TWI650810B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

基板處理裝置之基板保持部係於水平狀態下保持基板(9)。基板旋轉機構使基板保持部以朝上下方向之中心軸J1為中心旋轉。頂板(5)與基板(9)之上表面相對並以中心軸(J1)為中心旋轉。氣體供給部向頂板(5)之下方之空間即下方空間之徑向中央部供給處理環境用氣體。離子產生部(8)產生離子並將其供給至來自氣體供給部之處理環境用氣體。而且，於頂板(5)位於較基板(9)之搬入時更靠下方之狀態下，使基板保持部及頂板(5)旋轉，向上述下方空間供給包含離子之處理環境用氣體，從而形成自下方空間之徑向中央部向徑向外側擴散之離子氣流。藉此，可藉由簡單之構造進行頂板(5)之去靜電。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種處理基板之技術。
根據習知，於半導體基板(以下僅稱作「基板」)之製造步驟中，對基板實施各種處理。例如，向表面上形成有抗蝕圖案之基板上供給藥液，藉此對基板之表面進行蝕刻等藥液處理。又，藥液處理結束後，向基板上供給清洗液進行清洗處理，其後，進行基板之乾燥處理。
日本專利特開2003-100694號公報(文獻1)之基板處理裝置具備使基板保持水平並旋轉之旋轉夾頭、及與基板之上方相對地配置之圓板狀遮蔽板。旋轉夾頭固定於夾頭旋轉驅動機構之旋轉軸之上端。於遮斷板之上表面固定有沿與旋轉夾頭之旋轉軸共通之軸線之其他旋轉軸。該其他旋轉軸係中空地形成，其內部插通有用於向基板之上表面供給處理液之處理液噴嘴。又，於該其他旋轉軸之內側面與處理液噴嘴之外側面之間，成為供基板乾燥用氮氣流通之氮氣流通路。
於文獻1之基板處理裝置中，於對基板之乾燥處理之際，遮斷板以與基板大致相同之速度於相同方向旋轉。又，將氮氣自上述氮氣流通路供給至基板與遮斷板之間之空間。藉此，基板與遮斷板之間產生氮氣之穩定之氣流，藉由該氣流，基板與遮斷板之 間之環境氣體被連續置換。其結果，基板迅速得以乾燥，又，防止由自基板甩開之處理液之飛濺所導致的基板之再污染。
然而，於此種基板處理裝置中，由於遮斷板之下表面與氮氣之氣流之摩擦，遮斷板之下表面可能帶靜電。若遮斷板之下表面帶電，則於遮斷板之下表面吸附有環境中之粒子，該粒子落於乾燥處理後之基板上，從而有乾燥處理後之基板受到污染之虞。又，由於遮蔽板與基板之間之放電，而亦有基板上之佈線損傷之虞。進而，亦有作為用於基板之處理之處理液的可燃性藥液之使用等受到限制之虞。
因此，於文獻1之基板處理裝置中，藉由朝乾燥處理後之遮斷板之下表面照射具有去靜電作用之電磁波即微弱X射線，進行遮斷板之下表面之去靜電。關於對遮斷板之微弱X射線之照射，可於乾燥處理前、在遮斷板接近基板而配置之狀態下，使防濺板退避至下方而進行。
然而，於專利文獻1之基板處理裝置中，由於需要朝遮斷板照射X射線之機構，故有裝置構造複雜化及大型化之虞。又，由於與流經遮斷板之旋轉軸與處理噴嘴之間之氮氣流通路之氮氣的摩擦，亦有處理噴嘴帶電、處理液等附著於處理噴嘴之虞。該處理噴嘴由於收容於遮斷板之旋轉軸之內部，故不易照射X射線而去靜電。
本發明係關於一種處理基板之基板處理裝置，以藉由簡單之構造進行對向構件之去靜電為目的。本發明亦係關於一種處理基板之基板處理方法。
本發明之基板處理裝置具備：於水平狀態下保持基板之基板保持部；使上述基板保持部以朝上下方向之中心軸為中心旋轉之基板旋轉機構；與上述基板之上表面相對並以上述中心軸為中心旋轉之對向構件；向上述基板之上述上表面供給處理液之處理液供給部；向上述對向構件之下方之空間即下方空間之徑向中央部供給處理環境用氣體之氣體供給部；產生離子並將其供給至來自上述氣體供給部之上述處理環境用氣體之離子產生部；及控制部，其藉由控制上述基板旋轉機構、上述氣體供給部及上述離子產生部，於上述對向構件位於較上述基板之搬入時更靠下方之狀態下使上述基板保持部及上述對向構件旋轉，並供給包含上述離子之上述處理環境用氣體至上述下方空間，從而形成自上述下方空間之徑向中央部向徑向外側擴散之離子氣流。藉此，可藉由簡單之構造進行對向構件之去靜電。
於本發明之一較佳實施形態中，形成有上述離子氣流之上述下方空間係上述對向構件之下表面與上述基板之上述上表面之間之空間即處理空間，上述離子氣流之形成係於藉由利用上述基板旋轉機構之上述基板之旋轉而自上述基板上去除來自上述處理液供給部之上述處理液之乾燥處理時進行。
於本發明之其他較佳實施形態中，形成有上述離子氣流之上述下方空間係上述對向構件之下表面與上述基板之上述上表面之間之空間即處理空間，上述離子氣流之形成係於較利用來自上述處理液供給部之上述處理液之上述基板之處理更之前進行。
更佳為，利用上述處理液之上述基板之處理前的上述離子氣流之形成係利用於利用上述處理液之上述基板之處理時所 供給之上述處理環境用氣體而進行。
於本發明之其他較佳實施形態中，進而具備保持上述對向構件並使上述對向構件於上下方向之第1位置與第2位置之間相對於上述基板保持部相對移動的對向構件移動機構，上述對向構件於上述第1位置藉由上述對向構件移動機構保持並向上方遠離上述基板保持部，於上述第2位置藉由上述基板保持部保持，並藉由上述基板旋轉機構而與上述基板保持部一同旋轉。
更佳為，上述對向構件具備與上述基板之上述上表面相對並於徑向中央部設有對向構件開口之對向構件本體、及自上述對向構件本體之上述對向構件開口之周圍向上方突出之筒狀對向構件筒部，上述處理液供給部具備插入至上述對向構件筒部並經由上述對向構件開口向上述基板之上述上表面供給上述處理液之處理液噴嘴，包含上述離子之上述處理環境用氣體經由上述處理液噴嘴與上述對向構件筒部之間之空間即噴嘴間隙供給至上述下方空間。
進而更佳為上述對向構件進而具備自上述對向構件筒部之上端部向徑向外側環狀擴展並藉由上述對向構件移動機構保持之對向構件凸緣部，於上述對向構件位於上述第2位置之狀態下，與上述噴嘴間隙連續之迷宮形成於上述對向構件凸緣部之上表面上，將包含上述離子之上述處理環境用氣體供給至上述迷宮，藉此，上述噴嘴間隙相對於外部空間而密封，並且，藉由自上述迷宮流出之包含上述離子之上述處理環境用氣體，形成沿上述對向構件之上表面自徑向中央部向徑向外側擴散之上部離子氣流。
進而更佳為上述離子產生部具備藉由進行放電而產 生上述離子之放電針，上述對向構件進而具備凹部與凸部同心圓狀交替配置於上述對向構件凸緣部之上述上表面的第1凹凸部，上述對向構件移動機構具備：與上述對向構件凸緣部之下表面於上述上下方向相對之保持部下部、與上述對向構件凸緣部之上述上表面於上述上下方向相對之保持部上部、及凹部與凸部同心圓狀交替配置於上述保持部上部之下表面之第2凹凸部，於上述對向構件位於上述第2位置之狀態下，另一凸部介隔間隙而配置於上述第1凹凸部及上述第2凹凸部之一凹部內，藉此形成上述迷宮，上述放電針於上述保持部上部之內部配置於形成於上述第2凹凸部之凹部上表面的上述處理環境用氣體之噴射口之內側。
上述目的及其他目的、特徵、樣態及優點參照隨附圖式藉由以下所進行之該發明之詳細說明即可知。
1‧‧‧基板處理裝置
4‧‧‧護罩部
5‧‧‧頂板
6‧‧‧對向構件移動機構
7‧‧‧氣液供給部
8‧‧‧離子產生部
9‧‧‧基板
11‧‧‧殼體
21‧‧‧控制部
31‧‧‧基板保持部
33‧‧‧基板旋轉機構
34‧‧‧旋轉機構收容部
41‧‧‧第1護板
42‧‧‧第2護板
43‧‧‧護板移動機構
44‧‧‧排出口
51‧‧‧對向構件本體
52‧‧‧被保持部
53、313‧‧‧扣合部
54‧‧‧對向構件開口
55‧‧‧第1凹凸部
56‧‧‧噴嘴間隙
57、57a、57b‧‧‧迷宮
58‧‧‧氣體供給路
61‧‧‧對向構件保持部
62‧‧‧對向構件升降機構
71‧‧‧處理液噴嘴
72‧‧‧處理液供給部
73‧‧‧氣體供給部
81‧‧‧放電針
90‧‧‧處理空間
91‧‧‧(基板之)上表面
311‧‧‧保持基底部
312‧‧‧夾頭
314‧‧‧基底支持部
411‧‧‧第1護板側壁部
412‧‧‧第1護板頂蓋部
421‧‧‧第2護板側壁部
422‧‧‧第2護板頂蓋部
511‧‧‧對向構件頂蓋部
512‧‧‧對向構件側壁部
521‧‧‧對向構件筒部
522‧‧‧對向構件凸緣部
551‧‧‧凹部
552‧‧‧凸部
553‧‧‧側面
581‧‧‧第1流路
582‧‧‧第1歧管
583‧‧‧第2流路
584‧‧‧第2歧管
585‧‧‧氣體噴射口
591‧‧‧氣體抽吸口
592‧‧‧抽吸路
611‧‧‧保持部本體
612‧‧‧本體支持部
613‧‧‧凸緣支持部
614‧‧‧支持部連接部
615‧‧‧第2凹凸部
616‧‧‧移動限制部
716‧‧‧處理液流路
716a‧‧‧吐出口
717‧‧‧氣體流路
717a‧‧‧下表面噴射口
717b‧‧‧側面噴射口
J1‧‧‧中心軸
S11~S23‧‧‧步驟
圖1係一實施形態之基板處理裝置之剖面圖。
圖2係基板處理裝置之剖面圖。
圖3係放大表示頂板及對向構件移動機構之一部分之剖面圖。
圖4係氣體供給路之俯視圖。
圖5係表示氣液供給部之方塊圖。
圖6係放大表示處理液噴嘴之一部分之剖面圖。
圖7係表示基板之處理之流程之圖。
圖8係基板處理裝置之剖面圖。
圖9係表示其他迷宮之例之剖面圖。
圖10係表示其他迷宮之例之剖面圖。
圖1係表示本發明之一實施形態之基板處理裝置1之構成之剖面圖。基板處理裝置1係對半導體基板9(以下僅稱作「基板9」)逐個進行處理之單片式裝置。基板處理裝置1具備基板保持部31、基板旋轉機構33、護罩部4、頂板5、對向構件移動機構6、及處理液噴嘴71。基板處理裝置1之各構成收容於殼體11之內部。
基板保持部31於水平狀態下保持基板9。基板保持部31具備保持基底部311、數個夾頭312、數個扣合部313、及基底支持部314。基板9遠離保持基底部311而配置於保持基底部311之上方。保持基底部311及基底支持部314分別係以朝上下方向之中心軸J1為中心之大致圓板狀之構件。保持基底部311配置於基底支持部314之上側，藉由基底支持部314自下方支持。保持基底部311之外徑大於基底支持部314之外徑。保持基底部311於以中心軸J1為中心之圓周方向之全周較基底支持部314向徑向更外側擴展。
數個夾頭312以中心軸J1為中心以大致等角度間隔且於圓周方向配置於保持基底部311之上表面之外周部。於基板保持部31中，藉由數個夾頭312，支持基板9之外緣部。數個扣合部313以中心軸J1為中心且以大致等角度間隔於圓周方向配置於保持基底部311之上表面之外周部。數個扣合部313較數個夾頭312配置於徑向更外側。
基板旋轉機構33收容於旋轉機構收容部34之內部。基板旋轉機構33及旋轉機構收容部34配置於基板保持部31之下方。基板旋轉機構33使基板保持部31以中心軸J1為中心旋轉。 藉此，基板9與基板保持部31一同旋轉。
護罩部4係以中心軸J1為中心之環狀構件，配置於基板9及基板保持部31之徑向外側。護罩部4配置於基板9及基板保持部31周圍之全周，接受自基板9向周圍飛散之處理液等。護罩部4具備第1護板41、第2護板42、護板移動機構43、及排出埠口44。
第1護板41具有第1護板側壁部411、及第1護板頂蓋部412。第1護板側壁部411為以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。第1護板頂蓋部412為以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，自第1護板側壁部411之上端部向徑向內側擴展。第2護板42具有第2護板側壁部421、及第2護板頂蓋部422。第2護板側壁部421為以中心軸J1為中心之大致圓筒狀，較第1護板側壁部411位於徑向更外側。第2護板頂蓋部422為以中心軸J1為中心之大致圓環板狀，較第1護板頂蓋部412於上方自第2護板側壁部421之上端部向徑向內側擴展。第1護板頂蓋部412之內徑及第2護板頂蓋部422之內徑較基板保持部31之保持基底部311之外徑及頂板5之外徑稍大。
護板移動機構43藉由使第1護板41於上下方向移動，從而於第1護板41與第2護板42之間切換接受來自基板9之處理液等之護板。藉由護罩部4之第1護板41及第2護板42而接受之處理液等經由排出埠口44向殼體11之外部排出。又，第1護板41內及第2護板42內之氣體亦經由排出埠口44向殼體11之外部排出。
頂板5係俯視呈大致圓形之構件。頂板5係與基板9 之上表面91相對之對向構件，且係遮蔽基板9之上方之遮蔽板。頂板5之外徑大於基板9之外徑及保持基底部311之外徑。頂板5具備對向構件本體51、被保持部52、數個扣合部53、及第1凹凸部55。對向構件本體51具備對向構件頂蓋部511、及對向構件側壁部512。對向構件頂蓋部511係以中心軸J1為中心之大致圓環板狀之構件，與基板9之上表面91相對。頂板5由例如非導電性樹脂形成。作為形成頂板5之材料，為了防止對基板9之處理產生意想不到之影響，較佳為使用實質上不包含碳等導電性物質之材料。
於對向構件頂蓋部511之中央部設有對向構件開口54。對向構件開口54例如俯視呈大致圓形。對向構件開口54之直徑相較於基板9之直徑係十分小。對向構件側壁部512係以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之構件，自對向構件頂蓋部511之外周部向下方擴展。
數個扣合部53以中心軸J1為中心且以大致等角度間隔於圓周方向配置於對向構件頂蓋部511之下表面之外周部。數個扣合部53配置於對向構件側壁部512之徑向內側。
被保持部52連接於對向構件本體51之上表面。被保持部52具備對向構件筒部521、及對向構件凸緣部522。對向構件筒部521係自對向構件本體51之對向構件開口54之周圍向上方突出之大致筒狀之部位。對向構件筒部521係例如以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。對向構件凸緣部522自對向構件筒部521之上端部向徑向外側環狀擴展。對向構件凸緣部522係例如以中心軸J1為中心之大致圓環板狀。於對向構件凸緣部522之上表面設有圓周狀之凹部與圓周狀之凸部同心圓狀交替配置之第1凹凸部55。第1 凹凸部55具有數個凹部及數個凸部。該數個凹部之中的最徑向內側之凹部551設於對向構件筒部521之上部，上下方向之大小大於第1凹凸部55之其他凹部。
對向構件移動機構6具備對向構件保持部61、及對向構件升降機構62。對向構件保持部61保持頂板5之被保持部52。對向構件保持部61具備保持部本體611、本體支持部612、凸緣支持部613、支持部連接部614、及第2凹凸部615。保持部本體611係例如以中心軸J1為中心之大致圓板狀。保持部本體611覆蓋頂板5之對向構件凸緣部522之上方。本體支持部612係大致水平延伸之棒狀臂。本體支持部612之一端部連接於保持部本體611，另一端部連接於對向構件升降機構62。
自保持部本體611之中央部，處理液噴嘴71向下方突出。處理液噴嘴71於非接觸狀態下插入至對向構件筒部521。於以下說明中，將處理液噴嘴71與對向構件筒部521之間之空間稱作「噴嘴間隙56」。噴嘴間隙56係例如以中心軸J1為中心之大致圓筒狀之空間。於處理液噴嘴71之周圍設有第2凹凸部615，該第2凹凸部615中的圓周狀之凹部與圓周狀之凸部係呈同心圓狀交替配置於保持部本體611之下表面。第2凹凸部615與第1凹凸部55於上下方向相對。
凸緣支持部613係例如以中心軸J1為中心之大致圓環板狀。凸緣支持部613位於對向構件凸緣部522之下方。凸緣支持部613之內徑小於頂板5之對向構件凸緣部522之外徑。凸緣支持部613之外徑大於頂板5之對向構件凸緣部522之外徑。支持部連接部614係例如以中心軸J1為中心之大致圓筒狀。支持部連接 部614將凸緣支持部613與保持部本體611於對向構件凸緣部522之周圍相連接。於對向構件保持部61中，保持部本體611係與對向構件凸緣部522之上表面於上下方向相對之保持部上部，凸緣支持部613係與對向構件凸緣部522之下表面於上下方向相對之保持部下部。
於頂板5位於圖1所示之位置之狀態下，凸緣支持部613於頂板5之對向構件凸緣部522之外周部自下側相接地支持。換言之，對向構件凸緣部522藉由對向構件移動機構6之對向構件保持部61保持。藉此，頂板5於基板9及基板保持部31之上方藉由對向構件保持部61而懸掛。於以下說明中，將圖1所示之頂板5之上下方向之位置稱作「第1位置」。頂板5於第1位置藉由對向構件移動機構6保持並向上方遠離基板保持部31。又，於頂板5位於第1位置之狀態下，第2凹凸部615之凸部之下端較第1凹凸部55之凸部之上端位於更上方。
於凸緣支持部613設有限制頂板5之位置偏移(即頂板5之移動及旋轉)之移動限制部616。於圖1所示之例中，移動限制部616係自凸緣支持部613之上表面向上方突出之突起部。移動限制部616插入至設於對向構件凸緣部522之孔部，藉此，頂板5之位置偏移受到限制。
對向構件升降機構62使頂板5與對向構件保持部61一同於上下方向移動。圖2係表示頂板5自圖1所示之第1位置下降之狀態之剖面圖。於以下說明中，將圖2所示之頂板5之上下方向之位置稱作「第2位置」。即，對向構件升降機構62使頂板5於上下方向之第1位置與第2位置之間相對於基板保持部31於上下 方向相對移動。第2位置係較第1位置更下方之位置。換言之，第2位置係頂板5較第1位置於上下方向更接近基板保持部31之位置。
於頂板5位於第2位置之狀態下，頂板5之數個扣合部53分別與基板保持部31之數個扣合部313扣合。數個扣合部53藉由數個扣合部313自下方支持。換言之，數個扣合部313係支持頂板5之對向構件支持部。例如，扣合部313係與上下方向大致平行之銷，扣合部313之上端部嵌合於扣合部53之下端部向上形成的凹部。又，頂板5之對向構件凸緣部522向上方遠離對向構件保持部61之凸緣支持部613。藉此，頂板5於第2位置藉由基板保持部31保持並遠離對向構件移動機構6(即與對向構件移動機構6為非接觸狀態)。
於頂板5藉由基板保持部31保持之狀態下，頂板5之對向構件側壁部512之下端位於例如較基板保持部31之保持基底部311之上表面更下方、或與保持基底部311之上表面於上下方向相同之位置。於頂板5位於第2位置之狀態下若基板旋轉機構33受到驅動，則頂板5使基板9及基板保持部31一齊以中心軸J1為中心旋轉。換言之，於頂板5位於第2位置之狀態下，頂板5可藉由基板旋轉機構33使基板9及基板保持部31一同以中心軸J1為中心旋轉。
如上所述，處理液噴嘴71介隔噴嘴間隙56與對向構件筒部521不接觸，即便於頂板5旋轉之際亦不旋轉而位於對向構件筒部521之徑向內側。換言之，於頂板5旋轉之際，於靜止狀態之處理液噴嘴71之周圍，對向構件筒部521與頂板5之其他部位 一同旋轉。
圖3係放大表示頂板5及對向構件移動機構6之一部分之剖面圖。如圖2及圖3所示，於頂板5位於第2位置之狀態下，第1凹凸部55與第2凹凸部615相互於非接觸狀態下於上下方向接近。第1凹凸部55之凸部介隔間隙而配置於第2凹凸部615之凹部內，第2凹凸部615之凸部介隔間隙而配置於第1凹凸部55之凹部內。換言之，另一凸部介隔間隙而配置於第1凹凸部55及第2凹凸部615之一凹部內。藉此，於對向構件凸緣部522之上表面上形成有迷宮57。具體而言，於處理液噴嘴71之周圍，於頂板5之對向構件凸緣部522與對向構件移動機構6之保持部本體611之間形成有迷宮57。於整個迷宮57中，第1凹凸部55與第2凹凸部615之間之上下方向之距離及徑向之距離大致一定。迷宮57與噴嘴間隙56連續。於頂板5旋轉之際，第1凹凸部55旋轉，第2凹凸部615不旋轉。
如圖3所示，於對向構件保持部61之內部設有連接於迷宮57之氣體供給路58。再者，於上述圖1及圖2中，省略氣體供給路58之圖示。圖4係表示氣體供給路58之俯視圖。如圖3及圖4所示，氣體供給路58具備第1流路581、第1歧管582、數個第2流路583、第2歧管584、及數個氣體噴射口585。第1歧管582、數個第2流路583及第2歧管584形成於保持部本體611之內部，數個氣體噴射口585形成於保持部本體611之下表面。具體而言，數個氣體噴射口585形成於保持部本體611之第2凹凸部615之凹部上表面。又，第1流路581形成於本體支持部612之內部。
數個氣體噴射口585於第2凹凸部615之1個凹部之 上表面(即凹部之底面)以大致等角度間隔於圓周方向配置。數個氣體噴射口585係以中心軸J1為中心周狀配置之周狀噴射口。該周狀噴射口配置於迷宮57之徑向內端與徑向外端之間。於氣體供給路58中，例如以中心軸J1為中心之大致圓環狀之1個噴射口可由數個氣體噴射口585代替而作為周狀噴射口設置。
第2歧管584配置於數個氣體噴射口585之上方，連接於數個氣體噴射口585。第2歧管584係以中心軸J1為中心之大致圓環狀之流路。第1歧管582配置於第2歧管584之徑向外側。第1歧管582係以中心軸J1為中心之大致圓環狀之流路。數個第2流路583係大致徑向延伸之直線狀流路，將第1歧管582與第2歧管584相連接。於圖4所示之例中，4個第2流路583以大致等角度間隔於圓周方向配置。第1流路581自第1歧管582向徑向外側延伸。第1流路581配置於圓周方向上之與數個第2流路583不同之位置。
圖5係表示基板處理裝置1中之與氣體及處理液之供給相關之氣液供給部7之方塊圖。氣液供給部7具備處理液噴嘴71、處理液供給部72、及氣體供給部73。處理液供給部72連接於處理液噴嘴71。氣體供給部73連接於處理液噴嘴71，向處理液噴嘴71供給氣體。氣體供給部73亦連接於設於對向構件保持部61之氣體供給路58之第1流路581，經由氣體供給路58向迷宮57供給氣體。
基板處理裝置1進而具備控制部21。控制部21控制基板旋轉機構33及對向構件移動機構6(參照圖1)、以及處理液供給部72、氣體供給部73及後述之離子產生部8等構成。再者，於 除圖5以外之圖中，為了簡化圖，省略控制部21之圖示。
於基板處理裝置1中，作為處理液，利用各種種類之液體。處理液可為例如用於基板9之藥液處理之藥液(聚合物去除液、氫氟酸或氫氧化四甲基銨水溶液等蝕刻液等)。處理液亦可為例如用於基板9之清洗處理之去離子水(DIW)或碳酸水等清洗液。處理液亦可為例如為了置換基板9上之液體而供給之異丙醇(IPA)等。自氣體供給部73供給之氣體為例如氮氣(N2)氣體等惰性氣體。自氣體供給部73亦可供給除惰性氣體以外之各種氣體。
圖6係放大表示處理液噴嘴71之一部分之剖面圖。處理液噴嘴71由例如PFA(四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚合體)形成。於處理液噴嘴71之內部設有處理液流路716與2個氣體流路717。處理液流路716連接於圖5所示之處理液供給部72。2個氣體流路717連接於圖5所示之氣體供給部73。
自處理液供給部72向圖6所示之處理液流路716供給之處理液自設於處理液噴嘴71之下端面之吐出口716a向下方吐出。於自處理液噴嘴71吐出數種之處理液之情形時，可於處理液噴嘴71設有與數種處理液分別對應之數個處理液流路716，分別自數個吐出口716a吐出數種處理液。
自氣體供給部73向中央之氣體流路717(圖中之右側之氣體流路717)供給之惰性氣體自設於處理液噴嘴71之下端面之下表面噴射口717a向下方供給(例如噴射)。自氣體供給部73向外周部之氣體流路717供給之惰性氣體自設於處理液噴嘴71之側面之數個側面噴射口717b向周圍供給。
數個側面噴射口717b於圓周方向以大致等角度間隔 排列。數個側面噴射口717b連接於自外周部之氣體流路717之下端部向圓周方向延伸之周狀流路。自氣體供給部73供給之惰性氣體自數個側面噴射口717b向斜下方供給(例如噴射)。再者，側面噴射口717b可僅設有1個。
自處理液供給部72(參照圖5)供給之處理液自處理液噴嘴71之吐出口716a經由圖2所示之對向構件開口54向基板9之上表面91吐出。換言之，處理液噴嘴71經由對向構件開口54向基板9之上表面91供給自處理液供給部72供給之處理液。於基板處理裝置1中，處理液噴嘴71可自對向構件本體51之對向構件開口54向下方突出。換言之，處理液噴嘴71之前端可位於較對向構件開口54之下端緣更靠下方。自處理液供給部72供給之處理液於處理液噴嘴71內經由對向構件開口54向下方流動，自處理液噴嘴71之吐出口716a(參照圖6)向基板9之上表面91吐出。處理液經由對向構件開口54而供給之情況不僅包括較對向構件開口54於更上方自處理液噴嘴71吐出之處理液通過對向構件開口54之狀態，亦包括處理液經由插入至對向構件開口54之處理液噴嘴71吐出之狀態。
自氣體供給部73(參照圖5)供給至處理液噴嘴71之惰性氣體之一部分，係自處理液噴嘴71之下表面噴射口717a(參照圖6)向頂板5之下方之空間即下方空間之徑向中央部供給。詳細而言，來自氣體供給部73之惰性氣體之一部分自處理液噴嘴71之下表面噴射口717a經由對向構件開口54向頂板5之下表面與基板9之上表面91之間之空間即處理空間90之徑向中央部供給。又，自氣體供給部73供給至處理液噴嘴71之惰性氣體之一部分自處理液 噴嘴71之數個側面噴射口717b(參照圖6)向噴嘴間隙56供給。於噴嘴間隙56中，來自氣體供給部73之惰性氣體自處理液噴嘴71之側面向斜下方供給並向下方流動，向處理空間90供給。
於基板處理裝置1中，基板9之處理較佳為於處理空間90中自處理液噴嘴71供給惰性氣體從而使處理空間90成為惰性氣體環境之狀態下進行。換言之，自氣體供給部73供給至處理空間90之氣體係處理環境用氣體。於處理環境用氣體中，亦包含自處理液噴嘴71向噴嘴間隙56供給並經由噴嘴間隙56供給至上述下方空間(即處理空間90)之氣體。
自氣體供給部73供給至圖3及圖4所示之氣體供給路58之第1流路581的惰性氣體於第1歧管582於圓周方向擴散，並經由數個第2流路583導向第2歧管584。該惰性氣體亦於第2歧管584於圓周方向擴散，於迷宮57之徑向內端與徑向外端之間，自數個氣體噴射口585向下方之迷宮57噴射。惰性氣體自數個氣體噴射口585供給至迷宮57，藉此，較迷宮57更靠徑向內側之空間即噴嘴間隙56、及與噴嘴間隙56連續之處理空間90相對於迷宮57之徑向外側之空間而密封。即，自氣體供給部73供給至迷宮57之氣體係密封氣體。自數個氣體噴射口585供給至迷宮57之惰性氣體於迷宮57內向徑向外側及徑向內側擴散。
於迷宮57內向徑向內側擴散之惰性氣體自迷宮57向噴嘴間隙56供給，並經由噴嘴間隙56向上述下方空間(即處理空間90)供給。於迷宮57內向徑向外側擴散之惰性氣體通過迷宮57，並向對向構件凸緣部522之下方流回，自對向構件凸緣部522與凸緣支持部613之間供給至頂板5之上表面(即對向構件本體51之上 表面)上。
於圖5所示之例中，氣體供給部73為作為密封氣體之供給源之密封氣體供給部，且亦為作為處理環境用氣體之供給源的處理環境用氣體供給部。又，圖3所示之氣體噴射口585為密封氣體之噴射口，且亦為處理環境用氣體之噴射口。而且，處理環境用氣體與密封氣體為相同種類之氣體。再者，處理環境用氣體與密封氣體亦可為不同種類之氣體。於氣體供給路58中，第1歧管582及第2歧管584分別為於密封氣體供給部即氣體供給部73與數個氣體噴射口585之間暫時貯存密封氣體的環狀歧管。
如圖3及圖5所示，基板處理裝置1進而具備離子產生部8。離子產生部8產生離子並向來自氣體供給部73之惰性氣體供給該離子。離子產生部8具備藉由進行放電而產生離子之放電針81。放電針81例如配置於保持部本體611之內部。較佳為放電針81接近氣體噴射口585地配置於氣體噴射口585之內側。於圖3所示之例中，放電針81於保持部本體611之內部配置於第2歧管584，藉由離子化自氣體供給部73供給之第2歧管584內之惰性氣體之一部分，產生上述離子。設於離子產生部8之放電針81之數量可為1個，亦可為數個。於離子產生部8具備數個放電針81之情形時，該數個放電針81例如於第2歧管584且於圓周方向以大致等角度間隔配置。
其次，就基板處理裝置1之基板9之處理流程之一例，參照圖7加以說明。首先，於頂板5位於圖1所示之第1位置之狀態下，將基板9搬入至殼體11內，並藉由基板保持部31保持(步驟S11)。此時，頂板5藉由對向構件移動機構6之對向構件保 持部61保持。
然後，藉由對向構件升降機構62使對向構件保持部61向下方移動。藉此，頂板5自第1位置向下方移動，位於較步驟S11中之位置(即基板9之搬入時之位置)更下方。具體而言，頂板5自第1位置向第2位置移動，如圖2所示，藉由基板保持部31保持(步驟S12)。又，如圖2及圖3所示，迷宮57形成於頂板5與對向構件保持部61之間。
而且，氣體供給部73藉由控制部21(參照圖5)控制，藉此，經由處理液噴嘴71，開始對噴嘴間隙56及處理空間90之惰性氣體(即處理環境用氣體)之供給。又，經由圖3所示之氣體供給路58，亦開始對迷宮57之惰性氣體(即密封氣體)之供給(步驟S13)。於步驟S13以後亦繼續進行來自處理液噴嘴71之惰性氣體之供給、及向迷宮57之惰性氣體之供給。
其次，圖2所示之基板旋轉機構33藉由控制部21控制，藉此，基板保持部31、基板9及頂板5之旋轉開始(步驟S14)。又，離子產生部8藉由控制部21控制，藉此，開始離子之產生，且開始向來自氣體供給部73之惰性氣體之離子之供給(步驟S15)。具體而言，藉由圖3所示之離子產生部8，對於自氣體噴射口585向迷宮57供給之前的惰性氣體供給離子。自氣體噴射口585供給至迷宮57之惰性氣體包含該離子。步驟S15可較步驟S14更前進行，亦可與步驟S13、S14並行進行。
如此，步驟S13~S15於較步驟S12更後進行，藉此，於頂板5位於第2位置之狀態下使基板保持部31及頂板5旋轉，包含上述離子之惰性氣體之一部分經由迷宮57及噴嘴間隙56供給 至處理空間90之徑向中央部。藉此，形成自處理空間90之徑向中央部向徑向外側擴散之離子氣流(即包含離子之氣體之氣流)。處理空間90中之離子氣流之形成係於較利用來自後述之處理液供給部72之處理液之基板9之處理更前進行。
於基板處理裝置1中，存在搬入帶電之狀態之基板9的情況。基板9藉由例如於向基板處理裝置1搬入前實施乾式蝕刻或電漿化學氣相沈積(CVD，Chemical Vapor Deposition)等乾式步驟而帶電。具體而言，於預先形成於基板9之上表面91上之裝置內，藉由上述乾式步驟產生電荷。於基板處理裝置1中，如上所述，於基板9之上表面91與頂板5之下表面之間之空間即處理空間90形成離子氣流，藉此，於向基板處理裝置1搬入時已經發生之基板9之帶電(所謂帶入帶電)被去除。
於基板處理裝置1中，利用離子氣流之基板9之帶入帶電之去除處理(即去靜電處理)進行既定時間(步驟S16)。於步驟S16中，於圖3所示之頂板5之下表面帶電之情形時，藉由該離子氣流，亦進行頂板5之下表面之去靜電。又，於處理液噴嘴71及對向構件筒部521帶電之情形時，亦藉由自迷宮57向處理空間90流經噴嘴間隙56之包含離子之惰性氣體，進行處理液噴嘴71及對向構件筒部521之去靜電。
於基板處理裝置1中，於步驟S16中供給至迷宮57之惰性氣體(即包含離子之惰性氣體)之一部分於迷宮57內向徑向外側流動。藉此，噴嘴間隙56相對於迷宮57之徑向外側之空間即外部空間而密封。於迷宮57內向徑向外側流動之惰性氣體自對向構件凸緣部522與凸緣支持部613之間向頂板5之上表面之徑向中 央部供給，並沿頂板5之上表面自徑向中央部向徑向外側流動。換言之，藉由自迷宮57向徑向外側流出之包含離子之惰性氣體，形成沿頂板5之上表面自徑向中央部向徑向外側擴散之上部離子氣流。藉此，於頂板5之上表面帶電之情形時，藉由該上部離子氣流，進行頂板5之上表面之去靜電。
若基板9之帶入帶電之去除處理結束，則第1處理液自處理液供給部72向處理液噴嘴71供給，經由圖2所示之位於第2位置之頂板5之對向構件開口54，供給至旋轉中之基板9之上表面91之中央部(步驟S17)。自處理液噴嘴71供給至基板9之中央部之第1處理液藉由基板9之旋轉，自基板9之中央部向徑向外側擴散，且賦予至基板9之整個上表面91。第1處理液自基板9之外緣向徑向外側飛散，藉由護罩部4之第1護板41而接受。圖2所示之第1護板41之上下方向之位置係接受來自基板9之處理液之位置，於以下說明中稱作「受液位置」。對基板9賦予第1處理液既定時間，藉此，利用第1處理液之基板9之處理結束。第1處理液為例如聚合物去除液或蝕刻液等藥液，於步驟S17中，對基板9進行藥液處理。於利用第1處理液之基板9之處理進行期間，持續進行向迷宮57、噴嘴間隙56及處理空間90之包含離子之惰性氣體之供給。
若利用第1處理液之基板9之處理結束，則來自處理液噴嘴71之第1處理液之供給停止。而且，藉由護板移動機構43使第1護板41移動至下方，如圖8所示，使其位於較上述受液位置更下方之待避位置。藉此，接受來自基板9之處理液之護板自第1護板41切換至第2護板42。即，護板移動機構43係藉由使第1 護板41於受液位置與待避位置之間於上下方向移動、而將接受來自基板9之處理液之護板於第1護板41與第2護板42之間切換的護板切替機構。
然後，第2處理液自處理液供給部72向處理液噴嘴71供給，經由位於第2位置之頂板5之對向構件開口54，供給至旋轉中之基板9之上表面91之中央部(步驟S18)。自處理液噴嘴71供給至基板9之中央部之第2處理液藉由基板9之旋轉，自基板9之中央部向徑向外側擴散，且賦予至基板9之整個上表面91。第2處理液自基板9之外緣向徑向外側飛散，藉由護罩部4之第2護板42而接受。對基板9賦予第2處理液既定時間，藉此，利用第2處理液之基板9之處理結束。第2處理液為例如去離子水或碳酸水等清洗液，於步驟S18中，對基板9進行清洗處理。於利用第2處理液之基板9之處理進行期間，亦持續進行向迷宮57、噴嘴間隙56及處理空間90之包含離子之惰性氣體之供給。
若利用第2處理液之基板9之處理結束，則來自處理液噴嘴71之第2處理液之供給停止。而且，藉由氣體供給部73自處理液噴嘴71之側面向噴嘴間隙56噴射之惰性氣體之流量增大。又，自處理液噴嘴71之下端面向處理空間90噴射之惰性氣體之流量亦增大。進而，利用基板旋轉機構33之基板9之旋轉速度增大。藉此，殘留於基板9之上表面91上之第2處理液等向徑向外側移動並自基板9之外緣向徑向外側飛散，藉由護罩部4之第2護板42而接受。利用基板旋轉機構33之基板9之旋轉僅持續既定之時間，藉此，進行自基板9之上表面91上去除來自處理液供給部72之處理液之乾燥處理(步驟S19)。
於步驟S19之乾燥處理中，由於頂板5及基板9以高速旋轉，故藉由頂板5及基板9與空氣之摩擦，使頂板5及基板9之帶電產生。於基板處理裝置1中，上述處理空間90中之離子氣流之形成於步驟S19之乾燥處理時亦持續進行。藉此，進行頂板5之下表面、及基板9之上表面91之去靜電。於基板處理裝置1中，又，沿頂板5之上表面之上部離子氣流之形成亦於步驟S19之乾燥處理時持續進行。藉此，進行頂板5之上表面之去靜電。
於步驟S19之乾燥處理中，於旋轉之對向構件筒部521亦藉由與空氣之摩擦而發生帶電。又，藉由對向構件筒部521之旋轉，於噴嘴間隙56產生圓周方向上之氣流，藉由與該氣流之摩擦，於處理液噴嘴71上亦產生帶電。於基板處理裝置1中，藉由自迷宮57向處理空間90流動之包含離子之惰性氣體，進行對向構件筒部521及處理液噴嘴71之去靜電。
如此，於基板處理裝置1中，頂板5、基板9及處理液噴嘴71之去靜電處理與步驟S19中之基板9之乾燥處理係並行進行。再者，步驟S19中之頂板5、基板9及處理液噴嘴71之去靜電處理不僅包括藉由包含離子之惰性氣體之供給而去除頂板5、基板9及處理液噴嘴71之帶電之處理，亦包括防止或抑制該帶電之產生之處理。該去靜電處理例如持續進行直至基板9之乾燥處理結束為止，且與乾燥處理之結束同時結束。
若基板9之乾燥處理結束，則利用基板旋轉機構33之基板保持部31、基板9及頂板5之旋轉停止(步驟S20)。又，自氣體供給部73向噴嘴間隙56、處理空間90及迷宮57之惰性氣體之供給停止。進而，利用離子產生部8之離子之產生、及向惰性氣 體之離子之供給亦停止(步驟S21)。其次，藉由對向構件升降機構62使對向構件保持部61向上方移動，藉此，頂板5自第2位置朝圖1所示之第1位置向上方移動(步驟S22)。頂板5向上方遠離基板保持部31並藉由對向構件保持部61保持。其後，基板9自殼體11搬出(步驟S23)。於基板處理裝置1中，對數個基板9依序進行上述步驟S11~S23，依序處理數個基板9。
如以上所說明，基板處理裝置1具備基板保持部31、基板旋轉機構33、頂板5、處理液供給部72、氣體供給部73、離子產生部8、及控制部21。基板保持部31於水平狀態下保持基板9。基板旋轉機構33使基板保持部31以朝上下方向之中心軸J1為中心旋轉。頂板5與基板9之上表面相對，並以中心軸J1為中心旋轉。處理液供給部72向基板9之上表面91供給處理液。氣體供給部73向頂板5之下方之空間即下方空間之徑向中央部供給處理環境用氣體。離子產生部8產生離子並將其供給至來自氣體供給部73之處理環境用氣體。控制部21藉由控制基板旋轉機構33、氣體供給部73及離子產生部8，而於頂板5位於較基板9之搬入時更靠下方之狀態下使基板保持部31及頂板5旋轉，向上述下方空間供給包含離子之處理環境用氣體，形成自下方空間之徑向中央部向徑向外側擴散之離子氣流。
藉此，相比於藉由朝頂板照射X射線而對頂板進行去靜電之情況等，可藉由簡單之構造進行頂板5之去靜電。其結果，可防止粒子等對頂板5之附著。又，可防止放電發生於頂板5與基板9之間。進而，由於可防止該放電，故亦無向基板9之可燃性藥液等之供給受到限制之虞。
於基板處理裝置1中，又，藉由使頂板5接近基板保持部31，可縮小下方空間，減少供給至下方空間之包含離子之處理環境用氣體之量。進而，藉由使頂板5及基板保持部31旋轉，可將供給至下方空間之包含離子之處理環境用氣體自下方空間之徑向中央部向徑向外側大致均一且迅速擴散。藉此，可進一步減少形成離子氣流之際所需要之處理環境用氣體之量。其結果，可降低處理環境用氣體之使用量，同時可進行頂板5之去靜電。
如上所述，形成有離子氣流之下方空間係頂板5之下表面與基板9之上表面91之間之空間即處理空間90。處理空間90中之離子氣流之形成係於藉由利用基板旋轉機構33之基板9之旋轉而自基板9上去除來自處理液供給部72之處理液的乾燥處理時(步驟S19)進行。藉此，可進行乾燥處理時之頂板5及基板9之去靜電。
又，處理空間90中之離子氣流之形成亦於較利用來自處理液供給部72之處理液之基板9之處理(步驟S17)更之前進行。藉此，可於較處理液供給至基板9之前進行頂板5及基板9之去靜電。由此，即便於搬入至基板處理裝置1之基板9已經帶電之情形(即，帶入帶電發生之情形)時，亦可防止或抑制由於該帶電而使供給至基板9上之處理液與基板9之間發生放電之情況。其結果，可防止或抑制由處理液與基板9之間之放電所導致的基板9之損傷等。
進而，於基板處理裝置1中，利用處理液之基板9之處理前之離子氣流之形成，係利用於利用處理液之基板9之處理時供給至處理空間90之處理環境用氣體而進行。如此，將於利用處 理液之處理前之去靜電處理(步驟S16)中供給至處理空間90之氣體、於利用該去靜電處理後之處理液之處理(步驟S17)之際供給至處理空間90之氣體設為相同種類，藉此，於步驟S16與步驟S17之間切換供給至處理空間90之氣體之步驟變得沒必要。其結果，可抑制由於步驟S16之去靜電處理引起的基板9之處理時間之增加。
基板處理裝置1進而具備對向構件移動機構6。對向構件移動機構6保持頂板5，並使頂板5於上下方向之第1位置與第2位置之間相對於基板保持部31相對移動。頂板5於第1位置藉由對向構件移動機構6保持，並向上方遠離基板保持部31。又，頂板5於第2位置藉由基板保持部31保持，並藉由基板旋轉機構33與基板保持部31一同旋轉。
如此，於頂板5之旋轉時，由於頂板5遠離對向構件移動機構6，故難以經由對向構件移動機構6使頂板5接地等而進行去靜電。於基板處理裝置1中，如上所述，藉由於位於頂板5之下方之下方空間形成離子氣流，可容易地進行藉由基板旋轉機構33與基板保持部31一齊旋轉之頂板5之去靜電。又，於基板處理裝置1中，由於沒必要與基板旋轉機構33不同地設置用於使頂板5旋轉之機構，故可簡化裝置構造。
於基板處理裝置1中，頂板5具備對向構件本體51及對向構件筒部521。對向構件本體51與基板9之上表面91相對。於對向構件本體51之徑向中央部設有對向構件開口54。對向構件筒部521係自對向構件本體51之對向構件開口54之周圍向上方突出之筒狀部位。又，處理液供給部72具備處理液噴嘴71。處理液 噴嘴71插入至對向構件筒部521，並經由對向構件開口54向基板9之上表面91供給處理液。而且，包含離子之處理環境用氣體經由處理液噴嘴71與對向構件筒部521之間之空間即噴嘴間隙56向上述下方空間供給。由此，利用流經噴嘴間隙56之包含離子之處理環境用氣體可進行處理液噴嘴71之去靜電。又，亦可進行對向構件筒部521之去靜電。
如上所述，頂板5進而具備對向構件凸緣部522。對向構件凸緣部522自對向構件筒部521之上端部向徑向外側環狀擴展，並藉由對向構件移動機構6保持。於頂板5位於第2位置之狀態下，於對向構件凸緣部522之上表面上形成有與噴嘴間隙56連續之迷宮57。而且，將包含離子之處理環境用氣體供給至迷宮57，藉此，噴嘴間隙56相對於外部空間而密封，形成沿頂板5之上表面自徑向中央部向徑向外側擴散之上部離子氣流。藉此，亦可進行頂板5之上表面之去靜電。
於基板處理裝置1中，離子產生部8具備藉由進行放電而產生離子之放電針81。頂板5進而具備凹部與凸部同心圓狀交替配置於對向構件凸緣部522之上表面的第1凹凸部。對向構件移動機構6具備凸緣支持部613、保持部本體611、及第2凹凸部615。凸緣支持部613與對向構件凸緣部522之下表面於上下方向相對。保持部本體611與對向構件凸緣部522之上表面於上下方向相對。於第2凹凸部615中，凹部與凸部同心圓狀交替配置於保持部本體611之下表面。而且，於頂板5位於第2位置之狀態下，另一凸部介隔間隙而配置於第1凹凸部55及第2凹凸部615之一凹部內，藉此，形成迷宮57。又，放電針81配置於形成於第2凹凸部615 之凹部上表面的處理環境用氣體之氣體噴射口585之內側。
如此，藉由將放電針81配置於氣體噴射口585之附近，可抑制離子之經時性減少，並可供給包含離子之處理環境用氣體至噴嘴間隙56、處理空間90及頂板5之上表面上。其結果，可高效地進行對向構件筒部521及處理液噴嘴71之去靜電、頂板5之上表面及下表面之去靜電、以及基板9之上表面91之去靜電。
於基板處理裝置1中，利用離子氣流之去靜電未必需要與利用基板9之處理液之處理前(步驟S16)、及基板9之乾燥處理並行(步驟S19)進行。於基板處理裝置1中，例如可僅進行步驟S16及步驟S19中之一個去靜電處理。或，亦可不進行步驟S16及步驟S19之去靜電處理而於其他狀態下進行利用離子氣流之去靜電。
又，利用離子氣流之去靜電未必有必要於基板9之搬入後進行。例如，於基板9未搬入之狀態(即基板保持部31未保持基板9之狀態)下，控制部21控制基板旋轉機構33、氣體供給部73及離子產生部8，藉此，可進行頂板5及基板保持部31之去靜電。具體而言，於頂板5位於第2位置之狀態(即較基板9之搬入時位於更下方之狀態)下使基板保持部31及頂板5旋轉，將包含離子之處理環境用氣體供給至頂板5之下方空間之徑向中央部。藉此，於頂板5與基板保持部31之間之空間即該下方空間中，形成自徑向中央部向徑向外側擴散之離子氣流。其結果，可減少處理環境用氣體之使用量，並可藉由簡單之構造進行頂板5及基板保持部31之去靜電。該去靜電例如於基板處理裝置1維護之際或基板9即將向基板處理裝置1搬入之前進行。
其次，就其他較佳迷宮之例加以說明。圖9與圖3相同，係放大表示頂板5及對向構件移動機構6之一部分之剖面圖(於後述之圖10中亦相同)。於圖9所示之迷宮57a中，與數個氣體噴射口585(即周狀噴射口)相對之面553係隨著向徑向外側而朝向下方之傾斜面。詳細而言，頂板5之第1凹凸部55之中，位於數個氣體噴射口585之下方之1個環狀凸部552之徑向外側之側面553係隨著向徑向外側而朝向下方之傾斜面。
藉此，可容易地將自數個氣體噴射口585噴射至迷宮57a內之包含離子之惰性氣體(即密封氣體)沿傾斜面即側面553導向徑向外側。其結果，可更進一步抑制外部空間之環境侵入迷宮57a內。又，由於自各氣體噴射口585向側面553噴射之惰性氣體於圓周方向擴散，故亦可大致均一地供給惰性氣體至迷宮57a中之數個氣體噴射口585之間之區域。其結果，於迷宮57a中，可提高惰性氣體之壓力於圓周方向上之均一性。進而，可更進一步提高迷宮57a中之惰性氣體之流量於圓周方向上之均一性。
於上述基板處理裝置1中，可進行各種變更。
例如，於利用第1處理液及第2處理液之基板9之處理中(步驟S17，S18)，利用離子產生部8之離子之產生亦可停止。於此情形時，於噴嘴間隙56、處理空間90及迷宮57、57a中供給有實質上不包含離子產生部8產生之離子的處理環境用氣體。又，於步驟S16中之去靜電處理之際，供給至噴嘴間隙56、處理空間90及迷宮57、57a之包含離子之處理環境用氣體可為與於步驟S17、S18中供給至噴嘴間隙56、處理空間90及迷宮57、57a之處理環境用氣體不同種類之氣體。
於基板處理裝置1中，離子產生部8之放電針81可配置於保持部本體611之內部以外之部位。例如，放電針81設於處理液噴嘴71之內部、或處理液噴嘴71與氣體供給部73之間之流路上，藉由該放電針81，可將離子供給至自處理液噴嘴71供給至處理空間90及/或噴嘴間隙56之處理環境用氣體。又，離子產生部8可具備除放電針81以外之各種離子產生機構。
離子產生部8未必有必要將自氣體供給部73供給之處理環境用氣體之一部分離子化。例如，於離子產生部8中，可使自與氣體供給部73不同之供給部供給之氣體離子化，且將該經離子化之氣體供給至來自氣體供給部73之處理環境用氣體。於此情形時，藉由離子產生部8而離子化之氣體可為與處理環境用氣體不同之種類之氣體，亦可為相同種類之氣體。
迷宮57、57a未必有必要形成於頂板5之對向構件凸緣部522與對向構件保持部61之保持部本體611之間。迷宮57、57a之形狀及配置可進行各種變更。例如，於頂板5於第2位置藉由基板保持部31保持之狀態下，對向構件保持部61可自頂板5上退避，於藉由噴嘴移動機構而移動之處理液噴嘴插入至頂板5之對向構件筒部521之情形時，藉由設於該處理液噴嘴之上端部之周圍之圓周狀凹凸部、及頂板5之第1凹凸部55，於對向構件凸緣部522之上表面上形成迷宮。又，迷宮57、57a未必有必要僅於頂板5位於第2位置之狀態下形成，可不拘於頂板5之位置而設置。
於基板處理裝置1中，於頂板5之上表面之去靜電之必要性不太高之情形等時，沿頂板5之上表面擴散之上部離子氣流未必有形成必要。於此情形時，如圖10所示，可於對向構件保持 部61之保持部本體611設有於迷宮57b之徑向外端部(即上述外部空間側之端部)抽吸迷宮57b內之氣體之數個氣體抽吸口591。數個氣體抽吸口591可於第2凹凸部615之徑向外端部之1個凹部之上表面(即凹部之底面)以大致等角度間隔於圓周方向配置。數個氣體抽吸口591經由形成於對向構件保持部61之內部之抽吸路592連接於圖示省略之抽吸部。數個氣體抽吸口591係於迷宮57b之徑向外端部以中心軸J1為中心周狀配置之周狀抽吸口。該抽吸部受到驅動，藉此，經由該周狀抽吸口而抽吸迷宮57b內之氣體。
藉此，於迷宮57b中，可抑制外部空間之環境向較數個氣體抽吸口591更向徑向內側侵入。又，可更容易地將自數個氣體噴射口585向迷宮57b內供給之惰性氣體(即密封氣體)導向徑向外側。其結果，可進一步抑制外部空間之環境侵入迷宮57b內。於迷宮57b中，例如以中心軸J1為中心之大致圓環狀之1個抽吸口可由數個氣體抽吸口591代替作為周狀抽吸口設置。設於迷宮57b之周狀抽吸口亦可設於圖9所示之迷宮57a。
於基板處理裝置1中，可進行來自處理液噴嘴71之側面之處理環境用氣體之噴射。
於基板處理裝置1中，使頂板5旋轉之機構可與基板旋轉機構33分別設置。於此情形時，於步驟S12中，頂板5未必有位於第2位置之必要，為位於較基板9之搬入時更下方之狀態(即位於較步驟S11中之位置更下方之狀態)即可。於此狀態下使基板保持部31及頂板5旋轉，將包含離子之處理環境用氣體供給至頂板5之下方空間之徑向中央部。藉此，形成自下方空間之徑向中央部向徑向外側擴散之離子氣流。其結果，與上述相同，可減少處理 環境用氣體之使用量，並可藉由簡單之構造進行頂板5及基板9之去靜電或、頂板5及基板保持部31之去靜電。
又，於基板處理裝置1中，可不設置噴嘴間隙56及迷宮57、57a、57b。例如，如上所述，於使頂板5旋轉之機構與基板旋轉機構33不同地設置之情形時，處理液噴嘴71可於側方不經由間隙而固定於頂板5，與頂板5一同旋轉。於此情形時，向頂板5之下方空間之處理環境用氣體之供給例如僅自處理液噴嘴71之下端面進行。又，離子產生部8設於處理液噴嘴71之內部、或處理液噴嘴71與氣體供給部73之間之流路上，供給離子至自處理液噴嘴71之下端面供給至下方空間之處理環境用氣體。
上述實施形態及各變形例中之構成只要不相互矛盾，皆可適當地組合。
已詳細描寫並說明發明，但已述之說明係例示性而並非限定性者。因此，只要不脫離本發明之範圍，便可進行多種變形或態樣。

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，其係處理基板者，其特徵在於具備：於水平狀態下保持基板之基板保持部；使上述基板保持部以朝上下方向之中心軸為中心旋轉之基板旋轉機構；與上述基板之上表面相對並以上述中心軸為中心旋轉之對向構件；保持上述對向構件並使上述對向構件於上下方向之第1位置與第2位置之間相對於上述基板保持部相對移動的對向構件移動機構；向上述基板之上述上表面供給處理液之處理液供給部；向屬於上述對向構件之下方之空間的下方空間之徑向中央部供給處理環境用氣體之氣體供給部；產生離子並將其供給至來自上述氣體供給部之上述處理環境用氣體之離子產生部；及控制部，其藉由控制上述基板旋轉機構、上述氣體供給部及上述離子產生部，於上述對向構件位於較上述基板之搬入時更靠下方之狀態下使上述基板保持部及上述對向構件旋轉，並供給包含上述離子之上述處理環境用氣體至上述下方空間，形成自上述下方空間之徑向中央部向徑向外側擴散之離子氣流；上述對向構件係於上述第1位置藉由上述對向構件移動機構所保持並向上方遠離上述基板保持部，於上述第2位置藉由上述基板保持部所保持，並藉由上述基板旋轉機構而與上述基板保持部一同旋轉，上述對向構件具備： 與上述基板之上述上表面相對並於徑向中央部設有對向構件開口之對向構件本體；及自上述對向構件本體之上述對向構件開口之周圍向上方突出之筒狀對向構件筒部；上述處理液供給部具備插入至上述對向構件筒部並經由上述對向構件開口向上述基板之上述上表面供給上述處理液之處理液噴嘴，包含上述離子之上述處理環境用氣體係經由屬於上述處理液噴嘴與上述對向構件筒部之間之空間的噴嘴間隙供給至上述下方空間。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，形成有上述離子氣流之上述下方空間係屬於上述對向構件之下表面與上述基板之上述上表面之間之空間的處理空間，上述離子氣流之形成係於藉由利用上述基板旋轉機構所進行之上述基板之旋轉而自上述基板上去除來自上述處理液供給部之上述處理液的乾燥處理時進行。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，形成上述離子氣流之上述下方空間係屬於上述對向構件之下表面與上述基板之上述上表面之間之空間的處理空間，上述離子氣流之形成係於較利用來自上述處理液供給部之上述處理液所進行之上述基板之處理更之前進行。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中，形成上述離子氣流之上述下方空間係屬於上述對向構件之下表面與上述基板之上述上表面之間之空間的處理空間， 上述離子氣流之形成係於較利用來自上述處理液供給部之上述處理液所進行之上述基板之處理更之前進行。
  5. 如請求項3或4之基板處理裝置，其中，利用上述處理液所進行之上述基板處理前之上述離子氣流之形成係利用於利用上述處理液所進行之上述基板之處理時所供給之上述處理環境用氣體而進行。
  6. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述對向構件進而具備自上述對向構件筒部之上端部向徑向外側環狀擴展並藉由上述對向構件移動機構所保持之對向構件凸緣部，於上述對向構件位於上述第2位置之狀態下，與於上述噴嘴間隙連續之迷宮形成於上述對向構件凸緣部之上表面上，將包含上述離子之上述處理環境用氣體供給至上述迷宮，藉此，上述噴嘴間隙相對於外部空間而密封，並且，藉由自上述迷宮流出之包含上述離子之上述處理環境用氣體，形成沿上述對向構件之上表面自徑向中央部向徑向外側擴散之上部離子氣流。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中，上述離子產生部具備藉由進行放電而產生上述離子之放電針，上述對向構件進而具備凹部與凸部同心圓狀交替配置於上述對向構件凸緣部之上述上表面的第1凹凸部，上述對向構件移動機構具備：與上述對向構件凸緣部之下表面於上述上下方向相對之保持部下部；與上述對向構件凸緣部之上述上表面於上述上下方向相對之保持部上部；及 凹部與凸部同心圓狀交替配置於上述保持部上部之下表面之第2凹凸部；於上述對向構件位於上述第2位置之狀態下，另一凸部介隔間隙而配置於上述第1凹凸部及上述第2凹凸部之一凹部內，藉此形成上述迷宮，上述放電針係於上述保持部上部之內部配置於形成於上述第2凹凸部之凹部上表面的上述處理環境用氣體之噴射口之內側。
  8. 一種基板處理方法，其係於基板處理裝置中處理基板者，該基板處理裝置具備於水平狀態下保持基板之基板保持部、使上述基板保持部以朝上下方向之中心軸為中心旋轉之基板旋轉機構、與上述基板之上表面相對並以上述中心軸為中心旋轉之對向構件、向上述基板之上述上表面供給處理液之處理液供給部、及向屬於上述對向構件之下方之空間的下方空間之徑向中央部供給處理環境用氣體之氣體供給部，該基板處理方法之特徵在於，具備：a)搬入上述基板並藉由上述基板保持部保持之步驟；b)使上述對向構件向下方移動，使其位於較上述a)步驟中之位置更下方之步驟；c)於較上述b)步驟更之後，使上述基板保持部及上述對向構件旋轉，產生離子並將其供給至來自上述氣體供給部之上述處理環境用氣體，並供給包含上述離子之上述處理環境用氣體至上述下方空間，從而形成自上述下方空間之徑向中央部向徑向外側擴散之離子氣流之步驟；且進而具備：與上述c)步驟並行地向上述對向構件之上表面供給包 含上述離子之上述處理環境用氣體，並形成沿上述對向構件之上述上表面自徑向中央部向徑向外側擴散之上部離子氣流的步驟。
  9. 如請求項8之基板處理方法，其中，形成有上述離子氣流之上述下方空間係屬於上述對向構件之下表面與上述基板之上述上表面之間之空間的處理空間，該基板處理方法進而具備d)自上述處理液供給部供給上述處理液至上述基板之上述上表面上之步驟，上述c)步驟係於藉由利用上述基板旋轉機構所進行之旋轉而自上述基板上去除於上述d)步驟中供給至上述基板上之上述處理液的乾燥處理時進行。
  10. 如請求項9之基板處理方法，其中，上述c)步驟亦於較上述d)步驟更之前進行。
  11. 如請求項8之基板處理方法，其中，形成有上述離子氣流之上述下方空間係屬於上述對向構件之下表面與上述基板之上述上表面之間之空間的處理空間，該基板處理方法進而具備d)自上述處理液供給部供給上述處理液至上述基板之上述上表面上之步驟，上述c)步驟係於較上述d)步驟更之前進行。
  12. 如請求項10或11之基板處理方法，其中，於較上述d)步驟更之前所進行之上述c)步驟中之上述離子氣流之形成係利用於上述d)步驟中自上述氣體供給部供給之上述處理環境用氣體而進行。
  13. 如請求項8至11中任一項之基板處理方法，其中，於上述b)步驟中，上述對向構件係藉由上述基板保持部所保持，於上述c)步驟中，藉由上述基板旋轉機構使上述對向構件與上述 基板保持部一同旋轉。
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