JPS58205181A - マトリクス液晶表示装置 - Google Patents
マトリクス液晶表示装置Info
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- JPS58205181A JPS58205181A JP57089303A JP8930382A JPS58205181A JP S58205181 A JPS58205181 A JP S58205181A JP 57089303 A JP57089303 A JP 57089303A JP 8930382 A JP8930382 A JP 8930382A JP S58205181 A JPS58205181 A JP S58205181A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 31
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 2
- LFVLUOAHQIVABZ-UHFFFAOYSA-N Iodofenphos Chemical compound COP(=S)(OC)OC1=CC(Cl)=C(I)C=C1Cl LFVLUOAHQIVABZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 101150038956 cup-4 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011888 snacks Nutrition 0.000 description 1
- 210000004894 snout Anatomy 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133528—Polarisers
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
- G02F2202/103—Materials and properties semiconductor a-Si
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶と薄膜トランジスタアレイを組み合わせ
ることにより構成されるマトリクス液晶表示装＃ＶＣ関
する。
ることにより構成されるマトリクス液晶表示装＃ＶＣ関
する。
従来の薄膜トランジスタアレイを用いて構成されたマト
リクス液晶表示装置の断１図を、第１図で示す。厚さ２
００μ以上のガラス基板１の一生面上Ｖ（は、ソース電
極２、ドレイン電極３、半導体Ａ［４、〃−ト絶縁嗅５
及びゲート電析６〃１らなる絶縁ゲート電界効果型トラ
ンジスタと、透明導電電極７，８と絶縁嘆９からなるコ
ンデンサがマトリクス状に配置されている。ガラス基板
１の肋の主面には、偏光板１０と反射板１１７５５被着
されている。ガラス板１２の一方の主面ＶＣは透明導亀
寝１５、四方の主面には偏光板１４が被着されている。
リクス液晶表示装置の断１図を、第１図で示す。厚さ２
００μ以上のガラス基板１の一生面上Ｖ（は、ソース電
極２、ドレイン電極３、半導体Ａ［４、〃−ト絶縁嗅５
及びゲート電析６〃１らなる絶縁ゲート電界効果型トラ
ンジスタと、透明導電電極７，８と絶縁嘆９からなるコ
ンデンサがマトリクス状に配置されている。ガラス基板
１の肋の主面には、偏光板１０と反射板１１７５５被着
されている。ガラス板１２の一方の主面ＶＣは透明導亀
寝１５、四方の主面には偏光板１４が被着されている。
ガラス板１２とカラス基板１の間処は、液晶ｌ曽１５が
傍持ぢれている。牛導体喫４は、７２ダマＣＶＤ法で形
成される非晶質シリコン、ｃｖＤ法で形成される多結晶
シリコンなどよりなる。ゲート電極６、ソース電極２、
ドレイン電極５はアルミニウム、モリブデン等の金＠ま
たは、不純物音ドーグし７′ＣＰまたはＮ型の半導体膜
など工りなる。ゲート絶縁膜５、絶縁膜９は蒸着、スパ
ッタ、フラズマＣｖＤ法などで形成された、二酸化シリ
コン、チツ化シリコンなどからなる。透明電極７゜８．
１５ＩＩｉ工Ｔｏ（インジウム−スＸ −酸イ［）など
からなる。仄に、動ｉ’ｌｌ：えついて説明する。
傍持ぢれている。牛導体喫４は、７２ダマＣＶＤ法で形
成される非晶質シリコン、ｃｖＤ法で形成される多結晶
シリコンなどよりなる。ゲート電極６、ソース電極２、
ドレイン電極５はアルミニウム、モリブデン等の金＠ま
たは、不純物音ドーグし７′ＣＰまたはＮ型の半導体膜
など工りなる。ゲート絶縁膜５、絶縁膜９は蒸着、スパ
ッタ、フラズマＣｖＤ法などで形成された、二酸化シリ
コン、チツ化シリコンなどからなる。透明電極７゜８．
１５ＩＩｉ工Ｔｏ（インジウム−スＸ −酸イ［）など
からなる。仄に、動ｉ’ｌｌ：えついて説明する。
ゲート電極６に電圧音訓２？−ると、オン状態となった
トランジスタのソース電極２に加わった信号電圧は電＄
７．８と絶縁膜９からなるコンデンサに蓄えられ、トラ
ンジスタがオフ状態になった後も保持され、透明電析１
３と７の間に挾持された液晶層１５１Ｃ電圧が加わる。
トランジスタのソース電極２に加わった信号電圧は電＄
７．８と絶縁膜９からなるコンデンサに蓄えられ、トラ
ンジスタがオフ状態になった後も保持され、透明電析１
３と７の間に挾持された液晶層１５１Ｃ電圧が加わる。
液晶がツイスト−ネマチック電界効果型の動作例にこつ
いて説明すると、電界の加わらないＬ−分つ液晶トユ基
板面に平行罠配向しておシ、ガラス板１２の表面付近と
ガラス基板１の表面付近では、配向方向が９ ｕ’ 異
なっており、液晶層中の配向は０〜９０°の間罠ねじれ
ている。電界が加わると液晶は基板１に垂直方向に配向
する。電圧が加わっていない部分に入射する光は偏光板
１４で偏光され、液晶層中で偏光方向が９ Ｕ’回転し
、偏光板１４と直角方間に偏光方向を定めた偏光取１０
を透過し、反射板１１で反射され入射時と同様に液晶層
を透過し、偏光板１４を透過する。電界の加わっている
液晶層の部分に入射した光は、液晶層での偏光方向の回
転が起こらず、偏光板１０で吸収される。電圧の印加に
工り、光吸収を制御できるので表示装置としての作用が
可能洗なる。コンデンサ九蓄えられた信号電圧は、トラ
ンジスタがオフＶＬなって後も保持されるので、クロス
トークの無い高細密度のマトリクス液晶表示装置が可能
になる。
いて説明すると、電界の加わらないＬ−分つ液晶トユ基
板面に平行罠配向しておシ、ガラス板１２の表面付近と
ガラス基板１の表面付近では、配向方向が９ ｕ’ 異
なっており、液晶層中の配向は０〜９０°の間罠ねじれ
ている。電界が加わると液晶は基板１に垂直方向に配向
する。電圧が加わっていない部分に入射する光は偏光板
１４で偏光され、液晶層中で偏光方向が９ Ｕ’回転し
、偏光板１４と直角方間に偏光方向を定めた偏光取１０
を透過し、反射板１１で反射され入射時と同様に液晶層
を透過し、偏光板１４を透過する。電界の加わっている
液晶層の部分に入射した光は、液晶層での偏光方向の回
転が起こらず、偏光板１０で吸収される。電圧の印加に
工り、光吸収を制御できるので表示装置としての作用が
可能洗なる。コンデンサ九蓄えられた信号電圧は、トラ
ンジスタがオフＶＬなって後も保持されるので、クロス
トークの無い高細密度のマトリクス液晶表示装置が可能
になる。
しかし、上記従来のマトリクス液晶表示装置は以下洗述
べる欠点を持っている。即ち、ガラス基板１の厚さは、
機械的強度や液晶、吻厚ｔ−精度良く定める忙は、通常
２００μｍ以上の厚さのガラス板が用いられる。一画素
の大きさは、表示面積や。
べる欠点を持っている。即ち、ガラス基板１の厚さは、
機械的強度や液晶、吻厚ｔ−精度良く定める忙は、通常
２００μｍ以上の厚さのガラス板が用いられる。一画素
の大きさは、表示面積や。
表示の細密度に依存するが、タテ−ヨコ１０国、画素数
がダテーヨコ２５０Ｘ２５０の場合、単位画素の大きさ
は４００μ９ｎ罠なる。これに対し。
がダテーヨコ２５０Ｘ２５０の場合、単位画素の大きさ
は４００μ９ｎ罠なる。これに対し。
ガラス基板の厚さは、このサイズの表示パルスではｂｏ
Ｏμ＋ｎ８度が必要とさ′孔る。この為、表示装置に斜
めに入射した光線は、基板ガラス１ｔ−透過反射する間
ＶＣ位置かずｉして、入射時とは異なる画素を通ること
Ｋなり、目的とする変ＦＪｎを光九与えることができな
い。表示装置としては画面がぼヤけるという欠点になる
。
Ｏμ＋ｎ８度が必要とさ′孔る。この為、表示装置に斜
めに入射した光線は、基板ガラス１ｔ−透過反射する間
ＶＣ位置かずｉして、入射時とは異なる画素を通ること
Ｋなり、目的とする変ＦＪｎを光九与えることができな
い。表示装置としては画面がぼヤけるという欠点になる
。
本発明の目的は、従来の欠点を無くして、基板上に偏光
板をｍ着することＶｔ、工す、斜め入射光忙幻する画素
のクロストークが無く々す、画素の分解能を向上した、
マトリクス液晶表示装置を提供することにある。
板をｍ着することＶｔ、工す、斜め入射光忙幻する画素
のクロストークが無く々す、画素の分解能を向上した、
マトリクス液晶表示装置を提供することにある。
以下図面ＶＣニジ、本発明の詳細な説明する。第２図は
本発明の一実施例で、薄襖トランジス４Ｉｔ−アレイ状
に配置して構成されたマトリクス液晶表示装置の単位画
素部の断面図でおる。ガラスまたけ金蟻など工すなる基
板１６の一主面上ｒｃは、反射＠帽〔７及び偏光嗅１８
が被着されている。
本発明の一実施例で、薄襖トランジス４Ｉｔ−アレイ状
に配置して構成されたマトリクス液晶表示装置の単位画
素部の断面図でおる。ガラスまたけ金蟻など工すなる基
板１６の一主面上ｒｃは、反射＠帽〔７及び偏光嗅１８
が被着されている。
偏光ｌ１１８の王妃は、ソース電極１９、ドレイン！！
極２０．半導体１１に２１、ゲート絶縁膜２２及びゲー
ト電極２５からなる絶縁ゲートＩｔ界効果型トランジス
タと、透明導１１１．［極２４，２５と絶縁膜２６から
なる液晶駆動用紫子がマトリクス状に配置されている。
極２０．半導体１１に２１、ゲート絶縁膜２２及びゲー
ト電極２５からなる絶縁ゲートＩｔ界効果型トランジス
タと、透明導１１１．［極２４，２５と絶縁膜２６から
なる液晶駆動用紫子がマトリクス状に配置されている。
ガラス板２７の一方の主面には透明導電膜２８、曲方の
主面にはＥ元板２ｖが被着されている。基板１６とガラ
ス板２７の間には、液晶ｌ＠５０が挾持されている。半
導体膜２１は）″ラズマＯＶＤ法で形成される非晶質シ
リコン、ｃｖｎ法で形成される多結晶シリコンなどにニ
ジなる。ゲート絶縁１漠２２、絶縁膜２５は蒸着、スパ
ッタ、７ラズマＣＶＤ法などで形成されち、二酸化シリ
コン、テラ化シリコンなどからなる。透明％ 極２４
＋ ２５ ｅ ２８ ｄ工Ｔｏなどからなる。
主面にはＥ元板２ｖが被着されている。基板１６とガラ
ス板２７の間には、液晶ｌ＠５０が挾持されている。半
導体膜２１は）″ラズマＯＶＤ法で形成される非晶質シ
リコン、ｃｖｎ法で形成される多結晶シリコンなどにニ
ジなる。ゲート絶縁１漠２２、絶縁膜２５は蒸着、スパ
ッタ、７ラズマＣＶＤ法などで形成されち、二酸化シリ
コン、テラ化シリコンなどからなる。透明％ 極２４
＋ ２５ ｅ ２８ ｄ工Ｔｏなどからなる。
反射金媚１ｉ１１１７はアルミニウム等の蒸着膜または
基板１６を＠鴫材料処して表ｉｆｏを反射板として用い
たものＬりなる。偏光板１８は、いわゆるガラス偏光板
（ガラス中に妃回し７？１．金＠粒子を分散させたもの
）、ま次は１２スナツク製の偏光板を接着した模などか
らなる。トランジス４を構成する薄嘆會プラズマＣＶＤ
、蒸着など４００℃以下の低温グロヤスで形成すること
にＬす、偏ｆｔ、模１８の偏光性能を劣化することなく
形成することができる。本発明の実施例では、表示装置
に斜めに入射し次光ｗ４は、淳さ数１０μｍ以下の偏光
膜１８を透過するのみで反射されるので位置ずれは殆ん
ど無視でき、入射光と反射光は同一の画素を通る。
基板１６を＠鴫材料処して表ｉｆｏを反射板として用い
たものＬりなる。偏光板１８は、いわゆるガラス偏光板
（ガラス中に妃回し７？１．金＠粒子を分散させたもの
）、ま次は１２スナツク製の偏光板を接着した模などか
らなる。トランジス４を構成する薄嘆會プラズマＣＶＤ
、蒸着など４００℃以下の低温グロヤスで形成すること
にＬす、偏ｆｔ、模１８の偏光性能を劣化することなく
形成することができる。本発明の実施例では、表示装置
に斜めに入射し次光ｗ４は、淳さ数１０μｍ以下の偏光
膜１８を透過するのみで反射されるので位置ずれは殆ん
ど無視でき、入射光と反射光は同一の画素を通る。
以上の枦明の様にして、基板上九反射金属嗅と偏光膜を
設けることにより、入射光の位置ずれによる画素のクロ
ストークの無いマトリクス液晶表示装置が実現された。
設けることにより、入射光の位置ずれによる画素のクロ
ストークの無いマトリクス液晶表示装置が実現された。
第１図は、従来のマトリクス部品表示装置の断面図、第
２図は、本発明のマトリクス液晶表示装〜の一実施例を
示す断面図である、 １−！ｆ−ｙスｋ、２．３−’％ｗＬ、４・・・半導体
膜、 ５・・・絶縁膜。 ６、７．８・・・電極、 ９・・・絶縁膜。 １０・・・偏光板、 １１・・・反射板、１
２・・・ガラス板、 １３・・・［４ｔｆ、１
５・・・液晶、 １６・・・基板、１７・
・・反射襖、 １８・・・（）ｊｉＩＭＳ嗅
、１９．２０・・・電極、 ２１・・・半導体膜
、２２・・・絶縁膜、 ２６・・・絶縁膜、
２３、２４．２５ ・・・電極、 ２７・・・ガラ
ス基板、２８・・・電極、 ２９・・・偏
光板、３０・・・液晶。 以 上 出願人 株式会社 第二精工倉 代理人 弁理士 最 上 務
２図は、本発明のマトリクス液晶表示装〜の一実施例を
示す断面図である、 １−！ｆ−ｙスｋ、２．３−’％ｗＬ、４・・・半導体
膜、 ５・・・絶縁膜。 ６、７．８・・・電極、 ９・・・絶縁膜。 １０・・・偏光板、 １１・・・反射板、１
２・・・ガラス板、 １３・・・［４ｔｆ、１
５・・・液晶、 １６・・・基板、１７・
・・反射襖、 １８・・・（）ｊｉＩＭＳ嗅
、１９．２０・・・電極、 ２１・・・半導体膜
、２２・・・絶縁膜、 ２６・・・絶縁膜、
２３、２４．２５ ・・・電極、 ２７・・・ガラ
ス基板、２８・・・電極、 ２９・・・偏
光板、３０・・・液晶。 以 上 出願人 株式会社 第二精工倉 代理人 弁理士 最 上 務
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ｌｉｉｌ暎トランジスタを二次元のマトリクス状ｒ（
配列した絶縁物基板と一主面上に第１の透明電極を被着
さ几たガラス板との間に役晶を充填し、前記コンデンサ
上の第２の透明！極と、第１の透明電極とで液晶セルを
構成した、マ） ＩＪクス給品表示装置において、前記
絶縁物基板に、ガラス、峻曙などの基板上に、反射電極
、１＃１ｆｅ−が被着形成されていることを特徴とする
＼トリクス液晶表マ 水装置。 （２）前記液晶ｆ：電界効果型であるツイストネマティ
ック型またはゲストホスト型としたことに特徴とする、
特許請求の範囲第１項記載のマトリクス液晶表示装置。 ｆ３＋ ｍ 記薄膜トランジスタは、非晶質シリコン
耐用いた絶縁ゲート型゛亀界効果型トランジスタを用い
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマトリ
クス液晶表示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57089303A JPS58205181A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | マトリクス液晶表示装置 |
| GB08312826A GB2120827B (en) | 1982-05-26 | 1983-05-10 | Matrix liquid crystal display device and method of making the same |
| US06/497,883 US4643530A (en) | 1982-05-26 | 1983-05-25 | Reflective, thin film transistor addressed, matrix liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57089303A JPS58205181A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | マトリクス液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58205181A true JPS58205181A (ja) | 1983-11-30 |
Family
ID=13966894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57089303A Pending JPS58205181A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | マトリクス液晶表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4643530A (ja) |
| JP (1) | JPS58205181A (ja) |
| GB (1) | GB2120827B (ja) |
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- 1983-05-10 GB GB08312826A patent/GB2120827B/en not_active Expired
- 1983-05-25 US US06/497,883 patent/US4643530A/en not_active Expired - Lifetime
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| GB8312826D0 (en) | 1983-06-15 |
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