JPH03167525A - 電極基板の製造方法 - Google Patents
電極基板の製造方法Info
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- JPH03167525A JPH03167525A JP1306505A JP30650589A JPH03167525A JP H03167525 A JPH03167525 A JP H03167525A JP 1306505 A JP1306505 A JP 1306505A JP 30650589 A JP30650589 A JP 30650589A JP H03167525 A JPH03167525 A JP H03167525A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、液晶表示装置に使用して好適な電極基板の製
造方法に関する。
造方法に関する。
（従来の技術）
近年、液晶表示装置はワードプロセッサやテレビなどの
表示器として幅広く利用されている。
表示器として幅広く利用されている。
これらの液晶表示装置においては、大表示容量や高精細
化などの高品位表示が要求され、電極の細線化が益々進
んでいる。
化などの高品位表示が要求され、電極の細線化が益々進
んでいる。
電極の細線化は、電極の配線抵抗を増大させ、駆動波形
の歪み或いは時定数の増加を招き、表示に悪影響を及ぼ
す。この問題を解決するには、抵抗値の低い金属を透光
性電極に沿って設けるのが効果的である。しかし、抵抗
値の低い金属を透光性電極に沿って設けるには、スパッ
タリングによる金属層の形成、フォトレジスト層の形成
、フォトレジスト層の露光・現像、金属層のエッチング
、フォトレジスト層の剥離という各工程が必要となる。
の歪み或いは時定数の増加を招き、表示に悪影響を及ぼ
す。この問題を解決するには、抵抗値の低い金属を透光
性電極に沿って設けるのが効果的である。しかし、抵抗
値の低い金属を透光性電極に沿って設けるには、スパッ
タリングによる金属層の形成、フォトレジスト層の形成
、フォトレジスト層の露光・現像、金属層のエッチング
、フォトレジスト層の剥離という各工程が必要となる。
一方、コントラスト比の向上を目的として、非画素部に
遮光部が設けられるようになってきている。この遮光部
は透光性電極を形成する前に、クロムなどの遮光材で、
上述の抵抗値の低い金属を設けるのと同様のプロセスを
経て作られる。
遮光部が設けられるようになってきている。この遮光部
は透光性電極を形成する前に、クロムなどの遮光材で、
上述の抵抗値の低い金属を設けるのと同様のプロセスを
経て作られる。
（発明が解決しようとする課８）
高品位表示を実現するには、電極の配線抵抗の低減化と
遮光部の形成が不可欠であるが、従来の方法では製造工
程数が多く、製造コストが高くなるという問題があった
。
遮光部の形成が不可欠であるが、従来の方法では製造工
程数が多く、製造コストが高くなるという問題があった
。
そこで、本発明は、これらの問題を解決し、製造工程数
の大幅な増加をもたらすことなく、電極の配線抵抗を低
減でき、かつ遮光部の形成が容易に実現できる電極基板
の製造方法を提供することを目的とする。
の大幅な増加をもたらすことなく、電極の配線抵抗を低
減でき、かつ遮光部の形成が容易に実現できる電極基板
の製造方法を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
請求項一記載の発明は、基板の表面に遮光性導電層を形
成する工程と、前記遮光性導電層上に所定形状の樹脂層
を形成する工程と、前記樹脂層で覆われていない部分の
前記遮光性導電層を除去する工程と、前記基板表面の法
線方向に対し斜め方向から透光性導電材料を付着し透光
性導電層を形成する工程と、前記樹脂層及び樹脂層上の
透光性導電層を除去する工程とを備えた電極基板の製造
方法である。
成する工程と、前記遮光性導電層上に所定形状の樹脂層
を形成する工程と、前記樹脂層で覆われていない部分の
前記遮光性導電層を除去する工程と、前記基板表面の法
線方向に対し斜め方向から透光性導電材料を付着し透光
性導電層を形成する工程と、前記樹脂層及び樹脂層上の
透光性導電層を除去する工程とを備えた電極基板の製造
方法である。
請求項二記載の発明は、基板の表面に透光性導電層を形
成する工程と、前記透光性導電層上に所定形状の樹脂層
を形成する工程と、前記樹脂層で覆われていない部分の
前記透光性導電層を除去する工程と、前記基板表面の法
線方向に対し斜め方向から遮光性導電材料を付着し遮光
性導電層を形成する工程と、前記樹脂層及び樹脂層上の
遮光性導電層を除去する工程とを備えた電極基板の製造
方法である。
成する工程と、前記透光性導電層上に所定形状の樹脂層
を形成する工程と、前記樹脂層で覆われていない部分の
前記透光性導電層を除去する工程と、前記基板表面の法
線方向に対し斜め方向から遮光性導電材料を付着し遮光
性導電層を形成する工程と、前記樹脂層及び樹脂層上の
遮光性導電層を除去する工程とを備えた電極基板の製造
方法である。
（作 用）
本発明の電極基板の製造方法によれば、所定形状の遮光
性電極（或いは透光性電極）を形成する際に用いたエッ
チングマスク（樹脂層）を除去することなくそのまま利
用し、基板に対して斜め方法から透光性導電材（或いは
遮光性導電材）を付着させる。
性電極（或いは透光性電極）を形成する際に用いたエッ
チングマスク（樹脂層）を除去することなくそのまま利
用し、基板に対して斜め方法から透光性導電材（或いは
遮光性導電材）を付着させる。
これにより、エッチングマスクの影になっている部分で
は透光性導電材（或いは遮光性導電材〉は付着せず、エ
ッチングマスクの影になった部分で電極分離がなされた
透光性電極（遮光性電極）が形成される。また影になら
ない部分では遮光性電極（或いは透光性電極）に沿って
、かつ遮光性電極（或いは透光性電極）と電気的に接続
した透光性電極（或いは遮光性電極材）が形成される。
は透光性導電材（或いは遮光性導電材〉は付着せず、エ
ッチングマスクの影になった部分で電極分離がなされた
透光性電極（遮光性電極）が形成される。また影になら
ない部分では遮光性電極（或いは透光性電極）に沿って
、かつ遮光性電極（或いは透光性電極）と電気的に接続
した透光性電極（或いは遮光性電極材）が形成される。
この結果、隣接する透光性電極間を短絡させることなく
抵抗値の低い電極が得られる。なお、遮光性電極は透光
性電極の抵抗を下げ、かつ遮光部として機能する。
抵抗値の低い電極が得られる。なお、遮光性電極は透光
性電極の抵抗を下げ、かつ遮光部として機能する。
従って、本発明によれば、遮光性電極と透光性電極のい
ずれか一方を形成する際には、フォトレジスト膜の形成
、露光・現像、エッチングというプロセスを省略するこ
とができる。
ずれか一方を形成する際には、フォトレジスト膜の形成
、露光・現像、エッチングというプロセスを省略するこ
とができる。
（実施例１）
まず、第１図ａに示すように、基板１の上に遮光性導電
層２としてクロム（２ｘ１０−５Ω００＋）をスパッタ
リング法により、 ６００オングストロームの厚さに形
威した。そして、その上にボジ形フォトレジストとして
ＯＦＰＲ−８００（東京応化工業製）を塗布し、８０℃
にて３０分間焼成し、厚さ２μｍの樹脂層３を形成した
。
層２としてクロム（２ｘ１０−５Ω００＋）をスパッタ
リング法により、 ６００オングストロームの厚さに形
威した。そして、その上にボジ形フォトレジストとして
ＯＦＰＲ−８００（東京応化工業製）を塗布し、８０℃
にて３０分間焼成し、厚さ２μｍの樹脂層３を形成した
。
次に、樹脂層３を帯状パターンに露光・現像した後、樹
脂層３をマスクとして、遮光性導電層２をエッチングし
た。エッチング剤として硝酸第２セリウム・アンモニウ
ム１７ｇと過塩素酸５ｃｃを水１００ｃｃｌ：溶解した
水溶液を用いた。この状態を第１図ｂに示す。ここで得
られる遮光性導電層２と樹脂層３の帯状パターンは、線
幅は約１５μｍ１線間ピッチは３５０μｍである。
脂層３をマスクとして、遮光性導電層２をエッチングし
た。エッチング剤として硝酸第２セリウム・アンモニウ
ム１７ｇと過塩素酸５ｃｃを水１００ｃｃｌ：溶解した
水溶液を用いた。この状態を第１図ｂに示す。ここで得
られる遮光性導電層２と樹脂層３の帯状パターンは、線
幅は約１５μｍ１線間ピッチは３５０μｍである。
次に、第１図Ｃに示すように、樹脂層３が遮光性導電層
２を覆っている状態で、電極基板法線に対し斜め４５″
の方向６からＩ Ｔ Ｏ （Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏ
ｘｉｄｅ ： ５ Ｘ １ ０−’Ωｃｍ）を２０００
オングストロームの厚さに蒸着し、透光性導電層５を形
成した。
２を覆っている状態で、電極基板法線に対し斜め４５″
の方向６からＩ Ｔ Ｏ （Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏ
ｘｉｄｅ ： ５ Ｘ １ ０−’Ωｃｍ）を２０００
オングストロームの厚さに蒸着し、透光性導電層５を形
成した。
この時、蒸着方向は樹脂層３の影７ができるように設定
した。この結果、高さ２．６μｍの遮光性導電層２と樹
脂層３との積層体に沿って、それらの影になる部分で幅
約２〜３μｍにはＩＴＯは付着せず、また影とならない
部分ではＩＴＯ膜からなる透光性導電層５が形成され、
透光性導電層５は遮光性導電層２と電気的に接続をとる
ことができた。
した。この結果、高さ２．６μｍの遮光性導電層２と樹
脂層３との積層体に沿って、それらの影になる部分で幅
約２〜３μｍにはＩＴＯは付着せず、また影とならない
部分ではＩＴＯ膜からなる透光性導電層５が形成され、
透光性導電層５は遮光性導電層２と電気的に接続をとる
ことができた。
この後、樹脂層３を剥離して、第１図ｄに示すように、
透光性電極８とブラックマトリクス部を兼ねる遮光性電
極９とを有する電極基板を得た。
透光性電極８とブラックマトリクス部を兼ねる遮光性電
極９とを有する電極基板を得た。
なお、透光性導電層のパリは、樹脂層３の剥離の際の洗
浄により除去された。
浄により除去された。
以上の製造方法により作製した電極基板２枚を用い、第
２図に示すように、表面にそれぞれポリイミド樹脂を印
刷し、ラビングして配向層１４を形成した。これらの電
極基板を約８μｍの間隔で対向させ、周辺部をシール材
１９で封止し、液晶組成物１１としてＺＬＩ−２２９３
（メルク製〉を封入し、液晶の捩じれ角が２４０°の
スーバツイスト形の単純マトリクス形液晶セル１２を作
製した。なお、液晶セルの大きさは２１０ｍＩＩＩＸ
１［ｆＯｍｍ、ドット数は８４０Ｘ ４００とした。
２図に示すように、表面にそれぞれポリイミド樹脂を印
刷し、ラビングして配向層１４を形成した。これらの電
極基板を約８μｍの間隔で対向させ、周辺部をシール材
１９で封止し、液晶組成物１１としてＺＬＩ−２２９３
（メルク製〉を封入し、液晶の捩じれ角が２４０°の
スーバツイスト形の単純マトリクス形液晶セル１２を作
製した。なお、液晶セルの大きさは２１０ｍＩＩＩＸ
１［ｆＯｍｍ、ドット数は８４０Ｘ ４００とした。
この岐晶セル１２の両側に偏光板１３を配置した。なお
、図中参照番号１５はバックライトである。液晶セル１
２をデューティ比１ ／４００ ，バイアス比１／２１
の時分割駆動して表示させたところ、オン／オフ時のコ
ントラスト比は２２：１であった。また、電極間の短絡
も見られず、表示むらのない良好な表示であった。
、図中参照番号１５はバックライトである。液晶セル１
２をデューティ比１ ／４００ ，バイアス比１／２１
の時分割駆動して表示させたところ、オン／オフ時のコ
ントラスト比は２２：１であった。また、電極間の短絡
も見られず、表示むらのない良好な表示であった。
（比較例１）
実施例１において、電極基板を、透光性電極のみが形成
してあるものに変えて液晶セルを作製した。実施例１と
同様に駆動したところ、コントラスト比は８：１であっ
た。しかも一部にクロストーク等の表示むらが見られた
。
してあるものに変えて液晶セルを作製した。実施例１と
同様に駆動したところ、コントラスト比は８：１であっ
た。しかも一部にクロストーク等の表示むらが見られた
。
（実施例２）
実施例１において、基板１を、カラーフィルタ付き基板
に変えて所定の透光性電極及び遮光性電極を形成した電
極基板を得た。実施例１と同様にして液晶セルを作り、
実施例１と同様に駆動したところ、コントラスト比は４
０：１と高かった。
に変えて所定の透光性電極及び遮光性電極を形成した電
極基板を得た。実施例１と同様にして液晶セルを作り、
実施例１と同様に駆動したところ、コントラスト比は４
０：１と高かった。
また電極の断線及び電極間の短絡も見られず、表示むら
のない良好な表示であった。
のない良好な表示であった。
（比較例２）
実施例２において、電極として透光性電極のみが形成し
てあるものに変えて液晶セルを作製した。実施例１と同
様に駆動したところ、コントラスト比は１２：１であっ
た。一部には色むら等の表示むらが見られ、また電極の
断線も見られた。
てあるものに変えて液晶セルを作製した。実施例１と同
様に駆動したところ、コントラスト比は１２：１であっ
た。一部には色むら等の表示むらが見られ、また電極の
断線も見られた。
（実施例３）
第３図に示すように、基板１の上にＩＴＯを２０００オ
ングストロームの厚さに蒸着し、透光性導電層５を形成
し、その上にレジストを約３μｍの厚さに塗り、露光・
現像し、樹脂層３を形成した。
ングストロームの厚さに蒸着し、透光性導電層５を形成
し、その上にレジストを約３μｍの厚さに塗り、露光・
現像し、樹脂層３を形成した。
この後樹脂層３をエッチングマスクとして透光性導電層
５をエッチングして多数の平行な帯状パターンを形成し
た。なお、帯状パターンは線幅２４０μｍ１線間ピッチ
２８０μｍとした。次に、基板法線に対し斜め４５″の
方向からクロムを約５００オングストロームの厚さに蒸
着し遮光性導電層２を形成した。
５をエッチングして多数の平行な帯状パターンを形成し
た。なお、帯状パターンは線幅２４０μｍ１線間ピッチ
２８０μｍとした。次に、基板法線に対し斜め４５″の
方向からクロムを約５００オングストロームの厚さに蒸
着し遮光性導電層２を形成した。
これにより、ＩＴＯ５と樹脂層３の積層体に沿ってそれ
らの影となる部分で幅約３〜５μｍにはクロムが付着せ
ず、また影とならない部分ではクロムが付着し、クロム
とＩＴＯとが電気的に接続された。この後樹脂層３を剥
離し、電極基板を得た。
らの影となる部分で幅約３〜５μｍにはクロムが付着せ
ず、また影とならない部分ではクロムが付着し、クロム
とＩＴＯとが電気的に接続された。この後樹脂層３を剥
離し、電極基板を得た。
この電極基板を用いて、実施例１と同様にして液晶表示
器を作製し、動作させたところ、コントラスト比は２０
；１で、７Ｊｆ極間の短絡も見られず、表示むらもない
良好な表示が得られた。
器を作製し、動作させたところ、コントラスト比は２０
；１で、７Ｊｆ極間の短絡も見られず、表示むらもない
良好な表示が得られた。
［発明の効果］
以上のように、本発明によれば、従来技術に比べ製造工
程数を大幅に増加させることなく、電極の配線抵抗を低
威し、かつブラックマトリクス部を設けた電極基板を安
価に得ることができる。
程数を大幅に増加させることなく、電極の配線抵抗を低
威し、かつブラックマトリクス部を設けた電極基板を安
価に得ることができる。
第１図ａ乃至ｄは本発明による電極基板の製遣工程を説
明する断面図、第２図は本発明により得られた電極基板
を用いた液晶表示装置の断面図、第３図は他の実施例を
説明する図である。
明する断面図、第２図は本発明により得られた電極基板
を用いた液晶表示装置の断面図、第３図は他の実施例を
説明する図である。
Claims (2)
- （１）基板の表面に遮光性導電層を形成する工程と、前
記遮光性導電層上に所定形状の樹脂層を形成する工程と
、前記樹脂層で覆われていない部分の前記遮光性導電層
を除去する工程と、前記基板表面の法線方向に対し斜め
方向から透光性導電材料を付着し透光性導電層を形成す
る工程と、前記樹脂層及び樹脂層上の前記透光性導電層
を除去する工程とを備えた電極基板の製造方法。 - （２）基板の表面に透光性導電層を形成する工程と、前
記透光性導電層上に所定形状の樹脂層を形成する工程と
、前記樹脂層で覆われていない部分の前記透光性導電層
を除去する工程と、前記基板表面の法線方向に対し斜め
方向から遮光性導電材料を付着し遮光性導電層を形成す
る工程と、前記樹脂層及び樹脂層上の前記遮光性導電層
を除去する工程とを備えた電極基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1306505A JPH03167525A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 電極基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1306505A JPH03167525A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 電極基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03167525A true JPH03167525A (ja) | 1991-07-19 |
Family
ID=17957835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1306505A Pending JPH03167525A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 電極基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03167525A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009063696A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JP2013190502A (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 横電界方式のｌｃｄ表示パネル用のカラーフィルタ形成基板および横電界方式のｌｃｄ表示パネル |
-
1989
- 1989-11-28 JP JP1306505A patent/JPH03167525A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009063696A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JP2013190502A (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 横電界方式のｌｃｄ表示パネル用のカラーフィルタ形成基板および横電界方式のｌｃｄ表示パネル |
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