JPS63118126A - 液晶パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はアクティブマトリクス型液晶パネルの製造方
法に関するもので、特に、画素領域と画素領域との間に
不要な光を遮光するため設ける遮光層の形成方法に関す
るものである。

（従来の技術） 走査電極と信号電極とを共に多数有し、これら両電極の
交差領域に多数のスイッチング素子及び画素電極を有す
る第一基板と、対向電極を有する第二基板との間に液晶
を存するアクティブマトリクス型液晶表示装置（以下、
表示装置と略称することもある。）は、高精細な画像を
表示出来る装置の一つとして知られている。

このような表示装置の視認性を向上させるため、画素領
域と画素領域との間（画素領域間と略称することもある
。）に遮光層を設けることが行なわれている。

このような遮光層を有する液晶表示装置としては、例え
ば実開昭６０−１７２１３１号公報に開示されているカ
ラー表示用液晶装置がある。以下、カラー液晶表示装置
を例に挙げて、遮光層につき説明する。

アクティブマトリクス型であって、　ＴＮ　（ツィステ
ッドネマティック）方式やＧＨ（ゲストホスト）方式の
光シャッタと、カラーフィルタとを組合せたカラー表示
用液晶パネルの場合は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青
）のカラーフィルタ間（各画素間）に遮光層が設けられ
ている。

上述の公報によれば、第二基板上に設けられたカラーフ
ィルタ間に遮光層を設け、カラーフィルタ及び遮光層上
に対向電極（共通電極）が設けられている。

このような遮光層は、以下に述べるような種々の方法で
形成されていた。

一例としては、真空蒸着法或いはスパッタリング法によ
って第二基板上に金属薄膜を形成し、この金属薄膜のう
ちの画素領域になる部分をフォトリソエツチング技術等
の好適な方法で除去し、この金属薄膜の残存した部分に
よって遮光層を構成していた。

他の形成方法としては、第二基板上の画素領域間に相当
する部分に、遮光性を有する物質を印刷する方法がある
。印刷法の具体例としてはオフセット印刷が用いられて
いた。

さらに他の例としては、第二基板上の画素領域間に相当
する部分に、遮光性を有する染料を塗布する染色法があ
った。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、真空装置を用いて遮光層を形成する従来
の方法は、真空装置が高価であること、さらには、真空
装置の排気能力や処理能力等の制約から製造工程が長く
なること等の理由で、液晶パネルのコストを高めてしま
うという問題点があった。

又、印刷法による従来の遮光層の形成方法の場合は、バ
ターニング錆度を高くすることが出来ないという問題点
があった。さらに、液晶に悪ｆｉ２’ｆｆを与えること
なく、かつ、高い遮光性を存する印刷材料がないため、
一般に、遮光性が低いという問題点かあフだ。

又、染色法の場合は、染料の層数が増えるため、これに
よって、基板上に凹凸が生し、例えば後工程で行なわれ
る配向処理に支障を来すというような問題点があった。

この発明の目的は、上述した問題点を解決し、遮光層の
形成を容易に行なうことによって生産性に優れた液晶パ
ネルの製造方法を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明の液晶パ・ネルの
製造方法によれば、無電界メッキによって対向電極上の
画素領域と画素領域との間の領域に遮光層を形成するこ
とを特徴とする。

（作用） このような方法によれば５真空装置より安価な無電界メ
ッキ装置で遮光層用の金属薄膜が得られる。又、金属薄
膜であるため、薄い膜厚で所望とする遮光性が得られる
。

さらに、対向電極を下地とし、この上に無電界メッキで
遮光層を形成するから、この遮光層は下地との密着性に
優れる。

（実施例） 以下、図面を参照して、この発明の液晶パネルの製造方
法の実施例につき説明する。尚、これら図はこの発明が
理解できる程度に概略的に示しであるにすぎず、各構成
成分の寸法、形状及び配置関係は図示例に限定されるも
のではない。

ところで、この発明は、液晶パネルの画素領域間での不
要な光を遮光するための遮光層の形成方法についてなさ
れたものである。従って、液晶パネルの製造工程中の遮
光層形成工程以外の工程は、以下の実施例に限定される
ものではなく通常の液晶パネル製造で用いられる種々の
方法を利用出来ること明らかである。

第１図（Ａ）〜（Ｇ）は遮光層形成工程の概略を示す工
程図である。

スパッタリング法等の好適な方法によって、ガラス基板
ＩＩ上に、対向電極形成用のＩＴＯ膜１３を形成する（
第１図（Ａ））。

フォトリソエツチング技術を用い、このＩＴＯ膜１３を
所定形状にバターニングし、対向電極１５を形成する（
第１図（Ｂ））。

次に、対向電極１５を具えるガラス基板１１に対し、無
電界メッキのための前処理を行なう。この面処理をこの
実施例の場合、以下のように行なう。対向型４４１５を
具えるガラス基板１１を塩化スズの水溶液と、塩化パラ
ジウムの水溶液とに交互に浸し、その後、水洗し、その
後乾燥させる。この処理によって、対向電極上にのみ無
電界メッキの触媒になるパラジウムが付与される。

次に、対向電極１５を含むガラス基板１１にレジストを
塗布しレジスト層１７を形成する（第１図（Ｃ））。こ
のレジストの塗布を例えばスピンコード法で行なうこと
が出来る。

次に、フォトリソエツチング技術を用い、このレジスト
層Ｉ７の画素領域以外に該当する部分を除去する（第１
図（Ｄ）。尚、この画素領域の形状は設計に応し種々の
形状にすることが出来るが、この画素領域が例えば四角
形状の場合、対向電極１５が基盤の升目状に露出される
ことになる。

次に、このガラス基板１１に対し無電界メッキを施す。

この実施例の場合、一般に、密着性が良好と云われてい
るニッケル系無電界メッキを採用した。しかしながら、
利用出来る無電界メッキは、ニッケル系に限定されるも
のでないこと明らかである。

画素領域にレジストを残存させたレジストパターン＋７
ａを有する基板１１を、Ｎ１−Ｐにッケルーリン）の無
電界メッキ浴に浸す。この際、レジストパターン１７ａ
で覆われていない対向電極表面のみに、遮光層１９とし
てのＮ１−Ｐが析出する（第１図（Ｅ））。この実施例
の場合、遮光層１９（Ｎｉ−Ｐ）の膜厚が約４０００人
になるまで無電界メッキを行なった。これによフて得た
遮光層は充分な遮光性を有するものであった。しかしな
がら、この遮光層１９の膜厚については、液晶パネルの
設計に応じ変更出来ること明らかである。

又、カラー用液晶パネルを構成するような場合であれば
、遮光層１９の膜厚をカラーフィルタの膜厚と実質的に
等しいＷ；１．厚にして、ガラス基板Ｉ１１の凹凸の発
生を防止することも出来る。

次に、レジストパターン＋７ａを例えば有機溶剤によっ
て除去する（第１図（Ｆ））。

続いて、液晶パネルがカラー用のものの場合には、レジ
ストパターン１７ａを除去した跡の画素領域に、従来の
方法例えば印刷法や、染色法によって所定の色のカラー
フィルタ２１を形成して第二基板２３を得る（第１図（
Ｇ））。又、カラー用でない場合はこのままこの基板を
第二基板とする。

以下、第２図を参照して、上述の如く形成した第二基板
２３と、別工程で形成されＴＰＴ（薄膜トランジスタ）
或いはＭ　Ｉ　Ｍ　（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ
Ｍｅｔａｌ　）等のスイッチング素子のアレイを有する
第一基板とを用いて、液晶パネルを形成する工程につき
簡単に説明する。第２図は、この発明に係る液晶パネル
を示す断面図である。第２図において、３１は第一基板
を示す。又、３３はＴＰＴを、３５は画素Ｔｉ極をそれ
ぞれ示す。

先ず、第一基板３１及び第二基板２３に対し、ＴＮまた
はＧＨ等から選択した表示方式に応じた好適な配向処理
を行なう。この実施例ではＴＮ方式を採用したため、第
一基板３１及び第二基板２３のそれぞれが対向する各面
にポリイミドの薄１１１２３７をそれぞれ形成し、この
ポリイミド薄膜３７をラビングすることで配向処理を行
なった。

次に、スペーサを混入させた接着剤をシール剤３９とし
、銀糸の導電性接着剤を電極転移材４１とし、スクリー
ン印刷法によって、第−又は第二基板の所定位置にシー
ル材３９及び電極転移材４１をそれぞれ印刷する。

続いて、第−及び第二基板３１．２３を貼り合わせシー
ル材３９を硬化させた後、第−及び第二基板間の空隙に
液晶を注入して、液晶パネルを得ることが出来る。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明の液晶パ
ネルの製造方法によれば、無電界メッキによって遮光層
用の金属薄膜を形成している。

従って、真空装置を用いて金属薄膜を形成する場合より
も、安い装置でかつ短時間に遮光層用金属薄膜を得るこ
とが出来る。

こｈがため、遮光層の形成が容易になり、よって、視認
性の良い液晶パネルを生産性良く製造出来る方法を提供
することが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）〜（Ｇ）は、この発明の液晶パネルの製造
方法における、遮光層の形成工程を示す製造工程図、 第２図は、この発明の液晶パネルの製造方法に係る液晶
パネルを示す断面図である。 １１−・・ガーｙス基板、　　　　＋３・Ｉ　Ｔ　Ｏ膜
Ｉ５・・・対向電極、　　　　　１７・・・レジスト層
＋７ａ・・・レジストパターン １９・・・遮光層（無電界メッキＮ１−Ｐ）２１・・・
カラーフィルタ、　２３・・・第二基板３１・・・第一
基板、　　　　３３・・・薄膜トランジスタ３５・・・
画素電極、　　　　３７・・・ポリイミド薄膜３９・・
・シール剤、　　　　４１−・・電極転移材。 特許出願人　　　沖電気工業株式会社 ３ｆ：’１４−基状 Ｊｊ、溝様トランジスタ ５ｆ：′ＪＬＪ書し電極 ＋７：　汀・０りづミド薄膜 ３ｑ、シールｆ’１ ４１゛瀾７を転特序２ 求ｉハ０λルの勾゛面呂 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 アクティブマトリクス型液晶パネルを製造するに当り、 無電界メッキによって対向電極上の画素領域と画素領域
   との間の領域に遮光層を形成することを特徴とする液晶
   パネルの製造方法。