KR20190048963A - 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치 및 제어방법 - Google Patents

반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치 및 제어방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20190048963A
KR20190048963A KR1020170144297A KR20170144297A KR20190048963A KR 20190048963 A KR20190048963 A KR 20190048963A KR 1020170144297 A KR1020170144297 A KR 1020170144297A KR 20170144297 A KR20170144297 A KR 20170144297A KR 20190048963 A KR20190048963 A KR 20190048963A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pressure
chuck
electrostatic chuck
temperature
wafer
Prior art date
Application number
KR1020170144297A
Other languages
English (en)
Inventor
조재용
Original Assignee
조재용
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 조재용 filed Critical 조재용
Priority to KR1020170144297A priority Critical patent/KR20190048963A/ko
Publication of KR20190048963A publication Critical patent/KR20190048963A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치 및 제어방법을 개시한다. 개시된 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치 및 제어방법은, 진공 챔버의 내부에 구비되어 웨이퍼가 안착되는 정전기 척과, 정전기 척을 냉각하도록 정전기 척과 연결되며, 정전기 척으로 냉각수를 순환시키는 척냉각라인과, 웨이퍼와 정전기 척 사이의 압력을 조절하도록 정전기 척과 연결되는 척진공라인과, 척냉각라인에 구비되어 정전기 척을 순환하는 냉각수의 공급온도 및 배출온도를 감지하는 온도감지부와, 척진공라인에 구비되어 척진공라인의 압력을 감지하는 압력감지부와, 온도감지부와 압력감지부에서 감지하는 온도 측정값과 압력 측정값을 저장하고, 기설정 온도값 및 기설정 압력값과 비교하여 기설정 온도값 및 기설정 압력값을 벗어나면 이상신호를 발생하는 제어부를 구비한다. 따라서 본 발명은 웨이퍼를 척킹 및 디척킹하는 정전기 척에 사용되는 냉매의 온도와 공기의 압력을 실시간으로 감지하여 디척킹시 발생하는 웨이퍼의 불량을 감소시킬 수 있다.

Description

반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치 및 제어방법{Electrostatic chuck control device and control method for semiconductor manufacturing equipment}
본 발명은 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치 및 제어방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼를 척킹 및 디척킹하는 정전기 척에 사용되는 냉매의 온도와 공기의 압력을 실시간으로 감지하여 디척킹시 발생하는 웨이퍼의 불량을 감소시킬 수 있도록 하는 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치 및 제어방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자의 제조를 위해서는 증착, 사진, 식각, 애싱, 그리고 세정 등 다양한 공정이 요구되며, 많은 공정이 챔버(chamber) 내에서 이루어지고 있다.
반도체제조용 챔버에는 그 용도에 따라 다양한 종류가 있지만, 최근 그 사용빈도가 점점 증가하고 있는 종류는 플라즈마를 이용한 증착 또는 식각을 수행하는 플라즈마 챔버이다.
그리고 플라즈마 챔버는 내부로 여러 장의 웨이퍼들이 공급되어 고정되며, 웨이퍼의 고정을 위하여 클램프 링(clamp ring)이나 클램프 플레이트(clamp plate)와 같은 고정장치가 사용된다. 웨이퍼 고정장치는 웨이퍼 처리 진행 중 웨이퍼 하면(Wafer back side)에 가스 압력이 유지되는 동안 웨이퍼 상면(Wafer top side)을 기계적으로 눌러서 고정하게 된다.
또한, 웨이퍼 고정장치는 기계적으로 접촉하여 웨이퍼를 척킹(chucking)하는 방식을 사용하는 방식으로 웨이퍼 에지(wafer Edge)에 불량을 많이 발생시킨다.
이러한 문제점을 해결하기 최근에는 정전기 척(Electrostatic chuck)을 사용한다. 정전기 척은 상부에 올려져 있는 웨이퍼를 고정할 수 있는 충분한 힘을 발생시켜야 하므로, 웨이퍼 하면(Wafer Backside)에서 특정압력으로 고정한다.
그런데, 상기와 같은 종래 기술의 정전기 척은 디척킹시 웨이퍼를 고정하기 위하여 가해졌던 압력이 완전하게 제거되지 않아 웨이퍼에 불량률이 증가하는 문제점이 있다.
따라서, 이를 개선할 필요성이 요청된다.
한편, 국내 공개특허 제10-2015-0073862호에는 "디클램핑 전극을 포함하는 정전척 및 디클램핑 방법"이 개시되어 있다.
본 발명은 상기와 같은 필요성에 의해 창출된 것으로서, 웨이퍼를 척킹 및 디척킹하는 정전기 척에 사용되는 냉매의 온도와 공기의 압력을 실시간으로 감지하여 디척킹시 발생하는 웨이퍼의 불량을 감소시킬 수 있는 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치 및 제어방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치는, 진공 챔버의 내부에 구비되어 웨이퍼가 안착되는 정전기 척과, 상기 정전기 척을 냉각하도록 상기 정전기 척과 연결되며, 상기 정전기 척으로 냉각수를 순환시키는 척냉각라인과, 상기 웨이퍼와 상기 정전기 척 사이의 압력을 조절하도록 상기 정전기 척과 연결되는 척진공라인과, 상기 척냉각라인에 구비되어 상기 정전기 척을 순환하는 냉각수의 공급온도 및 배출온도를 감지하는 온도감지부와, 상기 척진공라인에 구비되어 상기 척진공라인의 압력을 감지하는 압력감지부와, 상기 온도감지부와 상기 압력감지부에서 감지하는 온도 측정값과 압력 측정값을 저장하고, 기설정 온도값 및 기설정 압력값과 비교하여 상기 기설정 온도값 및 상기 기설정 압력값을 벗어나면 이상신호를 발생하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치는, 상기 웨이퍼의 분리를 위하여 상기 정전기 척과 연결되어 상기 웨이퍼로 공기를 분사하는 에어 분사라인을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 압력감지부는, 상기 웨이퍼를 상기 정전기 척에서 분리하기 전 상기 척진공라인의 압력을 감지하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 제어부는, 상기 분리압력 측정값이 기설정 압력값 이상이면 상기 에어 분사라인에서 공기가 분사되도록 상기 에어 분사라인을 제어하는 것을 특징으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 반도체 제조장치용 정전기 척 제어방법은, 정전기 척의 냉각수 온도와 공기의 압력을 설정하는 단계와, 상기 정전기 척과 연결되는 척냉각라인 및 척진공라인을 이용하여 상기 정전기 척을 냉각하면서 웨이퍼를 고정하고, 상기 척냉각라인의 온도 및 상기 척진공라인의 압력을 감지하는 단계와, 상기 척냉각라인의 온도 측정값과 상기 척진공라인의 압력 측정값을 기설정 온도값 및 기설정 압력값과 비교하여 상기 기설정 온도값 및 상기 기설정 압력값을 벗어나면 이상신호를 발생하는 단계와, 상기 웨이퍼를 상기 정전기 척에서 분리하기 위하여 상기 척진공라인에 가해진 압력을 제거하고, 상기 척진공라인의 압력을 감지하는 단계와, 상기 척진공라인의 분리압력 측정값이 기설정 압력값 이상이면 이상신호를 발생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 분리압력 측정단계는, 상기 분리압력 측정값이 상기 기설정 압력값 이상이면 에어 분사라인을 통해 상기 웨이퍼로 공기를 분사하는 것을 특징으로 한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치 및 제어방법은 종래기술과는 달리 웨이퍼를 척킹 및 디척킹하는 정전기 척에 사용되는 냉각수의 온도와 공기의 압력을 실시간으로 감지하여 디척킹시 발생하는 웨이퍼의 불량을 감소시킬 수 있는 효과를 가진다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치를 설명하기 위한 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조장치용 정전기 척 제어방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치 및 제어방법의 바람직한 실시예를 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다.
또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로, 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치를 설명하기 위한 모식도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치를 설명하기 위한 블록도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조장치용 정전기 척 제어방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
먼저, 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치를 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치(100)는, 챔버(10)의 내부에 설치되는 정전기 척(110)의 웨이퍼(20) 고정(Chucking) 및 분리(De-Chucking), 웨이퍼(20)를 처리할 때 냉각수 온도 및 정전기 척(110)의 압력을 감지하고, 웨이퍼(20)의 분리시 발생할 수 있는 불량률을 현저하게 줄일 수 있다.
이를 위하여, 본 실시예에 따른 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치(100)는 척냉각라인(120)과, 척진공라인(130)과, 온도감지부(140)와, 압력감지부(150)와, 에어 분사라인(160)과, 제어부(170)를 포함한다.
정전기 척(110)은 챔버(10)에 내부에 구비되어 상면에 웨이퍼(20)가 선택적으로 안착되며, 웨이퍼(20)의 고정을 위하여 척진공라인(130)과 연결되고, 웨이퍼(20)가 처리되는 동안 척냉각라인(120)에 의해 냉각된다.
이러한 정전기 척(110)은 척진공라인(130)과 연결되는 에어홀이 형성되고, 척냉각라인(120)과 연결되는 냉각홀이 형성되며, 에어 분사라인(160)과 연결되는 에어분사홀이 각각 형성된다.
척냉각라인(120)은 정전기 척(110)을 냉각하도록 정전기 척(110)과 연결되며, 정전기 척(110)으로 냉각수를 순환시키게 된다. 이러한 척냉각라인(120)은 냉각수의 순환을 위하여 냉각수 공급관(121)과 냉각수 배출관(123)을 구비하며, 냉각수의 순환을 위한 냉각수공급부(125)와 연결된다. 이때, 냉각수 공급관(121)과 냉각수 배출관(123)에는 온도감지부(140)가 구비된다.
척진공라인(130)은 웨이퍼(20)와 정전기 척(110) 사이의 압력을 조절하도록 정전기 척(110)과 연결된다. 이러한 척진공라인(130)은 압력 조절을 위한 공압조절부(131)와 연결되며, 압력감지부(150)가 구비된다.
온도감지부(140)는 척냉각라인(120)에 구비되어 정전기 척(110)을 순환하는 냉각수의 온도를 감지한다. 또한, 온도감지부(140)는 정전기 척(110)으로 공급되는 냉각수의 공급온도와 정전기 척(110)에서 배출되는 냉각수의 배출온도를 감지하도록 공급온도 감지센서(141)와, 배출온도 감지센서(143)를 각각 구비한다.
이때, 공급온도 감지센서(141)는 냉각수 공급관(121)에 구비되고, 배출온도 감지센서(143)는 냉각수 배출관(123)에 구비되며, 공급온도 감지센서(141) 및 배출온도 감지센서(143)는 냉각수의 온도를 감지하여 제어부(170)로 전송한다.
압력감지부(150)는 척진공라인(130)에 구비되어 공압조절부(131)를 통해 압력이 조절되는 정전기 척(110)의 압력을 감지하여 제어부(170)로 전송한다.
에어 분사라인(160)은 웨이퍼(20)의 분리를 위하여 정전기 척(110)과 연결되며, 정전기 척(110)을 통해 웨이퍼(20)로 공기를 선택적으로 분사하게 된다. 이러한 에어 분사라인(160)은 공기의 선택적인 분사할 수 있도록 블로워(161)와 연결된다.
제어부(170)는 온도감지부(140)와 압력감지부(150)에서 전송하는 온도 측정값과 압력 측정값을 저장하고, 이를 기설정 온도값 및 기설정 압력값과 비교한다. 그리고 제어부(170)는 온도 측정값과 압력 측정값에 따라 냉각수공급부(125)와 공압조절부(131)와 블로워(161)를 각각 제어한다.
예를 들어 제어부(170)는 온도감지부(140)에서 전송되는 온도 측정값과 기설정 온도값을 비교하여 온도 측정값이 기설정 온도값 이상이면 이상신호를 발생하고 냉각수공급부(125)를 제어하여 냉각수의 온도를 저하시킨다.
또한, 제어부(170)는 압력감지부(150)에서 전송되는 압력 측정값과 기설정 압력값을 비교하여 압력 측정값이 기설정 압력값 이하이거나 이상인 경우 이상신호를 발생한다. 이때, 제어부(170)는 이상신호를 발생하고, 척진공라인(130)의 공압이 조절되도록 공압조절부(131)를 제어할 수도 있다.
특히, 제어부(170)는 웨이퍼(20)의 분리시 압력감지부(150)에서 전송되는 압력 측정값과 챔버(10)의 내부압력을 비교하여 챔버압력 이상이면 정전기 척(110)으로 웨이퍼(20) 분리를 위한 공기를 분사하도록 블로워(161)를 제어한다.
다음으로, 상기와 같은 구성되는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조장치용 정전기 척 제어방법을 설명한다.
도 1 내지 도 3를 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 제조장치용 정전기 척 제어방법은 제어부(170)의 설정부를 조작하여 정전기 척(110)의 냉각을 위한 냉각수 온도와 웨이퍼(20) 고정을 위한 공기의 압력을 설정한다(S10). 온도 및 압력 설정단계(S10)에서는 웨이퍼(20) 고정을 위한 고정압력(기설정 압력값)과 웨이퍼(20) 분리를 위한 분리압력을 설정한다.
그리고 챔버(10)의 내부에 처리를 위한 웨이퍼(20)가 정전기 척(110)에 안착되면 웨이퍼(20)의 고정을 위하여 정전기 척(110)과 웨이퍼(20) 사이의 공기를 흡입하여 웨이퍼를 고정하면서 정전기 척(110)으로 냉각을 위한 냉각수를 순환한다(S20).
S20단계에서는 정전기 척(110)의 냉각을 위한 척냉각라인(120)과, 웨이퍼(20)의 고정을 위한 척진공라인(130)의 온도 및 압력을 각각 감지한다.
척냉각라인(120)의 온도 측정값과 척진공라인(130)의 압력 측정값을 기설정 온도값 및 기설정 압력값과 비교한다(S30).
비교결과 온도 측정값과 기설정 온도값 이상인가를 판단하여(S31), 기설정 온도값 이상이면 제어부(170)가 이상신호를 발생한다(S40). 그리고 압력 측정값과 기설정 압력값 이하인가를 판단하여(S33), 기설정 압력값 이하이면 제어부(170)가 이상신호를 발생한다(S40).
이후 웨이퍼(20)의 처리가 완료되어 제어부(170)로 웨이퍼 분리신호가 입력되면 웨이퍼(20)가 정전기 척(110)에서 분리 가능하도록 척진공라인(130)에 가해진 압력을 제거한다(S50).
그리고 척진공라인(130)의 압력을 감지하고(S60), 척진공라인(130)의 압력 측정값이 기설정 분리 압력값 이상인가를 판단하여(S61) 기설정 분리 압력값 이상이면 이상신호를 발생하고 블로워(161)를 제어하여 웨이퍼(20)로 공기를 분사한다(S70).
반면에 척진공라인(130)의 압력 측정값이 기설정 분리 압력값 미만이면 웨이퍼를 분리한다(S80).
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.
100 : 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치 10 : 챔버
20 : 웨이퍼 110 : 정전기 척
120 : 척냉각라인 121 : 냉각수 공급관
123 : 냉각수 배출관 125 : 냉각수공급부
130 : 척진공라인 131 : 공압조절부
140 : 온도감지부 141 : 공급온도 감지센서
143 : 배출온도 감지센서 150 : 압력감지부
160 : 에어분사라인 161 : 블로워
170 : 제어부

Claims (4)

  1. 진공 챔버의 내부에 구비되어 웨이퍼가 안착되는 정전기 척;
    상기 정전기 척을 냉각하도록 상기 정전기 척과 연결되며, 상기 정전기 척으로 냉각수를 순환시키는 척냉각라인;
    상기 웨이퍼와 상기 정전기 척 사이의 압력을 조절하도록 상기 정전기 척과 연결되는 척진공라인;
    상기 척냉각라인에 구비되어 상기 정전기 척을 순환하는 냉각수의 공급온도 및 배출온도를 감지하는 온도감지부;
    상기 척진공라인에 구비되어 상기 척진공라인의 압력을 감지하는 압력감지부; 및
    상기 온도감지부와 상기 압력감지부에서 감지하는 온도 측정값과 압력 측정값을 저장하고, 기설정 온도값 및 기설정 압력값과 비교하여 상기 기설정 온도값 및 상기 기설정 압력값을 벗어나면 이상신호를 발생하는 제어부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치.
  2. 제 2 항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 분리를 위하여 상기 정전기 척과 연결되어 상기 웨이퍼로 공기를 분사하는 에어 분사라인을 더 포함하며,
    상기 압력감지부는, 상기 웨이퍼를 상기 정전기 척에서 분리하기 전 상기 척진공라인의 압력을 감지하고,
    상기 제어부는, 상기 웨이퍼의 분리를 위한 압력 측정값이 기설정 분리 압력값 이상이면 상기 에어 분사라인에서 공기가 분사되도록 상기 에어 분사라인을 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치.
  3. 정전기 척의 냉각수 온도와 공기의 압력을 설정하는 단계;
    상기 정전기 척과 연결되는 척냉각라인 및 척진공라인을 이용하여 상기 정전기 척을 냉각하면서 웨이퍼를 고정하고, 상기 척냉각라인의 온도 및 상기 척진공라인의 압력을 감지하는 단계;
    상기 척냉각라인의 온도 측정값과 상기 척진공라인의 압력 측정값을 기설정 온도값 및 기설정 압력값과 비교하여 상기 기설정 온도값 및 상기 기설정 압력값을 벗어나면 이상신호를 발생하는 단계;
    상기 웨이퍼를 상기 정전기 척에서 분리하기 위하여 상기 척진공라인에 가해진 압력을 제거하고, 상기 척진공라인의 압력을 감지하는 단계; 및
    상기 척진공라인의 분리압력 측정값이 기설정 압력값 이상이면 이상신호를 발생하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치용 정전기 척 제어방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 분리압력 측정단계는, 상기 웨이퍼의 분리를 위한 압력 측정값이 기설정 분리 압력값 이상이면 에어 분사라인을 통해 상기 웨이퍼로 공기를 분사하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치용 정전기 척 제어방법.
KR1020170144297A 2017-10-31 2017-10-31 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치 및 제어방법 KR20190048963A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170144297A KR20190048963A (ko) 2017-10-31 2017-10-31 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치 및 제어방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170144297A KR20190048963A (ko) 2017-10-31 2017-10-31 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치 및 제어방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190048963A true KR20190048963A (ko) 2019-05-09

Family

ID=66546034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170144297A KR20190048963A (ko) 2017-10-31 2017-10-31 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치 및 제어방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20190048963A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113587116A (zh) * 2021-09-28 2021-11-02 光大环保技术装备（常州）有限公司 水冷循环系统中保护设备的控制方法、控制系统及设备
CN117723850A (zh) * 2024-02-07 2024-03-19 泓浒(苏州)半导体科技有限公司 超真空环境下晶圆转运机械臂的静电检测系统及方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113587116A (zh) * 2021-09-28 2021-11-02 光大环保技术装备（常州）有限公司 水冷循环系统中保护设备的控制方法、控制系统及设备
CN117723850A (zh) * 2024-02-07 2024-03-19 泓浒(苏州)半导体科技有限公司 超真空环境下晶圆转运机械臂的静电检测系统及方法
CN117723850B (zh) * 2024-02-07 2024-04-26 泓浒(苏州)半导体科技有限公司 超真空环境下晶圆转运机械臂的静电检测系统及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8123901B2 (en) Etching apparatus
KR20190048963A (ko) 반도체 제조장치용 정전기 척 제어장치 및 제어방법
US9508578B2 (en) Method and apparatus for detecting foreign material on a chuck
US11644121B2 (en) Gas inspection method, substrate processing method, and substrate processing system
KR20120046702A (ko) 기판 처리 방법 및 그 방법을 실행하는 프로그램을 기억하는 기억 매체
US8029874B2 (en) Plasma processing apparatus and method for venting the same to atmosphere
US6878898B2 (en) Method for improving ash rate uniformity in photoresist ashing process equipment
US20220172932A1 (en) Wiring abnormality detection method and plasma processing apparatus
KR102028418B1 (ko) 기판 액처리용 제어장치와 이를 이용한 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법
US11742228B2 (en) Substrate processing method and substrate processing system
JP2019220282A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US7217942B2 (en) Plasma leak monitoring method, plasma processing apparatus and plasma processing method
US20050026436A1 (en) Method for improving ash rate uniformity in photoresist ashing process equipment
KR100440750B1 (ko) 밸브 개폐상태 감시 장치
KR20080006734A (ko) 반도체 식각장치의 웨이퍼 온도조절장치
KR100325294B1 (ko) 웨이퍼 가공기의 웨이퍼 온도 제어장치
JP2674965B2 (ja) プラズマエッチング装置
JP3966735B2 (ja) ガス導入機構およびガス導入方法、ならびにプラズマ処理装置
JPH11353032A (ja) 冷却ガスの漏洩検出機構および検出方法
KR200274312Y1 (ko) 밸브 개폐상태 감시 장치
KR20190054483A (ko) 기판 처리 장치, 및 상기 장치의 인터락 방법
JP2017147415A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2001353625A (ja) 放電加工機および放電加工機における位置決め制御用スケールの熱変位防止方法
KR100607750B1 (ko) 반도체 공정 챔버의 제어 방법
KR20130013185A (ko) 기판 디척킹 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E601 Decision to refuse application
E801 Decision on dismissal of amendment