질(18)상의 제어 커패시터 장치(26)와 능동 메트릭스 액정 디스플레이를 형성하는 제2기질상의 능동 메트릭스(12) 사이에 액정 물질을 끼워넣은 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이 제작방법.
  16. 제15항에 있어서, 섭씨 약300°(C)에서 유리 시트상에 대략 300Å의 인듐 주석 산화물층(54)을 스퍼터 용착하는 단계와; 약 30분동안 섭씨 약400°(C)에서 인듐 주석 산화물층을 어닐링 하는 단계와; 인듐 주석 산화물층상에 대략 1200Å의 니크롬층을 스퍼터 용착하는 단계와; 픽셀 및 게이트 버스(51)를 형성하도록 니트롬 및 인듐 주석 산화물층상에 제1패턴을 형성하는 단계와; 제1패턴을 에칭하는 단계와; 섭씨 약 250°(C)에서 대략 3000Å의 실리콘 질화물층을 니크롬층상에 플라즈마 강화 화학 증기용착하는 단계와; 섭씨 약250°(C)에서 실리콘 질화물층상에 대략 1000Å의 비결정 ㅅ리리콘층을 플라즈마 강화 호학 증기 용착하는 단계와; 박막 트랜지스터(15)용 아일랜드(52)를 한정하도록 비결정 실리콘층 및 실리콘 질화물층상에 제2패턴을 형성하는 단계와; 제2패턴을 에칭하는 단계와; 비결정 층상에 대략 5000Å의 알루미늄 합금층을 스퍼터 용착하는 단계와; 박막 트랜지스터(15)에 대한 소오스 및 드레인(53)을 형성하도록 알루미늄 합금층상에 제3패턴을 형성하는 단계와; 제3패턴을 에칭하는 단계와; 섭씨 약250°(C)에서 알루미늄 합금층상에 대략 10,000Å의 실리콘 2산화물 비활성층(55)을 플라즈마 강화 화학 증기 용착하는 단계와; 비활성층상에 대략 1500Å의 알루미늄 합금 광차단층을 스퍼터 용착하는 단계와; 광차단층상에 제4패턴을 형성하는 단계와; 제4패턴을 에칭하는 단계와; 비활성층상에 상기 제5패턴을 형성하는 단계와; 비활성 및 니크롬층으로부터 픽셀을 제거하도록 제5패턴을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이 제작방법.
  17. 중간색의 그레이스케일을 가진 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이를 제작하는 방법에 있어서, 제1기질(18)상에 서브픽셀에 직렬로 접속된 커패시터를 가진 제어 커패시터장치(20)를 제작하는 단계를 포함하는데, 상기 제어 커패시터 장치 제작 단계는 섭씨 300°(C)에서 유리상에 약300Å의 제1인듐 주석 산화물층(22)을 스퍼터 용착하는 단계와; 약30분동안 섭씨 약400°(C)에서 인듐 주석 산화물을 어닐링 하는 단계와; 제어 커패시터 장치를 한정하는 제1인듐 주석 산화물층(22)상에 제1패턴을 형성하는 단계와; 제1패턴(22)을 에칭하는 단계와; 제1인듐 주석 산화물충(22)상에 약12,000Å의 실리콘 질화물 유전체(26)를 플라즈마 용착하는 단계와; 각 픽셀에 대한 서브픽셀의 하나에서 제어 커패시터중 하나를 제거하도록 제2패턴을 형성하는 단계와; 제2패턴을 에칭하는 단계와; 섭씨 300°(C)에서 실리콘 질화물 유전체상에 약300Å의 인듐 주석 산화물층(24)을 스피터 용착하는 단계와; 약30분동안 섭씨 약400°(C)에서 제2인듐 주석 산화물층(24)을 어닐링 하는 단계와; 제2인듐 주석 산화물층(24)상에서 서브픽셀을 형성하는 전극을 한정하는 제3패턴(24)을 형성하는 단계와; 제3패턴을 에칭하는 단계와; 픽셀을 사이에 넣기 위해 제2기질(16)상에 픽셀 및 박막 트랜지스터(15)를 가진 능동 메트릭스를 제작하는 단계는 섭씨 약300°(C)에서 유리 시트상에 약300Å의 제2인듐 주석 산화물층(54)을 스퍼터 용착하는 단계와; 약 30분동안 섭씨 약 400°(C)에서 인듐 주석 산화물층을 어닐링하는 단계와; 인듐 주석 산화물층상에 약1200Å의 니크롬 층을 스퍼터 용착하는 단계와; 픽셀 및 게이트 버스(51)를 한정하도록 니크롬층 및 인듐 주석 산화물 층상에 제1패턴을 형성하는 단계와; 제1패턴을 에칭하는 단계와; 섭씨 약250°(C)에서 니크롬상에 대략 3000Å의 실리콘 질화물층을 플라즈마 강화 화학증기 용착하는 단계와; 섭씨 약250°(C)에서 실리콘 질화물층상에 약 1000Å의 비결정 실리콘층을 플라즈마 강화 화학 증기 용착하는 단계와; 박막 트랜지스터(15)에 대해 아일랜드(52)를 형성하도록 비결정 실리콘층 및 실리콘층상에 제2패턴을 형성하는 단계와; 제2패턴을 에칭하는 단계와; 비결정 층상에 대략 5000Å의 알루미늄 합금층을 스퍼터 용착하는 단계와; 박막 트랜지스터(53)에 대한 소오스 및 드레인을 형성하도록 알루미늄 합금층상에 제3패턴을 형성하는 단계와; 제3패턴을 에칭하는 단계와; 섭씨 약250°(C)에서 알루미늄 합금층상에 대략 10,000Å 의 실리콘 2산화물 비활성층(55)을 플라즈마 강화 화학 증기 용착하는 단계와; 비활성(55)층상에 대략 1500Å의 알루미늄 합금 광차단층을 스퍼터 용착하는 단계와; 광차단층(56)상에 제4패턴을 형성하는 단계와; 제4패턴을 에칭하는 단계와; 비활성층(55)상에 상기 제5패턴을 형성하는 단계와; 비활성층 및 니크롬층으로부터 픽셀을 제거하도록 제5패턴을 에칭하는 단계와 제1기질(18)과 능동 메트릭스 액정 디스플레이를 형성하는 제2기질(16)사이에 액정 물질(64)을 끼워넣는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광역 관찰각 능동 메트릭스 액정 디스플레이 제작방법.
  18. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5245450A (en) * 1990-07-23 1993-09-14 Hosiden Corporation Liquid crystal display device with control capacitors for gray-scale
US5771082A (en) * 1991-10-11 1998-06-23 Thomson-Lcd Active matrix display utilizing an embedded ground plane
US5777700A (en) * 1993-07-14 1998-07-07 Nec Corporation Liquid crystal display with improved viewing angle dependence
US5610739A (en) * 1994-05-31 1997-03-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Liquid crystal display unit with a plurality of subpixels
US5936693A (en) * 1994-09-27 1999-08-10 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device having a wide view angle
US5536950A (en) * 1994-10-28 1996-07-16 Honeywell Inc. High resolution active matrix LCD cell design
US5646702A (en) * 1994-10-31 1997-07-08 Honeywell Inc. Field emitter liquid crystal display
US5606437A (en) * 1995-03-31 1997-02-25 Rockwell International Direct drive split pixel structure for active matrix liquid crystal displays
US5936694A (en) * 1995-04-26 1999-08-10 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device and process for producing same
US5739802A (en) * 1995-05-24 1998-04-14 Rockwell International Staged active matrix liquid crystal display with separated backplane conductors and method of using the same
WO1997000463A1 (fr) * 1995-06-16 1997-01-03 Seiko Epson Corporation Dispositif d'affichage a cristaux liquides, son procede de fabrication, et appareil electronique
JP3402909B2 (ja) * 1996-03-12 2003-05-06 アルプス電気株式会社 薄膜トランジスタ装置及び液晶表示装置
JP3643508B2 (ja) * 1999-09-28 2005-04-27 株式会社東芝 可動フィルム型表示装置
US20020184970A1 (en) 2001-12-13 2002-12-12 Wickersham Charles E. Sptutter targets and methods of manufacturing same to reduce particulate emission during sputtering
WO2001086282A1 (en) 2000-05-11 2001-11-15 Tosoh Smd, Inc. Cleanliness evaluation in sputter targets using phase
JP4667587B2 (ja) * 2000-12-01 2011-04-13 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR100841915B1 (ko) 2001-04-04 2008-06-30 토소우 에스엠디, 인크 알루미늄 또는 알루미늄 합금 스퍼터링 타겟 내의알루미늄 산화물 함유물에 대한 임계 크기 결정 방법
JP4349904B2 (ja) 2001-08-09 2009-10-21 トーソー エスエムディー，インク． 寸法と位置によって分類された欠陥の種類による、非破壊的なターゲット清浄度特性決定のための方法と装置
TWI251199B (en) 2003-03-31 2006-03-11 Sharp Kk Image processing method and liquid-crystal display device using the same
JP4394512B2 (ja) 2004-04-30 2010-01-06 富士通株式会社 視角特性を改善した液晶表示装置
US9046722B2 (en) 2012-09-20 2015-06-02 Shanghai Avic Optoelectronics Co., Ltd. Method of fabricating In-Plane Switching (IPS) screen electrode
CN103676344B (zh) * 2012-09-20 2017-03-22 上海中航光电子有限公司 一种制造平面转换ips屏幕电极的方法
KR101662113B1 (ko) * 2015-03-13 2016-10-05 상쾌한아침 주식회사 수분이 충진된 방열파이프, 그 제조방법 및 그를 구비한 온열매트

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4431271A (en) * 1979-09-06 1984-02-14 Canon Kabushiki Kaisha Display device with a thin film transistor and storage condenser
JPS5764776A (en) * 1980-10-09 1982-04-20 Nippon Denshi Kogyo Shinko Liquid crystal display unit
JPS58205181A (ja) * 1982-05-26 1983-11-30 セイコーインスツルメンツ株式会社 マトリクス液晶表示装置
US4770498A (en) * 1982-07-12 1988-09-13 Hosiden Electronics Co., Ltd. Dot-matrix liquid crystal display
JPS60188927A (ja) * 1984-03-08 1985-09-26 Toshiba Corp カラ−・マトリツクス型液晶表示装置の製造方法
US4728172A (en) * 1984-08-08 1988-03-01 Energy Conversion Devices, Inc. Subassemblies for displays having pixels with two portions and capacitors
US4712877A (en) * 1985-01-18 1987-12-15 Canon Kabushiki Kaisha Ferroelectric display panel of varying thickness and driving method therefor
JPS6270815A (ja) * 1985-09-24 1987-04-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶装置
JPS6280626A (ja) * 1985-10-04 1987-04-14 Hosiden Electronics Co Ltd 液晶表示素子
FR2591614B1 (fr) * 1985-12-17 1990-10-05 France Etat Procede de fabrication d'un film de polyparaphenylene et applications du film de polyparaphenylene obtenu.
DE3751311T2 (de) * 1986-02-17 1995-09-28 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., Atsugi, Kanagawa Flüssigkristallvorrichtung mit einer Ladungs-Speicherstruktur.
JPH0740097B2 (ja) * 1986-08-30 1995-05-01 キヤノン株式会社 カイラルスメクチック液晶素子の製造方法
JPH0677119B2 (ja) * 1986-10-08 1994-09-28 株式会社東芝 液晶表示装置
NL8702508A (nl) * 1986-10-22 1988-05-16 Toppan Printing Co Ltd Electrodeplaat voor kleurenweergeefinrichting.
GB2198869B (en) * 1986-12-19 1990-08-15 Philips Electronic Associated Matrix display devices
FR2614718B1 (fr) * 1987-04-28 1989-06-16 Commissariat Energie Atomique Ecran matriciel d'affichage a cristaux liquides muni de capacites de stockage
JPS649425A (en) * 1987-07-01 1989-01-12 Toppan Printing Co Ltd Liquid crystal display element
JPS6484224A (en) * 1987-09-28 1989-03-29 Casio Computer Co Ltd Electrode forming method
US4840460A (en) * 1987-11-13 1989-06-20 Honeywell Inc. Apparatus and method for providing a gray scale capability in a liquid crystal display unit
US4934791A (en) * 1987-12-09 1990-06-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Color filter

Also Published As

Publication number Publication date
EP0418846A2 (en) 1991-03-27
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CA2022613A1 (en) 1991-03-21
DE69016724D1 (de) 1995-03-23
EP0418846A3 (en) 1992-02-19

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