JPH0588180A - 配向処理方法 - Google Patents

配向処理方法

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JPH0588180A
JPH0588180A JP25102291A JP25102291A JPH0588180A JP H0588180 A JPH0588180 A JP H0588180A JP 25102291 A JP25102291 A JP 25102291A JP 25102291 A JP25102291 A JP 25102291A JP H0588180 A JPH0588180 A JP H0588180A
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JP
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oriented film
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rubbing
terminal
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JP25102291A
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Takeshi Sawatsubashi
毅 沢津橋
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Casio Computer Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】配向膜面をその全域にわたって一様にラビング
して、均一な配向性をもたせる。 【構成】配向膜3を少なくとも電極形成領域Sの上から
端子配列部の上にわたって形成して、この配向膜面をラ
ビングローラ4でラビングし、この後、端子配列部の上
の配向膜3を除去して端子2aを露出させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶素子に用いる基板
の上に液晶分子を配向させるための配向処理を施す方法
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶素子に用いる基板の上に施される配
向処理は、一般に、基板上に配向膜を形成し、この配向
膜面をラビングローラにより一方向にラビングする方法
で行なわれている。
【0003】図4は従来の配向処理方法を示す平面図で
あり、液晶素子用基板(ガラス基板)1の表示領域の上
にはITO膜等の透明導電膜からなる複数の透明電極2
が形成されており、これら電極2の端子2aは、表示領
域の外側に導出されて基板1の一端縁部に配列されてい
る。
【0004】なお、図に示した基板1は、単純マトリッ
クス型液晶素子の一方の基板であり、上記電極2は、走
査電極または信号電極である。また、この電極2の端子
2aは、2つの端子群に分けて配列されており、各端子
群毎に駆動回路に接続されるようになっている。
【0005】そして、この基板1上への配向処理は、基
板1の電極形成領域(表示領域)の上にポリイミド樹脂
等からなる配向膜3を形成し、この配向膜3の膜面を、
外周面に植毛布からなるラビング布を巻付けたラビング
ローラ4によって一方向にラビングする方法で行なわれ
ている。なお、上記配向膜3は、基板1の電極形成領域
の上だけに形成されており、各電極2の端子2aは、駆
動回路との接続のために露出されている。
【0006】この配向膜3面のラビングは、基板1上に
所定の接触圧でラビングローラ4を接触させ、このラビ
ングローラ4をその移動方向とは逆方向に回転させなが
ら基板1の一端側から他端側に移動させることによって
行なわれており、ラビングローラ4は、その軸方向が配
向膜3のラビング方向に対して直交する姿勢で配置さ
れ、配向膜3のラビング方向に(ローラ軸に対して直交
する方向)に移動されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の配向処理方法では、配向膜3に均一な配向性をもた
せることができなかった。
【0008】これは、基板1の一端側から他端側に移動
されるラビングローラ4が基板1の端子配列部を通過す
るときに、このラビングローラ4のうち前記端子配列部
に配列されている端子群の上を通る部分がITO膜等か
らなる端子2aの表面を擦りながら端子2a上を通過す
るに対し、ラビングローラ4の他の部分、つまり端子群
がない箇所を通る部分は端子2aには触れないためであ
り、そのため、ラビングローラ外周面のラビング布の表
面状態に差が生じて、ラビングローラ4による配向膜3
面のラビング性(延伸効果等)が、端子群の上を通った
ローラ部分でラビングされる領域Aと、他の領域(端子
上を通らないローラ部分でラビングされる領域)Bとで
異なってしまう。なお、この領域A,Bのラビング性の
差は、配向処理回数が多くなるのにともなって大きくな
る。
【0009】また、図4では、ラビングローラ4を基板
1の端子配列端側から他端側に移動させているが、上記
領域A,Bのラビング性の差は、ラビングローラ4を逆
方向に移動させてラビングを行なう場合にも発生してお
り、その場合は、最初に配向処理される基板の配向膜面
は均一にラビングできるが、ラビングローラ4が配向膜
3面をラビングした後に基板1の端子配列部を通るた
め、2枚目以後の基板の配向処理において、配向膜3面
のラビング性に同様な差が発生する。
【0010】このため、従来の配向処理方法で配向処理
された配向膜3は、その配向性が、図に斜線を施した領
域と他の領域とで異なっており、そのため、従来の方法
で配向処理した基板を用いて製造された液晶素子は、そ
の光学特性が不均一で、縞状の表示むらが発生するとい
う問題をもっていた。
【0011】これは、特にSTN型の液晶素子において
顕著であり、STN型液晶素子は、液晶分子のツイスト
角が大きく、かつ液晶層厚が小さいため、配向膜3の配
向性が光学特性に大きく影響して、上記表示むらが大き
くなる。本発明の目的は、配向膜面をその全域にわたっ
て一様にラビングして、均一な配向性をもたせることが
できる配向処理方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の配向処理方法
は、配向膜を少なくとも電極形成領域の上から端子配列
部の上にわたって形成して、この配向膜面をラビングロ
ーラでラビングし、この後、前記端子配列部の上の配向
膜を除去することを特徴とするものである。
【0013】
【作用】本発明の配向処理方法によれば、電極の端子も
配向膜で覆った状態で配向膜面のラビングを行っている
ため、ラビングローラが基板の端子配列部を通過すると
きも、このラビングローラが前記端子の表面を擦ること
はなく、したがってラビングローラ外周面のラビング布
の表面状態が部分的に変化することはないから、配向膜
面をその全域にわたって一様にラビングすることができ
る。
【0014】また、本発明では、配向膜面をラビングし
た後に端子配列部の上の配向膜を除去しているため、前
記端子配列部に配列されている端子を、駆動回路と接続
できる状態に露出させることができる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の第1の実施例を図1および図
2を参照して説明する。なお、図1および図2におい
て、図4に示したものと対応するものについては、図に
同符号を付してその説明を省略する。この実施例による
配向処理は次のようにして行なう。
【0016】まず、図1に示すように、透明電極2とそ
の端子2aとを形成した基板1の上に、図に二点鎖線で
囲んで示した電極形成領域(表示領域)Sの上から端子
配列部の上にわたって、ポリイミド樹脂等からなる配向
膜3を形成する。
【0017】なお、この実施例では、前記配向膜3を、
上記電極形成領域Sが完全に収まる幅で、かつラビング
ローラ4の移動方向に沿って基板全長に延びる帯状パタ
ーンに形成している。この配向膜3は、例えばスクリー
ン印刷法等によって所定パターンに形成する。
【0018】次に、図1に示すように、上記配向膜3の
膜面をラビングローラ4でラビングする。この配向膜3
面のラビングは、従来の配向処理方法と同様に、基板1
上に所定の接触圧でラビングローラ4を接触させ、この
ラビングローラ4をその移動方向とは逆方向に回転させ
ながら基板1の一端側から他端側に移動させることによ
って行なう。
【0019】この後は、上記電極形成領域Sより外側の
部分、つまり端子配列部を含む基板外周縁部の上の配向
膜3をエッチングして除去し、図2に示すように電極形
成領域Sの上のみに配向膜3を残すとともに、前記端子
配列部に配列されている各端子2aを露出させて配向処
理を終了する。
【0020】すなわち、この実施例の配向処理方法は、
配向膜3を少なくとも電極形成領域Sの上から端子配列
部の上にわたって形成して、この配向膜3面をラビング
ローラ4でラビングし、この後、前記端子配列部の上の
配向膜3を除去するものである。
【0021】この配向処理方法によれば、電極2の端子
2aも配向膜3で覆った状態で配向膜3面のラビングを
行っているため、ラビングローラ4が基板1の端子配列
部を通過するときも、このラビングローラ4が端子2a
の表面を擦ることはなく、したがって、ラビングローラ
外周面のラビング布の表面状態が部分的に変化すること
はないから、配向膜3面をその全域にわたって一様にラ
ビングすることができる。
【0022】したがって、上記実施例の配向処理方法で
配向処理された配向膜3は、その全域の配向性が全て均
一であるから、この方法で配向処理した基板を用いて液
晶素子を製造すれば、表示領域全体の光学特性が均一
で、表示むらのない、良好な表示品質をもつ液晶素子を
得ることができる。
【0023】また、上記配向処理方法では、配向膜3面
をラビングした後に端子配列部の上の配向膜3を除去し
ているため、前記端子配列部に配列されている端子を、
駆動回路と接続できる状態に露出させることができる。
【0024】なお、上記実施例では、基板1上に配向膜
3を形成する際に、この配向膜3を、図に二点鎖線で囲
んで示した電極形成領域Sが収まる幅の帯状パターンに
形成しているが、この配向膜3は、基板1の全面にわた
って形成してもよいし、また基板1の電極形成領域の上
および端子配列部の上だけに形成してもよい。
【0025】すなわち、図3は本発明の第2の実施例を
示している。この実施例は、基板1上に形成する配向膜
3を、電極形成領域Sの上から端子配列部の上にわたる
部分だけに形成して、この配向膜3面をラビングローラ
4でラビングし、この後、端子配列部の上の配向膜(図
に二点鎖線で示した電極形成領域Sの外形線aより外側
の配向膜)3を除去するものである。
【0026】なお、上記第1および第2の実施例では、
電極2の端子2aを一端縁部に配列した基板1に対する
配向処理について説明したが、本発明は、電極の端子を
基板両端縁部に配列した基板に対する配向処理にも適用
できるもので、その場合は、配向膜を、少なくとも電極
形成領域Sの上から両方の端子配列部の上にわたって形
成し、この配向膜面をラビングローラでラビングした後
に、両端子配列部の上の配向膜を除去すればよい。
【0027】
【発明の効果】本発明の配向処理方法によれば、電極の
端子も配向膜で覆った状態で配向膜面のラビングを行っ
ているため、ラビングローラが基板の端子配列部を通過
するときも、このラビングローラが前記端子の表面を擦
ることはなく、したがってラビングローラ外周面のラビ
ング布の表面状態が部分的に変化することはないから、
配向膜面をその全域にわたって一様にラビングして、均
一な配向性をもたせることができる。
【0028】また、本発明では、配向膜面をラビングし
た後に端子配列部の上の配向膜を除去しているため、前
記端子配列部に配列されている端子を、駆動回路と接続
できる状態に露出させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す配向膜ラビング状
態の平面図。
【図2】同じく配向処理後の状態の平面図。
【図3】本発明の第2の実施例を示す配向膜ラビング状
態の平面図。
【図4】従来の配向処理方法を示す配向膜ラビング状態
の平面図。
【符号の説明】
1…基板、2…電極、2a…端子、3…配向膜、4…ラ
ビングローラ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数の透明電極を形成するとともにこれら
    電極の端子を基板縁部に配列した液晶素子用基板の上に
    配向膜を形成し、この配向膜面をラビングローラにより
    一方向にラビングする配向処理方法において、 前記配向膜を少なくとも電極形成領域の上から端子配列
    部の上にわたって形成して、この配向膜面を前記ラビン
    グローラでラビングし、この後、前記端子配列部の上の
    配向膜を除去することを特徴とする配向処理方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105116622A (zh) * 2015-09-02 2015-12-02 昆山龙腾光电有限公司 配向角度检测装置及检测方法

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