JP2755512B2 - アクティブマトリクス液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス液晶表示装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ（以
下では、ＴＦＴと称する）を用いたアクティブマトリク
ス液晶表示装置に関する。
下では、ＴＦＴと称する）を用いたアクティブマトリク
ス液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８に従来のアクティブマトリクス液晶
表示装置の断面図を示す。図６はこの表示装置に用いら
れるアクティブマトリクス基板１５０の平面図であり、
図７は対向基板１６０の平面図である。アクティブマト
リクス基板１５０では、ガラス等からなる第１の絶縁性
基板１０１上に、ＴＦＴ１０２及び絵素電極１０３がマ
トリクス状に設けられている。図６に示すように、ＴＦ
Ｔ１０２には走査信号を供給するゲートバス配線１１４
及び映像信号を供給するソースバス配線１１５が接続さ
れている。図８に示すように、更にこの基板１０１上の
全面には保護膜としてのパッシベーション膜が設けら
れ、そのパッシベーション膜の上には通常ポリイミド膜
からなる配向膜１０４が形成されている。この配向膜１
０４はラビング法によって配向処理が施されている。
表示装置の断面図を示す。図６はこの表示装置に用いら
れるアクティブマトリクス基板１５０の平面図であり、
図７は対向基板１６０の平面図である。アクティブマト
リクス基板１５０では、ガラス等からなる第１の絶縁性
基板１０１上に、ＴＦＴ１０２及び絵素電極１０３がマ
トリクス状に設けられている。図６に示すように、ＴＦ
Ｔ１０２には走査信号を供給するゲートバス配線１１４
及び映像信号を供給するソースバス配線１１５が接続さ
れている。図８に示すように、更にこの基板１０１上の
全面には保護膜としてのパッシベーション膜が設けら
れ、そのパッシベーション膜の上には通常ポリイミド膜
からなる配向膜１０４が形成されている。この配向膜１
０４はラビング法によって配向処理が施されている。
【０００３】対向基板１６０では、ガラス等からなる第
２の絶縁性基板１０５上に、クロム膜をスパッタリング
法で成膜し、図７に斜線で示した形状にパターニングし
て遮光膜１２０が形成されている。遮光膜１２０は上記
アクティブマトリクス基板１５０からの漏れ光を遮断す
る機能を果たす。
２の絶縁性基板１０５上に、クロム膜をスパッタリング
法で成膜し、図７に斜線で示した形状にパターニングし
て遮光膜１２０が形成されている。遮光膜１２０は上記
アクティブマトリクス基板１５０からの漏れ光を遮断す
る機能を果たす。
【０００４】上記遮光膜１２０には、開口部１２１が開
口し、この開口部１２１が有効表示部となる。そして、
該遮光膜１２０上に、さらに透明電極からなる対向電極
１０６がほぼ全面に形成され、対向電極１０６上には、
配向処理が施された配向膜１０７が形成されている。ア
クティブマトリクス基板１５０及び対向基板１６０の間
には、スペーサとしてプラスチックビーズ１０９が挟ま
れ、これらの基板１５０及び１６０の間隔を一定に保っ
ている。また、アクティブマトリクス基板１５０及び対
向基板１６０の間には、液晶層１１０がシール樹脂１０
８によって封入されている。
口し、この開口部１２１が有効表示部となる。そして、
該遮光膜１２０上に、さらに透明電極からなる対向電極
１０６がほぼ全面に形成され、対向電極１０６上には、
配向処理が施された配向膜１０７が形成されている。ア
クティブマトリクス基板１５０及び対向基板１６０の間
には、スペーサとしてプラスチックビーズ１０９が挟ま
れ、これらの基板１５０及び１６０の間隔を一定に保っ
ている。また、アクティブマトリクス基板１５０及び対
向基板１６０の間には、液晶層１１０がシール樹脂１０
８によって封入されている。
【０００５】このアクティブマトリクス液晶表示装置に
は、図８における絵素電極１０３と対向電極１０６との
間には、液晶層１１０及び配向膜１０４、１０７が存在
し、これらによってコンデンサが形成されている。該コ
ンデンサの一方の電極は絵素電極１０３であり、他方は
対向電極１０６である。図６を参照して、絵素電極１０
３にはＴＦＴ１０２のドレイン電極が接続されている。
ＴＦＴ１０２のソース電極には、ソースバス配線１１５
が接続されている。ゲートバス配線１１４、ソースバス
配線１１５は、それぞれシール樹脂１０８の外側で電極
端子に接続されている。
は、図８における絵素電極１０３と対向電極１０６との
間には、液晶層１１０及び配向膜１０４、１０７が存在
し、これらによってコンデンサが形成されている。該コ
ンデンサの一方の電極は絵素電極１０３であり、他方は
対向電極１０６である。図６を参照して、絵素電極１０
３にはＴＦＴ１０２のドレイン電極が接続されている。
ＴＦＴ１０２のソース電極には、ソースバス配線１１５
が接続されている。ゲートバス配線１１４、ソースバス
配線１１５は、それぞれシール樹脂１０８の外側で電極
端子に接続されている。
【０００６】図８のアクティブマトリクス液晶表示装置
を駆動するためには、図６中における最上段のゲートバ
ス配線１１４から順次走査パルス信号を入力し、ゲート
バス配線１１４に接続されたそれぞれのＴＦＴ１０２を
オン状態とする。この走査パルス信号に同期して、ソー
スバス配線１１５から映像信号を入力すると、各絵素電
極１０３と対向電極１０６とに電圧が印加され、液晶層
１１０内の液晶分子の配向変化が起こり、表示が行われ
る。
を駆動するためには、図６中における最上段のゲートバ
ス配線１１４から順次走査パルス信号を入力し、ゲート
バス配線１１４に接続されたそれぞれのＴＦＴ１０２を
オン状態とする。この走査パルス信号に同期して、ソー
スバス配線１１５から映像信号を入力すると、各絵素電
極１０３と対向電極１０６とに電圧が印加され、液晶層
１１０内の液晶分子の配向変化が起こり、表示が行われ
る。
【０００７】図８のアクティブマトリクス液晶表示装置
では、電圧を印加しないときには、図９に示すように、
液晶層１１０の液晶分子１３０は一定方向に分子軸を向
けて配向している。本明細書中では、液晶層１１０の誘
電率異方性が正の場合を例として説明する。この場合で
は、電圧が無印加のときには液晶分子１３０の分子軸は
絵素電極１０３の表面に対してプレティルト角θをもっ
て配向する。一方、電圧印加時には液晶分子１３０の分
子軸は絵素電極１０３の表面に対して略垂直に配向状態
を変える。なお、上記誘電率異方性が負の場合には、液
晶分子１３０の分子軸の方向は、電圧が印加されたとき
と印加されないときとで逆になるが、液晶分子１３０は
同様に配向状態を変える。上記プレティルト角θは、電
圧印加時に液晶分子１３０の配向変化の方向を同一にし
て、均質な表示を行うために設定される。
では、電圧を印加しないときには、図９に示すように、
液晶層１１０の液晶分子１３０は一定方向に分子軸を向
けて配向している。本明細書中では、液晶層１１０の誘
電率異方性が正の場合を例として説明する。この場合で
は、電圧が無印加のときには液晶分子１３０の分子軸は
絵素電極１０３の表面に対してプレティルト角θをもっ
て配向する。一方、電圧印加時には液晶分子１３０の分
子軸は絵素電極１０３の表面に対して略垂直に配向状態
を変える。なお、上記誘電率異方性が負の場合には、液
晶分子１３０の分子軸の方向は、電圧が印加されたとき
と印加されないときとで逆になるが、液晶分子１３０は
同様に配向状態を変える。上記プレティルト角θは、電
圧印加時に液晶分子１３０の配向変化の方向を同一にし
て、均質な表示を行うために設定される。
【０００８】従来のアクティブマトリクス液晶表示装置
では、液晶層１１０の電界は絵素電極１０３と対向電極
１０６との間に発生し、図１０（Ａ）に示すように、絵
素電極１０３の端部において電気力線１３２に歪みが発
生し易い。このような電気力線１３２の歪みによって、
図１０（Ｂ）に示すように、液晶分子１３０は絵素電極
１０３の端部で上記プレティルト角θの方向とは逆向き
に配向するリバースティルトが生じ、図１０（Ｂ）の矢
印１３３に示す位置において、上記リバースティルトに
よりディスクリネーションが発生する。このディスクリ
ネーションが発生すると、その部分では液晶分子１３０
による光制御が正常に行われず、コントラストが低下す
る等して表示品位が損なわれるという難点である。
では、液晶層１１０の電界は絵素電極１０３と対向電極
１０６との間に発生し、図１０（Ａ）に示すように、絵
素電極１０３の端部において電気力線１３２に歪みが発
生し易い。このような電気力線１３２の歪みによって、
図１０（Ｂ）に示すように、液晶分子１３０は絵素電極
１０３の端部で上記プレティルト角θの方向とは逆向き
に配向するリバースティルトが生じ、図１０（Ｂ）の矢
印１３３に示す位置において、上記リバースティルトに
よりディスクリネーションが発生する。このディスクリ
ネーションが発生すると、その部分では液晶分子１３０
による光制御が正常に行われず、コントラストが低下す
る等して表示品位が損なわれるという難点である。
【０００９】そこで、かかる難点を解消すべく、本願出
願人は、図１１及び図１２に示すようにアクティブマト
リクス基板上の絵素電極２１７と、ソースバス配線２２
０及びゲートバス配線２０２との間に、該絵素電極２１
７を包囲するようにガード電極２２１を設けた表示装置
を先に提案している（特願平３−８８０８８号）。図１
１は上記ガード電極を有する提案のアクティブマトリク
ス液晶表示装置の平面図を示し、図１２はその表示装置
の断面図を示す。
願人は、図１１及び図１２に示すようにアクティブマト
リクス基板上の絵素電極２１７と、ソースバス配線２２
０及びゲートバス配線２０２との間に、該絵素電極２１
７を包囲するようにガード電極２２１を設けた表示装置
を先に提案している（特願平３−８８０８８号）。図１
１は上記ガード電極を有する提案のアクティブマトリク
ス液晶表示装置の平面図を示し、図１２はその表示装置
の断面図を示す。
【００１０】この表示装置においては、絵素電極２１７
の周辺部に絶縁膜２１９を形成し、その絶縁膜２１９の
上にガード電極２２１を形成している。絵素電極２１７
の周辺部における電界は、信号線としてのソースバス配
線２２０の電位の影響、即ちソースバス配線２２０から
絵素電極２１７に向かう電界２３４による影響を受け
る。このため、絵素電極２１７の端部における電気力線
が基板に対して垂直な望ましい形から歪んで、電気力線
２３３に示すように基板に平行な横方向成分が現れる。
そこで、ガード電極２２１の電位を、ソースバス配線２
２０の電位の影響で現れる電気力線２３３の横方向成分
とは逆方向の横方向成分が現れる電位に設定することに
より、ソースバス配線２２０の電位とガード電極２２１
の電位それぞれが絵素電極２１７の端部における電気力
線２３３に対する電界２３４の影響を打ち消す。このた
め、絵素電極上の液晶層部分に形成される電気力線を基
板に対して垂直な理想的な形に近くすることが可能とな
り、有効表示部におけるディスクリネーションの発生を
抑制することができる。
の周辺部に絶縁膜２１９を形成し、その絶縁膜２１９の
上にガード電極２２１を形成している。絵素電極２１７
の周辺部における電界は、信号線としてのソースバス配
線２２０の電位の影響、即ちソースバス配線２２０から
絵素電極２１７に向かう電界２３４による影響を受け
る。このため、絵素電極２１７の端部における電気力線
が基板に対して垂直な望ましい形から歪んで、電気力線
２３３に示すように基板に平行な横方向成分が現れる。
そこで、ガード電極２２１の電位を、ソースバス配線２
２０の電位の影響で現れる電気力線２３３の横方向成分
とは逆方向の横方向成分が現れる電位に設定することに
より、ソースバス配線２２０の電位とガード電極２２１
の電位それぞれが絵素電極２１７の端部における電気力
線２３３に対する電界２３４の影響を打ち消す。このた
め、絵素電極上の液晶層部分に形成される電気力線を基
板に対して垂直な理想的な形に近くすることが可能とな
り、有効表示部におけるディスクリネーションの発生を
抑制することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、提案の
表示装置にあっては、ガード電極が一体的に形成されて
いてほぼ同一電位となっているため、ソースバス配線と
ゲートバス配線との一方からの電界が絵素の中心に向か
う方向に生じ、他方からの電界が絵素の外側に向かう方
向に生じ、つまり前記一方の配線が電気力線の絵素の中
心に向かう横方向成分を絵素電極上の液晶層部分に出現
させるような電位にある場合には、以下の理由によりソ
ースバス配線とゲートバス配線のどちらか片方に対して
しか有効に寄与できなくなるという問題点があった。
表示装置にあっては、ガード電極が一体的に形成されて
いてほぼ同一電位となっているため、ソースバス配線と
ゲートバス配線との一方からの電界が絵素の中心に向か
う方向に生じ、他方からの電界が絵素の外側に向かう方
向に生じ、つまり前記一方の配線が電気力線の絵素の中
心に向かう横方向成分を絵素電極上の液晶層部分に出現
させるような電位にある場合には、以下の理由によりソ
ースバス配線とゲートバス配線のどちらか片方に対して
しか有効に寄与できなくなるという問題点があった。
【００１２】その理由は、例えば絵素電極２１７の電位
を−４Ｖ、ソースバス配線２２０の電位を＋６Ｖ、ゲー
トバス配線２０２の電位を−１０Ｖとしたとき、ガード
電極２２１の電位を−１Ｖに設定すると、ゲートバス配
線２０２の近傍の絵素電極部分の上に形成される電気力
線２３２は基板に対して垂直に近くなるが、ソースバス
配線２２０の近傍の絵素電極部分上に形成される電気力
線２３３は歪んだままとなり、このためにディスクリネ
ーションの発生を完全には防止できないからである。
を−４Ｖ、ソースバス配線２２０の電位を＋６Ｖ、ゲー
トバス配線２０２の電位を−１０Ｖとしたとき、ガード
電極２２１の電位を−１Ｖに設定すると、ゲートバス配
線２０２の近傍の絵素電極部分の上に形成される電気力
線２３２は基板に対して垂直に近くなるが、ソースバス
配線２２０の近傍の絵素電極部分上に形成される電気力
線２３３は歪んだままとなり、このためにディスクリネ
ーションの発生を完全には防止できないからである。
【００１３】本発明はこのような課題を解決すべくなさ
れたものであり、信号線の近傍の絵素電極部分と走査線
の近傍の絵素電極部分との両方の部分においてリバース
ティルトによるディスクリネーションの発生を防止で
き、表示品位の高いアクティブマトリクス液晶表示装置
を提供することを目的とする。
れたものであり、信号線の近傍の絵素電極部分と走査線
の近傍の絵素電極部分との両方の部分においてリバース
ティルトによるディスクリネーションの発生を防止で
き、表示品位の高いアクティブマトリクス液晶表示装置
を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス液晶表示装置は、対向する一対の絶縁性基板の内
面にそれぞれ形成した配向膜の間に液晶層が挟まれ、該
一対の基板のいずれか一方の基板の内面にマトリクス状
に絵素電極が配列されていると共に、該絵素電極の周囲
を通って信号線及び走査線が配線されたアクティブマト
リクス液晶表示装置において、該絵素電極の周辺を通
り、かつ該信号線に沿って信号線用ガード電極配線が形
成されると共に、該絵素電極の周辺を通り、かつ該走査
線に沿って走査線用ガード電極配線が形成され、該信号
線用ガード電極配線と該走査線用ガード電極配線とが、
両ガード電極配線間を相互に絶縁した状態でそれぞれ外
部電極端子に接続され、両ガード電極配線に独立して電
位が与えられる構成になっており、そのことにより上記
目的を達成することができる。
リクス液晶表示装置は、対向する一対の絶縁性基板の内
面にそれぞれ形成した配向膜の間に液晶層が挟まれ、該
一対の基板のいずれか一方の基板の内面にマトリクス状
に絵素電極が配列されていると共に、該絵素電極の周囲
を通って信号線及び走査線が配線されたアクティブマト
リクス液晶表示装置において、該絵素電極の周辺を通
り、かつ該信号線に沿って信号線用ガード電極配線が形
成されると共に、該絵素電極の周辺を通り、かつ該走査
線に沿って走査線用ガード電極配線が形成され、該信号
線用ガード電極配線と該走査線用ガード電極配線とが、
両ガード電極配線間を相互に絶縁した状態でそれぞれ外
部電極端子に接続され、両ガード電極配線に独立して電
位が与えられる構成になっており、そのことにより上記
目的を達成することができる。
【００１５】
【作用】本発明にあっては、絵素電極の周辺を通り、か
つ信号線に沿って信号線用ガード電極配線が形成される
と共に、絵素電極の周辺を通り、かつ走査線に沿って走
査線用ガード電極配線が形成され、該信号線用ガード電
極配線と該走査線用ガード電極配線とが、両ガード電極
配線間を相互に絶縁された状態で存在する。このため、
信号線と走査線のいずれか一方の電位が絵素電極電位よ
り低く、絵素電極から外側に向く電界の横方向成分が生
じ、他方の電位が絵素電極電位より高く、絵素電極の内
側に向く電界の横方向成分が生じる場合であっても、信
号線と走査線のそれぞれに対して、絵素電極上の液晶層
部分の電界に及ぼす影響を最も効果的に軽減できる電位
を両ガード電極配線に独立して与えることが可能とな
る。
つ信号線に沿って信号線用ガード電極配線が形成される
と共に、絵素電極の周辺を通り、かつ走査線に沿って走
査線用ガード電極配線が形成され、該信号線用ガード電
極配線と該走査線用ガード電極配線とが、両ガード電極
配線間を相互に絶縁された状態で存在する。このため、
信号線と走査線のいずれか一方の電位が絵素電極電位よ
り低く、絵素電極から外側に向く電界の横方向成分が生
じ、他方の電位が絵素電極電位より高く、絵素電極の内
側に向く電界の横方向成分が生じる場合であっても、信
号線と走査線のそれぞれに対して、絵素電極上の液晶層
部分の電界に及ぼす影響を最も効果的に軽減できる電位
を両ガード電極配線に独立して与えることが可能とな
る。
【００１６】
【実施例】本発明の実施例について以下に説明する。
【００１７】図１は本実施例の表示装置を構成するアク
ティブマトリクス基板の平面図であり、図２（Ａ）〜
（Ｃ）は該アクティブマトリクス基板の製造工程を示す
平面図、図３（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ図２（Ａ）〜
（Ｃ）のIII〜III線に沿った断面図、図３（Ｄ）は図１
のIII〜III線に沿った断面図である。本実施例のアクテ
ィブマトリクス液晶表示装置を製造工程に従って説明す
る。
ティブマトリクス基板の平面図であり、図２（Ａ）〜
（Ｃ）は該アクティブマトリクス基板の製造工程を示す
平面図、図３（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ図２（Ａ）〜
（Ｃ）のIII〜III線に沿った断面図、図３（Ｄ）は図１
のIII〜III線に沿った断面図である。本実施例のアクテ
ィブマトリクス液晶表示装置を製造工程に従って説明す
る。
【００１８】図３（Ａ）に示すように、ガラス基板１０
上にスパッタリング法によりＴａ金属薄膜を形成した。
このＴａ金属薄膜を、フォトリソグラフィ法により、図
２（Ａ）に示すゲートバス配線２、ゲートバス支線２
ａ、ゲートガード電極配線３の形状にパターニングし
た。ゲートバス支線２ａの先端部が後に形成されるＴＦ
Ｔ１（図１参照）のゲート電極として機能する。
上にスパッタリング法によりＴａ金属薄膜を形成した。
このＴａ金属薄膜を、フォトリソグラフィ法により、図
２（Ａ）に示すゲートバス配線２、ゲートバス支線２
ａ、ゲートガード電極配線３の形状にパターニングし
た。ゲートバス支線２ａの先端部が後に形成されるＴＦ
Ｔ１（図１参照）のゲート電極として機能する。
【００１９】次に、この基板上の全面に、窒化シリコン
膜、ノンドープアモルファスシリコン膜、ｎ+型アモル
ファスシリコン膜を順次プラズマＣＶＤ法により形成し
た。この窒化シリコン膜が図３（Ｂ）のゲート絶縁膜１
２になる。このノンドープアモルファスシリコン膜、及
びｎ+型アモルファスシリコン膜のパターニングを行
い、図２（Ｂ）に示すようにゲートバス支線２ａの先端
部に、半導体層１３及びコンタクト層１４を形成した。
膜、ノンドープアモルファスシリコン膜、ｎ+型アモル
ファスシリコン膜を順次プラズマＣＶＤ法により形成し
た。この窒化シリコン膜が図３（Ｂ）のゲート絶縁膜１
２になる。このノンドープアモルファスシリコン膜、及
びｎ+型アモルファスシリコン膜のパターニングを行
い、図２（Ｂ）に示すようにゲートバス支線２ａの先端
部に、半導体層１３及びコンタクト層１４を形成した。
【００２０】次に、この基板上の全面Ｔｉ金属薄膜を形
成した。この金属薄膜のパターニングを行い、図３
（Ｃ）に示す形状のソース電極１５、ドレイン電極１
６、ソースバス配線２０及びソースガード電極配線２１
を形成した。このとき、コンタクト層１４の中央部もエ
ッチング除去され、ソース電極１５の下方の部分と、ド
レイン電極１６の下方の部分とに分割される。以上によ
り、ＴＦＴ１が完成する。
成した。この金属薄膜のパターニングを行い、図３
（Ｃ）に示す形状のソース電極１５、ドレイン電極１
６、ソースバス配線２０及びソースガード電極配線２１
を形成した。このとき、コンタクト層１４の中央部もエ
ッチング除去され、ソース電極１５の下方の部分と、ド
レイン電極１６の下方の部分とに分割される。以上によ
り、ＴＦＴ１が完成する。
【００２１】次に、この基板上の全面に窒化シリコン膜
をプラズマＣＶＤ法によって形成し、パターニングを行
って、図３（Ｄ）に示すようにＴＦＴ１上に保護膜１８
を形成した。この保護膜は材質としてポリイミドを使用
してもよい。この場合には、スピンナーでポリイミドを
塗布し、その後、焼成パターニングを行う。
をプラズマＣＶＤ法によって形成し、パターニングを行
って、図３（Ｄ）に示すようにＴＦＴ１上に保護膜１８
を形成した。この保護膜は材質としてポリイミドを使用
してもよい。この場合には、スピンナーでポリイミドを
塗布し、その後、焼成パターニングを行う。
【００２２】次に、この基板上の全面にＩＴＯ膜を形成
してパターニングを行って、図１に示す形状の絵素電極
１７を形成し、さらに配向膜２４（図４参照）を形成す
る。これにより、アクティブマトリクス基板３０が完成
する。図４は図１のIV−IV線に沿った断面図である。
してパターニングを行って、図１に示す形状の絵素電極
１７を形成し、さらに配向膜２４（図４参照）を形成す
る。これにより、アクティブマトリクス基板３０が完成
する。図４は図１のIV−IV線に沿った断面図である。
【００２３】一方、上記アクティブマトリクス基板３０
と組み合わせられる対向基板４０は、図４に示すよう
に、ガラス基板４１上に遮光膜４４、透明な対向電極４
２および配向膜４３を、基板４１側からこの順に有して
いる。配向膜４３にはラビング処理が施されている。こ
のラビング処理は上記両基板３０、４０の配向膜２４、
４３の双方に施される。該ラビング処理は両基板３０、
４０の間に封入される液晶層５０の液晶分子のプレティ
ルト角を設定するためになされるものである。
と組み合わせられる対向基板４０は、図４に示すよう
に、ガラス基板４１上に遮光膜４４、透明な対向電極４
２および配向膜４３を、基板４１側からこの順に有して
いる。配向膜４３にはラビング処理が施されている。こ
のラビング処理は上記両基板３０、４０の配向膜２４、
４３の双方に施される。該ラビング処理は両基板３０、
４０の間に封入される液晶層５０の液晶分子のプレティ
ルト角を設定するためになされるものである。
【００２４】以上のようにして作成されたアクティブマ
トリクス基板３０及び対向基板４０は、両基板３０、４
０の間に液晶層５０を封入した状態で、図５のように貼
り合わされる。これにより本実施例のアクティブマトリ
クス液晶表示装置が完成される。このとき、ゲートガー
ド電極３、ソースガード電極２１、ソースバス配線２０
及びゲートバス配線２は、それぞれ液晶層５０を封入す
るためのシール樹脂よりも外側に配設された外部電極端
子３１に個別に接続されている。
トリクス基板３０及び対向基板４０は、両基板３０、４
０の間に液晶層５０を封入した状態で、図５のように貼
り合わされる。これにより本実施例のアクティブマトリ
クス液晶表示装置が完成される。このとき、ゲートガー
ド電極３、ソースガード電極２１、ソースバス配線２０
及びゲートバス配線２は、それぞれ液晶層５０を封入す
るためのシール樹脂よりも外側に配設された外部電極端
子３１に個別に接続されている。
【００２５】したがって、この構成のアクティブマトリ
クス液晶表示装置においては、例えば絵素電極の電位を
−４Ｖ、ゲートバス配線電位を−１０Ｖ、ソースバス配
線電位を＋２Ｖ、対向電極の電位を０Ｖとしたとき、ゲ
ートガード電極の電位を−１Ｖ、ソースガード電極の電
位を−７Ｖとすると、ゲートガード電極の電位が絵素電
極上の液晶層部分の電界に与える影響と、ゲートバス配
線の電位が絵素電極上の液晶層部分の電界に与える影響
とがそれぞれ打ち消され合う。一方、ソースガード電極
の電位が絵素電極上の液晶層部分の電界に与える影響
と、ソースバス配線の電位が絵素電極上の液晶層部分の
電界に与える影響とがそれぞれ打ち消され合う。これに
より前述の従来例の場合に生じていた、図１２の電気力
線２３３のような歪みが小さくなり、図４に示すように
電気力線が基板に対してほぼ垂直な理想的な形の電位力
線６０に近くなり、液晶分子のリバースティルトが防止
される。このため、絵素電極よりも小さく、可及的に絵
素電極の大きさに近付けることが望まれる有効表示部に
おいては、良好な表示品位が得られる。
クス液晶表示装置においては、例えば絵素電極の電位を
−４Ｖ、ゲートバス配線電位を−１０Ｖ、ソースバス配
線電位を＋２Ｖ、対向電極の電位を０Ｖとしたとき、ゲ
ートガード電極の電位を−１Ｖ、ソースガード電極の電
位を−７Ｖとすると、ゲートガード電極の電位が絵素電
極上の液晶層部分の電界に与える影響と、ゲートバス配
線の電位が絵素電極上の液晶層部分の電界に与える影響
とがそれぞれ打ち消され合う。一方、ソースガード電極
の電位が絵素電極上の液晶層部分の電界に与える影響
と、ソースバス配線の電位が絵素電極上の液晶層部分の
電界に与える影響とがそれぞれ打ち消され合う。これに
より前述の従来例の場合に生じていた、図１２の電気力
線２３３のような歪みが小さくなり、図４に示すように
電気力線が基板に対してほぼ垂直な理想的な形の電位力
線６０に近くなり、液晶分子のリバースティルトが防止
される。このため、絵素電極よりも小さく、可及的に絵
素電極の大きさに近付けることが望まれる有効表示部に
おいては、良好な表示品位が得られる。
【００２６】
【発明の効果】本発明による場合には、絵素電極上の液
晶層部分においてリバースティルトが起こるのを防い
で、有効表示部にディスクリネーションが発生するのを
防止することが可能となる。従って、コントラストが良
好で、高い表示品位を有するアクティブマトリクス液晶
表示装置を提供できる。
晶層部分においてリバースティルトが起こるのを防い
で、有効表示部にディスクリネーションが発生するのを
防止することが可能となる。従って、コントラストが良
好で、高い表示品位を有するアクティブマトリクス液晶
表示装置を提供できる。
【図１】本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置の
一実施例に用いられるアクティブマトリクス基板の平面
図である。
一実施例に用いられるアクティブマトリクス基板の平面
図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は図１のアクティブマトリクス
基板の製造工程を示す平面図である。
基板の製造工程を示す平面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｄ）は同製造工程を示す断面図であ
る。
る。
【図４】本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置の
電気力線の方向を示す断面図である。
電気力線の方向を示す断面図である。
【図５】アクティブマトリクス基板と対向基板の貼り合
わせの様子を示す図である。
わせの様子を示す図である。
【図６】従来のアクティブマトリクス基板を示す平面図
である。
である。
【図７】従来の対向基板の平面図である。
【図８】従来のアクティブマトリクス液晶表示装置の断
面図である。
面図である。
【図９】従来のアクティブマトリクス液晶表示装置にお
ける液晶分子の配向方向を示す断面図である。
ける液晶分子の配向方向を示す断面図である。
【図１０】（Ａ）は従来のアクティブマトリクス液晶表
示装置における電気力線の方向を示す断面図、（Ｂ）は
ディスクリネーションが有効表示部上に発生した状態を
示す断面図である。
示装置における電気力線の方向を示す断面図、（Ｂ）は
ディスクリネーションが有効表示部上に発生した状態を
示す断面図である。
【図１１】本願出願人が先に提案したアクティブマトリ
クス液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の
平面図である。
クス液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の
平面図である。
【図１２】図１１のアクティブマトリクス液晶表示装置
の電気力線の方向を示す断面図である。
の電気力線の方向を示す断面図である。
１ ＴＦＴ ２ ゲートバス配線 ３ ゲートガード電極配線 ２０ ソースバス電極配線 ２１ ソースガード電極配線 １０、４１ ガラス基板 １７ 絵素電極 ３０ アクティブマトリクス基板 ３１ 外部電極端子 ４０ 対向基板 ４２ 対向電極 ５０ 液晶層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−137823（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−6532（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−196020（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−198030（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−319920（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/136 500
Claims (1)
- 【請求項１】 対向する一対の絶縁性基板の内面にそれ
ぞれ形成した配向膜の間に液晶層が挟まれ、該一対の基
板のいずれか一方の基板の内面にマトリクス状に絵素電
極が配列されていると共に、該絵素電極の周囲を通って
信号線及び走査線が配線されたアクティブマトリクス液
晶表示装置において、 該絵素電極の周辺を通り、かつ該信号線に沿って信号線
用ガード電極配線が形成されると共に、該絵素電極の周
辺を通り、かつ該走査線に沿って走査線用ガード電極配
線が形成され、該信号線用ガード電極配線と該走査線用
ガード電極配線とが、両ガード電極配線間を相互に絶縁
した状態でそれぞれ外部電極端子に接続され、両ガード
電極配線に独立して電位が与えられる構成となしたアク
ティブマトリクス液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1669092A JP2755512B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1669092A JP2755512B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05210114A JPH05210114A (ja) | 1993-08-20 |
| JP2755512B2 true JP2755512B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=11923305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1669092A Expired - Lifetime JP2755512B2 (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2755512B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6157428A (en) * | 1997-05-07 | 2000-12-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| JPH11109391A (ja) | 1997-10-01 | 1999-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP3398025B2 (ja) | 1997-10-01 | 2003-04-21 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP1669092A patent/JP2755512B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05210114A (ja) | 1993-08-20 |
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