CN108604544A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

基板处理装置的基板保持部将基板(9)保持为水平状态。基板旋转机构使基板保持部以沿着上下方向延伸的中心轴J1为中心旋转。顶板(5)与基板(9)的上表面相向，并且以中心轴(J1)为中心旋转。气体供给部向下方空间的径向中央部供给处理环境用气体，该下方空间是顶板(5)的下方的空间。离子生成部(8)生成离子，并向来自气体供给部的处理环境用气体供给该离子。此外，在顶板(5)位于比搬入基板(9)时的位置更靠下方的位置的状态下，使基板保持部与顶板(5)旋转，并且向上述下方空间供给包含离子的处理环境用气体，形成从下方空间的径向中央部向径向外侧扩散的离子气流。由此，能够通过简单的构造对顶板(5)进行除电。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及处理基板的技术。
背景技术
以往，在半导体基板(以下，简称“基板”)的制造工序中，对基板进行各种处理。例如，通过向在表面上形成有抗蚀图案的基板上供给药液，来对基板的表面进行蚀刻等药液处理。此外，在药液处理结束后，对基板上供给清洗液来进行清洗处理，然后，进行基板的干燥处理。
日本特开2003-100694号公报(文献1)的基板处理装置具有将基板保持为水平并使基板旋转的旋转卡爪、以及与基板的上方相向配置的圆板状的遮蔽板。旋转卡爪固定在卡爪旋转驱动机构的旋转轴的上端。遮蔽板的上表面固定有其他旋转轴，该其他旋转轴沿着与旋转卡爪的旋转轴共用的轴线延伸。该其他旋转轴形成为中空，在其内部插通有用于向基板的上表面供给处理液的处理液喷嘴。此外，在该其他旋转轴的内侧面与处理液喷嘴的外侧面之间形成有用于供干燥基板用的氮气流通的氮气流通路。
在文献1的基板处理装置中，在对基板进行干燥处理时，遮蔽板以与基板几乎相同的速度沿相同方向旋转。此外，从上述氮气流通路向基板与遮蔽板之间的空间供给氮气。由此，在基板与遮蔽板之间产生稳定的氮气气流，并通过该气流持续置换基板与遮蔽板之间的环境。结果，可以快速干燥基板，并且防止因从基板甩掉的处理液的溅起而导致的基板的再次污染。
需要说明的是，在这样的基板处理装置中，由于遮蔽板的下表面与氮气气流的摩擦，遮蔽板的下表面有可能带静电。若遮蔽板的下表面带电，则有可能导致遮蔽板的下表面吸附环境中的颗粒，并且该颗粒落到干燥处理后的基板上，从而污染干燥处理后的基板。此外，也有可能因遮蔽板与基板之间的放电而损伤基板上的配线。此外，作为基板处理中使用的处理液，可燃性药液的使用等也可能受到限制。
因此，在文献1的基板处理装置中，通过向干燥处理后的遮蔽板的下表面照射微弱X射线来对遮蔽板的下表面进行除电，该微弱X射线是具有除电作用的电磁波。可以在遮蔽板在干燥处理前被配置成接近基板的状态下，使挡溅板退避到下方，从而向遮蔽板照射微弱X射线。
另外，在专利文献1的基板处理装置中，由于需要向遮蔽板照射X射线的机构，因此有可能导致装置构造复杂化以及大型化。此外，处理喷嘴也有可能因与在遮蔽板的旋转轴与处理喷嘴之间的氮气流通路内流通的氮气摩擦而带电，使处理液等附着在处理喷嘴上。由于该处理喷嘴收纳在遮蔽板的旋转轴的内部，因此难以向该处理喷嘴照射X射线来进行除电。
发明内容
本发明用于处理基板的基板处理装置中，其目的在于通过简单的构造对相向构件进行除电。本发明也用于处理基板的基板处理方法中。
本发明的基板处理装置具有：基板保持部，将基板保持为水平状态；基板旋转机构，使所述基板保持部以沿着上下方向延伸的中心轴为中心进行旋转；相向构件，与所述基板的上表面相向，并且以所述中心轴为中心进行旋转；处理液供给部，向所述基板的所述上表面供给处理液；气体供给部，向下方空间的径向中央部供给处理环境用气体，所述下方空间是所述相向构件的下方的空间；离子生成部，生成离子，并向来自所述气体供给部的所述处理环境用气体供给所述离子；以及控制部，通过控制所述基板旋转机构、所述气体供给部以及所述离子生成部，在所述相向构件位于比搬入所述基板时的所述相向构件的位置更靠下方的位置的状态下，使所述基板保持部与所述相向构件旋转，并且向所述下方空间供给包含所述离子的所述处理环境用气体，形成从所述下方空间的径向中央部向径向外侧扩散的离子气流。由此，能够通过简单的构造对相向构件进行除电。
在本发明的一个优选的实施方式中，形成所述离子气流的所述下方空间是处理空间，所述处理空间是所述相向构件的下表面与所述基板的所述上表面之间的空间，在干燥处理时形成所述离子气流，在所述干燥处理中，通过所述基板旋转机构使所述基板旋转，从所述基板上除去来自所述处理液供给部的所述处理液。
在本发明的其他优选的实施方式中，形成所述离子气流的所述下方空间是处理空间，所述处理空间是所述相向构件的下表面与所述基板的所述上表面之间的空间，在由来自所述处理液供给部的所述处理液对所述基板进行处理之前形成所述离子气流。
更优选，利用在由所述处理液对所述基板进行处理时被供给的所述处理环境用气体，来形成在由所述处理液对所述基板进行处理之前的所述离子气流。
在本发明的其他优选的实施方式中，所述基板处理装置还具有相向构件移动机构，所述相向构件移动机构保持所述相向构件，并且使所述相向构件在上下方向的第一位置与第二位置之间相对于所述基板保持部进行移动，所述相向构件在所述第一位置上被所述相向构件移动机构保持并且向上方离开所述基板保持部，所述相向构件在所述第二位置上被所述基板保持部保持并且通过所述基板旋转机构与所述基板保持部共同旋转。
更优选，所述相向构件具有：相向构件本体，与所述基板的所述上表面相向，并且在径向中央部设置有相向构件开口；以及筒状的相向构件筒部，从所述相向构件本体的所述相向构件开口的周围向上方突出。所述处理液供给部具有处理液喷嘴，所述处理液喷嘴插入所述相向构件筒部，并且经由所述相向构件开口向所述基板的所述上表面供给所述处理液；经由所述处理液喷嘴与所述相向构件筒部之间的空间即喷嘴间隙向所述下方空间供给包含所述离子的所述处理环境用气体。
进一步优选，所述相向构件还具有相向构件凸缘部，所述相向构件凸缘部从所述相向构件筒部的上端部向径向外侧扩展为环状，并且被所述相向构件移动机构保持；在所述相向构件位于所述第二位置的状态下，在所述相向构件凸缘部的上表面上形成与所述喷嘴间隙连接的迷宫，通过向所述迷宫供给包含所述离子的所述处理环境用气体，所述喷嘴间隙被密封而与外部空间隔离，并且利用从所述迷宫流出的包含所述离子的所述处理环境用气体，形成沿着所述相向构件的上表面从径向中央部向径向外侧扩散的上部离子气流。
还优选，所述离子生成部具有放电针，所述放电针通过放电来生成所述离子，所述相向构件还具有第一凹凸部，所述第一凹凸部是在所述相向构件凸缘部的所述上表面呈同心圆状地交替配置凹部与凸部而形成的凹凸部；所述相向构件移动机构具有：保持部下部，在所述上下方向上与所述相向构件凸缘部的下表面相向；保持部上部，在所述上下方向上与所述相向构件凸缘部的所述上表面相向；以及第二凹凸部，该第二凹凸部是在所述保持部上部的下表面上呈同心圆状地交替配置凹部与凸部而形成的凹凸部。在所述相向构件位于所述第二位置的状态下，在所述第一凹凸部与所述第二凹凸部中的一者的凹部内隔开间隙地配置另一者的凸部，从而形成所述迷宫；所述放电针在所述保持部上部的内部配置在所述处理环境用气体的喷射口的内侧，所述喷射口形成在所述第二凹凸部的凹部上表面。
参考附图，通过下面对本发明的详细说明，上述的目的以及其他的目的、特征、方式和优点将变得显而易见。
附图说明
图1是一个实施方式的基板处理装置的剖视图。
图2是基板处理装置的剖视图。
图3是示出将顶板与相向构件移动机构的一部分放大的剖视图。
图4是气体供给路经的俯视图。
图5是示出气液供给部的框图。
图6是示出将处理液喷嘴的部分放大的剖视图。
图7是示出基板的处理流程的图。
图8是基板处理装置的剖视图。
图9是示出其他迷宫的例子的剖视图。
图10是示出其他迷宫的例子的剖视图。
具体实施方式
图1是示出本发明的一个实施方式的基板处理装置1的结构的剖视图。基板处理装置1是逐张处理半导体基板9(以下，简称为“基板9”)的单张式装置。基板处理装置1具有基板保持部31、基板旋转机构33、杯部4、顶板5、相向构件移动机构6以及处理液喷嘴71。基板处理装置1的各结构收纳在外壳11的内部。
基板保持部31将基板9保持为水平状态。基板保持部31具有保持基座部311、多个卡爪312、多个卡合部313以及基座支承部314。基板9配置为在保持基座部311的上方离开保持基座部311。保持基座部311与基座支承部314分别是以沿着上下方向的中心轴J1为中心的大致圆板状的构件。保持基座部311配置在基座支承部314的上侧，并从下方被基座支承部314支承。保持基座部311的外径大于基座支承部314的外径。保持基座部311在以中心轴J1为中心的周向的整个圆周比基座支承部314更向径向外侧扩展。
多个卡爪312以中心轴J1为中心以大致相等的角度间隔地配置在保持基座部311的上表面的外周部的周向上。基板保持部31中，由多个卡爪312支承基板9的外缘部。多个卡合部313以中心轴J1为中心以大致相等的角度间隔地配置在保持基座部311的上表面的外周的周向上。多个卡合部313配置在比多个卡爪312更靠径向外侧的位置。
基板旋转机构33收纳在旋转机构收纳部34的内部。基板旋转机构33与旋转机构收纳部34配置在基板保持部31的下方。基板旋转机构33使基板保持部31以中心轴J1为中心进行旋转。由此，基板9与基板保持部31共同旋转。
杯部4是以中心轴J1为中心的环状构件，配置在基板9与基板保持部31的径向外侧。杯部4沿着基板9与基板保持部31的周围的整周地配置，以接住从基板9向周围飞散的处理液等。杯部4具有第一挡板41、第二挡板42、挡板移动机构43以及排出端口44。
第一挡板41具有第一挡板侧壁部411和第一挡板顶盖部412。第一挡板侧壁部411是以中心轴J1为中心的大致圆筒状。第一挡板顶盖部412是以中心轴J1为中心的大致圆环板状，并从第一挡板侧壁部411的上端部向径向内侧扩展。第二挡板42具有第二挡板侧壁部421和第二挡板顶盖部422。第二挡板侧壁部421是以中心轴J1为中心的大致圆筒状，位于第一挡板侧壁部411的径向外侧。第二挡板顶盖部422是以中心轴J1为中心的大致圆环板状，并在比第一挡板顶盖部412更靠上方的位置从第二挡板侧壁部421的上端部向径向内侧扩展。第一挡板顶盖部412的内径与第二挡板顶盖部422的内径稍大于基板保持部31的保持基座部311的外径与顶板5的外径。
挡板移动机构43通过使第一挡板41在上下方向移动，在第一挡板41与第二挡板42之间切换用于接住来自基板9的处理液等的挡板。被杯部4的第一挡板41与第二挡板42接住的处理液等经由排出端口44向外壳11的外部排出。此外，第一挡板41内与第二挡板42内的气体也经由排出端口44向外壳11的外部排出。
顶板5在俯视时是大致圆形的构件。顶板5是与基板9的上表面91相向的相向构件，是遮蔽基板9的上方的遮蔽板。顶板5的外径大于基板9的外径与保持基座部311的外径。顶板5具有相向构件本体51、被保持部52、多个卡合部53以及第一凹凸部55。相向构件本体51具有相向构件顶盖部511和相向构件侧壁部512。相向构件顶盖部511是以中心轴J1为中心的大致圆环板状的构件，并且与基板9的上表面91相向。顶板5例如由非导电性树脂形成。为了防止对基板9的处理产生意料之外的影响，优选，使用实质上不含碳等导电性物质的材料作为形成顶板5的材料。
在相向构件顶盖部511的中央部设置有相向构件开口54。相向构件开口54例如在俯视时是大致圆形。相向构件开口54的直径与基板9的直径相比足够小。相向构件侧壁部512是以中心轴J1为中心的大致圆筒状的构件，并从相向构件顶盖部511的外周部向下方扩展。
多个卡合部53以中心轴J1为中心以大致等角度间隔地配置在相向构件顶盖部511的下表面的外周部的周向上。多个卡合部53配置在相向构件侧壁部512的径向内侧。
被保持部52连接到相向构件本体51的上表面。被保持部52具有相向构件筒部521和相向构件凸缘部522。相向构件筒部521是从相向构件本体51的相向构件开口54的周围向上方突出的大致筒状的部位。相向构件筒部521例如是以中心轴J1为中心的大致圆筒状。相向构件凸缘部522从相向构件筒部521的上端部向径向外侧呈环状地扩展。相向构件凸缘部522例如是以中心轴J1为中心的大致圆环板状。在相向构件凸缘部522的上表面设置有第一凹凸部55，该第一凹凸部55被设置为圆周状的凹部与圆周状的凸部呈同心圆状地交替配置。第一凹凸部55具有多个凹部和多个凸部。该多个凹部中最靠近径向内侧的凹部551设置在相向构件筒部521的上部，并且该凹部551在上下方向的大小大于第一凹凸部55的其他的凹部。
相向构件移动机构6具有相向构件保持部61和相向构件升降机构62。相向构件保持部61保持顶板5的被保持部52。相向构件保持部61具有保持部本体611、本体支承部612、凸缘支承部613、支承部连接部614以及第二凹凸部615。保持部本体611例如是以中心轴J1为中心的大致圆板状。保持部本体611覆盖顶板5的相向构件凸缘部522的上方。本体支承部612是大致水平地延伸的棒状的臂部。本体支承部612的一个端部连接到保持部本体611，另一个端部连接到相向构件升降机构62。
处理液喷嘴71从保持部本体611的中央部向下方突出。处理液喷嘴71在不与相向构件筒部521接触的状态下插入相向构件筒部521。以下的说明中，将处理液喷嘴71与相向构件筒部521之间的空间称为“喷嘴间隙56”。喷嘴间隙56例如是以中心轴J1为中心的大致圆筒状的空间。在处理液喷嘴71的周围，在保持部本体611的下表面设置有第二凹凸部615，该第二凹凸部615被设置为圆周状的凹部与圆周状的凸部呈同心圆状地交替配置。第二凹凸部615与第一凹凸部55在上下方向相向。
凸缘支承部613例如是以中心轴J1为中心的大致圆环板状。凸缘支承部613位于相向构件凸缘部522的下方。凸缘支承部613的内径小于顶板5的相向构件凸缘部522的外径。凸缘支承部613的外径大于顶板5的相向构件凸缘部522的外径。支承部连接部614例如是以中心轴J1为中心的大致圆筒状。支承部连接部614将凸缘支承部613与保持部本体611在相向构件凸缘部522的周围进行连接。相向构件保持部61中，保持部本体611是与相向构件凸缘部522的上表面在上下方向相向的保持部上部，凸缘支承部613是与相向构件凸缘部522的下表面在上下方向相向的保持部下部。
在顶板5位于图1所示的位置的状态下，凸缘支承部613从下侧连接并支承顶板5的相向构件凸缘部522的外周部。换言之，相向构件凸缘部522被相向构件移动机构6的相向构件保持部61保持。由此，顶板5在基板9与基板保持部31的上方被相向构件保持部61悬挂。在以下的说明中，将图1所示的顶板5的上下方向的位置称为“第一位置”。在第一位置上，顶板5被相向构件移动机构6保持并向上方离开基板保持部31。此外，在顶板5位于第一位置的状态下，第二凹凸部615的凸部的下端位于比第一凹凸部55的凸部的上端更靠上方的位置。
在凸缘支承部613设置有用于限制顶板5的位置偏离(即，顶板5的移动及旋转)的移动限制部616。图1所示的例子中，移动限制部616是从凸缘支承部613的上表面向上方突出的突起部。移动限制部616插入在相向构件凸缘部522上设置的孔部，从而限制顶板5的位置偏离。
相向构件升降机构62使顶板5与相向构件保持部61共同在上下方向移动。图2是示出顶板5从图1所示的第一位置下降的状态的剖视图。以下的说明中，将图2所示的顶板5的上下方向的位置称为“第二位置”。即，相向构件升降机构62使顶板5在上下方向的第一位置与第二位置之间相对于基板保持部31在上下方向相对移动。第二位置是比第一位置更靠下方的位置。换言之，第二位置是顶板5在上下方向上比第一位置更接近基板保持部31的位置。
在顶板5位于第二位置的状态下，顶板5的多个卡合部53分别与基板保持部31的多个卡合部313卡合。多个卡合部53被多个卡合部313从下方支承。换言之，多个卡合部313是支承顶板5的相向构件支承部。例如，卡合部313是在上下方向大致平行的销，并且卡合部313的上端部与在卡合部53的下端部向上形成的凹部嵌合。此外，顶板5的相向构件凸缘部522向上方离开相向构件保持部61的凸缘支承部613。由此，在第二位置上，顶板5被基板保持部31保持并离开相向构件移动机构6(即，顶板5成为不与相向构件移动机构6接触的状态)。
在顶板5被基板保持部31保持的状态下，顶板5的相向构件侧壁部512的下端例如位于比基板保持部31的保持基座部311的上表面更靠下方的位置，或者位于在上下方向上与保持基座部311的上表面相同的位置。当在顶板5位于第二位置的状态下驱动基板旋转机构33时，顶板5与基板9及基板保持部31共同以中心轴J1为中心进行旋转。换言之，在顶板5位于第二位置的状态下，顶板5可以通过基板旋转机构33与基板9及基板保持部31共同以中心轴J1为中心进行旋转。
如上所述，处理液喷嘴71经由喷嘴间隙56而不与相向构件筒部521接触，即使当顶板5旋转时处理液喷嘴71也不旋转并且位于相向构件筒部521的径向内侧。换言之，当顶板5旋转时，在静止状态下的处理液喷嘴71的周围，相向构件筒部521与顶板5的其他部位共同旋转。
图3是示出将顶板5与相向构件移动机构6的一部分放大的剖视图。如图2与图3所示，在顶板5位于第二位置的状态下，第一凹凸部55与第二凹凸部615在互不接触的状态下在上下方向接近。第一凹凸部55的凸部被配置为在第二凹凸部615的凹部内隔开间隙，第二凹凸部615的凸部被配置为在第一凹凸部55的凹部内隔开间隙。换言之，在第一凹凸部55与第二凹凸部615中的一者的凹凸部的凹部内隔开间隙地配置有另一者的凹凸部的凸部。由此，在相向构件凸缘部522的上表面上形成迷宫(labyrinth)57。具体而言，在处理液喷嘴71的周围，在顶板5的相向构件凸缘部522与相向构件移动机构6的保持部本体611之间形成迷宫57。在整个迷宫57内，第一凹凸部55与第二凹凸部615之间的上下方向的距离及径向的距离大致恒定。迷宫57连接到喷嘴间隙56。当顶板5旋转时，第一凹凸部55旋转，而第二凹凸部615不旋转。
如图3所示，在相向构件保持部61的内部设置有与迷宫57连接的气体供给路经58。需要说明的是，上述的图1与图2中，省略了气体供给路经58的图示。图4是示出气体供给路经58的俯视图。如图3与图4所示，气体供给路经58具有第一流路581、第一歧管582、多个第二流路583、第二歧管584以及多个气体喷射口585。第一歧管582、多个第二流路583与第二歧管584形成在保持部本体611的内部，多个气体喷射口585形成在保持部本体611的下表面。具体而言，多个气体喷射口585形成在保持部本体611的第二凹凸部615的凹部上表面。此外，第一流路581形成在本体支承部612的内部。
多个气体喷射口585在第二凹凸部615的一个凹部的上表面(即，凹部的底面)以大致等角度间隔地配置在周向上。多个气体喷射口585是以中心轴J1为中心配置为周状的周状喷射口。该周状喷射口配置在迷宫57的径向内端与径向外端之间。气体供给路经58中，例如，可以将以中心轴J1为中心的大致圆环状的一个喷射口作为周状喷射口来设置以代替多个气体喷射口585。
第二歧管584配置在多个气体喷射口585的上方，并且与多个气体喷射口585连接。第二歧管584是以中心轴J1为中心的大致圆环状的流路。第一歧管582配置在第二歧管584的径向外侧。第一歧管582是以中心轴J1为中心的大致圆环状的流路。多个第二流路583是沿着大致径向延伸的直线状流路，并将第一歧管582与第二歧管584连接。图4所示的例子中，四个第二流路583以大致等角度间隔配置在周向上。第一流路581从第一歧管582向径向外侧延伸。第一流路581配置在周向上与多个第二流路583不同的位置上。
图5是示出基板处理装置1中的与气体及处理液的供给相关的气液供给部7的框图。气液供给部7具有处理液喷嘴71、处理液供给部72以及气体供给部73。处理液供给部72连接到处理液喷嘴71。气体供给部73连接到处理液喷嘴71，向处理液喷嘴71供给气体。此外，气体供给部73也连接到在相向构件保持部61中设置的气体供给路经58的第一流路581，经由气体供给路经58向迷宫57供给气体。
基板处理装置1还具有控制部21。控制部21控制基板旋转机构33与相向构件移动机构6(参照图1)，并且控制处理液供给部72、气体供给部73与后述的离子生成部8等结构。需要说明的是，图5以外的图中，为了简化附图，省略了控制部21的图示。
基板处理装置1中，作为处理液可使用多种液体。处理液例如可以是在基板9的药液处理中使用的药液(聚合物除去液、氢氟酸或四甲基氢氧化铵水溶液等蚀刻液等)。处理液例如也可以是在基板9的清洗处理中使用的纯水(DIW)、碳酸水等清洗液。处理液例如还可以是为了置换基板9上的液体而供给的异丙醇(IPA)等。从气体供给部73供给的气体例如是氮气(N2)等非活性气体。也可以从气体供给部73供给非活性气体以外的各种气体。
图6是示出将处理液喷嘴71的一部分放大的剖视图。处理液喷嘴71例如由PFA(四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物)形成。在处理液喷嘴71的内部设置有处理液流路716和两个气体流路717。处理液流路716连接到图5所示的处理液供给部72。两个气体流路717连接到图5所示的气体供给部73。
从处理液供给部72供给至图6所示的处理液流路716的处理液从在处理液喷嘴71的下端面设置的喷出口716a向下方喷出。在从处理液喷嘴71喷出多种处理液的情况下，可以在处理液喷嘴71设置分别与多种处理液对应的多个处理液流路716，多种处理液分别从多个喷出口716a喷出。
从气体供给部73供给至中央的气体流路717(图中的右侧的气体流路717)的非活性气体从在处理液喷嘴71的下端面设置的下表面喷射口717a向下方供给(例如，喷射)。从气体供给部73供给至外周部的气体流路717的非活性气体从在处理液喷嘴71的侧面设置的多个侧面喷射口717b向周围供给。
多个侧面喷射口717b在周向上以大致等角度间隔排列。多个侧面喷射口717b连接到从外周部的气体流路717的下端部沿着周向延伸的周状流路。从气体供给部73供给的非活性气体从多个侧面喷射口717b向斜下方供给(例如，喷射)。另外，也可以仅设置一个侧面喷射口717b。
从处理液供给部72(参照图5)供给的处理液从处理液喷嘴71的喷出口716a经由图2所示的相向构件开口54向基板9的上表面91喷出。换言之，处理液喷嘴71将从处理液供给部72供给的处理液经由相向构件开口54供给给基板9的上表面91。在基板处理装置1中，处理液喷嘴71可以从相向构件本体51的相向构件开口54向下方突出。换言之，处理液喷嘴71的前端可以位于比相向构件开口54的下端缘更靠下方的位置。从处理液供给部72供给的处理液在处理液喷嘴71内经由相向构件开口54向下方流动，并从处理液喷嘴71的喷出口716a(参照图6)向基板9的上表面91喷出。经由相向构件开口54供给处理液的情况，不仅包括在比相向构件开口54更位于上方的位置从处理液喷嘴71喷出的处理液经过相向构件开口54的状态，还包括经由已插入至相向构件开口54的处理液喷嘴71喷出处理液的状态。
从气体供给部73(参照图5)供给至处理液喷嘴71的非活性气体的一部分从处理液喷嘴71的下表面喷射口717a(参照图6)被供给至作为顶板5下方的空间的下方空间的径向中央部。具体而言，来自气体供给部73的非活性气体的一部分从处理液喷嘴71的下表面喷射口717a经由相向构件开口54被供给至作为顶板5的下表面与基板9的上表面91之间的空间的处理空间90的径向中央部。此外，从气体供给部73供给至处理液喷嘴71的非活性气体的一部分从处理液喷嘴71的多个侧面喷射口717b(参照图6)被供给给喷嘴间隙56。在喷嘴间隙56中，来自气体供给部73的非活性气体从处理液喷嘴71的侧面向斜下方供给并向下方流动，从而供给至处理空间90。
在基板处理装置1中，优选，基板9的处理在从处理液喷嘴71向处理空间90供给非活性气体使处理空间90成为非活性气体的环境的状态下进行。换言之，从气体供给部73向处理空间90供给的气体是处理环境用气体。处理环境用气体也包括从处理液喷嘴71向喷嘴间隙56供给的、经由喷嘴间隙56向上述的下方空间(即，处理空间90)供给的气体。
从气体供给部73供给至图3与图4所示的气体供给路经58的第一流路581的非活性气体，在第一歧管582内沿周向扩散，并经由多个第二流路583被导入第二歧管584。该非活性气体在第二歧管584内也沿周向扩散，在迷宫57的径向内端与径向外端之间，从多个气体喷射口585向下方的迷宫57喷射。通过从多个气体喷射口585向迷宫57供给非活性气体，作为迷宫57的径向内侧空间的喷嘴间隙56、以及连接到喷嘴间隙56的处理空间90被密封而与迷宫57的径向外侧的空间隔离。即，从气体供给部73向迷宫57供给的气体是密封气体。从多个气体喷射口585供给至迷宫57的非活性气体在迷宫57内向径向外侧及径向内侧扩散。
在迷宫57内向径向内侧扩散的非活性气体，从迷宫57供给至喷嘴间隙56，并经由喷嘴间隙56供给至上述的下方空间(即，处理空间90)。在迷宫57内向径向外侧扩散的非活性气体经过迷宫57，绕到相向构件凸缘部522的下方，并从相向构件凸缘部522与凸缘支承部613之间供给给顶板5的上表面(即，相向构件本体51的上表面)上。
图5所示的例子中，气体供给部73是作为密封气体的供给源的密封气体供给部，并且也是作为处理环境用气体的供给源的处理环境用气体供给部。此外，图3所示的气体喷射口585是密封气体的喷射口，并且也是处理环境用气体的喷射口。此外，处理环境用气体与密封气体是相同种类的气体。另外，处理环境用气体与密封气体也可以是不同种类的气体。在气体供给路经58中，第一歧管582与第二歧管584分别是在作为密封气体供给部的气体供给部73与多个气体喷射口585之间暂时贮存密封气体的环状歧管。
如图3与图5所示，基板处理装置1还具有离子生成部8。离子生成部8生成离子，并向来自气体供给部73的非活性气体供给该离子。离子生成部8具有通过放电来生成离子的放电针81。放电针81例如配置在保持部本体611的内部。优选，放电针81在气体喷射口585的内侧接近气体喷射口585而配置。在图3所示的例子中，放电针81在保持部本体611的内部配置在第二歧管584上，通过对从气体供给部73供给的第二歧管584内的非活性气体的一部分进行离子化，来生成上述离子。设置在离子生成部8的放电针81的数量可以是一个也可以是多个。在离子生成部8具有多个放电针81的情况下，该多个放电针81例如在第二歧管584上以大致等角度间隔配置在周向上。
接下来，参照图7说明基板处理装置1中的基板9的处理流程的一例。首先，在顶板5位于图1所示的第一位置的状态下，将基板9搬入外壳11内，并由基板保持部31保持(步骤S11)。此时，顶板5被相向构件移动机构6的相向构件保持部61保持。
接着，相向构件升降机构62使相向构件保持部61向下方移动。由此，顶板5从第一位置向下方移动，位于比步骤S11中的位置(即，搬入基板9时的位置)更靠下方的位置。具体而言，如图2所示，顶板5从第一位置向第二位置移动，并被基板保持部31保持(步骤S12)。此外，如图2与图3所示，在顶板5与相向构件保持部61之间形成迷宫57。
然后，通过由控制部21(参照图5)控制气体供给部73，开始经由处理液喷嘴71对喷嘴间隙56与处理空间90供给非活性气体(即，处理环境用气体)。此外，也开始经由图3所示的气体供给路经58对迷宫57供给非活性气体(即，密封气体)(步骤S13)。在步骤S13以后也持续从处理液喷嘴71供给非活性气体，并且持续向迷宫57供给非活性气体。
接下来，通过由控制部21控制图2所示的基板旋转机构33，基板保持部31、基板9以及顶板5开始旋转(步骤S14)。此外，通过由控制部21控制离子生成部8，开始生成离子，并且开始向来自气体供给部73的非活性气体供给离子(步骤S15)。具体而言，通过图3所示的离子生成部8，向从气体喷射口585对迷宫57供给前的非活性气体供给离子。从气体喷射口585向迷宫57供给的非活性气体包含该离子。步骤S15可以在步骤S14之前进行，也可以与步骤S13、S14并行进行。
如此，通过在步骤S12之后进行步骤S13～S15，在顶板5位于第二位置的状态下使基板保持部31与顶板5旋转，并且经由迷宫57与喷嘴间隙56向处理空间90的径向中央部供给包含上述离子的非活性气体的一部分。由此，形成从处理空间90的径向中央部向径向外侧扩散的离子气流(即，包含离子的气流)。处理空间90中的离子气流的形成比由来自后述的处理液供给部72的处理液进行的基板9的处理提前进行。
在基板处理装置1中，有时会搬入带电状态下的基板9。基板9例如在被搬入基板处理装置1前因所进行的干燥蚀刻或等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相淀积)等干燥工序而带电。具体而言，在基板9的上表面91上预先形成的器件内，因上述干燥工序而产生电荷。在基板处理装置1中，如上所述，在作为基板9的上表面91与顶板5的下表面之间的空间的处理空间90内形成离子气流，由此，能够除去在被搬入基板处理装置1时已经产生有电荷的基板9的带电(即，所谓的携入带电)。
在基板处理装置1中，按照规定时间实施由离子气流进行的基板9的携入带电的除去处理(即，除电处理)(步骤S16)。在步骤S16中，在如图3所示的顶板5的下表面带电的情况下，通过该离子气流，也对顶板5的下表面进行除电。此外，在处理液喷嘴71与相向构件筒部521带电的情况下，通过从迷宫57流经喷嘴间隙56并朝向处理空间90的包含离子的非活性气体，也对处理液喷嘴71与相向构件筒部521进行除电。
在基板处理装置1中，在步骤S16中向迷宫57供给的非活性气体(即，含有离子的非活性气体)的一部分，在迷宫57内向径向外侧流动。由此，喷嘴间隙56被密封而与作为迷宫57的径向外侧的空间的外部空间隔离。在迷宫57内向径向外侧流动的非活性气体，从相向构件凸缘部522与凸缘支承部613之间供给至顶板5的上表面的径向中央部，并沿着顶板5的上表面从径向中央部向径向外侧流动。换言之，通过从迷宫57向径向外侧流出的包含离子的非活性气体，形成沿着顶板5的上表面从径向中央部向径向外侧扩散的上部离子气流。由此，在顶板5的上表面带电的情况下，通过该上部离子气流，能够对顶板5的上表面进行除电。
当基板9的携入带电的除去处理结束时，从处理液供给部72向处理液喷嘴71供给第一处理液，并经由位于图2所示的第二位置的顶板5的相向构件开口54，向旋转中的基板9的上表面91的中央部供给第一处理液(步骤S17)。从处理液喷嘴71向基板9的中央部供给第一处理液，通过基板9的旋转从基板9的中央部向径向外侧扩散，从而遍布在基板9的整个上表面91。第一处理液从基板9的外缘向径向外侧飞散，被杯部4的第一挡板41接住。图2所示的第一挡板41的上下方向的位置是接住来自基板9的处理液的位置，以下的说明中将该位置称为“受液位置”。使第一处理液在基板9上遍布规定的时间，由此，由第一处理液进行的基板9的处理结束。第一处理液例如是聚合物除去液、蚀刻液等药液，在步骤S17中，对基板9进行药液处理。在由第一处理液对基板9进行处理的期间，持续向迷宫57、喷嘴间隙56以及处理空间90供给包含离子的非活性气体。
当由第一处理液进行的基板9的处理结束时，停止从处理液喷嘴71供给第一处理液。然后，如图8所示，挡板移动机构43使第一挡板41向下方移动，位于比上述受液位置更靠下方的待避位置。由此，将接住来自基板9的处理液的挡板从第一挡板41切换到第二挡板42。即，挡板移动机构43是一种挡板切换机构，通过使第一挡板41在受液位置与待避位置之间在上下方向移动，将用于接住来自基板9的处理液的挡板在第一挡板41与第二挡板42之间进行切换。
接着，从处理液供给部72向处理液喷嘴71供给第二处理液，经由位于第二位置的顶板5的相向构件开口54，向旋转中的基板9的上表面91的中央部供给第二处理液(步骤S18)。从处理液喷嘴71向基板9的中央部供给的第二处理液，通过基板9的旋转从基板9的中央部向径向外侧扩散，从而遍布在基板9的整个上表面91。第二处理液从基板9的外缘向径向外侧飞散，被杯部4的第二挡板42接住。使第二处理液在基板9上遍布规定的时间，由此，由第二处理液进行的基板9的处理结束。第二处理液例如是纯水、碳酸水等清洗液，在步骤S18中，对基板9进行清洗处理。在由第二处理液对基板9进行处理的期间，也持续对迷宫57、喷嘴间隙56以及处理空间90供给含有离子的非活性气体。
当由第二处理液进行的基板9的处理结束时，停止从处理液喷嘴71供给第二处理液。然后，由气体供给部73从处理液喷嘴71的侧面向喷嘴间隙56喷射的非活性气体的流量增大。此外，从处理液喷嘴71的下端面向处理空间90喷射的非活性气体的流量也增大。另外，基板旋转机构33使基板9的旋转速度增大。由此，在基板9的上表面91上残留的第二处理液等向径向外侧移动并从基板9的外缘向径向外侧飞散，被杯部4的第二挡板42接住。基板旋转机构33使基板9持续旋转规定的时间，由此，进行将来自处理液供给部72的处理液从基板9的上表面91上除去的干燥处理(步骤S19)。
在步骤S19的干燥处理中，由于顶板5与基板9高速旋转，因此顶板5及基板9与空气之间的摩擦导致顶板5及基板9带电。在基板处理装置1中，在步骤S19的干燥处理时也持续形成上述处理空间90中的离子气流。由此，对顶板5的下表面与基板9的上表面91进行除电。此外，在基板处理装置1中，在步骤S19的干燥处理时也持续形成沿着顶板5的上表面的上部离子气流。由此，对顶板5的上表面进行除电。
在步骤S19的干燥处理中，因与空气之间的摩擦导致旋转的相向构件筒部521也带电。此外，因相向构件筒部521的旋转导致喷嘴间隙56中产生周向气流，因与该气流之间的摩擦导致处理液喷嘴71也带电。在基板处理装置1中，利用从迷宫57向处理空间90流动的包括离子的非活性气体，对相向构件筒部521以及处理液喷嘴71进行除电。
如此，在基板处理装置1中，与步骤S19中的基板9的干燥处理并行地进行顶板5、基板9和处理液喷嘴71的除电处理。另外，步骤S19中的顶板5、基板9和处理液喷嘴71的除电处理，不仅包括通过供给含有离子的非活性气体来除去顶板5、基板9和处理液喷嘴71所带电荷，还包括防止或抑制产生该带电。例如持续进行该除电处理直到基板9的干燥处理结束，该除电处理与干燥处理同时结束。
当基板9的干燥处理结束时，停止由基板旋转机构33进行的基板保持部31、基板9以及顶板5的旋转(步骤S20)。此外，停止从气体供给部73向喷嘴间隙56、处理空间90以及迷宫57供给非活性气体。然后，也停止由离子生成部8进行的离子的生成以及对非活性气体的离子的供给(步骤S21)。接下来，通过相向构件升降机构62使相向构件保持部61向上方移动，顶板5从第二位置向上方移动至图1所示的第一位置(步骤S22)。顶板5向上方离开基板保持部31并被相向构件保持部61保持。然后，将基板9从外壳11内搬出(步骤S23)。在基板处理装置1中，对多个基板9顺次进行上述的步骤S11～S23，并顺次处理多个基板9。
如上所述，基板处理装置1具有基板保持部31、基板旋转机构33、顶板5、处理液供给部72、气体供给部73、离子生成部8以及控制部21。基板保持部31将基板9保持为水平状态。基板旋转机构33使基板保持部31以沿着上下方向的中心轴J1为中心进行旋转。顶板5与基板9的上表面相向，并且以中心轴J1为中心旋转。处理液供给部72向基板9的上表面91供给处理液。气体供给部73向作为顶板5下方的空间的下方空间的径向中央部供给处理环境用气体。离子生成部8生成离子，并向来自气体供给部73的处理环境用气体供给该离子。控制部21通过控制基板旋转机构33、气体供给部73以及离子生成部8，使基板保持部31在顶板5位于比搬入基板9时的顶板5的位置更靠下方的状态下与顶板5旋转，并且向上述下方空间供给包含离子的处理环境用气体，形成从下方空间的径向中央部向径向外侧扩散的离子气流。
由此，与通过向顶板照射X射线来对顶板进行除电的情况等相比，能够通过简单的构造对顶板5进行除电。结果，能够防止颗粒等附着在顶板5上。此外，能够防止在顶板5与基板9之间发生放电。此外，由于能够防止该放电，因此向基板9供给的可燃性药液等不会受到限制。
此外，在基板处理装置1中，通过使顶板5接近基板保持部31，能够缩小下方空间，从而能够减少向下方空间供给的包含离子的处理环境用气体的量。此外，通过使顶板5与基板保持部31旋转，能够使供给至下方空间的包含离子的处理环境用气体从下方空间的径向中央部向径向外侧大致均匀且迅速地扩散。由此，能够进一步减少形成离子气流时所需的处理环境用气体的量。结果，既能减少处理环境用气体的使用量又能对顶板5进行除电。
如上所述，形成离子气流的下方空间是处理空间90，该处理空间90是顶板5的下表面与基板9的上表面91之间的空间。在通过由基板旋转机构33进行的基板9的旋转，从而将来自处理液供给部72的处理液从基板9上除去的干燥处理时(步骤S19)，在处理空间90内形成离子气流。由此，能够对干燥处理时的顶板5与基板9进行除电。
此外，也在由来自处理液供给部72的处理液对基板9进行处理(步骤S17)之前，在处理空间90内形成离子气流。由此，能够在向基板9供给处理液之前，对顶板5与基板9进行除电。因此，即使在被搬入基板处理装置1的基板9已经带电的情况下(即，发生携入带电的情况下)，也能够防止或抑制因该带电导致被供给至基板9上的处理液与基板9之间发生放电。结果，能够防止或抑制由处理液与基板9之间的放电导致的基板9的损伤等。
此外，在基板处理装置1中，利用在由处理液对基板9进行处理时向处理空间90供给的处理环境用气体，来形成在由处理液对基板9进行处理前的离子气流。如此，将在由处理液进行的处理前的除电处理(步骤S16)中向处理空间90供给的气体与在该除电处理后的由处理液进行的处理(步骤S17)时向处理空间90供给的气体设置为相同种类，由此，不需要在步骤S16与步骤S17之间切换向处理空间90供给的气体的工序。结果，能够抑制由步骤S16的除电处理所导致的基板9的处理时间的延长。
基板处理装置1还具有相向构件移动机构6。相向构件移动机构6保持顶板5，并使顶板5相对于基板保持部31在上下方向上的第一位置与第二位置之间相对移动。顶板5在第一位置被相向构件移动机构6保持，并且向上方离开基板保持部31。此外，顶板5在第二位置被基板保持部31保持，并且通过基板旋转机构33与基板保持部31共同旋转。
如此，在顶板5旋转时，由于顶板5离开相向构件移动机构6，因此难以经由相向构件移动机构6使顶板5接地等来进行除电。如上所述，在基板处理装置1中，通过在位于顶板5下方的下方空间内形成离子气流，能够容易地对通过基板旋转机构33与基板保持部31共同旋转的顶板5进行除电。此外，在基板处理装置1中，由于无需将用于使顶板5旋转的机构设置为与基板旋转机构33不同的机构，因此能够简化装置构造。
在基板处理装置1中，顶板5具有相向构件本体51与相向构件筒部521。相向构件本体51与基板9的上表面91相向。在相向构件本体51的径向中央部设置有相向构件开口54。相向构件筒部521是从相向构件本体51的相向构件开口54的周围向上方突出的筒状的部位。此外，处理液供给部72具有处理液喷嘴71。处理液喷嘴71插入相向构件筒部521中，并经由相向构件开口54向基板9的上表面91供给处理液。此外，包含离子的处理环境用气体经由作为处理液喷嘴71与相向构件筒部521之间的空间的喷嘴间隙56，被供给至上述下方空间。因此，能够利用在喷嘴间隙56内流动的包含离子的处理环境用气体，对处理液喷嘴71进行除电。此外，也能够对相向构件筒部521进行除电。
如上所述，顶板5还具有相向构件凸缘部522。相向构件凸缘部522从相向构件筒部521的上端部向径向外侧扩展为环状，并且被相向构件移动机构6保持。在顶板5位于第二位置的状态下，在相向构件凸缘部522的上表面上形成有与喷嘴间隙56连接的迷宫57。然后，通过向迷宫57供给包含离子的处理环境用气体，从外部空间密封喷嘴间隙56，并且形成从径向中央部沿着顶板5的上表面向径向外侧扩散的上部离子气流。由此，也能够对顶板5的上表面进行除电。
在基板处理装置1中，离子生成部8具有通过进行放电来生成离子的放电针81。顶板5还具有第一凹凸部，该第一凹凸部为在相向构件凸缘部522的上表面凹部与凸部呈同心圆状交替地配置。相向构件移动机构6具有凸缘支承部613、保持部本体611和第二凹凸部615。凸缘支承部613与相向构件凸缘部522的下表面在上下方向上相向。保持部本体611与相向构件凸缘部522的上表面在上下方向上相向。在第二凹凸部615中，在保持部本体611的下表面凹部与凸部呈同心圆状交替地配置为。此外，在顶板5位于第二位置的状态下，在第一凹凸部55与第二凹凸部615中的一者的凹凸部的凹部内隔开间隙地配置另一者的凹凸部的凸部，从而形成迷宫57。此外，放电针81配置于在第二凹凸部615的凹部上表面形成的处理环境用气体的气体喷射口585的内侧。
如此，通过将放电针81配置在气体喷射口585的附近，能够抑制离子随着时间减少，并且向喷嘴间隙56、处理空间90以及顶板5的上表面上供给包含离子的处理环境用气体。结果，能够高效地进行相向构件筒部521与处理液喷嘴71的除电、顶板5的上表面与下表面的除电、以及基板9的上表面91的除电。
在基板处理装置1中，由离子气流进行的除电并非必须在由处理液对基板9进行的处理前(步骤S16)进行以及与基板9的干燥处理并行(步骤S19)进行。在基板处理装置1中，例如，也可以仅进行步骤S16与步骤S19中的一个步骤的除电处理。或者，还可以不进行步骤S16以及步骤S19的除电处理，而在其他状态下由离子气流进行除电。
此外，由离子气流进行的除电并非必须在搬入基板9后进行。例如，可以在未搬入基板9的状态(即，基板保持部31未保持基板9的状态)下，通过控制部21控制基板旋转机构33、气体供给部73以及离子生成部8，对顶板5与基板保持部31进行除电。具体而言，在顶板5位于第二位置的状态(即，位于比搬入基板9时的位置更靠下方的状态)下，使基板保持部31与顶板5旋转，并且向顶板5的下方空间的径向中央部供给包含离子的处理环境用气体。由此，在作为顶板5与基板保持部31之间的空间的该下方空间内，形成从径向中央部向径向外侧扩散的离子气流。结果，能够减少处理环境用气体的使用量，并且通过简单的结构对顶板5与基板保持部31进行除电。该除电例如在维护基板处理装置1时、或者在将基板9搬入基板处理装置之前进行。
接下来，说明其他优选的迷宫的例子。与图3同样地，图9是示出将顶板5与相向构件移动机构6的一部分放大的剖视图(后述的图10也是同样)。在图9所示的迷宫57a中，与多个气体喷射口585(即，周状喷射口)相向的面553是随着朝向径向外侧而向下方倾斜的倾斜面。具体而言，顶板5的第一凹凸部55中，位于多个气体喷射口585下方的一个环状的凸部552的径向外侧的侧面553是随着朝向径向外侧而向下方倾斜的倾斜面。
由此，能够将从多个气体喷射口585喷射到迷宫57a内的包含离子的非活性气体(即，密封气体)沿着作为倾斜面的侧面553容易地向径向外侧引导。结果，能够进一步抑制外部空间的环境进入迷宫57a内。此外，由于从各气体喷射口585向侧面553喷射的非活性气体在周向上扩散，因此也能够对迷宫57a内的多个气体喷射口585之间的区域大致均匀地供给非活性气体。结果，能够提高迷宫57a内的非活性气体的压力在周向上的均匀性。此外，也能够进一步提高迷宫57a内的非活性气体的流量在周向上的均匀性。
在上述的基板处理装置1中，可以进行各种变更。
例如，在由第一处理液及第二处理液进行的基板9的处理中(步骤S17、S18)，可停止由离子生成部8进行的离子的生成。该情况下，向喷嘴间隙56、处理空间90以及迷宫57、57a供给实质上不包含由离子生成部8生成的离子的处理环境用气体。此外，在步骤S16中的除电处理时，向喷嘴间隙56、处理空间90以及迷宫57、57a供给的包含离子的处理环境用气体可以与在步骤S17、S18中向喷嘴间隙56、处理空间90以及迷宫57、57a供给的处理环境用气体的种类不同。
在基板处理装置1中，离子生成部8的放电针81可以配置在除了保持部本体611的内部以外的部位。例如，放电针81可以设置在处理液喷嘴71的内部、或者处理液喷嘴71与气体供给部73之间的流路上，通过该放电针81，可以向从处理液喷嘴71被供给给处理空间90及/或喷嘴间隙56的处理环境用气体供给离子。此外，离子生成部8也可以具有放电针81以外的各种离子生成机构。
离子生成部8并非必须对从气体供给部73供给的处理环境用气体的一部分进行离子化。例如，在离子生成部8中，可以对从不同于气体供给部73的供给部供给的气体进行离子化，并将该离子化后的气体供给至来自气体供给部73的处理环境用气体。该情况下，由离子生成部8进行离子化的气体可以是与处理环境用气体相同或不同种类的气体。
迷宫57、57a并非必须在顶板5的相向构件凸缘部522与相向构件保持部61的保持部本体611之间形成。迷宫57、57a的形状与配置可以进行各种变更。例如，可以在顶板5位于第二位置并被基板保持部31保持的状态下，在相向构件保持部61从顶板5上退避、并且被喷嘴移动机构移动的处理液喷嘴插入顶板5的相向构件筒部521的情况下，通过在该处理液喷嘴的上端部周围设置的圆周状的凹凸部以及顶板5的第一凹凸部55，在相向构件凸缘部522的上表面上形成迷宫。此外，迷宫57、57a并非必须仅在顶板5位于第二位置的状态下形成，也可以与顶板5的位置无关地设置。
在基板处理装置1中，在顶板5的上表面的除电的必要性不是很高的情况下等，并非必须形成沿着顶板5的上表面扩散的上部离子气流。该情况下，如图10所示，可以在相向构件保持部61的保持部本体611设置用于在迷宫57b的径向外端部(即，上述的外部空间侧的端部)吸引迷宫57b内的气体的多个气体吸引口591。多个气体吸引口591在第二凹凸部615的径向外端部的一个凹部的上表面(即，凹部的底面)以大致等角度间隔配置在周向上。多个气体吸引口591经由在相向构件保持部61的内部形成的吸引路592，连接到省略图示的吸引部。多个气体吸引口591是在迷宫57b的径向外端部以中心轴J1为中心配置为周状的周状吸引口。通过驱动该吸引部，经由该周状吸引口吸引迷宫57b内的气体。
由此，能够抑制在迷宫57b内外部空间的环境气体进入比多个气体吸引口591更靠径向内侧的位置。此外，能够将从多个气体喷射口585供给至迷宫57b内的非活性气体(即，密封气体)更容易地向径向外侧引导。结果，能够进一步抑制外部空间的环境气体进入迷宫57b内。在迷宫57b中，例如，可以将以中心轴J1为中心的大致圆环状的一个吸引口设置为周状吸引口来代替多个气体吸引口591。迷宫57b中设置的周状吸引口也可以在图9所示的迷宫57a中进行设置。
在基板处理装置1中，可以不进行来自处理液喷嘴71的侧面的处理环境用气体的喷射。
在基板处理装置1中，可以将使顶板5旋转的机构设置为与基板旋转机构33不同的机构。该情况下，步骤S12中，顶板5并非必须位于第二位置，只要是位于比搬入基板9时更靠下方的位置的状态(即，位于比步骤S11中的位置更靠下方的位置的状态)即可。在该状态下一边使基板保持部31与顶板5旋转，一边向顶板5的下方空间的径向中央部供给包含离子的处理环境用气体。由此，形成从下方空间的径向中央部向径向外侧扩散的离子气流。结果，与上述同样地，能够减少处理环境用气体的使用量，并且通过简单的结构进行顶板5与基板9的除电、或者顶板5与基板保持部31的除电。
此外，在基板处理装置1中，并非必须设置喷嘴间隙56以及迷宫57、57a、57b。例如，如上所述，在使顶板5旋转的机构不同于基板旋转机构33的情况下，处理液喷嘴71可以不与侧方隔开间隙地固定在顶板5上，并与顶板5共同旋转。该情况下，例如，仅从处理液喷嘴71的下端面向顶板5的下方空间供给处理环境用气体。此外，离子生成部8可以设置在处理液喷嘴71的内部、或者处理液喷嘴71与气体供给部73之间的流路上，向从处理液喷嘴71的下端面被供给至下方空间的处理环境用气体供给离子。
上述实施方式及各变形例的结构在互不矛盾的情况下可以进行适当组合。
以上详细地描述了本发明，但上述的说明仅是说明性的而非限制性的。因此，可以认为在不脱离本发明的范围的情况下可以进行许多变形和实施方式。
附图标记说明
1 基板处理装置
5 顶板
6 相向构件移动机构
8 离子生成部
9 基板
21 控制部
31 基板保持部
33 基板旋转机构
51 相向构件本体
54 相向构件开口
55 第一凹凸部
56 喷嘴间隙
57、57a、57b 迷宫
71 处理液喷嘴
72 处理液供给部
73 气体供给部
81 放电针
90 处理空间
91 (基板的)上表面
521 相向构件筒部
522 相向构件凸缘部
585 气体喷射口
611 保持部本体
613 凸缘支承部
615 第二凹凸部
J1 中心轴
S11～S23 步骤

Claims (15)

1.一种基板处理装置，用于处理基板，其中，具有：
基板保持部，将基板保持为水平状态；
基板旋转机构，使所述基板保持部以沿着上下方向延伸的中心轴为中心进行旋转；
相向构件，与所述基板的上表面相向，并且以所述中心轴为中心进行旋转；
处理液供给部，向所述基板的所述上表面供给处理液；
气体供给部，向下方空间的径向中央部供给处理环境用气体，所述下方空间是所述相向构件的下方的空间；
离子生成部，生成离子，并向来自所述气体供给部的所述处理环境用气体供给所述离子；以及
控制部，通过控制所述基板旋转机构、所述气体供给部以及所述离子生成部，在所述相向构件位于比搬入所述基板时的所述相向构件的位置更靠下方的位置的状态下，使所述基板保持部以及所述相向构件旋转，并且向所述下方空间供给包含所述离子的所述处理环境用气体，形成从所述下方空间的径向中央部向径向外侧扩散的离子气流。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
形成所述离子气流的所述下方空间是处理空间，所述处理空间是所述相向构件的下表面与所述基板的所述上表面之间的空间，
在干燥处理时形成所述离子气流，在所述干燥处理中，通过所述基板旋转机构使所述基板旋转，从所述基板上除去来自所述处理液供给部的所述处理液。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
形成所述离子气流的所述下方空间是处理空间，所述处理空间是所述相向构件的下表面与所述基板的所述上表面之间的空间，
在由来自所述处理液供给部的所述处理液对所述基板进行处理之前形成所述离子气流。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
利用在由所述处理液对所述基板进行处理时被供给的所述处理环境用气体，来形成在由所述处理液对所述基板进行处理之前的所述离子气流。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还具有相向构件移动机构，所述相向构件移动机构保持所述相向构件，并且使所述相向构件在上下方向的第一位置与第二位置之间相对于所述基板保持部移动，
所述相向构件在所述第一位置上被所述相向构件移动机构保持并且向上方离开所述基板保持部，所述相向构件在所述第二位置上被所述基板保持部保持并且通过所述基板旋转机构与所述基板保持部一起旋转。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
所述相向构件具有：
相向构件本体，与所述基板的所述上表面相向，并且在径向中央部设置有相向构件开口，以及
筒状的相向构件筒部，从所述相向构件本体的所述相向构件开口的周围向上方突出；
所述处理液供给部具有处理液喷嘴，所述处理液喷嘴插入所述相向构件筒部，并经由所述相向构件开口向所述基板的所述上表面供给所述处理液，
经由所述处理液喷嘴与所述相向构件筒部之间的空间即喷嘴间隙向所述下方空间供给包含所述离子的所述处理环境用气体。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述相向构件还具有相向构件凸缘部，所述相向构件凸缘部从所述相向构件筒部的上端部向径向外侧扩展为环状，并且被所述相向构件移动机构保持，
在所述相向构件位于所述第二位置的状态下，在所述相向构件凸缘部的上表面上形成与所述喷嘴间隙连接的迷宫，
通过向所述迷宫供给包含所述离子的所述处理环境用气体，所述喷嘴间隙被密封而与外部空间隔离，并且利用从所述迷宫流出的包含所述离子的所述处理环境用气体，形成沿着所述相向构件的上表面从径向中央部向径向外侧扩散的上部离子气流。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，
所述离子生成部具有放电针，所述放电针通过放电来生成所述离子，
所述相向构件还具有第一凹凸部，所述第一凹凸部是在所述相向构件凸缘部的所述上表面呈同心圆状地交替配置凹部与凸部而形成的凹凸部；
所述相向构件移动机构具有：
保持部下部，在所述上下方向上与所述相向构件凸缘部的下表面相向，
保持部上部，在所述上下方向上与所述相向构件凸缘部的所述上表面相向，以及
第二凹凸部，该第二凹凸部是在所述保持部上部的下表面上呈同心圆状地交替配置凹部与凸部而形成的凹凸部；
在所述相向构件位于所述第二位置的状态下，在所述第一凹凸部与所述第二凹凸部中的一者的凹部内隔开间隙地配置另一者的凸部，从而形成所述迷宫，
所述放电针在所述保持部上部的内部配置在所述处理环境用气体的喷射口的内侧，所述喷射口形成在所述第二凹凸部的凹部上表面。
9.一种基板处理方法，用于在基板处理装置中处理基板，所述基板处理装置具有：基板保持部，将基板保持为水平状态；基板旋转机构，使所述基板保持部以沿着上下方向延伸的中心轴为中心进行旋转；相向构件，与所述基板的上表面相向，并且以所述中心轴为中心进行旋转；处理液供给部，向所述基板的所述上表面供给处理液；气体供给部，向下方空间的径向中央部供给处理环境用气体，所述下方空间是所述相向构件的下方的空间，其中，所述基板处理方法包括：
a)工序，搬入所述基板，并由所述基板保持部保持所述基板；
b)工序，使所述相向构件向下方移动，并使所述相向构件位于比所述a)工序中的所述相向构件的位置更靠下方的位置；以及
c)工序，在所述b)工序之后，使所述基板保持部以及所述相向构件旋转，并且，生成离子并向来自所述气体供给部的所述处理环境用气体供给所述离子，向所述下方空间供给包含所述离子的所述处理环境用气体，形成从所述下方空间的径向中央部向径向外侧扩散的离子气流。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，
形成所述离子气流的所述下方空间是处理空间，所述处理空间是所述相向构件的下表面与所述基板的所述上表面之间的空间；
所述基板处理方法还具有：
d)工序，从所述处理液供给部向所述基板的所述上表面上供给所述处理液；
在干燥处理时进行所述c)工序，在所述干燥处理中，通过所述基板旋转机构使所述基板旋转，从所述基板上除去在所述d)工序中供给至所述基板上的所述处理液。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，
所述c)工序也在所述d)工序之前进行。
12.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，
形成所述离子气流的所述下方空间是处理空间，所述处理空间是所述相向构件的下表面与所述基板的所述上表面之间的空间，
所述基板处理方法还具有：
d)工序，从所述处理液供给部向所述基板的所述上表面上供给所述处理液，
所述c)工序也在所述d)工序之前进行。
13.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其中，
利用在所述d)工序中从所述气体供给部供给的所述处理环境用气体，形成在所述d)工序之前进行的所述c)工序中的所述离子气流。
14.根据权利要求9～13中任一项所述的基板处理方法，其中，
在所述b)工序中，所述相向构件被所述基板保持部保持，
在所述c)工序中，所述基板旋转机构使所述相向构件与所述基板保持部一起旋转。
15.根据权利要求9～14中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法还具有如下工序：与所述c)工序并行进行，朝向所述相向构件的上表面供给包含所述离子的所述处理环境用气体，并形成沿着所述相向构件的所述上表面从径向中央部向径向外侧扩散的上部离子气流。
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