JPS6270815A - 液晶装置 - Google Patents
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- JPS6270815A JPS6270815A JP60211384A JP21138485A JPS6270815A JP S6270815 A JPS6270815 A JP S6270815A JP 60211384 A JP60211384 A JP 60211384A JP 21138485 A JP21138485 A JP 21138485A JP S6270815 A JPS6270815 A JP S6270815A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134336—Matrix
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野」
この発明は、液晶装置に関するものであって、強誘電性
液晶（以下ＦＬＣという）を用いた液晶表示装置を設け
ることにより、マイクロコンピュータ、ワードプロセッ
サまたはテレビ等の表示部の薄膜化を図るものである。
液晶（以下ＦＬＣという）を用いた液晶表示装置を設け
ることにより、マイクロコンピュータ、ワードプロセッ
サまたはテレビ等の表示部の薄膜化を図るものである。
この発明は特に実質的にグレースケールを構成せしめフ
ルカラー表示を行わんとする時の階調表示の可能な液晶
表示装置に関するものである。
ルカラー表示を行わんとする時の階調表示の可能な液晶
表示装置に関するものである。
「従来の技術」
固体表示パネルは各絵素を独立に制御する方式が大面積
用として有効である。このようなパネルとして、従来は
、二周波液晶例えばツウイスティック・ネマチック液晶
（以下ＴＮ液晶という）を用い、横方向４００素子また
縦方向２００素子とするＡ４判サイズの単純マトリック
ス構成にマルチプレキシング駆動方弐を用いた表示装置
が知られている。
用として有効である。このようなパネルとして、従来は
、二周波液晶例えばツウイスティック・ネマチック液晶
（以下ＴＮ液晶という）を用い、横方向４００素子また
縦方向２００素子とするＡ４判サイズの単純マトリック
ス構成にマルチプレキシング駆動方弐を用いた表示装置
が知られている。
しかし、かかるＴＮ液晶を用いた場合、その周波数応答
特性がミリ秒のオーダであり、きわめて遅い。このため
６４０ Ｘ４００セグメントまたはそれ以上とすること
が実質的に不可能であった。
特性がミリ秒のオーダであり、きわめて遅い。このため
６４０ Ｘ４００セグメントまたはそれ以上とすること
が実質的に不可能であった。
さらにかかるＴＮを用いた表示装置において、フルカラ
ー化に必要不可欠なグレースケール（灰色の色調）を出
すことは周辺回路が複雑になり実質的に不可能であった
。
ー化に必要不可欠なグレースケール（灰色の色調）を出
すことは周辺回路が複雑になり実質的に不可能であった
。
「発明が解決しようとする問題点」
かかるＴＮ液晶を用いると、
（１）液晶が揮発性であるため、繰り返し「Ｏ」。
「１」を保持するのに信号を与えなければならない。こ
のためフルカラー化のためにまず必要とされるグレース
ケールを出そうとしても周辺回路がきわめて複雑になっ
てしまう。
のためフルカラー化のためにまず必要とされるグレース
ケールを出そうとしても周辺回路がきわめて複雑になっ
てしまう。
（２）また他方、強誘電性液晶が知られている。しかし
これまで知られているＦＬＣを用いた液晶’ＡＸはモノ
ドメイン（大面積を１つのドメイン（同一の特性を有す
る領域、範囲））とすることにより、ｒｏｂ、ｒｌＪの
コントラスト比を向上させんとするものであった。
これまで知られているＦＬＣを用いた液晶’ＡＸはモノ
ドメイン（大面積を１つのドメイン（同一の特性を有す
る領域、範囲））とすることにより、ｒｏｂ、ｒｌＪの
コントラスト比を向上させんとするものであった。
そしてこのＦＬＣを用いてグレースケールを出すことは
理論的に不可能であるとされていた。
理論的に不可能であるとされていた。
しかし本発明はかかるＦＬＣを用いて実質的にグレース
ケールを得んとするものである。かつ周辺回路をＦＬＣ
の不揮発性メモリ作用を用いて簡略化することを特徴と
している。
ケールを得んとするものである。かつ周辺回路をＦＬＣ
の不揮発性メモリ作用を用いて簡略化することを特徴と
している。
「問題を解決するための手段」
本発明はかかる問題を解決するため、液晶材料としてス
メクチックＣ相（ＳｍＣ’″）を呈する強誘電性液晶（
ＦＬＣという）を用いたゲスト・ホスト型または複屈折
型の構成を有せしめる。さらにこの強誘電性液晶が充填
された１つの画素の対をなす電極の一方を少な（とも複
数に分割する。例えば２つに分割する。するとこの双方
がＯＮとなった場合、一方がＯＮとなった場合、または
双方ともＯＦＦとなった場合により、３種類を構成させ
ることができる。さらにその対抗電極に対しても、例え
ば３分割した場合、その１つがＯＮとなった場合、２つ
がＯＦＦとなった時、３つがＯＮになった場合、または
すべてがＯＦＦとなった場合と４種類を構成せしめ得る
。その結果、２分割と３分割によりその明るさはきわめ
て多くのバリエイジョンを得ることができ、実質的にグ
レースケール（灰色）さらにひいては階調を与えること
が可能となる。特に３分割のそれぞれをＲ（赤）、Ｇ（
緑）、Ｂ（青）とすることにより、それぞれの色の位置
に中間色を与えることができ、色としては１６種類とす
ることができる。
メクチックＣ相（ＳｍＣ’″）を呈する強誘電性液晶（
ＦＬＣという）を用いたゲスト・ホスト型または複屈折
型の構成を有せしめる。さらにこの強誘電性液晶が充填
された１つの画素の対をなす電極の一方を少な（とも複
数に分割する。例えば２つに分割する。するとこの双方
がＯＮとなった場合、一方がＯＮとなった場合、または
双方ともＯＦＦとなった場合により、３種類を構成させ
ることができる。さらにその対抗電極に対しても、例え
ば３分割した場合、その１つがＯＮとなった場合、２つ
がＯＦＦとなった時、３つがＯＮになった場合、または
すべてがＯＦＦとなった場合と４種類を構成せしめ得る
。その結果、２分割と３分割によりその明るさはきわめ
て多くのバリエイジョンを得ることができ、実質的にグ
レースケール（灰色）さらにひいては階調を与えること
が可能となる。特に３分割のそれぞれをＲ（赤）、Ｇ（
緑）、Ｂ（青）とすることにより、それぞれの色の位置
に中間色を与えることができ、色としては１６種類とす
ることができる。
そして好ましくはこの対抗電極により構成する領域をマ
トリックス化し、表示装置として用いる液晶表示装置に
応用する。この場合、一方の電極群と対抗する他方の電
極群とにより構成する最小領域（即ちセル）（以下表示
装置に応用する場合は単に画素と表記する）を有し、こ
のセルの集合体により１画素を例えば２×３の６ケのセ
ルにより構成する。このＦＬＣに対し十分圧または負の
電圧を印加すれば、それに従って透過即ち「１」、また
は不透過即ち「０」を表示し得る。そしてこの印加を各
セルのいくつに対して「１」を加え、他のいくつに対し
「０」を加えるかにより実質的に灰色（半透過）状態を
得ることができる。
トリックス化し、表示装置として用いる液晶表示装置に
応用する。この場合、一方の電極群と対抗する他方の電
極群とにより構成する最小領域（即ちセル）（以下表示
装置に応用する場合は単に画素と表記する）を有し、こ
のセルの集合体により１画素を例えば２×３の６ケのセ
ルにより構成する。このＦＬＣに対し十分圧または負の
電圧を印加すれば、それに従って透過即ち「１」、また
は不透過即ち「０」を表示し得る。そしてこの印加を各
セルのいくつに対して「１」を加え、他のいくつに対し
「０」を加えるかにより実質的に灰色（半透過）状態を
得ることができる。
即ち液晶装置一対の電極間の間隔を４μｍまたはそれ以
下とし、そしてかかる薄いセルに等方性の液晶状態で液
晶を混入し、温度降下させ、ＳｍＡを得、さらに双安定
なＳｍＣ”を得ることができる。
下とし、そしてかかる薄いセルに等方性の液晶状態で液
晶を混入し、温度降下させ、ＳｍＡを得、さらに双安定
なＳｍＣ”を得ることができる。
かかるＳｍＣ′″に正の十分大きな電圧を印加すると分
子が一方向に並び、逆に負の十分大きな電圧を印加する
と逆に配列する。そしてこの正負の配列によりコーン角
度、一般には約４５″を有する。（ＦＬＣの種類により
異なる）そしてこの２つの状態は電圧を切ってもほとん
ど変化しない不揮発性（双安定性）で、かつ互いに約４
５度の角度を有する。このため偏向板は２枚で光の透過
、不透過を成就し、複屈折型の表示装置を得ることがで
きることがわかった。
子が一方向に並び、逆に負の十分大きな電圧を印加する
と逆に配列する。そしてこの正負の配列によりコーン角
度、一般には約４５″を有する。（ＦＬＣの種類により
異なる）そしてこの２つの状態は電圧を切ってもほとん
ど変化しない不揮発性（双安定性）で、かつ互いに約４
５度の角度を有する。このため偏向板は２枚で光の透過
、不透過を成就し、複屈折型の表示装置を得ることがで
きることがわかった。
かかる目的のため、本発明は一対の基板（光の入射側を
対抗電極、反射側を単に基板という）とその内側に存在
する電極（光の入射側の電極を対抗電極、内部側を単に
電極という）と、さらにその間に封入されたＦＬＣとを
有する。そして偏向板を入射光側に１枚および基板の反
対側に１枚の計２枚を配設した。
対抗電極、反射側を単に基板という）とその内側に存在
する電極（光の入射側の電極を対抗電極、内部側を単に
電極という）と、さらにその間に封入されたＦＬＣとを
有する。そして偏向板を入射光側に１枚および基板の反
対側に１枚の計２枚を配設した。
特に本発明の液晶装置を反射型とするには、この偏光板
の外側に反射板を配設した。また透過型とする場合は裏
面側より透過光を照射した。
の外側に反射板を配設した。また透過型とする場合は裏
面側より透過光を照射した。
その場合、入射光の経路は第１の偏向板、対抗基板、対
抗電極、ＦＬＣ、電極、基板、第２の偏光板１反射面、
さらにここで反射され、逆の経路をたどる。さらに本発
明は大面積の素子に対し、電極の下側（基板側）に直列
に連結されたアクティブ素子を設けた。即ち本発明はア
クティブ素子として双方向性の非線型素子（以下ＮＥと
いう）とＦＬＣとを結合せしめ液晶表示装置とするよう
に努める。
抗電極、ＦＬＣ、電極、基板、第２の偏光板１反射面、
さらにここで反射され、逆の経路をたどる。さらに本発
明は大面積の素子に対し、電極の下側（基板側）に直列
に連結されたアクティブ素子を設けた。即ち本発明はア
クティブ素子として双方向性の非線型素子（以下ＮＥと
いう）とＦＬＣとを結合せしめ液晶表示装置とするよう
に努める。
「作用」
かくの如きマルチ・セル方式による画素を構成せしめ、
かつ液晶としてＦＬＣを用いることにより、（１）実質
的にグレースケールの成就が可能になる。
かつ液晶としてＦＬＣを用いることにより、（１）実質
的にグレースケールの成就が可能になる。
軸）モノドメインをＡ４版レベルで作るに際し、色調の
変化はＦＬＣを用いているため変化でキセルに対し可転
させて成就できる。このため階調を伴った静止画または
それに準する状態を消去するエネルギをきわめて少な（
して設けることができる。
変化はＦＬＣを用いているため変化でキセルに対し可転
させて成就できる。このため階調を伴った静止画または
それに準する状態を消去するエネルギをきわめて少な（
して設けることができる。
（３）マルチドセルとするためパターニングの進歩によ
りグレースケールのレベルにさらに細かくさせてゆくこ
とが可能である。
りグレースケールのレベルにさらに細かくさせてゆくこ
とが可能である。
（４） ＦＬＣを用いるため視野角が大きく、使いやす
い。
い。
（５）非線型素子その他の制御素子を用いる場合、これ
をフォトセンサとして同一基板に設け、この素子に対し
ライトペンを用いて同じボード（パネル）で表示及び書
き込みが可能である。
をフォトセンサとして同一基板に設け、この素子に対し
ライトペンを用いて同じボード（パネル）で表示及び書
き込みが可能である。
（６）非線型素子とＦＬＣとを用い、双方を相乗的に動
作せしめて、クロス・トークがなく、プロセスがそれほ
ど複雑にならず、理想型にきわめて近い構成であること
がわかった。
作せしめて、クロス・トークがなく、プロセスがそれほ
ど複雑にならず、理想型にきわめて近い構成であること
がわかった。
また本発明でも残された問題点の使用温度範囲は、現在
複数の異なったＦＬＣを組合わせて（ブレンドして）０
〜５０℃において使用が可能となっている。このため実
用上はそれほど問題とならず、また階調に関しては本発
明において初めてグレースケール化を成就し得るため、
Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のフィルタを各画素に対
応して設け、このフィルタを光が透過することによりフ
ルカラー化が可能となり、マイクロコンピュータ等のデ
ィスプレイとしては十分実用が可能であることが判明し
た。
複数の異なったＦＬＣを組合わせて（ブレンドして）０
〜５０℃において使用が可能となっている。このため実
用上はそれほど問題とならず、また階調に関しては本発
明において初めてグレースケール化を成就し得るため、
Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のフィルタを各画素に対
応して設け、このフィルタを光が透過することによりフ
ルカラー化が可能となり、マイクロコンピュータ等のデ
ィスプレイとしては十分実用が可能であることが判明し
た。
以下の実施例において、非線型素子として５ＣＬＡＤ（
空間電荷制限電流を用いた双方向性複合ダイオード）を
用いたもので、この非線型素子と画素との構成を直列に
連結して一体化した。
空間電荷制限電流を用いた双方向性複合ダイオード）を
用いたもので、この非線型素子と画素との構成を直列に
連結して一体化した。
即ち、この発明に用いられる非線型素子はＮ型半導体−
Ｉ型半導体−Ｎ型半導体構造を主としている。
Ｉ型半導体−Ｎ型半導体構造を主としている。
さらに本発明は、かかる５ＣＬＡＤとマトリックスを構
成する画素とをセルファライン方式とし得るため、２枚
のみのマスク数でプロセスさせることができる。この本
発明の構造の代表例を第４図に、またその製造工程を第
２図に示しである。
成する画素とをセルファライン方式とし得るため、２枚
のみのマスク数でプロセスさせることができる。この本
発明の構造の代表例を第４図に、またその製造工程を第
２図に示しである。
以下に実施例に従って本発明を説明する。
「実施例１」
第１図は本発明のアクティブ素子型の液晶表示装置に本
発明を用いた回路図を示す。
発明を用いた回路図を示す。
図面において、画素は５ＣＬＡＤ （２） 、 （２’
）の電極（２１）。
）の電極（２１）。
（２１”）（第１の電極）（図面では数字を矩形で取り
囲む記号で示す）より、強誘電性液晶（３）の一方の電
極（２３） 、 （２３’ ） （第３の電極）に連結
している。
囲む記号で示す）より、強誘電性液晶（３）の一方の電
極（２３） 、 （２３’ ） （第３の電極）に連結
している。
ＳＣＩ、＾ＤはＹ配線（４） 、 （４”）に第２の電
極（２２） 、 （２２”）により連結している。他方
、ＦＬＣ（３）の第４の電極（２４） 、 （２４”）
、（２４”）（対抗電極）はＸ配線（６）、（６’）。
極（２２） 、 （２２”）により連結している。他方
、ＦＬＣ（３）の第４の電極（２４） 、 （２４”）
、（２４”）（対抗電極）はＸ配線（６）、（６’）。
（６”）に連結している。Ｘ配線は他の透光性絶縁基板
代表的にはガラス基板（第４図（Ｃ）における（２０′
））側に密接して設けている（第１図、第４図（Ｃ）に
おける（６） 、 （６’ ） 、 （６”））か（の
如き複合ダイオード（２） 、 （２°）を用いた画素
の一部である非線形素子の製造工程およびその特性の例
を第２図、第３図に示す。
代表的にはガラス基板（第４図（Ｃ）における（２０′
））側に密接して設けている（第１図、第４図（Ｃ）に
おける（６） 、 （６’ ） 、 （６”））か（の
如き複合ダイオード（２） 、 （２°）を用いた画素
の一部である非線形素子の製造工程およびその特性の例
を第２図、第３図に示す。
この第２図の製造工程は、この第４図（Ａ）における（
４０）の領域（第４図）を特に拡大して製造する場合に
対応している。
４０）の領域（第４図）を特に拡大して製造する場合に
対応している。
第２図（Ａ）において、透光性絶縁基板としてコーニン
グ７０５９ガラス（２０）を用いた。この上面にスバッ
タ法または電子ビーム蒸着法により、導電膜（２２）で
あるモリブデンを０．１〜０．５ μの厚さに形成した
。
グ７０５９ガラス（２０）を用いた。この上面にスバッ
タ法または電子ビーム蒸着法により、導電膜（２２）で
あるモリブデンを０．１〜０．５ μの厚さに形成した
。
この後、これらの全面に光ＣＶＤ法またはプラズマＣＶ
Ｄ法を用いて非単結晶半導体膜（１）を形成した。その
厚さはＮ型半導体（１３） （０，１μ）−１型半導体
（１４） （０，８μ）−Ｎ型半導体（１５） （５０
０人）のＮＩＮ接合を有する５ＣＬＡＤとした。
Ｄ法を用いて非単結晶半導体膜（１）を形成した。その
厚さはＮ型半導体（１３） （０，１μ）−１型半導体
（１４） （０，８μ）−Ｎ型半導体（１５） （５０
０人）のＮＩＮ接合を有する５ＣＬＡＤとした。
この後、この上面に、クロム（２１）を電子ビーム蒸着
法またはスパッタ法により０．１〜０．２μの厚さに積
層した。
法またはスパッタ法により０．１〜０．２μの厚さに積
層した。
さらに第２図（Ｂ）に示す如く、第１のフォトマスク■
により周辺部を垂直になるように異方性プラズマエッチ
を行い、積層体（５０）を設けた。
により周辺部を垂直になるように異方性プラズマエッチ
を行い、積層体（５０）を設けた。
次にこれらの全面に感光性ポリイミド樹脂（２７）をコ
ーティング法にて約２μの厚さに形成させた。
ーティング法にて約２μの厚さに形成させた。
かくして、積層体（５０）の電極（２１）上面とポリイ
ミド樹脂（２７）の上面（３９）とは積層体の凸部を除
きキュア後で絶縁物表面と積層体表面とがなめらかに連
続した構造となるようにさせた。即ち、ガラス基板（２
０）側の裏面側より紫外光を公知のマスクアライナによ
りマスクを用いることなくガラス面側から露光させた。
ミド樹脂（２７）の上面（３９）とは積層体の凸部を除
きキュア後で絶縁物表面と積層体表面とがなめらかに連
続した構造となるようにさせた。即ち、ガラス基板（２
０）側の裏面側より紫外光を公知のマスクアライナによ
りマスクを用いることなくガラス面側から露光させた。
すると、側面（２６）を有する積層体く厚さ約１μ）（
５０）に対し蔭となるその上方の凸領域は感光せず、そ
の側周辺のみが感光する。さらに現像を行った後、リン
ス液により非感光性の凸部を溶去した。
５０）に対し蔭となるその上方の凸領域は感光せず、そ
の側周辺のみが感光する。さらに現像を行った後、リン
ス液により非感光性の凸部を溶去した。
次にこれらすべてを１８０℃３０分＋３００℃３０分＋
４００℃３０分の加熱を窒素中で行い、キュアさせた。
４００℃３０分の加熱を窒素中で行い、キュアさせた。
か（して積層体の上面である非線型素子の第２の電極を
フォトマスクを用いることなく露呈せしめるに加えて、
この上面と周辺部のポリイミド樹脂の絶縁物の表面とを
なめらかに連続させ、第２図（Ｃ）を得ることが可能と
なった。
フォトマスクを用いることなく露呈せしめるに加えて、
この上面と周辺部のポリイミド樹脂の絶縁物の表面とを
なめらかに連続させ、第２図（Ｃ）を得ることが可能と
なった。
次にこの第２図（Ｃ）の上面全面にＦＬＣ用電極電極３
の電極） （２３） として、ＩＴＯ（酸化インジュー
ム・スズ）を平均厚さ０．１〜０．３μの厚さにスパッ
タ法または電子ビーム蒸着法により形成させた。
の電極） （２３） として、ＩＴＯ（酸化インジュー
ム・スズ）を平均厚さ０．１〜０．３μの厚さにスパッ
タ法または電子ビーム蒸着法により形成させた。
さらにこの電極を画素及びセルを構成するための所定の
形状、例えば１２０μ×２００μの１画素の電極に第２
のフォトマスク（■）により選択エツチングを行った。
形状、例えば１２０μ×２００μの１画素の電極に第２
のフォトマスク（■）により選択エツチングを行った。
さらにこの上面に非対称配向層の一方の非ラビング層（
ラビング処理を行わない層） （２５） としてシラン
カップリング剤等の有機膜を形成した。
ラビング処理を行わない層） （２５） としてシラン
カップリング剤等の有機膜を形成した。
かくしてＹ方向のリード（６）に連結した第２の電極（
２２）と、その上の５ＣＬＡＤ （２）、さらに上側の
第１の電極（２１）の積層体（５０）を有し、この第１
の電極に密接してＦＬＣの第３の電極（２３）を設は得
る。
２２）と、その上の５ＣＬＡＤ （２）、さらに上側の
第１の電極（２１）の積層体（５０）を有し、この第１
の電極に密接してＦＬＣの第３の電極（２３）を設は得
る。
そしてこのためには２枚のフォトマスク即ち１回のマス
ク合わせにより各画素に対応したアクティブ素子を設け
ることができた。この５ＣＬＡＤ構造の記号が第１図に
おいて（２）として記されている。
ク合わせにより各画素に対応したアクティブ素子を設け
ることができた。この５ＣＬＡＤ構造の記号が第１図に
おいて（２）として記されている。
第３図（Ａ）に示す如き非線型特性（電極面積１２０μ
×２００μ）を第２図（縦軸は絶対値をログスケールに
て示している）に対応して有せしめることができた。
×２００μ）を第２図（縦軸は絶対値をログスケールに
て示している）に対応して有せしめることができた。
液晶表示素子としての画素およびセルを構成するため、
第４図（Ａ） 、 （ｃ） 、 （Ｄ）に示す如く、互
いに対抗した基板の内側にＸ方向のリード（６）、（６
’）。
第４図（Ａ） 、 （ｃ） 、 （Ｄ）に示す如く、互
いに対抗した基板の内側にＸ方向のリード（６）、（６
’）。
（６°°）および対抗電極（２４） 、 （２４’ ）
、 （２４” ）を設けた。そしてこの一対の電極（
２３）、対抗電極（２４）の内側には、カラーフィルタ
（２６）、 （２６’）、 （２６” ）をＲ，Ｇ、
Ｂより選択して設けている。
、 （２４” ）を設けた。そしてこの一対の電極（
２３）、対抗電極（２４）の内側には、カラーフィルタ
（２６）、 （２６’）、 （２６” ）をＲ，Ｇ、
Ｂより選択して設けている。
この内側に非対称配向膜（２５） 、 （２５’ ）を
設け、これによりＦＬＣ（厚さ２．５μ）を挾んである
。即ち一方の平坦な表面を有する対抗電極（２４）側に
はＰＡＮ（ポリアクリルニトリル） 、 ＰＶＡ （ポ
リビニールアルコール）を０．１ μの厚さにスピン法
により設け、公知のラビング処理をした。ラビング処理
の一例として、ナイロンをラビング装置に９００ ＰＰ
Ｍで回転させ、その表面を２ｍ／分の速度で基板を移動
させて形成した。さらに他方の凹凸表面を有する電極（
２３）上にはシランカップリング剤の単層の膜を形成し
てラビング処理を行わない配向膜とした。
設け、これによりＦＬＣ（厚さ２．５μ）を挾んである
。即ち一方の平坦な表面を有する対抗電極（２４）側に
はＰＡＮ（ポリアクリルニトリル） 、 ＰＶＡ （ポ
リビニールアルコール）を０．１ μの厚さにスピン法
により設け、公知のラビング処理をした。ラビング処理
の一例として、ナイロンをラビング装置に９００ ＰＰ
Ｍで回転させ、その表面を２ｍ／分の速度で基板を移動
させて形成した。さらに他方の凹凸表面を有する電極（
２３）上にはシランカップリング剤の単層の膜を形成し
てラビング処理を行わない配向膜とした。
この配向膜間にはＦＬＣ例えばＳＳ （Ｐ−オクチル・
オキシ・ベンジリデン−Ｐ′−アミノ・メチル・ブチル
・ベンゾエイト）とＢ８（９−オクチル・オキシ−４゛
−ビフェニル・カルボン酸−２−メチル・ブチル・エス
テル）との１：１のブレンド液晶を用いた。これ以外の
ＦＬＣまたは複数のブレンドを施したＦＬＣも充填し得
る。その−例は特開昭５９−９８０５１．特開昭５９−
１１８７４４．特開昭５９−１１８７４５を用い得る。
オキシ・ベンジリデン−Ｐ′−アミノ・メチル・ブチル
・ベンゾエイト）とＢ８（９−オクチル・オキシ−４゛
−ビフェニル・カルボン酸−２−メチル・ブチル・エス
テル）との１：１のブレンド液晶を用いた。これ以外の
ＦＬＣまたは複数のブレンドを施したＦＬＣも充填し得
る。その−例は特開昭５９−９８０５１．特開昭５９−
１１８７４４．特開昭５９−１１８７４５を用い得る。
本発明のＦＬＣ液晶画素の特性を第３図（Ｂ）に示す。
図面においてＯｖより＋５ｖを加えると点（３１’）よ
り曲線（２９）を得、点（３２）に至る。さらに、再び
Ｏｖとしても曲線（３０）をへて点（３１）となりｒｌ
Ｊ即ち透過が得られる。又−５ｖを加えると、曲線（２
９’）を経て点（３２’）が得られ、再びＯｖとすると
点（３１”’）のｒＯＪ即ち非透過が得られる。
り曲線（２９）を得、点（３２）に至る。さらに、再び
Ｏｖとしても曲線（３０）をへて点（３１）となりｒｌ
Ｊ即ち透過が得られる。又−５ｖを加えると、曲線（２
９’）を経て点（３２’）が得られ、再びＯｖとすると
点（３１”’）のｒＯＪ即ち非透過が得られる。
「実施例２」
第４図に本発明の構成例を示すが、第１図における破線
で囲んだ領域（１）が１つの画素を構成し、特に第４図
でも破線で囲んだ平面図（Ａ）に示す。
で囲んだ領域（１）が１つの画素を構成し、特に第４図
でも破線で囲んだ平面図（Ａ）に示す。
さらにその縦断面図（Ｂ） 、 （ｃ） 、 （Ｄ）が
示されている。
示されている。
更に、第４図（Ｂ） 、 （Ｃ） 、 （Ｄ）は（Ａ）
におけるそれぞれＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ”、Ｃ−Ｃ”での縦
断面図を記す。加えて、第４図（Ｃ） 、 （Ｄ）は偏
向板（３０） 、 （３０’ ） 、液晶（３）、配向
処理層（２５”） 、 （２５） 、カラーフィルタ（
２６） 、 （２６’ ） 。
におけるそれぞれＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ”、Ｃ−Ｃ”での縦
断面図を記す。加えて、第４図（Ｃ） 、 （Ｄ）は偏
向板（３０） 、 （３０’ ） 、液晶（３）、配向
処理層（２５”） 、 （２５） 、カラーフィルタ（
２６） 、 （２６’ ） 。
（２６”）対抗電極（２４）、 （２４’）、 （２４
” ）および対抗基板（２０°）をも示している。他の
（Ａ） 、 （Ｂ）は非線型素子（２）を有する側のみ
を簡単のため示した。
” ）および対抗基板（２０°）をも示している。他の
（Ａ） 、 （Ｂ）は非線型素子（２）を有する側のみ
を簡単のため示した。
第４図（Ａ）における対抗電極側はその一部のみリード
（６） 、 （６°Ｌ（６”）の上方に示し、図面の複
雑化を避けた。
（６） 、 （６°Ｌ（６”）の上方に示し、図面の複
雑化を避けた。
本発明は第４図（Ａ）に示す１つの画素（２３）の内部
に複数のＦＬＣのセルを有せしめ、それらは（１−１）
。
に複数のＦＬＣのセルを有せしめ、それらは（１−１）
。
（１−２） 、 （１−３） ・・・（２−３）で示
される１画素に６ケのセルを有する。そしてその一方ま
たは双方が「１」または「０」となるように構成せしめ
てグレースケールを実質的に表示させるものである。
される１画素に６ケのセルを有する。そしてその一方ま
たは双方が「１」または「０」となるように構成せしめ
てグレースケールを実質的に表示させるものである。
この画素に連結する素子（２）の製造方法は実施例１と
同様である。即ち、２つのマスク■、■により矩形の第
１の電極（２１）、第３の電極（２３）およびその間に
第１の電極と同一形状の半導体、第２の電極（２２）、
リード（４）を構成する。また第３の電極（２３）
、 （２３”）を構成する透光性導電膜の形状は４２
０ μ×２００ μとした。
同様である。即ち、２つのマスク■、■により矩形の第
１の電極（２１）、第３の電極（２３）およびその間に
第１の電極と同一形状の半導体、第２の電極（２２）、
リード（４）を構成する。また第３の電極（２３）
、 （２３”）を構成する透光性導電膜の形状は４２
０ μ×２００ μとした。
図面においてＦＬＣ（３）は一対の基板（２０）および
対抗基板（２０’） 、一対の電極（２３） 、 （２
３’ ）及び対抗電極（２４Ｌ（２４’）、 （２４”
）、非対称配向層（２５）及び（２５”）の間に充填さ
れている。
対抗基板（２０’） 、一対の電極（２３） 、 （２
３’ ）及び対抗電極（２４Ｌ（２４’）、 （２４”
）、非対称配向層（２５）及び（２５”）の間に充填さ
れている。
さらに第１図に示す周辺回路（８） 、 （９）をプリ
ント基板に配設し、このプリント基板のリードと表示素
子の各リードとを対応させて連結した。
ント基板に配設し、このプリント基板のリードと表示素
子の各リードとを対応させて連結した。
「効果」
本発明は以上に示す如く、透過型液晶表示装置において
、液晶としてＦＬＣを用いたものである。
、液晶としてＦＬＣを用いたものである。
そして１画素のそれぞれの電極を複数に分割せしめてマ
ルチャル方弐ともしたものである。そして本発明は実施
例１〜２に示した如く、フルカラー化方式であり、グレ
ースケールの表示をさせた際、隣の画素でのクロストー
クを防ぐためアクティブ素子方式であることが有効であ
る。
ルチャル方弐ともしたものである。そして本発明は実施
例１〜２に示した如く、フルカラー化方式であり、グレ
ースケールの表示をさせた際、隣の画素でのクロストー
クを防ぐためアクティブ素子方式であることが有効であ
る。
本発明の実施例は２×２のマトリックスを示した。しか
し実験は１００ Ｘ１００のマトリックスを作成して試
みたものである。そして文字等の表示を十分に行うこと
が確認できた。周波数特性を考慮するならば、８ビツト
パラレル処理を施し、、１９２０（６４０ｘ３） ｘ８
００（２００ｘ ２ ）のフルカラーの表示装置を作成
することも可能であると推定される。
し実験は１００ Ｘ１００のマトリックスを作成して試
みたものである。そして文字等の表示を十分に行うこと
が確認できた。周波数特性を考慮するならば、８ビツト
パラレル処理を施し、、１９２０（６４０ｘ３） ｘ８
００（２００ｘ ２ ）のフルカラーの表示装置を作成
することも可能であると推定される。
本発明の実施例において非線型素子をクコストークを防
止するために設けた。しかしこの素子のかわりにＭＩＳ
−ＦＥＴを用いることも有効である。またかかる素子を
まったく用いず、単純マトリックスとすることにより１
画素を複数のセルに分割して設けることも可能である。
止するために設けた。しかしこの素子のかわりにＭＩＳ
−ＦＥＴを用いることも有効である。またかかる素子を
まったく用いず、単純マトリックスとすることにより１
画素を複数のセルに分割して設けることも可能である。
また、表示装置ではなく、光デイスクメモリ装置、スピ
ーカー等の音響機器、プリンタさらに複写機等への応用
を試みてもよい。
ーカー等の音響機器、プリンタさらに複写機等への応用
を試みてもよい。
第１図は本発明の液晶表示パネルの回路図を示す。
第２図は本発明の空間電荷制限電流型複合ダイオードの
製造工程を示す一方の縦断面図である。 第３図は本発明の空間電荷制限電流型複合ダイオードの
非線形素子および強誘電性液晶の動作特性を示す。 第４図は本発明の表示パネルの平面図および縦断面図を
示す。 ＣＣ） 葛３０ ＣＢ） しＪ□４１ ′ｌコ「ノ −Ｊ
製造工程を示す一方の縦断面図である。 第３図は本発明の空間電荷制限電流型複合ダイオードの
非線形素子および強誘電性液晶の動作特性を示す。 第４図は本発明の表示パネルの平面図および縦断面図を
示す。 ＣＣ） 葛３０ ＣＢ） しＪ□４１ ′ｌコ「ノ −Ｊ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電極を互いに有する一対の基板を電極を有する面を
内側にして対向させて設け、前記基板間に強誘電性液晶
を有して画素を構成せしめ、各画素は複数の電極群を有
し、少なくとも一方の電極を２分割以上に分割して設け
ることにより画素内で局部的に透過の領域と非透過の領
域とを前記画素を構成する領域内で有することを特徴と
する液晶装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、一対の対抗する電
極を構成する領域はマトリックス状に配列された画素を
構成し、該画素に実質的に階調を行わしめることを特徴
とする液晶装置。 ３、特許請求の範囲第１項において、前記強誘電性液晶
としては、スメクチックＣ相を呈する液晶または該液晶
に染料等の添加物を添加したことを特徴とする液晶装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60211384A JPS6270815A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 液晶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60211384A JPS6270815A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 液晶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6270815A true JPS6270815A (ja) | 1987-04-01 |
Family
ID=16605068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60211384A Pending JPS6270815A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 液晶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6270815A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0316822A2 (en) * | 1987-11-13 | 1989-05-24 | Honeywell Inc. | Apparatus and method for providing a gray scale in liquid crystal flat panel displays |
| EP0316708A2 (en) * | 1987-11-13 | 1989-05-24 | Honeywell Inc. | Apparatus for providing a gray scale capability in a liquid crystal display unit |
| EP0418846A2 (en) * | 1989-09-20 | 1991-03-27 | Honeywell Inc. | Method for fabricating a liquid crystal display and display made by said method |
| US5157524A (en) * | 1988-09-30 | 1992-10-20 | Commissariat A L'energie Atomique | Apparatus and method for displaying levels of greys on a matrix type display screen |
| JPH04338927A (ja) * | 1991-01-17 | 1992-11-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | カラーテレビ受像機 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5546783A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-02 | Seikosha Kk | Electroooptical display unit |
| JPS5719783A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-02 | Tokyo Shibaura Electric Co | Image display unit |
| JPS5788193A (en) * | 1980-11-21 | 1982-06-01 | Pliva Pharm & Chem Works | 11-aza-10-deoxo-10-dihydroerythromycin a, derivatives and manufacture |
-
1985
- 1985-09-24 JP JP60211384A patent/JPS6270815A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5546783A (en) * | 1978-09-29 | 1980-04-02 | Seikosha Kk | Electroooptical display unit |
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| EP0316708A2 (en) * | 1987-11-13 | 1989-05-24 | Honeywell Inc. | Apparatus for providing a gray scale capability in a liquid crystal display unit |
| US5157524A (en) * | 1988-09-30 | 1992-10-20 | Commissariat A L'energie Atomique | Apparatus and method for displaying levels of greys on a matrix type display screen |
| EP0418846A2 (en) * | 1989-09-20 | 1991-03-27 | Honeywell Inc. | Method for fabricating a liquid crystal display and display made by said method |
| JPH04338927A (ja) * | 1991-01-17 | 1992-11-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | カラーテレビ受像機 |
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