JPH09146095A

JPH09146095A - 液晶表示装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH09146095A
Application number: JP30033295A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Ogishima; 清志荻島
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1995-11-17
Filing date: 1995-11-17
Publication date: 1997-06-06

Abstract

(57)【要約】【課題】ディスクリネーションラインの発生を防止で
きるようにする。【解決手段】２枚の基板１、１３の表面のゆるやかな
凹凸は、基板間で凹凸が一致するように配置され、基板
１と１３の間には液晶層２０が設けられている。液晶層
２０内の液晶分子は、電圧無印加時には、基板表面のゆ
るやかな凹凸にしたがって放射状に配向する。また、電
圧印加時には、基板表面のゆるやかな凹凸に従って液晶
分子が立ち上がる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえばパーソナ
ルコンピュータやワードプロセッサ等に付設される表示
装置などに用いられる液晶表示装置及びその製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】上述した液晶表示装置として、ツイステ
ィッドネマチック（ＴＮ）型液晶表示装置が知られてい
る。このＴＮ型液晶表示装置には、視野角依存性の軽減
を目的として、プレチルト角を制御することにより液晶
パネルの微小な単位領域、たとえば絵素のそれぞれに２
つ以上の液晶配向区分を形成することが行われている。
また、通常、電圧印加時に液晶分子の配向方向のばらつ
きによるドメイン発生防止のため、ラビング処理等の配
向処理によりプレチルト角を形成している。

【０００３】ところで、上述したように、１絵素に対し
て２つ以上の液晶配向区分を形成する場合、２枚の対向
する基板内にそれぞれ高プレチルト角領域と低プレチル
ト角領域を分割して設け、且つ、２枚の基板内で高プレ
チルト角領域と低プレチルト角領域が対向するように配
する。

【０００４】以上のような構成の液晶パネルでは、電圧
印加時に低プレチルト角領域の液晶分子は対向している
高プレチルト角領域の液晶分子に追従して配向する。こ
のため、隣接する高プレチルト角領域と低プレチルト角
領域での液晶分子の立ち上がり方向は逆方向になる。ま
た、２枚の対向する基板内にそれぞれ逆方向にプレチル
ト角をもつ領域を分割して設けた場合にも、隣接する違
ったプレチルト角をもつ領域では液晶分子の立ち上がり
方向は逆方向になる。

【０００５】同一基板内に２つ以上の違ったプレチルト
角領域を形成するためには、以下の２つの方法が提案さ
れている。その一つは、配向処理により違ったプレチル
ト角を生じる２種以上の配向膜を用い、それぞれの配向
膜をパターニング形成した後ラビング法により配向処理
を施し形成する方法である（特開平５−１８８３７４号
公報）。もう一つは、一度配向処理を施した配向膜上に
レジストをパターニング形成し、別の条件で配向処理を
行った後レジストを除去して形成する方法（特開平５−
１０７５４４号公報）である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようにＴＮ型液晶表示装置において１つの画素内に２つ
以上の異なるプレチルト角領域を形成すると、これらの
領域の境界部が画素内に存在するのでディスクリネーシ
ョンラインが発生し、そのためにコントラスト低下や表
示品位の著しい低下などが問題となっている。

【０００７】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、ディスクリネーションラ
インの発生を防止できる液晶表示装置およびその製造方
法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、対向して配置された一対の基板間に液晶層が狭持さ
れてなる透過型の液晶表示装置において、該一対の基板
の少なくとも一方の液晶層側に、凹凸を有する高分子樹
脂層が形成されている、電界効果複屈折モードを用いる
ものであるので、そのことにより上記目的が達成され
る。

【０００９】本発明の液晶表示装置において、前記凹凸
を有する高分子樹脂層の前記液晶層側に透明電極が形成
されている構成とすることができる。

【００１０】本発明の液晶表示装置において、前記透明
電極の液晶層側に配向膜が形成されている構成とするこ
とができる。

【００１１】本発明の液晶表示装置において、前記液晶
層中に一定量のカイラルドーパントが含有されている構
成とすることができる。

【００１２】本発明の液晶表示装置において、前記高分
子樹脂層に備わった凹凸が画素ピッチで配設されている
構成とすることができる。

【００１３】本発明の液晶表示装置において、前記高分
子樹脂層に備わった凹凸が絵素ピッチで配設されている
構成とすることができる。

【００１４】本発明の液晶表示装置の製造方法は、対向
して配置された一対の基板間に液晶層が狭持されてなる
透過型の液晶表示装置の製造方法において、該一対の基
板の少なくとも一方であって、該液晶層側に配される表
面に高分子樹脂層を形成する工程と、該高分子樹脂層の
上に、該高分子樹脂層に凹凸を付与するためのレジスト
パターンを部分的に形成する工程と、該レジストパター
ンが形成された該高分子樹脂層をエッチングして該高分
子樹脂層の表面に凹凸を付与する工程と、エッチングの
済んだ該高分子樹脂層上に残るレジストパターンを剥離
し、その後、熱処理を行って該高分子樹脂層の凹凸表面
をなめらかな凹凸をとする工程とを具備し、そのことに
より上記目的が達成される。

【００１５】以下に、本発明の作用につき説明する。

【００１６】本発明にあっては、一対の基板の少なくと
も一方の液晶層側に、凹凸を有する高分子樹脂層が形成
されている構成となっており、その凹凸がプレチルト角
と同様な働きをする。このとき、１つの基板の内面に、
ゆるやかな凹凸をもつ高分子樹脂層を形成し、凹凸の無
い、もう一方の基板と対向配設してもよいが、好ましく
は、２枚の対向して配置される基板の内面のそれぞれ
に、ゆるやかな凹凸をもつ高分子樹脂層を形成し、２枚
の基板を基板表面の凹凸が互いに一致するように配置し
てもよい。なお、高分子樹脂層の上には、透明電極及び
配向膜を形成し、２枚の基板間には液晶層を設けた構成
とされる。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明にあっては、一対の基板の
少なくとも一方の液晶層側に、凹凸を有する高分子樹脂
層が形成されている構成となっており、上述したよう
に、その凹凸がプレチルト角と同様な働きをする。例え
ば、画素サイズ１００×１００［μｍ］に対して、ゆる
やかな凹凸の起伏が４［μｍ］であるならば、おおよそ
４〜５［ｄｅｇ］程度の傾斜角を得ることができる。

【００１８】通常、画素サイズが微細化するほど、液晶
分子の配向制御性を大きくするため、プレチルト角を大
きくする必要がある。しかし、プレチルト角が大きすぎ
ると光抜けが生じるため、プレチルト角は１〜１０［ｄ
ｅｇ］程度が最適とされている。このため、画素サイズ
Ｌとゆるやかな凹凸の起伏Ｄの関係は、１＜ｓｉｎ
^-1（２Ｄ／Ｌ）＜１０がよい。更に望ましくは、２＜ｓ
ｉｎ^-1（２Ｄ／Ｌ）＜６がよい。

【００１９】更に、安定した液晶分子の配向状態を得る
ためには、電極上にプレチルト角を殆ど生じない配向膜
を形成することが望ましい。

【００２０】また、液晶に誘電率異方性が正の液晶を用
いる場合、配向膜に液晶に対してプレチルト角を殆ど生
じさせない水平配向性の配向膜を用いることにより、電
圧無印加時に、図１（ａ）及び図２のように、液晶分子
２８は基板表面のゆるやかな凹凸に従い放射状に配向す
る。また、電圧印加時には、基板表面のゆるやかな凹凸
がプレチルト角と同様な働きとなり、基板表面のゆるや
かな凹凸に従って液晶分子２８は立ち上がる（図１
（ｂ）参照）。

【００２１】一方、液晶に誘電率異方性が負の液晶を用
いる場合、配向膜に液晶に対してプレチルト角を殆ど生
じさせない垂直配向性の配向膜を用いることにより、液
晶分子２８は電圧無印加時に基板に対して垂直に配向す
る（図１（ｂ）参照）。また、電圧印加時には、基板表
面のゆるやかな凹凸がプレチルト角と同様な働きとな
り、基板表面のゆるやかな凹凸に従って立ち下がり、図
１（ａ）及び図２に示すように放射状に配向する。

【００２２】誘電率異方性が正または負の液晶を用いた
いずれの場合も、液晶分子は放射状に配向するため、全
方位で均一な視角特性を得ることができる。更に、液晶
分子は連続的に配向するため、ディスクリネーションラ
インは発生せず、光抜けによるコントラスト低下もな
い。

【００２３】以下に、本発明の実施形態を図面を用いて
より詳細に説明する。

【００２４】（実施形態１）図３は、本実施形態の液晶
表示装置の断面を示す。図４は、ＴＦＴ素子の断面を示
す。この液晶表示装置は、液晶層２０を挟んで共にガラ
スからなる基板１と基板１３とが対向配設されている。

【００２５】上記基板１上には、Ａｌ₂Ｏ₃またはＳ_iＯ₂
からなるベースコート膜２が成膜され、そのベースコー
ト膜２の上には、島状にパターニングされたポリシリコ
ンからなる半導体層が積層されている。この半導体層の
上には、Ｓ_iＯ₂からなるゲート絶縁膜６が積層され、そ
の上はアルミニウムからなるゲート電極７が陽極酸化さ
れた陽極酸化膜８により被覆されている。上記半導体層
は、陽極酸化膜８を含むゲート電極７をマスクとして、
リンを注入してＮ型となっているソース部３及びドレイ
ン部４と、拡散を行っていないチャネル部５とからな
る。

【００２６】上記ゲート電極７の上には、Ｓ_iＯ₂からな
る層間絶縁膜９が積層され、層間絶縁膜９のソース部３
の上方部分にはコンタクトホールが設けられている。層
間絶縁膜９の上には、アルミニウムからなるソース電極
１０が形成され、このソース電極１０は前記コンタクト
ホールを介してソース部３と電気的に接続されている。

【００２７】これらの上層には、高分子樹脂層１１がゆ
るやかな凹凸を有して形成されている。この高分子樹脂
層１１および前記層間絶縁膜９には、ドレイン部４の上
方部分に、前記コンタクトホールとは異なるコンタクト
ホールが形成されている。高分子樹脂層１１の上には、
ＩＴＯからなる画素電極１２が形成され、この画素電極
１２は、ＴＦＴ素子２９のドレイン部４とコンタクトホ
ールを通じて電気的に接続されている。つまり、画素電
極１２は、層間絶縁膜９などを含む保護膜の上に形成さ
れており、Ｐｉｘｅｌｏｎｐａｓｓｉ構造となって
いる。

【００２８】以上のＴＦＴ素子２９や画素電極１２など
は、図５に示すようにマトリクス状に配置され、ゲート
電極はゲートバスライン２４によってゲート駆動用回路
２５に接続され、またソース電極はソースバスライン２
６によってソース駆動用回路２７に接続されている。

【００２９】一方、基板１に対向して配置される基板１
３は、その液晶層２０側の表面に、ＴＦＴ素子２９の遮
光膜となるブラックマトリクス１４が形成されており、
その上層にゆるやかな凹凸をもつ高分子樹脂層１５が形
成され、更に上層に透明な対向電極１６が形成されてい
る。

【００３０】上述した基板１の画素電極１２の上には、
プレチルト角を殆ど生じない水平配向性の配向膜１７が
形成され、基板１３の対向電極１６の上にも、プレチル
ト角を殆ど生じない水平配向性の配向膜１７が形成され
ている。

【００３１】これら２枚の基板は、基板周辺を覆うシー
ル樹脂１８により接着されており、２枚の基板１、１３
の表面のゆるやかな凹凸は、基板間で凹凸が一致するよ
うに配置され、基板１と１３の間はスペーサー１９によ
り一定の厚さに保持され、液晶層２０を形成している。

【００３２】このように構成された本実施形態に係る液
晶表示装置は、液晶層２０内の液晶分子が、電圧無印加
時に図１（ａ）及び図２に示すように、基板表面のゆる
やかな凹凸にしたがって放射状に配向する。また、電圧
印加時に図１（ｂ）に示すように、基板表面のゆるやか
な凹凸に従って液晶分子が立ち上がる。更に、これら一
対の基板は、偏向軸を垂直に交差させた２枚の偏光板に
より挟まれた構造である。

【００３３】次に、本実施形態に係る液晶表示装置の製
造方法について説明する。

【００３４】先ず、厚さ１［ｍｍ］の石英ガラスからな
る基板１上に、ガラスからの不純物拡散を防止するため
のベースコート膜２として、スパッタリング法によりＡ
ｌ₂Ｏ₃またはＳ_iＯ₂を１００［ｎｍ］積層する。

【００３５】次に、ベースコート膜２の上に、島状の半
導体層を形成する。この半導体層は、まず、プラズマＣ
ＶＤ法によって非晶質シリコン膜を膜厚５０〜１５０
［ｎｍ］、例えば１００［ｎｍ］積層し、これを窒素雰
囲気下において６００［℃］で熱アニールを行い、多結
晶化を行った後、パターニングを行うことによって島状
とすることにより形成する。

【００３６】次に、この状態の上に、スパッタリング法
により膜厚１００［ｎｍ］のＳ_iＯ₂からなるゲート絶縁
膜６を成膜する。このスパッタリングには、ターゲット
としてＳ_iＯ₂を用い、スパッタリング時の基板温度は２
００〜４００［℃］、例えば３５０［℃］、スパッタリ
ング雰囲気は酸素とアルゴンで、アルゴン／酸素＝０〜
０．５、例えば０．１以下とする。

【００３７】次に、スパッタリング法によって、厚さ６
００〜８００［ｎｍ］、例えば６００［ｎｍ］のアルミ
ニウム膜（０．１〜２［％］のシリコンを含む）を成膜
する。なお、Ｓ_iＯ₂膜とアルミニウム膜の成膜工程は連
続的に行うことが望ましい。続いて、アルミニウム膜を
パターニングして、ゲート電極７を形成する。

【００３８】次に、このゲート電極７の表面を陽極酸化
して、表面に酸化物からなる陽極酸化膜８を形成する。
この陽極酸化は、酒石酸が１〜５［％］含まれたエチレ
ングリコール溶液中で行う。得られた陽極酸化膜８の厚
さは２００［ｎｍ］である。この陽極酸化膜８は、後の
イオンドーピング工程において、オフセットゲート領域
を形成する厚さとなるため、オフセットゲート領域の長
さを陽極酸化工程で決めることができる。

【００３９】次に、上記陽極酸化膜８およびゲート電極
７をマスクとして、上記島状の半導体層に、イオンドー
ピング法によって不純物、例えばリンを注入する。これ
により、ソース部３及びドレイン部４となる部分に不純
物が注入される。ここでは、ドーピングガスとしてフォ
スフィン（ＰＨ₃）を用い、加速電圧を６０〜９０［ｋ
Ｖ〕、例えば８０［ｋＶ］とし、ドーズ量は１×１０¹⁵
〜８×１０¹⁵［ｃｍ^-2］、例えば２×１０¹⁵［ｃｍ^-2］
とする。

【００４０】次に、窒素雰囲気中４５０［℃］において
熱アニールを行い活性化を行い、活性領域であるソース
部３とドレイン部４を形成する。

【００４１】次に、これらの上部に、厚さ６００［ｎ
ｍ］のＳ_iＯ₂膜からなる層間絶縁膜９をプラズマＣＶＤ
法によって形成し、続いて層間絶縁膜９に、ソース電極
とソース部とを電気的に接続するためのコンタクトホー
ルを形成する。

【００４２】次に、層間絶縁膜９の上に、ソース電極１
０を形成する。このとき、ソース電極１０の一部は、上
記コンタクトホールに充填され、ソース電極１０とソー
ス部３とが電気的に接続される。

【００４３】次に、その上に高分子樹脂層１１を形成す
る。高分子樹脂にはポリイミド樹脂であるＲＮ−８１２
（日産化学社製）を用い、スピンコート法により膜厚が
５［μｍ］となるように形成した。焼成は２５０［℃］
で１時間行った。

【００４４】次に、図６のような円形部分が抜かれた、
レジスト３０からなるレジストパターンを形成する。レ
ジストパターンは、１つの画素につき１つの円形部分を
割り当て、円形部分が画素内に収まるように形成した。

【００４５】次に、このレジスト３０をマスクとして高
分子樹脂層１１をウェットエッチング法により４［μ
ｍ］エッチングする。エッチング後は、図７に示すよう
にテーパのついたすり鉢状になる。

【００４６】次に、レジストパターンを剥離し、その
後、３５０［℃］で焼成を行うことにより、高分子樹脂
層１１の表面は更になめらかな凹凸となる。

【００４７】次に、ＴＦＴ素子２９のドレイン部４と画
素電極１２とのコンタクトを取るためのコンタクトホー
ル形成用のレジストパターンを形成し、ドライエッチン
グ法により保護膜をエッチングし、コンタクトホールを
形成する。

【００４８】次に、スパックリング法により膜厚が１０
０［ｎｍ］のＩＴＯ膜を形成し、パターニングを行って
画素電極１２を形成する。

【００４９】次に、かかる基板１と対向配設される、も
う一方の基板１３側を作製する。この基板１３側の作製
は、先に行ってもよい。

【００５０】基板１３には、厚さ１［ｍｍ］の石英ガラ
スを用いる。この基板１３の上に、スパッタリング法に
より膜厚１００［ｎｍ］のアルミニウム膜を成膜し、パ
ターニングすることによりブラックマトリクスを形成す
る。

【００５１】次に、高分子樹脂層１５を形成する。高分
子樹脂にはポリイミド樹脂であるＲＮ−８１２（日産化
学社製）を用い、スピンコート法により膜厚が５［μ
ｍ］となるように形成した。焼成は２５０［℃］で１時
間行った。

【００５２】次に、図８に示すような円形部分がレジス
ト３０であるレジストパターンを形成する。円形のレジ
スト３０は、１つの画素につき１つの円形部分を割り当
て、円形部分が画素内に収まるように形成した。

【００５３】次に、このレジスト３０をマスクとして、
高分子樹脂層１５をウェットエッチング法により４［μ
ｍ］エッチングする。エッチング後は、図９に示すよう
になる。

【００５４】次に、レジストパターンを剥離し、その
後、３５０［℃］で焼成を行うことにより、高分子樹脂
層１５の表面は更になめらかな凹凸となる。

【００５５】次に、スパッタリング法によりＩＴＯから
なる対向電極１６を、厚み１００［ｎｍ］に形成する。

【００５６】次に、かかる２枚の基板の電極１２と１６
上に、液晶に対してプレチルト角を殆ど生じない水平配
向性の配向膜であるＡＬ１０５１（日本合成ゴム社製）
を印刷法により、膜厚が１０［ｎｍ］となるように形成
する。

【００５７】次に、２枚の基板を、熱硬化性の接着剤で
あるシール樹脂１８により貼り合わせた。なお、２枚の
基板間には、両基板間が５［μｍ］となるようにスペー
サー１９が散布されている。

【００５８】次に、２枚の基板の間に、真空注入法によ
り液晶を注入し、注入口を封止することにより液晶層２
０を設けた。液晶には、誘電率異方性が正の液晶である
ＺＬＩ−４７９２（メルク社製）を用い、再配向は１１
０［℃］のオーブンに１［ｈ］投入して行った。

【００５９】このような液晶表示装置においては、液晶
層２０に電圧が無印加の時には、図１（ａ）及び図２に
示すように放射状に配向する。また、電圧印加時には、
液晶分子は基板に対して垂直に立ち上がる。このため、
２枚の偏光板によって挟むことにより表示が可能とな
る。望ましくは、２枚の偏光板はクロスニコルに配置さ
れた構成がよい。

【００６０】この液晶表示装置は、液晶分子が連続的に
放射状に配向するため、ディスクリネーションラインを
生じることなく、視野角依存性のない良好な表示特性を
得ることができた。更に、液晶中に微量のカイラルドー
パントを混入することにより、光の利用効率が大幅に向
上し、明るい表示を得ることができた。

【００６１】（実施形態２）図１０は、本実施形態に係
る液晶表示装置の断面を示す。なお、ＴＦＴ素子の断面
は、図４と同様である。

【００６２】この液晶表示装置は、液晶層２０を挟んで
共にガラスからなる基板１と基板１３とが対向配設され
ている。

【００６３】上記基板１上には、Ａｌ₂Ｏ₃またはＳ_iＯ₂
からなるベースコート膜２が成膜され、そのベースコー
ト膜２の上には、島状にパターニングされたポリシリコ
ンからなる半導体層が積層されている。この半導体層の
上には、Ｓ_iＯ₂からなるゲート絶縁膜６が積層され、そ
の上はアルミニウムからなるゲート電極７が陽極酸化さ
れた陽極酸化膜８により被覆されている。上記半導体層
は、陽極酸化膜８を含むゲート電極７をマスクとして、
リンを注入してＮ型となっているソース部３及びドレイ
ン部４と、拡散を行っていないチャネル部５とからな
る。

【００６４】上記ゲート電極７の上には、Ｓ_iＯ₂からな
る層間絶縁膜９が積層され、層間絶縁膜９のソース部３
の上方部分にはコンタクトホールが設けられている。層
間絶縁膜９の上には、アルミニウムからなるソース電極
１０が形成され、このソース電極１０は前記コンタクト
ホールを介してソース部３と電気的に接続されている。

【００６５】これらの上層には、高分子樹脂層１１がゆ
るやかな凹凸を有して形成されている。この高分子樹脂
層１１および前記層間絶縁膜９には、ドレイン部４の上
方部分に、前記コンタクトホールとは異なるコンタクト
ホールが形成されている。高分子樹脂層１１の上には、
ＩＴＯからなる画素電極１２が形成され、この画素電極
１２は、ＴＦＴ素子２９のドレイン部４とコンタクトホ
ールを通じて電気的に接続されている。つまり、画素電
極１２は、層間絶縁膜９などを含む保護膜の上に形成さ
れており、Ｐｉｘｅｌｏｎｐａｓｓｉ構造となって
いる。

【００６６】以上のＴＦＴ素子２９や画素電極１２など
は、図５に示すようにマトリクス状に配置され、ゲート
電極はゲートバスライン２４によってゲート駆動用回路
２５に接続され、またソース電極はソースバスライン２
６によってソース駆動用回路２７に接続されている。

【００６７】一方、基板１に対向して配置される基板１
３は、その液晶層２０側の表面に、ＴＦＴ素子の遮光膜
となるブラックマトリクス１４が形成されており、その
上層にゆるやかな凹凸をもつ高分子樹脂層１５が形成さ
れ、更に上層に透明な対向電極１６が形成されている。

【００６８】上述した基板１の画素電極１２の上には、
プレチルト角を殆ど生じない垂直配向性の配向膜２３が
形成され、基板１３の対向電極１６の上にも、プレチル
ト角を殆ど生じない垂直配向性の配向膜２３が形成され
ている。

【００６９】これら２枚の基板は、基板周辺を覆うシー
ル樹脂１８により接着されており、２枚の基板１、１３
の表面のゆるやかな凹凸は、基板間で凹凸が一致するよ
うに配置され、基板１と１３の間はスペーサー１９によ
り一定の厚さに保持され、液晶層２０を形成している。

【００７０】このように構成された本実施形態に係る液
晶表示装置は、液晶層２０内の液晶分子が、電圧無印加
時に図１（ｂ）に示すように、基板に対して垂直に配向
する。また、電圧印加時には、基板表面のゆるやかな凹
凸がプレチルト角と同様に働き、基板表面のゆるやかな
凹凸に従って立ち下がり、図１（ａ）及び図２に示すよ
うに放射状に配向する。更に、これら一対の基板は、偏
向軸を垂直に交差させた２枚の偏光板により挟まれた構
造である。

【００７１】次に、本実施形態に係る液晶表示装置の製
造方法について説明する。

【００７２】本実施形態では、基板１上に画素電極１２
を形成し、また、基板１３上に対向電極１６を形成する
迄は、実施形態１と同様である。

【００７３】かかる２枚の基板の電極１２と１６上に、
液晶に対してプレチルト角を殆ど生じない垂直配向性の
配向膜であるＪＡＬＳ−２０３（日本合成ゴム社製）を
印刷法により、膜厚が１０［ｎｍ］となるように形成す
る。

【００７４】次に、２枚の基板を、熱硬化性の接着剤で
あるシール樹脂１８により貼り合わせた。なお、２枚の
基板間には、両基板間が５［μｍ］となるようにスペー
サー１９が散布されている。

【００７５】次に、２枚の基板の間に、真空注入法によ
り液晶を注入し、注入口を封止することにより液晶層２
０を設けた。液晶には、誘電率異方性が負の液晶である
ＺＬＩ−４７８８（メルク社製）を用い、再配向は１１
０［℃］のオーブンに１［ｈ］投入して行った。

【００７６】このような液晶表示装置においては、液晶
層２０に電圧が無印加の時には、図１（ｂ）に示すよう
に液晶分子は基板に対して垂直に配向する。また、電圧
印加時には、液晶分子は基板表面のなめらかな凹凸に従
って立ち下がり、図１（ａ）及び図２のように放射状に
配向する。このため、２枚の偏光板によって挟むことに
より表示が可能となる。望ましくは、２枚の偏光板はク
ロスニコルに配置された構成がよい。

【００７７】この液晶表示装置は、液晶分子が連続的に
放射状に配向するため、ディスクリネーションラインを
生じることなく、視野角依存性のない良好な表示特性を
得ることができた。また、電圧無印加時の通常状態にお
いて、液晶分子が基板に対して垂直に配向していること
により、クロスニコルに配置された偏光板で挟んだ場合
には、高い黒レベルを得ることができ、実施形態１に比
べ低電圧で高コントラストを得ることができた。

【００７８】更に、液晶中に微量のカイラルドーパント
を混入することにより、光の利用効率が大幅に向上し、
明るい表示を得ることができた。

【００７９】なお、上記各実施形態では基板上に凹凸を
存在させる割合としては各画素毎に設けるようにしてい
るが、本発明はこれに限らず、たとえばカラー表示を行
う場合に設けられるＲ、Ｇ、Ｂの３つの画素から構成さ
れる１つの絵素を１単位として凹凸を存在させるように
してもよく、または、１画素中に複数の凹凸を存在させ
てもよく、または、２以上の絵素を１単位として凹凸を
存在させるようにしてもよい。

【００８０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ディスク
リネーションラインを生じさせずに、液晶表示装置の視
野角依存性を解決することができた。また、低電圧で高
コントラストを得ることができ、尚且つ明るい表示が可
能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）および（ｂ）は本発明の液晶表示装置の
原理図（断面図）である。

【図２】本発明の液晶表示装置の原理図（平面図）であ
る。

【図３】実施形態１の液晶表示装置を示す断面図であ
る。

【図４】ＴＦＴ素子の構成を示す断面図である。

【図５】アクティブマトリクス基板の構成図である。

【図６】円形部分が抜きのレジストパターンを示す平面
図である。

【図７】高分子樹脂層をエッチングした後の高分子樹脂
層の表面形状を示す図である。

【図８】円形部分がレジストであるレジストパターンを
示す平面図である。

【図９】高分子樹脂層をエッチングした後の高分子樹脂
層の表面形状を示す図である。

【図１０】実施形態２の液晶表示装置を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１，１３基板２ベースコート膜３ソース部４ドレイン部５チャネル部６ゲート絶縁膜７ゲート電極８陽極酸化膜９層間絶縁膜１０ソース電極１１，１５高分子樹脂層１２画素電極１６対向電極１４ブラックマトリクス１７水平配向性の配向膜１８シール樹脂１９スペーサー２０液晶層２３垂直配向性の配向膜２４ゲートバスライン２５ゲート駆動用回路２６ソースバスライン２７ソース駆動用回路２８液晶分子２９ＴＦＴ素子３０レジスト

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対向して配置された一対の基板間に液晶
層が狭持されてなる透過型の液晶表示装置において、該一対の基板の少なくとも一方の液晶層側に、凹凸を有
する高分子樹脂層が形成されている、電界効果複屈折モ
ードを用いる液晶表示装置。
【請求項２】前記凹凸を有する高分子樹脂層の前記液
晶層側に透明電極が形成されている請求項１に記載の液
晶表示装置。
【請求項３】前記透明電極の液晶層側に配向膜が形成
されている請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】前記液晶層中に一定量のカイラルドーパ
ントが含有されている請求項１、２、または３に記載の
液晶表示装置。
【請求項５】前記高分子樹脂層に備わった凹凸が画素
ピッチで配設されている請求項１〜４のいずれか一つに
記載の液晶表示装置。
【請求項６】前記高分子樹脂層に備わった凹凸が絵素
ピッチで配設されている請求項１〜４のいずれか一つに
記載の液晶表示装置。
【請求項７】対向して配置された一対の基板間に液晶
層が狭持されてなる透過型の液晶表示装置の製造方法に
おいて、該一対の基板の少なくとも一方であって、該液晶層側に
配される表面に高分子樹脂層を形成する工程と、該高分子樹脂層の上に、該高分子樹脂層に凹凸を付与す
るためのレジストパターンを部分的に形成する工程と、該レジストパターンが形成された該高分子樹脂層をエッ
チングして該高分子樹脂層の表面に凹凸を付与する工程
と、エッチングの済んだ該高分子樹脂層上に残るレジストパ
ターンを剥離し、その後、熱処理を行って該高分子樹脂
層の凹凸表面をなめらかな凹凸をとする工程とを具備す
る液晶表示装置の製造方法。