JPS6167023A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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Publication number
JPS6167023A
JPS6167023A JP19023784A JP19023784A JPS6167023A JP S6167023 A JPS6167023 A JP S6167023A JP 19023784 A JP19023784 A JP 19023784A JP 19023784 A JP19023784 A JP 19023784A JP S6167023 A JPS6167023 A JP S6167023A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
photoresists
liquid crystal
display device
crystal display
Prior art date
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Pending
Application number
JP19023784A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiyuki Hara
義行 原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Publication of JPS6167023A publication Critical patent/JPS6167023A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、電極パターンがファインピッチでハイデユー
ティ駆動のドツトマトリクス型電極構造を持つ液晶表示
装置に関する。
(従来の技術) 従来の液晶表示装置の一例を第2図に示す。液晶表示装
置20は、電極パターン21.22と配向膜23,24
とが順次積層された2枚の電極基板25.26を対向さ
せ、これら電極基板25゜26の間隙に液晶27を注入
し2周辺をシール剤28にて封止した構造のものが一般
的に知られている。
(発明が解決しようとする問題点) このように、電極パターン21.22上に配向膜23,
24のみを設けた構造の液晶表示装置20では、配向特
性の観点から配向膜23,24の硬度を高くすることに
は限界がある。このため9両電極基板25.26間に介
在する導電性異物により、リーク不良が発生しやすいと
いう問題があった。
特に1両電極基板25.26上に形成された電極パター
ン21.22の面積が大きい、ファインピッチでハイデ
ユーティ駆動の大型ドツトマトリクス用液晶表示装置で
は、リーク不良の発生が著しい。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、電極基板上に電極パターンが形成されてなり
、該電極パターンを形成するためのホトレジストが電極
パターンを形成した後も該電極パターン上に残存されて
なるものである。
(作用) 電極上に残存されたホトレジストが電極の保護膜となり
、リーク不良の発生を防止する。
(実施例) 第1図は本発明にかかる液晶表示装置1を示している。
液晶表示装置lは、相対向する信号側電極基板2および
走査側電極基板3の各内面上に信号電極4および走査電
極5が形成され、該信号電極4および走査電極5上にホ
トレジスト6.7を残存させた状態で、液晶分子の配向
を制御する配向膜8゜9が塗布された構造のものである
。10はシール剤、11は両電極基板2.3間に注入さ
れた液晶である。
前記ホトレジスト6.7は、信号電極4および走査電極
5を形成するホトエツチング工程によって得られる。ホ
トエツチング工程を信号側電極基板2側について説明す
る。信号側電極基板2の下面全面に信号電極4となる酸
化インジウム膜を形成し、その表面全体にホトレジスト
6を塗布する。
次に、ホトレジスト6を所望のパターンに形成した後、
該ホトレジスト6をマスクとして酸化インジウム膜をエ
ツチング処理し、信号電極4を形成する。エツチング処
理後、該ホトレジスト6を信号電極4上に保護膜として
残存させた状態で、配向膜8を塗布すると、上記構造の
液晶表示装置1を形成することができる。
ホトレジスト6.7としては、耐熱性が優れており、膜
硬度の高い2例えば硬質の感光性ポリイミド系樹脂が好
適である。
信号電極4および走査電極5上に残存されたホトレジス
ト6.7は、構造上配向特性に直接関与しないので、充
分膜硬度を高クシ、電極保護を確実にすることが可能で
ある。
(発明の効果) 本発明によれば、電極上に残存させたホトレジストを該
電極の保護膜として利用することにより。
両電極基板間に介在する導電性異物によるリーク不良の
発生を防止することができる。また、1を極の保護を該
電極パターン形成用のホトレジストで兼用しているので
、安価に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は液晶表示装置の縦断面図、第2図は従来の液晶
表示装置の縦断面図である。 l・・・液晶表示装置  2・・・信号電極基板3・・
・走査側電極基板 4・・・信号電極5・・・走査電極
    6,7・・・ホトレジスト8.9・・・配向膜
   10・・・シール剤11・・・液晶 ほか1名 第7図 第2囚

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)電極基板上に電極パターンが形成されてなり、該電
    極パターンを形成するためのホトレジストが電極パター
    ンを形成した後も該電極パターン上に残存されているこ
    とを特徴とする液晶表示装置。
JP19023784A 1984-09-10 1984-09-10 液晶表示装置 Pending JPS6167023A (ja)

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JPS6167023A true JPS6167023A (ja) 1986-04-07

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5459092A (en) * 1989-01-27 1995-10-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating an active matrix addressed liquid crystal image device
JP2011066600A (ja) * 2009-09-16 2011-03-31 Teijin Fibers Ltd 通信用フレキシブルシート構造体及びその製造方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5459092A (en) * 1989-01-27 1995-10-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating an active matrix addressed liquid crystal image device
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