JPH05119327A - 階調表示装置 - Google Patents
階調表示装置Info
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- JPH05119327A JPH05119327A JP28256891A JP28256891A JPH05119327A JP H05119327 A JPH05119327 A JP H05119327A JP 28256891 A JP28256891 A JP 28256891A JP 28256891 A JP28256891 A JP 28256891A JP H05119327 A JPH05119327 A JP H05119327A
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- Japan
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- ito
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、優れた階調表示法に基づく表示装
置を提案するものである。 【構成】 単位画素に印加された電圧を電気容量接続に
より、分割することにより階調を実現させる。
置を提案するものである。 【構成】 単位画素に印加された電圧を電気容量接続に
より、分割することにより階調を実現させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表示装置に関する。特
に階調表示可能な諧調表示装置に関する。
に階調表示可能な諧調表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】階調表示は、これからのマン・マシーン
・インターフェースとしては、是非必要となる技術であ
る。
・インターフェースとしては、是非必要となる技術であ
る。
【０００３】ところが、表示装置において、高品質表示
と、階調表示とは両立しにくいことが多い。例えば、次
世代の低価格、高品質表示への可能性を持つ、強誘電性
液晶を用いた界面安定化強誘電性液晶表示（ＳＳＦＬ
Ｃ）装置においてそうである。詳しくは「強誘電性液晶
の将来展望−ディスプレイへの応用を中心に−」、上村
強著、光技術コンタクト、VOL．28、No.1(1990)を参
照。
と、階調表示とは両立しにくいことが多い。例えば、次
世代の低価格、高品質表示への可能性を持つ、強誘電性
液晶を用いた界面安定化強誘電性液晶表示（ＳＳＦＬ
Ｃ）装置においてそうである。詳しくは「強誘電性液晶
の将来展望−ディスプレイへの応用を中心に−」、上村
強著、光技術コンタクト、VOL．28、No.1(1990)を参
照。
【０００４】液晶表示装置等の分野では、フレーム間引
き法等が使われいる。また、強誘電性液晶表示装置にお
いては、印加電圧の調整により、単一画素内での階調を
目指した試みもある。
き法等が使われいる。また、強誘電性液晶表示装置にお
いては、印加電圧の調整により、単一画素内での階調を
目指した試みもある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】フレーム間引き法にお
いては、通常の単純マトリクス液晶表示装置において
は、高速応答表示においてはフリッカーが目だつ等、こ
の方法だけでは高品質表示での階調への対応は難しい。
強誘電性液晶表示装置においては研究されている画素内
階調の試みも、表示装置の製作時の均一性をより厳しく
要求する事等、技術が確立されたとは言い難い。
いては、通常の単純マトリクス液晶表示装置において
は、高速応答表示においてはフリッカーが目だつ等、こ
の方法だけでは高品質表示での階調への対応は難しい。
強誘電性液晶表示装置においては研究されている画素内
階調の試みも、表示装置の製作時の均一性をより厳しく
要求する事等、技術が確立されたとは言い難い。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前述のような課題を解決
するために、本発明の諧調表示装置は、対向する電極基
板のうち、少なくとも一方の主面上において、各画素が
複数の副画素群に分割され、各画素毎に副画素が電気容
量的に接続されてなることを特徴とするものである。
するために、本発明の諧調表示装置は、対向する電極基
板のうち、少なくとも一方の主面上において、各画素が
複数の副画素群に分割され、各画素毎に副画素が電気容
量的に接続されてなることを特徴とするものである。
【０００７】更に、本発明は、副画素を接続する電気容
量の構成材料の一つが比誘電率が２０以上であることを
特徴とするものである。
量の構成材料の一つが比誘電率が２０以上であることを
特徴とするものである。
【０００８】なお、本発明は、強誘電性液晶を用いてな
るような表示装置において顕著な効果を発揮する。
るような表示装置において顕著な効果を発揮する。
【０００９】
【作用】本発明の本質を、強誘電性ＳＳＦＬＣ表示装置
に例をとって説明する。この手法自身は、他の液晶表示
装置、また更にはＥＬ等の表示装置にもあてはまる。従
って、本発明の範疇はほとんどすべての表示装置にわた
る。
に例をとって説明する。この手法自身は、他の液晶表示
装置、また更にはＥＬ等の表示装置にもあてはまる。従
って、本発明の範疇はほとんどすべての表示装置にわた
る。
【００１０】本発明は、単位画素にかかる電圧を電気的
容量により、分割しようとするものである。従って、単
位画素に印加された電圧波高値により、副画素群のう
ち、光学的にＯＮとなる副画素の数が調整される。
容量により、分割しようとするものである。従って、単
位画素に印加された電圧波高値により、副画素群のう
ち、光学的にＯＮとなる副画素の数が調整される。
【００１１】電気的容量素子は、光学的に透明な誘電体
及び透明電極から構成可能であり、表示装置としての光
の損失が少ないと想定される。
及び透明電極から構成可能であり、表示装置としての光
の損失が少ないと想定される。
【００１２】
【実施例】本発明を詳しく説明する。便宜上、強誘電性
液晶表示装置について具体的に説明する。
液晶表示装置について具体的に説明する。
【００１３】対向する電極基板のうち、少なくとも一方
の主面上において、各画素をｎ個の副画素群に分割し、
それぞれの副画素を、１番目、２番目、……、ｉ番目、
……、ｎ番目副画素とする。おのおのの１番目副画素は
走査側電圧を供給されるよう、または信号側電圧を供給
されるよう、電気的に直接、走査側端子、または信号側
端子に接続されている。
の主面上において、各画素をｎ個の副画素群に分割し、
それぞれの副画素を、１番目、２番目、……、ｉ番目、
……、ｎ番目副画素とする。おのおのの１番目副画素は
走査側電圧を供給されるよう、または信号側電圧を供給
されるよう、電気的に直接、走査側端子、または信号側
端子に接続されている。
【００１４】本発明を実施する第１の方法に関して、
（図１）を用いて説明する。同図は、本発明を実施した
片側基板を模式的に示すものであり、ｎ＝４の場合であ
る。同図において、ａは基板主面の平面図、ｂは平面図
におけるｕでの断面図であり、ｓは端子部、ｔは画素
（より、詳しくは単位画素）である。理解されるよう
に、単位画素は、本図では、４個の副画素に分解されて
いる。同図１はＩＴＯ（錫を添加した酸化インディウ
ム）電極、２は誘電体膜、３はガラス基板、４はＩＴＯ
（錫を添加した酸化インディウム）層、５は誘電体層で
ある。
（図１）を用いて説明する。同図は、本発明を実施した
片側基板を模式的に示すものであり、ｎ＝４の場合であ
る。同図において、ａは基板主面の平面図、ｂは平面図
におけるｕでの断面図であり、ｓは端子部、ｔは画素
（より、詳しくは単位画素）である。理解されるよう
に、単位画素は、本図では、４個の副画素に分解されて
いる。同図１はＩＴＯ（錫を添加した酸化インディウ
ム）電極、２は誘電体膜、３はガラス基板、４はＩＴＯ
（錫を添加した酸化インディウム）層、５は誘電体層で
ある。
【００１５】また、同図の範囲内においては、ＩＴＯ導
体、ＫとＬのみに走査電圧または信号電圧を印加され
る。他のＩＴＯ導体は電気容量により、分割された電圧
を受け取る。
体、ＫとＬのみに走査電圧または信号電圧を印加され
る。他のＩＴＯ導体は電気容量により、分割された電圧
を受け取る。
【００１６】すなわち同じ走査側端子、または信号側端
子に対応するｉ番目副画素同志を電気的導体で直接接続
し、このｉ番目電気的導体をパネル外まで導き出し、端
子部で、同じ走査側端子、又は信号側端子に対応する１
番目と２番目の電気的導体、……、ｉ番目とｉ＋１番目
の電気的導体、……、ｎ−１番目とｎ番目の電気的導体
とを電気的容量で（図１）の如く接続する。この電気的
容量は通常、マイクロファラッド程度の大きなものとな
る。この容量はＳＳＦＬＣ強誘電性液晶表示装置におい
ては、現実には比誘電率が少なくとも２０以上の物質で
構成することが必要である。なお、外部からの駆動電圧
は、１番目の電気的導体にのみ、供給される。
子に対応するｉ番目副画素同志を電気的導体で直接接続
し、このｉ番目電気的導体をパネル外まで導き出し、端
子部で、同じ走査側端子、又は信号側端子に対応する１
番目と２番目の電気的導体、……、ｉ番目とｉ＋１番目
の電気的導体、……、ｎ−１番目とｎ番目の電気的導体
とを電気的容量で（図１）の如く接続する。この電気的
容量は通常、マイクロファラッド程度の大きなものとな
る。この容量はＳＳＦＬＣ強誘電性液晶表示装置におい
ては、現実には比誘電率が少なくとも２０以上の物質で
構成することが必要である。なお、外部からの駆動電圧
は、１番目の電気的導体にのみ、供給される。
【００１７】本発明を実施する第２の方法に関して、
（図２）を用いて説明する。同図は、本発明を実施した
片側基板を模式的に示すものであり、ｎ＝４の場合であ
る。同図において、ａは基板主面の平面図、ｂは平面図
におけるｖでの断面図であり、ｗは画素（より、詳しく
は単位画素）である。本図では、単位画素は４個の副画
素からなっている。同図において、６はＩＴＯ電極、７
は誘電体膜、８はガラス基板、９、１０はＩＴＯ層、１
１は誘電体層である。
（図２）を用いて説明する。同図は、本発明を実施した
片側基板を模式的に示すものであり、ｎ＝４の場合であ
る。同図において、ａは基板主面の平面図、ｂは平面図
におけるｖでの断面図であり、ｗは画素（より、詳しく
は単位画素）である。本図では、単位画素は４個の副画
素からなっている。同図において、６はＩＴＯ電極、７
は誘電体膜、８はガラス基板、９、１０はＩＴＯ層、１
１は誘電体層である。
【００１８】また、同図の範囲内において、ＩＴＯ電
極、ＭとＮのみに、駆動電圧が供給される。他の副画素
には、電気的容量により分割された電圧が印加されるわ
けである。
極、ＭとＮのみに、駆動電圧が供給される。他の副画素
には、電気的容量により分割された電圧が印加されるわ
けである。
【００１９】すなわち、各画素において、１番目と２番
目の副画素、……、ｉ番目とｉ＋１番目の副画素、…
…、ｎ−１番目とｎ番目の副画素を電気的容量で（図
２）の如く接続する。この容量はＳＳＦＬＣ強誘電性液
晶表示装置においては、現実には比誘電率が少なくとも
２０以上の物質で構成することが必要である。なお、１
番目の副画素は、直接、電気的導体で連結され、この電
気的導体は端子部まで延長されている。これにより、外
部からの駆動電圧は、１番目の副画素すなわち電気的導
体にのみ、供給される。
目の副画素、……、ｉ番目とｉ＋１番目の副画素、…
…、ｎ−１番目とｎ番目の副画素を電気的容量で（図
２）の如く接続する。この容量はＳＳＦＬＣ強誘電性液
晶表示装置においては、現実には比誘電率が少なくとも
２０以上の物質で構成することが必要である。なお、１
番目の副画素は、直接、電気的導体で連結され、この電
気的導体は端子部まで延長されている。これにより、外
部からの駆動電圧は、１番目の副画素すなわち電気的導
体にのみ、供給される。
【００２０】以下、本発明の実施例を説明する。 （実施例１）本実施例は、（図２）の構成の基板に関す
る。（図３）の如く、ガラス基板を作製した。（図３）
は、画素近傍の断面を模式的に示している。同図におい
て、１２はガラス基板、１３はＩＴＯ層、１４は誘電体
層、１５はＩＴＯ層である。
る。（図３）の如く、ガラス基板を作製した。（図３）
は、画素近傍の断面を模式的に示している。同図におい
て、１２はガラス基板、１３はＩＴＯ層、１４は誘電体
層、１５はＩＴＯ層である。
【００２１】まず、（図３）（ａ）の如く、ＩＴＯ（錫
を添加した酸化インディウム）透明電極を微細加工し
て、副画素を容量的に接続するための、片側のＩＴＯ層
を得る。
を添加した酸化インディウム）透明電極を微細加工し
て、副画素を容量的に接続するための、片側のＩＴＯ層
を得る。
【００２２】次に、同図（ｂ）の如く、基板を加熱した
スパッター法でチタン酸鉛からなる約０．１５ミクロン
の誘電体膜を形成する。端子部（図３では、描かれてい
ない）のみ、チタン酸鉛膜が被覆されないように工夫す
る。このチタン酸鉛膜の比誘電率は約６０であった。
スパッター法でチタン酸鉛からなる約０．１５ミクロン
の誘電体膜を形成する。端子部（図３では、描かれてい
ない）のみ、チタン酸鉛膜が被覆されないように工夫す
る。このチタン酸鉛膜の比誘電率は約６０であった。
【００２３】更に、ＩＴＯ膜をスパッター法で形成、更
に通常の微細加工法により、同図（ｃ）を得た。すなわ
ち、副画素電極を得た。
に通常の微細加工法により、同図（ｃ）を得た。すなわ
ち、副画素電極を得た。
【００２４】次に、通常の方法で、ＳＳＦＬＣ強誘電性
液晶表示装置を作製した。リセットパルスのタイミング
を工夫し、パルス波高値の数を期待される階調数に応じ
て設定し、しかもおのおのパルス波高値の値も調整し
た。かくすることにより、期待される数の階調が得られ
た。しかも、副画素群のそれぞれの面積、電気的容量形
成の際の透明電極のオーバーラップの面積、パルス波高
値の高さの調整により、階調の線形性が確保された。
液晶表示装置を作製した。リセットパルスのタイミング
を工夫し、パルス波高値の数を期待される階調数に応じ
て設定し、しかもおのおのパルス波高値の値も調整し
た。かくすることにより、期待される数の階調が得られ
た。しかも、副画素群のそれぞれの面積、電気的容量形
成の際の透明電極のオーバーラップの面積、パルス波高
値の高さの調整により、階調の線形性が確保された。
【００２５】（実施例２）本実施例は、（図１）の構成
の基板に関する。（図４）の如く、ガラス基板を作製し
た（この場合は走査側基板である）。（図４）は、端子
部の断面を模式的に示している。同図において、１６は
ガラス基板、１７は第１ＩＴＯ層、１８は誘電体層、１
９は第２ＩＴＯ層である。
の基板に関する。（図４）の如く、ガラス基板を作製し
た（この場合は走査側基板である）。（図４）は、端子
部の断面を模式的に示している。同図において、１６は
ガラス基板、１７は第１ＩＴＯ層、１８は誘電体層、１
９は第２ＩＴＯ層である。
【００２６】まず、同図（ａ）の如く、ＩＴＯ透明電極
を微細加工して、各画素に副画素群を作り、しかも同一
走査ラインごとに、対応する画素をＩＴＯで連結し、し
かも連結したＩＴＯを端子部に相当する部分までも引き
出した構成とする。この場合のＩＴＯのシート抵抗は約
５オーム／□であった。次に、同図（ｂ）の如く、基板
を加熱したスパッター法でチタン酸鉛からなる約０．１
５ミクロンの誘電体膜を形成し、さらにフォトリソグラ
フィー法及びイオン・ビーム・エッチング法で微細加工
した。このチタン酸鉛膜の比誘電率は約６０であった。
更に、クロム−金の二層膜を電子ビーム蒸着法で形成
し、更に通常の微細加工法により、同図（ｃ）を得た。
を微細加工して、各画素に副画素群を作り、しかも同一
走査ラインごとに、対応する画素をＩＴＯで連結し、し
かも連結したＩＴＯを端子部に相当する部分までも引き
出した構成とする。この場合のＩＴＯのシート抵抗は約
５オーム／□であった。次に、同図（ｂ）の如く、基板
を加熱したスパッター法でチタン酸鉛からなる約０．１
５ミクロンの誘電体膜を形成し、さらにフォトリソグラ
フィー法及びイオン・ビーム・エッチング法で微細加工
した。このチタン酸鉛膜の比誘電率は約６０であった。
更に、クロム−金の二層膜を電子ビーム蒸着法で形成
し、更に通常の微細加工法により、同図（ｃ）を得た。
【００２７】次に、通常の方法で、ＳＳＦＬＣ強誘電性
液晶表示装置を作製した。リセットパルスのタイミング
を工夫し、パルス波高値の数を期待される階調数に応じ
て設定し、しかもおのおのパルス波高値の値も調整し
た。かくすることにより、期待される数の階調が得られ
た。しかも、副画素群のそれぞれの面積、電気的容量形
成の際の透明電極のオーバーラップの面積、パルス波高
値の高さの調整により、階調の線形性が確保された。
液晶表示装置を作製した。リセットパルスのタイミング
を工夫し、パルス波高値の数を期待される階調数に応じ
て設定し、しかもおのおのパルス波高値の値も調整し
た。かくすることにより、期待される数の階調が得られ
た。しかも、副画素群のそれぞれの面積、電気的容量形
成の際の透明電極のオーバーラップの面積、パルス波高
値の高さの調整により、階調の線形性が確保された。
【００２８】
【発明の効果】以上本発明は、階調表示を実現するに優
位性のある装置ないし方法を提案するものであり、産業
に貢献するところ大である。
位性のある装置ないし方法を提案するものであり、産業
に貢献するところ大である。
【図１】本発明の実施例に係る基板の構成平面図と構成
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る基板の構成平面図と構成
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の実施例を説明するための構成断面図で
ある。
ある。
【図４】本発明の実施例を説明するための構成断面図で
ある。
ある。
１ ＩＴＯ（錫を添加した酸化インディウム）電極 ２ 誘電体膜 ３ ガラス基板 ４ ＩＴＯ（錫を添加した酸化インディウム）層 ５ 誘電体層 ６ ＩＴＯ電極 ７ 誘電体膜 ８ ガラス基板 ９、１０ ＩＴＯ層 １１ 誘電体層 １２ ガラス基板 １３ ＩＴＯ層 １４ 誘電体層 １５ ＩＴＯ層 １６ ガラス基板 １７ 第１ＩＴＯ層 １８ 誘電体層 １９ 第２ＩＴＯ層
Claims (3)
- 【請求項１】 液晶を狭持した対向する電極基板のう
ち、少なくとも一方の主面上において、各画素が複数の
副画素群に分割され、各画素毎に副画素が電気容量的に
接続されてなることを特徴とする階調表示装置。 - 【請求項２】 副画素を接続する電気容量の構成材料の
一つが比誘電率が２０以上であることを特徴とする請求
項１記載の階調表示装置。 - 【請求項３】 液晶が強誘電性液晶であることを特徴と
する請求項２記載の階調表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28256891A JPH05119327A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 階調表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28256891A JPH05119327A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 階調表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05119327A true JPH05119327A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17654182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28256891A Pending JPH05119327A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 階調表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05119327A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0728091A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
| US5614924A (en) * | 1994-06-01 | 1997-03-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal display device and a driving method of effecting gradational display therefor |
-
1991
- 1991-10-29 JP JP28256891A patent/JPH05119327A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0728091A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
| US5614924A (en) * | 1994-06-01 | 1997-03-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal display device and a driving method of effecting gradational display therefor |
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