JP2002057317A - アクティブマトリクス基板ならびに表示装置および撮像装置 - Google Patents

アクティブマトリクス基板ならびに表示装置および撮像装置

Info

Publication number
JP2002057317A
JP2002057317A JP2001033760A JP2001033760A JP2002057317A JP 2002057317 A JP2002057317 A JP 2002057317A JP 2001033760 A JP2001033760 A JP 2001033760A JP 2001033760 A JP2001033760 A JP 2001033760A JP 2002057317 A JP2002057317 A JP 2002057317A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
active matrix
matrix substrate
pixel electrode
signal line
insulating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001033760A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3719939B2 (ja
Inventor
Yoshihiro Izumi
良弘 和泉
Yoshimasa Chikama
義雅 近間
Atsuto Murai
淳人 村井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2001033760A priority Critical patent/JP3719939B2/ja
Priority to US09/863,266 priority patent/US20010048489A1/en
Priority to TW090113362A priority patent/TWI293398B/zh
Priority to KR10-2001-0030803A priority patent/KR100442510B1/ko
Priority to CNB011211520A priority patent/CN1162745C/zh
Publication of JP2002057317A publication Critical patent/JP2002057317A/ja
Priority to US10/748,140 priority patent/US7075614B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3719939B2 publication Critical patent/JP3719939B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画素電極の形成工程を短縮し、セルフアライ
メントによって露光精度を向上させ、画素電極同士のリ
−ク不良を防止できるアクティブマトリクス基板を提供
する。 【解決手段】 マトリクス状にＴＦＴ14を形成したアク
ティブマトリクス基板は、透光性基板21上にゲート信号
線12、容量配線27を形成し、これらを覆うゲート絶縁膜2
3上に半導体層24とチャネル保護層25で左右に分離され
たソース、ドレイン電極26a,26bとを順次形成してＴＦＴ
14とし、基板21全体を層間絶縁膜28で覆う。層間絶縁膜2
8の上に、この層間絶縁膜を貫くコンタクトホール16を介
してＴＦＴ14に接続される画素電極1を形成する。画素
電極1は、透明導電性微粒子としてＩＴＯやＡＴＯ又は
ＺｎＯを含有するネガ型のアクリル重合樹脂などの感光
性透明樹脂を、層間絶縁膜28に塗布し、これを裏面から
露光し、現像して形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス基板ならびにこれを用いたフラットパネル型の表示
装置および撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、周知のように電極の形
成された２枚の基板によって液晶分子を挾持し、両基板
の電極間に電気信号を印加することによって、バックラ
イトから入射する光の透過率を変化させて情報を表示す
るものである。この液晶表示装置は、ブラウン管方式と
比較して、薄型、軽量、低消費電力であることを特徴とし
ており、卓上パーソナル情報端末機器やアミューズメン
ト機器等に搭載されている。
【０００３】高精細化と高画質化の要望が高い現在、液
晶表示装置の主流は、薄膜トランジスタ(以下、ＴＦＴ
と略称する)等の能動素子を備えたアクティブマトリク
ス型であり、アクティブマトリクス型の液晶表示装置で
は、画素の開口率を大きくするための開発が盛んに行な
われている。なぜなら、画素の開口率の増大によって、
バックライトから入射する光の透過率が向上するので、
バックライトの消費電力を低減しても同一照度を得るこ
とができ、同一消費電力のバックライトを用いるならよ
り高い照度を得ることができるからである。
【０００４】このような開口率の増大を図ったアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置として、例えば本願出願人
に属する特許(特許第２９３３８７９号公報)があり、こ
の液晶表示装置は、画素電極を開口部一杯まで広げた構
造を有し、基板状にマトリクス状に形成された画素の１
画素分が図７および図８に示されている。図７はアクテ
ィブマトリクス基板の平面図であり、図８は図７のVIII
-VIII線断面図である。
【０００５】上記液晶表示装置のアクティブマトリクス
基板は、概ね、透光性基板２１上に、スイッチング素子
であるＴＦＴ１４と、このＴＦＴ１４を制御するゲート
信号線１２と、ＴＦＴ１４に接続され、ゲート信号線１
２に直交して形成されたソース信号線１３と、ＴＦＴ１
４、ゲート信号線１２、ソース信号線１３の上に形成さ
れた層間絶縁膜２８と、この層間絶縁膜２８を貫くコン
タクトホール１６を介してＴＦＴ１４に接続される画素
電極１１とを備えてなる。
【０００６】上記液晶表示装置のアクティブマトリクス
基板は、次のように製造される。即ち、まず、透光性基
板２１上にゲート信号線１２と容量配線１７を形成し、
少なくともこれらを覆うようにゲート絶縁膜２３を形成
する。その後、ＴＦＴ１４を形成する箇所に半導体層２
４、必要に応じてチャネル保護層２５、ソース電極２６a、
ドレイン電極２６bを形成し、ソース電極２６aに接続さ
れるソース信号線１３およびドレイン電極２６bに接続
される接続電極１５を形成した後、基板全面に亘って層
間絶縁膜２８を形成する。さらに、層間絶縁膜２８の上
に形成される画素電極１１と上記接続電極１５とのコン
タクトを取るために、層間絶縁膜２８にコンタクトホー
ル１６を設けて画素電極１１を形成して、液晶表示素子
を得ていた。なお、上記接続電極１５の一部およびソー
ス信号線１３は、図８に示すように、透明導電配線２７
aと金属配線２７bとを積層させて形成されている。
【０００７】また、上記画素電極１１は、次のような手
順で形成される。即ち、まず、層間絶縁膜２８およびコ
ンタクトホール１６を形成した後、ＩＴＯ(インジウム
錫酸化物)等の透明導電膜をスパッタ法等によって成膜
し、さらにその上にポジ型のレジストをスピン塗布法等
によって塗布する。次に、ステッパ等の露光装置によっ
て、ゲート信号線１２およびソース信号線１３に対して
アライメントしながら露光マスクをセットし、上部から
露光する。続いて、露光パターンにしたがって上記透明
導電膜をエッチングして、画素電極１１としていた。
【０００８】一方、画素電極の形成に上記スパッタ法に
よるＩＴＯの成膜を用いず、塗布法で成膜できるＩＴＯ
材料を用いて、コンタクトホール１６の箇所で画素電極
１１の増厚を図り、ラビング不良や表示不良を平坦化に
よって防止する方法が、本願出願人によって開示されて
いる(特開平１０−２０３２１号公報)。しかし、この方
法でも、画素電極１１となるＩＴＯ膜を塗布法で形成す
るという違いはあるものの、ＩＴＯ膜をパターニングす
る際には、上述と同様のフォトリソグラフィ技術とエッ
チング技術が用いられている。
【０００９】なお、上述の層間絶縁膜上に画素電極を形
成するアクティブマトリクス基板は、液晶表示装置など
のフラットパネル型の表示装置のみならず、「Denny L.
Lee, et al,“A New Digital Detector for Projectio
n Radiography”, Proc. SPIE, Vol. 2432, pp. 237‐2
49, 1995」等に開示されているように、フラットパネル
型の撮像装置などにも使用されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いまま
で述べてきた従来のアクティブマトリクス基板の場合、
次のような問題が生じる。即ち、 i) 画素電極１１を形成するには、ＩＴＯ膜を上述の方
法で基板全面に形成した後、フォトレジスト塗布、この
フォトレジストのマスク露光および現像、ＩＴＯ膜のエ
ッチング、フォトレジストの剥離といった一連の工程が
必要となり、画素電極１１の形成工程が長くなる。
【００１１】ii) ＩＴＯ膜のパターニング工程におい
て、ＩＴＯ膜上に塗布したフォトレジストをマスク露光
する際、露光精度(フォトレジストのパターン精度)が基
板内でばらつくと、画素電極１１とゲート信号線１２の
重ね合わせ部、または画素電極１１とソース信号線１３
の重ね合わせ部に発生する寄生容量が、露光精度のばら
つきに対応してばらつく。この寄生容量のばらつきは、
表示装置における表示の均一性に影響を与え、特に、フ
ォトレジストをステッパ露光機で露光する際には、ステ
ッパのショット毎に上記寄生容量が微妙に異なる結果と
なり、ショット単位の表示むらが発生しやすい。
【００１２】iii) ＩＴＯ膜のパターニング工程におい
て、ＩＴＯ膜上に塗布したポジ型のフォトレジストをマ
スク露光する際、基板上、またはマスク上にごみなどの
異物が付着していると、その部分のフォトレジストが露
光されず、不要なレジストパターンとして残ってしま
う。この不要なレジストパターンが、隣接する画素電極
間の隙間部分に存在すると、その後のエッチング工程に
おいて、その部分のＩＴＯ膜がエッチングされずに残っ
てしまうため、画素電極同士が電気的に接続され、リー
ク不良が発生することがある。
【００１３】そこで、本発明の目的は、画素電極の材料
を変更することにより、画素電極の形成工程を短縮する
ことができるとともに、セルフアライメントによって露
光精度を向上させることができ、画素電極同士のリ−ク
不良を防止することができるアクティブマトリクス基板
ならびにこの基板を用いた表示装置および撮像装置を提
供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のアクティブマトリクス基板は、マトリクス
状に形成されたスイッチング素子と、このスイッチング
素子を制御するゲート信号線と、上記スイッチング素子
に接続され、上記ゲート信号線に直交するように形成さ
れたソース信号線と、上記スイッチング素子、ゲート信
号線およびソース信号線の上に形成された層間絶縁膜
と、この層間絶縁膜の上に形成され、この層間絶縁膜を
貫くコンタクトホールを介して上記スイッチング素子に
接続される画素電極とを備えたアクティブマトリクス基
板において、上記画素電極が、感光性導電材料から形成
されていることを特徴とする。
【００１５】上記構成のアクティブマトリクス基板で
は、画素電極が感光性導電材料から形成されているの
で、画素電極をパターンニングする際に、フォトレジス
トを用いたエッチング工程が不要になる。即ち、感光性
を有する導電材料を基板上に塗布し、マスク露光を行な
い、現像を行なうだけで、画素電極を形成することがで
き、したがって、画素電極形成工程を短縮することがで
きる。さらに、スパッタなどの真空成膜装置や、ＩＴＯ
のエッチング装置が不要となり、設備投資の削減、装置
占有面積の縮小、稼働率の向上を図ることができる。ま
た、上記アクティブマトリクス基板は、スイッチング素
子、ゲート信号線およびソース信号線の上に形成された
層間絶縁膜上に画素電極が形成されるので、画素電極は
アクティブマトリクス基板の最終製造工程で形成され
る。従って、画素電極材料が他の成膜工程に悪影響を与
えることがないから、画素電極材料の選択種を広げるこ
とができる。例えば、有機成分(樹脂成分)を含有する塗
布型導電材料など有機、無機の両方の物性を兼ね備えた
材料を幅広く使用することができる。
【００１６】一実施形態では、上記感光性導電材料とし
て透明性を有する材料が使用される。この場合、画素電
極が透明となるため、本発明のアクティブマトリクス基
板は透過型表示装置用のアクティブマトリクス基板とし
て使用できる。
【００１７】一実施形態では、上記感光性導電材料は、
ネガ型の感光性を有している。
【００１８】この場合、基板上に形成されているゲート
信号線やソース信号線を露光マスクとして、基板の裏面
側から露光を行なうことで、アライメントフリーで自己
整合的に表面側の画素電極用の積層等をパターン露光す
ることができる。その結果、画素電極とゲート信号線の
重ね合わせ部、または画素電極とソース信号線の重ね合
わせ部に発生する寄生容量のばらつきを全画素領域で均
一にすることができ、表示の均一性を向上させることが
できる。また、各信号線上に塗布された感光性導電材料
は、信号線に貫通孔のような欠陥が無い限り露光される
ことがないから、従来のポジ型のフォトレジストをマス
ク露光する場合のようには、露光時のごみの影響で画素
電極間の隙間に導電性の残膜が発生して画素電極同士が
ショートすることが無く、画素電極間同士を確実に絶縁
することができる。
【００１９】上記感光性導電材料は、導電性微粒子を含
有する感光性樹脂であってもよい。
【００２０】この場合、容易に感光性導電材料を形成す
ることができる。また、プリベーク温度や露光量などの
パターニング条件を左右する感光性樹脂と、導電性を左
右する導電性微粒子とを個々に最適化できるという利点
もある。
【００２１】上記導電性微粒子として、インジウム錫酸
化物またはアンチモン錫酸化物または亜鉛酸化物を使用
すれば、画素電極に要求される透明度や電気特性を得る
ことができる。
【００２２】上記感光性導電材料は、顔料等の着色剤を
含有していてもよい。この場合、画素電極がカラー表示
の為のカラーフィルターの役割を兼ね備えることが可能
になる。したがって、カラー表示が可能な表示装置に使
用できるアクティブマトリクス基板を作成する場合、従
来は画素電極の形成工程とは別にカラーフィルター形成
工程が必要であったが、本発明のアクティブマトリクス
基板の場合、カラーフィルター形成工程を省くことが可
能である。
【００２３】ところで、カラー表示のために、アクティ
ブマトリクス基板に対向する対向基板側にカラーフィル
ターを形成し、該対向基板をアクティブマトリクス基板
と貼り合わせる方法も従来から採用されている方法であ
る。しかし、この方法では、両基板を貼り合わせる際に
ずれが生じた場合、特にアクティブマトリクス基板およ
び対向基板の基板材料が熱や水分等により伸縮するよう
な材料（例えばプラスチック）である場合、基板の貼り
合わせ精度が悪くなり、実質的な画素開口率が低下する
ことになる。この開口率の低下は、画素サイズが小さく
なるほど、すなわちアクティブマトリクス基板の高精細
化が進むにつれ、あるいはアクティブマトリクス基板の
大面積化が進むにつれて顕著となってくる。
【００２４】これに対して、画素電極を顔料等の着色剤
を含有する感光性導電材料によって形成することによ
り、画素電極にカラーフィルターの役割を兼ね備えさせ
ることができるため、従来のようには対向基板側にカラ
ーフィルターを形成する必要が無い。従って、両基板を
貼り合せる際に基板間にずれが生じたとしても、画素開
口率を低下させることは無い。
【００２５】また、本発明によれば、上述したいずれか
の構成を有するアクティブマトリクス基板を備えたフラ
ットパネル型の表示装置が提供される。この表示装置も
上述した作用効果を奏する。
【００２６】さらに、本発明によれば、上述したいずれ
かの構成を有するアクティブマトリクス基板を備えたフ
ラットパネル型の撮像装置が提供される。この撮像装置
も上述した作用効果を奏する。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施の形態
により詳細に説明する。
【００２８】図１は、本発明の一例であるアクティブマ
トリクス基板を、この基板にマトリクス状に配置された
画素の１画素分を取り出して示した平面図であり、図２
は、図１のII-II線に沿う断面図である。このアクティ
ブマトリクス基板は、画素電極の材料および形成方法が
異なる点を除いて、図７,図８で述べた従来例と同じ構
成であるので、同じ部材には同一番号を付している。
【００２９】上記アクティブマトリクス基板は、透光性
基板２１上に平面図の矩形の上下辺に沿って設けられ、
ＴＦＴ１４のゲートに信号を供給するゲート信号線１２
と、透光性基板２１上に平面図の矩形の中央横方向に位
置して設けられた容量配線１７と、これらの信号線１
２,１７および透光性基板２１を覆うゲート絶縁膜２３
と、このゲート絶縁膜２３上に平面図の矩形の左下隅に
位置して設けられたスイッチング素子としてのＴＦＴ１
４と、上記ゲート絶縁膜２３上に平面図の矩形の左右辺
に沿って設けられ、ＴＦＴ１４のソースにデータ信号を
供給するソース信号線１３と、これらを覆う層間絶縁膜
２８と、この層間絶縁膜２８を貫くコンタクトホール１
６および接続電極１５を介してＴＦＴ１４に連なる後述
する画素電極１で構成される。
【００３０】上記ＴＦＴ１４は、ゲート信号線１２上に
ゲート絶縁膜２３を介して形成されたアモルフォスＳi
からなる半導体層２４と、この半導体層２４の両側にチ
ャネル保護層２５で隔てられて形成されたn+型アモルフ
ォスＳiからなるソース電極２６aおよびドレイン電極２
６bとからなり、上記ソース信号線１３および接続電極
１５の一部は、透明導電配線２７aと金属配線２７bを積
層して形成される。また、上記層間絶縁膜２８は、Ｓi
Ｏ2やＳiＮx等の無機絶縁膜またはアクリル系樹脂やポ
リイミド系樹脂等の有機絶縁膜からなる。
【００３１】本発明の特徴をなす画素電極１は、感光性
導電材料としてインジウム錫酸化物(ＩＴＯ：Indium-Ti
n-Oxide)またはアンチモン錫酸化物(ＡＴＯ：Antimony-
Tin-Oxide)または亜鉛酸化物（ＺｎＯ）の微粒子(粒径
0.001〜0.05μm)を５０〜９０wt％含有するネガ型のア
クリル重合樹脂などの感光性透明樹脂を、層間絶縁膜２
８上に塗布して形成されるので、層間絶縁膜２８を貫く
コンタクトホール１６の部分において、図８に示した従
来例の画素電極１１のように凹部を生じることなく、コ
ンタクトホール１６を埋めた略平坦な表面形状を呈して
いる。
【００３２】上記構成のアクティブマトリクス基板は、
次のようにして製造される。
【００３３】まず、透光性基板２１上にゲート信号線１
２および容量配線１７を形成し、少なくともこれらを覆
うようにゲート絶縁膜２３を形成する。その後、ＴＦＴ
１４を形成する箇所に半導体層２４、必要に応じてチャ
ネル保護層２５、ソース電極２６a、ドレイン電極２６bを
形成し、このソース電極２６aに接続されるソース信号
線１３およびドレイン電極２６bに接続される接続電極
１５を形成した後、透光性基板２１の全面に亘って層間
絶縁膜２８を形成する。さらに、この層間絶縁膜２８の
上に形成される画素電極１と上記接続電極１５とのコン
タクトを取るために、層間絶縁膜２８にコンタクトホー
ル１６を設ける。ここまでの工程は、図７,図８で述べ
た従来例と同じである。
【００３４】次に、画素電極１となる透明導電膜として
塗布型の感光性透明導電材料(例えば、特開平１０−２
５５５５６号公報に記載されている透明感光性樹脂にＩ
ＴＯまたはＡＴＯの超微粒子を分散させた材料または透
明感光性樹脂にＺｎＯの超微粒子を分散させた材料)を
スピン塗布法によって基板全面に平坦に塗布し、８０℃
〜１００℃で５〜１５分間乾燥させる。
【００３５】続いて、乾燥した感光性透明導電膜にマス
ク露光を行なった後、ＴＭＡＨ(テトラ・メチル・アンモ
ニウム・ヒドロオキサイド)系の有機アルカリ現像液を用
いて感光性透明導電膜を所望の形状に現像する。そし
て、200℃〜250℃で１５〜３０分間の焼成を行なうこと
で、画素電極１をパターン形成してアクティブマトリク
ス基板が完成する。
【００３６】このようにして製造されたアクティブマト
リクス基板は、画素電極１が、感光性透明導電材料で形
成されているので、画素電極１をパターンニングする際
に、従来のようなフォトレジストを用いたエッチング工
程が不要になる。即ち、感光性をもつ透明導電材料を基
板上に塗布し、マスク露光を行ない、現像を行なうだけ
で、画素電極１を形成することができ、画素電極形成工
程を短縮することができる。
【００３７】また、スパッタ装置などの真空成膜装置
や、ＩＴＯのエッチング装置が不要になるから、設備投
資の削減、装置占有面積の縮小、稼働率の向上を図ること
ができる。
【００３８】さらに、上記アクティブマトリクス基板で
は、ゲート信号線１２、ソース信号線１３、ＴＦＴ１４の
上層に形成された層間絶縁膜２８上に画素電極１が形成
されるので、画素電極１はアクティブマトリクス基板の
最終製造工程で形成される。従って、画素電極材料が他
の成膜工程に悪影響を与えることがないから、画素電極
材料の選択種を広げることができる。例えば、上述の特
開平１０−２５５５５６に開示されているような有機成
分(樹脂成分)を含有する塗布型の透明導電材料などを幅
広く使用することができる。
【００３９】図９は、上記塗布型の透明導電材料にとっ
て、画素電極１の下層に層間絶縁膜２８がある図１,２
に示す構造が必須であることを説明するために、層間絶
縁膜２８がない従来のアクティブマトリクス基板を示す
断面図である。
【００４０】図９のアクティブマトリクス基板では、画
素電極１１を形成した後に、ＴＦＴ１４やソース信号線
１３の露出を防ぐためにＳiＮxやＳiＯ2からなる絶縁保
護膜２９が形成される。そして、絶縁保護膜２９は、通
常、プラズマＣＶＤを用いて300℃以上の温度で成膜され
るため、先に積層される画素電極１１の材料に本発明に
よる有機成分(樹脂成分)を含有する塗布型の透明導電材
料を用いると、上記絶縁保護膜２９の形成工程で塗布型
の透明導電材料が変質してしまう。
【００４１】つまり、本発明の有機成分(樹脂成分)を含
有する塗布型透明導電材料を画素電極に用いるために
は、図１,図２に示したような画素電極１の下層に層間
絶縁膜２８があるアクティブマトリクス基板の構造が必
須となるのである。
【００４２】なお、本発明の画素電極に用いる感光性透
明導電材料は、上記実施の形態の透明感光性樹脂にＩＴ
ＯまたはＡＴＯまたはＺｎＯの超微粒子を分散させた材
料に限定されないが、このような材料を用いることによ
って、容易にＩＴＯまたはＡＴＯ材料またはＺｎＯに感
光性を付与することができ、また、プリベ−ク温度や露
光量などのパターニング条件を左右する感光性樹脂と、
導電性を左右する透明導電性微粒子とを個々に最適化で
きるという利点があるので好都合である。また、透明導
電性微粒子としてＩＴＯまたはＡＴＯまたはＺｎＯを用
いることによって、画素電極に要求される透明度(可視
光透過率:９０％以上)や電気特性(シ−ト抵抗値:１Ｅ５
Ω／□以下)を容易に得ることができるという利点があ
る。
【００４３】また、上記感光性透明導電材料は、塗布型
のものに限定されず、転写(ラミネ−ト)型のドライフィ
ルム材料であってもよい。
【００４４】図３(Ａ)〜(Ｃ)は、図１,２で述べた画素
電極１の形成手順を示す模式図である。画素電極１は、
次のような手順で形成される。なお、図３(Ａ)〜(Ｃ)で
は、図面を簡単にするために、いくつかの層を省略して
いる。
【００４５】即ち、まず、図３(Ａ)に示すように、層間
絶縁膜２８が形成された透光性基板２１の表面に、露光
された部分がパターンとして残るネガ型の感光性透明導
電材料２を塗布する。
【００４６】次に、図３(Ｂ)に示すように、透光性基板
２１の裏面側から紫外線Ｒによって露光する。これが重
要なポイントである。このとき、アクティブマトリクス
基板２１上に形成されている金属製のゲート信号線１２
やソース信号線１３（図３には示していないが、この図
の参照番号１２を１３に変えると、ソース信号線が現わ
れた状態を表すことになる。）などが露光マスクの役割
を果たすので、信号線が存在する部分には光が照射され
ない。なお、容量配線１７やＴＦＴ１４の上層にあって
本来露光すべき感光性透明導電材料２の部分が裏面露光
によって露光できない場合は、裏面露光と共に従来の表
面露光を用いればよい。
【００４７】露光後の現像処理によって、図３(Ｃ)に示
すような画素電極１がパターニングされる。図３(Ｂ)の
露光工程で信号線をマスクとして裏面露光を行なったた
め、信号線１２,１３の真上の未露光の感光性透明導電
材料が除去され、信号線１２,１３の存在する部分を境
界にして画素電極１がパターン形成される。
【００４８】ネガ型の感光性透明導電材料を用いて裏面
から露光を行なうことによって、次のような利点が生じ
る。
【００４９】基板２１上に形成されているゲート信号線
１２やソース信号線１３を露光マスクとして、基板２１
の裏面側から露光を行なえば、画素電極１の矩形はアラ
イメントフリーで自己整合的にパターン形成することが
できる。この結果、画素電極１とゲート信号線１２また
はソース信号線１３の重ね合わせ部Ｗ(図３(Ｃ)参照)に
発生する寄生容量Ｃwのばらつきを全画素領域で均一に
することができる。従って、本発明のアクティブマトリ
クス基板をフラットパネル型の表示装置に用いた場合、
上記寄生容量Ｃwを介した画素電極１の電位変動が全画
素で均一になり、表示の均一性を向上させることができ
る。また、上記アクティブマトリクス基板をフラットパ
ネル型の撮像装置に用いた場合、上記寄生容量Ｃwを介
した画素電極１の電位変動が全画素で均一になり、撮影
画像の均一性を向上させることができる。
【００５０】また、基板２１の裏面側から露光を行なう
ため、各信号線上に塗布された感光性透明導電材料２
は、信号線に貫通孔のような欠陥が無い限り露光される
ことはないから、従来のポジ型のフォトレジストをマス
ク露光する場合のように、露光時に画素電極間にあるご
みに起因する未露光部で導電性の残膜が発生して画素電
極同士がショートすることがなく、画素電極間同士を確
実に絶縁することができる。
【００５１】一般に、アクティブマトリクス基板を液晶
表示装置に用いる場合、画素電極１のエッジ部近傍では
液晶分子の配向が乱れることから、これを目立たなくす
るために、画素電極１のエッジをゲート信号線１２また
はソース信号線１３に重畳させて存在させることが望ま
しい。その場合、画素電極を上述の裏面露光によって形
成すれば、露光条件を過露光条件に設定することによっ
て、画素電極１とゲート信号線１２またはソース信号線
１３の重ね合わせ部Ｗの幅を０〜２μmの範囲で任意に
調整することができ、極めて有利である。
【００５２】なお、上記の実施の形態においては、上述
した従来技術の課題ｉ）、ii）、iii）を解決するため
に、画素電極としてネガ型の感光性導電材料を用いた例
を示したが、課題ｉ）のみを解決しようとした場合、ポ
ジ型の感光性導電材料を用いても構わない。
【００５３】更に、上述したアクティブマトリクス基板
を表示装置に適用する場合、以下の構造によりアクティ
ブマトリクス基板の画素電極をカラーフィルターとして
兼用することも可能である。
【００５４】図４は、本発明の他の実施形態に係わるア
クティブマトリクス基板の断面図である。基本的な構成
は、先の図２の構成と同様であるが、画素電極１の代わ
りに、カラーフィルター機能を備えたカラー画素電極３
０を備えたことが特徴である。
【００５５】カラー画素電極３０となるカラー導電膜と
して塗布型の感光性カラー導電材料を用いる。具体的に
は、透明感光性樹脂に、ＩＴＯ、ＡＴＯ、ＺｎＯ等の導
電性超微粒子と、無機または有機の材料からなる着色剤
（例えば粒径１０ｎｍ以下の顔料など）を適当な割合
（例えば重量比１：１：１）でブレンドして分散させた
材料を用いる。カラー画素電極３０は、前述の画素電極
１の場合と同様に、スピン塗布法によって基板全面に平
坦に塗布し、８０〜１００℃で５〜１５分間乾燥させた
後、マスク露光および現像処理を施すことで、画素電極
３０をパターン形成することができる。着色剤として
は、顔料以外に染料を用いても構わない。
【００５６】このとき、画素電極３０に含有させる顔料
を赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３種類準備し、それ
ぞれの画素に対応させて、上記のフォトリソグラフィ工
程を３回繰り返すことで、ＲＧＢのカラー画素電極３０
が形成される。
【００５７】カラー画素電極３０はカラーフィルターの
役目を兼ねているため、カラー表示が可能な表示装置に
使用できるアクティブマトリクス基板を作成する場合
に、従来、画素電極の形成工程とは別に行われていたカ
ラーフィルター形成工程が不要となる。
【００５８】また、アクティブマトリクス基板と対向基
板を貼り合わせて表示装置を形成する場合、画素電極３
０がカラーフィルターの役割を兼ね備えており、対向基
板上にカラーフィルターを形成しないため、両基板を貼
り合せる際に基板間にずれが生じたとしても、画素開口
率を低下させることは無い。
【００５９】図５（Ａ）,（Ｂ）はそれぞれ、本発明の
アクティブマトリクス基板を用いたフラットパネル型表
示装置の一例としての液晶表示装置の概略構成を示す斜
視図および回路図である。この液晶表示装置は、アクテ
ィブマトリクス基板４０と対向基板５０の間に表示媒体
である液晶（図示せず）が挟持された構造になってい
る。図５において、４１はアクティブマトリクス基板４
０のガラス基板、４２はスイッチング素子としてのＴＦ
Ｔ、４３は上述した画素電極１と同様の材料で形成され
た画素電極、４４および４５はゲート信号線およびソー
ス信号線、４６は配向膜、４７は偏光板である。また、
５１は対向基板５０側のガラス基板、５２はカラーフィ
ルター、５３は配向膜、５４はＩＴＯからなる対向電
極、そして５５は偏光板である。この例では、画素電極
４３の材料が着色剤を含んでいないため、カラーフィル
ター５２が対向基板５０側に設けられているが、上記し
た画素電極３０のような着色剤を含有した画素電極を用
いた場合には、画素電極がカラーフィルターを兼ねるた
め、対向基板５０側のカラーフィルター５２は不要であ
る。
【００６０】当然ながら、本発明のアクティブマトリク
ス基板は、液晶表示装置に限らず、アクティブマトリク
ス基板を使用する各種フラットパネル型表示装置（例え
ばＥＬ表示装置、電気泳動表示装置など）にも適用する
ことが可能である。
【００６１】図６は、本発明のアクティブマトリクス基
板を用いたフラットパネル型撮像装置の一例としてのＸ
線（または光）撮像装置の構成図である。アクティブマ
トリクス基板６０上にＸ線（または光）に反応して電荷
を発生する光誘電膜７１が形成されており、Ｘ線（また
は光）の情報を、アクティブマトリクス基板６０を用い
て読み出すことができる。図６において、６１はアクテ
ィブマトリクス基板６０側のガラス基板、６２はスイッ
チング素子としてのＴＦＴ、６３は上述した画素電極１
と同様の材料で形成された画素電極、６４および６５は
ゲート信号線およびソース信号線、６６は電荷蓄積容
量、６７はソース信号線６５に接続された増幅器であ
る。また、７２は光誘電膜７１の上に形成された上部電
極、７３は上部電極７２に接続された高圧電源である。
【００６２】なお、アクティブマトリクス基板を非透過
型の表示装置（例えば自発光型や反射型の表示装置の場
合）や撮像装置に用いる場合、アクティブマトリクス基
板の画素電極は必ずしも透明である必要は無い。従っ
て、上記各実施の形態においては、透明導電性微粒子を
感光性樹脂に分散させて画素電極を形成した例を示した
が、これに限定されるものではない。用途に応じて、不
透明な導電性微粒子（例えば金属微粒子やカーボン顔料
など）を感光性樹脂に分散させて画素電極を形成するこ
とも可能であるし、ポリアセチレン等の導電性樹脂に感
光性を付与した感光性導電材料で画素電極を形成しても
構わない。
【００６３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、請求項１
のアクティブマトリクス基板は、画素電極が、感光性導
電材料から形成されているので、画素電極を、フォトレ
ジストによるエッチングを用いず、感光性導電材料を基
板上に塗布し、マスク露光、現像を行なうだけでパターニ
ングすることができ、画素電極形成工程を短縮すること
ができるうえ、スパッタなどの真空成膜装置やＩＴＯの
エッチング装置が不要となり、設備投資の削減、装置占
有面積の縮小、稼働率の向上を図ることができる。ま
た、上記アクティブマトリクス基板は、スイッチング素
子、ゲート信号線およびソース信号線の上に形成された
層間絶縁膜上に画素電極が形成されるので、画素電極は
アクティブマトリクス基板の最終製造工程で形成される
から、画素電極材料が他の成膜工程に悪影響を与えるこ
とがなく、それ故、画素電極材料を選択種を例えば有機
成分(樹脂成分)を含有する塗布型のものなどに広げるこ
とができる。
【００６４】請求項２のアクティブマトリクス基板は、
上記感光性導電材料が透明であるため、透過型表示装置
用のアクティブマトリクス基板として好適に使用でき
る。
【００６５】請求項３のアクティブマトリクス基板は、
感光性導電材料がネガ型の感光性を有しているので、基
板上に形成されているゲート信号線やソース信号線を露
光マスクとして、基板の裏面側から露光を行なうこと
で、アライメントフリーで自己整合的に表面側の画素電
極用の積層等をパターン露光することができる。その結
果、画素電極とゲート信号線またはソース信号線との重
ね合わせ部に発生する寄生容量のばらつきを全画素領域
で均一にすることができ、表示の均一性を向上させるこ
とができる。また、各信号線上に塗布された感光性導電
材料は、信号線に貫通孔のような欠陥が無い限り露光さ
れることがないから、従来のポジ型のフォトレジストを
マスク露光する場合のように、露光時のごみの影響で画
素電極間の隙間に導電性の残膜が発生して画素電極同士
がショートすることが無く、画素電極間同士を確実に絶
縁することができる。
【００６６】請求項４のアクティブマトリクス基板は、
感光性導電材料が、導電性微粒子を含有する感光性樹脂
からなるので、容易に導電性微粒子に感光性を付与する
ことができる。また、プリベーク温度や露光量などのパ
ターニング条件を左右する感光性樹脂と、導電性を左右
する導電性微粒子とを個々に最適化できる。
【００６７】請求項５のアクティブマトリクス基板は、
導電性微粒子が、インジウム錫酸化物またはアンチモン
錫酸化物または亜鉛酸化物であるので、画素電極に要求
される透明度や電気特性を得ることができる。
【００６８】請求項６のアクティブマトリクス基板は、
上記感光性導電材料が着色剤を含有しているので、画素
電極がカラー表示の為のカラーフィルターを兼ねること
ができる。したがって、カラーフィルターを別途形成す
る必要がなくなる。さらに、画素電極がカラーフィルタ
ーを兼ねるので、カラーフィルターを別途形成した場
合、とくに対向基板に形成した場合に起こり得る画素電
極とカラーフィルターとのずれの問題とは無縁である。
したがって、画素電極とカラーフィルターとのずれに起
因する画素開口率の低下といった問題も回避できる。
【００６９】請求項７のフラットパネル型の表示装置
は、請求項１乃至６のいずれか１つに記載のアクティブ
マトリクス基板を備えるので、請求項１乃至６で述べた
作用効果を奏する。
【００７０】請求項８のフラットパネル型の撮像装置
は、請求項１乃至６のいずれか１つに記載のアクティブ
マトリクス基板を備えるので、請求項１乃至６で述べた
作用効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施形態であるアクティブマトリク
ス基板上の１画素を示す平面図である。
【図２】 図１のII-II線に沿う断面図である。
【図３】 図１,２の画素電極の形成手順を示す模式図
である。
【図４】 本発明の別の実施形態であるアクティブマト
リクス基板の断面図である。
【図５】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明のフラット
パネル型表示装置の一例である液晶表示装置の構成を概
略的に示す斜視図と回路図である。
【図６】 本発明のフラットパネル型撮像装置の一例の
構成を概略的に示す斜視図である。
【図７】 従来のアクティブマトリクス基板上の１画素
を示す平面図である。
【図８】 図７のVIII-VIII線に沿う断面図である。
【図９】 層間絶縁膜のない従来のアクティブマトリク
ス基板の断面図である。
【符号の説明】
１ 画素電極 １２ ゲート信号線 １３ ソース信号線 １４ ＴＦＴ(薄膜トランジスタ) １５ 接続電極 １６ コンタクトホール １７ 容量配線 ２１ 透光性基板 ２３ ゲート絶縁膜 ２４ 半導体層 ２５ チャネル保護層 ２６a ソース電極 ２６b ドレイン電極 ２７a 透明導電配線 ２７b 金属配線 ２８ 層間絶縁膜 ３０ 画素電極 ４０ アクティブマトリクス基板 ４１ ガラス基板 ４２ ＴＦＴ ４３ 画素電極 ４４ ゲート信号線 ４５ ソース信号線 ４６ 配向膜 ４７ 偏光板 ５０ 対向基板 ５１ ガラス基板 ５２ カラーフィルター ５３ 配向膜 ５４ 対向電極 ５５ 偏光板 ６０ アクティブマトリクス基板 ６１ ガラス基板 ６４ ゲート信号線 ６５ ソース信号線 ７１ 光誘電膜 ７２ 上部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４８ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５１１ // Ｇ０３Ｆ 7/004 ５１１ Ｈ０１Ｌ 27/14 Ａ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マトリクス状に形成されたスイッチング
    素子と、このスイッチング素子を制御するゲート信号線
    と、上記スイッチング素子に接続され、上記ゲート信号
    線に直交するように形成されたソース信号線と、上記ス
    イッチング素子、ゲート信号線およびソース信号線の上
    に形成された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜の上に形成
    され、この層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して
    上記スイッチング素子に接続される画素電極とを備えた
    アクティブマトリクス基板において、 上記画素電極が、感光性導電材料から形成されているこ
    とを特徴とするアクティブマトリクス基板。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載のアクティブマトリクス
    基板において、上記感光性導電材料が透明であることを
    特徴とするアクティブマトリクス基板。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載のアクティブマトリクス
    基板において、上記感光性導電材料は、ネガ型の感光性
    を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載のアクティブマトリクス
    基板において、上記感光性導電材料は、導電性微粒子を
    含有する感光性樹脂からなることを特徴とするアクティ
    ブマトリクス基板。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載のアクティブマトリクス
    基板において、上記導電性微粒子は、インジウム錫酸化
    物またはアンチモン錫酸化物または亜鉛酸化物であるこ
    とを特徴とするアクティブマトリクス基板。
  6. 【請求項６】 請求項１に記載のアクティブマトリクス
    基板において、上記感光性導電材料は、着色剤を含有し
    ていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
  7. 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１つに記載の
    アクティブマトリクス基板を備えたことを特徴とするフ
    ラットパネル型の表示装置。
  8. 【請求項８】 請求項１乃至６のいずれか１つに記載の
    アクティブマトリクス基板を備えたことを特徴とするフ
    ラットパネル型の撮像装置。
JP2001033760A 2000-06-02 2001-02-09 アクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに表示装置および撮像装置 Expired - Fee Related JP3719939B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001033760A JP3719939B2 (ja) 2000-06-02 2001-02-09 アクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに表示装置および撮像装置
US09/863,266 US20010048489A1 (en) 2000-06-02 2001-05-24 Active matrix substrate, display device, and image sensing device
TW090113362A TWI293398B (en) 2000-06-02 2001-06-01 Active matrix substrate,display device,and image sensing device
KR10-2001-0030803A KR100442510B1 (ko) 2000-06-02 2001-06-01 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법, 액정 표시 장치, 플랫 패널형 표시 장치 및 촬상 장치와 그 제조방법
CNB011211520A CN1162745C (zh) 2000-06-02 2001-06-02 有源矩阵基底、显示器件和图象传感器件
US10/748,140 US7075614B2 (en) 2000-06-02 2003-12-31 Method of making active matrix substrate with pixel electrodes of photosensitive conductive material

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000-165848 2000-06-02
JP2000165848 2000-06-02
JP2001033760A JP3719939B2 (ja) 2000-06-02 2001-02-09 アクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに表示装置および撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002057317A true JP2002057317A (ja) 2002-02-22
JP3719939B2 JP3719939B2 (ja) 2005-11-24

Family

ID=26593218

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001033760A Expired - Fee Related JP3719939B2 (ja) 2000-06-02 2001-02-09 アクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに表示装置および撮像装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20010048489A1 (ja)
JP (1) JP3719939B2 (ja)
KR (1) KR100442510B1 (ja)
CN (1) CN1162745C (ja)
TW (1) TWI293398B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007029537A1 (ja) * 2005-09-08 2007-03-15 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha 表示媒体
JP2016149443A (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 株式会社日立製作所 放射線検出素子、放射線検出器および核医学診断装置ならびに放射線検出素子の製造方法

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6734924B2 (en) 2000-09-08 2004-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US7167226B2 (en) * 2000-11-02 2007-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device having particular configuration of pixel electrodes
US6707517B2 (en) * 2001-12-26 2004-03-16 Eastman Kodak Company Transparent field spreading layer for dispersed liquid crystal coatings
US20050084805A1 (en) * 2003-10-20 2005-04-21 Lu-Yi Yang Method for forming patterned ITO structure by using photosensitive ITO solution
JP4616565B2 (ja) * 2004-02-16 2011-01-19 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR100968339B1 (ko) * 2004-06-30 2010-07-08 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101107265B1 (ko) * 2004-12-31 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법
US7579224B2 (en) * 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
WO2006105077A2 (en) * 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7402506B2 (en) * 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
EP1995787A3 (en) * 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof
CN101577231B (zh) * 2005-11-15 2013-01-02 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
TWI360885B (en) * 2007-10-26 2012-03-21 Au Optronics Corp Pixel structure and fabrication method thereof
CN101150093B (zh) * 2007-11-14 2010-07-21 友达光电股份有限公司 像素结构的制作方法
GB0803702D0 (en) 2008-02-28 2008-04-09 Isis Innovation Transparent conducting oxides
CN101685803B (zh) * 2008-09-25 2012-12-26 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示装置的阵列基板制造方法
US7936039B2 (en) * 2008-10-20 2011-05-03 Teledyne Scientific & Imaging, Llc Backside illuminated CMOS image sensor with photo gate pixel
TWI616707B (zh) 2008-11-28 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
JP2010156960A (ja) 2008-12-03 2010-07-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
KR102195170B1 (ko) 2009-03-12 2020-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
TWI556323B (zh) * 2009-03-13 2016-11-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及該半導體裝置的製造方法
TWI617029B (zh) 2009-03-27 2018-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
GB0915376D0 (en) 2009-09-03 2009-10-07 Isis Innovation Transparent conducting oxides
KR101351419B1 (ko) 2010-11-12 2014-01-15 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시장치의 제조 장비와 그 제조 방법
KR101960796B1 (ko) * 2012-03-08 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터의 제조 방법, 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판
CN102749753B (zh) * 2012-06-11 2015-08-05 深超光电（深圳）有限公司 一种改善偏光片贴附的显示面板
TW201411448A (zh) * 2012-09-03 2014-03-16 Wintek Corp 觸控面板
EP2915327A1 (en) * 2012-10-30 2015-09-09 Carestream Health, Inc. Charge injection compensation for digital radiographic detectors
KR20140067559A (ko) * 2012-11-27 2014-06-05 엘지디스플레이 주식회사 디지털 엑스레이 검출기용 박막트랜지스터 어레이 기판
CN103456747A (zh) * 2013-09-11 2013-12-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104155814A (zh) * 2014-08-29 2014-11-19 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置及其制造方法
KR20180099974A (ko) 2017-02-27 2018-09-06 삼성디스플레이 주식회사 반도체 장치
CN109817693B (zh) * 2019-03-22 2020-12-04 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板及其制备方法和显示装置
CN111493865B (zh) * 2020-05-06 2021-05-14 浙江大学 一种可用于多模态观测大脑的皮层脑电电极及阵列

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0679122B2 (ja) * 1986-10-22 1994-10-05 セイコー電子工業株式会社 電気光学装置
JPS63289533A (ja) * 1987-05-22 1988-11-28 Oki Electric Ind Co Ltd 液晶ディスプレイ装置
JP2669826B2 (ja) * 1987-07-17 1997-10-29 日本ペイント株式会社 着色表示装置の製造方法
US5198377A (en) * 1987-07-31 1993-03-30 Kinya Kato Method of manufacturing an active matrix cell
JP2594971B2 (ja) * 1987-09-09 1997-03-26 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタパネル
JPH0481820A (ja) 1990-07-25 1992-03-16 Hitachi Ltd アクティブマトリクス基板及びこれを用いた液晶表示素子
JP2685086B2 (ja) * 1991-12-09 1997-12-03 沖電気工業株式会社 アクティブマトリックス液晶ディスプレイの下基板の製造方法
JP2814161B2 (ja) * 1992-04-28 1998-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス表示装置およびその駆動方法
JPH06281958A (ja) * 1993-03-25 1994-10-07 Sony Corp 液晶表示装置
KR970011972A (ko) * 1995-08-11 1997-03-29 쯔지 하루오 투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2933879B2 (ja) * 1995-08-11 1999-08-16 シャープ株式会社 透過型液晶表示装置およびその製造方法
JP3209317B2 (ja) * 1995-10-31 2001-09-17 シャープ株式会社 透過型液晶表示装置およびその製造方法
US5852485A (en) * 1996-02-27 1998-12-22 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for producing the same
JPH1020321A (ja) 1996-07-09 1998-01-23 Sharp Corp 液晶表示装置
KR100251096B1 (ko) * 1996-11-23 2000-05-01 구본준 액정표시장치의 제조방법 및 그 제조방법으로 제조되는 액정표시장치
US5913594A (en) * 1997-02-25 1999-06-22 Iimura; Keiji Flat panel light source device and passive display device utilizing the light source device
JP3782194B2 (ja) * 1997-02-28 2006-06-07 株式会社東芝 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3302600B2 (ja) 1997-03-14 2002-07-15 住友大阪セメント株式会社 導電体パターン
US5976734A (en) * 1997-06-02 1999-11-02 Canon Kabushiki Kaisha Preparation process of color liquid crystal display device
KR100272309B1 (ko) * 1997-06-26 2000-11-15 김영환 초고개구율 액정 표시 소자 및 그의 제조방법
US5990994A (en) * 1997-10-30 1999-11-23 Eastman Kodak Company First and second light sensitive conductive layers for use in image displays
JP3410667B2 (ja) * 1997-11-25 2003-05-26 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置およびその製造方法
US5858581A (en) * 1997-12-15 1999-01-12 Eastman Kodak Company Method of producing a display having a patternable conductive traces
JP3976915B2 (ja) 1998-02-09 2007-09-19 シャープ株式会社 二次元画像検出器およびその製造方法
JP3376308B2 (ja) * 1998-03-16 2003-02-10 株式会社東芝 反射板および液晶表示装置
JP3361049B2 (ja) * 1998-03-20 2003-01-07 株式会社東芝 液晶表示装置
JP4217308B2 (ja) 1998-09-24 2009-01-28 三菱電機株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP4538111B2 (ja) * 1999-05-14 2010-09-08 エーユー オプトロニクス コーポレイション カラー液晶表示装置製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007029537A1 (ja) * 2005-09-08 2007-03-15 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha 表示媒体
JP2007072293A (ja) * 2005-09-08 2007-03-22 Brother Ind Ltd 表示媒体
JP2016149443A (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 株式会社日立製作所 放射線検出素子、放射線検出器および核医学診断装置ならびに放射線検出素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20040150778A1 (en) 2004-08-05
JP3719939B2 (ja) 2005-11-24
US20010048489A1 (en) 2001-12-06
CN1328270A (zh) 2001-12-26
TWI293398B (en) 2008-02-11
KR100442510B1 (ko) 2004-07-30
US7075614B2 (en) 2006-07-11
KR20020014989A (ko) 2002-02-27
CN1162745C (zh) 2004-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3719939B2 (ja) アクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに表示装置および撮像装置
JP3240858B2 (ja) カラー表示装置
JP4235576B2 (ja) カラーフィルタ基板及びそれを用いた表示装置
WO2017124673A1 (zh) 阵列基板的制作方法及液晶显示面板
KR100691319B1 (ko) 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
US8120028B2 (en) Active device array substrate, color filter substrate and manufacturing methods thereof
JPH1010582A (ja) 液晶ディスプレイ装置及びその製造方法
JP3097841B2 (ja) フォトマスク及びアクティブ素子アレイ基板の製造方法
US7894010B2 (en) Liquid crystal display panel and method for fabricating the same
JP2003098538A (ja) 電気光学装置及びその製造方法
WO2019061751A1 (zh) Tft基板的制作方法及其结构
JP2003029269A (ja) 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法
JP2001100247A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
JP4154880B2 (ja) 電気光学装置及びその製造方法
JP3067938B2 (ja) 液晶パネル用基板とその製造方法
KR101205767B1 (ko) 액상의 유기 반도체물질을 이용한 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법
KR101198219B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR20080080772A (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
JP2003215556A (ja) 液晶表示素子
JP2000162643A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
US8530291B2 (en) Method for manufacturing display device
KR101381204B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법
JPH034214A (ja) 液晶表示装置
JPH10170950A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
JP2010169888A (ja) 表示パネル

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20031222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040304

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050830

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050906

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080916

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090916

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090916

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100916

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110916

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120916

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130916

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees