KR940009160B1 - 고화질 액정 표시판 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

고화질 액정 표시판 및 그 제조방법
제1a도 및 제1b도는 종래 술에 따른 대향(상부)기판의 단면도 및 대향기판과 TFT기판의 설치 단면도.
제2도는 이 발명에 따른 보호막 및 ITO막을 가지는 대향(상부)기판의 평면도.
제3도는 제2도의 A-A′선 단면도.
제4a도 내지 제4d도는 이 발명에 따른 액정 표시판의 제조 공정도이다.
이 발명은 액정 표시판(Liquid crystal display ; 이하 LCD라 한다)에 관한 것으로 접착영역의 보호막 및 IYO막이 제거된 대향(상부)기판을 가지는 고화질 액정 표시판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근에는 크기 및 무게가 작아 휴대가 간편할 뿐 아니라 인체에 유해한 전자파 발생이 없는 등의 잇점 때문에 랩탑 퍼스컴을 중심으로 음극선관(CRT)대신에 액정 표시판(LCD)으로 대체되고 있다.
액정 표시판은 개별 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin film transistor ; 이하 TFT라 한다)가 형성된 하부기판 즉, TFT기판과 액정층, 레드(Red), 그린(Green) 및 블루(Blue)의 3가지 색필터층이 반복 배열되어 칼라화를 시키는 상부기판 즉, 대향기판으로 구성되어 있다.
색필터층이 형성되어 있는 대향기판의 제조와 관련한 종래기술은 니케이 마이크로 디바이스(91년 11월호)와 한국 특허 출원번호 91-18426에 개시되어 있으며, 이는 제1도에 나타내었다.
제1도에 나타낸 바와 같이 CPA(Cutting, Polishig, Annealing)처리를 한 LCD용 유리기판(30)상에 TFT의 열화방지를 위한 차광용 블랙 매트릭스(Black matrix ; 이하 B/M이라 한다)(32)를 1000Å∼2000Å 정도의 두께로 크롬(Cr)을 도포, 패턴닝하여 형성한다. 그후 B/M(32)가 형성된 구조상의 전표면에 최적화된 레드 분광특성을 갖도록 안료가 분산된, 예를들어 착색 아크릴감광성 수지를 1.5㎛∼2.0㎛ 두께로 도포하고, 80℃∼110℃의 핫 플렛트에서 5분 동안 소프트 베이크(Soft Bake)한 다음 i-line(365nm) 자외선으로 노광한다. 그 다음 노광된 상기 착색 아크릴 감광성 수지를 현상액으로 2∼3분 현상하여 제1색필터층(34)을 형성한다.
상기 제1색필터층(34)과 동일한 방법으로 상기 B/M(32)상에 중첩되고 제1색필터층(34)과 분리되게 상기 유리기판(30)상에 최적화된 그린 분광특성을 갖는 착색 아크릴 감수성 수지의 제2색필터층(36)을 형성한다. 계속해서 상기 B/M(32)상에 중첩되고 상기 제2색필터층(36)과 분리되게 상기 유리기판(30)상에 최적화된 블루 분광특성을 가지는 착색 아크릴 감광성 수지의 제3색필터층(38)을 형성한다.
상기 B/M(30)과 색필터층(34, 36, 38)상의 외부충격에서 이들을 보호하기 위해 표면 경도가 높고 광투과성이 우수한, 예를들어 폴리아미드, 폴리아크릴레이트, 폴리우레탄 등의 투명수지를 0.5∼3㎛ 정도의 두께로 형성한 후 핫 플레트 150∼220℃에서 5분동안 가열하여 보호막(40)을 형성한다. 그후 상기 보호막(40)의 전표면상에 액정 구동을 위한 전압이 인가되는 ITO의 투명 전극막(42)을 500∼1300Å 정도의 두께로 형성하여 상부기판 즉, 대향기판을 완성한다.
이렇게 형성된 상기 대향기판은 하부기판 즉, TFT기판과 함께 접착제로 고정설치된다. 이는 제1b도에서 더욱 명확히 알 수 있다.
제1b도에서와 같이 스위칭 소자로서 매트릭스 형상으로 TFT(52)가 형성되어 있고, 이들 소자를 구동하기 위한 구동전극(54)이 형성되어 있는 TFT기판(50)이 준비되고, 이 TFT기판(50)은 이미 자세히 언급된 대향기판(30)과 가운데 액정층(56)을 사이에 두고 서로 접착제(60)로 고정형성된다. 상기 TFT기판(50) 및 대향기판(30)의 접착은 두 기판 사이의 에지부에 접착제(60)를 발라 접착시키게 되는데, 이 접착제(60)는 대향기판(30)상에 형성되는 색필터층(34, 36, 38)의 제조공정에서 필연적으로 형성되는 보호막(40) 및 ITO막(42)상에 직접 바르게 된다.
이 때문에 보호막(40) 또는 ITO막(48)이 쉽게 박리가 되어 상, 하부기판(30)(50)의 접착불량, ITO막(42)의 파괴(Fracture)로 인한 전기적 단락(Short)이 생겨 액정 표시판의 불량을 초래하게 된다.
따라서 이 발명의 목적은 접착영역에 위치하는 상기 대향기판의 보호막 및 ITO막을 제거시켜 유리기판을 노출한 다음에 상, 하부기판을 접착함으로써 접착력이 우수하고, 전기적 단락을 방지할 수 있는 고화질의 액정 표시판 및 그의 제조방법을 제공하는데 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여 이 발명은 상기 유리기판 상에 TFT의 열화를 방지하기 위하여 형성된 B/M과, 이 B/M에 중접된 색필터층들을 가지며, 상기 B/M과 색필터층상에 연속적으로 도포된 보호막 및 ITO의 투명 전극막과, 접착영역상에 연속적으로 형성된 상기 보호막 및 ITO막에 제거되어 형성된 유리 기판으로 구성됨을 특징으로 한다.
이 명세서 도면중 동일부호는 동일 구성부분을 나타내고 있음에 유의하여야 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 이 발명의 고화질 액정 표시판 및 그 제조방법을 상세하게 설명한다.
제2도는 이 발명에 따른 보호막 및 ITO막을 가지는 대향기판의 평면도를 나타내고 있고, 제3도는 제2도의 A-A선을 따라 취해진 수직 단면도를 나타낸다.
제2도 및 제3도를 참조하면, 이 발명에 따른 실시예는 유리기판(30) 상부에 형성된 B/M(32)과, 제1, 제2, 제3색필터층(34, 36, 38)과, 이들 상부에 차례로 형성된 보호막(40) 및 ITO의 투명 전극막(42)의 구조 및 제조방법과 관련하여 볼때, 제1도에 나타낸 종래의 액정 표시판관과 비교해볼때 그 구조와 제조방법상으로는 유사하나 상, 하부기판의 안정된 접착을 위해 종래의 보호막 및 ITO막의 에지부를 제거하여 접착영역(30a)을 형성함으로써 이 발명의 목적을 달성하는 것이 큰 차이점이다.
제3도와 같은 이 발명에 따른 상기 구조의 액정 표시판의 제조방법을 제4도를 참조하여 상세히 설명한다.
제4a도에 나타낸 바와 같이 유리기판(30)상에 금속 크롬(Cr)을 1000∼2000Å 두께로 증착한 후, 이들상에 포토레지스터 패턴을 형성하고, 크롬 에찬트로 습식식각하여 20∼50㎛의 폭을 가지는 B/M(32)를 형성한다.
그 다음 제4b도에서와 같이 상기 B/M(32)가 형성된 유리기판(30)상에 레드 안료가 분산된, 예를들어 착색 아크릴 감광성 수지를 1.5∼2.0㎛ 두께로 형성하고, 핫 플렛트에서 80∼110℃, 5분 동안 소프트 베이크를 한 다음, i-Line(365nm) 자외선으로 노광을 실시한다. 계속해서 현상액으로 샤워 방식 혹은 호리젠탈 딥(Horizental dip) 방식에 의해 2∼3분 동안 현상한 후 DIW(Deionized water)로 5∼6분 동안 린스하여 최적화된 래드 분광특성을 가지는 제1색필터층(34)을 형성한다. 바람직한 착색 아크릴 감광성 수지로는 CR-2000, CG-2000, CB-2000(Fuji-Hunt Co.Ltd)가 있으며, 이에 대한 현상액으로 CD(Fuji-Hunt Co.Ltd)가 있다. 동시에 마찬가지 방법으로 상기 B/M(30)에 중첩되고 상기 제1색필터층(34)과 분리되게 최적화된 그린 분광특성을 가지는 착색 아크릴 감광성 수지의 제2색필터층(36)이 형성되고, 또다시 상기 B/M(32)에 중첩되고 상기 제2색필터층(34)과 분리되게 최적화된 블루 분광특성을 갖는 착색 아크릴 감광성 수지의 제3색필터층(38)을 형성한다.
계속해서 제4c도에 나타낸 바와 같이 상기 B/M 및 색필터층(34, 36, 38)을 보호하기 위하여 이들 상부에 0.5∼3.0㎛정도의 두께로 광투과성이 우수한 예를들어 폴리이미드, 폴리아클리레이트, 폴리우레탄 등의 보호막(40)을 도포한 다음, 핫 플레트에서 150∼220℃, 5분 동안 가열하여 형성한다.
보호막(40)을 형성한 다음에 접착영역을 정의하여 위한 포토 공정을 실시하게 된다. 즉, 상기 보호막(40)상에 이 보호막(40)과 충분한 선택비를 갖는 포토레지스터를 스핀 도포하고 패턴닝하여 칼라필터 유효면적위에 포토레지스트 패턴(44)을 형성한다. 이때 형성되는 포토레지스터 패턴(44)은 최외각 B/M(32)의 끝단부까지 충분히 덮을 정도로 형성한다. 그 다음 제4d도에서와 같이 산소 플라즈마로 상기 유리기판(30) 전표면을 등방성에칭(Isotropic etching)하여 최외각 B/M(32)의 외각부분의 보호막(40)을 제거하여 유리기판을 노출시킴과 아울러 상기 포토레지스터 패턴을 제거하여 접착영역(30a)을 형성한다.
마지막으로 금속 마스크를 이용하여 상기 보호막(40) 상에만 액정구동을 위해 전압을 인가하는 ITO의 투명 전극막(40)이 5000∼13000Å 두께로 형성하여 대향기판을 완성한다. 이 대향기판은 TFT기판과 접착 설치되는데, 접착제는 접착영역(30a), 즉 노출된 유리기판에 직접 달라붙게 된다.
이와 같이 이 발명은 상기 대향(상부) 유리기판상의 접착영역의 보호막 및 ITO막의 투명 전극막을 제거하여 유리기판에 직접 접착제를 붙이므로써 접착 불량 혹은 전기적 단락을 방지하여 고신뢰성의 액정 표시판을 구현할 수 있다.

Claims (3)

  1. 대향(상부) 유리기판상에 박막트랜지스터의 열화를 방지하기 위해 형성된 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스에 중첩되고 각각 분리되어 형성된 색필터층과, 상기 블랙 매트릭스 및 색필터층 상에 연속적으로 형성된 보호막과, ITO의 투명 전극막으로 구성되는 액정 표시판에 있어서, 상기 대향(상부) 유리기판상의 접착영역상에 위치하는 보호막 및 투명 전극막을 제거하여 유리기판이 노출된 것을 특징으로 하는 고화질 액정 표시판.
  2. 대향(상부) 유리기판상에 박막트랜지스터의 열화를 방지하기 위해 형성된 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스에 중첩되고 각각 분리되어 형성된 색필터층과, 상기 블랙 매트릭스 및 색필터층 상에 연속적으로 형성된 보호막과, ITO의 투명 전극막으로 구성되는 액정 표시판의 상기 보호막 및 투명 전극막을 제거하는 제조방법에 있어서, 보호막 및 투명 전극막과 충분한 선택비를 가지는 마스크로 이용하여 에칭한 후 이를 제거하여 형성하는 공정임을 특징으로 하는 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 마스크 물질은 감광성을 가지는 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 제조방법.
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