JPH02275925A - 液晶画像表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶画像表示装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH02275925A JPH02275925A JP1288368A JP28836889A JPH02275925A JP H02275925 A JPH02275925 A JP H02275925A JP 1288368 A JP1288368 A JP 1288368A JP 28836889 A JP28836889 A JP 28836889A JP H02275925 A JPH02275925 A JP H02275925A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- insulating substrate
- image display
- display device
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 abstract description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は画像表示機能を有する液晶バネ取 とりわけ絵
素毎にスイッチング素子を内蔵したアクティブ型の液晶
画像表示装置及びその製造方法に関するものて 特に効
果的なパシベーションを得る事ができるものである。
素毎にスイッチング素子を内蔵したアクティブ型の液晶
画像表示装置及びその製造方法に関するものて 特に効
果的なパシベーションを得る事ができるものである。
従来の技術
近年の微細加工技1転 液晶材料及び実装技術等の進歩
により2〜6インチ程度の小さなサイズではある力丈
液晶パネルで実用上支障ないテレビジョン画像が商用ベ
ースで得られるようになってき池 液晶パネルを構成す
る2枚のガラス板の一方にR,G、 Bの着色層を形
成しておくことによりカラー表示も容易に実現され ま
た絵素毎にスイッチング素子を内蔵させた いわゆるア
クティブ型の液晶パネルではクロストークも少なくかつ
高いコントラスト比を有する画像が保証される。
により2〜6インチ程度の小さなサイズではある力丈
液晶パネルで実用上支障ないテレビジョン画像が商用ベ
ースで得られるようになってき池 液晶パネルを構成す
る2枚のガラス板の一方にR,G、 Bの着色層を形
成しておくことによりカラー表示も容易に実現され ま
た絵素毎にスイッチング素子を内蔵させた いわゆるア
クティブ型の液晶パネルではクロストークも少なくかつ
高いコントラスト比を有する画像が保証される。
このような液晶パネル(よ 走査線としては120〜2
40木 信号線としては240〜720本程度のマトリ
クス編成が標準的で、例えば第4図に示すように液晶パ
ネル1を構成する一方の透光性絶縁性基板 例えばガラ
ス基板2上に形成された走査線の電極端子群6に駆動信
号を供給する半導体集積回路チップ3を直接接続するC
OG (Chi p−0n−G l a s s)方式
や、例えばポリイミド系樹脂薄膜をベースとし 金メツ
キされた銅箔の端子群(図示せず)を有する接続フィル
ム4を信号線の電極端子群5に接着剤で圧接しながら固
定する方式などの実装手段によって電気信号が画像表示
部に供給される。ここでは便宜上二つの実装方式を同時
に図示している力丈 実際にはいずれかの実装方式が選
はれることは言うまでもなし)。
40木 信号線としては240〜720本程度のマトリ
クス編成が標準的で、例えば第4図に示すように液晶パ
ネル1を構成する一方の透光性絶縁性基板 例えばガラ
ス基板2上に形成された走査線の電極端子群6に駆動信
号を供給する半導体集積回路チップ3を直接接続するC
OG (Chi p−0n−G l a s s)方式
や、例えばポリイミド系樹脂薄膜をベースとし 金メツ
キされた銅箔の端子群(図示せず)を有する接続フィル
ム4を信号線の電極端子群5に接着剤で圧接しながら固
定する方式などの実装手段によって電気信号が画像表示
部に供給される。ここでは便宜上二つの実装方式を同時
に図示している力丈 実際にはいずれかの実装方式が選
はれることは言うまでもなし)。
な抵 7、8は液晶パネル1中央の画像表示部と信号線
及び走査線の電極端子群5、6との間を接続する配線路
で、必ずしも電極端子群と同じ導電材で構成される必要
はない。
及び走査線の電極端子群5、6との間を接続する配線路
で、必ずしも電極端子群と同じ導電材で構成される必要
はない。
9は全ての絵素に共通の透明導電性の対向電極を有する
もう1枚の透光性絶縁性基板であるガラス板てミ 2枚
のガラス板2、9は石英ファイバやプラスチックビーズ
等のスペーサによって所定の距離を隔てて形成され そ
の間隙はシール材と封口材で封止された閉空間になって
おり、閉空間には液晶が充填されている。多くの場合、
ガラス板9の閉空間側に着色層と称する染料または顔料
のいずれか一方もしくは両方を含む有機薄膜が被着され
て色表示機能が与えられるのでガラス基板9は別名カラ
ーフィルタとも呼ばれる。そして液晶材の性質によって
はガラス板9上面またはガラス板2下面のいずれかもし
くは両面上に偏光板が貼付され 液晶パネルlは電気光
学素子として機能する。
もう1枚の透光性絶縁性基板であるガラス板てミ 2枚
のガラス板2、9は石英ファイバやプラスチックビーズ
等のスペーサによって所定の距離を隔てて形成され そ
の間隙はシール材と封口材で封止された閉空間になって
おり、閉空間には液晶が充填されている。多くの場合、
ガラス板9の閉空間側に着色層と称する染料または顔料
のいずれか一方もしくは両方を含む有機薄膜が被着され
て色表示機能が与えられるのでガラス基板9は別名カラ
ーフィルタとも呼ばれる。そして液晶材の性質によって
はガラス板9上面またはガラス板2下面のいずれかもし
くは両面上に偏光板が貼付され 液晶パネルlは電気光
学素子として機能する。
第5図(よ スイッチング素子として絶縁ゲート型トラ
ンジスタ10を絵素毎に配置したアクティブ型液晶パネ
ルの等価回路図であり、第6図は同パネルの要部断面図
である。実線で描かれた素子は一方のガラス基板2上番
ミ そして破線で描かれた素子はもう一方のガラス基
板9上に形成されている。走査線11(、,8)と信号
線12(7)l上例えば非晶質シリコンを半導体層とし
シリコン窒化膜(S i 3NJ)をゲート絶縁膜と
する薄膜トランジスタ10の形成と同時にガラス基板2
上に作製される。液晶セル13はカラス基板2」二に形
成された透明導電性の絵素電極14と、カラーフィルタ
9上に形成された同じく透明導電性の対向電極15と、
2枚のガラス板で構成された閉空間を満たず液晶16
とで構成され 電気的にはコンデンサと同じ扱いを受け
る。
ンジスタ10を絵素毎に配置したアクティブ型液晶パネ
ルの等価回路図であり、第6図は同パネルの要部断面図
である。実線で描かれた素子は一方のガラス基板2上番
ミ そして破線で描かれた素子はもう一方のガラス基
板9上に形成されている。走査線11(、,8)と信号
線12(7)l上例えば非晶質シリコンを半導体層とし
シリコン窒化膜(S i 3NJ)をゲート絶縁膜と
する薄膜トランジスタ10の形成と同時にガラス基板2
上に作製される。液晶セル13はカラス基板2」二に形
成された透明導電性の絵素電極14と、カラーフィルタ
9上に形成された同じく透明導電性の対向電極15と、
2枚のガラス板で構成された閉空間を満たず液晶16
とで構成され 電気的にはコンデンサと同じ扱いを受け
る。
着色された感光性ゼラチンまたは着色性感光樹脂等より
なる着色層17は先述したように カラフィルタ9の閉
空間側で絵素電極14に対応してR,G、 Bの三原
色で所定の配列に従って配置されている。全ての絵素電
極14に共通の対向電極15は着色層17の存在による
電圧配分損失を避けるためには図示したように着色層1
7上に形成される。液晶16に接して2枚のガラス板上
に被着された 例えは0. 1μm程度の膜厚のポリイ
ミド系樹脂薄膜層18は液晶分子を決められた方向に揃
えるための配向膜である。加えて液晶16にツイスト・
ネマチック(TN)型のものを用いる場合には」二下に
2枚の偏光板19を必要とする。
なる着色層17は先述したように カラフィルタ9の閉
空間側で絵素電極14に対応してR,G、 Bの三原
色で所定の配列に従って配置されている。全ての絵素電
極14に共通の対向電極15は着色層17の存在による
電圧配分損失を避けるためには図示したように着色層1
7上に形成される。液晶16に接して2枚のガラス板上
に被着された 例えは0. 1μm程度の膜厚のポリイ
ミド系樹脂薄膜層18は液晶分子を決められた方向に揃
えるための配向膜である。加えて液晶16にツイスト・
ネマチック(TN)型のものを用いる場合には」二下に
2枚の偏光板19を必要とする。
R,G、 Bの着色層17の境界に低反射性の不透明
膜20を配置すると、ガラス基板2上の信号線等の配線
層からの反射光を防止できてコントラスト比が向」ニし
またスイッチング素子10の外部光照射によるリーク
電流の増大が防げて強い外光の下でも動作させることが
可能となり、ブラックマトリクスとして実用化されてい
る。ブラックマトリクス材の構成も多数考えられる力(
着色層の境界に於ける段差の発生状況と光の透過率を考
慮すると、コスト高にはなるが0.1μm程度の膜厚の
Cr薄膜が簡便である。
膜20を配置すると、ガラス基板2上の信号線等の配線
層からの反射光を防止できてコントラスト比が向」ニし
またスイッチング素子10の外部光照射によるリーク
電流の増大が防げて強い外光の下でも動作させることが
可能となり、ブラックマトリクスとして実用化されてい
る。ブラックマトリクス材の構成も多数考えられる力(
着色層の境界に於ける段差の発生状況と光の透過率を考
慮すると、コスト高にはなるが0.1μm程度の膜厚の
Cr薄膜が簡便である。
な抵 第5図において蓄積容量21はアクティブ型の液
晶パネルとしては必ずしも必須の構成要素とは限らない
万丈 駆動用信号源の利用効率の向1ス 浮遊寄生容量
の障害の抑制及び高温動作時の画像のちらつき(フリッ
カ)防止等には効果的存在で適宜採用される。また理解
を簡単にするた教薄膜トランジスタ10、走査線11、
及び蓄積容量21に加えて光源やスペーサ等の主要因子
は第6図では省略されている。22は絵素電極14と絶
縁ゲ−1・型トランジスタ1oのドレインとを接続する
ための導電性薄膜で、−船釣には信号線12と同一の利
質で同時に形成される。
晶パネルとしては必ずしも必須の構成要素とは限らない
万丈 駆動用信号源の利用効率の向1ス 浮遊寄生容量
の障害の抑制及び高温動作時の画像のちらつき(フリッ
カ)防止等には効果的存在で適宜採用される。また理解
を簡単にするた教薄膜トランジスタ10、走査線11、
及び蓄積容量21に加えて光源やスペーサ等の主要因子
は第6図では省略されている。22は絵素電極14と絶
縁ゲ−1・型トランジスタ1oのドレインとを接続する
ための導電性薄膜で、−船釣には信号線12と同一の利
質で同時に形成される。
発明が解決しようとする課題
アクティブ型の液晶パネルにおいて(よ デバイス構造
か複1111なために全ての液晶セル13が同等の条件
で駆動されにくく、従って表示画像がちらついて見える
現象が発生し易い。画像のちらつきはフリッカとも呼ば
れ 単純マトリクス編成の液晶パネルにおいても斜めか
ら観測したり、駆動信号に直流J&分が多く含まれてい
ると発生ずることは公知の事実である。
か複1111なために全ての液晶セル13が同等の条件
で駆動されにくく、従って表示画像がちらついて見える
現象が発生し易い。画像のちらつきはフリッカとも呼ば
れ 単純マトリクス編成の液晶パネルにおいても斜めか
ら観測したり、駆動信号に直流J&分が多く含まれてい
ると発生ずることは公知の事実である。
フリッカを低減させるには全ての液晶セルが同等の駆動
状態となるべく構成素子である液晶セル13、絶縁ゲー
ト型トランジスタ1o及び蓄積容量21を高精度で製作
する方法と、隣合った液晶セル13を逆位相で駆動し液
晶パネル全体としては観測されないように視覚的に逃れ
る方法とがある。前者においてはアクティブ基板やパネ
ル組み立ての製作条件か厳しくなるだけでなく、大きい
蓄積容量が必要となって歩留まりを下げたり開口率を下
げるなどの欠点がクローズ・アップされ後者においては
フリッカは見かけ上減少しているものの、対向電極15
を一定の電圧で保持して交流駆動するために信号電圧が
高くなり、従ってフリッカの原因である液晶セル間の微
小なばらつき直流電圧成分も増しているため長期間の使
用に対して液晶が劣化して褐色化し 画像品質を損なう
といった欠点があっに 本来は第6図に示したように有機薄膜の配向膜18が絶
縁性の機能を発揮して信号線12、 ドレイン配線22
そして絵素電極14等の表面を絶縁化できれは 絵素電
極14と対向電極15と液晶層16とよりなる液晶セル
13に直流電流が流れ込む事はなく、液晶層16の劣化
は生じないはずである。ところか配向膜18は先述した
ように0゜1μm程度と薄いこと、−船釣な配向膜の塗
布方法がオフセット印刷のためピン・ホールを内在させ
易いこと、そしてアクティブ素子やカラーフィルタの着
色層が熱破壊しないように300t:以下の比較的低温
で配向膜のキュア(熱硬化)が実施されていることなど
の理由により配向膜18単独では信号線12、 ドレイ
ン配線22そして絵素電極14などの表面を不完全にし
か絶縁化出来ず一程度の差はあれ液晶層16の劣化を阻
止することが困難となっている。特に信号線12には信
号電圧が外部から供給され続けるので対向電極15との
間には直流成分が流れ易い。そこで薄い配向膜に代わっ
て第7図に示したようにアクティブ基板2上で全面に透
明絶縁性被膜23として、例えば5i3Naを0.5μ
m程度の膜厚でコーティングすることによって液晶層1
6の劣化を回避する事が出来ることは容易に理解されよ
う。
状態となるべく構成素子である液晶セル13、絶縁ゲー
ト型トランジスタ1o及び蓄積容量21を高精度で製作
する方法と、隣合った液晶セル13を逆位相で駆動し液
晶パネル全体としては観測されないように視覚的に逃れ
る方法とがある。前者においてはアクティブ基板やパネ
ル組み立ての製作条件か厳しくなるだけでなく、大きい
蓄積容量が必要となって歩留まりを下げたり開口率を下
げるなどの欠点がクローズ・アップされ後者においては
フリッカは見かけ上減少しているものの、対向電極15
を一定の電圧で保持して交流駆動するために信号電圧が
高くなり、従ってフリッカの原因である液晶セル間の微
小なばらつき直流電圧成分も増しているため長期間の使
用に対して液晶が劣化して褐色化し 画像品質を損なう
といった欠点があっに 本来は第6図に示したように有機薄膜の配向膜18が絶
縁性の機能を発揮して信号線12、 ドレイン配線22
そして絵素電極14等の表面を絶縁化できれは 絵素電
極14と対向電極15と液晶層16とよりなる液晶セル
13に直流電流が流れ込む事はなく、液晶層16の劣化
は生じないはずである。ところか配向膜18は先述した
ように0゜1μm程度と薄いこと、−船釣な配向膜の塗
布方法がオフセット印刷のためピン・ホールを内在させ
易いこと、そしてアクティブ素子やカラーフィルタの着
色層が熱破壊しないように300t:以下の比較的低温
で配向膜のキュア(熱硬化)が実施されていることなど
の理由により配向膜18単独では信号線12、 ドレイ
ン配線22そして絵素電極14などの表面を不完全にし
か絶縁化出来ず一程度の差はあれ液晶層16の劣化を阻
止することが困難となっている。特に信号線12には信
号電圧が外部から供給され続けるので対向電極15との
間には直流成分が流れ易い。そこで薄い配向膜に代わっ
て第7図に示したようにアクティブ基板2上で全面に透
明絶縁性被膜23として、例えば5i3Naを0.5μ
m程度の膜厚でコーティングすることによって液晶層1
6の劣化を回避する事が出来ることは容易に理解されよ
う。
しかしながら全面に厚いパシベーション層23を被着形
成することは製作工程が長くなるのと、絵素電極14上
に絶縁層が介在して液晶層16に印可される電圧が低下
する意味で好ましいものとは言えない状況である。後者
については絵素電極14上のパシベーション層23を選
択的に除去することは可能である力(絵素電極14上あ
るいは絵素電極14のごく近傍にパシベーション層の高
い段差が存在すると配向膜18の乾燥布によるラビング
処理が規則的に行われず、液晶の配向が乱れて逆ドメイ
ンを生じ表示画質が低下する副作用が発生していた 加
えて良好な膜質のパシベーション層23を得るためには
アクティブ素子に耐熱性も要求され 絶縁ゲート型トラ
ンジスタの特性を確保することが困難となる状況は避け
られない。
成することは製作工程が長くなるのと、絵素電極14上
に絶縁層が介在して液晶層16に印可される電圧が低下
する意味で好ましいものとは言えない状況である。後者
については絵素電極14上のパシベーション層23を選
択的に除去することは可能である力(絵素電極14上あ
るいは絵素電極14のごく近傍にパシベーション層の高
い段差が存在すると配向膜18の乾燥布によるラビング
処理が規則的に行われず、液晶の配向が乱れて逆ドメイ
ンを生じ表示画質が低下する副作用が発生していた 加
えて良好な膜質のパシベーション層23を得るためには
アクティブ素子に耐熱性も要求され 絶縁ゲート型トラ
ンジスタの特性を確保することが困難となる状況は避け
られない。
課題を解決するための手段
本発明はかかる現状に鑑みなされたものて 信号線とド
レイン配線上のみを選択的に絶縁化するために感光性ポ
リイミド薄膜を導入し ポリイミド薄膜を信号線とドレ
イン配線上に選択的に被着形成することによって目的を
達成せんとするものである。
レイン配線上のみを選択的に絶縁化するために感光性ポ
リイミド薄膜を導入し ポリイミド薄膜を信号線とドレ
イン配線上に選択的に被着形成することによって目的を
達成せんとするものである。
作用
信号線とドレイン配線上にのみポリイミド薄膜が選択的
に被着形成されるため液晶層に印可される電圧の低下は
なく、またパシベーション層の被着工程は不要となって
、製作工程の短縮化が促進される。
に被着形成されるため液晶層に印可される電圧の低下は
なく、またパシベーション層の被着工程は不要となって
、製作工程の短縮化が促進される。
実施例
以下本発明の実施例について第1図から第3図までの図
面を参照しながら説明する。第1図は本発明の第1の実
施例にかかる液晶画像表示装置を構成するアクティブ基
板2の断面図であり、全面パシベーションがなされてい
ない従来の製造方法によるアクティブ基板2の製作終了
後に 感光性ポリイミド樹脂24を用いて信号線12上
とドレイン配線22上とに選択的にコーティングした状
態を示している。感光性ポリイミド樹脂として(よ例え
ば旭化成社製の商品名PIMELを挙げることができよ
う。代表的な製品としてF−5524グレードを選ぶな
らば 塗布回転数を400Orpmとした場合に300
℃以上の加熱処理により最終的な熱硬化後の膜厚は約1
μmとすることができる。
面を参照しながら説明する。第1図は本発明の第1の実
施例にかかる液晶画像表示装置を構成するアクティブ基
板2の断面図であり、全面パシベーションがなされてい
ない従来の製造方法によるアクティブ基板2の製作終了
後に 感光性ポリイミド樹脂24を用いて信号線12上
とドレイン配線22上とに選択的にコーティングした状
態を示している。感光性ポリイミド樹脂として(よ例え
ば旭化成社製の商品名PIMELを挙げることができよ
う。代表的な製品としてF−5524グレードを選ぶな
らば 塗布回転数を400Orpmとした場合に300
℃以上の加熱処理により最終的な熱硬化後の膜厚は約1
μmとすることができる。
感光性ポリイミド樹脂(よ 耐熱性と耐薬品性に優れた
ポリイミド樹脂間 紫外線照射による選択的パターン形
成が可能な感光性樹脂の性質を付与した有機樹脂であり
、感光性樹脂と同一の設備及び被着形成方法が適用され
る。唯一の差異は感光性樹脂における現像後の150℃
前後のポスト・ベークに加えて、感光性ポリイミド樹脂
においては250〜450℃程度の有機樹脂としては比
較的高温の加熱が必要で、この加熱処理によって熱硬化
後の最終的な膜厚と膜質が決定されることである。
ポリイミド樹脂間 紫外線照射による選択的パターン形
成が可能な感光性樹脂の性質を付与した有機樹脂であり
、感光性樹脂と同一の設備及び被着形成方法が適用され
る。唯一の差異は感光性樹脂における現像後の150℃
前後のポスト・ベークに加えて、感光性ポリイミド樹脂
においては250〜450℃程度の有機樹脂としては比
較的高温の加熱が必要で、この加熱処理によって熱硬化
後の最終的な膜厚と膜質が決定されることである。
第1図に示された実施例において(よ 従来の製造方法
に加えて感光性ポリイミド樹脂によるコーティング層2
4の形成のための製作工程が必要である。すなわち、は
ぼ1回のホト・マスク工程分に相当する製作工程の増加
が発生する。しかしながら、液晶16層の純度を充分に
高く維持出来るよう番ヘ 液晶材料や配向膜の不純惧
とりわけイオン性の不純物を除外できるならば第2図
に示すように製作行程を簡略化することが可能となる。
に加えて感光性ポリイミド樹脂によるコーティング層2
4の形成のための製作工程が必要である。すなわち、は
ぼ1回のホト・マスク工程分に相当する製作工程の増加
が発生する。しかしながら、液晶16層の純度を充分に
高く維持出来るよう番ヘ 液晶材料や配向膜の不純惧
とりわけイオン性の不純物を除外できるならば第2図
に示すように製作行程を簡略化することが可能となる。
第2図に示した第2の実施例においては 信号線12と
ドレイン配線22を構成する導電性薄膜慰 例えば膜厚
1μmの Alの被着後に感光性ポリイミド樹脂による
パターン26、27を上記素子パターンに対応して形成
した後、同パターン26、27をマスクとしてAIの食
刻を行なって信号線12とドレイン配線22を形成して
いる。
ドレイン配線22を構成する導電性薄膜慰 例えば膜厚
1μmの Alの被着後に感光性ポリイミド樹脂による
パターン26、27を上記素子パターンに対応して形成
した後、同パターン26、27をマスクとしてAIの食
刻を行なって信号線12とドレイン配線22を形成して
いる。
そして従来の製造方法における感光性樹脂とは異なり、
感光性ポリイミド樹脂パターン26、27は除去せずに
そのまま残してアクティブ基板の製作を終了するもので
ある。
感光性ポリイミド樹脂パターン26、27は除去せずに
そのまま残してアクティブ基板の製作を終了するもので
ある。
あるいは絶縁ゲ−1・型トランジスタを始めとする素子
類の耐熱性が充分強い場合には 第3図に示した第3の
実施例が可能となる。先ず第3図(a)に示したように
信号線12とドレイン配線22を構成する導電性薄膜
恩 例えば膜厚1μmのAIの被着後に感光性ポリイミ
ド樹脂によるパターン26、27を上記素子パターンに
対応して形成し 同パターン26、27をマスクとして
A1の食刻を行なって信号線12とドレイン配線22を
形成した(九 第3図(b)に示したようにアクチイブ
基板2を加熱してポリイミド樹脂によるパターン26、
27を塑性変形させて26a、27aとし 信号線12
とドレイン配線22の側面までも被覆させるものである
。ネガ型の感光性ポリイミド樹脂かネガ型の感光性樹脂
と同じよう番へ加熱処理によって塑性変形する特徴を遺
憾なく発揮させた実施例である。塑性変形の変化量は加
熱温度が高いほど大きいバ アクティブ素子の耐熱性と
の兼ね合いもあり、第3図(a)に示したように信号線
12とドレイン配線22とをやや過食側しておくと塑性
変形によって側面の被覆が促進されて好都合である。そ
して第2の実施例と同様に 感光性ポリイミド樹脂パタ
ーン26a、 27aは除去せずにそのまま残してアク
ティブ基板の製作を終了している。
類の耐熱性が充分強い場合には 第3図に示した第3の
実施例が可能となる。先ず第3図(a)に示したように
信号線12とドレイン配線22を構成する導電性薄膜
恩 例えば膜厚1μmのAIの被着後に感光性ポリイミ
ド樹脂によるパターン26、27を上記素子パターンに
対応して形成し 同パターン26、27をマスクとして
A1の食刻を行なって信号線12とドレイン配線22を
形成した(九 第3図(b)に示したようにアクチイブ
基板2を加熱してポリイミド樹脂によるパターン26、
27を塑性変形させて26a、27aとし 信号線12
とドレイン配線22の側面までも被覆させるものである
。ネガ型の感光性ポリイミド樹脂かネガ型の感光性樹脂
と同じよう番へ加熱処理によって塑性変形する特徴を遺
憾なく発揮させた実施例である。塑性変形の変化量は加
熱温度が高いほど大きいバ アクティブ素子の耐熱性と
の兼ね合いもあり、第3図(a)に示したように信号線
12とドレイン配線22とをやや過食側しておくと塑性
変形によって側面の被覆が促進されて好都合である。そ
して第2の実施例と同様に 感光性ポリイミド樹脂パタ
ーン26a、 27aは除去せずにそのまま残してアク
ティブ基板の製作を終了している。
第1図と第3図においては信号線12とドレイン配線2
2の全表面が感光性ポリイミド樹脂によってコーティン
グされている力又 第2図においては信号線12上とド
レイン配線22上とがコーティングされ 信号線12と
ドレイン配線22の側面がコーティングされていない差
異かある。信号線12とドレイン配線22のパターン幅
は一般的には10μm程度であるので、」二連したよう
に液晶層16内の不純物を充分に除去できるならば第2
の実施例におけるイオン性の不純物による直流電流成分
は従来例に比べて1/10程度に減少しているので液晶
の劣化は大幅に改善されることが理解されよう。
2の全表面が感光性ポリイミド樹脂によってコーティン
グされている力又 第2図においては信号線12上とド
レイン配線22上とがコーティングされ 信号線12と
ドレイン配線22の側面がコーティングされていない差
異かある。信号線12とドレイン配線22のパターン幅
は一般的には10μm程度であるので、」二連したよう
に液晶層16内の不純物を充分に除去できるならば第2
の実施例におけるイオン性の不純物による直流電流成分
は従来例に比べて1/10程度に減少しているので液晶
の劣化は大幅に改善されることが理解されよう。
第4の実施例は ポリイミドの有効な除去方法を提供す
るものである。下記の様に ポリイミドの除去を必要と
する場合に用いて有効なものである。
るものである。下記の様に ポリイミドの除去を必要と
する場合に用いて有効なものである。
本発明によるアクティブ基板は信号線上にポリイミド樹
脂が形成された状態で液晶パネル化されるので、当然の
ことながら信号線がそのまま電極端子になることは出来
ない。電極端子はアクティブ基板を構成する他の導電性
材料、例えば絵素電極に用いられた透明電極であるIT
Oや走査線に用いられたTa、Cr等の金属薄膜を用い
て、信号線とは絶縁層に形成された開口部を経由して接
続される構成になっていればよい。しかしなが紋例えは
信号線と同じAtで形成される断線救済のための接続線
や信号線の一部上はポリイミド樹脂が存在するとワイア
・ボンドによる接続が不可能となるので除去する必要が
ある。
脂が形成された状態で液晶パネル化されるので、当然の
ことながら信号線がそのまま電極端子になることは出来
ない。電極端子はアクティブ基板を構成する他の導電性
材料、例えば絵素電極に用いられた透明電極であるIT
Oや走査線に用いられたTa、Cr等の金属薄膜を用い
て、信号線とは絶縁層に形成された開口部を経由して接
続される構成になっていればよい。しかしなが紋例えは
信号線と同じAtで形成される断線救済のための接続線
や信号線の一部上はポリイミド樹脂が存在するとワイア
・ボンドによる接続が不可能となるので除去する必要が
ある。
このような状況に対して有効なポリイミド除去方法(よ
液晶パネルを酸素ガスプラズマ中で、カラーフィルタ
または対向ガラスをマスクとしてアクティブ基板上で露
出しているポリイミド樹脂を選択的に除去することであ
り、これによって上記目的が達成されるものである。
液晶パネルを酸素ガスプラズマ中で、カラーフィルタ
または対向ガラスをマスクとしてアクティブ基板上で露
出しているポリイミド樹脂を選択的に除去することであ
り、これによって上記目的が達成されるものである。
発明の効果
以上述べたように本発明において(よ 液晶セルに流入
して液晶を劣化させる直流成分を阻止または大幅に減少
させるために 信号線とドレイン配線を絶縁性のポリイ
ミド樹脂で厚くコーティングしている。このためフリッ
カレス駆動を採用して高い信号電圧を印可しても液晶層
が劣化して表示画像が褐色に着色してみえる品質上の問
題点は解決された またポリイミド樹脂に感光性のものを選定することによ
り、従来の透明絶縁性薄膜による全面パシベーションと
比べて液晶セルに実効的に供給される電圧の低下を防ぐ
ことが可能となり、表示画像が暗くなる恐れは皆無であ
る。さらに液晶セル内の不純物を充分に除外できるなら
ば 製造行程を従来よりも短縮できる等の優れた効果が
得られる。
して液晶を劣化させる直流成分を阻止または大幅に減少
させるために 信号線とドレイン配線を絶縁性のポリイ
ミド樹脂で厚くコーティングしている。このためフリッ
カレス駆動を採用して高い信号電圧を印可しても液晶層
が劣化して表示画像が褐色に着色してみえる品質上の問
題点は解決された またポリイミド樹脂に感光性のものを選定することによ
り、従来の透明絶縁性薄膜による全面パシベーションと
比べて液晶セルに実効的に供給される電圧の低下を防ぐ
ことが可能となり、表示画像が暗くなる恐れは皆無であ
る。さらに液晶セル内の不純物を充分に除外できるなら
ば 製造行程を従来よりも短縮できる等の優れた効果が
得られる。
さらに 断線救済のための接続線の形成やCOG実装で
必要な配線層も信号線の形成と同時に実行でき、付加的
な製作工程が発生しない効果も見逃すことは出来ないで
あろう。
必要な配線層も信号線の形成と同時に実行でき、付加的
な製作工程が発生しない効果も見逃すことは出来ないで
あろう。
アクティブ基板の構成に関し 絵素電極が厚み方向でど
の位置に形成されるかは絶縁ゲート型トランジスタの構
造と製作方法によって大きく左右されるので、本文中で
は省略し九 絵素電極は絶縁ゲート型トランジスタによ
って信号線とはスイッチ的にしか導通しないので、絵素
電極と絶縁ゲト型トランジスタとを接続するドレイン配
線は必ずしも表面を絶縁化する必要はない万丈 絶縁ゲ
ト型トランジスタが常時ONするような欠陥が存在する
と、その近辺で液晶の劣化が生じる可能性が高く、本発
明のようにドレイン配線も絶縁化する方が好ましい。同
じ理由で、絵素電極もアクティブ基板上の最上層部に位
置するのではなく、透明絶縁性の5i02や513N4
が絵素電極上に被着されている方が信頼性の高い液晶画
像表示装置が得られる。 ドレイン配線を信号線と同時
に絶縁化すること(よ 単にマスク・パターンの設計事
項に過ぎないし また信号線が絶縁ゲート型トランジス
タのソース配線を兼ねないような場合にはソース配線に
対して信号線と同様な処置が必要なことは説明を要しな
いであろう。
の位置に形成されるかは絶縁ゲート型トランジスタの構
造と製作方法によって大きく左右されるので、本文中で
は省略し九 絵素電極は絶縁ゲート型トランジスタによ
って信号線とはスイッチ的にしか導通しないので、絵素
電極と絶縁ゲト型トランジスタとを接続するドレイン配
線は必ずしも表面を絶縁化する必要はない万丈 絶縁ゲ
ト型トランジスタが常時ONするような欠陥が存在する
と、その近辺で液晶の劣化が生じる可能性が高く、本発
明のようにドレイン配線も絶縁化する方が好ましい。同
じ理由で、絵素電極もアクティブ基板上の最上層部に位
置するのではなく、透明絶縁性の5i02や513N4
が絵素電極上に被着されている方が信頼性の高い液晶画
像表示装置が得られる。 ドレイン配線を信号線と同時
に絶縁化すること(よ 単にマスク・パターンの設計事
項に過ぎないし また信号線が絶縁ゲート型トランジス
タのソース配線を兼ねないような場合にはソース配線に
対して信号線と同様な処置が必要なことは説明を要しな
いであろう。
最後に絶縁ゲート型トランジスタの構造が逆になり、信
号線は必ず絶縁膜の下に位置し 走査線がアクティブ基
板の最上層に位置するような構成においてI−L 本
発明の考え方を走査線に適用すればよいことは言うまで
もなく、また液晶パネルが反射型の構成であっても、本
発明の有効性は損なわれるものではないことを補足して
おく。
号線は必ず絶縁膜の下に位置し 走査線がアクティブ基
板の最上層に位置するような構成においてI−L 本
発明の考え方を走査線に適用すればよいことは言うまで
もなく、また液晶パネルが反射型の構成であっても、本
発明の有効性は損なわれるものではないことを補足して
おく。
一加一
第1@ 第2図及び第3図は本発明の実施例にかかる液
晶画像表示装置を構成するアクティブ基板の断面医 第
4図は液晶パネルへの実装手段を示す斜視医 第5図は
アクティブ型液晶パネルの等価回路は 第6図は同パネ
ルの要部断面諷 第7図は液晶の劣化を防ぐために実施
された従来例のアクティブ基板上のパシベーションを示
す断面図である。 1・・・液晶パネル、 2・・・ガラス楓 9・・・カ
ラフィル久 10・・・絶縁ゲート型トランジス久 1
1・・・走査線 12・・・信号線 13・・・液晶セ
/Iz。 14・・・絵素型[& 15・・・対向電機 16・・
・液晶18・・・配向U 22・・・ドレイン配線
23・・・透明絶縁#24、26、27・・・感光性ポ
リイミド樹脂パターン、 26a、 27a・・・塑性
変形した感光性ポリイミド樹脂パターン。 代理人の氏名 弁理士 粟野 重重 他1名憾
晶画像表示装置を構成するアクティブ基板の断面医 第
4図は液晶パネルへの実装手段を示す斜視医 第5図は
アクティブ型液晶パネルの等価回路は 第6図は同パネ
ルの要部断面諷 第7図は液晶の劣化を防ぐために実施
された従来例のアクティブ基板上のパシベーションを示
す断面図である。 1・・・液晶パネル、 2・・・ガラス楓 9・・・カ
ラフィル久 10・・・絶縁ゲート型トランジス久 1
1・・・走査線 12・・・信号線 13・・・液晶セ
/Iz。 14・・・絵素型[& 15・・・対向電機 16・・
・液晶18・・・配向U 22・・・ドレイン配線
23・・・透明絶縁#24、26、27・・・感光性ポ
リイミド樹脂パターン、 26a、 27a・・・塑性
変形した感光性ポリイミド樹脂パターン。 代理人の氏名 弁理士 粟野 重重 他1名憾
Claims (5)
- (1)複数本の走査線と信号線とを有し、単位絵素毎に
スイッチング素子と絵素電極とを有する第1の透光性絶
縁性基板と、透明導電性の対向電極を有する第2の透光
性絶縁性基板との間に液晶を充填してなる液晶画像表示
装置において、前記スイッチング素子が絶縁ゲート型ト
ランジスタであり、前記信号線と前記絶縁ゲート型トラ
ンジスタのドレイン配線とが厚い有機薄膜によってコー
ティングされ、前記液晶とは電気的に絶縁されている事
を特徴とする液晶画像表示装置。 - (2)複数本の走査線と信号線とを有し、単位絵素毎に
スイッチング素子と絵素電極とを有する第1の透光性絶
縁性基板と、透明導電性の対向電極を有する第2の透光
性絶縁性基板との間に液晶を充填してなる液晶画像表示
装置において、前記スイッチング素子が絶縁ゲート型ト
ランジスタであり、前記信号線上と前記絶縁ゲート型ト
ランジスタのドレイン配線上とが厚い有機薄膜によって
コーティングされている事を特徴とする液晶画像表示装
置。 - (3)複数本の走査線と信号線とを有し、単位絵素毎に
絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とを有する第1の
透光性絶縁性基板と、透明導電性の対向電極を有する第
2の透光性絶縁性基板との間に液晶を充填してなる液晶
画像表示装置の製造方法において、前記信号線と前記絶
縁ゲート型トランジスタのドレイン配線の形成にあたり
、信号線とドレイン配線を構成する導電性薄膜の選択的
形成のためのマスク材に感光性ポリイミド系樹脂を用い
、かつ前記感光性ポリイミド系樹脂薄膜をそのまま残し
て第1の透光性絶縁性基板の製作を終える事を特徴とす
る液晶画像表示装置の製造方法。 - (4)複数本の走査線と信号線とを有し、単位絵素毎に
絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とを有する第1の
透光性絶縁性基板と、透明導電性の対向電極を有する第
2の透光性絶縁性基板との間に液晶を充填してなる液晶
画像表示装置の製造方法において、前記信号線と前記絶
縁ゲート型トランジスタのドレイン配線の形成にあたり
、信号線とドレイン配線を構成する導電性薄膜の選択的
形成のためのマスク材に感光性ポリイミド系樹脂を用い
、前記導電性薄膜の食刻後第1の透光性絶縁性基板を加
熱する工程を含み、前記感光性ポリイミド系樹脂薄膜を
そのまま残して第1の透光性絶縁性基板の製作を終える
事を特徴とする液晶画像表示装置の製造方法。 - (5)複数本の走査線と信号線とを有し、単位絵素毎に
絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とを有する第1の
透光性絶縁性基板と、透明導電性の対向電極を有する第
2の透光性絶縁性基板との間に液晶を充填してなる液晶
画像表示装置の製造方法において、第1の透光性絶縁性
基板上に形成された導電性薄膜上の感光性ポリイミド系
樹脂薄膜を第2の透光性絶縁性基板をマスクとして酸素
プラズマにより選択的に除去することを特徴とする液晶
画像表示装置の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28836889A JP2600929B2 (ja) | 1989-01-27 | 1989-11-06 | 液晶画像表示装置およびその製造方法 |
US07/467,548 US5124823A (en) | 1989-01-27 | 1990-01-19 | Active matrix addressed liquid crystal image display and method for fabricating the same |
DE69011884T DE69011884T2 (de) | 1989-01-27 | 1990-01-23 | Aktive matrixadressierte Flüssigkristall-Bildanzeige und Verfahren zu ihrer Herstellung. |
EP90300718A EP0380311B1 (en) | 1989-01-27 | 1990-01-23 | Active matrix addressed liquid crystal image display and method for fabricating the same |
KR1019900000945A KR950001052B1 (ko) | 1989-01-27 | 1990-01-29 | 액티브 매트릭스형 액정 화상 표시장치 및 그 제조방법 |
US08/123,197 US5459092A (en) | 1989-01-27 | 1993-09-20 | Method for fabricating an active matrix addressed liquid crystal image device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1-17949 | 1989-01-27 | ||
JP1794989 | 1989-01-27 | ||
JP28836889A JP2600929B2 (ja) | 1989-01-27 | 1989-11-06 | 液晶画像表示装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02275925A true JPH02275925A (ja) | 1990-11-09 |
JP2600929B2 JP2600929B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=26354548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28836889A Expired - Fee Related JP2600929B2 (ja) | 1989-01-27 | 1989-11-06 | 液晶画像表示装置およびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5124823A (ja) |
EP (1) | EP0380311B1 (ja) |
JP (1) | JP2600929B2 (ja) |
KR (1) | KR950001052B1 (ja) |
DE (1) | DE69011884T2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100283733B1 (ko) * | 1995-10-16 | 2001-03-02 | 마찌다 가쯔히꼬 | 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 그 단선 수정 방법 |
CN100340915C (zh) * | 2004-03-29 | 2007-10-03 | 广辉电子日本株式会社 | 液晶显示装置及其制造方法 |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL8902206A (nl) * | 1989-09-01 | 1991-04-02 | Philips Nv | Weergeefinrichting. |
US5289030A (en) | 1991-03-06 | 1994-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with oxide layer |
US6979840B1 (en) * | 1991-09-25 | 2005-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistors having anodized metal film between the gate wiring and drain wiring |
JP3172840B2 (ja) * | 1992-01-28 | 2001-06-04 | 株式会社日立製作所 | アクティブマトリクス基板の製造方法および液晶表示装置 |
US6624450B1 (en) | 1992-03-27 | 2003-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for forming the same |
JP3245959B2 (ja) * | 1992-06-05 | 2002-01-15 | 松下電器産業株式会社 | 液晶画像表示装置の製造方法 |
US5728592A (en) * | 1992-10-09 | 1998-03-17 | Fujitsu Ltd. | Method for fabricating a thin film transistor matrix device |
US5757446A (en) * | 1994-10-14 | 1998-05-26 | Energy Conversion Devices, Inc. | Liquid crystal display matrix array employing ovonic threshold switching devices to isolate individual pixels |
JP3421882B2 (ja) * | 1994-10-19 | 2003-06-30 | ソニー株式会社 | 多結晶半導体薄膜の作成方法 |
US6900855B1 (en) * | 1995-10-12 | 2005-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having resin black matrix over counter substrate |
JPH09105953A (ja) | 1995-10-12 | 1997-04-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP3516424B2 (ja) * | 1996-03-10 | 2004-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜半導体装置 |
KR100293808B1 (ko) | 1997-12-17 | 2001-10-24 | 박종섭 | 색띰방지용액정표시장치 |
JP3998317B2 (ja) * | 1998-03-12 | 2007-10-24 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
DE19848010C2 (de) * | 1998-10-19 | 2001-06-28 | Siemens Ag | Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung mit elektromagnetischer Schirmung |
US6747724B2 (en) * | 2000-07-26 | 2004-06-08 | Casio Computer Co., Ltd. | Liquid crystal display device having non-display area with reduced width |
TWI336794B (en) * | 2001-12-11 | 2011-02-01 | Sony Corp | Liquid crystal display apparatus |
US20050048706A1 (en) * | 2003-08-27 | 2005-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
US20090001599A1 (en) * | 2007-06-28 | 2009-01-01 | Spansion Llc | Die attachment, die stacking, and wire embedding using film |
KR20150022560A (ko) * | 2013-08-23 | 2015-03-04 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판 제조 방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61186929A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-20 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示装置 |
JPS6358320A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子製造方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2542166C3 (de) * | 1975-09-22 | 1978-09-28 | Siemens Ag | Flüssigkristallanzeige mit einer bistabilen cholesterinischen Flüssigkristallschicht |
JPS5468655A (en) * | 1977-11-11 | 1979-06-01 | Casio Comput Co Ltd | Liquid crystal display device |
JPS5753966A (ja) * | 1980-09-17 | 1982-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Kinzokupataannohogohoho |
US4572617A (en) * | 1982-06-23 | 1986-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrooptical device having thinner liquid crystal layer in display portions |
JPS6017720A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-01-29 | Canon Inc | 液晶装置 |
JPS6045219A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Toshiba Corp | アクテイブマトリクス型表示装置 |
US4929569A (en) * | 1984-01-23 | 1990-05-29 | Ovonic Imaging Systems, Inc. | Method of fabricating amorphous silican diode addressed liquid crystal display |
US4589733A (en) * | 1984-06-29 | 1986-05-20 | Energy Conversion Devices, Inc. | Displays and subassemblies having improved pixel electrodes |
JPS6167023A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
US4678282A (en) * | 1985-02-19 | 1987-07-07 | Ovonic Imaging Systems, Inc. | Active display matrix addressable without crossed lines on any one substrate and method of using the same |
JPS61204681A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-10 | キヤノン株式会社 | 液晶パネル |
JPH0740101B2 (ja) * | 1985-04-23 | 1995-05-01 | 旭硝子株式会社 | 薄膜トランジスタ |
US4855806A (en) * | 1985-08-02 | 1989-08-08 | General Electric Company | Thin film transistor with aluminum contacts and nonaluminum metallization |
JPS6280629A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-14 | Sharp Corp | 液晶表示素子の製造方法 |
JPS62122224A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Mitsubishi Electric Corp | フレ−ムフイ−ダ− |
JPS62136049A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-19 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
FR2593630B1 (fr) * | 1986-01-27 | 1988-03-18 | Maurice Francois | Ecran d'affichage a matrice active a resistance de drain et procedes de fabrication de cet ecran |
JP2523486B2 (ja) * | 1986-03-31 | 1996-08-07 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示パネル及びその製造法 |
JPH0691252B2 (ja) * | 1986-11-27 | 1994-11-14 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ |
GB2198869B (en) * | 1986-12-19 | 1990-08-15 | Philips Electronic Associated | Matrix display devices |
JP2615608B2 (ja) * | 1987-04-07 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US4918504A (en) * | 1987-07-31 | 1990-04-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Active matrix cell |
US5032883A (en) * | 1987-09-09 | 1991-07-16 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
-
1989
- 1989-11-06 JP JP28836889A patent/JP2600929B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-01-19 US US07/467,548 patent/US5124823A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-23 EP EP90300718A patent/EP0380311B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-23 DE DE69011884T patent/DE69011884T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-01-29 KR KR1019900000945A patent/KR950001052B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-09-20 US US08/123,197 patent/US5459092A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61186929A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-20 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示装置 |
JPS6358320A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100283733B1 (ko) * | 1995-10-16 | 2001-03-02 | 마찌다 가쯔히꼬 | 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 그 단선 수정 방법 |
CN100340915C (zh) * | 2004-03-29 | 2007-10-03 | 广辉电子日本株式会社 | 液晶显示装置及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0380311A1 (en) | 1990-08-01 |
KR950001052B1 (ko) | 1995-02-08 |
US5124823A (en) | 1992-06-23 |
EP0380311B1 (en) | 1994-08-31 |
DE69011884D1 (de) | 1994-10-06 |
US5459092A (en) | 1995-10-17 |
KR900012122A (ko) | 1990-08-03 |
DE69011884T2 (de) | 1995-03-16 |
JP2600929B2 (ja) | 1997-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH02275925A (ja) | 液晶画像表示装置およびその製造方法 | |
KR100602759B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
US8139183B2 (en) | Array substrate for liquid crystal display device and manufacturing method of the same | |
TWI307440B (ja) | ||
US7050131B2 (en) | Liquid crystal display device having black seal pattern and external resin pattern, and method of fabricating the same | |
KR100710532B1 (ko) | 액정표시장치와 그 제조방법 | |
JPH1010582A (ja) | 液晶ディスプレイ装置及びその製造方法 | |
US8310644B2 (en) | In-plane switching mode liquid crystal display device | |
TW200407638A (en) | Color filter substrate of a liquid crystal display device | |
US6057900A (en) | Color liquid crystal display device and method for producing color filter substrate | |
WO1992004654A1 (en) | Color filter, method of producing the same, color liquid crystal panel and method of driving the same | |
KR100187598B1 (ko) | 액정화상표시장치 및 그 제조방법 | |
JPH0816758B2 (ja) | 液晶画像表示装置およびその製造方法 | |
KR19980017194A (ko) | 액정표시장치의 기판의 제조방법 및 그 제조방법에 의하여 제조되는 기판의 구조 | |
JP2914559B2 (ja) | 液晶パネル用基板とその製造方法 | |
US20200012137A1 (en) | Substrate for display device, display device, and method of producing substrate for display device | |
JP3831028B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2001264810A (ja) | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 | |
JP3067938B2 (ja) | 液晶パネル用基板とその製造方法 | |
JPH1185057A (ja) | カラー液晶パネル及びその製造方法 | |
JP3403931B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2000250065A (ja) | 液晶画像表示装置および画像表示装置用半導体装置の製造方法 | |
US6803974B2 (en) | Liquid crystal display device | |
JP3391304B2 (ja) | 液晶画像表示装置と画像表示装置用半導体装置の製造方法 | |
JP2003215556A (ja) | 液晶表示素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |