JPH11174467A - 液晶表示素子およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示素子およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アクティブマトリクス基板に対して強固な接
着力をもつ柱状スペーサの導入により、従来の技術より
も液晶層の厚みを基板面内でむらなく精度良く制御しつ
つ、かつラビング処理において生じる配向の乱れをなく
し、表示性能が低下することを防止する。 【解決手段】 マトリクス状に配置されたスイッチング
素子１群および画素電極４群を有するアクティブマトリ
クス基板においてスイッチング素子１に接続されたゲー
ト配線２上またはソース配線３上であってスイッチング
素子１の近傍にあるいはスイッチング素子１上に柱状ス
ペーサ５が形成され、さらにアクティブマトリクス基板
上に形成された配向膜に対してラビング処理を施すに際
して柱状スペーサ５の背後に生じる配向乱れ領域７が画
素電極４とは実質的に重ならない方向をラビング方向６
として設定してラビング処理をしている。
着力をもつ柱状スペーサの導入により、従来の技術より
も液晶層の厚みを基板面内でむらなく精度良く制御しつ
つ、かつラビング処理において生じる配向の乱れをなく
し、表示性能が低下することを防止する。 【解決手段】 マトリクス状に配置されたスイッチング
素子１群および画素電極４群を有するアクティブマトリ
クス基板においてスイッチング素子１に接続されたゲー
ト配線２上またはソース配線３上であってスイッチング
素子１の近傍にあるいはスイッチング素子１上に柱状ス
ペーサ５が形成され、さらにアクティブマトリクス基板
上に形成された配向膜に対してラビング処理を施すに際
して柱状スペーサ５の背後に生じる配向乱れ領域７が画
素電極４とは実質的に重ならない方向をラビング方向６
として設定してラビング処理をしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）などをスイッチング
素子とする液晶表示素子およびその製造方法に関するも
のである。
（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）などをスイッチング
素子とする液晶表示素子およびその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】現在、一般的な液晶表示素子は、透明電
極を有する２枚のガラス基板を対向させて、その２枚の
基板間に液晶が封入された構成となっている。この２枚
の基板間の距離を一定に保つために粒径の均一なプラス
チックビーズ等のスペーサを基板間に散在させている。
極を有する２枚のガラス基板を対向させて、その２枚の
基板間に液晶が封入された構成となっている。この２枚
の基板間の距離を一定に保つために粒径の均一なプラス
チックビーズ等のスペーサを基板間に散在させている。
【０００３】このとき、一般的な問題として、２枚の基
板間に散在させたスペーサの周辺の液晶の配向が乱れる
と、その配向の乱れたスペーサの周辺部から光が漏れ、
コントラストが低下する傾向がある。
板間に散在させたスペーサの周辺の液晶の配向が乱れる
と、その配向の乱れたスペーサの周辺部から光が漏れ、
コントラストが低下する傾向がある。
【０００４】また、スペーサを基板面内に均一に分散さ
せることは困難である。加えて、基板面内の配線やスイ
ッチング素子、カラーフィルタなどによる凹凸があるた
め、スペーサの配置位置によって封入されている液晶層
の厚みが不均一となり、これらが表示不良を引き起こ
し、製品の歩留まりの低下を招く。
せることは困難である。加えて、基板面内の配線やスイ
ッチング素子、カラーフィルタなどによる凹凸があるた
め、スペーサの配置位置によって封入されている液晶層
の厚みが不均一となり、これらが表示不良を引き起こ
し、製品の歩留まりの低下を招く。
【０００５】このような問題の対策として、フォトレジ
スト等で柱状のスペーサを形成することが提案されてい
る。しかし、柱状のスペーサを形成した後に、配向膜を
塗布し、ラビング布で配向膜をこすることにより配向膜
に一方向に沿った多数の微細な溝を形成するラビング処
理を行う場合には、スペーサの突起によりラビングされ
ない部分が生じ、その部分が配向乱れ領域となるため、
表示品位を低下させてしまうという問題があった。ま
た、ラビング処理により柱状スペーサが基板から脱離し
てしまう不良が発生するという問題があった。
スト等で柱状のスペーサを形成することが提案されてい
る。しかし、柱状のスペーサを形成した後に、配向膜を
塗布し、ラビング布で配向膜をこすることにより配向膜
に一方向に沿った多数の微細な溝を形成するラビング処
理を行う場合には、スペーサの突起によりラビングされ
ない部分が生じ、その部分が配向乱れ領域となるため、
表示品位を低下させてしまうという問題があった。ま
た、ラビング処理により柱状スペーサが基板から脱離し
てしまう不良が発生するという問題があった。
【０００６】そこで、このような問題を鑑みて、特開平
９−７３０８８号公報または特開平６−１７５１３３号
公報には、以下のような手法が開示されている。
９−７３０８８号公報または特開平６−１７５１３３号
公報には、以下のような手法が開示されている。
【０００７】上記スペーサの突起による配向乱れに対し
ては、前記両公報において、スペーサを起点とした配向
不良領域が画素内に達しない位置にスペーサを配置し、
基板上の配線や遮光領域を活用して画素に影響しない部
分内に配向不良を収める方法が開示されている。
ては、前記両公報において、スペーサを起点とした配向
不良領域が画素内に達しない位置にスペーサを配置し、
基板上の配線や遮光領域を活用して画素に影響しない部
分内に配向不良を収める方法が開示されている。
【０００８】また、これに加え、前記特開平９−７３０
８８号公報においては、スペーサ形状をラビング布が当
たる部分が頂部となり、かつ、なだらかなテーパ形状を
有し、断面形状を楕円形、三角形、ひし型などになるよ
うな形状することによりラビング布の毛足が受ける抵抗
を減少させ、配向不良を低減する方法が開示されてい
る。
８８号公報においては、スペーサ形状をラビング布が当
たる部分が頂部となり、かつ、なだらかなテーパ形状を
有し、断面形状を楕円形、三角形、ひし型などになるよ
うな形状することによりラビング布の毛足が受ける抵抗
を減少させ、配向不良を低減する方法が開示されてい
る。
【０００９】さらに、特開平９−７３０８８号公報にお
いては、スペーサの基板から脱離する不具合に対し、ス
ペーサの形状を楕円柱とし、かつ、その長径方向とラビ
ング方向とを平行とすることによりスペーサの機械的強
度を保ちつつ、スペーサへ加わる負荷を最小限に抑える
方法が開示されている。
いては、スペーサの基板から脱離する不具合に対し、ス
ペーサの形状を楕円柱とし、かつ、その長径方向とラビ
ング方向とを平行とすることによりスペーサの機械的強
度を保ちつつ、スペーサへ加わる負荷を最小限に抑える
方法が開示されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記２
つの公報による何れの手法においても、スペーサの基板
側に対する接着強度が考慮されていないため、ラビング
時のパイルの押圧によってはスペーサの脱離が問題とな
る場合がある。
つの公報による何れの手法においても、スペーサの基板
側に対する接着強度が考慮されていないため、ラビング
時のパイルの押圧によってはスペーサの脱離が問題とな
る場合がある。
【００１１】特に、特開平９−７３０８８号公報では黒
色樹脂からなる遮光層上にスペーサが設けられているた
め、スペーサの遮光層に対する接着強度が極めて弱く、
ラビング工程においてスペーサが脱離しやすいという問
題があった。これは、黒色樹脂からなる遮光層の上表面
が一般に平坦でありスペーサの接着強度が弱いからであ
る。また、スペーサをなだらかな形状とすることによっ
て、スペーサへ加わるラビング布の負荷を最小限に抑え
る工夫はなされているものの、スペーサの基板面に対す
る接着性が改善されておらず、根本的な問題解決には至
っていなかった。さらに、スペーサの断面形状を楕円
形、三角形、ひし型などとするには、フォトリソ工程や
エッチング工程などの緻密かつ複雑な作業を伴うため
に、コストアップや歩留りの低下が問題となっていた。
色樹脂からなる遮光層上にスペーサが設けられているた
め、スペーサの遮光層に対する接着強度が極めて弱く、
ラビング工程においてスペーサが脱離しやすいという問
題があった。これは、黒色樹脂からなる遮光層の上表面
が一般に平坦でありスペーサの接着強度が弱いからであ
る。また、スペーサをなだらかな形状とすることによっ
て、スペーサへ加わるラビング布の負荷を最小限に抑え
る工夫はなされているものの、スペーサの基板面に対す
る接着性が改善されておらず、根本的な問題解決には至
っていなかった。さらに、スペーサの断面形状を楕円
形、三角形、ひし型などとするには、フォトリソ工程や
エッチング工程などの緻密かつ複雑な作業を伴うため
に、コストアップや歩留りの低下が問題となっていた。
【００１２】他方の特開平６−１７５１３３号公報で
は、スペーサが画素間やスイッチング素子上の平坦でな
い部分に形成されているため接着面積が増して接着強度
が向上されるが、その一方でスペーサが配向膜上に形成
されるため、実質的には接着強度の著しい向上は見られ
なかった。その上、スペーサが設けられた後にラビング
が行なわれるため、ラビング布の押圧によるスペーサの
脱離が問題となっていた。また、配向膜表面はスペーサ
形成工程においてスペーサ形成用の薬液に晒されるた
め、液晶分子の配向規制力の低下や、焼き付け残像のよ
うな表示品位の低下等の深刻な問題が発生していた。
尚、この公報においてはスペーサ形状に関し何ら措置が
施されていないため、ラビング不良に伴う配向不良を避
けることができなかった。本発明は、アクティブマトリ
クス基板に対して強固な接着力をもつとともに、その製
造が簡単な柱状スペーサの導入により、従来の技術より
も液晶層の厚みを基板面内でむらなく精度良く制御しつ
つ、かつラビング処理において生じる配向の乱れをなく
し、表示性能が低下することを防止することを目的とし
ている。
は、スペーサが画素間やスイッチング素子上の平坦でな
い部分に形成されているため接着面積が増して接着強度
が向上されるが、その一方でスペーサが配向膜上に形成
されるため、実質的には接着強度の著しい向上は見られ
なかった。その上、スペーサが設けられた後にラビング
が行なわれるため、ラビング布の押圧によるスペーサの
脱離が問題となっていた。また、配向膜表面はスペーサ
形成工程においてスペーサ形成用の薬液に晒されるた
め、液晶分子の配向規制力の低下や、焼き付け残像のよ
うな表示品位の低下等の深刻な問題が発生していた。
尚、この公報においてはスペーサ形状に関し何ら措置が
施されていないため、ラビング不良に伴う配向不良を避
けることができなかった。本発明は、アクティブマトリ
クス基板に対して強固な接着力をもつとともに、その製
造が簡単な柱状スペーサの導入により、従来の技術より
も液晶層の厚みを基板面内でむらなく精度良く制御しつ
つ、かつラビング処理において生じる配向の乱れをなく
し、表示性能が低下することを防止することを目的とし
ている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項１の
液晶表示素子は、マトリクス状に配置されたスイッチン
グ素子群および画素電極群を有するアクティブマトリク
ス基板において表面に凹凸を有し断面が概ねテーパ形状
の部分上に柱状スペーサが接着形成され、その柱状スペ
ーサが前記テーパ形状に応じたテーパ角度を有している
ことを特徴としている。
液晶表示素子は、マトリクス状に配置されたスイッチン
グ素子群および画素電極群を有するアクティブマトリク
ス基板において表面に凹凸を有し断面が概ねテーパ形状
の部分上に柱状スペーサが接着形成され、その柱状スペ
ーサが前記テーパ形状に応じたテーパ角度を有している
ことを特徴としている。
【００１４】本発明に係る請求項２の液晶表示素子は、
前記柱状スペーサが、スイッチング素子に接続された配
線上であってスイッチング素子の近傍に設けられている
ことを特徴としている。
前記柱状スペーサが、スイッチング素子に接続された配
線上であってスイッチング素子の近傍に設けられている
ことを特徴としている。
【００１５】本発明に係る請求項３の液晶表示素子は、
前記柱状スペーサが、スイッチング素子上に設けられて
いることを特徴としている。
前記柱状スペーサが、スイッチング素子上に設けられて
いることを特徴としている。
【００１６】本発明に係る請求項４の液晶表示素子は、
さらにアクティブマトリクス基板上に形成された配向膜
に対して前記柱状スペーサからスイッチング素子に向か
う方向に沿ってラビング処理が施されていることを特徴
している。
さらにアクティブマトリクス基板上に形成された配向膜
に対して前記柱状スペーサからスイッチング素子に向か
う方向に沿ってラビング処理が施されていることを特徴
している。
【００１７】本発明に係る請求項５の液晶表示素子は、
配向膜において柱状スペーサの背後であって柱状スペー
サからラビング方向に向かう方向に生じた配向乱れ領域
が画素電極とは実質的に重ならない状態となっているこ
とを特徴としている。
配向膜において柱状スペーサの背後であって柱状スペー
サからラビング方向に向かう方向に生じた配向乱れ領域
が画素電極とは実質的に重ならない状態となっているこ
とを特徴としている。
【００１８】本発明に係る請求項６の液晶表示素子は、
柱状スペーサの頂部と対向基板とが接着剤を介して接着
されていることを特徴としている。
柱状スペーサの頂部と対向基板とが接着剤を介して接着
されていることを特徴としている。
【００１９】本発明に係る請求項７の液晶表示素子は、
アクティブマトリクス基板と対向基板とを周辺部で貼り
合わせるシール部に相当する箇所においても柱状スペー
サがアクティブマトリクス基板に形成され、この周辺部
の柱状スペーサを内在させた状態のシール部を介して前
記両基板が貼り合わされていることを特徴とする本発明
に係る請求項８の液晶表示素子の製造方法はマトリクス
状に配置されたスイッチング素子群および画素電極群を
有するアクティブマトリクス基板に感光性樹脂を塗布
し、スイッチング素子に接続された配線上またはスイッ
チング素子上の凹凸面に露光・現像・焼成のプロセスに
よりパターニングして柱状スペーサを形成し、アクティ
ブマトリクス基板上に配向膜を塗布した後にその配向膜
に対してラビング処理を施すに際して柱状スペーサの背
後に生じる配向乱れ領域が画素電極とは実質的に重なら
ない方向をラビング方向として設定してラビング処理す
ることを特徴としている。
アクティブマトリクス基板と対向基板とを周辺部で貼り
合わせるシール部に相当する箇所においても柱状スペー
サがアクティブマトリクス基板に形成され、この周辺部
の柱状スペーサを内在させた状態のシール部を介して前
記両基板が貼り合わされていることを特徴とする本発明
に係る請求項８の液晶表示素子の製造方法はマトリクス
状に配置されたスイッチング素子群および画素電極群を
有するアクティブマトリクス基板に感光性樹脂を塗布
し、スイッチング素子に接続された配線上またはスイッ
チング素子上の凹凸面に露光・現像・焼成のプロセスに
よりパターニングして柱状スペーサを形成し、アクティ
ブマトリクス基板上に配向膜を塗布した後にその配向膜
に対してラビング処理を施すに際して柱状スペーサの背
後に生じる配向乱れ領域が画素電極とは実質的に重なら
ない方向をラビング方向として設定してラビング処理す
ることを特徴としている。
【００２０】本発明に係る請求項９の液晶表示素子の製
造方法は、マトリクス状に配置されたスイッチング素子
群および画素電極群を有するアクティブマトリクス基板
に感光性樹脂を塗布し、スイッチング素子に接続された
配線上またはスイッチング素子上の凹凸面に露光・現像
・焼成のプロセスによりパターニングして柱状スペーサ
を形成し、アクティブマトリクス基板上に配向膜を塗布
した後にその配向膜に対してラビング処理を施すに際し
て柱状スペーサの背後に生じる配向乱れ領域が画素電極
とは実質的に重ならない方向をラビング方向として設定
してラビング処理し、以上のようにして構成されたアク
ティブマトリクス基板においてその柱状スペーサの頂部
に接着剤を塗布し、アクティブマトリクス基板と対向基
板とをそれらの周辺部でシール部を介して貼り合わせる
ときに柱状スペーサの頂部の接着剤を介して対向基板に
接着する状態で貼り合わせることを特徴としている。
造方法は、マトリクス状に配置されたスイッチング素子
群および画素電極群を有するアクティブマトリクス基板
に感光性樹脂を塗布し、スイッチング素子に接続された
配線上またはスイッチング素子上の凹凸面に露光・現像
・焼成のプロセスによりパターニングして柱状スペーサ
を形成し、アクティブマトリクス基板上に配向膜を塗布
した後にその配向膜に対してラビング処理を施すに際し
て柱状スペーサの背後に生じる配向乱れ領域が画素電極
とは実質的に重ならない方向をラビング方向として設定
してラビング処理し、以上のようにして構成されたアク
ティブマトリクス基板においてその柱状スペーサの頂部
に接着剤を塗布し、アクティブマトリクス基板と対向基
板とをそれらの周辺部でシール部を介して貼り合わせる
ときに柱状スペーサの頂部の接着剤を介して対向基板に
接着する状態で貼り合わせることを特徴としている。
【００２１】本発明に係る請求項１０の液晶表示素子の
製造方法は、マトリクス状に配置されたスイッチング素
子群および画素電極群を有するアクティブマトリクス基
板に感光性樹脂を塗布し、スイッチング素子に接続され
た配線上またはスイッチング素子上に加えて対向基板と
貼り合わせる周辺部のシール部に相当する箇所において
も露光・現像・焼成のプロセスによりパターニングして
柱状スペーサを形成し、アクティブマトリクス基板上に
配向膜を塗布した後にその配向膜に対してラビング処理
を施すに際して柱状スペーサの背後に生じる配向乱れ領
域が画素電極とは実質的に重ならない方向をラビング方
向として設定してラビング処理し、以上のようにして構
成されたアクティブマトリクス基板と対向基板とをそれ
らの周辺部でシール部を介して貼り合わせるときに周辺
部の柱状スペーサを内在させた状態のシール部を介して
貼り合わせることを特徴としている。
製造方法は、マトリクス状に配置されたスイッチング素
子群および画素電極群を有するアクティブマトリクス基
板に感光性樹脂を塗布し、スイッチング素子に接続され
た配線上またはスイッチング素子上に加えて対向基板と
貼り合わせる周辺部のシール部に相当する箇所において
も露光・現像・焼成のプロセスによりパターニングして
柱状スペーサを形成し、アクティブマトリクス基板上に
配向膜を塗布した後にその配向膜に対してラビング処理
を施すに際して柱状スペーサの背後に生じる配向乱れ領
域が画素電極とは実質的に重ならない方向をラビング方
向として設定してラビング処理し、以上のようにして構
成されたアクティブマトリクス基板と対向基板とをそれ
らの周辺部でシール部を介して貼り合わせるときに周辺
部の柱状スペーサを内在させた状態のシール部を介して
貼り合わせることを特徴としている。
【００２２】配線の断面形状が一般的に凸状になってい
たり、或いは、画素内部の抜きパターンもあっては凹状
になっていたり、何れもテーパを有していることが多
く、柱状スペーサの断面積以上の接着面積を有すること
になり、柱状スペーサがラビング工程において離脱しに
くくなるとともに、凸状または凹状の部分で形成される
柱状スペーサのテーパーは下地形状のテーパを反映して
なだらかになりやすく、ラビングによる配向乱れが低減
される。また、柱状スペーサをスイッチング素子上に形
成する場合には、スイッチング素子が比較的に複雑な凹
凸形状をもっているため、同様な接着強度の向上、テー
パー角度の緩やかさを得ることが可能である。さらに
は、柱状スペーサが一定の高さのところに限定されて形
成されることにより、液晶層の厚みが精度良く制御され
る。
たり、或いは、画素内部の抜きパターンもあっては凹状
になっていたり、何れもテーパを有していることが多
く、柱状スペーサの断面積以上の接着面積を有すること
になり、柱状スペーサがラビング工程において離脱しに
くくなるとともに、凸状または凹状の部分で形成される
柱状スペーサのテーパーは下地形状のテーパを反映して
なだらかになりやすく、ラビングによる配向乱れが低減
される。また、柱状スペーサをスイッチング素子上に形
成する場合には、スイッチング素子が比較的に複雑な凹
凸形状をもっているため、同様な接着強度の向上、テー
パー角度の緩やかさを得ることが可能である。さらに
は、柱状スペーサが一定の高さのところに限定されて形
成されることにより、液晶層の厚みが精度良く制御され
る。
【００２３】また、配向膜上で柱状スペーサの背後に生
じる配向乱れ領域が画素電極とは実質的に重ならないの
で、配向乱れ領域は液晶表示素子の表示品位にまったく
影響せず、品位の高い表示を可能とする。
じる配向乱れ領域が画素電極とは実質的に重ならないの
で、配向乱れ領域は液晶表示素子の表示品位にまったく
影響せず、品位の高い表示を可能とする。
【００２４】また、柱状スペーサの頂部と対向基板とが
接着剤を介して接着されているので、アクティブマトリ
クス基板と対向基板とが強固に接着され、液晶層の厚み
が均一になり、表示むらがなくなり、表示品位が向上す
る。
接着剤を介して接着されているので、アクティブマトリ
クス基板と対向基板とが強固に接着され、液晶層の厚み
が均一になり、表示むらがなくなり、表示品位が向上す
る。
【００２５】さらに、周辺部のシール部に相当する箇所
においても柱状スペーサがアクティブマトリクス基板に
形成され、この周辺部の柱状スペーサを内在させた状態
のシール部を介してアクティブマトリクス基板と対向基
板とが貼り合わされているので、液晶層の厚みが一層均
一になり、表示むらがなくなり、表示品位がより向上す
る。
においても柱状スペーサがアクティブマトリクス基板に
形成され、この周辺部の柱状スペーサを内在させた状態
のシール部を介してアクティブマトリクス基板と対向基
板とが貼り合わされているので、液晶層の厚みが一層均
一になり、表示むらがなくなり、表示品位がより向上す
る。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る液晶表示素子
の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。まず、
一般的に知られているように、マトリクス状に配置した
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などのスイッチング素子１
や、このスイッチング素子１に結線されるゲート配線
２、ソース配線３、画素電極４が形成されたアクティブ
マトリクス基板を成膜とパターニングの繰り返しなどに
より形成した。
の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。まず、
一般的に知られているように、マトリクス状に配置した
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などのスイッチング素子１
や、このスイッチング素子１に結線されるゲート配線
２、ソース配線３、画素電極４が形成されたアクティブ
マトリクス基板を成膜とパターニングの繰り返しなどに
より形成した。
【００２７】次に、柱状スペーサのもとになる感光性樹
脂をスピナーによりアクティブマトリクス基板上に塗布
した。本実施の形態では、ポジ型アクリル系感光性樹脂
を用いた。感光性樹脂としてはほかにポリイミド系など
を用いることができる。柱状スペーサは表示領域外に形
成するので、樹脂の色を考慮する必要がなく、露光によ
り硬化することのみが主たる樹脂の選定の条件となる。
配向膜形成工程が柱状スペーサ形成工程の前にある場合
には、柱状スペーサのパターニングのための露光が配向
膜に影響を与えるために感光性樹脂としてネガ型しか使
用できないが、本実施の形態の場合には、柱状スペーサ
形成工程の後に配向膜形成工程があるので、感光性樹脂
としてポジ型、ネガ型を問わないですみ、樹脂の選択の
幅が広がる。
脂をスピナーによりアクティブマトリクス基板上に塗布
した。本実施の形態では、ポジ型アクリル系感光性樹脂
を用いた。感光性樹脂としてはほかにポリイミド系など
を用いることができる。柱状スペーサは表示領域外に形
成するので、樹脂の色を考慮する必要がなく、露光によ
り硬化することのみが主たる樹脂の選定の条件となる。
配向膜形成工程が柱状スペーサ形成工程の前にある場合
には、柱状スペーサのパターニングのための露光が配向
膜に影響を与えるために感光性樹脂としてネガ型しか使
用できないが、本実施の形態の場合には、柱状スペーサ
形成工程の後に配向膜形成工程があるので、感光性樹脂
としてポジ型、ネガ型を問わないですみ、樹脂の選択の
幅が広がる。
【００２８】感光性樹脂の塗布量ひいては感光性樹脂の
膜厚は柱状スペーサの高さを決定する。したがって、樹
脂の濃度やスピナーの回転数を制御することが重要であ
る。本実施の形態では、液晶層の厚みとして４．５μｍ
が必要であり、ゲート配線が０．９μｍの厚みをもって
いたので、３．６μｍの樹脂厚となるようにスピンコー
トした。そのためには、スピンの回転数が５８０回転毎
秒で１２秒間のスピンコートが適切であることが分かっ
た。
膜厚は柱状スペーサの高さを決定する。したがって、樹
脂の濃度やスピナーの回転数を制御することが重要であ
る。本実施の形態では、液晶層の厚みとして４．５μｍ
が必要であり、ゲート配線が０．９μｍの厚みをもって
いたので、３．６μｍの樹脂厚となるようにスピンコー
トした。そのためには、スピンの回転数が５８０回転毎
秒で１２秒間のスピンコートが適切であることが分かっ
た。
【００２９】次に、紫外線による露光により、ゲート配
線２の上に柱状スペーサ５の元になる形状をパターニン
グした（図１（ａ）の黒丸を参照）。柱状スペーサ５の
形成位置は、ゲート配線２上で、スイッチング素子１の
ゲートよりもソース配線３から少し離れた位置である。
その後、現像液により不要な樹脂を取り除き、アクティ
ブマトリクス基板を加熱することにより、樹脂により形
成された柱状スペーサ５を硬化させた。
線２の上に柱状スペーサ５の元になる形状をパターニン
グした（図１（ａ）の黒丸を参照）。柱状スペーサ５の
形成位置は、ゲート配線２上で、スイッチング素子１の
ゲートよりもソース配線３から少し離れた位置である。
その後、現像液により不要な樹脂を取り除き、アクティ
ブマトリクス基板を加熱することにより、樹脂により形
成された柱状スペーサ５を硬化させた。
【００３０】焼成温度、焼成時間の制御により、樹脂の
溶媒の揮発速度や樹脂の硬化速度を調整できるので、こ
れらを適当とすることによって柱状スペーサ５のテーパ
ー形状を制御した。本実施の形態では、４０℃において
４０分間の前焼成を行い、その後、２００℃で６７分間
にわたり本焼成を行った。
溶媒の揮発速度や樹脂の硬化速度を調整できるので、こ
れらを適当とすることによって柱状スペーサ５のテーパ
ー形状を制御した。本実施の形態では、４０℃において
４０分間の前焼成を行い、その後、２００℃で６７分間
にわたり本焼成を行った。
【００３１】このようにゲート配線２の上に柱状スペー
サ５を形成したアクティブマトリクス基板に対してポリ
イミドタイプの配向膜を一般的によく知られた印刷法に
より塗布した。尚、このように突起状のスペーサが形成
された基板上に印刷法で配向膜を塗布したとしても、本
発明のスペーサは十分になだらかなテーパ形状を有して
いるので、スペーサ周囲に配向膜の印刷ムラやそれに起
因する配向不良は全く観察されなかった。
サ５を形成したアクティブマトリクス基板に対してポリ
イミドタイプの配向膜を一般的によく知られた印刷法に
より塗布した。尚、このように突起状のスペーサが形成
された基板上に印刷法で配向膜を塗布したとしても、本
発明のスペーサは十分になだらかなテーパ形状を有して
いるので、スペーサ周囲に配向膜の印刷ムラやそれに起
因する配向不良は全く観察されなかった。
【００３２】続いて、配向膜を１８０℃で焼成し、その
配向膜をラビングした。この場合に、図１（ｂ）におい
て矢印で示すように、柱状スペーサ５からスイッチング
素子１を結ぶ方向がラビング方向６となるようにした。
一般的なツイストネマチック型液晶表示素子のラビング
方向がゲート配線方向に対して４５°の角度をもつ方向
にあるため、ラビング方向６としてその４５°の方向を
選んだ。このとき柱状スペーサ５の存在のためにラビン
グ布の毛当たりが弱くなるところに配向乱れ領域７が生
じるが（図中の斜線部参照）、この配向乱れ領域７は画
素電極４とは実質的に全く重なっておらず、表示には関
係のない領域であるので、表示品位の低下は招かなかっ
た。したがって、新たに遮光部を設ける必要はなく、開
口率の低下も招かなかった。
配向膜をラビングした。この場合に、図１（ｂ）におい
て矢印で示すように、柱状スペーサ５からスイッチング
素子１を結ぶ方向がラビング方向６となるようにした。
一般的なツイストネマチック型液晶表示素子のラビング
方向がゲート配線方向に対して４５°の角度をもつ方向
にあるため、ラビング方向６としてその４５°の方向を
選んだ。このとき柱状スペーサ５の存在のためにラビン
グ布の毛当たりが弱くなるところに配向乱れ領域７が生
じるが（図中の斜線部参照）、この配向乱れ領域７は画
素電極４とは実質的に全く重なっておらず、表示には関
係のない領域であるので、表示品位の低下は招かなかっ
た。したがって、新たに遮光部を設ける必要はなく、開
口率の低下も招かなかった。
【００３３】このことは、言い換えると、柱状スペーサ
５の形成位置は、液晶の配向を決めるラビング方向６に
よって決定されるということになる。すなわち、スイッ
チング素子１の位置を通って４５°のラビング方向６に
沿った引いた直線がゲート配線２と交わる点を柱状スペ
ーサ５の形成位置としているわけである。
５の形成位置は、液晶の配向を決めるラビング方向６に
よって決定されるということになる。すなわち、スイッ
チング素子１の位置を通って４５°のラビング方向６に
沿った引いた直線がゲート配線２と交わる点を柱状スペ
ーサ５の形成位置としているわけである。
【００３４】ゲート配線２上に形成された柱状スペーサ
５がラビング工程においてアクティブマトリクス基板か
ら離脱したり使用環境によって柱状スペーサ５が離脱
し、表示領域に移動することにより表示品位の低下を及
ぼすことが懸念されたが、本実施の形態においては実際
にはそのようなことはなかった。これは、図２の（ａ）
と（ｂ）の比較から、本実施の形態における柱状スペー
サ５のアクティブマトリクス基板への接着強度が、柱状
スペーサを対向基板の遮光部の平坦部に設けるよりも強
固であったと理解できる。図２の（ｂ）は平坦な部分８
に柱状スペーサ５′を形成した場合を示し、図２の
（ａ）はゲート配線２の上に柱状スペーサ５を形成した
場合を示す。配線の部分は一般的に断面がテーパー形状
をもち、また多層構造になっている場合が多く、結果的
に配線の部分の断面はおおむねなだらかなテーパー形状
をもつ凸形状をしている。図２の（ａ）の場合は、ゲー
ト配線２のこのような凸形状が反映される結果、図２の
（ｂ）の場合に比べて柱状スペーサ５の基部の接着面積
が増え、また、柱状スペーサ５のテーパーがより緩やか
になっているのが分かる。上記従来技術として説明した
ように、一般的に対向基板に設けられている遮光膜は表
面形状が平坦であるため、その遮光膜上に柱状スペーサ
を形成した場合には、接着強度を向上したり、テーパー
角度を緩やかにしたりすることはできない。本実施の形
態の場合は、柱状スペーサ５の基部の接着面積を大きく
しているので、強固な接合が可能となっているのであ
る。
５がラビング工程においてアクティブマトリクス基板か
ら離脱したり使用環境によって柱状スペーサ５が離脱
し、表示領域に移動することにより表示品位の低下を及
ぼすことが懸念されたが、本実施の形態においては実際
にはそのようなことはなかった。これは、図２の（ａ）
と（ｂ）の比較から、本実施の形態における柱状スペー
サ５のアクティブマトリクス基板への接着強度が、柱状
スペーサを対向基板の遮光部の平坦部に設けるよりも強
固であったと理解できる。図２の（ｂ）は平坦な部分８
に柱状スペーサ５′を形成した場合を示し、図２の
（ａ）はゲート配線２の上に柱状スペーサ５を形成した
場合を示す。配線の部分は一般的に断面がテーパー形状
をもち、また多層構造になっている場合が多く、結果的
に配線の部分の断面はおおむねなだらかなテーパー形状
をもつ凸形状をしている。図２の（ａ）の場合は、ゲー
ト配線２のこのような凸形状が反映される結果、図２の
（ｂ）の場合に比べて柱状スペーサ５の基部の接着面積
が増え、また、柱状スペーサ５のテーパーがより緩やか
になっているのが分かる。上記従来技術として説明した
ように、一般的に対向基板に設けられている遮光膜は表
面形状が平坦であるため、その遮光膜上に柱状スペーサ
を形成した場合には、接着強度を向上したり、テーパー
角度を緩やかにしたりすることはできない。本実施の形
態の場合は、柱状スペーサ５の基部の接着面積を大きく
しているので、強固な接合が可能となっているのであ
る。
【００３５】ラビング工程の後は、一般的な液晶表示素
子の製造方法の場合と同様に、表示部の周辺にセル厚を
保持するためのガラス繊維が混入されたエポキシ接着剤
からなるシール部を介してアクティブマトリクス基板と
対向基板とを貼り合わせた。そして、アクティブマトリ
クス基板と対向基板との隙間に液晶を封入し、液晶表示
素子とした。
子の製造方法の場合と同様に、表示部の周辺にセル厚を
保持するためのガラス繊維が混入されたエポキシ接着剤
からなるシール部を介してアクティブマトリクス基板と
対向基板とを貼り合わせた。そして、アクティブマトリ
クス基板と対向基板との隙間に液晶を封入し、液晶表示
素子とした。
【００３６】柱状スペーサ５のパターニングの位置とし
ては、ほかに図３〜図７に示すような位置であってもよ
い。これらの図において、１は薄膜トランジスタなどの
スイッチング素子、２はゲート配線、３はソース配線、
４は画素電極、５は柱状スペーサ、６はラビング方向、
７は配向乱れ領域である。
ては、ほかに図３〜図７に示すような位置であってもよ
い。これらの図において、１は薄膜トランジスタなどの
スイッチング素子、２はゲート配線、３はソース配線、
４は画素電極、５は柱状スペーサ、６はラビング方向、
７は配向乱れ領域である。
【００３７】図３の場合は、その（ａ）に示すように、
ゲート配線２上で、スイッチング素子１のゲートに対応
する位置に柱状スペーサ５を形成し、その後にアクティ
ブマトリクス基板上に配向膜を形成し、図３の（ｂ）に
示すようにその配向膜に対して矢印のようにソース配線
３と平行で柱状スペーサ５からスイッチング素子１に向
かうラビング方向６においてラビング処理を施した。柱
状スペーサ５よりラビング方向６の下手側に配向乱れ領
域７が生じたが、この配向乱れ領域７はスイッチング素
子１に重なるもので、画素電極４とは実質的に全く重な
ることはなく、表示には関係しない領域であるので表示
品位の低下は招かなかった。
ゲート配線２上で、スイッチング素子１のゲートに対応
する位置に柱状スペーサ５を形成し、その後にアクティ
ブマトリクス基板上に配向膜を形成し、図３の（ｂ）に
示すようにその配向膜に対して矢印のようにソース配線
３と平行で柱状スペーサ５からスイッチング素子１に向
かうラビング方向６においてラビング処理を施した。柱
状スペーサ５よりラビング方向６の下手側に配向乱れ領
域７が生じたが、この配向乱れ領域７はスイッチング素
子１に重なるもので、画素電極４とは実質的に全く重な
ることはなく、表示には関係しない領域であるので表示
品位の低下は招かなかった。
【００３８】図４の場合は、その（ａ）に示すように、
ソース配線３上で、スイッチング素子１のソースに対応
する位置に柱状スペーサ５を形成し、その後にアクティ
ブマトリクス基板上に配向膜を形成し、図４の（ｂ）に
示すようにその配向膜に対して矢印のようにゲート配線
２と平行で柱状スペーサ５からスイッチング素子１に向
かうラビング方向６においてラビング処理を施した。柱
状スペーサ５よりラビング方向６の下手側に配向乱れ領
域７が生じたが、この配向乱れ領域７はスイッチング素
子１に重なるもので、画素電極４とは実質的に全く重な
ることはなく、表示には関係しない領域であるので表示
品位の低下は招かなかった。
ソース配線３上で、スイッチング素子１のソースに対応
する位置に柱状スペーサ５を形成し、その後にアクティ
ブマトリクス基板上に配向膜を形成し、図４の（ｂ）に
示すようにその配向膜に対して矢印のようにゲート配線
２と平行で柱状スペーサ５からスイッチング素子１に向
かうラビング方向６においてラビング処理を施した。柱
状スペーサ５よりラビング方向６の下手側に配向乱れ領
域７が生じたが、この配向乱れ領域７はスイッチング素
子１に重なるもので、画素電極４とは実質的に全く重な
ることはなく、表示には関係しない領域であるので表示
品位の低下は招かなかった。
【００３９】図５〜図７は、柱状スペーサ５をスイッチ
ング素子１上に形成する場合を示している。まず、一般
的に知られているように、マトリクス状に配置したスイ
ッチング素子１や、このスイッチング素子１に結線され
るゲート配線２、ソース配線３、画素電極４が形成され
たアクティブマトリクス基板を成膜とパターニングの繰
り返しなどにより形成した。
ング素子１上に形成する場合を示している。まず、一般
的に知られているように、マトリクス状に配置したスイ
ッチング素子１や、このスイッチング素子１に結線され
るゲート配線２、ソース配線３、画素電極４が形成され
たアクティブマトリクス基板を成膜とパターニングの繰
り返しなどにより形成した。
【００４０】次に、柱状スペーサのもとになる感光性樹
脂をスピナーによりアクティブマトリクス基板上に塗布
した。本実施の形態でも、ポジ型アクリル系感光性樹脂
を用いた。塗布量すなわち感光性樹脂の膜厚により柱状
スペーサ５の高さが決定される。本実施の形態では、液
晶層の厚みとして４．５μｍが必要であり、スイッチン
グ素子１が１．６μｍの厚みをもっていたので、２．９
μｍの樹脂厚となるようにスピンコートした。そのため
には、スピンの回転数が６４０回転毎秒で１２秒間のス
ピンコートが適切であることが分かった。
脂をスピナーによりアクティブマトリクス基板上に塗布
した。本実施の形態でも、ポジ型アクリル系感光性樹脂
を用いた。塗布量すなわち感光性樹脂の膜厚により柱状
スペーサ５の高さが決定される。本実施の形態では、液
晶層の厚みとして４．５μｍが必要であり、スイッチン
グ素子１が１．６μｍの厚みをもっていたので、２．９
μｍの樹脂厚となるようにスピンコートした。そのため
には、スピンの回転数が６４０回転毎秒で１２秒間のス
ピンコートが適切であることが分かった。
【００４１】次に、紫外線による露光により、スイッチ
ング素子１の上に柱状スペーサ５の元になる形状をパタ
ーニングした（図５（ａ）の黒丸を参照）。その後、現
像液により不要な樹脂を取り除き、アクティブマトリク
ス基板を加熱することにより、樹脂により形成された柱
状スペーサ５を硬化させた。焼成温度、焼成時間の制御
により、樹脂の溶媒の揮発速度や樹脂の硬化速度を調整
できるので、これらを適当とすることによって柱状スペ
ーサ５のテーパー形状を制御した。本実施の形態では、
４０℃において１０分間の前焼成を行い、その後、２０
０℃で６７分間にわたり本焼成を行った。
ング素子１の上に柱状スペーサ５の元になる形状をパタ
ーニングした（図５（ａ）の黒丸を参照）。その後、現
像液により不要な樹脂を取り除き、アクティブマトリク
ス基板を加熱することにより、樹脂により形成された柱
状スペーサ５を硬化させた。焼成温度、焼成時間の制御
により、樹脂の溶媒の揮発速度や樹脂の硬化速度を調整
できるので、これらを適当とすることによって柱状スペ
ーサ５のテーパー形状を制御した。本実施の形態では、
４０℃において１０分間の前焼成を行い、その後、２０
０℃で６７分間にわたり本焼成を行った。
【００４２】このようにスイッチング素子１の上に柱状
スペーサ５を形成したアクティブマトリクス基板に対し
てポリイミドタイプの配向膜を一般的によく知られた印
刷法により塗布した。配向膜を１８０℃で焼成し、その
配向膜をラビングした。この場合に、図５（ｂ）におい
て矢印で示すように、ゲート配線２およびソース配線３
に対して斜め４５°で柱状スペーサ５からゲート配線２
とソース配線３との交点に向かうラビング方向６におい
てラビング処理を施した。この４５°は前述のとおり、
一般的なツイストネマチック型液晶表示素子のラビング
方向である。柱状スペーサ５の存在のためにラビング布
の毛当たりが弱くなるところに配向乱れ領域７が生じた
が、この配向乱れ領域７はゲート配線２およびソース配
線３に重なるもので、画素電極４とは実質的に全く重な
っておらず、表示には関係のない領域であるので、表示
品位の低下は招かなかった。したがって、新たに遮光部
を設ける必要はなく、開口率の低下も招かなかった。
スペーサ５を形成したアクティブマトリクス基板に対し
てポリイミドタイプの配向膜を一般的によく知られた印
刷法により塗布した。配向膜を１８０℃で焼成し、その
配向膜をラビングした。この場合に、図５（ｂ）におい
て矢印で示すように、ゲート配線２およびソース配線３
に対して斜め４５°で柱状スペーサ５からゲート配線２
とソース配線３との交点に向かうラビング方向６におい
てラビング処理を施した。この４５°は前述のとおり、
一般的なツイストネマチック型液晶表示素子のラビング
方向である。柱状スペーサ５の存在のためにラビング布
の毛当たりが弱くなるところに配向乱れ領域７が生じた
が、この配向乱れ領域７はゲート配線２およびソース配
線３に重なるもので、画素電極４とは実質的に全く重な
っておらず、表示には関係のない領域であるので、表示
品位の低下は招かなかった。したがって、新たに遮光部
を設ける必要はなく、開口率の低下も招かなかった。
【００４３】図６の場合は、その（ａ）に示すように、
スイッチング素子１上に柱状スペーサ５を形成し、その
後にアクティブマトリクス基板上に配向膜を形成し、図
６の（ｂ）に示すようにその配向膜に対して矢印のよう
にソース配線３と平行で柱状スペーサ５からゲート配線
２に向かうラビング方向６においてラビング処理を施し
た。柱状スペーサ５よりラビング方向６の下手側に配向
乱れ領域７が生じたが、この配向乱れ領域７はゲート配
線２に重なるもので、画素電極４とは実質的に全く重な
ることはなく、表示には関係しない領域であるので表示
品位の低下は招かなかった。
スイッチング素子１上に柱状スペーサ５を形成し、その
後にアクティブマトリクス基板上に配向膜を形成し、図
６の（ｂ）に示すようにその配向膜に対して矢印のよう
にソース配線３と平行で柱状スペーサ５からゲート配線
２に向かうラビング方向６においてラビング処理を施し
た。柱状スペーサ５よりラビング方向６の下手側に配向
乱れ領域７が生じたが、この配向乱れ領域７はゲート配
線２に重なるもので、画素電極４とは実質的に全く重な
ることはなく、表示には関係しない領域であるので表示
品位の低下は招かなかった。
【００４４】図７の場合は、その（ａ）に示すように、
スイッチング素子１上に柱状スペーサ５を形成し、その
後にアクティブマトリクス基板上に配向膜を形成し、図
７の（ｂ）に示すようにその配向膜に対して矢印のよう
にゲート配線２と平行で柱状スペーサ５からソース配線
３に向かうラビング方向６においてラビング処理を施し
た。柱状スペーサ５よりラビング方向６の下手側に配向
乱れ領域７が生じたが、この配向乱れ領域７はソース配
線３に重なるもので、画素電極４とは実質的に全く重な
ることはなく、表示には関係しない領域であるので表示
品位の低下は招かなかった。
スイッチング素子１上に柱状スペーサ５を形成し、その
後にアクティブマトリクス基板上に配向膜を形成し、図
７の（ｂ）に示すようにその配向膜に対して矢印のよう
にゲート配線２と平行で柱状スペーサ５からソース配線
３に向かうラビング方向６においてラビング処理を施し
た。柱状スペーサ５よりラビング方向６の下手側に配向
乱れ領域７が生じたが、この配向乱れ領域７はソース配
線３に重なるもので、画素電極４とは実質的に全く重な
ることはなく、表示には関係しない領域であるので表示
品位の低下は招かなかった。
【００４５】尚、この他、図８から図１１に示すような
部分に柱状スペーサを配置してもよい。図８の場合は、
その（ａ）に示すように、ゲート配線２と同一工程にて
形成した補助容量配線２０上に相当する部分に柱状スペ
ーサ５を形成し、その後にアクティブマトリクス基板上
に配向膜を形成し、図８の（ｂ）に示すようにその配向
膜に対して矢印のようにソース配線３と平行であって柱
状スペーサ５からゲート配線２に向かうラビング方向６
においてラビング処理を施した。ラビング処理により、
ラビング方向６の下手側に配向乱れ領域７が生じたが、
この配向乱れ領域７は補助容量配線２０に重なるもの
で、表示には関係しない領域であるので表示品位の低下
は招かなかった。
部分に柱状スペーサを配置してもよい。図８の場合は、
その（ａ）に示すように、ゲート配線２と同一工程にて
形成した補助容量配線２０上に相当する部分に柱状スペ
ーサ５を形成し、その後にアクティブマトリクス基板上
に配向膜を形成し、図８の（ｂ）に示すようにその配向
膜に対して矢印のようにソース配線３と平行であって柱
状スペーサ５からゲート配線２に向かうラビング方向６
においてラビング処理を施した。ラビング処理により、
ラビング方向６の下手側に配向乱れ領域７が生じたが、
この配向乱れ領域７は補助容量配線２０に重なるもの
で、表示には関係しない領域であるので表示品位の低下
は招かなかった。
【００４６】図９の場合も、補助容量配線２０上に柱状
スペーサ５を形成するものであるが、その（ａ）に示す
ように、図８の構成とは補助容量配線２０の形状が異な
る。すなわち、柱状スペーサを形成する部分を他の部分
よりも配線幅を広くとるのである。補助容量配線２０上
に相当する部分に柱状スペーサ５を形成後、アクティブ
マトリクス基板上に配向膜を形成し、図９の（ｂ）に示
すようにその配向膜に対して矢印のように、補助容量配
線２０の変形部のエッジ部に設けられた柱状スペーサ５
から、それに対向する最も遠いエッジ部方向においてラ
ビング処理を施した。ラビング処理によりラビング方向
６の下手側に配向乱れ領域７が生じたが、補助容量配線
２０の幅を一部変更することにより、この配向乱れ領域
７を補助容量配線２０に重ねることができ、表示には関
係しない領域であるので表示品位の低下は招かなかっ
た。さらに、補助容量配線２０の形状を柱状スペーサ５
及び配向乱れ領域７に対応した部分のみ変形しているの
で、画素開口率の大幅な減少を防ぐことができた。尚、
これに当たっては、表示品位及び電気的特性上で影響の
ない程度にパターンの変更を行なっている。
スペーサ５を形成するものであるが、その（ａ）に示す
ように、図８の構成とは補助容量配線２０の形状が異な
る。すなわち、柱状スペーサを形成する部分を他の部分
よりも配線幅を広くとるのである。補助容量配線２０上
に相当する部分に柱状スペーサ５を形成後、アクティブ
マトリクス基板上に配向膜を形成し、図９の（ｂ）に示
すようにその配向膜に対して矢印のように、補助容量配
線２０の変形部のエッジ部に設けられた柱状スペーサ５
から、それに対向する最も遠いエッジ部方向においてラ
ビング処理を施した。ラビング処理によりラビング方向
６の下手側に配向乱れ領域７が生じたが、補助容量配線
２０の幅を一部変更することにより、この配向乱れ領域
７を補助容量配線２０に重ねることができ、表示には関
係しない領域であるので表示品位の低下は招かなかっ
た。さらに、補助容量配線２０の形状を柱状スペーサ５
及び配向乱れ領域７に対応した部分のみ変形しているの
で、画素開口率の大幅な減少を防ぐことができた。尚、
これに当たっては、表示品位及び電気的特性上で影響の
ない程度にパターンの変更を行なっている。
【００４７】図１０の場合は、その（ａ）に示すよう
に、ゲート配線２またはソース配線３と画素電極４間の
リークを防止するために設けられた絶縁膜（ゲート絶縁
膜または層間絶縁膜）のパターン抜き部２１に柱状スペ
ーサ５を形成するものである。図１０の場合は例えば、
ゲート配線２とソース配線３との交差部近傍であって、
ゲート配線２及びソース配線３と平行に設けられたパタ
ーン抜き部２１のコーナー部上に柱状スペーサ５形成し
た。パターン抜き部２１の断面形状は概ね凹形状である
が、この上に柱状スペーサ５を形成すると、パターン抜
き部２１のテーパ形状を反映して柱状スペーサ５の形状
もなだらかなテーパを有し、また、柱状スペーサ５の接
着強度も強固であった。このような柱状スペーサ５を形
成した後、アクティブマトリクス基板上に配向膜を形成
し、図１０の（ｂ）に示すようにその配向膜に対して矢
印のように、パターン抜き部２１上の柱状スペーサから
ゲート配線２及びソース配線３との交差部方向において
ラビング処理を施した。ラビング処理によりラビング方
向６の下手側に配向乱れ領域７が生じたが、この配向乱
れ領域７はゲート配線２及びソース配線３に重なるもの
で画素電極４とは実質的に全く重なることはなく、表示
には関係しない領域であるので表示品位の低下は招かな
かった。
に、ゲート配線２またはソース配線３と画素電極４間の
リークを防止するために設けられた絶縁膜（ゲート絶縁
膜または層間絶縁膜）のパターン抜き部２１に柱状スペ
ーサ５を形成するものである。図１０の場合は例えば、
ゲート配線２とソース配線３との交差部近傍であって、
ゲート配線２及びソース配線３と平行に設けられたパタ
ーン抜き部２１のコーナー部上に柱状スペーサ５形成し
た。パターン抜き部２１の断面形状は概ね凹形状である
が、この上に柱状スペーサ５を形成すると、パターン抜
き部２１のテーパ形状を反映して柱状スペーサ５の形状
もなだらかなテーパを有し、また、柱状スペーサ５の接
着強度も強固であった。このような柱状スペーサ５を形
成した後、アクティブマトリクス基板上に配向膜を形成
し、図１０の（ｂ）に示すようにその配向膜に対して矢
印のように、パターン抜き部２１上の柱状スペーサから
ゲート配線２及びソース配線３との交差部方向において
ラビング処理を施した。ラビング処理によりラビング方
向６の下手側に配向乱れ領域７が生じたが、この配向乱
れ領域７はゲート配線２及びソース配線３に重なるもの
で画素電極４とは実質的に全く重なることはなく、表示
には関係しない領域であるので表示品位の低下は招かな
かった。
【００４８】図１１の場合は、その（ａ）に示すよう
に、ゲート配線２またはソース配線３を形成する工程と
同時に形成されたダミーパターン２２上に柱状スペーサ
５を設けるものである。このような柱状スペーサ５を形
成した後、アクティブマトリクス基板上に配向膜を形成
し、図１１の（ｂ）に示すようにその配向膜に対して矢
印のようにしてラビング処理を施した。ラビング処理に
よりラビング方向６の下手側に配向乱れ領域７が生じた
が、この配向乱れ領域７はゲート配線２及びソース配線
３に重なるもので画素電極４とは実質的に全く重なるこ
とはなく、表示には関係しない領域であるので表示品位
の低下は招かなかった。尚、これに当たっては、表示品
位及び電気的特性上で影響のない程度にパターンの変更
を行なっている。
に、ゲート配線２またはソース配線３を形成する工程と
同時に形成されたダミーパターン２２上に柱状スペーサ
５を設けるものである。このような柱状スペーサ５を形
成した後、アクティブマトリクス基板上に配向膜を形成
し、図１１の（ｂ）に示すようにその配向膜に対して矢
印のようにしてラビング処理を施した。ラビング処理に
よりラビング方向６の下手側に配向乱れ領域７が生じた
が、この配向乱れ領域７はゲート配線２及びソース配線
３に重なるもので画素電極４とは実質的に全く重なるこ
とはなく、表示には関係しない領域であるので表示品位
の低下は招かなかった。尚、これに当たっては、表示品
位及び電気的特性上で影響のない程度にパターンの変更
を行なっている。
【００４９】尚、図３から図１１において、柱状スペー
サ５の配置及びラビング方向６としてはこれに限定され
ることはない。また、パターン抜き部２１及びダミーパ
ターン２２の形状についてもこの限りではない。
サ５の配置及びラビング方向６としてはこれに限定され
ることはない。また、パターン抜き部２１及びダミーパ
ターン２２の形状についてもこの限りではない。
【００５０】以上の図３から図１１までの場合、すなわ
ち、ゲート配線２上またはソース配線３上、スイッチン
グ素子１上、補助容量配線２０上、パターン抜き部２１
上、或いはダミーパターン２２上等に形成された柱状ス
ペーサ５は何れの場合にも、ラビング工程においてアク
ティブマトリクス基板から離脱することはなかった。例
えば、スイッチング素子１は一般的に断面がテーパー形
状をもち、また多層構造になっていることが多く、結果
的にスイッチング素子の部分の断面は複雑な凹凸形状を
している。この形状を反映して接着面積が増え、平坦部
に設ける場合よりも接着強度が強化されている。ゲート
配線２、ソース配線３、補助容量配線２０或いはそれら
を用いたダミーパターン２２等の配線上であっても表面
に凹凸を有し断面が概ねテーパ形状であることが多く、
この形状を反映して接着面積が増え、平坦部に設ける場
合よりも接着強度が強化されている。また、絶縁膜等の
パターンを一部除いたパターン抜き部２１であっても同
様に接着面積が増え、平坦部に設ける場合よりも接着強
度が強化されている。尚、スペーサにおいては、少なく
とも何れの場合にもラビング方向の上手に相当する部分
がなだらかなテーパを有していればラビング処理におい
てスペーサが脱離する不具合を低減することが可能であ
る。
ち、ゲート配線２上またはソース配線３上、スイッチン
グ素子１上、補助容量配線２０上、パターン抜き部２１
上、或いはダミーパターン２２上等に形成された柱状ス
ペーサ５は何れの場合にも、ラビング工程においてアク
ティブマトリクス基板から離脱することはなかった。例
えば、スイッチング素子１は一般的に断面がテーパー形
状をもち、また多層構造になっていることが多く、結果
的にスイッチング素子の部分の断面は複雑な凹凸形状を
している。この形状を反映して接着面積が増え、平坦部
に設ける場合よりも接着強度が強化されている。ゲート
配線２、ソース配線３、補助容量配線２０或いはそれら
を用いたダミーパターン２２等の配線上であっても表面
に凹凸を有し断面が概ねテーパ形状であることが多く、
この形状を反映して接着面積が増え、平坦部に設ける場
合よりも接着強度が強化されている。また、絶縁膜等の
パターンを一部除いたパターン抜き部２１であっても同
様に接着面積が増え、平坦部に設ける場合よりも接着強
度が強化されている。尚、スペーサにおいては、少なく
とも何れの場合にもラビング方向の上手に相当する部分
がなだらかなテーパを有していればラビング処理におい
てスペーサが脱離する不具合を低減することが可能であ
る。
【００５１】ラビング工程の後は、一般的な液晶表示素
子の製造方法の場合と同様に、表示部の周辺にセル厚を
保持するためのガラス繊維が混入されたエポキシ接着剤
からなるシール部を介してアクティブマトリクス基板と
対向基板とを貼り合わせた。そして、アクティブマトリ
クス基板と対向基板との隙間に液晶を封入し、液晶表示
素子とした。
子の製造方法の場合と同様に、表示部の周辺にセル厚を
保持するためのガラス繊維が混入されたエポキシ接着剤
からなるシール部を介してアクティブマトリクス基板と
対向基板とを貼り合わせた。そして、アクティブマトリ
クス基板と対向基板との隙間に液晶を封入し、液晶表示
素子とした。
【００５２】次に、アクティブマトリクス基板と対向基
板とを貼り合わせるに当たり柱状スペーサの頂部におい
ても接着する方式の実施の形態について説明する。
板とを貼り合わせるに当たり柱状スペーサの頂部におい
ても接着する方式の実施の形態について説明する。
【００５３】図１２の（ａ）に示すように、柱状スペー
サ５が設けられラビング処理が施されたアクティブマト
リクス基板１０と、素ガラス１１に接着剤１２を塗布し
たものを用意した。アクティブマトリクス基板１０とし
ては、図１または図３〜図１１のいずれのものであって
もよい。なお、図１２では、理解を容易にするため、柱
状スペーサ５を強調して大きく図示してある（その結
果、柱状スペーサ５の隣接間隔が極端に小さくなってい
る）。接着剤１２としては、２液タイプのエポキシ系接
着剤をブチルセルソルブで希釈したものを用意した。ア
クティブマトリクス基板１０と同じサイズの素ガラス１
１に希釈した接着剤１２をスピンキャスト法により塗布
した。次に、図１２の（ｂ）に示すように、接着剤１２
が塗布された面が柱状スペーサ５のある面と向き合う状
態にして素ガラス１１をアクティブマトリクス基板１０
に重ね合わせ、次いで素ガラス１１を取り除いた。その
結果、図１２の（ｃ）に示すように、各柱状スペーサ５
の頂部に接着剤１２が転写された。
サ５が設けられラビング処理が施されたアクティブマト
リクス基板１０と、素ガラス１１に接着剤１２を塗布し
たものを用意した。アクティブマトリクス基板１０とし
ては、図１または図３〜図１１のいずれのものであって
もよい。なお、図１２では、理解を容易にするため、柱
状スペーサ５を強調して大きく図示してある（その結
果、柱状スペーサ５の隣接間隔が極端に小さくなってい
る）。接着剤１２としては、２液タイプのエポキシ系接
着剤をブチルセルソルブで希釈したものを用意した。ア
クティブマトリクス基板１０と同じサイズの素ガラス１
１に希釈した接着剤１２をスピンキャスト法により塗布
した。次に、図１２の（ｂ）に示すように、接着剤１２
が塗布された面が柱状スペーサ５のある面と向き合う状
態にして素ガラス１１をアクティブマトリクス基板１０
に重ね合わせ、次いで素ガラス１１を取り除いた。その
結果、図１２の（ｃ）に示すように、各柱状スペーサ５
の頂部に接着剤１２が転写された。
【００５４】一方で、図１２の（ｄ）に示すように、透
明電極を有する透明な対向基板１３の周辺部に対してス
クリーン印刷法によりセル厚を保持するためのガラス繊
維１４（ハッチング参照）が混入されたエポキシ系の接
着剤１５を塗布した。そして、図１２の（ｅ）に示すよ
うに、前述の柱状スペーサ５の頂部に接着剤１２が転写
されたアクティブマトリクス基板１０と周辺部に接着剤
１５が塗布された対向基板１３とを貼り合わせ、接着剤
１５を加熱により硬化させてガラス繊維混入のシール部
１６となし、このシール部１６においてアクティブマト
リクス基板１０と対向基板１３とを接着した。このと
き、各柱状スペーサ５の頂部の接着剤１２を介して各柱
状スペーサ５と対向基板１３とが接着された。次に、ア
クティブマトリクス基板１０と対向基板１３との間の隙
間に液晶を封入し、液晶表示素子とした。
明電極を有する透明な対向基板１３の周辺部に対してス
クリーン印刷法によりセル厚を保持するためのガラス繊
維１４（ハッチング参照）が混入されたエポキシ系の接
着剤１５を塗布した。そして、図１２の（ｅ）に示すよ
うに、前述の柱状スペーサ５の頂部に接着剤１２が転写
されたアクティブマトリクス基板１０と周辺部に接着剤
１５が塗布された対向基板１３とを貼り合わせ、接着剤
１５を加熱により硬化させてガラス繊維混入のシール部
１６となし、このシール部１６においてアクティブマト
リクス基板１０と対向基板１３とを接着した。このと
き、各柱状スペーサ５の頂部の接着剤１２を介して各柱
状スペーサ５と対向基板１３とが接着された。次に、ア
クティブマトリクス基板１０と対向基板１３との間の隙
間に液晶を封入し、液晶表示素子とした。
【００５５】このようにして製造された液晶表示素子
は、一般的な周辺部のシール部においてのみアクティブ
マトリクス基板と対向基板とが貼り合わされている液晶
表示素子に比べて、各柱状スペーサ５の頂部が接着剤１
２を介して接着されている分だけ強固にアクティブマト
リクス基板１０と対向基板１３とが接着され、結果とし
て、液晶層の厚みが均一になり、表示むらがなくなり、
表示品位が向上した。また、歩留まりも改善された。
は、一般的な周辺部のシール部においてのみアクティブ
マトリクス基板と対向基板とが貼り合わされている液晶
表示素子に比べて、各柱状スペーサ５の頂部が接着剤１
２を介して接着されている分だけ強固にアクティブマト
リクス基板１０と対向基板１３とが接着され、結果とし
て、液晶層の厚みが均一になり、表示むらがなくなり、
表示品位が向上した。また、歩留まりも改善された。
【００５６】次のような実施の形態もある。図１３の
（ａ）に示すように、柱状スペーサ５が各画素電極４に
ついて１つずつ設けられているとともにシール部１８
（図１３（ｅ）参照）に相当する箇所にも設けられラビ
ング処理が施されたアクティブマトリクス基板１０と、
素ガラス１１に接着剤１２を塗布したものを用意した。
アクティブマトリクス基板１０としては、図１または図
３〜図１１のいずれのものであってもよい。次に、図１
３の（ｂ）に示すように、素ガラス１１をアクティブマ
トリクス基板１０に重ね合わせ、次いで素ガラス１１を
取り除くと、図１３の（ｃ）に示すように、周辺部のを
含め各柱状スペーサ５の頂部に接着剤１２が転写され
た。
（ａ）に示すように、柱状スペーサ５が各画素電極４に
ついて１つずつ設けられているとともにシール部１８
（図１３（ｅ）参照）に相当する箇所にも設けられラビ
ング処理が施されたアクティブマトリクス基板１０と、
素ガラス１１に接着剤１２を塗布したものを用意した。
アクティブマトリクス基板１０としては、図１または図
３〜図１１のいずれのものであってもよい。次に、図１
３の（ｂ）に示すように、素ガラス１１をアクティブマ
トリクス基板１０に重ね合わせ、次いで素ガラス１１を
取り除くと、図１３の（ｃ）に示すように、周辺部のを
含め各柱状スペーサ５の頂部に接着剤１２が転写され
た。
【００５７】一方で、図１３の（ｄ）に示すように、透
明電極を有する透明な対向基板１３の周辺部に対してス
クリーン印刷法によりエポキシ系の接着剤１７を塗布し
た。この接着剤１７にはガラス繊維は混入されていな
い。そして、図１３の（ｅ）に示すように、前述の周辺
部のものを含めて各柱状スペーサ５の頂部に接着剤１２
が転写されたアクティブマトリクス基板１０と周辺部に
接着剤１７が塗布された対向基板１３とを貼り合わせ、
接着剤１７を加熱により硬化させてシール部１８とな
し、このシール部１８においてアクティブマトリクス基
板１０と対向基板１３とを接着した。このとき、各柱状
スペーサ５の頂部の接着剤１２を介して各柱状スペーサ
５と対向基板１３とが接着された。また、シール部１８
には周辺部の柱状スペーサ５が内在される状態となっ
た。次に、アクティブマトリクス基板１０と対向基板１
３との間の隙間に液晶を封入し、液晶表示素子とした。
明電極を有する透明な対向基板１３の周辺部に対してス
クリーン印刷法によりエポキシ系の接着剤１７を塗布し
た。この接着剤１７にはガラス繊維は混入されていな
い。そして、図１３の（ｅ）に示すように、前述の周辺
部のものを含めて各柱状スペーサ５の頂部に接着剤１２
が転写されたアクティブマトリクス基板１０と周辺部に
接着剤１７が塗布された対向基板１３とを貼り合わせ、
接着剤１７を加熱により硬化させてシール部１８とな
し、このシール部１８においてアクティブマトリクス基
板１０と対向基板１３とを接着した。このとき、各柱状
スペーサ５の頂部の接着剤１２を介して各柱状スペーサ
５と対向基板１３とが接着された。また、シール部１８
には周辺部の柱状スペーサ５が内在される状態となっ
た。次に、アクティブマトリクス基板１０と対向基板１
３との間の隙間に液晶を封入し、液晶表示素子とした。
【００５８】このようにして製造された液晶表示素子
は、一般的な周辺部のシール部においてのみアクティブ
マトリクス基板と対向基板とが貼り合わされている液晶
表示素子に比べて、各柱状スペーサ５の頂部が接着剤１
２を介して接着されている上に、周辺部のシール部１８
においても柱状スペーサ５が存在してアクティブマトリ
クス基板１０と対向基板１３との間隔規制を行っている
ので、液晶層の厚みが一層均一になり、表示むらがなく
なり、表示品位がより向上し、歩留まりもさらに改善さ
れた。
は、一般的な周辺部のシール部においてのみアクティブ
マトリクス基板と対向基板とが貼り合わされている液晶
表示素子に比べて、各柱状スペーサ５の頂部が接着剤１
２を介して接着されている上に、周辺部のシール部１８
においても柱状スペーサ５が存在してアクティブマトリ
クス基板１０と対向基板１３との間隔規制を行っている
ので、液晶層の厚みが一層均一になり、表示むらがなく
なり、表示品位がより向上し、歩留まりもさらに改善さ
れた。
【００５９】なお、上記の各実施の形態においては、柱
状スペーサ５をゲート配線２上、ソース配線３上または
スイッチング素子１上に配置したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、スイッチング素子１のドレイン
電極に対して画素電極４と並列に接続される蓄積コンデ
ンサの配線である共通配線の上に柱状スペーサを設けて
もよい。この場合も、配向膜に対するラビング処理によ
って柱状スペーサのラビング方向の下手側において生じ
る配向乱れ領域が画素電極に重ならないようにラビング
方向を設定するものとする。
状スペーサ５をゲート配線２上、ソース配線３上または
スイッチング素子１上に配置したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、スイッチング素子１のドレイン
電極に対して画素電極４と並列に接続される蓄積コンデ
ンサの配線である共通配線の上に柱状スペーサを設けて
もよい。この場合も、配向膜に対するラビング処理によ
って柱状スペーサのラビング方向の下手側において生じ
る配向乱れ領域が画素電極に重ならないようにラビング
方向を設定するものとする。
【００６０】
【発明の効果】本発明によれば、ラビング処理時に脱離
しない強固な接着力と、ラビング処理時にラビング布が
当たらない部分が極めて微小になるような緩やかなテー
パ角度を有する柱状スペーサを得ることができる。
しない強固な接着力と、ラビング処理時にラビング布が
当たらない部分が極めて微小になるような緩やかなテー
パ角度を有する柱状スペーサを得ることができる。
【００６１】また、所定の高さに限定されて柱状スペー
サが形成されるため、液晶層の厚みを均一に制御するこ
とができる。
サが形成されるため、液晶層の厚みを均一に制御するこ
とができる。
【００６２】また、配向膜上で柱状スペーサの背後に生
じる配向乱れ領域が画素電極とは実質的に重ならないの
で、配向乱れ領域は液晶表示素子の表示品位にまったく
影響せず、開口率も損なわずに、品位の高い表示を可能
とする液晶表示素子およびその製造方法を得ることがで
きる。
じる配向乱れ領域が画素電極とは実質的に重ならないの
で、配向乱れ領域は液晶表示素子の表示品位にまったく
影響せず、開口率も損なわずに、品位の高い表示を可能
とする液晶表示素子およびその製造方法を得ることがで
きる。
【００６３】柱状スペーサの頂部と対向基板とを接着し
た場合は、さらに液晶層の厚みを均一に維持して、表示
むらをなくし、表示品位を向上させることができる。周
辺部のシール部に柱状スペーサを内在させた状態でアク
ティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせた場合
は、液晶層の厚みを一層均一にし、表示品位をさらに向
上させることができる。
た場合は、さらに液晶層の厚みを均一に維持して、表示
むらをなくし、表示品位を向上させることができる。周
辺部のシール部に柱状スペーサを内在させた状態でアク
ティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合わせた場合
は、液晶層の厚みを一層均一にし、表示品位をさらに向
上させることができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る液晶表示素子の製造
方法および構造を示す図。
方法および構造を示す図。
【図２】柱状スペーサの形状を示す側面図。
【図３】本発明の別の実施の形態に係る液晶表示素子の
製造方法および構造を示す図。
製造方法および構造を示す図。
【図４】本発明のさらに別の実施の形態に係る液晶表示
素子の製造方法および構造を示す図。
素子の製造方法および構造を示す図。
【図５】本発明のさらに別の実施の形態に係る液晶表示
素子の製造方法および構造を示す図。
素子の製造方法および構造を示す図。
【図６】本発明のさらに別の実施の形態に係る液晶表示
素子の製造方法および構造を示す図。
素子の製造方法および構造を示す図。
【図７】本発明のさらに別の実施の形態に係る液晶表示
素子の製造方法および構造を示す図。
素子の製造方法および構造を示す図。
【図８】本発明のさらに別の実施の形態に係る液晶表示
素子の製造方法および構造を示す図。
素子の製造方法および構造を示す図。
【図９】本発明のさらに別の実施の形態に係る液晶表示
素子の製造方法および構造を示す図。
素子の製造方法および構造を示す図。
【図１０】本発明のさらに別の実施の形態に係る液晶表
示素子の製造方法および構造を示す図。
示素子の製造方法および構造を示す図。
【図１１】本発明のさらに別の実施の形態に係る液晶表
示素子の製造方法および構造を示す図。
示素子の製造方法および構造を示す図。
【図１２】本発明のさらに別の実施の形態に係る液晶表
示素子の製造方法および構造を示す図。
示素子の製造方法および構造を示す図。
【図１３】本発明のさらに別の実施の形態に係る液晶表
示素子の製造方法および構造を示す図。
示素子の製造方法および構造を示す図。
１ スイッチング素子（ＴＦＴ） ２ ゲート配線 ３ ソース配線 ４ 画素電極 ５ 柱状スペーサ ６ ラビング方向 ７ 配向乱れ領域 １０ アクティブマトリクス基板 １２ 接着剤 １３ 対向基板 １４ ガラス繊維 １５ 接着剤 １６ シール部 １７ 接着剤 １８ シール部 ２０ 補助容量配線 ２１ パターン抜き部 ２２ ダミーパターン
Claims (10)
- 【請求項１】 マトリクス状に配置されたスイッチング
素子群および画素電極群を有するアクティブマトリクス
基板において表面に凹凸を有し断面が概ねテーパ形状の
部分上に柱状スペーサが接着形成され、その柱状スペー
サが前記テーパ形状に応じたテーパ角度を有しているこ
とを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 前記柱状スペーサが、スイッチング素
子に接続された配線上であってスイッチング素子の近傍
に設けられていることを特徴とする 請求項１記載の液
晶表示素子。 - 【請求項３】 前記柱状スペーサが、スイッチング素子
上に設けられていることを特徴とする請求項１記載の液
晶表示素子。 - 【請求項４】 さらにアクティブマトリクス基板上に形
成された配向膜に対して前記柱状スペーサからスイッチ
ング素子に向かう方向に沿ってラビング処理が施されて
いることを特徴とする請求項２または３記載の液晶表示
素子。 - 【請求項５】 配向膜において柱状スペーサの背後であ
って柱状スペーサからラビング方向に向かう方向に生じ
た配向乱れ領域が画素電極とは実質的に重ならない状態
となっていることを特徴とする請求項１から４の何れか
記載の液晶表示素子。 - 【請求項６】 柱状スペーサの頂部と対向基板とが接着
剤を介して接着されていることを特徴とする請求項１か
ら５の何れか記載の液晶表示素子。 - 【請求項７】 アクティブマトリクス基板と対向基板と
を周辺部で貼り合わせるシール部に相当する箇所におい
ても柱状スペーサがアクティブマトリクス基板に形成さ
れ、この周辺部の柱状スペーサを内在させた状態のシー
ル部を介して前記両基板が貼り合わされていることを特
徴とする請求項１から６の何れか記載の液晶表示素子。 - 【請求項８】 マトリクス状に配置されたスイッチング
素子群および画素電極群を有するアクティブマトリクス
基板に感光性樹脂を塗布し、スイッチング素子に接続さ
れた配線上またはスイッチング素子上の凹凸面に露光・
現像・焼成のプロセスによりパターニングして柱状スペ
ーサを形成し、アクティブマトリクス基板上に配向膜を
塗布した後にその配向膜に対してラビング処理を施すに
際して柱状スペーサの背後に生じる配向乱れ領域が画素
電極とは実質的に重ならない方向をラビング方向として
設定してラビング処理することを特徴とする液晶表示素
子の製造方法。 - 【請求項９】 マトリクス状に配置されたスイッチング
素子群および画素電極群を有するアクティブマトリクス
基板に感光性樹脂を塗布し、スイッチング素子に接続さ
れた配線上またはスイッチング素子上の凹凸面に露光・
現像・焼成のプロセスによりパターニングして柱状スペ
ーサを形成し、アクティブマトリクス基板上に配向膜を
塗布した後にその配向膜に対してラビング処理を施すに
際して柱状スペーサの背後に生じる配向乱れ領域が画素
電極とは実質的に重ならない方向をラビング方向として
設定してラビング処理し、以上のようにして構成された
アクティブマトリクス基板においてその柱状スペーサの
頂部に接着剤を塗布し、アクティブマトリクス基板と対
向基板とをそれらの周辺部でシール部を介して貼り合わ
せるときに柱状スペーサの頂部の接着剤を介して対向基
板に接着する状態で貼り合わせることを特徴とする液晶
表示素子の製造方法。 - 【請求項１０】 マトリクス状に配置されたスイッチン
グ素子群および画素電極群を有するアクティブマトリク
ス基板に感光性樹脂を塗布し、スイッチング素子に接続
された配線上またはスイッチング素子上に加えて対向基
板と貼り合わせる周辺部のシール部に相当する箇所にお
いても露光・現像・焼成のプロセスによりパターニング
して柱状スペーサを形成し、アクティブマトリクス基板
上に配向膜を塗布した後にその配向膜に対してラビング
処理を施すに際して柱状スペーサの背後に生じる配向乱
れ領域が画素電極とは実質的に重ならない方向をラビン
グ方向として設定してラビング処理し、以上のようにし
て構成されたアクティブマトリクス基板と対向基板とを
それらの周辺部でシール部を介して貼り合わせるときに
周辺部の柱状スペーサを内在させた状態のシール部を介
して貼り合わせることを特徴とする液晶表示素子の製造
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20413998A JP3699828B2 (ja) | 1997-10-06 | 1998-07-21 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
| KR1019980041569A KR100275098B1 (ko) | 1997-10-06 | 1998-10-02 | 액정표시소자 및 그의 제조방법 |
| US09/166,148 US6211937B1 (en) | 1997-10-06 | 1998-10-05 | Liquid crystal display device including spacers located in positions indicative of rubbing/orientation direction |
| TW087116561A TW452671B (en) | 1997-10-06 | 1998-10-06 | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27242597 | 1997-10-06 | ||
| JP9-272425 | 1997-10-06 | ||
| JP20413998A JP3699828B2 (ja) | 1997-10-06 | 1998-07-21 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11174467A true JPH11174467A (ja) | 1999-07-02 |
| JP3699828B2 JP3699828B2 (ja) | 2005-09-28 |
Family
ID=26514297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20413998A Expired - Fee Related JP3699828B2 (ja) | 1997-10-06 | 1998-07-21 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6211937B1 (ja) |
| JP (1) | JP3699828B2 (ja) |
| KR (1) | KR100275098B1 (ja) |
| TW (1) | TW452671B (ja) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3699828B2 (ja) | 2005-09-28 |
| KR19990036816A (ko) | 1999-05-25 |
| KR100275098B1 (ko) | 2000-12-15 |
| TW452671B (en) | 2001-09-01 |
| US6211937B1 (en) | 2001-04-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050610 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050711 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080715 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090715 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100715 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110715 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110715 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120715 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120715 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130715 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |