CN114779514A - 电子调制装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 156
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 65
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 44
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 8
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005483 Hooke's law Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N methane;molecular fluorine Chemical compound C.FF QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
本发明一些实施例提供一种电子装置。上述电子装置包含第一基板，其具有第一部分及第二部分。上述电子装置亦包含第二基板，其面向第一基板。上述电子装置更包含至少一个工作装置，其设置于第一基板与第二基板之间，其中此工作装置与第一部分重叠，且不与第二部分重叠。此外，上述电子装置包含第一间隔物，其设置于第一基板的该第一部分与第二基板之间。第一间隔物具有具有第一厚度。上述电子装置亦包含第二间隔物，其设置于第一基板的该第二部分与第二基板之间。第二间隔物具有第二厚度。上述电子装置亦包含多个第三间隔物，其设置于第一基板与第二基板之间。多个第三间隔物的至少一个具有第三厚度。第一间隔物设置于该些第三间隔物的两个之间。第一厚度小于第二厚度，且第三厚度小于第一厚度。
Description
本申请是2018年12月3日申请的，申请号为“201811465528.0”，发明名称为“电子调制装置”的中国发明专利申请的分案申请
技术领域
本发明是有关于电子调制装置，且特别是有关于一种包含调整单元的电子调制装置。
背景技术
电子产品，例如智能型手机、平板计算机、笔记本电脑、显示器和电视，已成为现代社会不可或缺的必需品。随着这种便携式电子产品的蓬勃发展，消费者对这些产品的质量，功能和价格抱有很高的期望。这些电子产品通常能同时作为电子调制装置来使用，例如调制电磁波。
然而，发展出可适用于各种环境的电子调制装置仍为目前业界致力研究的课题。
发明内容
本发明一些实施例提供一种电子装置。上述电子装置包含第一基板，其具有第一部分及第二部分。上述电子装置亦包含第二基板，其面向第一基板。上述电子装置更包含至少一个工作装置，其设置于第一基板与第二基板之间，其中此工作装置与第一部分重叠，且不与第二部分重叠。此外，上述电子装置包含第一间隔物，其设置于第一基板的该第一部分与第二基板之间。第一间隔物具有具有第一厚度。上述电子装置亦包含第二间隔物，其设置于第一基板的该第二部分与第二基板之间。第二间隔物具有第二厚度。上述电子装置亦包含多个第三间隔物，其设置于第一基板与第二基板之间。多个第三间隔物的至少一个具有第三厚度。第一间隔物设置于该些第三间隔物的两个之间。第一厚度小于第二厚度，且第三厚度小于第一厚度。
本发明一些实施例提供一种电子装置。上述电子装置具有一工作区及一非工作区，非工作区邻设于工作区。上述电子装置包含第一基板及第二基板，其面向第一基板。上述电子装置更包含至少一个工作装置，其设置于第一基板与第二基板之间。此工作装置设置于工作区，且未设置于非工作区。此外，上述电子装置包含第一间隔物，其设置于工作区且设置于第一基板与第二基板之间。第一间隔物具有第一厚度。上述电子装置亦包含第二间隔物设置于非工作区且设置于第一基板与第二基板之间。第二间隔物具有第二厚度。上述电子装置亦包含第三间隔物设置于第一基板与第二基板之间。该些第三间隔物的至少一个具有第三厚度，其中，第一间隔物设置于该些第三间隔物的两个之间，其中，第一厚度小于第二厚度，且第三厚度小于第一厚度。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：
图1为根据本发明的一些实施例的电子调制装置的俯视示意图；
图2为根据本发明的一些实施例的如图1的电子调制装置的区域A的放大示意图；
图3A、3B为根据本发明的一些实施例的如图1所示的电子调制装置的制程流程图；
图4为根据本发明的一些实施例的电子调制装置的剖面示意图；
图5A、5B为根据本发明的一些实施例的电子调制装置的制程流程图；
图6为根据本发明的一些实施例的电子调制装置的剖面示意图；
图7为根据本发明的一些实施例的电子调制装置的剖面示意图；
图8A、8B为根据本发明的一些实施例的电子调制装置的第一部分与第二部分的剖面示意图。
附图标记
10 第一部分
20 第二部分
100 电子调制装置
100A 工作区
100B 非工作区
102 第一基板
104、104a、104b 调整单元
106、106a、106b 调整单元
108 调整单元
110 调制材料层
112 第二基板
200 电子调制装置
204、204a、204b 调整单元
206、206a、206b 调整单元
300 电子调制装置
304 调整单元
306 调整单元
308 间隔物
310 间隔物
500 电子调制装置
502 基板
504 绝缘层
506 保护层
508 驱动组件
510 源极
512 漏极
514 栅极电极
516 有源层
518 通道区
520 导线
522 第一电极
524 第二电极
526 调制材料层
528 显示组件层
530 基板
532 调整单元
534 调整单元
536 调整单元
540 工作装置
具体实施方式
以下针对本发明一些实施例的组件基板、电子调制装置及电子调制装置的制造方法作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本发明一些实施例的不同样态。以下所述特定的组件及排列方式仅为简单清楚描述本发明一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本发明的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如“较低”或“底部”及“较高”或“顶部”，以描述附图的一个组件对于另一组件的相对关系。能理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“较低”侧的组件将会成为在“较高”侧的组件。在此，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，例如10％之内、或5％之内、或3％之内、或2％之内、或1％之内、或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”的含义。
值得注意的是，在后文中“基板”一词可包括透明基板上已形成的组件与覆盖在基板上的各种膜层，其上方可以已形成任何所需的多个有源组件(晶体管组件)，不过此处为了简化附图，仅以平整的基板表示。
参阅图1，图1为根据本发明的一些实施例的电子调制装置100的俯视图。如图1所示，电子调制装置100包含工作区100A及非工作区100B。工作区100A可包含工作装置540(绘示于图8A)，非工作区100B可邻设于工作区100A。电子调制装置100可包含集成电路，集成电路例如为微处理器、存储元件、及/或其它组件。电子调制装置100也可包含不同的无源、有源组件、及导线。无源及有源组件可例如为薄膜晶体管(thin film transistor)、薄膜电阻器(thin-film resistor)、其它类型电容器例如，金属-绝缘体-金属电容(metal-insulator-metal capacitor，MIMCAP)、电感、二极管、金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor field-effect transistors，MOSFETs)、互补式MOS晶体管(CMOSFETs)、双极结型晶体管(bipolar junction transistors，BJTs)、横向扩散型MOS晶体管(LDMOSFETs)、高功率MOS晶体管、或其它类型的晶体管。
参阅图2，图2为图1的电子调制装置100的区域A的放大图。如图2所示，工作区100A可包含多个第一部分10及多个第二部分20。在一些实施例，第一部分10内可包含至少一个工作装置540。第一部分10可为M×N数组，M及N皆为正整数，但本发明不限于此。第二部分20可邻近设置于第一部分10，例如相邻的两个第一部分10之间的区域，并且可以具有任意的尺寸，且可以任意的方式排列。在一些实施例，第二部分20内可不具有工作装置540。在一些实施例，单位面积内可具有较小回复力的调整单元(绘示于图3B)形成在第一部分10上，单位面积内可具有较大回复力的调整单元(绘示于图3B)形成在第二部分20上。
回到图1，非工作区100B可包含多个第二部分20，第二部分20可以具有任意的尺寸，且可以任意的方式排列，本发明并不以此为限。
参阅图3A、3B，图3A、3B为根据本发明的一些实施例的电子调制装置100的制程流程图。图3A所示的剖面图对应到的是图2中的工作区100A的线段R-R’的部分。如图3A所示，首先提供第一基板102。值得注意的是，第一基板102可包含多个层、及设置在多个层内及/或上的各种组件，为了简洁，在此仅以一层表示。第一基板102对应到第一部分10的区域，可具有至少一个工作装置540设置在第一基板102上。第一基板102对应到第二部分20的区域，可没有工作装置540设置在第一基板102内。
如图3A所示，至少一个调整单元104设置在第一基板102的第一部分10上，至少一个调整单元106设置在第一基板102的第二部分20上。在一些实施例，调整单元104及调整单元106的材料包含光阻或其他适合的材料，本发明并不限于此。在某些实施例中，在俯视方向上调整单元104及/或调整单元106可为长条状。调整单元104及/或调整单元106可沿一或多个方向排列，其中两相邻调整单元104及/或调整单元106中可有间隙使调制材料层110(绘示于图3B)的材料可以流动。在本实施例，调整单元104及调整单元106可个别为由光阻形成的间隔物。调整单元104及调整单元106可具有厚度H1。在本发明中，厚度及/或高度可在中心区域中沿基板102的法线方向量测，可为单一点的值、或多个点的平均值。在某些实施例中，所述厚度及/或高度可量测最大厚度或最大高度。在一些实施例，调整单元104具有第一弹性系数K1，调整单元106具有第二弹性系数K2，其中第二弹性系数K2大于第一弹性系数K1。在此，弹性系数可以为弹簧常数(spring constant)，其单位为牛顿/米(N/m)。弹性系数亦可以为杨氏模数(Young's modulus)，其单位为牛顿/平方米(N/m2)。在此实施例，调整单元104的材料可与调整单元106的材料相同，但两者的密度可不同。在一些实施例，调整单元106的密度可大于调整单元104的密度，使得调整单元106的弹性系数大于调整单元104的弹性系数，但不限于此。在其他实施例中，调整单元104的材料与调整单元106的材料可不同。例如，调整单元104与调整单元106可由不同种类的光阻形成，使得调整单元104与调整单元106可具有不同的弹性系数，但不限于此。其他可使调整单元104的弹性系数不同于调整单元106的弹性系数的方法也可使用。
在一些实施例，多个调整单元108可设置在第一基板102的第一部分10及/或第二部分20上。调整单元108的材料包含光阻或其他适合的材料，本发明并不限于此。如图3A所示，调整单元108可具有厚度H2。在一些实施例，调整单元108具有第三弹性系数K3。第三弹性系数K3可大于第二弹性系数K2。在一些实施例，至少一个调整单元108可设置于调整单元104与调整单元106之间。调整单元104可设置于两相邻的调整单元108之间。调整单元106也可设置于两相邻的调整单元108之间。如图3A所示，调整单元104与调整单元108之间可具有厚度差X1，调整单元106与调整单元108之间可具有厚度差X1。
在一些实施例，调整单元104、调整单元106及调整单元108具有不同的尺寸，例如具有不同的上表面的面积或形状，或不同的侧面的面积或形状。
接下来，如图3B所示，设置第二基板112于第一基板102上，使得调整单元104及调整单元106被压缩，以形成电子调制装置100。如图3B所示，调整单元104a、调整单元106a、及调整单元108设置于第一基板102与第二基板112之间。并且，调整单元104a、调整单元106a、调整单元108可大致具有厚度H2’，其中厚度H2’可小于或等于H2。在某些实施例中，电子调制装置100可包含调制材料层110，调制材料层110设置于第一基板102与第二基板112之间。调制材料层110的材料可包含液晶、或其他适当的调制材料。
值得注意的是，第二基板112可包含多个层及设置在多个层内及/或上的各种组件，为了简洁，在此仅以一层表示。在一些实施例，第二基板112可包含至少一可挠性层膜，使得第二基板112可具有一凹凸或倾斜的表面。
在一些实施例，第一基板102与第二基板112之间的距离在不同的区域大抵上相同。例如，第一基板102的第一部分10与第二基板112之间的距离为距离D1，第一基板102的第二部分20与第二基板112之间的距离亦为距离D1。如图3A、3B所示，被压缩的调整单元104a与压缩前的调整单元104之间具有厚度差X1，被压缩的调整单元106a与压缩前的调整单元106之间具有厚度差X1。在此实施例，调整单元108大抵上未被压缩。被压缩的调整单元104a及调整单元106a可个别具有第一回复力F1及第二回复力F2(回复力可例如为弹力)。第一回复力F1及第二回复力F2可满足虎克定律，如下式(1)所表示：
F＝－K△X 式(1)
在式(1)中，K为弹簧常数，△X为被压缩的长度或厚度，负号是因为回复力可与调整单元被压缩或拉伸的方向相反。
在此实施例，F1＝－K1X1，F2＝－K2X1。亦即，调整单元104a的回复力的大小可大抵上等于K1X1，调整单元106a的回复力的大小可大抵上等于K2X1。由于调整单元104a与调整单元106a被压缩的长度大抵上相等，因此，调整单元104a与调整单元106a的回复力大小可取决于调整单元104a与调整单元106a的弹簧常数。因为调整单元106a的第二弹性系数K2可大于调整单元104a的第一弹性系数K1，因此第二回复力F2可大于第一回复力F1。值得注意的是，图3B绘示的第二回复力F2与第一回复力F1仅为示意，实际上调整单元104a、调整单元106a所产生的回复力的方向可不仅限定于一个方向。在某些实施例中，第一回复力F1及第二回复力F2的方向可为沿基板102法线方向。另外，由于调整单元108被压缩的长度大抵上为0，因此调整单元108所产生的回复力大抵上为0。
参阅图4，图4为根据本发明的一些实施例的电子调制装置100’的剖面示意图。当电子调制装置100的体积产生变化时，可成为如图4所绘示的电子调制装置100’。根据上述，第二回复力F2可大于第一回复力F1。因此，第二基板112在对应第二部分20的区域受到的回复力大于第二基板112在对应第一部分10的区域受到的回复力。结果，第一基板102与第二基板112之间的距离在对应第一部分10的区域可为距离Z1加上厚度H2，第一基板102与第二基板112之间的距离在对应第二部分20的区域可为距离Z2加上厚度H2，距离Z1加上厚度H2可小于距离Z2加上厚度H2。距离Z1可小于距离Z2。在其他实施例中，此时，调整单元104b具有厚度H3，调整单元106b具有厚度H4。如图4所示，厚度H4可大于厚度H3。在此实施例，第一基板102的第一部分10与第二基板112之间的距离大抵上相同于厚度H3，第一基板102的第二部分20与第二基板112之间的距离大抵上相同于厚度H4。
在一些情况，例如电子调制装置因受热而使体积产生变化时，第二基板112可能产生形变，使得第一基板102与第二基板112之间的距离增加。结果，可能导致电子调制装置内的电容值改变，而影响电子调制装置的效能。在本实施例，在设置有工作装置540的第一部分10之中设置具有较小弹性系数的调整单元104，在未设置工作装置540的第二部分20之中设置具有较大弹性系数的调整单元106。如图4所示，当电子调制装置例如因受热而体积产生变化时，第一基板102的第一部分10与第二基板112之间的距离变化会小于第一基板102的第二部分20与第二基板112之间的距离变化。亦即，设置有工作装置540处的间距变化较小，在温度变化的条件下可使得工作装置540较为稳定，进而提升电子调制装置100的可靠度。
可在本发明的实施例作各种变化及调整。参阅图5A、5B，图5A、5B为根据本发明的另一些实施例的电子调制装置200的制程流程图。图5A所示的结构可与图3A所示的结构相同或相似，其中之一的不同处在于：调整单元104被调整单元204取代，且调整单元106被调整单元206取代。在一些实施例，调整单元204的材料与调整单元206的材料可大抵上相同，且可具有大抵上相同的密度。因此，调整单元204与调整单元206可具有大抵上相同的弹性系数。在一些实施例，调整单元204与调整单元206具有第四弹性系数K4。如图5A所示，调整单元204具有厚度H5，调整单元206具有厚度H6，其中厚度H6可大于厚度H5。此外，调整单元108具有厚度X7，且可具有大于第四弹性系数K4的第三弹性系数K3。如图5A所示，调整单元204与调整单元108之间具有厚度差X3，调整单元206与调整单元108之间具有厚度差X4，厚度差X4可大于厚度差X3。在一些实施例，调整单元204、调整单元206及调整单元108可具有不同的尺寸，例如具有不同的上表面的面积或形状，或不同的侧面的面积或形状。
接下来，如图5B所示，填入调制材料层110于第一基板102上，并设置第二基板112于第一基板102上，使得调整单元204及调整单元206被压缩，以形成电子调制装置200。如图5B所示，调整单元204a、调整单元206a、调整单元108及调制材料层110设置于第一基板102与第二基板112之间。并且，调整单元204a、调整单元206a、调整单元108可大致具有厚度H7’，其中厚度H7’可小于或等于厚度H7。
在一些实施例，在电子调制装置200之中，第一基板102与第二基板112之间的距离在不同的区域大抵上相同。例如，第一基板102的第一部分10与第二基板112之间的距离为距离D2，第一基板102的第二部分20与第二基板112之间的距离亦为距离D2。如图5A、5B所示，被压缩的调整单元204a与压缩前的调整单元204之间具有厚度差X3，被压缩的调整单元206a与压缩前的调整单元206之间具有厚度差X4。调整单元108可大抵上未被压缩。被压缩的调整单元204a及调整单元206a可个别具有第三回复力F3及第四回复力F4。第三回复力F3及第四回复力F4可满足虎克定律。在此实施例，F3＝－K4X3，F4＝－K4X4。亦即，调整单元204a的回复力大小可大抵上等于K4X3，调整单元206a的回复力大小可大抵上等于K4X4。由于调整单元204a与调整单元206a的弹性系数可大抵上相等，因此，调整单元204a与调整单元206a的回复力大小可取决于调整单元204a与调整单元206a被压缩的长度。因为厚度差X4可大于厚度差X3，因此第四回复力F4可大于第三回复力F3。值得注意的是，图5B绘示的第四回复力F4与第三回复力F3仅为示意，实际上调整单元204a、调整单元206a所产生的回复力的方向可不仅限定于一个方向。在某些实施例中，第三回复力F3及第四回复力F4的方向可为沿基板102法线方向。
参阅图6，图6为根据本发明的一些实施例的电子调制装置200’的剖面示意图。当电子调制装置200膨胀时，可成为如图6所绘示的电子调制装置200’。根据上述，第四回复力F4可大于第三回复力F3。因此，第二基板112在对应第二部分20的区域受到的回复力可大于第二基板112在对应第一部分10的区域受到的回复力。结果，第一基板102与第二基板112之间的距离在对应第一部分10的区域可为距离Z3加上厚度H7，第一基板102与第二基板112之间的距离在对应第二部分20的区域可为距离Z4加上厚度H7，距离Z3加上厚度H7的总和可小于距离Z4加上厚度H7的总和。距离Z3可小于距离Z4。此时，调整单元204b可具有厚度H8，调整单元206b可具有厚度H9。如图6所示，厚度H9可大于厚度H8。在此实施例，第一基板102的第一部分10与第二基板112之间的距离可大抵上相同于厚度H8，第一基板102的第二部分20与第二基板112之间的距离可大抵上相同于厚度H9，其中厚度H9可大于厚度H8。
调整单元204调整单元206可在本发明的实施例作各种变化及调整。参阅图7，图7为根据本发明的一些实施例的电子调制装置300的剖面示意图。电子调制装置300与电子调制装置100相同或相似，其中之一的不同处在于：调整单元104被调整单元304取代，调整单元106被调整单元306取代。如图7所示，调整单元304包含多个间隔物308。调整单元306包含多个间隔物310。间隔物308及间隔物310的材料可个别与调整单元104及调整单元106相同或相似，在此不再赘述。在其他实施例中，间隔物308的材料可不同于间隔物310的材料。图7绘示调整单元304包含两个间隔物308，调整单元306包含两个间隔物310。在其他实施例，调整单元304可包含至少一个以上的间隔物308，调整单元306可包含至少一个以上的间隔物310。间隔物308在单位面积内的数量也可不同于在上述单位面积内间隔物310的数量。举例来说，间隔物308在单位面积内的数量也可大于或小于在上述单位面积内间隔物310的数量。单位面积可例如选择5厘米乘以5厘米的矩形区域、3厘米乘以3厘米的矩形区域、1厘米乘以1厘米的矩形区域、或其他适当的区域，但不限于此。在此实施例，第二基板112在对应第一部分10之处受到两个第一回复力F1，在对应第二部分20之处受到两个第二回复力F2。由于第二回复力F2大于第一回复力F1，因此若电子调制装置300因受热而使体积变化时，第一基板102的第一部分10与第二基板112之间的距离变化会小于第一基板102的第二部分20与第二基板112之间的距离变化。
在其他实施例中，调整单元304可包含多个间隔物308，所述多个间隔物308的弹性系数分别为Kn1、Kn2、Kn3……，所述多个间隔物308的压缩量分别为Xn1、Xn2、Xn3……。调整单元306包含多个间隔物310，所述多个间隔物310的弹性系数分别为Km1、Km2、Km3……，所述多个间隔物310的压缩量分别为Xm1、Xm2、Xm3……。上述压缩量及弹性系数可至少一部分不同。间隔物308数量也可不同于间隔物310的数量。调整单元304的回复力大小可大抵上等于Kn1Xn1+Kn2Xn2+Kn3Xn3+…，调整单元306的回复力大小可大抵上等于Km1Xm1+Km2Xm2+Km3Xm3+…。调整单元304的回复力大小可小于调整单元306的回复力大小。
参阅图8A及图8B，图8A为根据本发明的一些实施例的电子调制装置500的第一部分10的剖面示意图，图8B为根据本发明的一些实施例的电子调制装置500的第二部分20的剖面示意图。图8A、8B所示的电子调制装置500仅为示例，本发明并不以此为限。为了简洁表示，图8A、8B省略了部分的组件。在某些实施例中，图8A、8B所绘示的部分组件可被省略。电子调制装置500所示的第一部分10可对应到电子调制装置100、200、300所示的第一部分10，电子调制装置500所示的第二部分20可对应到电子调制装置100、200、300所示的第二部分20。
如图8A及图8B所示，电子调制装置500可包含基板502。基板502是用来设置工作装置540或其他组件。基板502可例如为玻璃基板、陶瓷基板、高分子基板或其它任何适合的基板。电子调制装置500可包含绝缘层504及保护层506，绝缘层504可设置在基板502上，保护层506可设置于绝缘层504上。绝缘层504的材料可包含氧化硅、氮化硅、或其他适当的绝缘材料，且不限于此。保护层506的材料可包含磷硅酸盐玻璃(phosphosilicate glass，PSG)、硼磷硅玻璃(borophosphosilicate glass，BPSG)、低介电常数(low-k)介电材料、或其他适合的介电材料。低介电常数介电材料可包含氟化石英玻璃(fluorinated silica glass，FSG)、碳掺杂氧化硅(carbon doped silicon oxide)、无定形氟化碳(amorphousfluorinated carbon)、聚对二甲苯(parylene)、对苯并环丁烯(bis-benzocyclobutenes，BCB)、聚亚酰胺(polyimide)，且不限于此。
如图8A所示，在第一部分10内，包含至少一个工作装置540形成于基板502上。工作装置540可包含驱动组件508、第一电极522、第二电极524、及调制材料层526。在一些实施例，驱动组件508可包含源极510、漏极512、栅极电极514及有源层516。栅极电极514可包含多晶硅、金属或其他导电材料，且不限于此。上述金属包含铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)、金(Au)、铬(Cr)、镍(Ni)、铂(Pt)或钛(Ti)，且不限于此。有源层516可设置在绝缘层504上。有源层516的材料可包含非晶半导体、多晶半导体、及/或金属氧化物。所述半导体可包含锗(Ge)、硅(Si)、锡(Sn)、锑(Sb)、硒(Se)及/或碲(Te)。所述金属氧化物可例如为氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，IGZO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、氧化铟镓锡锌(indium gallium zinc oxide，IGZTO)，且不限于此。源极510及漏极512设置在绝缘层504上，且位于栅极电极514的两侧。此外，部分的源极510及漏极512设置在有源层516上。源极510及漏极512的材料可包含金属，例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)、金(Au)、铬(Cr)、镍(Ni)、铂(Pt)或钛(Ti)，且不限于此。此外，有源层516可包含信道区518，且信道区518可位于源极510与漏极512之间。如图8B所示，工作装置540可不设置在第二部分20内。
虽然图8A绘示栅极电极514设置在绝缘层504下，但可在本发明的实施例作各种变化及调整。在一些实施例，栅极电极514可设置在有源层516上。栅极电极514也可以具有两个部分，其中第一部分形成在基板502上，第二部分形成在保护层506上，本发明并不限于此。
如图8A所示，在第一部分10内，电子调制装置500可包含导线520、第一电极522、第二电极524及调制材料层526。导线520、第一电极522及第二电极524的材料可包含金属、金属氧化物、或其他适当的导电材料。
如图8A所示，调制材料层526设置于第一电极522与第二电极524之间。在某些实施例中，第一电极522及/或第二电极524可经图案化而具有多个开口。第一电极522与第二电极524之间的电场可调控调制材料层526的性质。在一些实施例，第一电极522及/或第二电极524并未延伸至第二部分20。在其他实施例，第一电极522及/或第二电极524可延伸至第二部分20。
此外，电子调制装置500可包含显示组件层528及/或基板530。显示组件层528可设置在第二电极524上。显示组件层528可包含滤光层、遮光层、保护层及/或其他组件，且不限于此。基板530可例如为玻璃基板、陶瓷基板、塑料基板或其它任何适合的基板。在一些实施例中，电子调制装置10可包含电磁组件(未绘示)，用以发射及/或接收电磁信号。
在一些实施例，在电子调制装置500的第一部分10，电子调制装置500可包含调整单元532及调整单元534。如图8A所示，调整单元532及调整单元534设置在基板502与基板530之间。在电子调制装置500的第二部分20，电子调制装置500可包含调整单元534及调整单元536。如图8B所示，调整单元534及调整单元536设置在基板502与基板530之间。在一些实施例，调整单元532、调整单元534及调整单元536可例如分别对应至图3B的调整单元104a、调整单元108及调整单元106a。然而，本发明并不限定于此。
根据本发明的某些实施方式，电子调制装置可包含在单位面积内有第一回复力的第一调整单元，以及在单位面积内有第二回复力的第二调整单元，其中第一回复力大于第二回复力。单位面积可例如选择5厘米乘以5厘米的矩形区域、3厘米乘以3厘米的矩形区域、1厘米乘以1厘米的矩形区域、或其他适当的区域，但不限于此。第一调整单元可设置在具有工作装置540的区域上，第二调整单元可设置在不具有工作装置540的区域上。当电子调制装置的体积改变时，具有较大回复力的区域的两基板间的距离变化较大及/或较快。在本实施例，具有工作装置540的区域上的两基板间的距离变化较小及/或较慢。因此，能提升电子调制装置的稳定度。在一些实施例，调整单元的回复力可借由改变调整单元的弹性系数、材料、间隔物的数量、压缩长度(厚度差)、密度、其他适当的参数、或其组合而调整。另外，调整弹性系数包含调整弹簧系数或杨氏模数，本发明并不限于此。在本发明中，上述各种性质可在电子调制装置组装前、或组装后拆开电子调制装置量测，但不限于此。本发明的电子调制装置可包含显示设备、天线装置、车用电子装置、触控装置、感测装置、其他适当的装置、或其组合。
虽然本发明的实施例及其优点已揭露如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中的技术人员可从本发明一些实施例的揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本发明一些实施例使用。因此，本发明的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。
Claims (10)
1.一种电子装置，其特征在于，包括：
一第一基板，具有一第一部分及一第二部分；
一第二基板，与该第一基板相对设置；
至少一个工作装置，设置于该第一基板与该第二基板之间，其中至少一个该工作装置与该第一部分重叠，且不与该第二部分重叠；
一第一间隔物，设置于该第一基板的该第一部分与该第二基板之间，其中该第一间隔物具有一第一厚度；
一第二间隔物，设置于该第一基板的该第二部分与该第二基板之间，其中该第二间隔物具有一第二厚度；以及
多个第三间隔物，设置于该第一基板与该第二基板之间，其中该些第三间隔物的至少一个具有一第三厚度，其中，该第一间隔物设置于该些第三间隔物的两个之间，
其中，该第一厚度小于该第二厚度，且该第三厚度小于该第一厚度。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，至少一个该工作装置包括：
一驱动组件；
一第一电极；
一第二电极；以及
一调制材料层。
3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该驱动组件包含：
一源极；
一漏极；
一栅极电极；以及
一有源层。
4.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，其中该调制材料层包括液晶。
5.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该第一电极以及该第二电极的材料包含金属氧化物。
6.如权利要求5所述的电子装置，其特征在于，其中该第一电极以及该第二电极其中之一具有多个开口。
7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包含一显示组件层，设置在至少一个该工作装置上。
8.如权利要求7所述的电子装置，其特征在于，其中该显示组件层包含一滤光层、一遮光层、及一保护层的至少其中之一。
9.一种电子装置，具有一工作区及一非工作区，该非工作区邻设于该工作区，其特征在于，包括：
一第一基板；
一第二基板，与该第一基板相对设置；
至少一个工作装置，设置于该第一基板与该第二基板之间，其中至少一个该工作装置设置于该工作区，且未设置于该非工作区；
一第一间隔物，设置于该工作区，且设置于该第一基板与该第二基板之间，其中该第一间隔物具有一第一厚度；
一第二间隔物，设置于该非工作区，且设置于该第一基板与该第二基板之间，其中该第二间隔物具有一第二厚度；以及
多个第三间隔物，设置于该第一基板与该第二基板之间，其中该些第三间隔物的至少一个具有一第三厚度，其中，该第一间隔物设置于该些第三间隔物的两个之间，
其中，该第一厚度小于该第二厚度，且该第三厚度小于该第一厚度。
10.如权利要求9所述的电子装置，其特征在于，至少一个该工作装置包括：
一驱动组件；
一第一电极；
一第二电极；以及
一调制材料层。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201862688457P | 2018-06-22 | 2018-06-22 | |
| US62/688,457 | 2018-06-22 | ||
| CN201811465528.0A CN110632779B (zh) | 2018-06-22 | 2018-12-03 | 电子调制装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811465528.0A Division CN110632779B (zh) | 2018-06-22 | 2018-12-03 | 电子调制装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114779514A true CN114779514A (zh) | 2022-07-22 |
Family
ID=68968339
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210540547.5A Pending CN114815357A (zh) | 2018-06-22 | 2018-12-03 | 电子调制装置 |
| CN201811465528.0A Active CN110632779B (zh) | 2018-06-22 | 2018-12-03 | 电子调制装置 |
| CN202210539591.4A Pending CN114779514A (zh) | 2018-06-22 | 2018-12-03 | 电子调制装置 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210540547.5A Pending CN114815357A (zh) | 2018-06-22 | 2018-12-03 | 电子调制装置 |
| CN201811465528.0A Active CN110632779B (zh) | 2018-06-22 | 2018-12-03 | 电子调制装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US11106093B2 (zh) |
| KR (1) | KR102676554B1 (zh) |
| CN (3) | CN114815357A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114815357A (zh) * | 2018-06-22 | 2022-07-29 | 群创光电股份有限公司 | 电子调制装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN114764992A (zh) * | 2021-01-12 | 2022-07-19 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
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-
2018
- 2018-12-03 CN CN202210540547.5A patent/CN114815357A/zh active Pending
- 2018-12-03 CN CN201811465528.0A patent/CN110632779B/zh active Active
- 2018-12-03 CN CN202210539591.4A patent/CN114779514A/zh active Pending
-
2019
- 2019-05-30 US US16/426,175 patent/US11106093B2/en active Active
- 2019-06-07 KR KR1020190067212A patent/KR102676554B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-07-28 US US17/386,929 patent/US11537010B2/en active Active
-
2022
- 2022-11-28 US US18/059,111 patent/US11921380B2/en active Active
-
2024
- 2024-01-30 US US18/426,483 patent/US20240176191A1/en active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11106093B2 (en) | 2021-08-31 |
| KR102676554B1 (ko) | 2024-06-18 |
| CN110632779A (zh) | 2019-12-31 |
| US20190391434A1 (en) | 2019-12-26 |
| US11537010B2 (en) | 2022-12-27 |
| US11921380B2 (en) | 2024-03-05 |
| KR20200000342A (ko) | 2020-01-02 |
| CN114815357A (zh) | 2022-07-29 |
| US20230087613A1 (en) | 2023-03-23 |
| US20210356791A1 (en) | 2021-11-18 |
| US20240176191A1 (en) | 2024-05-30 |
| CN110632779B (zh) | 2022-05-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |