JPH0784277A - 液晶表示パネル基板 - Google Patents
液晶表示パネル基板Info
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- JPH0784277A JPH0784277A JP5232712A JP23271293A JPH0784277A JP H0784277 A JPH0784277 A JP H0784277A JP 5232712 A JP5232712 A JP 5232712A JP 23271293 A JP23271293 A JP 23271293A JP H0784277 A JPH0784277 A JP H0784277A
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- crystal display
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶表示パネルの機能素子形成基板に関し、
低消費電力化する。 【構成】 透明基板２の表面に液晶を駆動させる多数の
表示電極９1,９2,９3 と、表示電極９1,９2,９3 を選択
的に機能させる多数の機能素子18と、機能素子18に電気
信号を供給する格子状のバスライン８,16 と、表示電極
９1,９2,９3 に対応する透光性着色樹脂の画素Ｒ，Ｇ，
Ｂとを具え、画素Ｒ，Ｇ，Ｂは所定の機能素子18を覆っ
て周縁がバスライン８,16 と重なるように形成され、表
示電極９1,９2,９3 は機能素子18を覆う領域を含み画素
Ｒ，Ｇ，Ｂの上面に形成され、画素Ｒ，Ｇ，Ｂの所定部
に設けた透孔20を介して表示電極９1,９2,９3 と機能素
子18とが接続されてなること、を特徴とする。
低消費電力化する。 【構成】 透明基板２の表面に液晶を駆動させる多数の
表示電極９1,９2,９3 と、表示電極９1,９2,９3 を選択
的に機能させる多数の機能素子18と、機能素子18に電気
信号を供給する格子状のバスライン８,16 と、表示電極
９1,９2,９3 に対応する透光性着色樹脂の画素Ｒ，Ｇ，
Ｂとを具え、画素Ｒ，Ｇ，Ｂは所定の機能素子18を覆っ
て周縁がバスライン８,16 と重なるように形成され、表
示電極９1,９2,９3 は機能素子18を覆う領域を含み画素
Ｒ，Ｇ，Ｂの上面に形成され、画素Ｒ，Ｇ，Ｂの所定部
に設けた透孔20を介して表示電極９1,９2,９3 と機能素
子18とが接続されてなること、を特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、機能素子（ＴＦＴ;Thi
n Film Transistor)，液晶駆動用表示電極および透光性
着色樹脂のカラー表示用画素を形成した液晶表示パネル
（ＬＣＤ）基板、特に、表示特性向上のため開口率を拡
大できるようにした構成に関する。
n Film Transistor)，液晶駆動用表示電極および透光性
着色樹脂のカラー表示用画素を形成した液晶表示パネル
（ＬＣＤ）基板、特に、表示特性向上のため開口率を拡
大できるようにした構成に関する。
【０００２】最近のＬＣＤは、カラー化，大容量化に伴
い、携帯用ＯＡ機器等への適用を考慮して、低消費電力
化即ちパネルの高透過率化（＝バックライトの低輝度
化）が要求されている。そのため、カラーフィルタの光
透過率を向上させる必要が生じるようになった。
い、携帯用ＯＡ機器等への適用を考慮して、低消費電力
化即ちパネルの高透過率化（＝バックライトの低輝度
化）が要求されている。そのため、カラーフィルタの光
透過率を向上させる必要が生じるようになった。
【０００３】
【従来の技術】カラーＬＣＤにおけるカラーフィルタ
は、多数のＴＦＴを形成したＴＦＴ基板に形成したもの
と、ＴＦＴ基板が対向する透明基板に形成したものがあ
る。
は、多数のＴＦＴを形成したＴＦＴ基板に形成したもの
と、ＴＦＴ基板が対向する透明基板に形成したものがあ
る。
【０００４】図７は従来のＬＣＤ用カラーフィルタの主
要構成を示す断面図であり、(イ) はＴＦＴとは別の基板
に形成したカラーフィルタ基板、(ロ) はＴＦＴとカラー
フィルタとを同一基板に形成したＬＣＤパネル基板（そ
の１）の構成例、(ハ) はＴＦＴとカラーフィルタとを同
一基板に形成したＬＣＤパネル基板（その２）の構成例
である。
要構成を示す断面図であり、(イ) はＴＦＴとは別の基板
に形成したカラーフィルタ基板、(ロ) はＴＦＴとカラー
フィルタとを同一基板に形成したＬＣＤパネル基板（そ
の１）の構成例、(ハ) はＴＦＴとカラーフィルタとを同
一基板に形成したＬＣＤパネル基板（その２）の構成例
である。
【０００５】図７(イ) において、カラーフィルタ基板１
は、ガラス基板２の表面にブラックマスク３を形成し、
マスク３の多数の透孔部をそれぞれが埋めるように透光
性着色樹脂の画素Ｒ，Ｇ，Ｂを所定配列に形成し、画素
Ｒ，Ｇ，Ｂの凹凸を平坦化するトップコート層４を形成
したのち、図示しない表示電極に対向する透明対向電極
（ＩＴＯ電極）５を、トップコート層４の上に形成して
なる。
は、ガラス基板２の表面にブラックマスク３を形成し、
マスク３の多数の透孔部をそれぞれが埋めるように透光
性着色樹脂の画素Ｒ，Ｇ，Ｂを所定配列に形成し、画素
Ｒ，Ｇ，Ｂの凹凸を平坦化するトップコート層４を形成
したのち、図示しない表示電極に対向する透明対向電極
（ＩＴＯ電極）５を、トップコート層４の上に形成して
なる。
【０００６】ブラックマスク３は、一般に基板２の表面
に被着させたクロム膜の不要部を、エッチングにて除去
し形成している。図７(ロ) において、ＴＦＴ基板６はガ
ラス基板２の表面に、ソース電極７等にてなるスタガ型
ＴＦＴ, そのＴＦＴに接続する幅15μm 程度のゲートバ
スライン８と幅10μm 程度のドレインバスライン（図示
せず），ソース電極７に接続する表示電極９, ＴＦＴ等
を覆う遮光層 (保護層) 10等を形成したのち、表示電極
９の上に透光性着色樹脂等にて複数色、例えば赤，緑，
青色の画素Ｒ，Ｇ，Ｂを所定配列に形成してなる。
に被着させたクロム膜の不要部を、エッチングにて除去
し形成している。図７(ロ) において、ＴＦＴ基板６はガ
ラス基板２の表面に、ソース電極７等にてなるスタガ型
ＴＦＴ, そのＴＦＴに接続する幅15μm 程度のゲートバ
スライン８と幅10μm 程度のドレインバスライン（図示
せず），ソース電極７に接続する表示電極９, ＴＦＴ等
を覆う遮光層 (保護層) 10等を形成したのち、表示電極
９の上に透光性着色樹脂等にて複数色、例えば赤，緑，
青色の画素Ｒ，Ｇ，Ｂを所定配列に形成してなる。
【０００７】図７(ハ) において、ＴＦＴ基板11はガラス
基板２の表面に、ソース電極７等にてなるスタガ型ＴＦ
Ｔ, そのＴＦＴに接続するゲートバスライン８とドレイ
ンバスライン（図示せず），ソース電極７に接続する画
素電着用電極12, ＴＦＴ等を覆う遮光層 (保護層) 13等
を形成したのち、電着法によって電極12の上に画素Ｒ，
Ｇ，Ｂを形成し、遮光層13に設けた透孔を介してソース
電極７に接続する表示電極９を、画素Ｒ，Ｇ，Ｂの上に
パターン形成してなる。
基板２の表面に、ソース電極７等にてなるスタガ型ＴＦ
Ｔ, そのＴＦＴに接続するゲートバスライン８とドレイ
ンバスライン（図示せず），ソース電極７に接続する画
素電着用電極12, ＴＦＴ等を覆う遮光層 (保護層) 13等
を形成したのち、電着法によって電極12の上に画素Ｒ，
Ｇ，Ｂを形成し、遮光層13に設けた透孔を介してソース
電極７に接続する表示電極９を、画素Ｒ，Ｇ，Ｂの上に
パターン形成してなる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
多数のＴＦＴ素子を基板に形成したカラーＬＣＤには、
液晶を介してＴＦＴ基板が対向する対向基板に着色画素
（カラーフィルタ）を形成した構成と、着色画素（カラ
ーフィルタ）を形成したＴＦＴ基板が液晶を介して対向
基板に対向する構成とがある。
多数のＴＦＴ素子を基板に形成したカラーＬＣＤには、
液晶を介してＴＦＴ基板が対向する対向基板に着色画素
（カラーフィルタ）を形成した構成と、着色画素（カラ
ーフィルタ）を形成したＴＦＴ基板が液晶を介して対向
基板に対向する構成とがある。
【０００９】ＴＦＴ基板に着色画素を形成した構成で
は、表示電極の上に着色画素を形成した構成と表示電極
の下に着色画素を形成した構成とがあり、さらに着色画
素間に対応するブラックマスクをＴＦＴ基板に形成した
ものと対向基板に形成したものがあるが、表示電極の上
に着色画素を形成する構成は、画素が液晶駆動電圧を降
下させるようになるため、ＬＣＤの消費電力が増大する
ようになる。
は、表示電極の上に着色画素を形成した構成と表示電極
の下に着色画素を形成した構成とがあり、さらに着色画
素間に対応するブラックマスクをＴＦＴ基板に形成した
ものと対向基板に形成したものがあるが、表示電極の上
に着色画素を形成する構成は、画素が液晶駆動電圧を降
下させるようになるため、ＬＣＤの消費電力が増大する
ようになる。
【００１０】このようなＬＣＤにおいて、光の高透過率
化によって低消費電力化する手段としては、表示電極の
上に着色画素を形成する構成のＬＣＤは逆効果が発生す
るため除外し、着色画素を薄くする方法と、４０〜５０
％であるブラックマスクの開口率を大きくする方法が検
討されてきた。
化によって低消費電力化する手段としては、表示電極の
上に着色画素を形成する構成のＬＣＤは逆効果が発生す
るため除外し、着色画素を薄くする方法と、４０〜５０
％であるブラックマスクの開口率を大きくする方法が検
討されてきた。
【００１１】しかしながら、着色画素を薄くして透過率
を改善する方法は、透過率が向上する一方で色純度が低
下するといった根本的なトレードオフの問題があって、
不適当である。
を改善する方法は、透過率が向上する一方で色純度が低
下するといった根本的なトレードオフの問題があって、
不適当である。
【００１２】他方、画素間に対向する桟幅を狭める等に
よってブラックマスクの開口率を大きくする方法は、パ
ターニング精度，アセンブリ時の位置合わせ精度に限界
があるため、従来構成を変更することなく顕著な効果が
期待できない。
よってブラックマスクの開口率を大きくする方法は、パ
ターニング精度，アセンブリ時の位置合わせ精度に限界
があるため、従来構成を変更することなく顕著な効果が
期待できない。
【００１３】なお、ブラックマスクの開口率を高くでき
るＬＣＤとして特開平３−１６７５２４号公報には、着
色画素の上に表示電極を形成し、ＴＦＴに対応する遮光
層を不要とする構成が開示されている。しかし、不要と
なる遮光層はＴＦＴ素子に対応する部分に関し、表示電
極はＴＦＴの上に延伸し形成されない構成のため、ＬＣ
Ｄの透過率の向上は比較的僅かである。
るＬＣＤとして特開平３−１６７５２４号公報には、着
色画素の上に表示電極を形成し、ＴＦＴに対応する遮光
層を不要とする構成が開示されている。しかし、不要と
なる遮光層はＴＦＴ素子に対応する部分に関し、表示電
極はＴＦＴの上に延伸し形成されない構成のため、ＬＣ
Ｄの透過率の向上は比較的僅かである。
【００１４】さらに、ブラックマスクの開口率を高くで
きるＬＣＤとして特開平４−２５３０２８号公報には、
ＴＦＴを形成した基板の表面に染色可能な樹脂絶縁層を
形成し、その絶縁層に選択染色を行って着色画素と遮光
膜を形成構成が開示されている。しかし、その構成にお
いて画素間に対応するブラックマスク桟部の幅は、当然
のこととして、ゲートバスライン幅およびドレインバス
ライン幅より広くする必要がある。
きるＬＣＤとして特開平４−２５３０２８号公報には、
ＴＦＴを形成した基板の表面に染色可能な樹脂絶縁層を
形成し、その絶縁層に選択染色を行って着色画素と遮光
膜を形成構成が開示されている。しかし、その構成にお
いて画素間に対応するブラックマスク桟部の幅は、当然
のこととして、ゲートバスライン幅およびドレインバス
ライン幅より広くする必要がある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、着色画
素の光学特性やカラーフィルタの生産性を低下させるこ
となく、低コストで従来のものより光透過率に優れたＬ
ＣＤパネルを提供する、さらに具体的には高開口率のカ
ラーフィルタを提供することである。
素の光学特性やカラーフィルタの生産性を低下させるこ
となく、低コストで従来のものより光透過率に優れたＬ
ＣＤパネルを提供する、さらに具体的には高開口率のカ
ラーフィルタを提供することである。
【００１６】かかる目的を達成する本発明の液晶表示パ
ネル基板は、その主要構成を示す図１によれば、透明基
板２の表面に液晶を駆動させる多数の表示電極９1,９2,
９3と、表示電極９1,９2,９3 を選択的に機能させる多
数の機能素子18と、機能素子18に電気信号を供給する格
子状のバスライン８,16 と、表示電極９1,９2,９3 に対
応する透光性着色樹脂の画素Ｒ，Ｇ，Ｂとを具え、画素
Ｒ，Ｇ，Ｂは所定の機能素子18を覆って周縁がバスライ
ン８,16 と重なるように形成され、表示電極９ 1,９2,９
3 は機能素子18を覆う領域を含む画素Ｒ，Ｇ，Ｂの上面
に形成され、画素Ｒ，Ｇ，Ｂの所定部に設けた透孔20を
介して表示電極９1,９2,９3 と機能素子18とが接続され
てなること、を特徴とし構成する。
ネル基板は、その主要構成を示す図１によれば、透明基
板２の表面に液晶を駆動させる多数の表示電極９1,９2,
９3と、表示電極９1,９2,９3 を選択的に機能させる多
数の機能素子18と、機能素子18に電気信号を供給する格
子状のバスライン８,16 と、表示電極９1,９2,９3 に対
応する透光性着色樹脂の画素Ｒ，Ｇ，Ｂとを具え、画素
Ｒ，Ｇ，Ｂは所定の機能素子18を覆って周縁がバスライ
ン８,16 と重なるように形成され、表示電極９ 1,９2,９
3 は機能素子18を覆う領域を含む画素Ｒ，Ｇ，Ｂの上面
に形成され、画素Ｒ，Ｇ，Ｂの所定部に設けた透孔20を
介して表示電極９1,９2,９3 と機能素子18とが接続され
てなること、を特徴とし構成する。
【００１７】
【作用】上記手段によれば、着色画素が機能素子を覆
い、機能素子の上方にも表示電極の一部が延伸し、光学
的に不透明となるゲートバスラインとドレインバスライ
ンおよびＴＦＴ素子部をカラーフィルタのブラックマス
クとして利用した構成である。
い、機能素子の上方にも表示電極の一部が延伸し、光学
的に不透明となるゲートバスラインとドレインバスライ
ンおよびＴＦＴ素子部をカラーフィルタのブラックマス
クとして利用した構成である。
【００１８】従って、本発明による液晶表示パネル基板
の光透過率は約７０〜８０％となり、この値は従来パネ
ルのそれの1.４〜2.３倍となり、そのことによって消費
電力の低減が可能になり、着色樹脂が機能素子上を覆う
ため、機能素子の保護膜機能も兼ねることができる。
の光透過率は約７０〜８０％となり、この値は従来パネ
ルのそれの1.４〜2.３倍となり、そのことによって消費
電力の低減が可能になり、着色樹脂が機能素子上を覆う
ため、機能素子の保護膜機能も兼ねることができる。
【００１９】
【実施例】以下に、図面を用いて本発明による液晶表示
パネル基板を説明する。図１は本発明による液晶表示パ
ネル基板の主要構成を示す図、図２は本発明の実施例に
よる液晶表示パネル基板の主要構成の説明図、図３は本
発明の他の実施例による液晶表示パネル基板の要部の説
明図、図４は本発明のさらに他の実施例による液晶表示
パネル基板の要部の説明図、図５は図２に示す液晶表示
パネル基板の製造工程の説明図（その１）、図６は図２
に示す液晶表示パネル基板の製造工程の説明図（その
２）である。
パネル基板を説明する。図１は本発明による液晶表示パ
ネル基板の主要構成を示す図、図２は本発明の実施例に
よる液晶表示パネル基板の主要構成の説明図、図３は本
発明の他の実施例による液晶表示パネル基板の要部の説
明図、図４は本発明のさらに他の実施例による液晶表示
パネル基板の要部の説明図、図５は図２に示す液晶表示
パネル基板の製造工程の説明図（その１）、図６は図２
に示す液晶表示パネル基板の製造工程の説明図（その
２）である。
【００２０】図１において、(イ) はＴＦＴを形成した基
板の平面図、(ロ) はＴＦＴと第１の着色画素を形成した
基板の平面図、(ハ) はＴＦＴ，着色画素，表示電極を形
成した基板の断面図である。
板の平面図、(ロ) はＴＦＴと第１の着色画素を形成した
基板の平面図、(ハ) はＴＦＴ，着色画素，表示電極を形
成した基板の断面図である。
【００２１】図１(イ) において、透明（ガラス）基板２
の表面には、格子状に交差する多数本のゲートバスライ
ン16とドレインバスライン８および、スタガ型ＴＦＴ素
子18を形成する。ＴＦＴ素子18において、７はソース電
極，19はゲート電極であり、バスライン８の突出部に形
成した半導体 (アモルファスシリコン) 膜20に、ソース
電極７とゲート電極19が接続し、バスライン８と16の交
差部は図示しない絶縁膜によって絶縁されている。
の表面には、格子状に交差する多数本のゲートバスライ
ン16とドレインバスライン８および、スタガ型ＴＦＴ素
子18を形成する。ＴＦＴ素子18において、７はソース電
極，19はゲート電極であり、バスライン８の突出部に形
成した半導体 (アモルファスシリコン) 膜20に、ソース
電極７とゲート電極19が接続し、バスライン８と16の交
差部は図示しない絶縁膜によって絶縁されている。
【００２２】図１(ロ) において、電気的絶縁性を有する
第１の画素例えば赤色画素Ｒは、バスライン８と16によ
って囲われた所定の画素領域に、かつ、周辺がバスライ
ン８と16に重なるように形成し、画素Ｒに設けた透孔20
はソース電極７の一部を露呈するように設けられてい
る。
第１の画素例えば赤色画素Ｒは、バスライン８と16によ
って囲われた所定の画素領域に、かつ、周辺がバスライ
ン８と16に重なるように形成し、画素Ｒに設けた透孔20
はソース電極７の一部を露呈するように設けられてい
る。
【００２３】次いで、図１(ハ) に示すように、画素Ｒの
一側に接続する第２の画素例えば緑色画素Ｇを画素Ｒと
同様に形成したのち、画素ＲとＧの隙間を埋めるように
第３の画素例えば青色画素Ｂを画素Ｒと同様に形成す
る。ただし、画素Ｇ，Ｂには画素Ｒと同様に、その領域
内のソース電極７の一部を露呈させる透孔を設ける。
一側に接続する第２の画素例えば緑色画素Ｇを画素Ｒと
同様に形成したのち、画素ＲとＧの隙間を埋めるように
第３の画素例えば青色画素Ｂを画素Ｒと同様に形成す
る。ただし、画素Ｇ，Ｂには画素Ｒと同様に、その領域
内のソース電極７の一部を露呈させる透孔を設ける。
【００２４】しかるのち、画素Ｒの上に被着しソース電
極７に連通する表示電極９1 と、画素Ｇの上に被着し所
定のソース電極７に連通する表示電極９2 と、画素Ｂの
上に被着し所定のソース電極７に連通する表示電極９3
を形成し、液晶表示パネル基板15が完成する。
極７に連通する表示電極９1 と、画素Ｇの上に被着し所
定のソース電極７に連通する表示電極９2 と、画素Ｂの
上に被着し所定のソース電極７に連通する表示電極９3
を形成し、液晶表示パネル基板15が完成する。
【００２５】図１と共通部分に同一符号を使用した図２
において、(イ) は表示電極，連通画素を適当に破断した
平面図、(ロ) は連通画素を幅方向に切断した断面図、
(ハ) は連通画素を長さ方向に切断した断面図である。
において、(イ) は表示電極，連通画素を適当に破断した
平面図、(ロ) は連通画素を幅方向に切断した断面図、
(ハ) は連通画素を長さ方向に切断した断面図である。
【００２６】多数の画素Ｒ，Ｇ，Ｂがストライプ配列で
あるＴＦＴ基板21は、格子状に交差する多数本のゲート
バスライン16とドレインバスライン８およびＴＦＴ素子
18を形成したガラス基板２の表面に、図の上下方向に連
通する第１の連通画素Ｒ′，第２の連通画素Ｇ′，第３
の連通画素Ｂ′を形成する。
あるＴＦＴ基板21は、格子状に交差する多数本のゲート
バスライン16とドレインバスライン８およびＴＦＴ素子
18を形成したガラス基板２の表面に、図の上下方向に連
通する第１の連通画素Ｒ′，第２の連通画素Ｇ′，第３
の連通画素Ｂ′を形成する。
【００２７】連通画素Ｒ′，Ｇ′，Ｂ′の所定部には、
ＴＦＴ素子18のソース電極７の一部を露呈させる透孔20
があいており、それぞれが隣接する一対のバスライン８
と16に囲われた１画素領域に対応する表示電極９1,９2,
９3 は、透孔20を埋めてソース電極７に接続し、赤色表
示電極９1,青色表示電極９2,緑色表示電極９3 の周縁は
バスライン８または16の上方に位置する。
ＴＦＴ素子18のソース電極７の一部を露呈させる透孔20
があいており、それぞれが隣接する一対のバスライン８
と16に囲われた１画素領域に対応する表示電極９1,９2,
９3 は、透孔20を埋めてソース電極７に接続し、赤色表
示電極９1,青色表示電極９2,緑色表示電極９3 の周縁は
バスライン８または16の上方に位置する。
【００２８】図示しない部分構成が図２を用いて説明し
たＴＦＴ基板21と同じである図３において、ＴＦＴ基板
31は、ドレインバスライン８の上で異色の連通画素例え
ば連通画素Ｒ′とＧ′が重なる構成であり、連通画素
Ｒ′の上に形成した表示電極９ 1 と、連通画素Ｇ′の上
に形成した表示電極９3 との間隙には、電気的絶縁性を
有する透明または適当な有色樹脂層32を充填してなる。
たＴＦＴ基板21と同じである図３において、ＴＦＴ基板
31は、ドレインバスライン８の上で異色の連通画素例え
ば連通画素Ｒ′とＧ′が重なる構成であり、連通画素
Ｒ′の上に形成した表示電極９ 1 と、連通画素Ｇ′の上
に形成した表示電極９3 との間隙には、電気的絶縁性を
有する透明または適当な有色樹脂層32を充填してなる。
【００２９】樹脂層32は通常の樹脂パターン形成方法、
例えば表示電極９1,９2,９3 を覆う全面に塗付した樹脂
膜を選択エッチングして形成される。図示しない部分構
成が図２を用いて説明したＴＦＴ基板21と同じである図
４において、ＴＦＴ基板36は、ドレインバスライン８の
上で異色の連通画素例えば連通画素Ｒ′とＧ′が重なる
構成であり、連通画素Ｒ′の上に形成した表示電極９ 1
と、連通画素Ｇ′の上に形成した表示電極９3 との間隙
には、電気的絶縁性を有する樹脂層32を充填し、樹脂層
32の上に液晶充填間隙を設定する球状スペーサ、例えば
直径が３μm 程度のガラス球37を搭載してなる。
例えば表示電極９1,９2,９3 を覆う全面に塗付した樹脂
膜を選択エッチングして形成される。図示しない部分構
成が図２を用いて説明したＴＦＴ基板21と同じである図
４において、ＴＦＴ基板36は、ドレインバスライン８の
上で異色の連通画素例えば連通画素Ｒ′とＧ′が重なる
構成であり、連通画素Ｒ′の上に形成した表示電極９ 1
と、連通画素Ｇ′の上に形成した表示電極９3 との間隙
には、電気的絶縁性を有する樹脂層32を充填し、樹脂層
32の上に液晶充填間隙を設定する球状スペーサ、例えば
直径が３μm 程度のガラス球37を搭載してなる。
【００３０】かかる樹脂層32とスペーサ37は、例えば樹
脂層32を形成する樹脂液に混合して樹脂膜を形成し、そ
の樹脂膜を選択エッチングして形成される。次に、図２
を用いて説明した液晶表示パネル基板21の製造工程を、
図５，図６を用いて詳細に説明する。
脂層32を形成する樹脂液に混合して樹脂膜を形成し、そ
の樹脂膜を選択エッチングして形成される。次に、図２
を用いて説明した液晶表示パネル基板21の製造工程を、
図５，図６を用いて詳細に説明する。
【００３１】図５(イ) において、例えば厚さが1.1mm の
無アルカリガラスにてなるガラス基板２の表面に、格子
状に交差する多数本の幅15μm 程度のゲートバスライン
16 (図２参照）と幅10μm 程度のドレインバスライン８
および、ＴＦＴ素子18 (図２参照）を、従来と同一方法
で形成する。
無アルカリガラスにてなるガラス基板２の表面に、格子
状に交差する多数本の幅15μm 程度のゲートバスライン
16 (図２参照）と幅10μm 程度のドレインバスライン８
および、ＴＦＴ素子18 (図２参照）を、従来と同一方法
で形成する。
【００３２】次いで、図５(ロ) に示すように第１の連通
画素形成用の感光性顔料分散型樹脂膜、例えば赤色顔料
を分散させた樹脂膜41を、スピンナー法，ロールコータ
法等によってガラス基板２の全表面に塗付形成する。樹
脂膜41は、ベーキング後の厚さが２μm 程度となる厚さ
であり、樹脂膜41の上に酸素遮断膜42を被着する。
画素形成用の感光性顔料分散型樹脂膜、例えば赤色顔料
を分散させた樹脂膜41を、スピンナー法，ロールコータ
法等によってガラス基板２の全表面に塗付形成する。樹
脂膜41は、ベーキング後の厚さが２μm 程度となる厚さ
であり、樹脂膜41の上に酸素遮断膜42を被着する。
【００３３】次いで、実施例では 130℃で90分程度加熱
し樹脂膜41の仮焼成 (プリベーク)を行ったのち、図５
(ハ) に示すようにフォトマスク43を用いたプロキシミテ
ィ露光 (照射光量：60mj/cm2) を行い、通常の現像処理
例えばアルカリ性現像液を使用したスピン法で 120分程
度の現像処理によって、樹脂膜41の非露光部を溶去する
と、図５(ニ) に示す如くガラス基板２には、図紙の幅方
向縁がドレインバスライン８に重なり，図紙の厚さ方向
縁が図示されないゲートバスラインに重なり，ソース電
極７の一部を露呈させる透孔20があいた連通画素Ｒ′が
パターン形成され、その画素Ｒ′は通常の完全焼成（ポ
ストベーク）例えば 250℃で約 180分加熱し完成され
る。
し樹脂膜41の仮焼成 (プリベーク)を行ったのち、図５
(ハ) に示すようにフォトマスク43を用いたプロキシミテ
ィ露光 (照射光量：60mj/cm2) を行い、通常の現像処理
例えばアルカリ性現像液を使用したスピン法で 120分程
度の現像処理によって、樹脂膜41の非露光部を溶去する
と、図５(ニ) に示す如くガラス基板２には、図紙の幅方
向縁がドレインバスライン８に重なり，図紙の厚さ方向
縁が図示されないゲートバスラインに重なり，ソース電
極７の一部を露呈させる透孔20があいた連通画素Ｒ′が
パターン形成され、その画素Ｒ′は通常の完全焼成（ポ
ストベーク）例えば 250℃で約 180分加熱し完成され
る。
【００３４】次いで、図５(ホ) に示すように画素Ｒ′と
同様な工程によって、第２の連通画素例えば連通画素
Ｇ′を形成したのち、図５(ヘ) に示すように画素Ｒ′，
Ｇ′と同様な工程によって、第３の画素例えば連通画素
Ｂ′を形成し、画素形成が完了する。
同様な工程によって、第２の連通画素例えば連通画素
Ｇ′を形成したのち、図５(ヘ) に示すように画素Ｒ′，
Ｇ′と同様な工程によって、第３の画素例えば連通画素
Ｂ′を形成し、画素形成が完了する。
【００３５】次いで、図６(イ) に示す如く画素Ｒ′，
Ｇ′，Ｂ′の上に透明導電膜（ＩＴＯ膜）44を、通常の
成膜方法例えばＤＣマグネトロン方式によるスパッタ法
にて成膜したのち、図６(ロ) に示す如くＩＴＯ膜44に、
フォトレジスト層45を積層させる。
Ｇ′，Ｂ′の上に透明導電膜（ＩＴＯ膜）44を、通常の
成膜方法例えばＤＣマグネトロン方式によるスパッタ法
にて成膜したのち、図６(ロ) に示す如くＩＴＯ膜44に、
フォトレジスト層45を積層させる。
【００３６】本実施例においてＤＣマグネトロン方式に
よるＩＴＯ膜44の成膜方法は、純度99.99%, In2O3 ：90
wt%, SnO2 ：10wt%,ターゲット密度 5.0±0.5g/cm2の中
密度ＩＴＯターゲットを使用し、そのスパッタ条件は、 圧力 ：５×１０-3toor パワー ：４ＫＷ 基板温度 ：１７０℃ ガス流量 ：アルゴン／酸素＝ 400／７ Ｓ
ＣＣＭ 時間 ：３分 である。
よるＩＴＯ膜44の成膜方法は、純度99.99%, In2O3 ：90
wt%, SnO2 ：10wt%,ターゲット密度 5.0±0.5g/cm2の中
密度ＩＴＯターゲットを使用し、そのスパッタ条件は、 圧力 ：５×１０-3toor パワー ：４ＫＷ 基板温度 ：１７０℃ ガス流量 ：アルゴン／酸素＝ 400／７ Ｓ
ＣＣＭ 時間 ：３分 である。
【００３７】次いで、図６(ハ) に示す如くフォトマスク
46を用いてレジスト層45のプロキシミティ露光 (照射光
量：120mj/cm2)を行ったのち、通常の現像処理例えば35
℃のKOH0.075％水溶液中に60秒程度浸漬してレジスト層
45の露光部を溶去すると、図６(ニ) に示す如くＩＴＯ膜
44の上に、ＩＴＯ膜エッチング用マスク47が形成され
る。
46を用いてレジスト層45のプロキシミティ露光 (照射光
量：120mj/cm2)を行ったのち、通常の現像処理例えば35
℃のKOH0.075％水溶液中に60秒程度浸漬してレジスト層
45の露光部を溶去すると、図６(ニ) に示す如くＩＴＯ膜
44の上に、ＩＴＯ膜エッチング用マスク47が形成され
る。
【００３８】そこで、マスク47を用いた通常のエッチン
グ、例えば35℃のＩＴＯエッチング液に 180秒程度浸漬
すると、図６(ホ) に示すように表示電極９1,９2,９3 が
形成され、マスク47を通常の方法例えば35℃の KOH４％
水溶液に 150秒程度浸漬して除去すると、図６(ヘ) に示
すようにＴＦＴ基板21が完成する。
グ、例えば35℃のＩＴＯエッチング液に 180秒程度浸漬
すると、図６(ホ) に示すように表示電極９1,９2,９3 が
形成され、マスク47を通常の方法例えば35℃の KOH４％
水溶液に 150秒程度浸漬して除去すると、図６(ヘ) に示
すようにＴＦＴ基板21が完成する。
【００３９】なお、通常の上記実施例において、基板２
の表面粗さは1000Å程度であり、ＴＦＴ18の厚さが5000
Å程度であるのに対し、画素Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｒ′，Ｇ′，
Ｂ′の厚さは２μm 程度である。従って、基板２の表面
粗さおよびＴＦＴ18の厚さは、画素Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｒ′，
Ｇ′，Ｂ′の平坦性に影響を与えない。
の表面粗さは1000Å程度であり、ＴＦＴ18の厚さが5000
Å程度であるのに対し、画素Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｒ′，Ｇ′，
Ｂ′の厚さは２μm 程度である。従って、基板２の表面
粗さおよびＴＦＴ18の厚さは、画素Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｒ′，
Ｇ′，Ｂ′の平坦性に影響を与えない。
【００４０】しかしながら、ＴＦＴ18の厚さが１〜1.５
μm 程度に厚くなると、その厚さが画素Ｒ，Ｇ，Ｂ，
Ｒ′，Ｇ′，Ｂ′の平坦性に影響するようになる。その
ようなときには、画素Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｒ′，Ｇ′，Ｂ′を
形成する樹脂液に熱可塑性樹脂、例えば光（紫外線）硬
化型ポリスチレン系の熱可塑性樹脂を使用し、パターン
形成した画素Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｒ′，Ｇ′，Ｂ′を使用樹脂
の溶融温度まで加熱することによって、平坦化が可能に
なる。
μm 程度に厚くなると、その厚さが画素Ｒ，Ｇ，Ｂ，
Ｒ′，Ｇ′，Ｂ′の平坦性に影響するようになる。その
ようなときには、画素Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｒ′，Ｇ′，Ｂ′を
形成する樹脂液に熱可塑性樹脂、例えば光（紫外線）硬
化型ポリスチレン系の熱可塑性樹脂を使用し、パターン
形成した画素Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｒ′，Ｇ′，Ｂ′を使用樹脂
の溶融温度まで加熱することによって、平坦化が可能に
なる。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による液晶
表示パネル基板の光透過率は約７０〜８０％となり、こ
の値は従来パネルのそれの1.４〜2.３倍となり、そのこ
とによって、表示画像の高輝度化または消費電力の低減
を可能にした。
表示パネル基板の光透過率は約７０〜８０％となり、こ
の値は従来パネルのそれの1.４〜2.３倍となり、そのこ
とによって、表示画像の高輝度化または消費電力の低減
を可能にした。
【図１】 本発明による液晶表示パネル基板の主要構成
を示す図
を示す図
【図２】 本発明の実施例による液晶表示パネル基板の
主要構成の説明図
主要構成の説明図
【図３】 本発明の他の実施例による液晶表示パネル基
板の要部の説明図
板の要部の説明図
【図４】 本発明のさらに他の実施例による液晶表示パ
ネル基板の要部の説明図
ネル基板の要部の説明図
【図５】 図２に示す液晶表示パネル基板の製造工程の
説明図（その１）
説明図（その１）
【図６】 図２に示す液晶表示パネル基板の製造工程の
説明図（その２）
説明図（その２）
【図７】 従来のＬＣＤ用カラーフィルタの主要構成を
示す断面図
示す断面図
２ ガラス基板（透明基板） ８ ドレインバスライン ９1,９2,９3 表示電極 15,21,31,36 液晶表示パネル基板 16 ゲートバスライン 18 機能素子（ＴＦＴ） 32 電気的絶縁樹脂層 37 液晶充填間隔設定用スペーサ Ｒ，Ｇ，Ｂ 着色画素 Ｒ′，Ｇ′，Ｂ′ 連通着色画素
Claims (5)
- 【請求項１】 透明基板(2) の表面には、液晶を駆動さ
せる多数の表示電極(91,92,93)と、該表示電極(91,92,9
3)を選択的に機能させる多数の機能素子(18)と、該機能
素子に電気信号を供給する格子状のバスライン(8,16)
と、該表示電極(91,92,93)に対応する透光性着色樹脂の
画素(R,G,B,R′,G′,B′) とを具え、該画素(R,G,B,
R′,G′,B′) は所定の該機能素子を覆って周縁が該バ
スラインと重なるように形成され、該表示電極(91,92,9
3)は該機能素子を覆う領域を含み該画素(R,G,B,R′,
G′,B′) の上面に形成され、該画素(R,G,B,R′,G′,
B′) の所定部に設けた透孔(20)を介して該表示電極
(91,92,93)と該機能素子(18)とが接続されてなること、
を特徴とする液晶表示パネル基板。 - 【請求項２】 複数色の透光性着色樹脂にて前記画素
(R,G,B,R′,G′,B′)が形成され、色別に順次形成され
た該画素(R,G,B,R′,G′,B′) の周縁部が前記バスライ
ン(8,16)の上で重なるように形成されてなること、を特
徴とする請求項１記載の液晶表示パネル基板。 - 【請求項３】 隣接する前記表示電極(91,92,93)の間の
隙間に、厚さが該表示電極(91,92,93)と同程度の電気的
絶縁樹脂層(32)が形成されてなること、を特徴とする請
求項１または２記載の液晶表示パネル基板。 - 【請求項４】 前記電気的絶縁樹脂層(32)の上に液晶充
填間隔を設定するスペーサ(37)が搭載されてなること、
を特徴とする請求項３記載の液晶表示パネル基板。 - 【請求項５】 熱可塑性樹脂に顔料を分散した熱可塑性
樹脂により前記画素(R,G,B,R′,G′,B′) が形成され、
該画素(R,G,B,R′,G′,B′) のパターン形成後の熱処理
で該画素(R,G,B,R′,G′,B′) が平坦化されてなるこ
と、を特徴とする請求項１記載の液晶表示パネル基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5232712A JPH0784277A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 液晶表示パネル基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5232712A JPH0784277A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 液晶表示パネル基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0784277A true JPH0784277A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16943605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5232712A Pending JPH0784277A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 液晶表示パネル基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0784277A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09325342A (ja) * | 1996-05-31 | 1997-12-16 | Toshiba Corp | 液晶表示素子及びその製造方法 |
| JPH112810A (ja) * | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Toshiba Electron Eng Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US6969643B2 (en) | 1995-12-29 | 2005-11-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel used for a liquid crystal display and a manufacturing method thereof |
| US7135705B2 (en) | 1995-06-06 | 2006-11-14 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | High aperture LCD with insulating color filters overlapping bus lines on active substrate |
| JP2006323150A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP5232712A patent/JPH0784277A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7135705B2 (en) | 1995-06-06 | 2006-11-14 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | High aperture LCD with insulating color filters overlapping bus lines on active substrate |
| US8253890B2 (en) | 1995-06-06 | 2012-08-28 | Lg Display Co., Ltd. | High aperture LCD with insulating color filters overlapping bus lines on active substrate |
| US6969643B2 (en) | 1995-12-29 | 2005-11-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel used for a liquid crystal display and a manufacturing method thereof |
| US7623193B2 (en) | 1995-12-29 | 2009-11-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel used for a liquid crystal display and a manufacturing method thereof |
| US8023057B2 (en) | 1995-12-29 | 2011-09-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel used for liquid crystal display and a manufacturing method thereof |
| JPH09325342A (ja) * | 1996-05-31 | 1997-12-16 | Toshiba Corp | 液晶表示素子及びその製造方法 |
| JPH112810A (ja) * | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Toshiba Electron Eng Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP2006323150A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991005 |