KR20160049228A - 기판 액처리용 제어장치와 이를 이용한 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 - Google Patents

기판 액처리용 제어장치와 이를 이용한 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 액처리용 제어장치와 이를 이용한 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법에 관한 것으로서, 기판의 액처리를 위해 기판 액처리용 챔버의 분위기를 제어하는 기판 액처리용 제어장치로서, 챔버 내부의 분위기 변화를 측정하여 감지하는 측정부와, 챔버에 분위기 가스를 공급하는 급기부와, 챔버로부터 분위기 가스를 배출시키는 배기부와, 측정부의 감지결과에 의거해서 급기부의 공급량과 배기부의 배출량을 조절하여 챔버 내부의 분위기를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은 측정부에 의해 챔버 내부의 분위기 변화를 감지해서 급기부와 배출부에 의해 챔버의 분위기를 조절함으로써, 챔버 내부의 분위기를 일정하게 유지하여 기판의 액처리 시간을 단축시키고 액처리 효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.

Description

기판 액처리용 제어장치와 이를 이용한 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법{CONTROL APPARATUS FOR SUBSTRATE LIQUID PROCESSING AND LIQUID PROCESSING APPARATUS FOR SUBSTRATE USING THE SAME AND LIQUID PROCESSING METHOD FOR SUBSTRATE USING THE SAME}
본 발명은 기판 액처리용 제어장치와 이를 이용한 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판의 액처리를 위해 기판 액처리용 챔버의 분위기를 제어하는 기판 액처리용 제어장치와 이를 이용한 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 제조를 위해서는 기판 상에 다층의 박막을 형성하는데 있어 식각 및 세정 공정은 필수적이다.
매엽식 습식 식각 및 세정 장치 등과 같은 기판 액처리 장치는, 기판을 지지하는 척이 설치된 테이블을 회전시키면서, 처리액을 기판에 공급하여 식각, 세정 및 건조 공정을 수행하고, 테이블 둘레에 컵 구조를 갖는 처리액 회수부를 이용하여 처리액을 회수한다.
한편, 기판에 증착된 질화막, 산화막, 금속막 등의 박막이나 포토레지스트 등을 기판으로부터 제거함에 있어 처리 효율을 향상시키기 위한 목적으로, 주로 상온에서 기판의 처리면에 처리액을 분사하여 기판을 액처리하게 된다.
또한, 고온에서 기판을 액처리하는 경우에는 기판의 상부 또는 테이블의 하부에 히터를 설치하거나, 처리액의 온도를 고온으로 가열하여 분사하거나, 가열 후 분사 직전에 처리액의 혼합으로 발생하는 반응열을 이용하여 기판을 액처리하게 된다.
그러나 종래의 기판 액처리 장치는, 챔버에 기판을 장착하기 위해 셔터를 개폐하는 경우에 챔버 내부의 분위기가 변경되어 챔버 내부의 안정화에 과다한 시간이 소요되므로, 기판의 액처리 시간이 연장되고 기판의 액처리 효율이 저하되는 문제점이 있었다.
또한, 챔버의 내부에 분위기 가스를 공급하여 안정화하는 경우에도 셔터의 폐쇄후 액처리 공정의 개시전에 분위기 가스의 공급량이 항상 일정하게 유지되므로, 챔버 내부의 분위기 변화를 감지하기 어려울 뿐만 아니라 챔버 내부의 안정화에 과다한 시간이 소요되는 문제점이 있었다.
또한, 셔터의 개방시 챔버 내부 및 외부 사이의 압력차에 의해 셔터에서 리크가 발생하여 챔버가 손상되거나 챔버 내부의 분위기에도 악영향을 주는 문제점이 있었다..
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출한 것으로서, 챔버 내부의 분위기를 일정하게 유지하여 기판의 액처리 시간을 단축시키고 액처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 액처리용 제어장치와 이를 이용한 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 챔버의 개폐시 챔버의 분위기 변화를 신속하게 감지하여 분위기를 조절할 수 있는 기판 액처리용 제어장치와 이를 이용한 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 챔버의 내부 및 외부의 압력차를 소정값으로 일정하게 유지하여 챔버 내부의 분위기를 안정화시킬 수 있는 기판 액처리용 제어장치와 이를 이용한 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 액처리 초기에 챔버부의 분위기를 용이하게 제어하는 동시에 챔버부에서 기판의 액처리시간 및 액처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 액처리용 제어장치와 이를 이용한 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 챔버 내부의 온도에 따른 분위기 변화를 조절할 수 있는 기판 액처리용 제어장치와 이를 이용한 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 기판의 액처리를 위해 기판 액처리용 챔버의 분위기를 제어하는 기판 액처리용 제어장치로서, 챔버 내부의 분위기 변화를 측정하여 감지하는 측정부; 챔버에 분위기 가스를 공급하는 급기부; 챔버로부터 분위기 가스를 배출시키는 배기부; 및 상기 측정부의 감지결과에 의거해서 상기 급기부의 공급량과 상기 배기부의 배출량을 조절하여 챔버 내부의 분위기를 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 측정부는, 챔버의 개폐시 챔버 내부의 압력을 측정하여 챔버 내부의 압력과 챔버 외부의 압력 사이의 압력차의 변화를 감지하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 제어부는, 상기 측정부에서 감지된 챔버 내부와 외부 사이의 압력차가 소정값 보다 작아지면, 상기 급기부의 공급량을 증가시키고 상기 배기부의 배출량을 감소시키며, 상기 측정부에서 감지된 챔버 내부와 외부 사이의 압력차가 소정값 보다 커지면 상기 급기부의 공급량을 감소시키고 상기 배기부의 배출량을 증가시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 제어부는, 챔버의 폐쇄 후에 챔버 내부와 외부 사이의 압력차를 증가시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 기판에 처리액을 공급하여 액처리하는 기판 액처리 장치로서, 기판이 출입하도록 설치되어 기판의 액처리 공간을 제공하는 챔버부; 상기 챔버부에 설치되어 기판을 지지하여 회전시키는 테이블부; 상기 기판에 처리액을 분사하는 분사부; 상기 기판에 분사된 처리액을 회수하는 회수부; 상기 챔버부의 분위기 변화를 측정하여 감지하는 측정부; 상기 챔버부에 분위기 가스를 공급하는 급기부; 상기 챔버부로부터 분위기 가스를 배출시키는 배기부; 및 상기 측정부의 감지결과에 의거해서 상기 급기부의 공급량과 상기 배기부의 배출량을 조절하여 챔버 내부의 분위기를 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 측정부는, 챔버 내부의 온도를 측정하여 온도의 변화를 감지하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 제어부는, 상기 측정부에서 감지된 챔버 내부의 온도 변화에 따라 상기 급기부에 의해 공급되는 분위기 가스의 온도를 제어하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 기판에 처리액을 공급하여 액처리하는 기판 액처리 방법으로서, 챔버부에 기판을 출입하도록 셔터를 개방하는 개방단계; 상기 챔버부의 개방 분위기 변화를 감지하는 개방 분위기 감지단계; 상기 감지된 개방 분위기 변화에 의거해서 챔버부의 분위기를 제어하는 개방 분위기 제어단계; 상기 챔버부에 기판을 장착하고 셔터를 폐쇄하는 폐쇄단계; 상기 챔버부의 폐쇄 분위기 변화를 감지하는 폐쇄 분위기 감지단계; 및 상기 감지된 폐쇄 분위기 변화에 의거해서 챔버부의 분위기를 제어하는 폐쇄 분위기 제어단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 측정부에 의해 챔버 내부의 분위기 변화를 감지해서 급기부와 배출부에 의해 챔버의 분위기를 조절함으로써, 챔버 내부의 분위기를 일정하게 유지하여 기판의 액처리 시간을 단축시키고 액처리 효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 챔버의 개폐시 측정부에 의해 챔버의 내부 및 외부의 압력차를 측정하여 챔버의 분위기 변화를 감지함으로써, 챔버의 개폐시 챔버의 분위기 변화를 신속하게 감지하여 분위기를 조절할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 제어부에 의해 소정값을 기준해서 챔버의 내부 및 외부의 압력차를 분위기 가스의 공급량과 배출량을 변경하여 조절함으로써, 챔버의 내부 및 외부의 압력차를 소정값으로 일정하게 유지하여 챔버 내부의 분위기를 안정화시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 기판 액처리 장치에 기판 액처리용 제어장치를 구비함으로써, 기판의 액처리 초기에 챔버부의 분위기를 용이하게 제어하는 동시에 챔버부에서 기판의 액처리시간 및 액처리 효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 측정부에서 챔버 내부의 온도 변화를 감지하여 챔버의 개폐시 온도 변화에 따라 제어부에서 급기부의 분위기 가스의 온도를 제어함으로써, 챔버 내부의 온도에 따른 분위기 변화를 조절할 수 있는 효과를 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 액처리용 제어장치와 이를 이용한 기판 액처리 장치를 나타내는 구성도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 액처리용 제어장치를 이용한 기판 액처리 방법을 나타내는 흐름도.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 액처리용 제어장치를 더욱 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 액처리용 제어장치와 이를 이용한 기판 액처리 장치를 나타내는 구성도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 액처리용 제어장치를 이용한 기판 액처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 의한 기판 액처리용 제어장치는, 측정부(10), 급기부(20), 배기부(30) 및 제어부(40)를 포함하여 이루어져, 기판의 액처리를 위해 기판 액처리용 챔버의 분위기를 제어하는 기판 액처리용 제어장치이다. 본 실시예에서 처리하는 기판으로는, 반도체 소자에 사용되는 반도체 웨이퍼 등과 같은 원형의 박판을 사용하는 것이 바람직하다.
측정부(10)는, 챔버 내부의 분위기 변화를 측정하여 감지하는 측정수단으로서, 챔버의 개폐시 챔버의 분위기 변화를 측정하여 감지하도록 챔버 내부의 압력을 측정하는 압력센서로 이루어져 있다.
따라서, 이러한 측정부(10)는 챔버의 개폐시 챔버 내부의 압력을 측정하여 챔버 내부의 압력과 챔버 외부의 압력 사이의 압력차의 변화를 감지하게 된다. 다만, 챔버 외부의 압력은 대기압으로 일정하게 유지되는 경우에는 챔버 내부의 압력 측정만으로 압력차의 변화를 감지할 수 있다.
그러나, 챔버 외부의 압력이 불안정한 경우에서는 챔버의 내부에 설치된 제1 압력센서(11)와 챔버의 외부에 설치된 제2 압력센서(12)를 구비하여, 챔버 내부 및 외부의 압력을 제1 압력센서(11)와 제2 압력센서(12)로 각각 측정하여 압력차의 변화를 더욱 정밀하게 감지할 수 있게 된다.
이러한 제1 압력센서(11)는, 챔버 내부의 압력 변화를 측정하는 측정수단으로서, 챔버(111)에 장착된 기판(W)의 처리면을 기준해서 압력 변화를 측정하도록 테이블에 지지된 기판(W)의 처리면 부근에 설치되어 있는 것이 바람직하다.
급기부(20)는, 챔버에 분위기 가스를 공급하는 급기수단으로서, 챔버의 상부에서 분위기 가스를 투입하도록 챔버의 상부에 설치되어 있고, 팬필터 유닛(FFU; fan filter unit)으로 이루어져 있다. 따라서 외기에 의한 챔버 내부의 오염을 방지하는 동시에 챔버 내부의 오염물질이나 이물질에 의한 오염도를 저감시킬 수 있게 된다.
배기부(30)는, 챔버로부터 분위기 가스를 배출시키는 배기수단으로서, 챔버의 하방으로 분위기 가스가 배출되도록 챔버의 하부에 설치되어 있고, 배출팬으로 이루어져 있다. 따라서 챔버의 내부에 분위기 가스를 하향류에 의해 유동시켜 분위기의 조절속도를 향상시킬 수 있게 된다.
제어부(40)는, 측정부(10)의 감지결과에 의거해서 급기부(20)의 공급량과 배기부(30)의 배출량을 조절하여 챔버 내부의 분위기를 제어하는 제어수단으로서, 챔버 내부 및 외부의 압력차의 변화에 의거해서 분위기 가스의 공급량 및 배출량을 조절하여 챔버 내부의 분위기를 제어하여 챔버 내부를 안정화시키게 된다.
구체적으로, 측정부(10)에서 감지된 챔버 내부와 외부 사이의 압력차가 소정값 보다 작아지면, 즉, 기판의 교체를 위해 챔버의 셔터를 개방한 경우에 제어부(40)가 급기부(20)의 공급량을 증가시키고 배기부(30)의 배출량을 감소시키게 된다.
또한, 측정부(10)에서 감지된 챔버 내부와 외부 사이의 압력차가 소정값 보다 커지면, 제어부(40)가 급기부(20)의 공급량을 감소시키고 배기부(30)의 배출량을 증가시키게 된다.
따라서, 제어부(40)는 챔버의 개폐 후에 챔버 내부와 외부 사이의 압력차를 증가시켜, 챔버 내부의 압력을 항상 일정하도록 유지하게 된다.
즉, 챔버 내부의 압력을 일정하게 유지하도록 급기부(20)의 공급량과 배기부(30)의 배출량을 조절하므로, 챔버의 내부에서 기판의 처리작업시 발생되는 이물질이나 흄 등과 같은 불순물을 감소시켜 기판의 처리효율을 향상시키는 동시에 챔버 내부의 기판 교체시 압력저하를 감소시켜 챔버 내부의 분위기에 대한 안정화시간을 단축시킬 수 있게 된다.
또한, 제어부(40)에서 측정부(10)에 의한 챔버의 압력차를 실시간으로 감지하여 압력을 제어하는 경우에는, 제어부(40)에 과부하가 발생될 수 있으므로 챔버의 압력차를 셔터의 개폐여부로 감지하여 분위기 가스의 공급량 및 배출량을 조절하여 챔버 내부의 분위기를 제어하는 것도 가능함은 물론이다.
즉, 제어부(40)에서 챔버의 폐쇄시 분위기 가스의 공급량 및 배출량을 일정값으로 설정하고, 챔버의 개방시 분위기 가스의 공급량 및 배출량을 소정값으로 설정하여, 챔버의 개폐여부에 따라 분위기 가스의 공급량 및 배출량을 변경하여 제어부(40)의 과부하를 해소할 수 있게 된다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 액처리용 제어장치를 이용한 기판 액처리 장치를 더욱 상세히 설명한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 의한 기판 액처리 장치는, 챔버부(110), 테이블부(120), 분사부(130), 회수부(140), 측정부(10), 급기부(20), 배기부(30) 및 제어부(40)를 포함하여 이루어져 기판에 처리액을 공급하여 액처리하는 기판 액처리 장치이다.
본 실시예의 기판 액처리 장치의 측정부(10), 급기부(20), 배기부(30) 및 제어부(40)는, 상기 실시예의 기판 액처리용 제어장치의 측정부(10), 급기부(20), 배기부(30) 및 제어부(40)와 동일한 구성이므로, 본 실시예에서는 동일한 도면번호를 부여하고 구체적인 설명을 생략한다.
챔버부(110)는, 기판이 출입하도록 설치되어 기판의 액처리 공간을 제공하는 처리공간부재로서, 대략 정방형상의 박스형상으로 형성되며 내부에 분사부(130)의 처리액 분사에 의해 기판을 액처리하도록 처리공간이 구획되어 있다.
이러한 챔버부(110)에는 정방형상의 챔버(111)와, 이 챔버(111)의 내부에 기판(W)을 출입시키도록 챔버(111)의 일방에 셔터(112)가 개폐가능하도록 설치되어 있다.
테이블부(120)는, 챔버부(110)의 내부에 설치되어 기판을 지지하여 회전시키는 회전지지수단으로서, 기판(W)의 처리면을 상방으로 향하도록 척킹 지지하여 회전시키거나 기판(W)의 처리면을 하방으로 향하도록 척킹 지지하여 회전시키는 것도 가능함은 물론이다.
특히, 본 실시예의 테이블부(120)는, 분사부(130)에 의해 기판(W)의 하부에서 처리액을 분사하도록 기판(W)의 처리면을 하방으로 향하도록 척킹하여 지지하는 것이 바람직하다.
분사부(130)는, 기판(W)에 처리액을 분사하는 공급수단으로서, 테이블부(120)에 기판(W)의 처리면을 상방으로 향하도록 척킹하여 지지하는 경우에는 기판(W)의 상부에 설치되어 있고, 테이블부(120)에 기판(W)의 처리면을 하방으로 향하도록 척킹하여 지지하는 경우에는 기판(W)의 하부에 설치되어 있는 것도 가능함은 물론이다.
이러한 본 실시예의 분사부(130)는, 테이블부(120)에 기판(W)의 처리면을 하방으로 향하도록 척킹하여 지지하도록 기판(W)의 하부에서 처리액을 분사하여 공급하는 것이 바람직하다.
회수부(140)는, 테이블부(120)의 외곽 둘레에 설치되어 기판(W)에 분사된 처리액을 회수하는 회수수단으로서, 기판(W)의 처리면에 분사된 처리액이 기판(W)의 회전시 원심력에 의해 외곽둘레를 따라 배출되므로, 이를 회수하도록 원통형상의 컵형상으로 형성되어 있다.
또한, 이러한 회수부(140)는, 기판(W)의 처리면에 공급되는 처리액이 다양한 경우에 이들을 각각 회수하도록 동심원 형상으로 형성된 복수개의 컵형상으로 이루어져 있는 것도 가능함은 물론이다.
특히, 이러한 회수부(140)는, 테이블부(120)와 서로 상대 이동하도록 설치되어 기판(W)에 분사되는 처리액이 다양한 경우에 서로 상대이동하여 처리액 별로 회수하도록 설치되어 있는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 본 실시예의 기판 액처리 장치는, 기판을 고온상태에서 액처리하는 경우에 기판(W)과 처리액을 가열하는 히터부(150)를 더 포함하여 이루어지는 것도 가능함은 물론이다.
히터부(150)는, 기판(W)을 가열하는 가열수단으로서, 복수개의 발열램프 또는 발열코일로 이루어져며, 기판(W)의 상부에 설치되어 기판(W)과 처리액을 가열하게 된다.
이러한 히터부(150)는, 기판(W)의 상부 모서리부위에 설치된 회전축을 기준해서 선회하여 기판(W)의 상부로 출입하도록 설치되어 있거나 기판(W)의 상부에 고정 지지되도록 설치되어 있는 것도 가능함은 물론이다.
또한, 이와 같이 히터부(150)를 채용하거나 고온의 처리액을 사용하는 경우에는 챔버부(110)의 내부 분위기의 온도 변화를 측정부(10)에 의해 감지하여 분위기 온도를 제어부(40)에 의해 제어하여, 챔버부(110)의 분위기 압력 제어와 동시에분위기 온도 제어를 진행하는 것도 가능함은 물론이다.
구체적으로, 챔버부(110)의 셔터(112)가 개방되면 챔버(111) 내부의 온도가 급격히 내려가게 되고 셔터(112)가 폐쇄된 후에 고온 액처리 공정을 진행하게 되면, 챔버(111)의 내부 온도가 최적의 온도상태로 도달하기까지 과다한 시간이 소요되고, 또한 챔버부(110)의 내부에서 기판(W)의 투입시간 중 인터벌(interval)이 발생됨에 따라 처리되는 기판(W)의 분위기 온도가 달라질 수 있게 되므로, 제어부(40)에 의한 분위기 온도의 제어가 필요하게 되는 것이다.
이러한 제어부(40)에 의한 분위기 온도의 제어는, 단순하게 급기부(20)인 ffu(fan filter unit)에 의한 급기량 조절만으로는 제어가 미미하여 불가능하므로, 급기부(20)의 통해 공급되는 분위기 가스의 온도를 추가적으로 승온하여 공급가스의 온도제어를 추가하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 액처리용 제어장치를 이용한 기판 액처리 방법을 더욱 상세히 설명한다.
도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 실시예의 기판 액처리 방법은, 개방단계(S10), 개방 분위기 감지단계(S20), 개방 분위기 제어단계(S30), 폐쇄단계(S40), 폐쇄 분위기 감지단계(S50) 및 폐쇄 분위기 제어단계(S60)을 포함하여 이루어져, 기판에 처리액을 공급하여 액처리하는 기판 액처리 장치의 챔버부(110)의 분위기를 제어하게 된다.
특히, 본 실시예의 기판 액처리 방법은, 기판을 테이블에 의해 회전시키면서 기판에 처리액을 분사 및 공급하여 식각, 세정 및 건조 공정을 수행하고, 테이블 둘레에 컵 구조를 배치하여 처리액을 회수하는 기판의 액처리 공정의 개시전에 셔터의 개폐후 챔버부(110)의 내부 분위기를 안정화하도록 제어하는 기판 액처리 장치의 제어방법에 관한 것이다.
개방단계(S10)는, 챔버부(110)의 셔터(112)를 개방하여 챔버부(110)에 기판(W)을 수납하도록 장착하는 단계로서, 챔버부(110)의 셔터(112)를 개방하여 처리완료된 기판(W)을 취출하고 처리대상인 기판(W)을 장입하게 된다.
개방 분위기 감지단계(S20)는, 챔버부(110)의 개방시 내부의 분위기 변화를 감지하는 단계로서, 챔버부(110)의 개방시 챔버부(110) 내부의 압력과 챔버부(110) 외부의 압력 사이의 압력차의 변화를 감지하게 된다.
개방 분위기 제어단계(S30)는, 개방 분위기 감지단계(S20)에서 감지된 챔버부(110)의 분위기 변화에 의거해서 챔버부(110)의 개방 분위기를 제어하는 단계로서, 챔버부(110)의 개방시 챔버부(110)의 내부 및 외부 사이의 압력차의 변화에 따라 챔버부(110)에 분위기 가스의 공급량과 배출량을 조절하여 챔버부(110)의 개방 분위기를 제어하게 된다.
폐쇄단계(S40)는, 챔버부(110)의 셔터(112)를 폐쇄하여 챔버부(110)에 장입된 기판(W)을 수납하는 단계로서, 챔버부(110)의 셔터(112)를 폐쇄하여 기판(W)을 장입하게 된다.
폐쇄 분위기 감지단계(S50)는, 챔버부(110)의 폐쇄시 내부의 분위기 변화를 감지하는 단계로서, 챔버부(110)의 폐쇄시 챔버부(110) 내부의 압력과 챔버부(110) 외부의 압력 사이의 압력차의 변화를 감지하게 된다.
폐쇄 분위기 제어단계(S60)는, 폐쇄 분위기 감지단계(S60)에서 감지된 챔버부(110)의 분위기 변화에 의거해서 챔버부(110)의 폐쇄 분위기를 제어하는 단계로서, 챔버부(110)의 폐쇄시 챔버부(110)의 내부 및 외부 사이의 압력차의 변화에 따라 챔버부(110)에 분위기 가스의 공급량과 배출량을 조절하여 챔버부(110)의 폐쇄 분위기를 제어하게 된다.
따라서, 개방 분위기 제어단계(S30)와 폐쇄 분위기 제어단계(S60)는, 챔버부(110)의 셔터(112)의 개폐시에 챔버부(110)의 내부 안정화를 신속하게 유지하도록 챔버부(110)에 분위기 가스의 공급량을 증가시키고 배출량을 감소시켜 챔버부(110)의 내부 압력을 증가시키게 된다.
또한, 기판의 액처리를 히터부(150)에 의해 고온상태로 진행하는 경우에는, 개방 분위기 감지단계(S50)와 폐쇄 분위기 감지단계(S50)에서 챔버부(110)의 분위기 온도를 측정하여 온도차를 감지하여, 개방 분위기 제어단계(S30)와 폐쇄 분위기 제어단계(S60)에서 분위기 온도차에 의거해서 히터부(150) 또는 공급가스의 온도를 조절하여 챔버부(110)의 분위기 온도 제어를 분위기 압력 제어와 병행해서 진행하는 것도 가능함은 물론이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 측정부에 의해 챔버 내부의 분위기 변화를 감지해서 급기부와 배출부에 의해 챔버의 분위기를 조절함으로써, 챔버 내부의 분위기를 일정하게 유지하여 기판의 액처리 시간을 단축시키고 액처리 효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 챔버의 개폐시 측정부에 의해 챔버의 내부 및 외부의 압력차를 측정하여 챔버의 분위기 변화를 감지함으로써, 챔버의 개폐시 챔버의 분위기 변화를 신속하게 감지하여 분위기를 조절할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 제어부에 의해 소정값을 기준해서 챔버의 내부 및 외부의 압력차를 분위기 가스의 공급량과 배출량을 변경하여 조절함으로써, 챔버의 내부 및 외부의 압력차를 소정값으로 일정하게 유지하여 챔버 내부의 분위기를 안정화시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 기판 액처리 장치에 기판 액처리용 제어장치를 구비함으로써, 기판의 액처리 초기에 챔버부의 분위기를 용이하게 제어하는 동시에 챔버부에서 기판의 액처리시간 및 액처리 효율을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 측정부에서 챔버 내부의 온도 변화를 감지하여 챔버의 개폐시 온도 변화에 따라 제어부에서 급기부의 분위기 가스의 온도를 제어함으로써, 챔버 내부의 온도에 따른 분위기 변화를 조절할 수 있는 효과를 제공한다.
이상 설명한 본 발명은 그 기술적 사상 또는 주요한 특징으로부터 벗어남이 없이 다른 여러 가지 형태로 실시될 수 있다. 따라서 상기 실시예는 모든 점에서 단순한 예시에 지나지 않으며 한정적으로 해석되어서는 안 된다.
10: 측정부 20: 급기부
30: 배기부 40: 제어부
110: 챔버부 120: 테이블부
130: 분사부 140: 회수부
150: 히터부

Claims (8)

  1. 기판의 액처리를 위해 기판 액처리용 챔버의 분위기를 제어하는 기판 액처리용 제어장치로서,
    챔버 내부의 분위기 변화를 측정하여 감지하는 측정부;
    챔버에 분위기 가스를 공급하는 급기부;
    챔버로부터 분위기 가스를 배출시키는 배기부; 및
    상기 측정부의 감지결과에 의거해서 상기 급기부의 공급량과 상기 배기부의 배출량을 조절하여 챔버 내부의 분위기를 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리용 제어장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 측정부는, 챔버의 개폐시 챔버 내부의 압력을 측정하여 챔버 내부의 압력과 챔버 외부의 압력 사이의 압력차의 변화를 감지하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리용 제어장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 측정부에서 감지된 챔버 내부와 외부 사이의 압력차가 소정값 보다 작아지면, 상기 급기부의 공급량을 증가시키고 상기 배기부의 배출량을 감소시키며,
    상기 측정부에서 감지된 챔버 내부와 외부 사이의 압력차가 소정값 보다 커지면 상기 급기부의 공급량을 감소시키고 상기 배기부의 배출량을 증가시키는 것을 특징으로 하는 기판 액처리용 제어장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어부는, 챔버의 폐쇄 후에 챔버 내부와 외부 사이의 압력차를 증가시키는 것을 특징으로 하는 기판 액처리용 제어장치.
  5. 기판에 처리액을 공급하여 액처리하는 기판 액처리 장치로서,
    기판이 출입하도록 설치되어 기판의 액처리 공간을 제공하는 챔버부;
    상기 챔버부에 설치되어 기판을 지지하여 회전시키는 테이블부;
    상기 기판에 처리액을 분사하는 분사부;
    상기 기판에 분사된 처리액을 회수하는 회수부;
    상기 챔버부의 분위기 변화를 측정하여 감지하는 측정부;
    상기 챔버부에 분위기 가스를 공급하는 급기부;
    상기 챔버부로부터 분위기 가스를 배출시키는 배기부; 및
    상기 측정부의 감지결과에 의거해서 상기 급기부의 공급량과 상기 배기부의 배출량을 조절하여 챔버 내부의 분위기를 제어하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 측정부는, 챔버 내부의 온도를 측정하여 온도의 변화를 감지하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 측정부에서 감지된 챔버 내부의 온도 변화에 따라 상기 급기부에 의해 공급되는 분위기 가스의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  8. 기판에 처리액을 공급하여 액처리하는 기판 액처리 방법으로서,
    챔버부에 기판을 출입하도록 셔터를 개방하는 개방단계;
    상기 챔버부의 개방 분위기 변화를 감지하는 개방 분위기 감지단계;
    상기 감지된 개방 분위기 변화에 의거해서 챔버부의 분위기를 제어하는 개방 분위기 제어단계;
    상기 챔버부에 기판을 장착하고 셔터를 폐쇄하는 폐쇄단계;
    상기 챔버부의 폐쇄 분위기 변화를 감지하는 폐쇄 분위기 감지단계; 및
    상기 감지된 폐쇄 분위기 변화에 의거해서 챔버부의 분위기를 제어하는 폐쇄 분위기 제어단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190109227A (ko) * 2018-03-15 2019-09-25 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210115933A (ko) * 2020-03-17 2021-09-27 세메스 주식회사 광 조사기의 수명 감시 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008108790A (ja) * 2006-10-23 2008-05-08 Realize Advanced Technology Ltd 洗浄装置、これを用いた洗浄システム、及び被洗浄基板の洗浄方法
JP2011195863A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 原子層堆積装置及び原子層堆積方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008108790A (ja) * 2006-10-23 2008-05-08 Realize Advanced Technology Ltd 洗浄装置、これを用いた洗浄システム、及び被洗浄基板の洗浄方法
JP2011195863A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 原子層堆積装置及び原子層堆積方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190109227A (ko) * 2018-03-15 2019-09-25 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210115933A (ko) * 2020-03-17 2021-09-27 세메스 주식회사 광 조사기의 수명 감시 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템

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