JP2815246B2 - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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Description
LCDと略称)の製造方法に係り、特に、S−TNタイ
プのドツトマトリクス型LCDのように透明電極がフア
インピツチに形成されているLCDにおける電極基板の
製造方法に関する。
製造する従来技術は、概ね次のとおりである。
明導電膜を蒸着やスパツタ等の手法を用いて形成し、こ
の透明導電膜上にホトレジスト層を塗布形成してから、
80〜110℃に温度設定して溶媒を除去するためのプ
リベークを行う。次いで、ホトレジスト層を所定のパタ
ーン形状となすべく露光・現像し、薬品で洗浄してパタ
ーン領域以外のホトレジスト層を除去する。さらに、残
存するホトレジスト層を熱硬化させるべく120℃程度
でポストベークしてから、このホトレジスト層にマスク
されていない透明導電膜をエツチング処理して、所望の
パターン形状の透明導電膜、つまり透明電極を得る。な
お、これら一連の工程はホトエツチング技術と称され
る。そして、透明電極上のホトレジスト層を剥離した
後、ポリイミド等からなる配向膜を塗布形成して各透明
電極を被覆し、この配向膜の表面をラビング布で所定方
向にこするというラビング配向処理を行つて、電極基板
を完成する。こうして得た電極基板は、シール材を介し
て一対組み合わされ、微小ギヤツプを存して対向配置さ
れる両電極基板間に液晶を封入して液晶セルとなる。
型LCDは、解像度を高めるために透明電極のピツチが
ますます狭められる傾向にあるが、上述した従来技術に
おいて透明電極のパターンがフアインピツチに形成され
ると、隣接する透明電極間にリバースドメインが発生し
やすくなり、表示品位を損なう要因となつていた。これ
は、図2に示すように、ガラス基板1上にパターニング
されている透明電極2が断面視長方形状であつて、そこ
に塗布される配向膜3も同様の形状となることから、隣
接する透明電極2,2の間隔が狭くなると同図のA部に
ラビング布(図示せず)が当接しにくくなり、その結
果、配向不良を招来するためと考えられる。
報に開示されているように、所定のパターン形状の透明
電極を形成した後、その基板をエツチング液に浸漬する
ことにより、各透明電極の角部を除去するという手法が
提案されている。このようにして各透明電極の断面視形
状に丸みを持たせてやると、透明電極を被覆して塗布形
成される配向膜の凹凸がなだらかになるので、透明電極
のパターンがフアインピツチの場合にも配向膜に対する
ラビング配向処理にむらが生じにくくなり、配向不良が
回避できる。
た従来提案は、各透明電極の角部を除去するためにエツ
チング液に浸漬するという工程を付加しなければならな
いので、工程数増加による生産性の劣化やコストアツプ
を余儀なくされるという不具合があつた。
上記従来技術の課題を解消し、工程数を増やさずに各透
明電極の断面視形状に丸みを持たせて配向不良が回避で
きるLCDの製造方法を提供することにある。
は、透明導電膜上にホトレジスト層を形成してプリベー
ク、露光・現像を行つた後のポストベーク工程で、その
温度を50〜90℃に設定することによつて達成され
る。
を行うとホトレジスト層と透明導電膜との密着性がさほ
ど強くならないので、ホトレジスト層にマスクされてい
ない透明導電膜を除去するというその後のエツチング工
程で、ホトレジスト層にマスクされている透明導電膜の
角部が除去されるサイドエツチングが行われ、結果とし
て各透明電極の断面視形状が丸みを帯びる。
る。
リクス型LCDの電極基板の製造工程図であつて、ま
ず、同図(a)に示すように、ガラス基板5上に蒸着や
スパツタ等の手法を用いてITO等からなる透明導電膜
6を形成する。なお、図示はしていないが実際にはガラ
ス基板5と透明導電膜6との間に、ガラス中のNa成分
の溶出を防止するためのアンダーコート層が介設され
る。次いで、同図(b)に示すように、透明導電膜6上
にホトレジスト層7を塗布形成し、80〜110℃に温
度設定して溶媒を除去するためのプリベークを行う。こ
の後、ホトレジスト層7を所定のパターン形状となすべ
く露光・現像し、薬品で洗浄してパターン領域以外のホ
トレジスト層7を除去することにより、同図(c)に示
すように、ドツトマトリクス型LCDの電極パターン形
状に対応させた複数条のホトレジスト層7を残存させ
る。そして、残存するホトレジスト層7を熱硬化させる
べくポストベークを行うが、そのときの温度は従来(約
120℃)よりも低い80℃に設定しておき、ポストベ
ーク後にエツチング処理して、ホトレジスト層7にマス
クされていない透明導電膜6を除去することにより、同
図(d)に示すように、透明導電膜6をパターニングし
てなる透明電極8を得る。このエツチング工程では、ポ
ストベーク工程での温度が低くホトレジスト層7と透明
導電膜6との密着性がさほど強くないことから、ホトレ
ジスト層7にマスクされていない透明導電膜6が除去さ
れるのみならず、ホトレジスト層7にマスクされている
透明導電膜6の角部も除去(サイドエツチング)され、
その結果図示の如く、各透明電極8の断面視形状は丸み
を帯びたものとなる。この後、同図(e)に示すよう
に、透明電極8上のホトレジスト層7を剥離し、次いで
同図(f)に示すように、ポリイミド等からなる配向膜
9を塗布形成して各透明電極8を被覆し、しかる後、こ
の配向膜9の表面をラビング布(図示せず)を用いて配
向処理し、電極基板を完成する。
ベーク温度を低く設定することで透明電極8の断面視形
状に丸みを持たせてあるので、透明電極8のパターンが
フアインピツチに形成された場合にも配向膜9の凹凸が
なだらかになり、配向膜9に対するラビング配向処理に
むらが生じにくくなつて配向不良が回避できる。しか
も、透明電極8の断面視形状に丸みを帯びさせるために
特別な工程を付加する必要がないので、生産性の劣化や
コストアツプの心配もない。
80℃に設定してあるが、本発明者らが種々実験したと
ころによると、ポストベーク温度が50℃よりも低いと
エツチング精度が劣化してしまい、逆にポストベーク温
度が90℃よりも高いとリバースドメインが発生しやす
くなることが確認された。したがつて、ポストベーク温
度は50〜90℃に設定することが望ましい。
形成時のポストベーク工程の温度を低く設定することに
より、その後のエツチング工程で透明電極がサイドエツ
チングされるようにし、その結果として各透明電極を被
覆する配向膜の凹凸をなだらかにするというものなの
で、透明電極のパターンがフアインピツチに形成された
場合にもラビング配向処理にむらが生じにくくなつて配
向不良が回避でき、しかも工程数の増加を伴わないので
生産性を劣化させずコストアツプの心配もない。
造工程図である。
断面図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 パターニングされて透明電極となる透明
導電膜を基板上に形成し、該透明導電膜上にホトレジス
ト層を形成した後、プリベークして溶媒を除去し、次い
で、露光・現像してパターン領域以外の上記ホトレジス
ト層を除去し、さらに、ポストベークして熱硬化させて
から、該ホトレジスト層にマスクされていない上記透明
導電膜をエツチング処理にて除去して透明電極を形成
し、該透明電極上の上記ホトレジスト層を剥離した後、
該透明電極を配向膜にて被覆して配向処理することによ
り電極基板が製造される液晶表示素子において、透明電
極形成時の上記ポストベーク工程の温度を50〜90℃
に設定したことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10827291A JP2815246B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10827291A JP2815246B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04316022A JPH04316022A (ja) | 1992-11-06 |
JP2815246B2 true JP2815246B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=14480444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10827291A Expired - Lifetime JP2815246B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2815246B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6449024B1 (en) | 1996-01-26 | 2002-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Inc. | Liquid crystal electro-optical device utilizing a polymer with an anisotropic refractive index |
KR20000039794A (ko) | 1998-12-16 | 2000-07-05 | 김영환 | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법 |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP10827291A patent/JP2815246B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04316022A (ja) | 1992-11-06 |
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