JPS61273523A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPS61273523A JPS61273523A JP60117350A JP11735085A JPS61273523A JP S61273523 A JPS61273523 A JP S61273523A JP 60117350 A JP60117350 A JP 60117350A JP 11735085 A JP11735085 A JP 11735085A JP S61273523 A JPS61273523 A JP S61273523A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野」
この発明は、強誘電性液晶（以下ＦＬＣという）を用い
た表示パネルを設けることにより、マイクロコンピュー
タ、ワードプロセッサまたはテレビ等の表示部の薄膜化
を図る液晶表示装置に関するものである。
た表示パネルを設けることにより、マイクロコンピュー
タ、ワードプロセッサまたはテレビ等の表示部の薄膜化
を図る液晶表示装置に関するものである。
「従来の技術」
固体表示パネルは各絵素を独立に制御する方式が大面積
用として有効である。このようなパネルとして、従来は
、二周波液晶例えばツウイスティック・ネマチック液晶
（以下ＴＮ液晶という）を用い、横力向４００素子また
縦方向２００素子とするＡ４判サイズの単純マトリック
ス構成にマルチプレキシング駆動方式を用いた表示装置
が知られている。
用として有効である。このようなパネルとして、従来は
、二周波液晶例えばツウイスティック・ネマチック液晶
（以下ＴＮ液晶という）を用い、横力向４００素子また
縦方向２００素子とするＡ４判サイズの単純マトリック
ス構成にマルチプレキシング駆動方式を用いた表示装置
が知られている。
しかし、これ以上の画素数を有する大面積の表示装置を
作るのに、ＴＮ液晶を用いることは周波数特性の限界に
より不可能であることが判明した。
作るのに、ＴＮ液晶を用いることは周波数特性の限界に
より不可能であることが判明した。
加えて、それぞれの画素を所定の距離離間し、マトリッ
クス状に配設せしめても、隣の画素との間でクロストー
ク（電気的に弱く導通してしまう現象）をしてしまいや
すい。そのため一方がＯＮ、他方がＯＦＦ機能を作って
も、画素のそれぞれが十分なＯＮまたはＯＦＦをとり得
す、コントラストに不十分さが発生してしまった。
クス状に配設せしめても、隣の画素との間でクロストー
ク（電気的に弱く導通してしまう現象）をしてしまいや
すい。そのため一方がＯＮ、他方がＯＦＦ機能を作って
も、画素のそれぞれが十分なＯＮまたはＯＦＦをとり得
す、コントラストに不十分さが発生してしまった。
かかる欠点を除去するため、各画素にアクティブ素子を
連結する方式が知られている。その代表的例は素子とし
てＴＰＴ （薄膜型絶縁ゲイト電界効果半導体装置）を
用いるものである。
連結する方式が知られている。その代表的例は素子とし
てＴＰＴ （薄膜型絶縁ゲイト電界効果半導体装置）を
用いるものである。
また、非線型素子を用いる方法が知られている。
さらにパッシブ型構成（単純マトリックス方式）におい
て、液晶として従来より公知のＴＮ型液晶を用いるので
はなく、ＦＬＣを用いることが試みられているが、クロ
ス・トークを有し、最善とはいえない。
て、液晶として従来より公知のＴＮ型液晶を用いるので
はなく、ＦＬＣを用いることが試みられているが、クロ
ス・トークを有し、最善とはいえない。
このＦＬＣはメモリ機能を有する双安定型の液晶であり
、特に周波数特性に優れている。
、特に周波数特性に優れている。
「発明が解決しようとする問題点」
以上の如く、これらを組合わせた方式、即ち、パッシブ
方式（以下Ｐという）またはＴＰＴを用いる方式、さら
に液晶にＴＮを用いる方式またはＦＬＣを用いる方式を
検討すると、以下の表１の如くになる。
方式（以下Ｐという）またはＴＰＴを用いる方式、さら
に液晶にＴＮを用いる方式またはＦＬＣを用いる方式を
検討すると、以下の表１の如くになる。
表１
但し、◎は非常に良、○は良、△はやや不可、×は不可
を示す。
を示す。
以上の４つの方式を考える時、どの方式においてもＸ印
が必ず存在し、これらのいずれにおいても最終的な答え
がないことが判明した。
が必ず存在し、これらのいずれにおいても最終的な答え
がないことが判明した。
その結果、これらの４つの方式以外の方式が求められる
。
。
本発明はかかる問題点を解くものである。
「問題を解決するための手段」
かかる問題を解決するため、本発明はアクティブ素子と
して双方向性の非線型素子（以下ＮＢという）とＦＬＣ
とを結合せしめた。以下に、非線型素子としての理想構
造および特に知られているＭＩＭ（導体−絶縁膜−導体
）構造および５ＣＬＡＤ （空間電荷制限電流を用いた
複合型ダイオード）構造と比較した。
して双方向性の非線型素子（以下ＮＢという）とＦＬＣ
とを結合せしめた。以下に、非線型素子としての理想構
造および特に知られているＭＩＭ（導体−絶縁膜−導体
）構造および５ＣＬＡＤ （空間電荷制限電流を用いた
複合型ダイオード）構造と比較した。
表２にその概要を示す。
ＭＩＭ ５ＣＬＡＤ
理想要素 ＋ＦＬＣ＋ＦＬＣ
メモリ機能 ○ ＯＯ
クロス・トーク防 ◎ ◎ ◎簡単プロセ
ス ○ Ｏ○ 高速周波数応答 ○ Δ ○以上におい
て明らかなごとく、本発明は非線型素子とＦＬＣとを用
いるため、双方が相乗的に動作しあいクロス・トークが
なく、プロセスはそれほど複雑にならず、ＦＬＣを用い
るため視野角も向上でき、理想型にきわめて近い構成で
あることがわかった。
ス ○ Ｏ○ 高速周波数応答 ○ Δ ○以上におい
て明らかなごとく、本発明は非線型素子とＦＬＣとを用
いるため、双方が相乗的に動作しあいクロス・トークが
なく、プロセスはそれほど複雑にならず、ＦＬＣを用い
るため視野角も向上でき、理想型にきわめて近い構成で
あることがわかった。
また本発明でも残された問題点の使用温度範囲は、現在
複数の異なったＦＬＣを組合わせて０〜５０℃において
使用が可能となっている。このため実用上はそれぞれ問
題とならず、また解調に関してはカラーも８色までとす
るならば解調が不要であり、マイクロコンピュータ等の
ディスプレイとしては十分実用が可能であることが判明
した。
複数の異なったＦＬＣを組合わせて０〜５０℃において
使用が可能となっている。このため実用上はそれぞれ問
題とならず、また解調に関してはカラーも８色までとす
るならば解調が不要であり、マイクロコンピュータ等の
ディスプレイとしては十分実用が可能であることが判明
した。
このため、特に本発明に述べる如く、非線型素子と強誘
電性液晶とを直列に連結して設ける画素によって初めて
大型大面積液晶ディスプレイの製造が可能であることが
判明した。
電性液晶とを直列に連結して設ける画素によって初めて
大型大面積液晶ディスプレイの製造が可能であることが
判明した。
特に本発明においては、非線型素子として５ＣＬＡＤ用
いたもので、この非線型素子と画素との構成をより一体
化したものである。
いたもので、この非線型素子と画素との構成をより一体
化したものである。
即ち、この発明に用いられる非線型素子はＮ型半導体−
Ｉ型半導体−Ｎ型半導体構造またはＰ型半導体−■型半
導体−Ｐ型半導体構造を主としている。
Ｉ型半導体−Ｎ型半導体構造またはＰ型半導体−■型半
導体−Ｐ型半導体構造を主としている。
さらに本発明は、かかる５ＣＬＡＤとマトリックスを構
成する画素とをセルファライン方式とし得るため、２枚
のみのマスク数でプロセスさせることができる。この本
発明の構造の代表例を第４図にまたその製造工程を第２
図に示しである。
成する画素とをセルファライン方式とし得るため、２枚
のみのマスク数でプロセスさせることができる。この本
発明の構造の代表例を第４図にまたその製造工程を第２
図に示しである。
さらに、本発明において、液晶としてＰＬＯを用いてい
るため、相対抗する電極間を３μ以下代表的には１．５
±０．５μにできる。
るため、相対抗する電極間を３μ以下代表的には１．５
±０．５μにできる。
「作用」
かくして、非線型素子（ＮＥ）と強誘電性液晶（ＦＬＣ
）とを直列にして各画素を構成せしめることにより、Ａ
４版またはそれ以上の大面積のマトリックス化にそれぞ
れの画素間のクロストークを除去し、初めて成就せしめ
ることが可能となつた。
）とを直列にして各画素を構成せしめることにより、Ａ
４版またはそれ以上の大面積のマトリックス化にそれぞ
れの画素間のクロストークを除去し、初めて成就せしめ
ることが可能となつた。
強誘電性液晶の他方のＸ配線に対応して赤（Ｒという）
、緑（Ｇという）、青（Ｂという）のフィルタを通すこ
とにより、カラー表示も可能となるという特徴を有する
。
、緑（Ｇという）、青（Ｂという）のフィルタを通すこ
とにより、カラー表示も可能となるという特徴を有する
。
以下に実施例に従って本発明を説明する。
「実施例１」
第１図は本発明の液晶表示装置を用いた回路図を示す。
図面において、画素は５ＣＬＡＤ （２）の電極（２１
） （第１の電極）（図面では数字を矩形で取り囲む記
号で示す）より強誘電性液晶（３）の一方の電極（２３
）（第３の電極）に連結している。 ５ＣＬＡＤはＹ配
線（４） 、 （５）に第２の電極（２２）により連結
している。
） （第１の電極）（図面では数字を矩形で取り囲む記
号で示す）より強誘電性液晶（３）の一方の電極（２３
）（第３の電極）に連結している。 ５ＣＬＡＤはＹ配
線（４） 、 （５）に第２の電極（２２）により連結
している。
他方、ＦＬＣ（３）の第４の電極（２４） （対抗電極
）はＸ配線（６） 、 （７）に連結している。Ｘ配線
はＦＬＣ（３）の第３の電極（２３）に対応して他の透
光性絶縁基板代表的にはガラス基板（第４図（Ｃ）にお
ける（２０°））側に密接して設けている（第１図、第
４図（Ｃ）における（６）または（２４） ）。
）はＸ配線（６） 、 （７）に連結している。Ｘ配線
はＦＬＣ（３）の第３の電極（２３）に対応して他の透
光性絶縁基板代表的にはガラス基板（第４図（Ｃ）にお
ける（２０°））側に密接して設けている（第１図、第
４図（Ｃ）における（６）または（２４） ）。
か（の如き複合ダイオードを用いた画素の一部である非
線形素子の製造工程およびその特性の例を第２図、第３
図に示す。
線形素子の製造工程およびその特性の例を第２図、第３
図に示す。
この第２図の製造工程は、第４図（Ａ）は第１図破線で
囲んだ領域（１）を示すが、この第４図（Ａ）における
（４０）の領域を特に拡大して製造する場合に対応して
いる。
囲んだ領域（１）を示すが、この第４図（Ａ）における
（４０）の領域を特に拡大して製造する場合に対応して
いる。
第２図（Ａ） 、 （Ｂ） 、 （Ｃ） 、 （Ｄ）は
第４図（Ｄ）に対応している。
第４図（Ｄ）に対応している。
第２図（Ａ）において、透光性絶縁基板としてコーニン
グ７０５９ガ゛ラス（２０）を用いた。この上面にスパ
ッタ法または電子ビーム蒸着法により、導電膜（２２）
であるモリブデンを０．１〜０．５μの厚さに形成１し
た。
グ７０５９ガ゛ラス（２０）を用いた。この上面にスパ
ッタ法または電子ビーム蒸着法により、導電膜（２２）
であるモリブデンを０．１〜０．５μの厚さに形成１し
た。
この後、これらの全面に光ＣＶＤ法またはプラズマＣＶ
Ｄ法を用いて非単結晶半導体膜を形成した。
Ｄ法を用いて非単結晶半導体膜を形成した。
その厚さはＮ型半導体（１３） （０，１μ）−１型半
導体（１４） （０，３μ）−Ｎ型半導体（１５） （
５００人）のＮＩＮ接合を有する５ＣＬＡＤとした。
導体（１４） （０，３μ）−Ｎ型半導体（１５） （
５００人）のＮＩＮ接合を有する５ＣＬＡＤとした。
この後、この上面に、クロム（２１）を電子ビーム蒸着
法またはスパッタ法により０．１〜０．２μの厚さに積
層した。
法またはスパッタ法により０．１〜０．２μの厚さに積
層した。
さらに第２図ＣＢ）に示す如く、第１のフォトマスク■
により周辺部を垂直になるように異方性プラズマエッチ
を行い、積層体（５０）を設けた。
により周辺部を垂直になるように異方性プラズマエッチ
を行い、積層体（５０）を設けた。
次にこれらの全面に感光性ポリイミド樹脂（２７）をコ
ーティング法にて約１μの厚さに形成させた。
ーティング法にて約１μの厚さに形成させた。
かくして、積層体（５０）の電極（２１）上面とポリイ
ミド樹脂（２７）の上面（３９）とは積層体の凸部を除
きキュア後で絶縁物表面と積層体表面とがなめらかに連
続した構造となるようにさせた。即ち、ガラス基板（２
０）側の裏面側より紫外光を公知のマスクアライナによ
りマスクを用いることなくガラス面側から露光させた。
ミド樹脂（２７）の上面（３９）とは積層体の凸部を除
きキュア後で絶縁物表面と積層体表面とがなめらかに連
続した構造となるようにさせた。即ち、ガラス基板（２
０）側の裏面側より紫外光を公知のマスクアライナによ
りマスクを用いることなくガラス面側から露光させた。
例えばコビルト社のアライナでは約２分間露光した。そ
の強度が３００〜４００ｎｍの波長の紫外光（１０ｍＷ
／ｃｏ＋りにおいては１５〜３０秒で十分である。
の強度が３００〜４００ｎｍの波長の紫外光（１０ｍＷ
／ｃｏ＋りにおいては１５〜３０秒で十分である。
すると、側面（２６）を有する積層体（厚さ約１μ）（
５０）に対し蔭となるその上方の凸領域は感光せず、そ
の側周辺のみが感光する。さらに現像を行った後、リン
ス液により非感光性の凸部を溶去した。
５０）に対し蔭となるその上方の凸領域は感光せず、そ
の側周辺のみが感光する。さらに現像を行った後、リン
ス液により非感光性の凸部を溶去した。
次にこれらすべてを１８０℃３０分＋３００℃３０分＋
４００℃３０分の加熱を窒素中で行いキエアさせた。か
くして積層体の上面である非線型素子の第２の電極をフ
ォトマスクを用いることなく露呈せしめるに加えて、こ
の上面と周辺部のポリイミド樹脂の絶縁物の表面とをな
めらかに連続させ、第２図（Ｃ）を得ることが可能とな
った。
４００℃３０分の加熱を窒素中で行いキエアさせた。か
くして積層体の上面である非線型素子の第２の電極をフ
ォトマスクを用いることなく露呈せしめるに加えて、こ
の上面と周辺部のポリイミド樹脂の絶縁物の表面とをな
めらかに連続させ、第２図（Ｃ）を得ることが可能とな
った。
次にこの第２図（Ｃ）の上面全面にＦＬＣの電極（第３
の電極）用にＩ↑０を０．１〜０．３μの厚さにスパッ
タ法または電子ビーム蒸着法により形成させた。さらに
この電極を所定の形状、例えば１２０μ×４２０μの１
画素の電極に第２のフォトマスク（■）により選択エツ
チングを行った。さらにこの上面に非対称配向層の一方
の非ラビング層（ラビング処理を行わない層） （２５
）としてアルミナ、酸化珪素または弗化マグネシューム
等の無機材料を用い、５０〜３００人の厚さに電子ビー
ム蒸着法にて形成した。
の電極）用にＩ↑０を０．１〜０．３μの厚さにスパッ
タ法または電子ビーム蒸着法により形成させた。さらに
この電極を所定の形状、例えば１２０μ×４２０μの１
画素の電極に第２のフォトマスク（■）により選択エツ
チングを行った。さらにこの上面に非対称配向層の一方
の非ラビング層（ラビング処理を行わない層） （２５
）としてアルミナ、酸化珪素または弗化マグネシューム
等の無機材料を用い、５０〜３００人の厚さに電子ビー
ム蒸着法にて形成した。
かくしてＹ方向のリード（６）に連結した第２の電極（
２２）とその上の５ＣＬＡＤ （２）さらに上側の第１
の電極（２１）の積層体（５０）を存し、この第１の電
極に密接してＦＬＣの第３の電極（２３）を設は得る。
２２）とその上の５ＣＬＡＤ （２）さらに上側の第１
の電極（２１）の積層体（５０）を存し、この第１の電
極に密接してＦＬＣの第３の電極（２３）を設は得る。
そしてこのためには２枚のフォトマスク即ち１回のマス
ク合わせにより各画素に対応したアクティブ素子を設け
ることができた。この５ＣＬＡＤ構造の記号が第１図に
おいて（２）として記されている。
ク合わせにより各画素に対応したアクティブ素子を設け
ることができた。この５ＣＬＡＤ構造の記号が第１図に
おいて（２）として記されている。
結果として、第３図（Ａ）に示す如き非線型特性（電極
面積１２０μ×４２０μ）を第２図（縦軸は絶対値をロ
グスケールにて示している）に対応して有せしめること
ができた。
面積１２０μ×４２０μ）を第２図（縦軸は絶対値をロ
グスケールにて示している）に対応して有せしめること
ができた。
液晶表示素子としての画素を構成するため、第４図（Ｃ
） 、 （Ｄ）に示す如く、互いに対抗した基板の内側
にラビング配向処理を行っであるＸ方向のリードおよび
対抗電極（２４）を設けである。そしてこの一対の電極
（２３） 、対抗電極（２４）の内側に、非対称配向膜
（２５） 、 （２５’ ）を設け、これによりＦＬＣ
（厚さ２μ）を挟んである。対抗電極（２４）にはＰＡ
Ｎ （ポリアクリルニトリル）、ＰＶＡ（ポリビニール
アルコール）を０．１ μの厚さにスピン法により設け
、公知のラビング処理をした。ラビング処理の一例とし
てナイロンをラビング装置に９００ ＰＰ）ｉｆで回転
させ、その表面を２ｇ＋／分の速度で基板を移動させて
形成した。即ち一方の電極（２３）上には無機化合物の
膜を形成してラビング処理を行わない配向膜とし、他方
の電極（２４”）には有機化合物の膜を形成しラビング
処理を行った。配向膜としてさらにこの間にはＦＬＣ例
えばＳ８（オクチル・オキシ・ベンジリデン・アミノ・
メチル・ベンゾ・エイト）を充填した。これ以外でもＢ
ＯＢＡＭＢＣ等のＦＬＣまたは複数のＰＬＣをブレンド
を施したＦＬＣを充填し得る。この画素のしきい値特性
例を第３図（Ｂ）に示す。図面でも±５ｖ加えることに
より曲線（２９） 、 （２９’ ）を得、透過、非透
過をさせ得、十分反転させるとともにメモリ効果を示す
ヒステリシスを得ることが判明した。第３図（Ｂ）にお
いて縦軸は透過率である。
） 、 （Ｄ）に示す如く、互いに対抗した基板の内側
にラビング配向処理を行っであるＸ方向のリードおよび
対抗電極（２４）を設けである。そしてこの一対の電極
（２３） 、対抗電極（２４）の内側に、非対称配向膜
（２５） 、 （２５’ ）を設け、これによりＦＬＣ
（厚さ２μ）を挟んである。対抗電極（２４）にはＰＡ
Ｎ （ポリアクリルニトリル）、ＰＶＡ（ポリビニール
アルコール）を０．１ μの厚さにスピン法により設け
、公知のラビング処理をした。ラビング処理の一例とし
てナイロンをラビング装置に９００ ＰＰ）ｉｆで回転
させ、その表面を２ｇ＋／分の速度で基板を移動させて
形成した。即ち一方の電極（２３）上には無機化合物の
膜を形成してラビング処理を行わない配向膜とし、他方
の電極（２４”）には有機化合物の膜を形成しラビング
処理を行った。配向膜としてさらにこの間にはＦＬＣ例
えばＳ８（オクチル・オキシ・ベンジリデン・アミノ・
メチル・ベンゾ・エイト）を充填した。これ以外でもＢ
ＯＢＡＭＢＣ等のＦＬＣまたは複数のＰＬＣをブレンド
を施したＦＬＣを充填し得る。この画素のしきい値特性
例を第３図（Ｂ）に示す。図面でも±５ｖ加えることに
より曲線（２９） 、 （２９’ ）を得、透過、非透
過をさせ得、十分反転させるとともにメモリ効果を示す
ヒステリシスを得ることが判明した。第３図（Ｂ）にお
いて縦軸は透過率である。
「実施例２」
この実施例は実施例１の配向処理をさらに変更したもの
である。即ち、アクティブ素子に連結した電極は無機材
料を１００〜２００人の厚さに形成した。さらに対抗電
極にはＩＴＯまたは酸化スズの上面にアルミナ、酸化マ
グネシェームまたは酸化珪素を約１００人の厚さに電子
ビーム蒸着法にて形成し、さらにの上にＰＡＮまたはＰ
ＶＡを約０．１ μの厚さにスピン法にて積層した。そ
してこの有機材料に対しラビング処理を行い、非対称配
向処理を行った。すると第２図の特性であるＦＬＣ特有
のヒステリシスの巾をさらに広げる曲線（３０） 、
（３０’ ）を得ることができ、無印加の状態における
透過（３１） 。
である。即ち、アクティブ素子に連結した電極は無機材
料を１００〜２００人の厚さに形成した。さらに対抗電
極にはＩＴＯまたは酸化スズの上面にアルミナ、酸化マ
グネシェームまたは酸化珪素を約１００人の厚さに電子
ビーム蒸着法にて形成し、さらにの上にＰＡＮまたはＰ
ＶＡを約０．１ μの厚さにスピン法にて積層した。そ
してこの有機材料に対しラビング処理を行い、非対称配
向処理を行った。すると第２図の特性であるＦＬＣ特有
のヒステリシスの巾をさらに広げる曲線（３０） 、
（３０’ ）を得ることができ、無印加の状態における
透過（３１） 。
非透過（３２）の巾をひろげ、ひいてはコントラスト比
を上げることができた。
を上げることができた。
「実施例３」
第４図に本発明の構成を示すが、第１図における破線で
囲んだ領域（１）での平面図（Ａ）及び縦断面図（Ｂ）
、 （ｃ） 、 （ｏ）が示されている。
囲んだ領域（１）での平面図（Ａ）及び縦断面図（Ｂ）
、 （ｃ） 、 （ｏ）が示されている。
さらに、第４図（Ｂ） 、 （Ｃ） 、 （Ｄ）は（Ａ
）におけるそれぞれＡ−Ａ”、Ｂ−８’ 、Ｃ−Ｃ’で
の縦断面図を記す。加えて、第４図（Ｃ） 、 （Ｄ）
は液晶（３）配向処理層（２５’）。
）におけるそれぞれＡ−Ａ”、Ｂ−８’ 、Ｃ−Ｃ’で
の縦断面図を記す。加えて、第４図（Ｃ） 、 （Ｄ）
は液晶（３）配向処理層（２５’）。
（２５） 、対抗電極（２４）および基板（２０°）を
も示している。他の（Ａ） 、 （Ｂ）は非線型素子（
２）を有する側のみを簡単のため示した。
も示している。他の（Ａ） 、 （Ｂ）は非線型素子（
２）を有する側のみを簡単のため示した。
この素子の製造方法は実施例１と同様である。
即ち、２つのマスク■、■により矩形の第１の電極（２
１）および第３の電極（２３）およびその間に第１の電
極と同一形状の半導体および第２の電極（２２） 。
１）および第３の電極（２３）およびその間に第１の電
極と同一形状の半導体および第２の電極（２２） 。
リード（４）を構成する。また第３の電極を構成する透
光性導電膜の形状は４２０μ×４２０μとした。
光性導電膜の形状は４２０μ×４２０μとした。
第３の電極（２３）は矩形の第１、第３の電極の上方に
設けられているため、その位置は当初の位置を中央部に
せんとするとその上下に±２００μ（最大）ずれても非
線型素子の電極面積が不変であり、電気特性（電流値）
にまったく影響を与えずパターン化が可能である。即ち
６４０ Ｘ４００の素子における例えばガラス基板（３
０ｃｍＸ２０ｃｍ ）の上方端と下左端とがマスクのず
れをおこし、従来の１０倍ものズレ例えば一方が＋側に
２００μ他方が一例に２００μずれた悪い精度でもマス
ク合わせが可能となった。
設けられているため、その位置は当初の位置を中央部に
せんとするとその上下に±２００μ（最大）ずれても非
線型素子の電極面積が不変であり、電気特性（電流値）
にまったく影響を与えずパターン化が可能である。即ち
６４０ Ｘ４００の素子における例えばガラス基板（３
０ｃｍＸ２０ｃｍ ）の上方端と下左端とがマスクのず
れをおこし、従来の１０倍ものズレ例えば一方が＋側に
２００μ他方が一例に２００μずれた悪い精度でもマス
ク合わせが可能となった。
図面においてＦＬＣ（３）は一対の基板（２０） お
よび対抗基板（２０”）、および一対の電極（２３）お
よび対抗電極（２４）および非対称配向Ｊｉ（２５）、
（２５’）の間に充填されている。
よび対抗基板（２０”）、および一対の電極（２３）お
よび対抗電極（２４）および非対称配向Ｊｉ（２５）、
（２５’）の間に充填されている。
表示パネルとしては、この後透過型では裏面側に光源を
設け、この電源をｆ’Ｌｃのシャッタ機能により選択し
てディスプレイとさせた。
設け、この電源をｆ’Ｌｃのシャッタ機能により選択し
てディスプレイとさせた。
また反射型とするには、第３の電極（２３）を第１の電
極に密接してアルミニューム電極（厚さ０６３μ）とそ
の上にＩＴＯ（厚さ０．１ μ）とを設けた。するとこ
のアルミニュームの反射率が特に１００χであるため、
第４図（Ｄ）において左側よりの入射光を電極部分のみ
で反射させ得、ＦＬＣのオンまたはオフを行い反射光を
右側に放出させ得る。即ち、アクティブ素子（２）およ
びその側周辺の樹脂（２０）に無関係に反射光を入射光
に反射し得る。これは液晶材料がＦＬＣであるため、非
対称配向膜を電極上に設け、特に反射電極上にはラビン
グ処理をしていない配向層を設けた結果、初めて可能と
なったもので、従来のＴＮ型ＬＣでは入射光は反対側の
ガラス基板（第４図（Ｄ）で例えるならば（２０） ）
側をさらに偏向板、反射板を経て反射される光を再び入
射光側に放出しなければならない。そのため光源が長（
なり、光損失が大きくなってしまう。そのため反射型Ｌ
ＣとしてＦＬＣを用いるとコントラストの向上が可能と
なった。
極に密接してアルミニューム電極（厚さ０６３μ）とそ
の上にＩＴＯ（厚さ０．１ μ）とを設けた。するとこ
のアルミニュームの反射率が特に１００χであるため、
第４図（Ｄ）において左側よりの入射光を電極部分のみ
で反射させ得、ＦＬＣのオンまたはオフを行い反射光を
右側に放出させ得る。即ち、アクティブ素子（２）およ
びその側周辺の樹脂（２０）に無関係に反射光を入射光
に反射し得る。これは液晶材料がＦＬＣであるため、非
対称配向膜を電極上に設け、特に反射電極上にはラビン
グ処理をしていない配向層を設けた結果、初めて可能と
なったもので、従来のＴＮ型ＬＣでは入射光は反対側の
ガラス基板（第４図（Ｄ）で例えるならば（２０） ）
側をさらに偏向板、反射板を経て反射される光を再び入
射光側に放出しなければならない。そのため光源が長（
なり、光損失が大きくなってしまう。そのため反射型Ｌ
ＣとしてＦＬＣを用いるとコントラストの向上が可能と
なった。
さらに第１図に示す周辺回路（８） 、 （９）をプリ
ント基板に配設し、このプリント基板のリードと表示素
子の各リードとを対応させて連結した。
ント基板に配設し、このプリント基板のリードと表示素
子の各リードとを対応させて連結した。
かくして３枚のみのマスクでアクティブ素子型のパネル
をパターニングさせることが可能となった。
をパターニングさせることが可能となった。
「効果」
本発明は以上に示す如く、非線型素子とＦＬＣとを組合
わせたものである。そして非対称配向処理とすることに
より、アクティブ素子にラビング処理による損傷を与え
ることなく、大面積のディスプレイを作ることができた
。図示した如き２×２のマトリックス構成においても、
非線型素子と第１図に示す如き（１，１）をＯＮとした
時、（１，２）、（２゜２） 、 （２，１）を経て同
時に加えられる電圧に対し非線型素子のＯＶの電流値が
十分低いため、流れ出ない。
わせたものである。そして非対称配向処理とすることに
より、アクティブ素子にラビング処理による損傷を与え
ることなく、大面積のディスプレイを作ることができた
。図示した如き２×２のマトリックス構成においても、
非線型素子と第１図に示す如き（１，１）をＯＮとした
時、（１，２）、（２゜２） 、 （２，１）を経て同
時に加えられる電圧に対し非線型素子のＯＶの電流値が
十分低いため、流れ出ない。
その結果、（１，１）をＯＮとした時、同時に他の番地
をＯＦＦとしておくことが非線型素子により初めて可能
となり、クロストークを完全に防ぐことができた。また
製造プロセスも実施例に示した構造においてはきわめて
簡単であった。
をＯＦＦとしておくことが非線型素子により初めて可能
となり、クロストークを完全に防ぐことができた。また
製造プロセスも実施例に示した構造においてはきわめて
簡単であった。
開口率は図面のパターンの場合８６．７χを有し、素子
をまったく用いないパッシブ方式の９１．２χに比し４
．５χの減少にとどめることができた。これは開口率が
８０χ１以上あればわずられしさを感じないという仕様
に十分入り、満足すべきものである。
をまったく用いないパッシブ方式の９１．２χに比し４
．５χの減少にとどめることができた。これは開口率が
８０χ１以上あればわずられしさを感じないという仕様
に十分入り、満足すべきものである。
また視野角はＦＬＣを用いるため１つの遮光板のみでは
なく、特に強誘電性を用いるため、ＴＮに見られる狭い
視野角をまったく有さない。
なく、特に強誘電性を用いるため、ＴＮに見られる狭い
視野角をまったく有さない。
本発明の実施例は２×２のマトリックスを示した。しか
し実験は１００ Ｘ１００のマトリックスを作成して試
みたものである。そして文字等の表示を十分に行うこと
が確認できた０周波数特性を考慮するならば、８ビツト
パラレル処理を施し、１９２０（６４０Ｘ ３） Ｘ
４００のフルカラーの表示装置を作成することも可能で
あると推定される。
し実験は１００ Ｘ１００のマトリックスを作成して試
みたものである。そして文字等の表示を十分に行うこと
が確認できた０周波数特性を考慮するならば、８ビツト
パラレル処理を施し、１９２０（６４０Ｘ ３） Ｘ
４００のフルカラーの表示装置を作成することも可能で
あると推定される。
また、本発明は、非線型素子と強誘電性液晶よりなる画
素の作成に基板作製に必要なフォトマスク数は２枚でよ
く、加えて、非線型素子の電極面積（所定の電圧を加え
る時の電流値）は矩形電極の中央部より上下に最大±２
００μもずれてもまた左右には数ｍｍずれても変化する
ことがな（、一定の非線型特性を有し、マトリックス全
体へのアクティブ駆動の電気特性へのバラツキを防ぐこ
とができた。
素の作成に基板作製に必要なフォトマスク数は２枚でよ
く、加えて、非線型素子の電極面積（所定の電圧を加え
る時の電流値）は矩形電極の中央部より上下に最大±２
００μもずれてもまた左右には数ｍｍずれても変化する
ことがな（、一定の非線型特性を有し、マトリックス全
体へのアクティブ駆動の電気特性へのバラツキを防ぐこ
とができた。
本発明の実施例では５ＣＬＡＤ構造を主として示した。
しかしこの双方向性ダイオードをＭＩＭ（金属−絶縁膜
−金属）構造としてもよい。この場合、Ｍ（導体）は金
属のタンタル、クロムを示した。しかし他の金属のアル
ミニューム、チタン、銅を用いてもよい。また十分高い
濃度に不純物が添加された半導体即ちＰｏまたはＮ＋型
の非単結晶半導体を用いてもよい。
−金属）構造としてもよい。この場合、Ｍ（導体）は金
属のタンタル、クロムを示した。しかし他の金属のアル
ミニューム、チタン、銅を用いてもよい。また十分高い
濃度に不純物が添加された半導体即ちＰｏまたはＮ＋型
の非単結晶半導体を用いてもよい。
他方、本発明の他の非線型素子としてＰＩＮ構造の１つ
またはタンデム構造のダイオードをリング構成させたダ
イオードリングにして設けたり、またＰＩＮ構造をＢａ
ｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ接合にして設けることも可能であ
る。しかし前者はフォトマスク数を４枚も必要とする欠
点を有するが、周波数特性がＭＩＭ構造より優れ、６４
０ Ｘ４００の大面積も可能と推定できる。他方、後者
はプロセスは本発明のＭＩＭの積層体の代わりにＮＩＰ
−電極−ＰＩＮ構造とするのみであり、まったく同じプ
ロセスの使用が可能で、２枚のフォトマスクでプロセス
化ができる。しかし逆耐圧の電圧が大きすぎたり、大面
積でバラツキやすいという欠点を有する。
またはタンデム構造のダイオードをリング構成させたダ
イオードリングにして設けたり、またＰＩＮ構造をＢａ
ｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ接合にして設けることも可能であ
る。しかし前者はフォトマスク数を４枚も必要とする欠
点を有するが、周波数特性がＭＩＭ構造より優れ、６４
０ Ｘ４００の大面積も可能と推定できる。他方、後者
はプロセスは本発明のＭＩＭの積層体の代わりにＮＩＰ
−電極−ＰＩＮ構造とするのみであり、まったく同じプ
ロセスの使用が可能で、２枚のフォトマスクでプロセス
化ができる。しかし逆耐圧の電圧が大きすぎたり、大面
積でバラツキやすいという欠点を有する。
第１図は本発明の液晶表示パネルの回路図を示す。
第２図は本発明の空間電荷制限電流型複合ダイオードの
製造工程を示す一方の縦断面図である。 第３図は本発明の空間電荷制限電流型複合ダイオードの
非線形素子および強誘電性液晶の動作特性を示す。 第４図は本発明の表示パネルの平面図および縦断面図を
示す。
製造工程を示す一方の縦断面図である。 第３図は本発明の空間電荷制限電流型複合ダイオードの
非線形素子および強誘電性液晶の動作特性を示す。 第４図は本発明の表示パネルの平面図および縦断面図を
示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に複数のアクティブ素子を有する強誘電性液
晶を用いた画素を直列に連結してマトリックス状に配設
した固体表示装置において、前記画素で構成する一対の
電極の内側に非対称配向処理層膜を有し、前記アクティ
ブ素子側の電極上はラビング処理がなされない配向層が
設けられ、かつ対抗電極上にはラビング処理がなされた
配向層が設けられたことを特徴とする液晶表示装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、非対称配向処理層
はラビング処理がなされない配向層は無機材料よりなり
、ラビング処理がなされた配向層は有機材料よりなるこ
とを特徴とする液晶表示装置。 ３、特許請求の範囲第１項において、非線型素子として
ＮＩＮまたはＰＩＰ構造を有する複合ダイオードを設け
たことを特徴とした液晶表示装置。 ４、特許請求の範囲第１項において、非線型素子はＰＮ
又はＰＩＮ構造を有するダイオードをＢａｃｋ−Ｔｏ−
Ｂａｃｋまたはダイオードリング構成またはＭ（導体）
−Ｉ（絶縁物）−Ｍ（導体）構造を有して設けたことを
特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60117350A JPS61273523A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60117350A JPS61273523A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33904393A Division JPH0772778B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61273523A true JPS61273523A (ja) | 1986-12-03 |
| JPH052129B2 JPH052129B2 (ja) | 1993-01-11 |
Family
ID=14709514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60117350A Granted JPS61273523A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61273523A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0341420A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Seiko Epson Corp | Ｍｉｍ液晶電気光学装置およびその製造方法 |
| JPH0618935A (ja) * | 1992-07-03 | 1994-01-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| JPH06289359A (ja) * | 1992-03-04 | 1994-10-18 | Shunsuke Kobayashi | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH06289351A (ja) * | 1992-03-04 | 1994-10-18 | Shunsuke Kobayashi | 液晶表示装置の製造方法と液晶表示装置 |
| JPH06332004A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-12-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| JPH07175089A (ja) * | 1994-12-26 | 1995-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP60117350A patent/JPS61273523A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0341420A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Seiko Epson Corp | Ｍｉｍ液晶電気光学装置およびその製造方法 |
| JPH06289359A (ja) * | 1992-03-04 | 1994-10-18 | Shunsuke Kobayashi | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH06289351A (ja) * | 1992-03-04 | 1994-10-18 | Shunsuke Kobayashi | 液晶表示装置の製造方法と液晶表示装置 |
| JPH0618935A (ja) * | 1992-07-03 | 1994-01-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| JPH06332004A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-12-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| JPH07175089A (ja) * | 1994-12-26 | 1995-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH052129B2 (ja) | 1993-01-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |