KR0146292B1 - 전기광학 장치 - Google Patents

전기광학 장치

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KR0146292B1
KR0146292B1 KR1019890003158A KR890003158A KR0146292B1 KR 0146292 B1 KR0146292 B1 KR 0146292B1 KR 1019890003158 A KR1019890003158 A KR 1019890003158A KR 890003158 A KR890003158 A KR 890003158A KR 0146292 B1 KR0146292 B1 KR 0146292B1
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Abstract

본 발명은, 베이스 물질로서 Si 를 사용하는 TFT 들과 비선형 저항소자들과 같은 스위칭 소자들을 가지고 있는 전기광학장치를 제공하는 것이다. Si 막은 실질적으로 수소를 포함하고 있지 않으므로, 본 발명은 광전효과를 가지고 있지 않으며, 안정되고 신뢰성있는 장치가 된다.

Description

전기 광학 장치
제1도는 본 발명의 일실시예를 나타내는 화소(pixel) 전극의 평면도.
제2도는 비선형 저항 소자의 단면도.
제3도는 베이스로서 종래의 Si:H를 사용하는 비선형 저항막의 I-V 특성도.
제4도는 베이스로서 순수 H, Si 를 사용하는 비선형 저항막의 I-V 특성도.
제5도 및 제6도는 기판 전극 구조의 개략도 및 액정 표시기의 종단면도.
제7도는 비선형 저항 소자를 사용하는 액정 표시기의 회로도.
제8도는 한 화소의 등가 회로도.
제9a 및 9b도는 ON 시간에서 액정 BC 와 비선형 저항 소자 AC 사이에 인가되는 파형 및 상기 시간에서 액정 사이에 인가되는 전압의 일례도.
제10a 및 10b 도는 OFF 시간에서 AC 사이 및 및 BC 사이에 인가되는 전압의 일례도.
제11도는 본 발명의 일실시에를 나타내는 제작단계 블럭도.
제12도는 종래의 제작 단계의 일예를 나타내는 블럭도.
제13도는 비선형 저항 소자의 전압:전류특성을 나타내는 비대칭도.
제14도는 Ar+N2가스의 흐름율(flow rate)이 변화될때의 비선형 저항 소자의 전압:전류 특성도.
제15도는 RF 전력이 변화될때의 비선형 저항 소자의 전압:전류 특성도.
제16도는 본 발명의 실시예로 제작된 액정 표시기의 전압:전류 특성도.
제17도는 본 발명의 실시예로 제작된 액정 표시기의 전압 이동(voltage shift) 특성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
13 : 와이어링 전극 15 : 비-선형 저항 소자
16 : 액정 17 : 투명전극
CLC: 캐패시터 용량 RLC: 액정 저항
본 발명은 개인용 컴퓨터 표시기, 휴대용 컴퓨터 표시기, 다양한 측정 기구의 표시기, 텔레비젼 표시기, 프린터 셔터에 사용하는 매우 많은 수의 화소를 갖는 전기-광학 장치에 관한 것이다.
본 발명의 발명가는 지금까지 비선형 저항 소자 또는 실리콘 질화막을 사용하는 Si, TFT, 실리콘 산화막, 실리콘 질화 산화막 또는 비-선형 저항 박막같은 실리콘 카바이드막을 발전시켜왔다. 이들은 예컨데, 일본 특허 공개 공보 제90192/1986 및 제 94086/1986 호에 기술되어 있다.
상기 베이스 물질로서 Si 를 사용하는 이들 전기-광학 스위칭 소자는 막을 증착하는 플라즈마 CVD 장치를 이용하여 서로 다른 가스들간에 화학적 반응을 시켜 형성되기 때문에, H 가 불가피하게 베이스 Si 막에 혼합된다. SiNx(N/Si = 0.4 내지 0.8)를 갖는 비선형 저항 소자를 제작하기 위해서는, 예컨대, 막을 형성할 SiH4가스를 N2가스 또는 NH3가스와 화학 반응시켜서, SiH4가스의 분해된 H 성분 또는 NH3의 분해된 H 성분을 필히 10 내지 20% 양으로 합성 SiNx 막에 혼합하면 된다. SiOx 의 비선형 저항 소자가 형성될때도 마찬가지로, 상기 SiH4가스의 분해된 H 성분의 10 내지 20% 가 상기 SiOx 막에 혼합되도록 유사하게 상기 SiH4가스를 이용하면 된다.
상기 스위칭 소자는 Si:H 특유의 광전 효과가 존재하는 베이스 물질로서 H-함유 비정질 실리콘(이후에는 Si:H 로 언급됨)을 사용하기 때문에, 상기 소자 변화의 전기적 특성은 소자 주위의 환경(밝음 및 어두움)에 좌우하게 된다. 투명 화소 전극을 구성하는 구조를 갖는 비선형 저항 소자(제1도 및 제2도를 참조한다)의 경우에 있어서, 와이어링 전극 및 비선형 저항막은 베이스 물질과 마찬가지로서 이들 전극과 저항막에 삽입되는 Si:H 가 사용되며, 또한 와이어링 전극 및 투명 화소 전극 변화간의 전압:전류 특성은 제3도에 도시한 바와 같이 상기 소자 둘레의 명암에 좌우된다. 이 비선형 저항 소자가 제6도에 도시한 바와 같이 액정 표시기 용으로 사용하면, 콘트라스트의 차이가 밝은 부분과 어두룬 부분 사이에서 발생한다. 그 이유를 다음에 설명하고자 한다.
제7도는 비선형 저항 소자를 사용하는 액정 표시 장치의 회로도이다. 참조번호(13)는 금속으로된 와이어링 전극, 17 은 투명 전극, 16 은 액정 그리고 15 는 비선형 저항 소자이다. 제8도는 한 화소의 등가 회로도이고, 심볼 C1과 R1은 커패시터 용량과 각 비선형 저항 소자의 저항을 나타낸다. CLC와 RLC는 캐패시터 용량과 각 액정의 저항을 나타낸다. 제7도에 도시한 매트릭스 액정 판넬에서의 구동 파형은 예컨대, 제9a 및 10a 도에서 도시한 시간 분할 구동 파형이다. 전압 VOP가 주기 TO동안, 제8도의 A와 C 즉, 비선형 저항 소자와 액정 화소 사이에 인가될때 전하는 액정의 캐패시터 CLC내에 저장되고, 그후, 상기 전압은 상기 주기 T-TO동안 R1및 RLC에의한 저항 분할로 인해 A 와 B 사이 그리고 B 와 C 사이에 인가된다. 상기 R1의 저항이 주기 T-TO상태에서 낮으면, 상기 주기 TO상태에서 CLC내에 저장된 전하는 B에서 A 까지, 즉 비선형 저항 소자를 통해 누설된다. 요컨데, 제9b 및 10b도의 하위부에서 사선부의 영역은 R1에 따라 변화된다. 상기 값 R1이 작아지면, 상기 사선부의 영역이 작아지며 B 및 C 사이에 인가된 전압, 즉 액정에 인가된 전압은 작아진다. 따라서, 제3도에 도시한 바와 같이, 전기 특성을 갖는 비선형 저항 소자의 액정 표시기의 경우에, 상기 저항값 R1이 주기 T-TO동안 저 전압 범위의 명/암 환경에서 변화하는 결과, 액정에 인가된 상기 전압값이 변화되고 콘트라스트의 차이가 결국 나타나게 된다. 어두운 환경에서 표시 되어지는 상기 특성이 사라지고 이들 특성이 갑자기 밝은 환경으로 이동될때 볼수 없게 되면 이는 아주 좋지 못한 경우가 된다. 제10a 와 10b 도는 A 와 C 사이에 인가된 파형과 OFF 시간에서 B-C 전압의 파형을 예로 도시하고 있다.
베이스 물질로서 Si 를 사용하는 스위칭 소자를 구비하는 전기 광학 장치에 있어서, 본 발명은 광전 효과(제4도)를 제거하고 밝은곳에서 전자 광학 장치의 콘트라스트의 약해짐을 방지하기 위해 H 를 함유하는 베이스 Si 막을 차단시킨다.
본 발명은 비선형 저항 소자와 같은 스위칭 소자 및 상기 베이스 물질로서 Si 를 사용하는 TFT 를 구비하는 전기-광학 장치를 제공한다. 실제로 상기 Si 막이 수소를 함유하지 않는 결과, 광전 효과는 사라지고 안정되고 신뢰할만한 장치로 된다.
본 발명의 전기 광학 장치는 상술한 문제점을 해결하고 있다. 상기 베이스 물질로서 Si 를 사용하는 스위칭 소자를 구비하는 전기 광학 장치에 있어서, 본 발명은 실제로 H 를 함유하게될 베이스 Si 막을 차단하고 있다.
상기 베이스 물질로서 Si 를 사용하는 스위칭 소자를 구비하는 전기 광학 장치에 있어서, 본 발명은 상술한 바와 같이 실제로 H 를 함유하게 될 베이스 Si 막을 차단하고 있다. 이러한 방법으로, 광전 효과로 부터 탈피하는 극히 안정되고 매우 신뢰할만한 전자 광학 장치를 얻게 되며, 상기 장치가 긴 주기동안 동작할때 H 로 부터 초래될 것으로 믿어지는 전기적 특성의 변화뿐만 아니라 밝은 곳에서의 콘트라스트의 감소를 막을 수 있다. 이후에, 본 발명의 일실시예를 도면을 참조하여 설명하고자 한다.
제5도는 본 발명에 따른 액정 표시기의 비선형 저항 소자를 형성하는 기판의 일실시예의 개략도이다. 상기 도면은 하나의 화소만을 도시하고 있고, 이외에, 액정층, 액정을 봉합하기 위한 상대 기판, 분극 플레이트 등은 설명을 간소하기 위해 도면에서 삭제하였다. 제6도는 본 발명에 따른 액정 표시기의 한 화소의 종단면도이다. 제5도에서, 참조번호(11)는 투명 기판을 표시하는데 이 투명기판은 소다 유리, 파이렉스 유리 등의 보통 유리로 제조된다. 참조번호(12)는 투명 화소 전극을 나타낸다. 이는 마그네트론 스퍼터링, 증착 또는 그와 유사한 방법으로 인듐틴 산화막(ITO)을 증착시켜 형성하고, 투명기판(11)의 전체 표면상에 약 100 내지 500Å 의 두께로 하여 광-에칭 방법으로 선정된 형태로 투명기판을 패터닝한다. 참조번호(14)는 원래의 실리콘을 구성하는 비정질 물질을 나타낸다. 약 750 내지 1,500Å 두께의 실리콘 질화막은 실리콘 단결정 또는 실리콘 다결정의 타게트, 니트론 가스의 약 5 내지 15%를 함유하는 아르곤 가스 및 마그네트론 스퍼터링 장치를 사용하여 반응성 스퍼터링 방법으로 증착시킨다.
실리콘 산화막(SiO2)에 대해서, 사실상 수소를 함유하지 않는 약 750 내지 1,500Å 두께의 비정질 실리콘 산화막(SiO2)은 실리콘 단결정, 실리콘 다결정 또는 실리콘 산화의 다른 타게트 또는, 산소 가스의 약 1 내지 10% 를 함유하는 아르곤 가스를 사용하는 반응성 스퍼터링 방법으로 증착시킨다. 참조번호(13)는 행-렬 전극의 한 측면을 구성하는 와이어링 전극을 나타낸다.
이 실시예에서 알루미늄 실리콘 또는 크롬 금속은 마그네트론 스퍼터링 방법으로 동일하거나 따로 분리된 챔버내의 비선형 저항 박막(14)상에 약 1,000 내지 8,000Å 두께로 계속해서 증착시킨다. 이어서 금속 와이어링 전극(13)은 광-에칭 방법으로 선정된 형태로 패턴되고, 다음에 비선형 저항 박막(14)은 광-에칭 방법으로 선정된 형태로 패턴된다. 이 실시예에서 상기 금속 와이어링 전극(13)은 광 에칭 방법으로 선택적으로 제거되어 비선형 저항 박막(63)이 에칭되며 광 감지 수지(광 저항)를 제거할 필요없이 선택적으로 제거된다. 즉, 2 개의 광-마스크가 사용되고 에칭 단계는 3 시간 작동된다. 제11도는 제12도에서 도시한 베이스 물질로서 Si:H (H 를 함유하는 Si)를 사용하는 비선형 저항 소자를 형성하는 종래의 단계와 비교되는 상술한 단계의 블럭도이다. 종래의 기술에 따른 플라즈마 CVD 장치의 사용에 의한 Si:H 베이스 비선형 저항 소자의 형성 단계는 마그네트론 스퍼터링 또는 증착 및 광-에칭에 의한 패터닝으로 투명 화소 전극을 증착하는 제 1 단계와, 플라즈마 CVD 장치내에 300℃ 이상의 기판 온도를 상승시키고 실레인 가스 및 니트론 가스 또는 암모니아 가스에 의한 실리콘 질화막의 비선형 저항 박막을 증착시키는 제 2 단계와, 플라즈마 CVD 장치로 부터 기판을 끌어내고 그것을 세척하는 제 3 단계와, 마그네트론 스퍼터링에 의해 상기 기판상에 금속 와이어링 전극을 증착시키는 제 4 단계 및 금속 와이어링 전극과, 광 에칭 방법으로 증착된 상기 비선형 저항 박막을 패터닝하는 제 5 단계를 포함한다. 상기 플라즈마 CVD 가 상기 비선형 저항 박막을 형성하는데 이용될때, 상기 H 성분은 비선형 저항 박막에 불가피하게 혼합되어져서 상기 장치는 비교적 나쁜 전기적 특성을 갖게 된다. 그러나 본 발명의 형성 단계에 따르면, 상기 비선형 저항 박막(14)이 스퍼티링에 의해 형성되기 때문에, 수소 혼합을 사실상 막을 수 있다. 이 형성단계는 산소 가스를 함유하는 실리콘 및 아르곤 가스로 된 타게트를 사용하여 반응성 스퍼터링을 스퍼터링 장치 내에서 실행할 수 있게 하고, 비선형 저항 박막을 증착할 수 있게 하며, 또한 제11도에 도시한 바와 같이 마그네트론 스퍼터링, 증착 또는 그와 유사한 방법으로 투명 화소 전극을 증착하는 제 1 단계후 마그네트론 스퍼터링 방법으로 금속 와이어링 전극을 계속해서 증착할 수 있게 한다. 이로 부터 상기 CVD 장치로 Si:H 베이스 비선형 저항 박막을 증착한 후 기판을 끌어내는 종래의 단계, 끌어낸 후 기판의 세척 단계 및, 와이어링 전극을 증착하기 위해 스퍼터링 장치에 기판을 셋팅하고 비우는 단계를 제거할 수 있게 해준다. 이 방법으로 제작 시간은 급격히 감소될 수 있다. 따라서 불순물의 부착 기능성이 급격히 감소될 수 있기 때문에, 불량품이 수적으로 줄어들 수 있고 제작 효율이 개선될 수 있다.
상기 와이어링 전극 및 비선형 저항 박막이 서로 동일한 형태를 갖는 경우, 이들은 동일 노출 마스크와 동일 감광 수지를 사용하여 계속해서 에칭할 수 있고 그와 같이 하여, 종래 7 내지 8 시간을 필요로 하는 비선형 저항막의 증착으로 부터 와이어링 전극과 비선형 저항막을 패터닝하는 단계를 약 4 내지 5 시간 내에 완성할 수 있게 되므로써 제작 단계동안에 필요한 시간을 줄일 수 있다.
제6도는 본 발명에 따른 액정 표시기의 종단면도이다. 참조번호(16)는 액정층을 나타내는데 이 액정층은 5 내지 7 μm 의 두께이며 2 개의 네마틱 물질을 사용한다. 참조번호(18)은 유전 상수 및 저항을 고려해 폴리미드막을 사용하는 방위막을 나타낸다. 참조번호(12)는 행-렬 전극 그룹중 하나를 구성하는 투명 도전막(ITO)을 나타낸다. 참조번호(19)는 비교적 하위 투명 기판(11)과 동일한 종류의 유리를 사용하는 비교적 상위 투명 기판을 표시한다. 참조번호(20 및 21)는 분극 플레이트를 나타내며 이들 비교적 상위 및 하위 분극 플레이트(20 및 21)의 분극축은 약 90°만큼 편향되어 있다.
제4도는 ITO 가 접지되고 전압이 투명 화소 전극과 같이 얇은 ITO 에 의해 형성된 비선형 저항 소자내의 금속 와이어링 전극에 인가될때의 전압:전류 특성을 나타내고, 상기 실리콘 질화막은 본 발명의 방법에 따른 와이어링 전극에서 본 바와 같이 비선형 저항 박막 및 알루미늄 실리콘 또는 크롬처럼 수소를 거의 함유하지 않는다.
제3도는 상기와 동일한 구조를 가진 비선형 저항 소자의 전압:전류 특성을 도시하고 있지만, 이의 실리콘 질화막은 실란가스 및 니트로겐 가스 또는 암모니아 가스를 사용하는 CVD 방법으로 형성된다. 각 도에서 종좌표는 대수 크기로 전류를 나타낸다. 이 도에서 명확히 알 수 있는 바와 같이, 저항은 베이스 물질로서 H 를 함유하는 Si 를 사용하는 비선형 저항 소자의 경우에 광전 효과로 인해 저 전압 범위내에 밝은 환경으로 감소되며, 실제로 수소를 함유하지 않는 비선형 저항 소자의 경우에는 상기 감소 현상이 발생하지 않는 플라즈마 CVD 방법 및 스퍼터링 방법으로 형성시킨다. 수소 함유량이 1wt% 이하이면, 상술한 광전 효과는 거의 발생하지 않는다. 실리콘 산화막이 비선형 저항 박막으로 사용될때 동일 결과를 얻을 수 있다. 다시 말해, 광전 효과로 인한 역 영향이 수소를 거의 함유하지 않는 비정질 SiOx 가 스퍼터링 방법으로 형성되어 전기-광학 장치의 스위칭 장치로 사용될때 발생하게 된다.
따라서, 제3도에 도시한 바와 같은 특성을 갖는 비선형 저항 소자가 제6도에 도시한 바와 같은 액정 장치용으로 사용되면, 콘트라스트의 차이가 밝은 환경 및 어두운 환경 사이에서 발생하나, 제4도에 도시한 바와 같은 특성을 갖는 상기 비선형 저항 소자가 사용될때에도 그러한 콘크라스트의 차이가 발생되며 적은 비트의 안정한 표시 상태가 지속된다.
상기 Si:H 베이스 비선형 저항막이 종래의 기술에 따른 플라즈마 CVD 방법으로 증착될때, 전기적 특성의 차이는 화소 전극 금속과 비선형 저항막의 인터페이스 및 비선형 저항막과 와이어링 전극의 인터페이스 간의 접착력 때문에 발생하고 이의 불균형은 전압:전류 특성(제9도를 참조하시오) 에서 발생한다. 즉, 동일 전압이 화소 전극 금속 및 와이어링 전극에 인가될 경우라도, 상기 비선형 저항 소자를 통해 흐르는 전류값은 정극성 또는 부극성의 극성에 따라 변화한다. 상기 비선형 저항 소자가 액정 표시기용으로 사용되며, 상기 D· C 성분은 액정 표시기안에서 존재할 수 있고 충전과 같은 비-정형 표시를 초래할 수 있다. 그러나 H(H 1%)를 거의 포함하지 않는 Si-베이스 비선형 저항막이 본 실시예의 스퍼터링 방법으로 증착되면, 이 막은 제9도 (│V+│ = │V-1│)에 도시한 바와 같이 전압:전류 특성에서 불균형을 완전히 제거할 수 있게 된다. 따라서 충전과 같은 비-정형 표시는 발생하지 않으며 매우 우수한 표시 상태를 갖는 액정 표시기를 얻을 수 있다.
제14도는 Ar +N2가스의 흐름율이 변화할때 전압:전류 특성을 나타내는데 반해 RF 전력이 비선형 저항 소자의 형태로 일정하게 유지되는 경우에는 상기 실리콘 질화막이 타게트 및 (N2가스의 1 내지 10%를 함유하는) AR + N2가스로 실리콘을 사용하는 반응성 스퍼터링 방법에 의해 형성되며 ITO 와 Cr 사이에 끼워지게 된다. 제15도는 상기 RF 전력이 변화될때 전압:전류 특성을 나타내는 반면 상기 형성과 유사한 비선형 저항 소자가 형성될때 AR+ N2가스의 흐름율이 일정하게 유지됨을 나타내고 있다. 제14도에서 알 수 있는 바와 같이, 상기 비선형 저항 소자의 저항은 AR+ N2의 흐름률 및 이 흐름율보다 더 작은 흐름율, 그리고 비교적 풍부한 실리콘 및 비교적 낮은 저항의 변화에 의해 변화될 수 있다. 제15도에서 알 수 있듯이, 비선형 저항 소자의 전류 흐름을 RF 전력을 변화시켜서 지수 함수적으로 증가시킬 수 있고 비선형 저항 소자의 특성은 자유롭게 변화시킬 수 있다. 상기 RF 전력이 커질수록 실리콘 타게트의 스퍼터링 비율은 커지며 결과적인 비선형 저항 소자는 더 풍부한 실리콘을 형성하게 된다. 그러나, 실리콘 질화막내의 압력이 RF 전력의 증가에 따라 더 커지고 막의 벗겨짐과 전류 농축같은 문제가 발생하기 때문에 RF 전력을 제한하고 있다.
제16도는 타게트 및 (비선형 저항 박막을 증착하기 위해 1 내지 10% 의 N2가스를 함유하는) 아르곤 가스로 실리콘을 사용하고, 화소 전극으로 ITO 와 금속 와이어링 전극으로 알루미늄 실리콘을 사용하는 반응성 스퍼티링 방법을 수행하여 형성된 비선형 저감 소자를 사용하는 액정 표시기의 전압:전송율 을 도시하고 있다. 상기 바이어스율은 1/6 에서 1/10 바이어스이다. 상기 바이어스율을 적게할수록 VON(50%) 및 VOFF(10%) 간의 차 즉, 마진이 더 커진다. 그러나, 제9a 도에서의 T-TO간의 전압 레벨이 더 커지기 때문에, 제8도의 저항값 R1은 감소하고 CLC내에 저장된 전하의 누설량이 증가한다. 따라서, 바이어스율이 1/5 바이어스 이하일때, T-TO의 폭은 다중 분할(예컨데, 400 분할 이상)의 경우 커지게 되고 TO에서 비선형 저항 소자를 통해 CLC에 저장된 전하의 누설량도 커지게 된다. 따라서, 액정의 Vsat전압은 상기 VOP전압이 상승할때에도 도달할 수 없게 된다. 본 실시예에서 최적의 바이어스는 1/7 바이어스이고 이 경우에 마진은 5V 내지 6V 이다. 상기 액정의 상승/하강 응답 속도는 30 내지 40m/Sec 이고 보통의 TN, STN 액정 판넬의 응답 속도보다 매우 빠르다.
제17도는 통과 시간에 따라 본 실시예로 산출된 액정 표시기의 VON(50%)의 변화량 모드를 나타낸다. -0.4V 내지 -0.5V 의 변화는 약 700 시간내에 발생하며 포화가 성취된다. 이 전압 변화는 비선형 저항 소자의 전압:전류 특성의 변화량과 일치하지만, 이는 액정 표시기 VON(50%) 및 VOFF(10%)의 마진 5V 내지 6V 로 충분히 커버할 수 있기 때문에, 시간에 따른 상기 표시기 상태의 퇴화는 전혀 알수가 없다.
상술한 본 발명의 전기 광학 장치에 있어서, Si 베이스막에 함유된 H 는 매우 적으며 (H 1%) 또한 광전 효과로 인한 역 영향은 제거할 수 있다. 더우기, 전압:전류 특성에서의 극성의 불균형을 제거할 수 있고, 전압의 변화가 적기 때문에, 밝고 어두운 환경간의 콘트라스트의 차이는 발생하지 않으며, 따라서 비정형의 표시기를 갖는 전기 광학 장치는 시간에 따라 덜 퇴화하는 매우 우수한 표시 상태를 얻게 된다.
상기 제작 측면에서, 실란 가스와 같은 유행한 가스는 사용되지 않기 때문에 제작을 안전하게 수행할 수 있고, 비선형 저항막과 와이어링 전극을 계속해서 증착할 수 있기 때문에, 상기 단계 시간이 단축되어 제작 효율을 개선할 수 있다. 따라서, 본 발명은 비교적 간단하면서, 전혀 결함이 없는 전기 광학 장치를 제공한다.
부가적으로, 상기 주어진 실시예가 스위칭 장치로서 SiNx 및 SiO2와 같은 2 개의 터미널 장치를 설명하고는 있지만, SiCy, SiMpOQ, TFTs 등과 같은 다른 2 개의 터미널 장치를 형성하고, Si 가 베이스 물질로 사용되는한 H 함유량(1% 이하)을 감소시켜서도 그와 유사한 효과를 얻을 수 있다.

Claims (17)

  1. 전기 광학 장치에 있어서, 내부 표면에 있는 전극을 구비하는 제 1 기판과; 다수의 라인 전극과 화소 전극과, 0% 의 수소 성분 또는 1% 이하의 수소 성분을 갖는 베이스 물질로 비정질 Si 를 사용한 다수의 스위칭 소자를 기판 내부 표면에 구비하는 제 2 기판과; 제 1 기판과 제 2 기판간에 전기 광학 물질층, 및 편광 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스위칭 소자가 비선형 저항 소자 또는 TFT 소자인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전기-광학 물질이 액정인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  4. 전기 광학 장치에 있어서, 내부 표면에 다수의 행 전극들과 다수의 역 전극들중 한 전극을 구비하는 제 1 기판과; 내부 표면에 상기 행 전극들 및 열 전극들중 다른 전극과, 화소 전극과 비선형 저항 소자를 구비하는 제 2 기판으로서, 상기 비선형 저항 소자는 상기 행 전극등과 열 전극들중의 다른 전극의 한 라인에 접속된 제 1 칸덕터와 상기 화소 전극들중 한 전극에 접속되는 제 2 컨덕터 및, 0% 의 수소 성분 또는 1% 이하의 수소 성분을 가진 비정질 Si 베이스 물질로 구성되고 상기 제 1 및 제 2 컨덕터간에 형성되는 비선형 저항층을 포함하는 상기 제 2 기판과; 상기 제 1 과 제 2 기판간에 전기 광학 물질층, 및 편광 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 전기-광학 물질이 액정인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 비선형 저항층이 실질적으로 SiNx 로 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 비선형 저항층이 실질적으로 SiCy 로 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  8. 제4항에 있어서, 상기 비선형 저항층이 실질적으로 SiOz 로 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  9. 제4항에 있어서, 상기 비선형 저항층이 실질적으로 Si, N 및 0 으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 SiCy 합성비기 화학양론적(stoichiometric) 비와 비교해 Si 가 풍부한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  11. 제8항에 있어서, 상기 SiO2의 합성비가 화학양론적 비와 비교해 Si 가 풍부한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  12. 제9항에 있어서, 상기 비선형 저항층 물질의 합성이 Si 가 풍부한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  13. 제1항에서 청구된 것같은 전기-광학 장치를 제조하는 방법에 있어서, 베이스 물질로서의 비정질 Si 가 스퍼터링에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  14. 내부 표면에 다수의 행 전극들과 다수의의 열 전극들중 한 전극을 제공하는 제 1 기판과; 상기 행 전극들 및 열 전극들 중의 다른 전극과, 화소 전극 및 비선형 저항 소저들을 내부 표면에 제공하는 제 2 기판으로서, 상기 비선형 저항 소자의 각각이 상기 행 전극들과 열 전극들중의 다른 전극의 한 라인에 접속된 제 1컨덕터와, 상기 화소 전극들중 한 전극에 접속되는 제 2 컨덕터 및, 상기 제 1 컨덕터와 제 2 컨덕터간에 형성되며 다른 성분과 Si 베이스 물질의 비정질 물질로 구성되는 비선형 저항층을 포함하고 있는 상기 제 2 기판을 구비한 전기 광학 장치를 제조하는 방법에 있어서, 비정질 물질은 상기 다른 성분을 함유하고 있는 가스와 실리콘 타게트를 이용하는 반응성 스퍼터링에 의해 증착되어지는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 다른 성분이 N, O 및 C 중 하나인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 실리콘의 타게트가 시릴콘 단결정, 실리콘 다결정 및 실리콘 산화물중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
  17. 제14항에 있어서, 상기 제 2 기판상에 있는 상기 행 및 열 전극들 중의 다른 전극과, 상기 화소 전극 및 비선형 저항 소자들 모두가 스퍼터링에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
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