JPH05289082A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH05289082A JPH05289082A JP8571692A JP8571692A JPH05289082A JP H05289082 A JPH05289082 A JP H05289082A JP 8571692 A JP8571692 A JP 8571692A JP 8571692 A JP8571692 A JP 8571692A JP H05289082 A JPH05289082 A JP H05289082A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アクティブマトリクス方式により表示制御を
行なう液晶表示装置に関し、高輝度、高コントラストの
表示を行なうことを目的とする。 【構成】 画素電極１６-1〜１６-nに対応する部分Ｓ1
とそれ以外の部分とで液晶２６の配向方向が異なるよう
に配向膜２４，２５を配向処理してなる。
行なう液晶表示装置に関し、高輝度、高コントラストの
表示を行なうことを目的とする。 【構成】 画素電極１６-1〜１６-nに対応する部分Ｓ1
とそれ以外の部分とで液晶２６の配向方向が異なるよう
に配向膜２４，２５を配向処理してなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に係り、特
にアクティブマトリクス方式により表示制御を行なう液
晶表示装置に関する。
にアクティブマトリクス方式により表示制御を行なう液
晶表示装置に関する。
【０００２】近年、液晶表示装置にはＨＤＴＶ，ワーク
ステーションに用いるために高精細、高輝度化の要求が
強まってきた。
ステーションに用いるために高精細、高輝度化の要求が
強まってきた。
【０００３】高精細の液晶表示装置は中精細のものに比
べて画素数が約３倍となり、１画素の大きさは1/2 倍と
なる。
べて画素数が約３倍となり、１画素の大きさは1/2 倍と
なる。
【０００４】このため、高輝度化が大変困難となる。
【０００５】
【従来の技術】図８は液晶表示装置の概略構成図を示
す。同図中、１は駆動基板、２は対向基板、３，４は偏
光板を示す。
す。同図中、１は駆動基板、２は対向基板、３，４は偏
光板を示す。
【０００６】駆動基板１と対向基板２との間には液晶５
が注入される。
が注入される。
【０００７】駆動基板１はガラス基板１０上に複数の画
素電極６-1〜６-n及び薄膜トランジスタＴｒ-1〜Ｔｒ-n
をマトリクス状に配列してなる。
素電極６-1〜６-n及び薄膜トランジスタＴｒ-1〜Ｔｒ-n
をマトリクス状に配列してなる。
【０００８】各画素電極６-1〜６-nには夫々薄膜トラン
ジスタＴｒ-1〜Ｔｒ-nが隣接して形成されている。
ジスタＴｒ-1〜Ｔｒ-nが隣接して形成されている。
【０００９】薄膜トランジスタＴｒ-1〜Ｔｒ-nのゲート
Ｇはゲートバスライン７-1〜７-m，ドレインＤはドレイ
ンバスライン８-1〜８-lと接続され、ソースＳは画素電
極６ -1〜６-nと接続される。
Ｇはゲートバスライン７-1〜７-m，ドレインＤはドレイ
ンバスライン８-1〜８-lと接続され、ソースＳは画素電
極６ -1〜６-nと接続される。
【００１０】ゲートバスライン７-1〜７-m及びドレイン
バスライン８-1〜８-lに供給される信号に応じて薄膜ト
ランジスタＴｒ-1〜Ｔｒ-nのうち所定の薄膜トランジス
タＴｒ-xがオンして、画素電極６-1〜６-nのうち所定の
画素電極６-xに電圧が印加される。
バスライン８-1〜８-lに供給される信号に応じて薄膜ト
ランジスタＴｒ-1〜Ｔｒ-nのうち所定の薄膜トランジス
タＴｒ-xがオンして、画素電極６-1〜６-nのうち所定の
画素電極６-xに電圧が印加される。
【００１１】対向基板２はガラス基板９上に透明電極１
１が全面に形成されると共にコントラスト向上のため遮
光膜１２が形成された構成とされている。なお、透明電
極１１には一定の電位が付与されている。
１が全面に形成されると共にコントラスト向上のため遮
光膜１２が形成された構成とされている。なお、透明電
極１１には一定の電位が付与されている。
【００１２】液晶表示装置は所定の画素電極６-xに電圧
を印加することにより透明電極１１と所定の画素電極６
-xとの間の液晶５に電圧を印加して、その部分の液晶の
状態を変化させることにより表示を制御している。
を印加することにより透明電極１１と所定の画素電極６
-xとの間の液晶５に電圧を印加して、その部分の液晶の
状態を変化させることにより表示を制御している。
【００１３】図９は従来の一例の平面図、図１０は従来
の一例の断面図を示す。
の一例の断面図を示す。
【００１４】ドレインバスライン７-1〜７-mから送られ
たデータ信号が薄膜トランジスタＴｒ-xのドレイン電極
Ｄ，ソース電極Ｓを経由して画素電極６-1〜６-nへ送ら
れ表示制御される（なお、この時、ゲート電極は信号転
送のタイミングスイッチの機能を果たしている）。この
とき、表示面積は画素電極全面ではなくて、画素電極の
一点鎖線で囲まれた無地の領域の面積となる。これはパ
ネルのコントラスト（白黒比）向上のために対向基板側
に通常、斜線の領域のようにブラックマトリクス（Ｂ
Ｍ）というクロム（Ｃｒ）製の遮光膜１２を形成してい
るためである。遮光膜１２はパネルの貼り合わせ精度を
考慮して画素電極６-xよりｄ＝５μm 程度内側まで設け
られていた。
たデータ信号が薄膜トランジスタＴｒ-xのドレイン電極
Ｄ，ソース電極Ｓを経由して画素電極６-1〜６-nへ送ら
れ表示制御される（なお、この時、ゲート電極は信号転
送のタイミングスイッチの機能を果たしている）。この
とき、表示面積は画素電極全面ではなくて、画素電極の
一点鎖線で囲まれた無地の領域の面積となる。これはパ
ネルのコントラスト（白黒比）向上のために対向基板側
に通常、斜線の領域のようにブラックマトリクス（Ｂ
Ｍ）というクロム（Ｃｒ）製の遮光膜１２を形成してい
るためである。遮光膜１２はパネルの貼り合わせ精度を
考慮して画素電極６-xよりｄ＝５μm 程度内側まで設け
られていた。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来の液晶
表示装置ではコントラスト向上のため、対向基板２に画
素電極６-1〜６-nに対応する部分以外の部分に遮光膜１
２を形成しており、遮光膜１２は対向基板２と駆動基板
１との位置合わせ精度を考慮して、画素電極６-1〜６-n
の５μm 程度内側まで遮光するように形成されていた。
このため、画素電極６-1〜６-nが図９の梨地領域分だけ
面積が減少し、画素電極６-1〜６-nの開口率が約３割程
度減少してしまい、輝度を低下させてしまう。特に高精
細型の液晶表示装置ではその影響が大きくなってしまう
等の問題点があった。
表示装置ではコントラスト向上のため、対向基板２に画
素電極６-1〜６-nに対応する部分以外の部分に遮光膜１
２を形成しており、遮光膜１２は対向基板２と駆動基板
１との位置合わせ精度を考慮して、画素電極６-1〜６-n
の５μm 程度内側まで遮光するように形成されていた。
このため、画素電極６-1〜６-nが図９の梨地領域分だけ
面積が減少し、画素電極６-1〜６-nの開口率が約３割程
度減少してしまい、輝度を低下させてしまう。特に高精
細型の液晶表示装置ではその影響が大きくなってしまう
等の問題点があった。
【００１６】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、高輝度、高コントラストの液晶表示装置を提供する
ことを目的とする。
で、高輝度、高コントラストの液晶表示装置を提供する
ことを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明はマトリクス状に
配列された複数の画素電極及び複数の画素電極に対応し
て設けられたスイッチング素子と複数の画素電極に対向
して設けられた対向電極及びスイッチング素子との間に
液晶を封入し、複数の画素電極と対向電極との間にスイ
ッチング素子によりスイッチング制御しつつ、電圧を印
加することにより液晶の状態を変化させ、表示制御を行
なう液晶表示装置において、前記液晶の前記複数の画素
電極の夫々に対応する部分とそれ以外の部分とで前記液
晶の配向方向が異ならせる配向膜を形成した構成とす
る。
配列された複数の画素電極及び複数の画素電極に対応し
て設けられたスイッチング素子と複数の画素電極に対向
して設けられた対向電極及びスイッチング素子との間に
液晶を封入し、複数の画素電極と対向電極との間にスイ
ッチング素子によりスイッチング制御しつつ、電圧を印
加することにより液晶の状態を変化させ、表示制御を行
なう液晶表示装置において、前記液晶の前記複数の画素
電極の夫々に対応する部分とそれ以外の部分とで前記液
晶の配向方向が異ならせる配向膜を形成した構成とす
る。
【００１８】
【作用】液晶の画素電極に対応する部分とそれ以外の部
分とで配向方向が異なるため、液晶に電圧を印加した場
合に画素電極に対応した部分だけの光の透過率を制御で
きる。このため、ブラックマトリクスなしでもコントラ
ストを向上させることができると共に、画素電極全体を
有効に活用できることになるため、コントラストを向上
させつつ、輝度も向上させることができる。
分とで配向方向が異なるため、液晶に電圧を印加した場
合に画素電極に対応した部分だけの光の透過率を制御で
きる。このため、ブラックマトリクスなしでもコントラ
ストを向上させることができると共に、画素電極全体を
有効に活用できることになるため、コントラストを向上
させつつ、輝度も向上させることができる。
【００１９】
【実施例】図１は本発明の第１実施例の概略構成図を示
す。同図中、１３は駆動基板、１４は対向基板を示す。
す。同図中、１３は駆動基板、１４は対向基板を示す。
【００２０】駆動基板１３は透明基板であるガラス基板
１５上図８と同様に画素電極１６-1〜１６-n，スイッチ
ング素子となる薄膜トランジスタＴｒ-1〜Ｔｒ-n，ゲー
トバスライン１７-1〜１７-m，ドレインバスライン１８
-1〜１８-l等を形成してなる。
１５上図８と同様に画素電極１６-1〜１６-n，スイッチ
ング素子となる薄膜トランジスタＴｒ-1〜Ｔｒ-n，ゲー
トバスライン１７-1〜１７-m，ドレインバスライン１８
-1〜１８-l等を形成してなる。
【００２１】図２は本発明の第１実施例の断面図を示
す。駆動基板１３を製造するにはまず、ガラス基板１の
上にＴｉ（チタン）あるいはＣｒ（クロム）材をスパッ
タリングにより全面に積層し、ゲートバスライン１７-1
〜１７-m及びゲート電極Ｇをパターニングする。次に、
その上からＳｉＯ2 ，ＳｉＮ等の絶縁材によるゲート絶
縁膜（ＺＤ）及びａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）材
による半導体層２１をプラズマＣＶＤ法により連続して
積層し、トランジスタのパターンでパターニングし、薄
膜トランジスタＴｒ-1〜Ｔｒ-nを形成する。さらに薄膜
トランジスタＴｒ -1〜Ｔｒ-nを形成したガラス基板１５
にフォトリソグラフィ法を用いてＩＴＯ（Indium Tin O
xide）等の透明導電材により画素電極部１６-1〜１６-n
を形成する。
す。駆動基板１３を製造するにはまず、ガラス基板１の
上にＴｉ（チタン）あるいはＣｒ（クロム）材をスパッ
タリングにより全面に積層し、ゲートバスライン１７-1
〜１７-m及びゲート電極Ｇをパターニングする。次に、
その上からＳｉＯ2 ，ＳｉＮ等の絶縁材によるゲート絶
縁膜（ＺＤ）及びａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）材
による半導体層２１をプラズマＣＶＤ法により連続して
積層し、トランジスタのパターンでパターニングし、薄
膜トランジスタＴｒ-1〜Ｔｒ-nを形成する。さらに薄膜
トランジスタＴｒ -1〜Ｔｒ-nを形成したガラス基板１５
にフォトリソグラフィ法を用いてＩＴＯ（Indium Tin O
xide）等の透明導電材により画素電極部１６-1〜１６-n
を形成する。
【００２２】以上の製造工程により駆動基板１３が完成
する。
する。
【００２３】画素電極１６-1〜１６-nはガラス基板１５
全面にマトリクス状に配設され、夫々の画素電極１６-1
〜１６-nに隣接して、薄膜トランジスタＴｒ-1〜Ｔｒ-n
が形成されている。
全面にマトリクス状に配設され、夫々の画素電極１６-1
〜１６-nに隣接して、薄膜トランジスタＴｒ-1〜Ｔｒ-n
が形成されている。
【００２４】ドレインバスライン１８-1〜１８-l及びゲ
ートバスライン１７-1〜１７-mは画素電極１６-1〜１６
-n間に互いに絶縁状態で交差しつつ縦横に配線される。
ートバスライン１７-1〜１７-mは画素電極１６-1〜１６
-n間に互いに絶縁状態で交差しつつ縦横に配線される。
【００２５】薄膜トランジスタＴｒ-1〜Ｔｒ-nのドレイ
ンＤはドレインバスライン１８-1〜１８-lに接続され、
ゲートＧはゲートバスライン１７-1〜１７-mに接続され
る。また、薄膜トランジスタＴｒ-1〜Ｔｒ-nのソースＳ
は画素電極１６-1〜１６-nに接続される。
ンＤはドレインバスライン１８-1〜１８-lに接続され、
ゲートＧはゲートバスライン１７-1〜１７-mに接続され
る。また、薄膜トランジスタＴｒ-1〜Ｔｒ-nのソースＳ
は画素電極１６-1〜１６-nに接続される。
【００２６】ドレインバスライン１８-1〜１８-lに供給
される信号に応じて画素電極１６-1〜１６-nの電位が変
化する。
される信号に応じて画素電極１６-1〜１６-nの電位が変
化する。
【００２７】対向基板１４はガラス基板２２の片面全域
にＩＴＯ等よりなる透明導電膜２３を形成してなる。駆
動基板１３及び対向基板１４の最上面全域には配向膜
（ポリイミド）２４，２５が形成される。ここで配向膜
２４，２５は画素電極１６-1〜１６-nに対応する位置と
それ以外に対応する位置の２回に分けて後述する様な配
向処理が施される。
にＩＴＯ等よりなる透明導電膜２３を形成してなる。駆
動基板１３及び対向基板１４の最上面全域には配向膜
（ポリイミド）２４，２５が形成される。ここで配向膜
２４，２５は画素電極１６-1〜１６-nに対応する位置と
それ以外に対応する位置の２回に分けて後述する様な配
向処理が施される。
【００２８】駆動基板１３と対向基板１４とは互いの配
向膜２４，２５の形成面が対向するように配置されスペ
ーサ（図示せず）により所定の間隔を保持して固定さ
れ、駆動基板１３と対向基板１４との間には液晶２６が
注入され、液晶パネルが完成される。
向膜２４，２５の形成面が対向するように配置されスペ
ーサ（図示せず）により所定の間隔を保持して固定さ
れ、駆動基板１３と対向基板１４との間には液晶２６が
注入され、液晶パネルが完成される。
【００２９】液晶パネルの上下両面にはその透過軸Ａ，
Ｂ方向が互いに直交するように偏光板２７，２８が配設
される。
Ｂ方向が互いに直交するように偏光板２７，２８が配設
される。
【００３０】配向処理は液晶が画素電極１６-1〜１６-n
に対応する部分では偏光板の透過軸Ａ，Ｂに対してホモ
ジニアス配向となり、画素電極１６-1〜１６-n以外の部
分はホメオトロピック配向となるように施される。
に対応する部分では偏光板の透過軸Ａ，Ｂに対してホモ
ジニアス配向となり、画素電極１６-1〜１６-n以外の部
分はホメオトロピック配向となるように施される。
【００３１】このような構成とすることで、入射光１４
に対して画素電極１６-1〜１６-n部分だけがＴＮ液晶に
より屈折率異方性を示すために無電圧印加では白表示、
電圧を印加するに従い表示が黒に変化し、画素電極１６
-1〜１６-n以外の位置は入射光Ｌｉが散乱して常時黒表
示になるため、画素電極１６-1〜１６-n以外の部分の液
晶２６がブラックマトリクスの役目を果たすことにな
る。
に対して画素電極１６-1〜１６-n部分だけがＴＮ液晶に
より屈折率異方性を示すために無電圧印加では白表示、
電圧を印加するに従い表示が黒に変化し、画素電極１６
-1〜１６-n以外の位置は入射光Ｌｉが散乱して常時黒表
示になるため、画素電極１６-1〜１６-n以外の部分の液
晶２６がブラックマトリクスの役目を果たすことにな
る。
【００３２】また、対向基板１４と駆動基板１３との画
素電極１６-1〜１６-n部分がずれても液晶２６によりそ
のずれが吸収され、画素電極１６-1〜１６-n全体を有効
に用いることができるため高輝度化が可能となる。
素電極１６-1〜１６-n部分がずれても液晶２６によりそ
のずれが吸収され、画素電極１６-1〜１６-n全体を有効
に用いることができるため高輝度化が可能となる。
【００３３】図３は本発明の第２実施例の概略構成図を
示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。
示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。
【００３４】本実施例では画素電極１６-1〜１６-nに対
応する部分Ｓ1 は透過軸Ａ，Ｂに対してホモジニアス配
向１０にし、画素電極９以外の部分は駆動基板１３側の
偏光板２７の透過軸Ａに対して水平配向となるように配
向処理が行なわれる。
応する部分Ｓ1 は透過軸Ａ，Ｂに対してホモジニアス配
向１０にし、画素電極９以外の部分は駆動基板１３側の
偏光板２７の透過軸Ａに対して水平配向となるように配
向処理が行なわれる。
【００３５】図４は本発明の第３実施例の概略構成図を
示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。
示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。
【００３６】本実施例では画素電極１６-1〜１６-nに対
応する部分Ｓ1 は透過軸Ａ，Ｂに対してホモジニアス配
向１にし画素電極１６-1〜１６-n以外の部分はＴＦＴ基
板側の偏光板の透過軸７に対して垂直配向となるように
配向処理が行なわれる。
応する部分Ｓ1 は透過軸Ａ，Ｂに対してホモジニアス配
向１にし画素電極１６-1〜１６-n以外の部分はＴＦＴ基
板側の偏光板の透過軸７に対して垂直配向となるように
配向処理が行なわれる。
【００３７】図５は本発明の第４実施例の要部の構成図
を示す。同図中、図１乃至図４と同一構成部分には同一
符号を付し、その説明は省略する。
を示す。同図中、図１乃至図４と同一構成部分には同一
符号を付し、その説明は省略する。
【００３８】本実施例はＴｉ，Ｃｒ等よりなる不透明な
蓄積容量用電極２９を駆動基板１３上に絶縁膜３０を介
してゲートバスラインと平行に薄膜トランジスタを覆う
ように構成する。
蓄積容量用電極２９を駆動基板１３上に絶縁膜３０を介
してゲートバスラインと平行に薄膜トランジスタを覆う
ように構成する。
【００３９】この時の蓄積容量の大きさは、液晶容量の
約３倍が適当である。そのため蓄積容量用電極２９と画
素電極１６-1〜１６-nとが重なる部分の面積は例えば約
２×１０-9mm2 程度とすればよい。また蓄積容量用電極
２９形成後のＴＦＴ部Ａ−Ａ’の断面図を図５（ｂ）に
示す。この時の蓄積容量用電極２９の厚さはゲート電極
と同等程度に形成すればよい。
約３倍が適当である。そのため蓄積容量用電極２９と画
素電極１６-1〜１６-nとが重なる部分の面積は例えば約
２×１０-9mm2 程度とすればよい。また蓄積容量用電極
２９形成後のＴＦＴ部Ａ−Ａ’の断面図を図５（ｂ）に
示す。この時の蓄積容量用電極２９の厚さはゲート電極
と同等程度に形成すればよい。
【００４０】また、蓄積容量用電極２９は対向電極２３
と接続され、対向電極２３と同電位とすることにより画
素電極１６-1〜１６-nに対して蓄積容量として動作させ
ている。
と接続され、対向電極２３と同電位とすることにより画
素電極１６-1〜１６-nに対して蓄積容量として動作させ
ている。
【００４１】なお、蓄積容量用電極２９は前のラインの
ゲートバスライン１７-1〜１７-mと接続しても同様に蓄
積容量として動作させることができる。
ゲートバスライン１７-1〜１７-mと接続しても同様に蓄
積容量として動作させることができる。
【００４２】このような構造にすることで、対向基板側
からの光照射に対して、不透明な蓄積容量用電極２９が
遮光膜の働きをするために光リーク電流が薄膜トランジ
スタＴｒ-1〜Ｔｒ-nのアモルファスシリコン等の半導体
層２１で発生せず高輝度、高コントラストな表示が実現
できる。
からの光照射に対して、不透明な蓄積容量用電極２９が
遮光膜の働きをするために光リーク電流が薄膜トランジ
スタＴｒ-1〜Ｔｒ-nのアモルファスシリコン等の半導体
層２１で発生せず高輝度、高コントラストな表示が実現
できる。
【００４３】図６は本発明の第５実施例の要部の構成図
を示す。同図中、図１乃至図４と同一構成部分には同一
符号を付し、その説明は省略する。本実施例はＴｉ，Ｃ
ｒ等よりなる不透明な蓄積容量用電極２９を駆動基板１
３上に絶縁膜３０を介してドレインバスライン１８-1〜
１８-lに平行に薄膜トランジスタを覆うように形成して
いる。
を示す。同図中、図１乃至図４と同一構成部分には同一
符号を付し、その説明は省略する。本実施例はＴｉ，Ｃ
ｒ等よりなる不透明な蓄積容量用電極２９を駆動基板１
３上に絶縁膜３０を介してドレインバスライン１８-1〜
１８-lに平行に薄膜トランジスタを覆うように形成して
いる。
【００４４】このような構成とすることにより、第４実
施例同様不透明な蓄積容量用電極２９が遮光膜の働きを
するために光リーク電流が薄膜トランジスタＴｒ-1〜Ｔ
ｒ-nの半導体層２１で発生せず高輝度、高コントラスト
なパネルが実現できる。
施例同様不透明な蓄積容量用電極２９が遮光膜の働きを
するために光リーク電流が薄膜トランジスタＴｒ-1〜Ｔ
ｒ-nの半導体層２１で発生せず高輝度、高コントラスト
なパネルが実現できる。
【００４５】図７は本発明の第６実施例の要部の構成図
を示す。同図中、図１乃至図４と同一構成部分には同一
符号を付し、その説明は省略する。
を示す。同図中、図１乃至図４と同一構成部分には同一
符号を付し、その説明は省略する。
【００４６】本実施例はＴｉ，Ｃｒ等よりなる不透明な
蓄積容量用電極２９を駆動基板１３上に絶縁膜３０を介
してゲートバスライン１７-1〜１７-m及びドレインバス
ライン１８-1〜１８-lに平行で、かつ、薄膜トランジス
タＴｒ-1〜Ｔｒ-nを覆うように形成している。なお、対
向基板１４は同様な構成となる。また、蓄積容量用電極
２９は対向基板１４の対向電極２３又は１ライン前のゲ
ートバスライン１７-1〜１７-mと接続され、蓄積容量を
形成し、液晶容量を減少させる。
蓄積容量用電極２９を駆動基板１３上に絶縁膜３０を介
してゲートバスライン１７-1〜１７-m及びドレインバス
ライン１８-1〜１８-lに平行で、かつ、薄膜トランジス
タＴｒ-1〜Ｔｒ-nを覆うように形成している。なお、対
向基板１４は同様な構成となる。また、蓄積容量用電極
２９は対向基板１４の対向電極２３又は１ライン前のゲ
ートバスライン１７-1〜１７-mと接続され、蓄積容量を
形成し、液晶容量を減少させる。
【００４７】このような構成とすることにより、第４実
施例同様不透明な蓄積容量用電極２９が遮光膜の働きを
するために光リーク電流が薄膜トランジスタＴｒ-1〜Ｔ
ｒ-nの半導体層２１で発生せず高輝度、高コントラスト
なパネルが実現できる。
施例同様不透明な蓄積容量用電極２９が遮光膜の働きを
するために光リーク電流が薄膜トランジスタＴｒ-1〜Ｔ
ｒ-nの半導体層２１で発生せず高輝度、高コントラスト
なパネルが実現できる。
【００４８】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、コントラ
ストを向上させつつ、画素電極の開口率を向上させるこ
とができるため、高輝度、高コントラストの表示が可能
となる等の特長を有する。
ストを向上させつつ、画素電極の開口率を向上させるこ
とができるため、高輝度、高コントラストの表示が可能
となる等の特長を有する。
【図１】本発明の第１実施例を説明するための図であ
る。
る。
【図２】本発明の第１実施例の要部の断面図である。
【図３】本発明の第２実施例を説明するための図であ
る。
る。
【図４】本発明の第３実施例を説明するための図であ
る。
る。
【図５】本発明の第４実施例の要部の平面図である。
【図６】本発明の第５実施例の要部の平面図である。
【図７】本発明の第６実施例の要部の平面図である。
【図８】液晶表示装置の概略構成図である。
【図９】従来の一例の平面図である。
【図１０】従来の一例の断面図である。
１３ 駆動基板 １４ 対向基板 １５ ガラス基板 １６-1〜１６-n 画素電極 Ｔｒ-1〜Ｔｒ-n 薄膜トランジスタ ２４，２５ 配向膜 ２６ 液晶 ２７，２８ 偏光板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森田 敬三 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 マトリクス状に配列された複数の画素電
極（１６-1〜１６-n）及び該複数の画素電極（１６-1〜
１６-n）に対応して設けられたスイッチング素子（Ｔｒ
-1〜Ｔｒ-n）が形成された駆動基板（１３）と該複数の
画素電極（１６-1〜１６-n）に対向して設けられた対向
電極（２３）が形成された対向基板（１４）との間に液
晶（２６）を封入することにより形成された液晶パネル
偏光板（２７，２８）により挟持してなり、該複数の画
素電極（１６-1〜１６-n）と該対向電極（２３）との間
に該スイッチング素子（Ｔｒ-1〜Ｔｒ-n）によりスイッ
チング制御しつつ、電圧を印加することにより該液晶
（２６）の状態を変化させ、表示制御を行なう液晶表示
装置において、 前記液晶（２６）の前記複数の画素電極（１６-1〜１６
-n）の夫々に対応する部分（Ｓ1 ）とそれ以外の部分と
で前記液晶（２６）の配向方向を異ならせる配向膜（２
４，２５）を形成したことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記スイッチング素子（Ｔｒ-1〜Ｔ
ｒ-n）上に設けられ、前記画素電極（１６-1〜１６-n）
との間に静電容量を蓄積すると共に前記スイッチング素
子（Ｔｒ-1〜Ｔｒ-n）を遮光する蓄積容量電極（２９）
を有することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置。 - 【請求項３】 前記偏光板（２７，２８）は偏光通過軸
（Ａ，Ｂ）が互いに直交することを特徴とする請求項１
又は２記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8571692A JPH05289082A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8571692A JPH05289082A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05289082A true JPH05289082A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=13866563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8571692A Pending JPH05289082A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05289082A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3523062A1 (de) * | 1984-06-27 | 1986-01-09 | Kyocera Corp., Kyoto | Selbstleuchtender lichtsignalgeber und verwendung desselben in einer lichtsignalgeberanordnung |
| US7659947B2 (en) | 2002-03-08 | 2010-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having gate wiring on interlayer insulting film which is over transistor, and light shielding layer(s) |
| JP2010032834A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Dainippon Printing Co Ltd | マトリクス型表示装置 |
-
1992
- 1992-04-07 JP JP8571692A patent/JPH05289082A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3523062A1 (de) * | 1984-06-27 | 1986-01-09 | Kyocera Corp., Kyoto | Selbstleuchtender lichtsignalgeber und verwendung desselben in einer lichtsignalgeberanordnung |
| US7659947B2 (en) | 2002-03-08 | 2010-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having gate wiring on interlayer insulting film which is over transistor, and light shielding layer(s) |
| KR100961931B1 (ko) * | 2002-03-08 | 2010-06-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시장치 |
| JP2010032834A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Dainippon Printing Co Ltd | マトリクス型表示装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000613 |