JP2816549B2 - 電気光学装置 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01C—RESISTORS
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- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
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-
- G—PHYSICS
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- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、計測機の表示パネル，自動車のインストル
メントパネル，パーソナルコンピューター，画像表示装
置，テレビジョン，プリンター用液晶シャッターなどに
使用される多数の画素数を有する電気光学装置に関す
る。 〔発明の概要〕 本発明は、多数の行列電極を有するマトリクス構造電
気光学装置において、電気光学効果を有する材料の層の
駆動用電極の各画素ごとに電気光学効果を有する材料の
層と直列に、シリコンと炭素を主な成分とするアモルフ
ァス材料からなる非線型抵抗素子を形成することによ
り、低電圧による駆動でも大きなコントラストを得るこ
とができるようにし、装置の消費電力を少なくしたもの
である。 〔従来の技術〕 小型で軽量の電気光学装置として、エレクトロクロミ
ズムや液晶等のように、印加される電荷によりその光学
特性が変化する電気光学効果を有する材料を用いた電気
光学装置が実用化されている。近年この種の電気光学装
置の情報量増大化を計る目的で、TFT薄膜トランジスタ
ー，シリコン単結晶上に形成したMOSトランジスターな
どによる３端子アクティブマトリクス液晶表示装置や、
非線型抵抗素子を各液晶画素と直列に設けた２端子アク
ティブマトリクス液晶表示装置が脚光をあびている。 ２端子素子アクティブマトリクスは、３端子素子アク
ティブマトリクスと比較し、形成膜数が少なく、フォト
エッチング工程数が少なく、さらにパターニング精度が
粗い、などの特長があり、低コスト、大面積電気光学装
置への応用が可能である。 ２端子アクティブマトリクス電気光学装置は、次の方
式が公知である。 バリスター方式 金属−絶縁膜−金属（MIM）方式 ダイオード方式 高抵抗半導体方式 のバリスター方式は特開昭55−105285号公報、の
MIM方式は、特開昭55−161273号公報に示されている。
の高抵抗半導体方式は、Proc.of the 6th Internatio
nal Display Conference pp.72−74（1986）に示されて
いる。 第３図は、の方式による非線型抵抗を示す高抵抗半
導体薄膜を用いた、従来の２端子アクティブマトリクス
液晶電気光学装置のＸ−Ｙマトリクスパネル回路図であ
る。行液晶駆動電極３と列液晶駆動電極４は、基板及び
対向基板にそれぞれ通常100〜1000本形成される。Ｘ−
Ｙ交差部には液晶５と非線形抵抗素子13が形成される。
第２図は非線型抵抗膜として、化学量論的組成よりもシ
リコンの組成の多い窒化シリコン膜を用いた従来の液晶
電気光学装置の一画素の縦断面図である。又、第５図は
該液晶電気光学装置の一画素の平面図である。第６図は
従来から知られた一画素の等価回路図である。 この種の液晶電気光学装置の駆動は一般に電圧平均化
法と呼ばれる次のような方式によって行う。 第３図の多数の行電極３を一本ずつ上から順次に選択
し、その選択期間内に列電極４によってデータを書き込
む。この時充分なコントラストで表示が行えるために
は、選択点での液晶に印加される実効電圧が、液晶の飽
和電圧によりも大きい事、非選択点での液晶に印加され
る実効電圧が液晶のしきい値電圧よりも小さいことが必
要である。非線型抵抗素子13に、充分な非線型性を有す
る膜を用いると、選択点では、書き込み時には非線型抵
抗素子13の抵抗が低くなり、液晶５に電圧がかかりやす
くなり、保持期間では非線型抵抗素子13の抵抗が高くな
り、液晶５にかかった電圧が保持されやすくなる。又、
非選択点では、書き込み時に非線型抵抗素子13の抵抗
は、選択点ほど低くはならず、液晶５にはあまり電圧が
かからず、その小さな電圧が保持されることになり、分
割数の比較的大きな液晶電気光学装置でも、高いコント
ラストを持ったパネルを提供できる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 この種の液晶電気光学装置で、高いコントラストを保
持したままで、大面積で高解像度の従って、多数の画素
を有する装置を得るためには、非線型抵抗素子13の非線
型性が充分に大きくなくてはならない。併し、従来のよ
うに非線型抵抗膜として、化学量論的組成よりもシリコ
ンの組成の多い窒化シリコン膜を用いた場合（第２図及
び第４図曲線ｂ）、その非線型性が不充分で、大面積の
装置において、コントラストが低下するという問題点が
あった。又、装置の大面積化に伴い非線型抵抗膜12の膜
厚の面内分布の不均一性が増大し、非線型抵抗膜12の非
線型性が小さいために、膜厚分布が、表示斑となって現
れるという問題点があった。さらに、非線型抵抗素子13
の非線型性が充分に高くないと、選択点での液晶に印加
される実効電圧を液晶の飽和電圧よりも大きくするため
には、第６図Ａ−Ｃ間に印加する電圧を大きくする必要
があり、このために装置の消費電力を大きくするという
問題点があった。 そこで、この発明は非線型抵抗膜として、その非線型
性の高い薄膜を提供し、大型の電気光学装置のコントラ
ストを高め、表示斑を減じ、駆動に要する消費電力を減
らすことを目的としている。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、上記問題点を解決するために、非線型抵抗
膜としてシリコンと炭素を主な成分とするアモルファス
材料を用いたものである。その結果、高い非線型性を示
す非線型抵抗素子を得、これを電気光学装置の駆動に用
いたものである。 〔実施例〕 第４図の曲線ａは、本発明によるシリコンと炭素を主
な成分とするアモルファス材料を用いた非線型抵抗素子
のＥ1/2−log（I/E）プロットである（Ｅは電界、Ｉは
電流を示す）。このプロットで直線で表される電流−電
圧特性はFrenkel−Poole電流と呼ばれ、（１）式で表さ
れる。： Ｉ＝CBe×ｐ｛−ｑ（φ−bE1/2）/kT｝ …（１） （１）式中、C,φ,bは各々の物質に固有な値であり、
ｋは、ボルツマン定数,qは素電荷,Tは絶対温度である。 シリコンと炭素を主成分とするアモルファス材料は、
本実施例の場合、エチレンガスとモノシランガスの混合
ガスによるプラズマCVD法によって約1500Å形成した。
この方法で作製したシリコンと炭素を主成分とするアモ
ルファス材料は、1022〔cm-3〕程度の水素を含む。第４
図で示したように、シリコンと炭素を主成分とするアモ
ルファス材料は、シリコンと窒素を主成分とするアモル
ファス材料よりも傾きが大きい。すなわちより高い非線
型性が得られている。第７図は上述の方法で作製した、
シリコンと炭素を主成分とするアモルファス材料の原料
ガス比と、１〔MV/cm〕での比抵抗値との相関を示す。
この時、第７図に示すように、オージェ電子分光法から
求めた、上記アモルファス薄膜中のシリコンと炭素の組
成は、原料ガス中のエチレンガスの比率が大きくなるほ
ど、より炭素の組成が多くなっている。このように、上
述の方法で作製したシリコンと炭素を主成分とするアモ
ルファス材料の組成は、原料ガス組成により制御され、
これによって膜の抵抗を制御することができる。尚、上
記アモルファス材料の電流−電圧特性は、原料ガス組成
比以外の作製時のパワー，圧力，基板温度，原料ガス全
流量率等の条件を変えることによっても制御される。 さらに、上記アモルファス材料の電流−電圧特性は、
原料ガス中に、例えばホスフィンやジボラン等のガスを
数ppmから数パーセント混入せしめることにより、それ
ぞれリン及びボロンをドープすることにより制御するこ
とが可能である。 尚、本発明の実施例において、シリコンと炭素を主成
分とするアモルファス材料の製造方法は、主な原料ガス
として、モノシランとエチレンを使用したが、モノシラ
ンの代わりにジシラン等の高次シラン，エチレンの代わ
りに、他のエチレン系炭化水素やメタン系炭化水素，ア
セチレン系炭化水素等も使用できる。又、上記アモルフ
ァス材料の作製時に、アルゴン等の希ガスや水素ガスに
より原料ガスを希釈することにより、上記アモルファス
材料の電流−電圧特性を制御することもできる。さら
に、上記アモルファス材料の製造方法は、プラズマCVD
法による作製例について説明したが、これを減圧および
常圧CVD法や、スパッタ法などによって作製することが
できる。 この種の非線型抵抗材料を液晶電気光学装置に適用す
るには、非線型抵抗素子の抵抗R1を次のように設定すれ
ばよい。すなわち、表示点燈時に印加される電圧VONで
のRIは107〜108〔Ω〕、非点燈時に印加される最大電圧
VOFFの時R1は108〔Ω〕以上であり、さらに、非選択期
間に印加される電圧VONの時、液晶抵抗RLCと同等の抵抗
値とすればよい。導体−アモルファス材料−導体の重な
り面積を120〔μm2〕とし、アモルファス材料の厚さを1
00Åと駆動電圧を30〔ｖ〕以下とした場合、炭素とシリ
コンの組成比C/（Si＋Ｃ）が0.05〜0.6のアモルファス
材料により、駆動が可能であった。 第４図の曲線ａにその特性が示された本発明による非
線型抵抗薄膜を用いた非線型抵抗素子を、大型液晶電気
光学装置に用いたところ、曲線ｂに示された従来の窒化
シリコン膜を用いた場合に比べて、コントラストが向上
し、駆動電圧が従来の20〔ｖ〕から14〔ｖ〕に低下させ
ることができ、従って消費電力が減少した。また、同時
に表示斑も全くなくなり、均一な表示画面が得られた。
このアモルファス材料のシリコンと炭素の組成比は、C/
（Si＋Ｃ）＝0.4であった。 このような、炭化シリコン膜の使用による従来の窒化
シリコン膜の使用と比較した非線型特性の向上は、シリ
コンと炭素の組成比C/（Si＋Ｃ）が0.05〜0.5のアモル
ファス材料により実現できた。 尚、本発明による非線型抵抗素子は、一定の膜厚を有
する高抵抗材料の高電界領域において支配的となるFren
kel−Poole電流を利用しているため、適度な動作電圧範
囲内では、膜厚が薄過ぎるとトンネル電流が支配的とな
り、厚過ぎるとオーミック電流が支配的となり、いずれ
も素子の非線型性を低下させることになる。 本発明者は、上記非線型抵抗薄膜が通常の動作電圧範
囲内で、膜厚が500Åから3000Åの範囲でFrenkel−Pool
e電流が支配的となることを確認した。 本実施例は、液晶電気光学装置への応用について述べ
たが、他のエレクトロクロミズム等の電気光学効果を有
する材料を用いた電気光学装置にも応用でき、高い非線
型性を有するアモルファス炭化シリコンを用いることに
より、コントラストの向上と、低消費電力化に役立つこ
とは明らかである。 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明による非線型抵抗材料を用
いた電気光学装置によれば、非線型素子の非線型性が向
上するため、コントラストが向上し、表示斑がなくな
り、低電圧駆動による低消費電力化が実現するという優
れた効果を有する。
メントパネル，パーソナルコンピューター，画像表示装
置，テレビジョン，プリンター用液晶シャッターなどに
使用される多数の画素数を有する電気光学装置に関す
る。 〔発明の概要〕 本発明は、多数の行列電極を有するマトリクス構造電
気光学装置において、電気光学効果を有する材料の層の
駆動用電極の各画素ごとに電気光学効果を有する材料の
層と直列に、シリコンと炭素を主な成分とするアモルフ
ァス材料からなる非線型抵抗素子を形成することによ
り、低電圧による駆動でも大きなコントラストを得るこ
とができるようにし、装置の消費電力を少なくしたもの
である。 〔従来の技術〕 小型で軽量の電気光学装置として、エレクトロクロミ
ズムや液晶等のように、印加される電荷によりその光学
特性が変化する電気光学効果を有する材料を用いた電気
光学装置が実用化されている。近年この種の電気光学装
置の情報量増大化を計る目的で、TFT薄膜トランジスタ
ー，シリコン単結晶上に形成したMOSトランジスターな
どによる３端子アクティブマトリクス液晶表示装置や、
非線型抵抗素子を各液晶画素と直列に設けた２端子アク
ティブマトリクス液晶表示装置が脚光をあびている。 ２端子素子アクティブマトリクスは、３端子素子アク
ティブマトリクスと比較し、形成膜数が少なく、フォト
エッチング工程数が少なく、さらにパターニング精度が
粗い、などの特長があり、低コスト、大面積電気光学装
置への応用が可能である。 ２端子アクティブマトリクス電気光学装置は、次の方
式が公知である。 バリスター方式 金属−絶縁膜−金属（MIM）方式 ダイオード方式 高抵抗半導体方式 のバリスター方式は特開昭55−105285号公報、の
MIM方式は、特開昭55−161273号公報に示されている。
の高抵抗半導体方式は、Proc.of the 6th Internatio
nal Display Conference pp.72−74（1986）に示されて
いる。 第３図は、の方式による非線型抵抗を示す高抵抗半
導体薄膜を用いた、従来の２端子アクティブマトリクス
液晶電気光学装置のＸ−Ｙマトリクスパネル回路図であ
る。行液晶駆動電極３と列液晶駆動電極４は、基板及び
対向基板にそれぞれ通常100〜1000本形成される。Ｘ−
Ｙ交差部には液晶５と非線形抵抗素子13が形成される。
第２図は非線型抵抗膜として、化学量論的組成よりもシ
リコンの組成の多い窒化シリコン膜を用いた従来の液晶
電気光学装置の一画素の縦断面図である。又、第５図は
該液晶電気光学装置の一画素の平面図である。第６図は
従来から知られた一画素の等価回路図である。 この種の液晶電気光学装置の駆動は一般に電圧平均化
法と呼ばれる次のような方式によって行う。 第３図の多数の行電極３を一本ずつ上から順次に選択
し、その選択期間内に列電極４によってデータを書き込
む。この時充分なコントラストで表示が行えるために
は、選択点での液晶に印加される実効電圧が、液晶の飽
和電圧によりも大きい事、非選択点での液晶に印加され
る実効電圧が液晶のしきい値電圧よりも小さいことが必
要である。非線型抵抗素子13に、充分な非線型性を有す
る膜を用いると、選択点では、書き込み時には非線型抵
抗素子13の抵抗が低くなり、液晶５に電圧がかかりやす
くなり、保持期間では非線型抵抗素子13の抵抗が高くな
り、液晶５にかかった電圧が保持されやすくなる。又、
非選択点では、書き込み時に非線型抵抗素子13の抵抗
は、選択点ほど低くはならず、液晶５にはあまり電圧が
かからず、その小さな電圧が保持されることになり、分
割数の比較的大きな液晶電気光学装置でも、高いコント
ラストを持ったパネルを提供できる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 この種の液晶電気光学装置で、高いコントラストを保
持したままで、大面積で高解像度の従って、多数の画素
を有する装置を得るためには、非線型抵抗素子13の非線
型性が充分に大きくなくてはならない。併し、従来のよ
うに非線型抵抗膜として、化学量論的組成よりもシリコ
ンの組成の多い窒化シリコン膜を用いた場合（第２図及
び第４図曲線ｂ）、その非線型性が不充分で、大面積の
装置において、コントラストが低下するという問題点が
あった。又、装置の大面積化に伴い非線型抵抗膜12の膜
厚の面内分布の不均一性が増大し、非線型抵抗膜12の非
線型性が小さいために、膜厚分布が、表示斑となって現
れるという問題点があった。さらに、非線型抵抗素子13
の非線型性が充分に高くないと、選択点での液晶に印加
される実効電圧を液晶の飽和電圧よりも大きくするため
には、第６図Ａ−Ｃ間に印加する電圧を大きくする必要
があり、このために装置の消費電力を大きくするという
問題点があった。 そこで、この発明は非線型抵抗膜として、その非線型
性の高い薄膜を提供し、大型の電気光学装置のコントラ
ストを高め、表示斑を減じ、駆動に要する消費電力を減
らすことを目的としている。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、上記問題点を解決するために、非線型抵抗
膜としてシリコンと炭素を主な成分とするアモルファス
材料を用いたものである。その結果、高い非線型性を示
す非線型抵抗素子を得、これを電気光学装置の駆動に用
いたものである。 〔実施例〕 第４図の曲線ａは、本発明によるシリコンと炭素を主
な成分とするアモルファス材料を用いた非線型抵抗素子
のＥ1/2−log（I/E）プロットである（Ｅは電界、Ｉは
電流を示す）。このプロットで直線で表される電流−電
圧特性はFrenkel−Poole電流と呼ばれ、（１）式で表さ
れる。： Ｉ＝CBe×ｐ｛−ｑ（φ−bE1/2）/kT｝ …（１） （１）式中、C,φ,bは各々の物質に固有な値であり、
ｋは、ボルツマン定数,qは素電荷,Tは絶対温度である。 シリコンと炭素を主成分とするアモルファス材料は、
本実施例の場合、エチレンガスとモノシランガスの混合
ガスによるプラズマCVD法によって約1500Å形成した。
この方法で作製したシリコンと炭素を主成分とするアモ
ルファス材料は、1022〔cm-3〕程度の水素を含む。第４
図で示したように、シリコンと炭素を主成分とするアモ
ルファス材料は、シリコンと窒素を主成分とするアモル
ファス材料よりも傾きが大きい。すなわちより高い非線
型性が得られている。第７図は上述の方法で作製した、
シリコンと炭素を主成分とするアモルファス材料の原料
ガス比と、１〔MV/cm〕での比抵抗値との相関を示す。
この時、第７図に示すように、オージェ電子分光法から
求めた、上記アモルファス薄膜中のシリコンと炭素の組
成は、原料ガス中のエチレンガスの比率が大きくなるほ
ど、より炭素の組成が多くなっている。このように、上
述の方法で作製したシリコンと炭素を主成分とするアモ
ルファス材料の組成は、原料ガス組成により制御され、
これによって膜の抵抗を制御することができる。尚、上
記アモルファス材料の電流−電圧特性は、原料ガス組成
比以外の作製時のパワー，圧力，基板温度，原料ガス全
流量率等の条件を変えることによっても制御される。 さらに、上記アモルファス材料の電流−電圧特性は、
原料ガス中に、例えばホスフィンやジボラン等のガスを
数ppmから数パーセント混入せしめることにより、それ
ぞれリン及びボロンをドープすることにより制御するこ
とが可能である。 尚、本発明の実施例において、シリコンと炭素を主成
分とするアモルファス材料の製造方法は、主な原料ガス
として、モノシランとエチレンを使用したが、モノシラ
ンの代わりにジシラン等の高次シラン，エチレンの代わ
りに、他のエチレン系炭化水素やメタン系炭化水素，ア
セチレン系炭化水素等も使用できる。又、上記アモルフ
ァス材料の作製時に、アルゴン等の希ガスや水素ガスに
より原料ガスを希釈することにより、上記アモルファス
材料の電流−電圧特性を制御することもできる。さら
に、上記アモルファス材料の製造方法は、プラズマCVD
法による作製例について説明したが、これを減圧および
常圧CVD法や、スパッタ法などによって作製することが
できる。 この種の非線型抵抗材料を液晶電気光学装置に適用す
るには、非線型抵抗素子の抵抗R1を次のように設定すれ
ばよい。すなわち、表示点燈時に印加される電圧VONで
のRIは107〜108〔Ω〕、非点燈時に印加される最大電圧
VOFFの時R1は108〔Ω〕以上であり、さらに、非選択期
間に印加される電圧VONの時、液晶抵抗RLCと同等の抵抗
値とすればよい。導体−アモルファス材料−導体の重な
り面積を120〔μm2〕とし、アモルファス材料の厚さを1
00Åと駆動電圧を30〔ｖ〕以下とした場合、炭素とシリ
コンの組成比C/（Si＋Ｃ）が0.05〜0.6のアモルファス
材料により、駆動が可能であった。 第４図の曲線ａにその特性が示された本発明による非
線型抵抗薄膜を用いた非線型抵抗素子を、大型液晶電気
光学装置に用いたところ、曲線ｂに示された従来の窒化
シリコン膜を用いた場合に比べて、コントラストが向上
し、駆動電圧が従来の20〔ｖ〕から14〔ｖ〕に低下させ
ることができ、従って消費電力が減少した。また、同時
に表示斑も全くなくなり、均一な表示画面が得られた。
このアモルファス材料のシリコンと炭素の組成比は、C/
（Si＋Ｃ）＝0.4であった。 このような、炭化シリコン膜の使用による従来の窒化
シリコン膜の使用と比較した非線型特性の向上は、シリ
コンと炭素の組成比C/（Si＋Ｃ）が0.05〜0.5のアモル
ファス材料により実現できた。 尚、本発明による非線型抵抗素子は、一定の膜厚を有
する高抵抗材料の高電界領域において支配的となるFren
kel−Poole電流を利用しているため、適度な動作電圧範
囲内では、膜厚が薄過ぎるとトンネル電流が支配的とな
り、厚過ぎるとオーミック電流が支配的となり、いずれ
も素子の非線型性を低下させることになる。 本発明者は、上記非線型抵抗薄膜が通常の動作電圧範
囲内で、膜厚が500Åから3000Åの範囲でFrenkel−Pool
e電流が支配的となることを確認した。 本実施例は、液晶電気光学装置への応用について述べ
たが、他のエレクトロクロミズム等の電気光学効果を有
する材料を用いた電気光学装置にも応用でき、高い非線
型性を有するアモルファス炭化シリコンを用いることに
より、コントラストの向上と、低消費電力化に役立つこ
とは明らかである。 〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明による非線型抵抗材料を用
いた電気光学装置によれば、非線型素子の非線型性が向
上するため、コントラストが向上し、表示斑がなくな
り、低電圧駆動による低消費電力化が実現するという優
れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明によるシリコンと炭素を主成分とする非
線型抵抗材料を用いた液晶電気光学装置の縦断面図、第
２図は従来のシリコンと窒素を主成分とする非線型抵抗
材料を用いた液晶電気光学装置の縦断面図、第３図は従
来公知である非線型抵抗素子を用いた液晶電気光学装置
の回路図、第４図は本発明による非線型素子（曲線ａ）
と、従来の窒化シリコン薄膜による非線型素子（曲線
ｂ）の電流−電界特性のフレンケル−プール・プロット
図、第５図は従来公知である液晶電気光学装置の一画素
部の平面図、第６図は従来公知である一画素の等価回路
図であり、非線型抵抗素子と液晶が直列に接続された状
態を示し、CLCは液晶の容量、RLCは液晶の抵抗、CIは非
線型抵抗素子の容量、RIは非線型抵抗素子の抵抗をそれ
ぞれ示す。抵抗RIは電圧の関数である。 第７図は本発明の液晶電気光学装置に用いた、シリコン
と炭素を主成分とするアモルファス材料の原料ガス組成
と１〔MV/cm〕での比抵抗との関係を示すグラフ、第８
図は本発明の液晶電気光学装置に用いたシリコンと炭素
を主成分とするアモルファス材料の原料ガス組成と該ア
モルファス材料のシリコンと炭素の組成との関係を示す
グラフである。 7,10……基板 8,11……透明電極 ９……電極
線型抵抗材料を用いた液晶電気光学装置の縦断面図、第
２図は従来のシリコンと窒素を主成分とする非線型抵抗
材料を用いた液晶電気光学装置の縦断面図、第３図は従
来公知である非線型抵抗素子を用いた液晶電気光学装置
の回路図、第４図は本発明による非線型素子（曲線ａ）
と、従来の窒化シリコン薄膜による非線型素子（曲線
ｂ）の電流−電界特性のフレンケル−プール・プロット
図、第５図は従来公知である液晶電気光学装置の一画素
部の平面図、第６図は従来公知である一画素の等価回路
図であり、非線型抵抗素子と液晶が直列に接続された状
態を示し、CLCは液晶の容量、RLCは液晶の抵抗、CIは非
線型抵抗素子の容量、RIは非線型抵抗素子の抵抗をそれ
ぞれ示す。抵抗RIは電圧の関数である。 第７図は本発明の液晶電気光学装置に用いた、シリコン
と炭素を主成分とするアモルファス材料の原料ガス組成
と１〔MV/cm〕での比抵抗との関係を示すグラフ、第８
図は本発明の液晶電気光学装置に用いたシリコンと炭素
を主成分とするアモルファス材料の原料ガス組成と該ア
モルファス材料のシリコンと炭素の組成との関係を示す
グラフである。 7,10……基板 8,11……透明電極 ９……電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭61−205917（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−90192（ＪＰ，Ａ)
特開 昭47−3474（ＪＰ，Ａ)
特開 昭48−66790（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−250696（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−284452（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−88587（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−167057（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−39569（ＪＰ，Ａ)
特公 昭54−41319（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．２枚の対向する基板と、該基板間に狭持された電気
光学効果を有する材料の層と、一方の基板の内面に形成
した多数の行電極群と、他方の基板の内面に形成した多
数の列電極群とからなり、また少なくとも一方の基板の
各画素は、それぞれ画素電極と非線型抵抗素子とからな
り、該非線型抵抗素子は、行又は列電極と電気的に接続
する第１の導体および画素電極と電気的に接続する第２
の導体間に非線型抵抗膜を形成し、前記画素電極と非線
型抵抗素子とが電気的に直列に接続され、前記非線形抵
抗素子を介して前記画素電極に印加される電荷により前
記材料の光学特性が変化する電気光学装置であって、前
記非線型抵抗膜は、シリコンと炭素を主な成分とするア
モルファス材料からなるとともに、その膜厚が3000Å以
下であることを特徴とする電気光学装置。 ２．前記非線型抵抗膜は、少なくとも水素を含有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電気光学装
置。 ３．前記非線型抵抗膜は、少なくともリン又はボロンを
含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第
２項記載の電気光学装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61251076A JP2816549B2 (ja) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | 電気光学装置 |
| US07/208,260 US4842372A (en) | 1986-10-22 | 1988-06-17 | Electro-optical device having an amorphous silicon resistive element with carbon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61251076A JP2816549B2 (ja) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | 電気光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63104081A JPS63104081A (ja) | 1988-05-09 |
| JP2816549B2 true JP2816549B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=17217275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61251076A Expired - Fee Related JP2816549B2 (ja) | 1986-10-22 | 1986-10-22 | 電気光学装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2816549B2 (ja) |
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| JP2739582B2 (ja) * | 1988-03-17 | 1998-04-15 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
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1986
- 1986-10-22 JP JP61251076A patent/JP2816549B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-06-17 US US07/208,260 patent/US4842372A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPS63104081A (ja) | 1988-05-09 |
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