JPH0496020A - 液晶表示素子用基板、その製造方法および液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子用基板、その製造方法および液晶表示素子Info
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- JPH0496020A JPH0496020A JP21162290A JP21162290A JPH0496020A JP H0496020 A JPH0496020 A JP H0496020A JP 21162290 A JP21162290 A JP 21162290A JP 21162290 A JP21162290 A JP 21162290A JP H0496020 A JPH0496020 A JP H0496020A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
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- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、液晶表示素子用基板、その製造方法およびそ
れを使用した液晶表示素子に関し、特に画素間に遮光層
を有する液晶表示素子のパターン形成方法に関する。
れを使用した液晶表示素子に関し、特に画素間に遮光層
を有する液晶表示素子のパターン形成方法に関する。
［従来の技術］
近年、液晶表示素子においては、高精細、高コントラス
ト、大画面化が進んでおり、これに伴ない、基板上の透
明電極パターンに沿って金属電極配線を設けることによ
る配線抵抗の低下や、画素間に遮光層を設けることによ
りコントラストを向上させることが必要とされている。
ト、大画面化が進んでおり、これに伴ない、基板上の透
明電極パターンに沿って金属電極配線を設けることによ
る配線抵抗の低下や、画素間に遮光層を設けることによ
りコントラストを向上させることが必要とされている。
この様な対策を図った従来技術として、例えば基板上に
透明電極となる透明導電被膜を成膜し、次に該透明導電
被膜上に金属電極となる金属被膜を成膜した後、前記２
層をパターニングして透明電極のパターンを形成した後
、その上に感光性着色樹脂を塗布し、透明電極上に積層
されている金属被膜をマスクとして基板裏面より露光、
現像して透明電極のパターンの画素間に感光性着色樹脂
からなる遮光層を形成し、その後、金属電極をパターニ
ングする方法が知られており、透明電極として、酸化イ
ンジウム（ＩＴＯ） 、金属電極として、モリブデン（
Ｍｏ）、 ＩＴＯのエツチング液として、Ｍｏを腐食し
ないヨウ化水素酸（ＨＩ）が使用されている。
透明電極となる透明導電被膜を成膜し、次に該透明導電
被膜上に金属電極となる金属被膜を成膜した後、前記２
層をパターニングして透明電極のパターンを形成した後
、その上に感光性着色樹脂を塗布し、透明電極上に積層
されている金属被膜をマスクとして基板裏面より露光、
現像して透明電極のパターンの画素間に感光性着色樹脂
からなる遮光層を形成し、その後、金属電極をパターニ
ングする方法が知られており、透明電極として、酸化イ
ンジウム（ＩＴＯ） 、金属電極として、モリブデン（
Ｍｏ）、 ＩＴＯのエツチング液として、Ｍｏを腐食し
ないヨウ化水素酸（ＨＩ）が使用されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記の従来技術では、 ＩＴＯをエツチ
ングする際に使用するエツチング液により、金属電極と
なる金属被膜の腐食が発生するため、金属電極にＭｏよ
り低抵抗、例えばＡｐ、 Ｃｕなどの金属を使用するこ
とは不可能である。したがって、より低い配線抵抗を実
現するためには、金属電極のＭｏ電極の巾、あるいは厚
みを太き（する必要があるが、前者のＭｏ電極の巾を広
げると高精細の防げとなり、後者のＭｏ電極の厚みを太
き（すると、特に強誘電性液晶表示素子などにおいては
、液晶の配向欠陥を引き起こしたり、また対向する上下
基板の電極間ショートが発生しやすいという問題があっ
た。
ングする際に使用するエツチング液により、金属電極と
なる金属被膜の腐食が発生するため、金属電極にＭｏよ
り低抵抗、例えばＡｐ、 Ｃｕなどの金属を使用するこ
とは不可能である。したがって、より低い配線抵抗を実
現するためには、金属電極のＭｏ電極の巾、あるいは厚
みを太き（する必要があるが、前者のＭｏ電極の巾を広
げると高精細の防げとなり、後者のＭｏ電極の厚みを太
き（すると、特に強誘電性液晶表示素子などにおいては
、液晶の配向欠陥を引き起こしたり、また対向する上下
基板の電極間ショートが発生しやすいという問題があっ
た。
本発明は、この様な従来技術の問題点を解決し、配線抵
抗を低下した液晶表示素子用基板およびその製造方法、
さらにその基板を使用して大画面、高精細化を実現させ
ることができる液晶表示素子を提供することを目的とす
るものである。
抗を低下した液晶表示素子用基板およびその製造方法、
さらにその基板を使用して大画面、高精細化を実現させ
ることができる液晶表示素子を提供することを目的とす
るものである。
［課題を解決するための手段］
即ち、本発明は、基板上に設けた透明電極パターンの画
素間に感光性着色樹脂からなる遮光層を形成すると共に
、前記透明電極の上に第１の金属電極と該第１の金属よ
りも抵抗値が低い第２の金属電極を順次形成してなるこ
とを特徴とする液晶表示素子用基板である。
素間に感光性着色樹脂からなる遮光層を形成すると共に
、前記透明電極の上に第１の金属電極と該第１の金属よ
りも抵抗値が低い第２の金属電極を順次形成してなるこ
とを特徴とする液晶表示素子用基板である。
また、本発明は、基板上に透明電極となる透明導電被膜
を成膜し、該透明導電被膜上に第１の金属被膜を成膜し
た後、前記２層をパターニングして透明電極パターンを
形成し、次いでその上に感光性着色樹脂を塗布し、透明
電極上に積層されている前記第１の金属被膜をマスクと
して基板裏面より露光、現像して透明電極パターンの画
素間に感光性着色樹脂からなる遮光層を形成し、さらに
該遮光層と第１の金属被膜の上に第１の金属被膜よりも
抵抗値が低い第２の金属被膜を成膜し、フォトリソグラ
フィーにより第１及び第２の金属被膜をパターニングし
て第１及び第２の金属電極を形成することを特徴とする
液晶表示素子用基板の製造方法である。
を成膜し、該透明導電被膜上に第１の金属被膜を成膜し
た後、前記２層をパターニングして透明電極パターンを
形成し、次いでその上に感光性着色樹脂を塗布し、透明
電極上に積層されている前記第１の金属被膜をマスクと
して基板裏面より露光、現像して透明電極パターンの画
素間に感光性着色樹脂からなる遮光層を形成し、さらに
該遮光層と第１の金属被膜の上に第１の金属被膜よりも
抵抗値が低い第２の金属被膜を成膜し、フォトリソグラ
フィーにより第１及び第２の金属被膜をパターニングし
て第１及び第２の金属電極を形成することを特徴とする
液晶表示素子用基板の製造方法である。
さらに、本発明は、基板上に設けた透明電極パターンの
画素間に感光性着色樹脂からなる遮光層を形成すると共
に、前記透明電極の上に第１の金属電極と該第１の金属
よりも抵抗値が低い第２の金属電極を順次形成してなる
一対の液晶表示素子用基板間に液晶層を挟持してなるこ
とを特徴とする液晶表示素子である。
画素間に感光性着色樹脂からなる遮光層を形成すると共
に、前記透明電極の上に第１の金属電極と該第１の金属
よりも抵抗値が低い第２の金属電極を順次形成してなる
一対の液晶表示素子用基板間に液晶層を挟持してなるこ
とを特徴とする液晶表示素子である。
以下に、本発明を、図面を用いて詳細に説明する。
第１図 （ａ）〜（ｈ）は本発明の液晶表示素子用基板
の製造方法の一例を示す工程図である。同第１図におい
て、まずガラス基板４上に透明電極となる透明導電被膜
１ａとして酸化インジウムを成膜する（第１図（ａ）参
照）。次に、その上に第１の金属被膜２ａとしてモリブ
デンを薄く成膜する（第１図（ｂ）参照）。このように
して得られた酸化インジウム、モリブデンの２層膜上に
フォトレジスト３を塗布し、フォトマスク５を通して露
光し、現像、エツチングのフォトリソ工程により透明電
極１のパターンを形成する（第１図（ｃ） 、 （ｄ）
参照）。第１図（ｄ）に示した構成において、透明電極
１のパターンの画素間８は遮光層形成部となる。次に、
前記透明電極のパターンの上に感光性樹脂中に着色材料
を分散してなるネガ型感光性着色樹脂を例えば１４ｍの
厚さにスピンコードにより形成し、プリベークした後に
透明電極１の酸化インジウム上に積層されている第１の
金属被膜２ａのモリブデンをマスクとしてガラス基板４
の裏面からｔＪＶ光（例えば、３００ｍＪ／ｃｍ２）で
全面露光した後に、専用現像液により現像し、透明電極
のパターンの画素間に厚さ約４０００人の遮光層６を形
成する（第１図（ｅ）参照）。
の製造方法の一例を示す工程図である。同第１図におい
て、まずガラス基板４上に透明電極となる透明導電被膜
１ａとして酸化インジウムを成膜する（第１図（ａ）参
照）。次に、その上に第１の金属被膜２ａとしてモリブ
デンを薄く成膜する（第１図（ｂ）参照）。このように
して得られた酸化インジウム、モリブデンの２層膜上に
フォトレジスト３を塗布し、フォトマスク５を通して露
光し、現像、エツチングのフォトリソ工程により透明電
極１のパターンを形成する（第１図（ｃ） 、 （ｄ）
参照）。第１図（ｄ）に示した構成において、透明電極
１のパターンの画素間８は遮光層形成部となる。次に、
前記透明電極のパターンの上に感光性樹脂中に着色材料
を分散してなるネガ型感光性着色樹脂を例えば１４ｍの
厚さにスピンコードにより形成し、プリベークした後に
透明電極１の酸化インジウム上に積層されている第１の
金属被膜２ａのモリブデンをマスクとしてガラス基板４
の裏面からｔＪＶ光（例えば、３００ｍＪ／ｃｍ２）で
全面露光した後に、専用現像液により現像し、透明電極
のパターンの画素間に厚さ約４０００人の遮光層６を形
成する（第１図（ｅ）参照）。
その後、第１の金属被膜２ａよりも抵抗値が低い第２の
金属被膜７ａとして、アルミニウムを成膜する（第１図
（ｆ）参照）。
金属被膜７ａとして、アルミニウムを成膜する（第１図
（ｆ）参照）。
その上に、フォトレジスト３ａを塗布し、フォトマスク
５ａを使用して、フォトリソグラフィー工程により、第
１の金属被膜２ａおよび第２の金属被膜７ａをパターニ
ングし、第１の金属電極２及び第２の金属電極７を形成
することにより液晶表示素子用基板を得ることができる
。（第１図（ｇ） 、 （ｈ）参照）。
５ａを使用して、フォトリソグラフィー工程により、第
１の金属被膜２ａおよび第２の金属被膜７ａをパターニ
ングし、第１の金属電極２及び第２の金属電極７を形成
することにより液晶表示素子用基板を得ることができる
。（第１図（ｇ） 、 （ｈ）参照）。
本発明においては、第１の金属被膜２ａのモリブデンは
、遮光層６を形成するためのマスクとしてのみ機能して
おり、膜厚は極く薄くてもよく、例えば３００〜５００
人でもよい。
、遮光層６を形成するためのマスクとしてのみ機能して
おり、膜厚は極く薄くてもよく、例えば３００〜５００
人でもよい。
また、酸化インジウムの透明電極のパターンを形成して
から、第２の金属被膜７ａのアルミニウムを成膜、パタ
ーニングするため、アルミニウムは透明電極のパターニ
ング液に触れることがなく、良好なアルミニウムの金属
電極を得ることが可能である。
から、第２の金属被膜７ａのアルミニウムを成膜、パタ
ーニングするため、アルミニウムは透明電極のパターニ
ング液に触れることがなく、良好なアルミニウムの金属
電極を得ることが可能である。
本発明において、透明電極の上に形成される第１の金属
電極はＣｒ、 Ｍｏ、 Ｔａ、 Ｔｉまたはそれらの合
金が、また第２の金属電極はＡｐＶ、 Ａｊ）合金また
はＣｕが好ましい。
電極はＣｒ、 Ｍｏ、 Ｔａ、 Ｔｉまたはそれらの合
金が、また第２の金属電極はＡｐＶ、 Ａｊ）合金また
はＣｕが好ましい。
次に、本発明の液晶表示素子は、第２図に示すように、
上記の方法により得られた液晶表示素子用基板の第２の
金属電極７．透明電極ｌおよび遮光層６の上に絶縁層９
を形成し、さらに該絶縁層９の上に配向膜１０を設け、
配向処理を施した２枚の基板を、セルキャップ材１２を
介して貼り合わせた液晶セルに、液晶１１を封入するこ
とにより得ることができる。
上記の方法により得られた液晶表示素子用基板の第２の
金属電極７．透明電極ｌおよび遮光層６の上に絶縁層９
を形成し、さらに該絶縁層９の上に配向膜１０を設け、
配向処理を施した２枚の基板を、セルキャップ材１２を
介して貼り合わせた液晶セルに、液晶１１を封入するこ
とにより得ることができる。
［作用］
本発明においては、基板上に透明導電被膜を成膜した後
、 ＩＴＯの透明導電被膜のエツチング液に腐食されな
い第１の金属被膜を成膜し、前記２層をパターニングし
て透明電極のパターンを形成した後、感光性着色樹脂を
塗布し、前記第１の金属被膜をマスクとして遮光層を形
成し、さらに、その上に、低抵抗な、第２の金属被膜を
成膜し、パターニングして第１および第２の金属電極を
形成することにより、配線抵抗を低下した液晶表示素子
用基板が得られ、さらにその基板を使用した液晶表示素
子により、特に強誘電性液晶素子においても、大画面、
高精細化を実現させることができる。
、 ＩＴＯの透明導電被膜のエツチング液に腐食されな
い第１の金属被膜を成膜し、前記２層をパターニングし
て透明電極のパターンを形成した後、感光性着色樹脂を
塗布し、前記第１の金属被膜をマスクとして遮光層を形
成し、さらに、その上に、低抵抗な、第２の金属被膜を
成膜し、パターニングして第１および第２の金属電極を
形成することにより、配線抵抗を低下した液晶表示素子
用基板が得られ、さらにその基板を使用した液晶表示素
子により、特に強誘電性液晶素子においても、大画面、
高精細化を実現させることができる。
［実施例］
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
第１図（ａ）〜（ｈ）に示す工程により液晶表示素子の
パターンを形成した。まず、ガラス基板上に酸化インジ
ウム（膜厚２０００人）を成膜した（第１図（ａ） ｅ
照）。その上に第１の金属被膜であるモリブデン（膜厚
５００人）を成膜した後に（第１図（ｂ）参照）、フォ
トレジストを用いてパターニングした（第１図（ｃ）参
照）。次に、露光、現像、エツチングを夜（モリブデン
用ニリン酸系エツチング液、酸化インジウム用：ヨウ化
水素酸エツチング液）を用いてエツチングしてモリブデ
ン及び酸化インジウムを除去して透明電極のパターンを
形成した。透明電極のパターンの画素間８は遮光層形成
部となる（第１図（ｄ） 参照）。その後、遮光材料（
感光性アクリル樹脂中にカーボンを分散させたもの、商
品名 カラーモザイクシステム ブラック、富士ハント
社製品）を厚さ１ ｐｍにスピンコードした後に、′９
０℃、３分のベークを行いアライナ−を用いて基板裏面
より ３００ｍＪ／ｃｍ２で全面露光した。このときに
は、モリブデン膜がマスクの役割をするのでセルフアラ
イメント露光になる。
パターンを形成した。まず、ガラス基板上に酸化インジ
ウム（膜厚２０００人）を成膜した（第１図（ａ） ｅ
照）。その上に第１の金属被膜であるモリブデン（膜厚
５００人）を成膜した後に（第１図（ｂ）参照）、フォ
トレジストを用いてパターニングした（第１図（ｃ）参
照）。次に、露光、現像、エツチングを夜（モリブデン
用ニリン酸系エツチング液、酸化インジウム用：ヨウ化
水素酸エツチング液）を用いてエツチングしてモリブデ
ン及び酸化インジウムを除去して透明電極のパターンを
形成した。透明電極のパターンの画素間８は遮光層形成
部となる（第１図（ｄ） 参照）。その後、遮光材料（
感光性アクリル樹脂中にカーボンを分散させたもの、商
品名 カラーモザイクシステム ブラック、富士ハント
社製品）を厚さ１ ｐｍにスピンコードした後に、′９
０℃、３分のベークを行いアライナ−を用いて基板裏面
より ３００ｍＪ／ｃｍ２で全面露光した。このときに
は、モリブデン膜がマスクの役割をするのでセルフアラ
イメント露光になる。
次に、専用現像液を用いて６０秒間現像した後に水によ
りリンスを行い、２００℃−３０分のボストベークを行
い遮光層（厚さ４０００人）を形成した（第１図（ｅ）
参照）。
りリンスを行い、２００℃−３０分のボストベークを行
い遮光層（厚さ４０００人）を形成した（第１図（ｅ）
参照）。
その後、第２の金属被膜として、アルミニウム（膜厚１
５００人）を成膜しく第１図（ｆ）参照）、フォトリソ
グラフィー技術によって、アルミニウム及びモリブデン
をエツチングし、液晶パネル基板を形成した（第１図（
ｇ） 、 （ｈ）参照）。
５００人）を成膜しく第１図（ｆ）参照）、フォトリソ
グラフィー技術によって、アルミニウム及びモリブデン
をエツチングし、液晶パネル基板を形成した（第１図（
ｇ） 、 （ｈ）参照）。
このときのアルミニウムのエツチング液は、モリブデン
と同じリン酸系エツチング液夜を使用した。
と同じリン酸系エツチング液夜を使用した。
こうして得られた液晶パネル基板の配線抵抗は、モリブ
デンのみのものに比べて、約３分の１であった。
デンのみのものに比べて、約３分の１であった。
次に、液晶素子の上下のショート防止用の絶縁膜として
、５１０２膜を５００人の厚さにスパッタにて形成し、
この上に配向膜を１００人の厚さに形成し配向処理を施
した。これら２つの基板を平均粒子径２ｐｍのシリカビ
ーズのセルギャップ材を介して貼り合わせて液晶を注入
して、液晶表示素子を作製した。
、５１０２膜を５００人の厚さにスパッタにて形成し、
この上に配向膜を１００人の厚さに形成し配向処理を施
した。これら２つの基板を平均粒子径２ｐｍのシリカビ
ーズのセルギャップ材を介して貼り合わせて液晶を注入
して、液晶表示素子を作製した。
この様にして得られた、液晶表示素子は画素間からの漏
れ光もな（、大画面、高精細化を実現させることができ
た。
れ光もな（、大画面、高精細化を実現させることができ
た。
実施例２
第１の金属電極として、クロム（膜厚３００人）、第２
の金属電極として銅（膜厚１７００人）を使用し、その
他は実施例１と全て同じ構成及び工程により液晶パネル
基板を形成した。
の金属電極として銅（膜厚１７００人）を使用し、その
他は実施例１と全て同じ構成及び工程により液晶パネル
基板を形成した。
こうして得られた液晶パネル基板の配線抵抗は、モリブ
デンのみのものに比べて、約４分の１であった。
デンのみのものに比べて、約４分の１であった。
次に、実施例１と同様の方法により、液晶表示素子を作
製した。
製した。
この様にして得られた、液晶表示素子は画素間からの漏
れ光もなく、大画面、高精細化を実現させることができ
た。
れ光もなく、大画面、高精細化を実現させることができ
た。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、遮光層のセルフ
アライメントが可能で、且つ第１の金属電極の上に、第
２の金属電極として、銅、アルミニウム等の低抵抗な金
属を金属配線電極として用いることが可能であり、金属
電極巾、あるいは厚みを太き（すること無く、液晶表示
素子用基板の配線抵抗を下げることができ、またその基
板を使用して大画面、且つ高精細の液晶表示素子を歩留
り良く得ることが可能になる。
アライメントが可能で、且つ第１の金属電極の上に、第
２の金属電極として、銅、アルミニウム等の低抵抗な金
属を金属配線電極として用いることが可能であり、金属
電極巾、あるいは厚みを太き（すること無く、液晶表示
素子用基板の配線抵抗を下げることができ、またその基
板を使用して大画面、且つ高精細の液晶表示素子を歩留
り良く得ることが可能になる。
第１図 （ａ）〜（ｈ）は本発明の液晶表示素子用基板
の製造方法の一例を示す工程図および第２図は本発明の
液晶表示素子の一例を示す説明図である。 １・・・透明電極 １ａ・・・透明導電被膜 ２・・・第１の金属電極 ２ａ・・・第１の金属被膜 ３．３ａ・・・フォトレジスト ４・・・ガラス基板 ５．５ａ・・・フォトマスク ６・・・遮光層 ７・・・第２の金属電極 ７ａ・・・第２の金属被膜 ８・・・画素間 ９・・・絶縁層 ｌＯ・・・配向膜 １１・・・ｌ夜晶 １２・・・セルキャップ材 第１図 第１図
の製造方法の一例を示す工程図および第２図は本発明の
液晶表示素子の一例を示す説明図である。 １・・・透明電極 １ａ・・・透明導電被膜 ２・・・第１の金属電極 ２ａ・・・第１の金属被膜 ３．３ａ・・・フォトレジスト ４・・・ガラス基板 ５．５ａ・・・フォトマスク ６・・・遮光層 ７・・・第２の金属電極 ７ａ・・・第２の金属被膜 ８・・・画素間 ９・・・絶縁層 ｌＯ・・・配向膜 １１・・・ｌ夜晶 １２・・・セルキャップ材 第１図 第１図
Claims (5)
- （１）基板上に設けた透明電極パターンの画素間に感光
性着色樹脂からなる遮光層を形成すると共に、前記透明
電極の上に第１の金属電極と該第１の金属よりも抵抗値
が低い第２の金属電極を順次形成してなることを特徴と
する液晶表示素子用基板。 - （２）前記第１の金属電極がＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉま
たはそれらの合金からなり、第２の金属電極がＡｌ、Ａ
ｌ合金またはＣｕからなる請求項１記載の液晶表示素子
用基板。 - （３）基板上に透明電極となる透明導電被膜を成膜し、
該透明導電被膜上に第１の金属被膜を成膜した後、前記
２層をパターニングして透明電極パターンを形成し、次
いでその上に感光性着色樹脂を塗布し、透明電極上に積
層されている前記第１の金属被膜をマスクとして基板裏
面より露光、現像して透明電極パターンの画素間に感光
性着色樹脂からなる遮光層を形成し、さらに該遮光層と
第１の金属被膜の上に第１の金属被膜よりも抵抗値が低
い第２の金属被膜を成膜し、フォトリソグラフィーによ
り第１及び第２の金属被膜をパターニングして第１及び
第２の金属電極を形成することを特徴とする液晶表示素
子用基板の製造方法。 - （４）基板上に設けた透明電極パターンの画素間に感光
性着色樹脂からなる遮光層を形成すると共に、前記透明
電極の上に第１の金属電極と該第１の金属よりも抵抗値
が低い第２の金属電極を順次形成してなる一対の液晶表
示素子用基板間に液晶層を挟持してなることを特徴とす
る液晶表示素子。 - （５）前記第１の金属電極がＣｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉま
たはそれらの合金からなり、第２の金属電極がＡｌ、Ａ
ｌ合金またはＣｕからなる請求項４記載の液晶表示素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21162290A JPH0496020A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 液晶表示素子用基板、その製造方法および液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21162290A JPH0496020A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 液晶表示素子用基板、その製造方法および液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0496020A true JPH0496020A (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=16608820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21162290A Pending JPH0496020A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | 液晶表示素子用基板、その製造方法および液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0496020A (ja) |
-
1990
- 1990-08-13 JP JP21162290A patent/JPH0496020A/ja active Pending
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