JP2024044544A - 基板処理装置、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

基板処理装置、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

Figure 2024044544000001
【課題】基板処理装置の設置面積を削減すること。
【解決手段】実施形態の基板処理装置は、基板処理装置は、垂直に立てた複数の基板を所定の間隔を空けて水平方向に並べて保持し、複数の基板を周方向に回転させるローラと、複数の基板の下部側において、複数の基板の回転方向の上流側から順に、複数の基板の外周部に沿って配置される第１乃至第３の流通溝と、第１の流通溝内を通過する複数の基板の外周部に薬液を供給する薬液供給部と、第２の流通溝内を通過する複数の基板の外周部にリンス液を供給するリンス液供給部と、第３の流通溝内を通過する複数の基板の外周部に、リンス液を乾燥させる流体を供給する流体供給部と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、基板処理装置、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造工程等において、薬液等により基板の外周部を処理する基板処理装置がある。このような基板処理装置では、基板を水平に保持して処理を行うことが一般的である。しかし、基板を水平に保持して処理を行う場合、基板処理装置の設置面積を削減することが困難である。
特開２００３－１９７５９２号公報 特許第４７０９３４６号公報
１つの実施形態は、設置面積を削減することが可能な基板処理装置、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
実施形態の基板処理装置は、垂直に立てた複数の基板を所定の間隔を空けて水平方向に並べて保持し、前記複数の基板を周方向に回転させるローラと、前記複数の基板の下部側において、前記複数の基板の回転方向の上流側から順に、前記複数の基板の外周部に沿って配置される第１乃至第３の流通溝と、前記第１の流通溝内を通過する前記複数の基板の外周部に薬液を供給する薬液供給部と、前記第２の流通溝内を通過する前記複数の基板の外周部にリンス液を供給するリンス液供給部と、前記第３の流通溝内を通過する前記複数の基板の外周部に、前記リンス液を乾燥させる流体を供給する流体供給部と、を備える。
実施形態１にかかる基板処理装置の構成の一例を示す模式図。 実施形態１にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を例示する基板の断面図。 実施形態１の変形例１にかかる基板処理装置の構成の一例を示す模式図。 実施形態１の変形例２にかかる基板処理装置の構成の一例を示す模式図。 実施形態１の変形例２にかかる基板処理装置の構成の一例を示す模式図。 実施形態１の変形例３にかかる基板処理装置の構成の一例を示す模式図。 実施形態１の変形例４にかかる基板処理装置の構成の一例を示す模式図。 実施形態１の変形例５にかかる基板処理装置の構成の一例を示す模式図。 実施形態２にかかる基板処理装置の構成の一例を示す模式図。 実施形態２の変形例１にかかる基板処理装置が備えるノズル及び吸引ノズルの構成の一例を示す模式図。 実施形態２の変形例２にかかる基板処理装置が備えるノズルの構成の一例を示す模式図。 実施形態２の変形例３にかかる基板処理装置が備える複数のノズルの構成の一例を示す模式図。
以下に、本発明の実施形態につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態により、本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるものあるいは実質的に同一のものが含まれる。
［実施形態１］
以下、図面を参照して実施形態１について詳細に説明する。
（基板処理装置の構成例）
図１は、実施形態１にかかる基板処理装置１の構成の一例を示す模式図である。図１（ａ）は、基板処理装置１の処理室内を正面から見た図である。図１（ｂ）及び図１（ｃ）は、基板処理装置１の処理室内を側面から見た図である。
実施形態１の基板処理装置１は、例えば複数の基板Ｗを薬液により処理する半導体製造装置として構成されている。これにより、これらの基板Ｗの外周部にそれぞれ形成された図示しない絶縁膜または金属膜等の所定膜を除去するエッジカット処理が行われる。
図１に示すように、実施形態１の基板処理装置１は、ローラ１１，１２、流通溝２１，２２，２３、駆動部３１，３２，３３、薬液供給部４１、リンス液供給部４２、流体供給部４３、膜厚計５０、及び制御部６０を備える。
これらの構成のうち、ローラ１１，１２、流通溝２１，２２，２３、駆動部３１，３２，３３、薬液供給部４１、リンス液供給部４２、及び流体供給部４３は、個々の基板Ｗごとに設けられている。
すなわち、複数のローラ１１，１２は、複数の基板Ｗにそれぞれ対応して設けられ、垂直に立てた複数の基板Ｗ（Ｗａ，Ｗｂ，Ｗｃ・・・）を所定の間隔を空けて水平方向に並べて保持する。より具体的には、複数の基板Ｗは、所定膜が形成された面を同じ方向に向けて水平方向に並べて配列される。これらの基板Ｗは、同じ製造段階にあり、同じ構成を有する同一ロット、または複数ロットの基板である。
例えば、所定のローラ１１，１２は、これらのローラ１１，１２に対応し、垂直に立てた基板Ｗの下部側の外周部の少なくとも２点を支持する。また、これらのローラ１１，１２は、図示しない駆動部により回転可能に構成され、支持した基板Ｗを周方向に回転させる。基板Ｗの回転速度は、例えば１０００ｒｐｍ（Ｒｏｔａｔｉｏｎｓ Ｐｅｒ Ｍｉｎｕｔｅ）などとすることができる。
図１（ａ）に示すように、ローラ１１，１２に保持された基板Ｗの下部側には、基板Ｗの回転方向の上流側から順に流通溝２１～２３が設けられている。これらの流通溝２１～２３は、例えば基板Ｗの外周部に沿う円弧状であり、上方が基板Ｗに向かって開放され、下方が閉塞した溝となっている。流通溝２１～２３内には、薬液等の液体またはドライエア等の気体が流通可能である。
流通溝２１～２３が、基板Ｗの回転方向の上流側から、基板Ｗの外周部に沿うように配置されることで、ローラ１１，１２により回転される基板Ｗの外周部が、順次、これらの流通溝２１～２３内を通過するように構成される。これにより、基板Ｗの外周部が、順次、流通溝２１～２３内を流通する液体または気体によって処理される。
第１の流通溝としての流通溝２１には、薬液を供給する薬液供給部４１が設けられている。薬液供給部４１は、流通溝２１の上流側から下流側へと薬液を流通させる。流通溝２１の下流端に到達した薬液は、流通溝２１の下流端から流通溝２１外へと排出される。なお、流通溝２１から排出された薬液が再び流通溝２１へと循環されて、繰り返し使用されてもよい。
薬液供給部４１が流通溝２１に供給する薬液は、基板Ｗの外周部に形成された所定膜を除去する除去液等である。所定膜が酸化シリコン層または窒化シリコン層等の絶縁層である場合、薬液として、例えばフッ酸（ＨＦ水溶液）等を用いることができる。所定膜がタングステン層または窒化タングステン層等の金属含有層である場合、薬液として、例えば過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２水溶液）、または過酸化水素水とコリン液等の有機アルカリとの混合液等を用いることができる。
第２の流通溝としての流通溝２２には、リンス液を供給するリンス液供給部４２が設けられている。リンス液供給部４２は、流通溝２２の上流側から下流側へとリンス液を流通させる。流通溝２２の下流端に到達したリンス液は、流通溝２２の下流端から流通溝２２外へと排出される。ここで、リンス液の供給位置は、薬液の供給位置よりも基板Ｗの内側寄りであることが好ましい。また、流通溝２２から排出されたリンス液が再び流通溝２２へと循環されて、繰り返し使用されてもよい。
リンス液供給部４２が流通溝２２に供給するリンス液は、薬液で処理された基板Ｗの外周部を洗浄する液であり、例えば純水、または脱イオン水（ＤＩＷ：Ｄｅ－Ｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ）等である。
第３の流通溝としての流通溝２３には、乾燥流体を供給する流体供給部４３が設けられている。流体供給部４３は、流通溝２３の下流側から上流側へと乾燥流体を流通させる。流通溝２３の下流端に到達した乾燥流体は、流通溝２３の上流端から流通溝２３外へと排出される。なお、流通溝２３から排出された乾燥流体が再び流通溝２３へと循環されて、繰り返し使用されてもよい。
流体供給部４３が流通溝２３に供給する乾燥流体は、リンス液で洗浄された基板Ｗの外周部を乾燥させる液体または気体であって、例えば加温したドライエア（Ｎ２）、またはイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等である。
また、これらの流通溝２１～２３には、それぞれ駆動部３１～３３が設けられている。これらの駆動部３１～３３は、流通溝２１～２３をそれぞれ基板Ｗの径方向に駆動させることが可能に構成される。
これらの流通溝２１～２３を径方向に基板Ｗから遠ざけることで、薬液等で処理される基板Ｗの外周部の幅が狭まる。これらの流通溝２１～２３を径方向に基板Ｗに近づけることで、薬液等で処理される基板Ｗの外周部の幅が広がる。その様子を図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示す。
図１（ｂ）及び図１（ｃ）には、個々の基板Ｗ（Ｗａ，Ｗｂ，Ｗｃ・・・）ごとに、ローラ１１（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ・・・），１２（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ・・・）、流通溝２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ・・・）、及び駆動部３１（３１ａ，３１ｂ，３１ｃ・・・）がそれぞれ設けられる様子を示している。
なお、図１（ｂ）及び図１（ｃ）には、流通溝２１～２３及び駆動部３１～３３のうち、個々の基板Ｗごとに設けられる流通溝２１及び駆動部３１を代表として示している。ただし、上述のように、図１（ｂ）及び図１（ｃ）に図示されない流通溝２２，２３、駆動部３２，３３、薬液供給部４１、リンス液供給部４２、及び流体供給部４３もまた、複数の基板Ｗにそれぞれ対応して設けられる。
図１（ｂ）に示す例では、個々の流通溝２１にそれぞれ対応して設けられる駆動部３１は、制御部６０による制御にしたがって、径方向に基板Ｗに近づく方向に駆動されている。これにより、個々の流通溝２１内に流通される薬液への個々の基板Ｗの外周部の沈み込み量が増大し、基板Ｗの外周部がより広い幅で処理される。
図１（ｃ）に示す例では、個々の流通溝２１にそれぞれ対応して設けられる駆動部３１は、制御部６０による制御にしたがって、径方向に基板Ｗに遠ざかる方向に駆動されている。これにより、個々の流通溝２１内に流通される薬液への個々の基板Ｗの外周部の沈み込み量が減少し、基板Ｗの外周部がより狭い幅で処理される。
膜厚計５０は、例えばＸ線等の電磁波Ｌｍを照射して、基板Ｗの外周部に形成された所定膜の膜厚を計測する光学式センサ等として構成されている。複数の基板Ｗは、所定膜が形成された面を同じ方向に向けて配列されている。複数の基板Ｗの所定膜が形成された面が向く方向を前方として、膜厚計５０は、垂直に立てられた先頭の基板Ｗの上部側外周部の計測ポイントＰｍに電磁波Ｌｍを照射する。これにより、膜厚計５０は、先頭の基板Ｗの外周部に形成された所定膜の膜厚を計測する。
ただし、膜厚計５０は、流通溝２３の下流端から流通溝２１の上流端の間であれば、この間を通過中の基板Ｗの外周部をいずれの位置で膜厚計測してもよい。流通溝２３から流通溝２１までの間では基板Ｗの外周部は乾燥された状態であるため、薬液またはリンス液の液滴等に阻害されることなく、高精度に所定膜の膜厚を計測することができる。
換言すれば、膜厚計５０による計測の精度が充分得られるほどに、基板Ｗが乾燥した状態であればよい。したがって、基板Ｗが１回転する間に行われる、基板Ｗのリンス液による洗浄、及び乾燥流体による乾燥が完全でなくともよい。
なお、所定膜は、基板Ｗの表裏面の両方の外周部に形成されている場合がある。この場合、一般的には、基板Ｗの表面、つまり、基板Ｗの半導体装置が設けられる側の面上の所定膜が薬液処理の対象となる。一方で、基板Ｗの裏面、つまり、半導体装置が設けられる面とは反対側の面上の処理膜が薬液処理対象となる場合もある。さらには、基板Ｗの表裏面両方の所定膜が薬液処理対象となる場合もある。
複数の基板Ｗは、基板Ｗの表裏面のうち、処理対象となる側の面を膜厚計５０側に向けてローラ１１，１２に保持させることができる。また、基板Ｗの表裏面がともに処理対象である場合には、より精密な処理が必要とされる面を膜厚計５０側に向けておくことができる。
制御部６０は、例えばＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、及びＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等を備えるコンピュータとして構成され、基板処理装置１の各部を制御する。
すなわち、制御部６０は、例えばローラ１１，１２を制御して基板Ｗを回転させながら、薬液供給部４１、リンス液供給部４２、及び流体供給部４３を制御して流通溝２１～２３に薬液、リンス液、及び乾燥流体をそれぞれ流通させて、基板Ｗの外周部を処理する。
また、制御部６０は、膜厚計５０を制御して基板Ｗの外周部の所定膜の膜厚を計測させ、計測結果に基づいて各種の制御を行う。このとき、基板処理装置１で１度に処理される複数の基板Ｗのうち、膜厚計５０によって膜厚が計測されるのは先頭の基板Ｗのみである。しかし、上述のように、これらの基板Ｗは、同じ製造段階の同じ構成を有する基板である。よって、例えば先頭の基板Ｗの膜厚をこれらの基板Ｗの代表データとして用い、以下に述べる各種処理を行うことができる。
具体的には、制御部６０は、膜厚計５０の計測結果に基づいて、駆動部３１～３３を制御して流通溝２１～２３の基板Ｗの径方向の位置を調整する。より具体的には、制御部６０は、基板Ｗの所定膜の幅に応じて流通溝２１～２３の基板Ｗに対する位置を調整する。また、制御部６０は、基板Ｗの外周部にリング状に形成される所定膜が、基板Ｗの中心位置に対して偏心しているときは、基板Ｗが回転するごとに流通溝２１～２３の基板Ｗに対する位置を適宜変更し、基板Ｗ外周部の位置に応じて処理幅を変更する。
また、制御部６０は、膜厚計５０の計測結果に基づいて、基板Ｗ外周部の所定膜が所望の量除去されるタイミングを算出し、基板処理の終了タイミングを決定する。このとき、制御部６０は、薬液処理前の所定膜の膜厚計測結果から、処理開始前に処理時間を決定してよい。
あるいは、制御部６０は、薬液処理中の所定膜の膜厚をモニタし、例えば所定膜が充分に除去されたことを検出して基板Ｗの処理を終了してよい。またあるいは、制御部６０は、薬液処理中の所定膜の膜厚をモニタし、例えば所定膜の下地が露出したことを検出して基板Ｗの処理を終了してよい。
（半導体装置の製造方法）
次に、図２を用いて、実施形態１の半導体装置７０の製造方法の例について説明する。図２は、実施形態１にかかる半導体装置７０の製造方法の手順の一部を例示する基板Ｗの断面図である。
半導体装置７０は、複数の工程を経て基板Ｗ上に製造される。このため、半導体装置７０の製造段階に応じて、上述の基板処理装置１による薬液処理が繰り返し行われ、適宜、処理対象の所定膜の膜種が異なり得る。図２は、製造途中の半導体装置７０を示しており、また、処理対象となる所定膜が金属膜である場合の例である。
図２（ａ）に示すように、半導体装置７０は、図２（ａ）に示す製造段階において、シリコン基板等の基板Ｗ上に形成された絶縁膜７１と、絶縁膜７１上に形成された窒化チタン膜７２と、窒化チタン膜７２上に形成されたタングステン膜７３とを備える。
より具体的には、絶縁膜７１は、外周部を除く基板Ｗの表面に形成されている。絶縁膜７１中には、例えば窒化チタン膜７２のライナと、タングステン膜７３のコアとを有するプラグ等が形成されている。このように、半導体装置７０は、例えば基板Ｗの外周部を除く、絶縁膜７１が形成された素子領域ＥＲ内に製造されていく。
窒化チタン膜７２は、絶縁膜７１の上面、基板Ｗの外周部、及び基板Ｗの裏面にも形成されている。ここで、窒化チタン膜７２は、例えばシード膜となるチタン膜７２ｂを窒化することで形成される。このため、素子領域ＥＲの外側であり、各種処理の対象外である基板Ｗの外周部およびベベルにおいて、窒化チタン膜７２の下部に窒化処理を受けなかったチタン膜７２ｂが残る場合がある。さらに、残ったチタン膜７２ｂの一部が下地である基板Ｗのシリコン等と結合してチタンシリサイド膜７２ａを形成している場合もある。
タングステン膜７３は、外周部を除く基板Ｗ表面の、絶縁膜７１の形成領域と略重なる領域にも形成されている。
絶縁膜７１上および絶縁膜７１の外側領域に形成される窒化チタン膜７２及びタングステン膜７３は不要な部分であるので、除去対象となる。
図２（ｂ）に示すように、例えばＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等によって、絶縁膜７１上の窒化チタン膜７２及びタングステン膜７３が除去される。しかし、絶縁膜７１の外側領域に形成される窒化チタン膜７２及びタングステン膜７３は、ＣＭＰ処理後も依然として残っている。このため、例えば上述の基板処理装置１によって、基板Ｗの外周部を薬液により処理する。
すなわち、基板処理装置１の複数のローラ１１，１２に、垂直に立てた複数の基板Ｗを、互いに所定の間隔を空けて水平方向に並べて保持する。また、制御部６０は、複数のローラ１１，１２を制御し、これらのローラ１１，１２に保持した複数の基板Ｗを回転させる。また、制御部６０は、薬液供給部４１、リンス液供給部４２、及び流体供給部４３を制御して、流通溝２１～２３内に薬液、リンス液、及び乾燥流体をそれぞれ流通させる。このとき、上述のように、これらの薬液、リンス液、及び乾燥流体が、流通溝２１～２３内を繰り返し循環するよう制御されてもよい。
複数の基板Ｗの外周部は、順次、流通溝２１内の薬液、及び流通溝２２内のリンス液に浸漬され、さらに流通溝２３内の乾燥流体に晒される。これにより、複数の基板Ｗの外周部に形成された所定膜としてのタングステン膜７３及び窒化チタン膜７２が薬液によって処理される。また、複数の基板Ｗの薬液処理後の外周部が、リンス液によって洗浄される。このとき、上述のように、リンス液の供給位置が、薬液の供給位置よりも基板Ｗの内側寄りであることが好ましい。また、複数の基板Ｗの洗浄後の外周部が、乾燥流体によって乾燥される。
基板Ｗが周方向に回転することで、複数の基板Ｗの外周部のタングステン膜７３及び窒化チタン膜７４が、繰り返し薬液によって処理されて、これらの膜厚が次第に減少していく。
一方で、制御部６０は、少なくとも上記の薬液による処理前に、膜厚計５０から計測結果を取得する。これにより、薬液処理前のタングステン膜７３及び窒化チタン膜７４の膜厚のデータが得られる。制御部６０は、これらの膜厚から、基板Ｗの外周部の薬液処理時間を決定することができる。
または、薬液処理前の計測結果に加えて、あるいは替えて、制御部６０は、上記の薬液処理中、膜厚計５０から計測結果を継続的に取得し、タングステン膜７３及び窒化チタン膜７４の膜厚をモニタしてもよい。
この場合、制御部６０は、タングステン膜７３及び窒化チタン膜７４のリアルタイムの膜厚から、これらのタングステン膜７３及び窒化チタン膜７４が消失したタイミングを終点として薬液処理を終了することができる。制御部６０が、タングステン膜７３及び窒化チタン膜７４の下地であるチタン膜７２ｂが露出したことを検出して、チタン膜７２ｂ露出の検出タイミングを終点として薬液処理を終了してもよい。
図２（ｃ）に示すように、基板処理装置１の上記処理により、基板Ｗの外周部からタングステン膜７３及び窒化チタン膜７４が除去される。
なお、基板処理装置１による処理が終了した時点で、基板Ｗのリンス液による洗浄、及び乾燥流体による乾燥が完全に施されていなくともよい。少なくともそれ以上、薬液による基板Ｗの処理が進まない程度に薬液が除去されていれば、基板Ｗに薬液またはリンス液が若干残っていてもよい。そのような場合には、基板処理装置１から基板Ｗを搬出した後、他の洗浄装置等により、基板Ｗの洗浄および乾燥を完遂させてもよい。
これ以降も、各種工程を行うことで、実施形態１の半導体装置７０が製造される。
（概括）
半導体装置は、成膜工程とエッチング工程とを含む複数の工程を繰り返し行うことで製造される。このとき、素子領域外に形成された所定膜を適宜除去して、基板Ｗの表面の平坦性を保ち、また、パーティクルの発生等を抑制している。
基板外周部の所定膜を除去する際、通常は、水平に保持した基板を回転させて、基板の外周部に薬液を供給する。これにより、基板の回転によって薬液が基板の外側へと飛散するので、基板の中心側へと薬液が広がってしまうのを抑制して、所望の幅に基板の外周部を処理することができる。
しかしながら、基板を水平に保持する基板処理装置では、接地面積を削減することが困難である。また、基板を１つずつ処理する枚葉式の構成を採らざるを得ず、複数の基板を１度に処理するバッチ式の装置構成とすることが困難である。このため、基板処理装置の生産性が低下してしまう。
また、基板外周部の所定膜を除去する際には、膜残りが生じないよう、基板の面内、及び基板間での所定膜の膜厚差を考慮して、ターゲット膜厚に対して余剰の処理時間をかけて処理を行っている。これによっても、基板処理装置の生産性が低下してしまうほか、薬液の消費量も増大してしまう。
実施形態１の基板処理装置１によれば、垂直に立てた複数の基板Ｗを所定の間隔を空けて水平方向に並べて保持した状態で回転させ、複数の基板Ｗの下部側において、複数の基板Ｗの回転方向の上流側から順に、複数の基板Ｗの外周部に沿って配置される流通溝２１～２３に、それぞれ薬液、リンス液、及び乾燥流体を流通させる。
これにより、基板処理装置１の設置面積を削減することができる。また、容易にバッチ式の基板処理装置１を構成することができ、生産性を向上させることができる。また、例えば薬液による所定膜の除去、基板Ｗの外周部の洗浄および乾燥を１つの基板処理装置１で一括して行うことができるため、このことによっても生産性を向上させることが可能である。
実施形態１の基板処理装置１によれば、複数の基板Ｗの所定膜が形成された面が向く方向を前方として、複数の基板Ｗのうち先頭の基板Ｗの上部側の所定膜の膜厚を計測する。上記のように、基板Ｗを垂直に立てて処理することで、１つの基板Ｗ内で、薬液によって処理される部分と、乾燥した部分とを明確に分けることができ、乾燥した部分での膜厚計測が可能となる。また、水滴等によって阻害されることなく膜厚計測ができるので、高精度に膜厚のデータを取得することができる。
これにより、所定膜の膜厚に基づいて薬液による処理時間を決定することができる。よって、基板処理装置１の生産性を向上させることができ、また、薬液の消費量を削減することができる。
実施形態１の基板処理装置１によれば、流通溝２１～２３は、複数の基板Ｗに対し、複数の基板Ｗの径方向の位置を変更可能に構成されている。これにより、基板Ｗに対する薬液の液面高さを変更して、基板Ｗの外周部の処理幅を精密に制御することができる。また、基板Ｗの外周部にリング状に形成される所定膜が、基板Ｗの中心位置に対して偏心している際などに、基板Ｗの外周部位置ごとに処理幅を変更することができる。
（変形例１）
次に、図３を用いて、実施形態１の変形例１の基板処理装置１ａの構成例について説明する。変形例１の基板処理装置１ａは、薬液の供給量を変更することで基板Ｗ外周部の処理幅を調整する点が上述の実施形態１とは異なる。
図３は、実施形態１の変形例１にかかる基板処理装置１ａの構成の一例を示す模式図である。なお、図３においては、上述の実施形態１と同様の構成に同様の符号を付して、その説明を省略する場合がある。
図３に示すように、基板処理装置１ａは、複数の基板Ｗ（Ｗａ，Ｗｂ，Ｗｃ・・・）にそれぞれ対応し、薬液供給部１４１（１４１ａ，１４１ｂ，１４１ｃ・・・）がそれぞれ設けられた複数の流通溝１２１（１２１ａ，１２１ｂ，１２１ｃ・・・）を備える。
流通溝１２１に設けられた薬液供給部１４１は、制御部１６０の制御にしたがって、流通溝１２１に流通させる薬液の供給量を変更可能に構成される。制御部１６０は、例えば膜厚計５０による膜厚計測結果に基づいて薬液供給部１４１を制御して、流通溝１２１への薬液の供給量を変更する。これにより、流通溝１２１内の薬液の液面高さが変更されて、基板Ｗ外周部の処理幅を調整することができる。
すなわち、薬液の供給量を減少させることで、流通溝１２１内の薬液の液面高さが低下して、基板Ｗ外周部の処理幅を狭めることができる。また、薬液の供給量を増加させることで、流通溝１２１内の薬液の液面高さが増して、基板Ｗ外周部の処理幅を広げることができる。
なお、流通溝１２１と同様、リンス液が流通される変形例１の流通溝、及び乾燥流体が流通される変形例１の流通溝に、リンス液の供給量を変更可能なリンス液供給部、及び乾燥流体の供給量を変更可能な流体供給部がそれぞれ設けられていてよい。
また、流通溝１２１、並びにリンス液および乾燥流体の流通溝に、上述の実施形態１と同様、これらを基板Ｗの径方向に駆動可能な駆動部が設けられていてもよい。この場合、制御部１６０は、これらの流通溝１２１等に供給する薬液、リンス液、及び乾燥流体の供給量と、これらの流通溝１２１等の基板Ｗに対する径方向の位置との両方を適宜調整して、基板Ｗ外周部の処理幅を調整してもよい。
変形例１の基板処理装置１ａによれば、薬液供給部１４１は、薬液の供給量を調整して、流通溝１２１内の薬液の液面高さを変更可能に構成されている。このような構成によっても、基板Ｗ外周部の処理幅を調整可能である。
変形例１の基板処理装置１ａによれば、その他、上述の実施形態１の基板処理装置１と同様の効果を奏する。
（変形例２）
次に、図４及び図５を用いて、実施形態１の変形例２の基板処理装置１ｂ，１ｃの構成例について説明する。変形例２の基板処理装置１ｂ，１ｃは、流通溝内にノズルを有する点が上述の実施形態１とは異なる。
図４及び図５は、実施形態１の変形例２にかかる基板処理装置１ｂ，１ｃの構成の一例を示す模式図である。図４及び図５には、１つの基板Ｗの外周部が通過する流通溝２２１，３２１の拡大図を示す。なお、図４及び図５においては、上述の実施形態１と同様の構成に同様の符号を付して、その説明を省略する場合がある。
図４に示す例では、変形例２の基板処理装置１ｂは、複数の基板Ｗにそれぞれ対応し、薬液を供給する薬液ノズル２２１ａ，２２１ｂがそれぞれ設けられた複数の流通溝２２１を備える。より具体的には、これらの薬液ノズル２２１ａ，２２１ｂは、流通溝２２１の内壁面に設けられている。
このとき、薬液ノズル２２１ａ，２２１ｂは、基板Ｗの表裏面に対向する流通溝２２１の両側の内壁面にそれぞれ設けられていることが好ましい。これにより、処理対象の所定膜が基板Ｗの表裏面のいずれか、あるいは両面に形成されている場合のいずれにおいても、対象となる所定膜を薬液で処理することができる。
また、これらの薬液ノズル２２１ａ，２２１ｂは、例えば先端部分が上下方向に駆動することによって、薬液の吐出方向を変更可能に構成されている。また、個々の流通溝２２１には、これらの薬液ノズル２２１ａ，２２１ｂをそれぞれ制御する駆動部２３１ａ，２３１ｂが設けられている。
流通溝２２１に設けられた駆動部２３１ａ，２３１ｂは、制御部２６０の制御にしたがって、薬液ノズル２２１ａ，２２１ｂの上下方向の向きを変更し、流通溝２２１に流通させる薬液の吐出方向を変更する。制御部２６０は、例えば膜厚計５０による膜厚計測結果に基づいて駆動部２３１ａ，２３１ｂを制御して、薬液ノズル２２１ａ，２２１ｂの上下方向の向きを変更する。これにより、基板Ｗ外周部の処理幅を調整することができる。
すなわち、薬液ノズル２２１ａ，２２１ｂを下方に向けることで、基板Ｗのより端部側に薬液が吐出されて、基板Ｗ外周部の処理幅を狭めることができる。また、薬液ノズル２２１ａ，２２１ｂを上方に向けることで、基板Ｗのより内側に薬液が吐出されて、基板Ｗ外周部の処理幅を広げることができる。
なお、駆動部２３１ａ，２３１ｂは、基板Ｗの表裏面側の薬液ノズル２２１ａ，２２１ｂを独立して制御可能であることが好ましい。これにより、薬液ノズル２２１ａ，２２１ｂによる薬液の吐出方向を独立して制御して、基板Ｗの表裏面の外周部の処理幅をそれぞれ異ならせることができる。
また、流通溝２２１と同様、リンス液が流通される変形例２の流通溝、及び乾燥流体が流通される変形例２の流通溝に、リンス液を吐出可能なリンス液ノズル、及び乾燥流体を吐出可能な流体ノズルがそれぞれ設けられていてよい。
図５に示す例では、変形例２の基板処理装置１ｃは、複数の基板Ｗにそれぞれ対応し、薬液を供給する薬液ノズル３２１ａ～３２１ｆがそれぞれ設けられた複数の流通溝３２１を備える。より具体的には、これらの薬液ノズル３２１ａ～３２１ｆは、流通溝３２１の内壁面に設けられている。
このとき、薬液ノズル３２１ａ～３２１ｆは、基板Ｗの表裏面に対向する流通溝３２１の両側の内壁面にそれぞれ設けられていることが好ましい。すなわち、薬液ノズル３２１ａ～３２１ｃは、例えば基板Ｗの一方側の面に対向する流通溝３２１の内壁面に、上方側から下方側へと並んで設けられる。また、薬液ノズル３２１ｄ～３２１ｆは例えば基板Ｗの他方側の面に対向する流通溝３２１の内壁面に、上方側から下方側へと並んで設けられる。
また、個々の流通溝３２１には、基板Ｗの一方側の面に対向する薬液ノズル３２１ａ～３２１ｃを制御する駆動部３３１ａと、基板Ｗの他方側の面に対向する薬液ノズル３２１ｄ～３２１ｆを制御する駆動部３３１ｄとがそれぞれ設けられている。
流通溝３２１に設けられた駆動部３３１ａは、制御部３６０の制御にしたがって、薬液ノズル３２１ａ～３２１ｃのうち少なくともいずれかを制御して、流通溝３２１に流通させる薬液の吐出高さを変更する。制御部３６０は、例えば膜厚計５０による膜厚計測結果に基づいて駆動部３３１ａを制御して、薬液ノズル３２１ａ～３２１ｃの少なくともいずれかから薬液を吐出させる。これにより、基板Ｗ外周部の処理幅を調整することができる。
すなわち、薬液ノズル３２１ａ～３２１ｃのうちより低い位置に設けられる薬液ノズル３２１ｃから薬液を吐出させることで、基板Ｗのより端部側に薬液が吐出されて、基板Ｗ外周部の処理幅を狭めることができる。また、薬液ノズル３２１ａ～３２１ｃのうちより高い位置に設けられる薬液ノズル３２１ａから薬液を吐出させることで、基板Ｗのより内側に薬液が吐出されて、基板Ｗ外周部の処理幅を広げることができる。
流通溝３２１に設けられた駆動部３３１ｄは、制御部３６０の制御にしたがって、薬液ノズル３２１ｄ～３２１ｆのうち少なくともいずれかを制御して、流通溝３２１に流通させる薬液の吐出高さを変更する。制御部３６０は、例えば膜厚計５０による膜厚計測結果に基づいて駆動部３３１ｄを制御して、薬液ノズル３２１ｄ～３２１ｆの少なくともいずれかから薬液を吐出させる。これにより、基板Ｗ外周部の処理幅を調整することができる。
なお、流通溝３２１と同様、リンス液が流通される変形例２の流通溝、及び乾燥流体が流通される変形例２の流通溝に、基板Ｗの両面にリンス液を吐出可能な複数のリンス液ノズル、及び基板Ｗの両面に乾燥流体を吐出可能な複数の流体ノズルがそれぞれ設けられていてよい。
また、流通溝２２１，３２１、並びにリンス液および乾燥流体の流通溝に、上述の実施形態１と同様、これらを基板Ｗの径方向に駆動可能な駆動部が設けられていてもよい。この場合、制御部２６０，３６０は、これらの流通溝２２１，３２１等の薬液ノズル等と、これらの流通溝２２１，３２１等の基板Ｗに対する径方向の位置との両方を適宜調整して、基板Ｗ外周部の処理幅を調整してもよい。
変形例２の基板処理装置１ｂによれば、流通溝２２１は、流通溝２２１の内壁に設けられ、薬液の吐出方向を上下に変更可能な薬液ノズル２２１ａ，２２１ｂを有する。また、変形例２の基板処理装置１ｃによれば、流通溝３２１は、流通溝３２１の内壁に上下に並んで設けられた複数の薬液ノズル３２１ａ～３２１ｆを有する。このような構成によっても、基板Ｗ外周部の処理幅を調整可能である。
変形例２の基板処理装置１ｂ，１ｃによれば、その他、上述の実施形態１の基板処理装置１と同様の効果を奏する。
（変形例３）
次に、図６を用いて、実施形態１の変形例３の基板処理装置の構成例について説明する。変形例３の基板処理装置は、流通溝４２１ａ～４２１ｃの形状が上述の実施形態１とは異なる。
図６は、実施形態１の変形例３にかかる基板処理装置の構成の一例を示す模式図である。図６には、１つの基板Ｗの外周部が通過する流通溝４２１ａ～４２１ｃを示す。なお、図６においては、上述の実施形態１と同様の構成に同様の符号を付して、その説明を省略する場合がある。
図６（ａ）に示す例では、変形例３の流通溝４２１ａはＵ字型の断面形状を有する。図６（ｂ）に示す例では、変形例３の流通溝４２１ｂはＶ字型の断面形状を有する。図６（ｃ）に示す例では、変形例３の流通溝４２１ｃは上端が開放された矩形の断面形状を有する。
このように、流通溝４２１ａ～４２１ｃは、薬液を流通させて基板Ｗの外周部を処理することが可能であれば、どのような形状を有していてもよい。この点は、リンス液を流通させる流通溝、及び乾燥流体を流通させる流通溝についても同様である。
変形例３の基板処理装置によれば、上述の実施形態１の基板処理装置１と同様の効果を奏する。
（変形例４）
次に、図７を用いて、実施形態１の変形例４の基板処理装置１ｄの構成例について説明する。変形例４の基板処理装置１ｄは、複数の基板Ｗに共有される流通溝５２１を備える点が上述の実施形態１とは異なる。
図７は、実施形態１の変形例４にかかる基板処理装置１ｄの構成の一例を示す模式図である。なお、図７においては、上述の実施形態１と同様の構成に同様の符号を付して、その説明を省略する場合がある。
図７に示すように、基板処理装置１ｄは、水平方向に並ぶ複数の基板Ｗの外周部を一括して浸漬可能な幅広の流通溝５２１を備える。すなわち、変形例４の流通溝５２１は、複数の基板Ｗ間で共有される。また、流通溝５２１に薬液を供給する薬液供給部５４１もまた、例えば流通溝５２１に１つのみ設けられている。変形例４の制御部５６０は、薬液供給部５４１を制御して、流通溝５２１に薬液を供給する。
また、変形例４の基板処理装置１ｄにおいて、リンス液を流通させる流通溝、及び乾燥流体を流通させる流通溝、並びにこれらに設けられるリンス液供給部および流体供給部がそれぞれ１つずつ設けられており、複数の基板Ｗ間で共有されていてもよい。
これらの薬液供給部５４１、リンス液供給部、及び流体供給部による薬液、リンス液、及び乾燥流体の供給量が調整可能に構成されていてもよい。また、変形例４の基板処理装置１ｄが、例えば実施形態１のように、流通溝５２１等を複数の基板Ｗの径方向に移動する駆動部を備えていてもよい。
変形例４の基板処理装置によれば、上述の実施形態１の基板処理装置１と同様の効果を奏する。
なお、上述の実施形態１等では、個々の基板Ｗごとにローラ１１，１２が設けられることしたが、ローラ１１，１２が水平方向に並ぶ複数の基板Ｗの幅に延び、複数の基板Ｗ間で共有されていてもよい。
（変形例５）
次に、図８を用いて、実施形態１の変形例５の基板処理装置１ｅの構成例について説明する。変形例５の基板処理装置１ｅは、薬液を流通させる複数の流通溝６２１ａ，６２１ｂを備える点が上述の実施形態１とは異なる。
図８は、実施形態１の変形例５にかかる基板処理装置１ｅの構成の一例を示す模式図である。なお、図８においては、上述の実施形態１と同様の構成に同様の符号を付して、その説明を省略する場合がある。
図８に示すように、基板処理装置１ｅは、複数の基板Ｗのそれぞれに対応して設けられる複数の流通溝６２１ａ，６２１ｂを備える。また、流通溝６２１ａには、薬液を供給する薬液供給部６３１ａが設けられている。流通溝６２１ｂには、薬液を供給する薬液供給部６３１ｂが設けられている。
なお、図８には、基板処理装置１ｅが、薬液供給部６４１ａ，６４１ｂがそれぞれ設けられた２つの流通溝６２１ａ，６２１ｂを備える例を示している。しかし、流通溝６２１は３つ以上設けられていてもよい。このように、薬液を流通させる流通溝６２１の数を増やしていくことで、基板Ｗの外周部に形成される所定膜の１回転あたりの除去速度を高めることができる。
また、リンス液を流通させる流通溝を複数設け、薬液による処理後の１回転あたりの基板Ｗの洗浄速度を高め、また、基板Ｗの洗浄をより確実に行うようにしてもよい。また、乾燥流体を流通させる流通溝を複数設け、洗浄後の１回転あたりの基板Ｗの乾燥速度を高め、また、基板Ｗの乾燥をより確実に行うようにしてもよい。
また、これらの流通溝６２１ａ，６２１ｂ等に設けられる薬液供給部６４１ａ，６４１ｂ、リンス液供給部、及び流体供給部による薬液、リンス液、及び乾燥流体の供給量が調整可能に構成されていてもよい。また、変形例５の基板処理装置１ｅが、例えば実施形態１のように、流通溝６２１ａ，６２１ｂ等を複数の基板Ｗの径方向に移動する駆動部を備えていてもよい。
変形例５の基板処理装置によれば、１つの基板Ｗに対して複数の流通溝６２１ａ，６２１ｂを備える。これにより、１回転あたりの基板Ｗの処理速度を高めることができる。
変形例５の基板処理装置によれば、その他、上述の実施形態１の基板処理装置１と同様の効果を奏する。
［実施形態２］
以下、図面を参照して実施形態２について詳細に説明する。実施形態２においては、基板処理装置が枚様式である点が、上述の実施形態１とは異なる。
上述の実施形態１等では、基板Ｗを垂直に立てることで、基板処理装置１をバッチ式の構成とすることとした。しかし、例えばより精密な所定膜の除去処理が必要な場合等には、枚葉式の構成を採用し、個々の基板Ｗごとに膜厚計測を行うようにしてもよい。
以下に、枚葉式の構成を採用した場合の基板処理装置の例について説明する。
図９は、実施形態２にかかる基板処理装置２の構成の一例を示す模式図である。図９（ａ）は基板処理装置２の処理室内を側面から見た図であり、図９（ｂ）は基板処理装置２の処理室内を正面から見た図である。図９（ｃ）及び図９（ｄ）は、基板Ｗを傾けて保持する基板処理装置２の処理室内を側面から見た図である。
なお、図９においては、上述の実施形態１と同様の構成には同様の符号を付し、その説明を省略する。
図９（ａ）（ｂ）に示すように、実施形態２の基板処理装置２は、保持部７１１、薬液槽７２１、ノズル７２４、駆動部７３１、遮蔽板７７１，７７２、膜厚計５０、及び制御部７６０を備える。
保持部７１１は、基板Ｗの裏面に吸着して支持し、基板Ｗを垂直に立てた状態で保持する。基板Ｗの裏面とは、半導体装置が設けられる面を表面として、その反対側の面である。また、保持部７１１は、保持した基板Ｗを上下動させること、及び周方向に回転させることが可能に構成される。基板Ｗの回転速度は、例えば１０００ｒｐｍなどとすることができる。
保持部７１１には、保持部７１１を上下動および回転させる駆動部７３１、及び保持部７１１によって基板Ｗを吸引する図示しないポンプ等が設けられている。
保持部７１１に保持された基板Ｗの下部側には、基板Ｗの図示しない所定膜を除去する薬液が貯留された薬液槽７２１が設けられている。薬液槽７２１は、例えば互いに向かい合う側面の一方側に薬液が流入する流入口７２１ｎを備え、他方側に薬液が流出する流出口７２１ｔを備える。
基板Ｗが処理される間、薬液は、図示しないポンプにより流入口７２１ｎから薬液槽７２１へと流入し、流出口７２１ｔから排出される。これにより、薬液槽７２１内に薬液の流れが生じ、基板Ｗの所定膜の除去速度が高まる。なお、流出口７２１ｔから排出された薬液が、再び流入口７２１ｎから薬液槽７２１へと循環されて、繰り返し使用されてもよい。
薬液槽７２１上方の基板Ｗの周囲には、遮蔽板７７１，７７２が設けられている。遮蔽板７７１，７７２は、それぞれ基板Ｗの一方の面側と他方の面側とに、これらの面からごく僅かな隙間を有して設けられる。これにより、薬液槽７２１に貯留される薬液が、基板Ｗの上部側へと飛散することを抑制する。なお、遮蔽板７７１，７７２は、中心部に基板Ｗが挿入されるスリットを有して一体的に構成されていてもよい。
これらの遮蔽板７７１，７７２上方の基板Ｗの表面近傍であって、薬液槽７２１に対して基板Ｗの回転方向の下流側には、ノズル７２４が設けられている。ノズル７２４は、図示しないリンス液の供給源と乾燥流体の供給源とに接続され、これらの供給源からリンス液、及び乾燥流体を適宜、薬液処理後の基板Ｗの外周部に吹き付ける。
なお、リンス液および乾燥流体が基板Ｗの内側から外側に向けて吹き付けられるよう、基板Ｗに対するノズル７２４の角度等が調整されていることが好ましい。リンス液および乾燥流体を吹き付ける方向をこのように調整することで、薬液およびリンス液等が基板Ｗの内側へと広がってしまうことが抑制される。
以上のように、ノズル７２４により、薬液処理後の基板Ｗの外周部が、洗浄され、乾燥される。このとき、リンス液および乾燥流体を吹き付けるノズル７２４が、基板Ｗの裏面側に設けられていてもよい。これにより、基板Ｗの裏面側の外周部についても洗浄および乾燥を行うことができる。
膜厚計５０は、例えばＸ線等の電磁波Ｌｍを基板Ｗの上部側の計測ポイントＰｍに照射して、基板Ｗの外周部に形成された所定膜の膜厚を計測する。実施形態２の基板処理装置２においても、膜厚計５０が、ノズル７２４の下流側から薬液槽７２１の上流端の間を通過中の基板Ｗの外周部を、いずれの位置で膜厚計測してもよい。
この間において、基板Ｗの外周部は乾燥された状態であり、薬液またはリンス液の液滴等に阻害されることなく、高精度に所定膜の膜厚を計測することができる。換言すれば、膜厚計５０による計測の精度が充分得られるほどに、基板Ｗが乾燥した状態であればよい。
なお、基板Ｗ裏面側の所定膜が処理対象である場合、または裏面側の所定膜においてより精密な処理が必要とされる場合には、膜厚計５０が、基板Ｗの裏面側に対向する位置に設けられ、裏面側の所定膜の膜厚を計測可能であってもよい。
制御部７６０は、保持部７１１、ノズル７２４、駆動部７３１、遮蔽板７７１，７７２、膜厚計５０、及び図示しない各種ポンプ等の基板処理装置２の各部を制御する。このとき、制御部７６０は、上述の実施形態１の制御部６０と同様、膜厚計５０の計測結果に基づいて、各種手法により薬液による処理時間、または薬液処理の終点を検出し、保持部７１１により薬液への基板Ｗの沈み込み量を制御するなどして、所望の薬液処理がなされるよう、基板処理装置２の各部を制御する。
なお、実施形態２の基板処理装置２においても、基板Ｗの処理が終了した時点で、基板Ｗに若干の薬液またはリンス液残りが生じていてもよい。この場合には、上述の実施形態１で説明したように、別の洗浄装置等によりこれらの処理を完遂することができる。
図９（ｃ）（ｄ）に示すように、実施形態２の基板処理装置２は、基板Ｗを垂直に立てた状態のみならず、傾けて保持することも可能である。
すなわち、図９（ｃ）に示すように、駆動部７３１は、例えば制御部７６０の制御にしたがって保持部７１１による基板Ｗの保持角度を調整し、垂直状態から表面側に基板Ｗを傾けた状態で、基板Ｗを保持させることが可能である。表面側がやや下方を向くよう基板Ｗを傾けることで、例えば裏面側よりも表面側の外周部の処理幅を広くすることができる。また、薬液の裏面側への回り込みを抑制することができる。
このように、主要な処理対象面が基板Ｗの表面側である場合等には、基板Ｗを表面側に傾けた状態で薬液による処理を行うことができる。
また、図９（ｄ）に示すように、駆動部７３１は、例えば制御部７６０の制御にしたがって保持部７１１による基板Ｗの保持角度を調整し、垂直状態から裏面側に基板Ｗを傾けた状態で、基板Ｗを保持させることが可能である。裏面側がやや下方を向くよう基板Ｗを傾けることで、例えば表面側よりも裏面側の外周部の処理幅を広くすることができる。また、薬液の表面側への回り込みを抑制することができる。
このように、主要な処理対象面が基板Ｗの裏面側である場合等には、基板Ｗを裏面側に傾けた状態で薬液による処理を行うことができる。
上記構成において、制御部７６０は、例えば膜厚計５０による所定膜の膜厚計測結果に基づいて、駆動部７３１を制御して、保持部７１１による基板Ｗの保持角度を調整させることができる。
実施形態２の基板処理装置２によれば、外周部に所定膜が形成された基板Ｗの面方向が水平方向と交差するよう、裏面を保持した基板Ｗを周方向に回転させ、薬液が貯留された薬液槽７２１に基板Ｗの一端側を浸漬し、薬液槽７２１の下流側で、基板Ｗの外周部にリンス液および前記リンス液を乾燥させる流体をノズル７２４によって供給する。
これにより、基板処理装置２の設置面積を削減することができる。また、例えば薬液による所定膜の除去、基板Ｗの外周部の洗浄および乾燥を一括して行うことができるため、基板処理装置２の生産性を向上させることが可能である。
実施形態２の基板処理装置２によれば、ノズル７２４の下流側で、基板Ｗの外周部における所定膜の膜厚を膜厚計５０により計測する。このように、基板Ｗを垂直に立てて処理することで、基板Ｗの乾燥した領域において所定膜の膜厚計測をすることができるので、高精度に膜厚のデータを取得することができる。
これにより、所定膜の膜厚に基づいて薬液による処理時間を決定することができ、余剰の処理時間を削減して、基板処理装置１の生産性を向上させることができる。また、薬液の消費量を削減することができる。
実施形態２の基板処理装置２によれば、保持部７１１は、基板Ｗを垂直状態から裏面側に傾けた状態、及び基板Ｗを垂直状態から表面側に傾けた状態で、基板Ｗを保持することが可能に構成される。これにより、基板Ｗの表面側または裏面側を主要な処理対象面として基板処理を行うことができる。また、基板Ｗを傾けた方向とは反対側の面への薬液の回り込みを抑制することができる。
実施形態２の基板処理装置２によれば、薬液槽７２１は、薬液が流入する流入口７２１ｎと、薬液が流出する流出口７２１ｔと、を有している。これにより、薬液槽７２１内において薬液を流通させることができ、基板Ｗの所定膜の除去速度を高めることができる。
実施形態２の基板処理装置２によれば、その他、上述の実施形態１の基板処理装置１と同様の効果を奏する。
（変形例１）
次に、図１０を用いて、実施形態２の変形例１の基板処理装置について説明する。変形例１の基板処理装置は、吸引ノズル７２５を備える点が上述の実施形態２とは異なる。
図１０は、実施形態２の変形例１にかかる基板処理装置が備えるノズル７２４及び吸引ノズル７２５の構成の一例を示す模式図である。なお、図１０においては、上述の実施形態２と同様の構成には同様の符号を付し、その説明を省略する。
図１０に示すように、変形例１の基板処理装置は、リンス液および乾燥流体を基板Ｗに吹き付けるノズル７２４の近傍に、吸引ノズル７２５を備える。吸引ノズル７２５は、例えば図示しないポンプに接続されており、ノズル７２４から基板Ｗに吹き付けられたリンス液および乾燥流体、並びにノズル７２４から吐出された余剰のリンス液および乾燥流体を吸引する。
変形例１の基板処理装置によれば、リンス液および乾燥流体を吸引する吸引ノズル７２５を備える。これにより、使用済み、または余剰のリンス液および乾燥流体を吸引して、基板Ｗの洗浄および乾燥を素早く行うことができる。
変形例１の基板処理装置によれば、その他、上述の実施形態２の基板処理装置２と同様の効果を奏する。
（変形例２）
次に、図１１を用いて、実施形態２の変形例２の基板処理装置について説明する。変形例２の基板処理装置は、接触式のノズル８２４ａ，８２４ｂを備える点が上述の実施形態２とは異なる。
図１１は、実施形態２の変形例２にかかる基板処理装置が備えるノズル８２４ａ，８２４ｂの構成の一例を示す模式図である。なお、図１１においては、上述の実施形態２と同様の構成には同様の符号を付し、その説明を省略する。
図１１（ａ）に示す例では、変形例２の基板処理装置は、複数の針状部材８２４ｎを先端部に有するノズル８２４ａを備える。このようなノズル８２４ａは、ノズル８２４ａの先端部が例えば１ｍｍ以下等の微細な径を有する針状に構成されることで得られる。これらの針状部材８２４ｎは、柔軟性を有する素材で形成されていることが好ましい。
変形例２の基板処理装置において、ノズル８２４ａは、先端部の針状部材８２４ｎを、基板Ｗのベベルに接触させた状態で、針状部材８２４ｎから適宜、リンス液および乾燥流体を吹き付ける。これにより、基板Ｗのベベルから外周部へとリンス液および乾燥流体が供給され、基板Ｗの外周部が洗浄および乾燥される。
このように、針状部材８２４ｎを直接、基板Ｗに接触させて処理を行うので、基板Ｗの洗浄速度および乾燥速度が向上する。また、上記のように、針状部材８２４ｎが柔軟性を有することで、基板Ｗとの接触時、基板Ｗが損傷してしまうことが抑制される。
図１１（ｂ）に示す例では、変形例２の基板処理装置は、スポンジ状部材８２４ｓを先端部に有するノズル８２４ｂを備える。このようなノズル８２４ｂは、ノズル８２４ｂの先端部に、例えばスポンジ状に成形された樹脂等を設けることで得られる。
変形例２の基板処理装置において、ノズル８２４ｂは、先端部のスポンジ状部材８２４ｓを、基板Ｗのベベルに接触させた状態で、適宜、スポンジ状部材８２４ｓへとリンス液および乾燥流体を浸潤させる。これにより、スポンジ状部材８２４ｓからこれらのリンス液および乾燥流体が浸出し、基板Ｗの外周部へと供給されて、基板Ｗの外周部が洗浄および乾燥される。
このように、針状部材８２４ｎを直接、基板Ｗに接触させて処理を行うので、基板Ｗの洗浄速度および乾燥速度が向上する。また、先端部にスポンジ状部材８２４ｓを有することで、基板Ｗとの接触時、基板Ｗが損傷してしまうことが抑制される。
変形例２の基板処理装置によれば、ノズル８２４ａ，８２４ｂは、基板Ｗに接触する針状部材８２４ｎまたはスポンジ状部材８２４ｓを先端部に有する。これにより、基板Ｗの洗浄および乾燥を素早く行うことができる。
変形例２の基板処理装置によれば、その他、上述の実施形態２の基板処理装置２と同様の効果を奏する。
（変形例３）
次に、図１２を用いて、実施形態２の変形例３の基板処理装置２ｃについて説明する。変形例３の基板処理装置２ｃは、複数のノズルを備える点が上述の実施形態２とは異なる。
図１２は、実施形態２の変形例３にかかる基板処理装置が備える複数のノズルの構成の一例を示す模式図である。図１２（ａ）は基板処理装置２ｃの処理室内を側面から見た図であり、図１２（ｂ）は基板処理装置２ｃの処理室内を正面から見た図である。なお、図１２においては、上述の実施形態２と同様の構成には同様の符号を付し、その説明を省略する。
図１２に示すように、変形例３の基板処理装置２ｃは、それぞれ独立してリンス液および乾燥流体を、それぞれ基板Ｗに吹き付けるリンス液ノズル９２２と、流体ノズル９２３とを備える。また、これらに加え、上述の変形例１の吸引ノズル７２５がこれらの近傍に設けられていてもよい。あるいは、個々のリンス液ノズル９２２及び流体ノズル９２３に近接して、上述の吸引ノズル７２５がそれぞれ設けられていてもよい。
変形例３の基板処理装置２ｃによれば、基板処理装置２ｃに設けられるノズルは、基板Ｗの外周部にリンス液を供給するリンス液ノズル９２２と、基板Ｗの外周部に乾燥流体を供給する流体ノズル９２３とを含む。このように、リンス液ノズル９２２と流体ノズル９２３を個々に独立させることで、より精密に基板Ｗの洗浄および乾燥を行うことができる。
なお、変形例３の基板処理装置２ｃが、薬液槽７２１に替えて、薬液を基板Ｗに吹き付ける薬液ノズルを備えていてもよい。また、薬液ノズルの近傍に薬液を吸引する吸引ノズルが更に設けられていてもよい。これにより、薬液槽７２１を廃して、よりコンパクトに基板処理装置２ｃを構成することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１，１ａ～１ｅ，２，２ｃ…基板処理装置、１１，１２…ローラ、２１，２２，２３，１２１，２２１，３２１，４２１ａ～４２１ｃ，５２１，６２１ａ，６２１ｂ…流通溝、３１，３２，３３，２３１，３３１…駆動部。４１，１４１，５４１，６４１ａ，６４１ｂ…薬液供給部、４２…リンス液供給部、４３…流体供給部、５０…膜厚計、６０，１６０～３６０，５６０，７６０…制御部、７０…半導体装置、７２…窒化チタン膜、７３…タングステン膜、２２１ａ，２２１ｂ，３２１ａ～３２１ｃ…薬液ノズル、７１１…保持部、７２１…薬液槽、７３１…駆動部、７２４，７２５，８２４ａ，８２４ｂ…ノズル、９２２…リンス液ノズル、９２３…流体ノズル、Ｗ…基板。

Claims (12)

  1. 垂直に立てた複数の基板を所定の間隔を空けて水平方向に並べて保持し、前記複数の基板を周方向に回転させるローラと、
    前記複数の基板の下部側において、前記複数の基板の回転方向の上流側から順に、前記複数の基板の外周部に沿って配置される第１乃至第３の流通溝と、
    前記第１の流通溝内を通過する前記複数の基板の外周部に薬液を供給する薬液供給部と、
    前記第２の流通溝内を通過する前記複数の基板の外周部にリンス液を供給するリンス液供給部と、
    前記第３の流通溝内を通過する前記複数の基板の外周部に、前記リンス液を乾燥させる流体を供給する流体供給部と、を備える、
    基板処理装置。
  2. 前記第１乃至第３の流通溝は、
    前記複数の基板のそれぞれに対応して配置されている、
    請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第１乃至第３の流通溝は、
    前記複数の基板に対し、前記複数の基板の径方向の位置を変更可能に構成されている、
    請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記第１の流通溝は、
    前記第１の流通溝の内壁に設けられ、前記薬液の吐出方向を上下に変更可能な薬液ノズルを有する、
    請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 前記第１の流通溝は、
    前記第１の流通溝の内壁に上下に並んで設けられた複数の薬液ノズルを有する、
    請求項１に記載の基板処理装置。
  6. 複数の基板を周方向に回転させるローラに、垂直に立てた複数の基板を所定の間隔を空けて水平方向に並べて保持し、
    前記複数の基板の下部側において、前記複数の基板の回転方向の上流側から順に、前記複数の基板の外周部に沿って配置される第１乃至第３の流通溝内を、前記複数の基板の外周部が通過するよう、前記ローラによって前記複数の基板を回転させ、
    前記複数の基板を回転させながら、
    前記第１の流通溝内を通過する前記複数の基板の外周部に薬液を供給し、
    前記第２の流通溝内を通過する前記複数の基板の外周部にリンス液を供給し、
    前記第３の流通溝内を通過する前記複数の基板の外周部に、前記リンス液を乾燥させる流体を供給する、
    基板処理方法。
  7. 外周部に所定膜が形成された複数の基板を周方向に回転させるローラに、垂直に立てた複数の基板を所定の間隔を空けて水平方向に並べて保持し、
    前記複数の基板の下部側において、前記複数の基板の回転方向の上流側から順に、前記複数の基板の外周部に沿って配置される第１乃至第３の流通溝内を、前記複数の基板の外周部が通過するよう、前記ローラによって前記複数の基板を回転させ、
    前記複数の基板を回転させながら、
    前記第１の流通溝内を通過する前記複数の基板の外周部に前記所定膜を除去する薬液を供給し、
    前記第２の流通溝内を通過する前記複数の基板の外周部にリンス液を供給し、
    前記第３の流通溝内を通過する前記複数の基板の外周部に、前記リンス液を乾燥させる流体を供給する、
    半導体装置の製造方法。
  8. 外周部に所定膜が形成された基板の面方向が水平方向と交差するよう前記基板の裏面を保持し、前記基板を周方向に回転させる保持部と、
    前記所定膜を除去する薬液が貯留され、前記基板の一端側が浸漬される薬液槽と、
    前記薬液槽の下流側で、前記基板の外周部にリンス液および前記リンス液を乾燥させる流体を供給するノズルと、
    前記ノズルの下流側で、前記基板の外周部における前記所定膜の膜厚を計測する膜厚計と、を備える、
    基板処理装置。
  9. 前記保持部、前記ノズル、及び前記膜厚計を制御する制御部を更に備え、
    前記制御部は、
    前記膜厚計からの前記所定膜の膜厚の計測結果に基づいて、前記基板の前記薬液への浸漬終了のタイミングを決定する、
    請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 前記保持部は、
    前記基板の位置を径方向に変更可能に構成され、
    前記制御部は、
    前記計測結果に基づいて、前記保持部によって前記基板の径方向の位置を変更させて、前記薬液への前記基板の沈み込み量を調整する、
    請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 前記保持部は、
    前記基板を垂直状態から裏面側に傾けた状態、及び前記基板を垂直状態から表面側に傾けた状態で、前記基板を保持することが可能に構成される、
    請求項９に記載の基板処理装置。
  12. 前記制御部は、
    前記計測結果に基づいて、前記保持部によって前記基板の面方向の角度を変更させて、前記薬液への前記基板の沈み込み量を調整する、
    請求項１１に記載の基板処理装置。
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