JPH08122771A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

液晶表示装置の製造方法

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JPH08122771A
JPH08122771A JP6257134A JP25713494A JPH08122771A JP H08122771 A JPH08122771 A JP H08122771A JP 6257134 A JP6257134 A JP 6257134A JP 25713494 A JP25713494 A JP 25713494A JP H08122771 A JPH08122771 A JP H08122771A
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JP
Japan
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transparent substrate
plating
film
liquid crystal
light
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Application number
JP6257134A
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English (en)
Inventor
Makoto Takamura
誠 高村
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 液晶製造装置の遮光膜を低い製造コストで簡
易に製造する。 【構成】 透明基板に形成した電極膜上にレジスト層を
パターン形成後、メッキ液に浸漬してメッキ処理して遮
光膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子に関し、
特に、カラーフィルタが設けられる透明基板上の遮光用
のブラックマスクの形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示素子は比較的小さな電力で文字
や図形等の画像を簡易に表示できるため、近年パーソナ
ルコンピューターやファクシミリ等のOA機器をはじめ
として、家電製品、時計等に広く使用されている。他
方、半導体分野における電子素子の製造の技術の進歩に
伴い、近年、液晶の駆動制御に薄膜型トランジスタ(T
FT)を使用してカラーの画像を表示するカラー液晶表
示素子の開発及び製造が活発になされている。
【0003】この種の従来の液晶表示素子は、ガラス等
の2枚の透明な基板と、これら透明基板間に収納された
表示媒体としての液晶から成っている。透明基板の一方
の表面には、マトリックス状に形成され電気信号配線と
してのソース及びゲート配線に電気的に接続された液晶
駆動素子としてのTFTと、TFTの各ドレーンに電気
的に接続され液晶分子を駆動制御する画素電極と、これ
らの透明基板上の要素を被覆するように形成され液晶分
子の配向方向を規定する配向溝が形成された配向膜と、
から成っている。
【0004】透明基板の他方の表面は、図3に要部の断
面を示すように、ガラス等から成る透明基板1の表面に
全面的に形成された電極膜2と、電極膜2上にTFTの
それぞれの画素電極に対応してCr等の遮光性の金属に
より格子状に形成された遮光膜(ブラックマスク)13
と、液晶を介してカラー表示を可能にするために遮光膜
13に画成されるように設けられた、例えば、ブルー
(B)、レッド(R)、グリーン(G)の色から成るカ
ラーフイルター14と、カラーフイルタ14を被覆する
保護膜15と、から成っている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、カラー
フイルタ14を画成する透明基板1上の遮光膜13は、
従来、遮光性の高さやパターニング形成の精度の高さ等
の観点からCrから成る膜が一般に広く利用されてい
る。即ち、従来の遮光膜13は、電極膜2としてのIT
O膜を形成した透明基板の表面に、例えば、スパッタ法
によりCr膜を成膜後、Cr膜の表面にレジスト膜をパ
ターン形成し、フオトリソグラフイ技術を介して不要な
部分のCrをウエットエッチングにより除去することに
より所要のパターンに形成されている。
【0006】しかし、スパッタ法による遮光膜の形成
は、例えば、数ミリ乃至数十ミリトール程度に減圧させ
た反応室内での処理により行うために、装置が大型化し
て製造コストを増大させると共に量産に対する要請を十
分に満たすことができない。また、一旦形成したCr膜
をエッチング除去する工程が不可避的に介在し、これが
設備の大型化や製造コストの更なる増大を招いている。
【0007】他方、このようなスパッタ法に代えて、蒸
着法により遮光膜を形成することも可能であるが、蒸着
法によってもやはり、スパッタ法と同様に、真空状態に
減圧される反応室やCr膜形成後のエッチング処理を要
する問題は依然残される。従って、本発明の目的は、低
い製造コストで簡易に遮光膜を形成する液晶表示素子の
製造方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するた
め、本発明によれば、透明基板上に導電体から成る電極
膜を形成し、電極膜上にレジスト層をパターン形成し、
前記電極膜及びレジストパターンが形成された透明基板
をメッキ液に浸漬してメッキ処理することにより電極膜
上に遮光性材料から成る遮光膜をパターン形成後レジス
ト膜を除去する工程から成ることを特徴とする液晶表示
装置の製造方法が提供される。
【0009】上記メッキ処理は、電極膜が陰極に電気的
に接続された電解メッキにより行うことができる。上記
メッキ処理は、電極膜と遮光性材料との間に外部から電
圧印加を行わない無電解メッキにより行うことができ
る。
【0010】
【作用および効果】透明基板の電極膜上にレジスト層を
パターン形成し、電極膜及びレジストパターンが形成さ
れた透明基板をメッキ液に浸漬してメッキ処理すること
により電極膜上に遮光膜を形成するので、レジストパタ
ーンのマスキングにより選択的なメッキ処理が行える。
従って、メッキ後に不要な部分をエッチング等により除
去するような工程を要することなく、簡易な方法でカラ
ーフイルタ側の透明基板の製造を行うことができる。
【0011】また、遮光膜を従来のスパッタ法や蒸着法
に比較して簡易且つ量産に適したメッキにより行うの
で、結果として製造コストを大幅に減少させることがで
きる。
【0012】
【実施例】次に、本発明による液晶表示装置の製造方法
について実施例に従い図面を参照しながら詳細に説明す
る。図1に本発明の第1の実施例による液晶表示装置の
製造方法の主要な工程を示す。尚、本実施例では、TF
T型液晶表示装置のカラーフイルタが形成される側の透
明基板に本発明を適用した例を示している。
【0013】先ず、ガラスから成る透明な基板1の表面
に液状のITO(インジム錫酸化物)塗布液を滴下後透
明基板を一定の回転速度、例えば約2000rpm、で
回転させて透明基板上に均一な状態に拡げる。ITO塗
布液は特定の粘度となるように調製してもよいが、一般
に市販されているものを利用すればより便利である。こ
のようにITO塗布液を塗布したら、透明基板を焼成炉
に装入して約300℃の温度で焼成することにより、図
1(a)に示すように、約200nmの膜厚で透明基板
の表面に全面的に拡がるITOから成る共通電極として
の電極膜2を形成する。このように形成する電極膜2
は、後述の電解メッキを行う際の陰極として利用するの
だが、過度に薄いとメッキ形成する後述の遮光膜の膜厚
にばらつきが生じ易くなるので、約100乃至300n
mの範囲で素子の仕様や製造条件に応じて適宜選択する
とよい。
【0014】次いで、図1(b)に示すように、透明基
板1の電極膜2上にフオトレジストを約900nmの層
厚に塗布して通常のTFTの形成工程で使用されるよう
なフオトリソグラフイ法により、後述の遮光膜の形成領
域のITO膜が露出された開口領域となるように反転パ
ターン3を形成する。使用するフオトレジストは、ポジ
型及びネガ型のいずれを用いてもよいが、ポジ型のもの
を使用すればより高精度なパターンが得られる。
【0015】このように透明基板1にフオトレジスト3
をパターン形成したら図2に示すようなメッキ装置によ
りメッキ処理を施す。メッキ槽4内にはクロム酸溶液か
ら成るメッキ液5が充満されており、メッキ液5はヒー
タ6により一定の温度に保たれ及びPHメータ7により
PH値が監視される一方、直流電源8の陰極に接続した
電極膜2を有する透明基板1と陽極に接続した純鉛板9
とが浸漬されている。メッキ液5は濾過フイルタ10が
設けられた循環路11を介して循環ポンプ12により循
環されている。このようなメッキ装置の直流電源8によ
り陰極と陽極間に約5mA/cm2の電流密度の電流を
供給することにより、図1(c)に示すように、フオト
レジストから露出された電極膜2膜上にCrを析出させ
て格子状の遮光膜13を約100nmの層厚に形成す
る。
【0016】このように遮光膜13を形成したら、透明
基板1をメッキ液5から取出して水洗及びフオトレジス
トの剥離等の所要の処理を行った後、約200℃の温度
下で約30分間ベーキングを行い脱水する。このように
して得た透明基板の遮光膜13により画成された電極膜
2上の領域に従来の方法と同様に、赤(R)、緑
(G)、及び青(B)の染料を含む例えばアクリル系樹
脂から成るカラーフイルタ、及びカラーフイルタを被覆
する保護膜をそれぞれ形成することによりカラーフィル
タ側の透明基板が得られる。
【0017】カラーフイルター側と対向配置するTFT
が設けられる側の透明基板は、従来の方法によりガラス
の基板上にソース配線、ゲート配線、これらの配線に電
気的に接続されたTFT、TFTのドレーン電極に電気
的に接続された画素電極、並びにこれらを被覆する配向
膜等を形成することにより得られる。このようにして得
られたカラーフイルタ側透明基板及びTFT側透明基板
とを対向配置し、これらの間に液晶を注入し、封止等の
所要の処理を施すことにより液晶表示装置が得られる。
【0018】上述の実施例では、遮光膜としてCr膜を
用いたが、これに代えて、ニッケルメッキによるNi膜
を形成してもよい。このようなNi膜を使用する場合
は、メッキ液として硫酸ニッケルと塩化ニッケルから成
る溶液を用いればよい。次に、本発明の第2の実施例に
ついて説明する。第2の実施例は、上述で電解メッキに
よりCrの遮光膜を形成したのに対して、無電解メッキ
によりNiの遮光膜を形成することを除いて、第1の実
施例と同様である。
【0019】無電解メッキにより遮光膜を形成する場
合、メッキを実施する前に、まず、塩化錫及び塩化パラ
ジウムから成る溶液に浸漬してITO膜表面を活性化し
及びこれに触媒を付与する。このような処理を行った
後、一旦、洗浄して、次いで、硫酸ニッケルに還元剤を
混合したメッキ液に例えば約2分間浸漬してNiから成
る遮光膜を約200nmの膜厚に形成する。このような
無電解メッキではいうまでもなく外部電源からの通電は
必要ない。よって、電流密度分布に起因する膜厚分布不
良が有効に防止される。
【0020】尚、上述の実施例では、TFT型の液晶表
示装置のカラーフイルタ側透明基板の製造について説明
したが、本発明はこれに限定されることなく、TN型や
STN型の液晶表示装置についても同様に適用できるこ
とはいうまでもない。このようなTN型やSTN型の遮
光膜はストライプ状のカラーフイルタ間に延びるように
透明基板上にストライプ状のパターンに形成すればよ
い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明方法の第1の実施例による工程を説明す
るための図である。
【図2】第1実施例に使用されるメッキ装置の構成を示
す図である。
【図3】液晶表示装置のカラーフイルタ側の透明基板の
要部の断面を示す図である。
【符号の説明】
1 透明基板 2 電極膜 3 レジストパターン 4 メッキ槽 5 メッキ液 8 直流電源 9 純鉛板(陽極) 13 遮光膜 14 カラーフイルタ 15 保護膜

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】透明基板上に導電体から成る電極膜を形成
    し、前記電極膜上にレジスト層をパターン形成し、前記
    電極膜及びレジストパターンが形成された透明基板をメ
    ッキ液に浸漬してメッキ処理することにより前記電極膜
    上に遮光性材料から成る遮光膜をパターン形成後前記レ
    ジスト膜を除去する工程から成ることを特徴とする液晶
    表示装置の製造方法。
  2. 【請求項2】前記メッキ処理は、前記電極膜が陰極に電
    気的に接続された電解メッキにより行う請求項1に記載
    の液晶表示装置の製造方法。
  3. 【請求項3】前記メッキ処理は、前記電極膜と前記遮光
    性材料との間に外部から電圧印加を行わない無電解メッ
    キにより行う請求項1に記載の液晶表示装置の製造方
    法。
JP6257134A 1994-10-21 1994-10-21 液晶表示装置の製造方法 Pending JPH08122771A (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63118126A (ja) * 1986-11-05 1988-05-23 Oki Electric Ind Co Ltd 液晶パネルの製造方法
JPH0540258A (ja) * 1991-08-06 1993-02-19 Nippon Paint Co Ltd 多色表示装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63118126A (ja) * 1986-11-05 1988-05-23 Oki Electric Ind Co Ltd 液晶パネルの製造方法
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