KR100972811B1 - 포토레지스트 제거용 플라즈마 헤드, 플라즈마 처리 시스템및 이를 이용한 포토레지스트 제거 방법 - Google Patents

포토레지스트 제거용 플라즈마 헤드, 플라즈마 처리 시스템및 이를 이용한 포토레지스트 제거 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 포토레지스트 제거용 플라즈마 헤드, 플라즈마 처리 시스템 및 이를 이용한 포토레지스트 제거 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 포토레지스트 코팅 공정 동안 처리대상기판의 에지 및 하부 표면에 달라붙은 포토레지스트를 대기압 플라즈마를 이용하여 노광공정전에 제거하는 장치, 시스템 및 방법에 관한 것이다.

Description

포토레지스트 제거용 플라즈마 헤드, 플라즈마 처리 시스템 및 이를 이용한 포토레지스트 제거 방법{PLASMA HEAD AND PLASMA PROCESSING SYSTEM FOR REMOVING PHOTORESIST AND METHOD OF REMOVING PHOTORESIST USING THE SAME}
본 발명은 포토레지스트 제거용 플라즈마 헤드, 플라즈마 처리 시스템 및 이를 이용한 포토레지스트 제거 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 포토레지스트 코팅 공정 동안 처리대상기판의 에지(edge) 및 하부 표면에 달라붙은 포토레지스트를 플라즈마를 이용하여 노광공정전에 제거하는 장치, 시스템 및 방법에 관한 것이다.
반도체 또는 LCD 제조를 위한 실리콘 웨이퍼 등의 기판은 전극층 등을 형성하기 위해 포토레지스트(PR, Photo Resist) 코팅, 노광 및 현상 등의 공정을 필수적으로 거쳐야 하는데, 기존의 포토레지스트 코팅은 액상 포토레지스트를 높은 회전수로 회전시키며 분사하여 기판 상에 얇은 막을 형성하도록 행해져 왔다.
그런데, 상기 액상 포토레지스트 분사시에는, 회전운동에 따른 원심력으로 인하여 기판의 에지 및 하부 표면에까지 상기 액상 포토레지스트가 미치게 되기도 하였다. 특히, 기판의 에지까지 분사된 액상 포토레지스트가 기판의 하부 표면에 침투하는 경우에는, 액상 포토레지스트가 침투한 부분과 그렇지 않은 부분과의 높이차(예를 들어, 0.7 내지 1 마이크로미터)를 만들어 노광공정에 있어서 기판의 수평 유지에 어려움이 생겼다. 더욱이, 최근의 경향과 같이 단파장의 광을 이용하여 노광하는 경우에 있어서는 상기 노광의 대상이 될 기판의 수평이 흐트러지는 경우 노광 공정의 불량률이 커질 수밖에 없었다.
이는 최근의 미세 패턴화 및 대형 기판 채용 경향을 고려할 때, 더욱 심각한 문제가 되고 있다.
이와 같은 문제점에도 불구하고 적절한 해결책을 찾지 못한 종래에는, 노광공정전에 상기 기판의 에지 및 하부 표면의 포토레지스트를 화학약품을 이용해 제거하고 있으나 불편할 뿐만 아니라 제거 효율이 좋지 않은 단점이 있다.
본 발명은 포토 레지스트 코팅 공정에서 기판의 에지 및 하부 표면에 달라붙은 액상 포토레지스트를 링 모양 플라즈마 배출영역을 통해 인가되는 대기압 플라즈마를 이용하여 효과적으로 제거하는 장치, 시스템 및 방법을 제시하고자 한다.
본 발명의 일 실시예로서, 노광공정전 처리대상기판의 에지 및 하부표면의 포토레지스트 제거를 위해 처리대상기판에 평행한 링 모양의 플라즈마 배출영역을 갖는 플라즈마 헤드이되, 처리대상기판에 대해 평행하되, 상기 링의 중심을 기준으로 방사형으로 배치된 N개(N>1인 자연수)의 긴 통형 유전체; 및 상기 각 유전체의 내부에 서로 일정한 간격을 두고 떨어져 배치된 복수 개의 고전압 전극을 포함하며, 상기 유전체는 상기 처리대상기판에 대해 수직인 방향으로 M층(M≥1인 자연수)으로 배치되어 있으되, 각각 상기 처리대상기판에 대해 수직인 방향으로 M개의 유전체를 둘러쌈에 의해, M개의 유전체들과의 사이에 하나의 플라즈마 발생공간을 갖도록 배치된 일체형 접지 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 플라즈마 헤드가 제공된다.
바람직하게는, 상기 플라즈마 헤드는, 상기 M개의 유전체 및 일체형 접지 전극 사이의 플라즈마 발생 공간으로 반응가스를 공급하는 가스공급구; 및 상기 일체형 접지 전극 및 상기 M개의 유전체 사이의 플라즈마 발생 공간에서 발생된 플라즈마를 처리대상기판 측으로 배출하는 플라즈마 배출구를 더 포함하도록 구성될 수 있다.
바람직하게는, 반응가스가 상기 가스공급구로 공급되는 방향 및 상기 플라즈마 배출구를 통해 플라즈마가 배출되는 방향이 일치하도록 구성될 수 있다.
바람직하게는, 상기 플라즈마 헤드가 상기 플라즈마 배출영역의 외측 및 내측에, 플라즈마 처리시 발생하는 고열 및 파티클 등을 흡입하여 배출하기 위한 복수의 흡기수단을 더 구비하도록 구성될 수 있다.
바람직하게는, 상기 플라즈마 헤드의 링의 중심 및 상기 처리대상기판을 고정지지하고 있는 진공 척의 축의 중심이 일치하되, 상기 진공 척이 상기 플라즈마 헤드의 중심을 통과하여 처리대상기판을 지지하는 상태에서 대기압 플라즈마가 인가되도록 구성될 수 있다.
바람직하게는, 상기 플라즈마 헤드는 상기 처리대상기판의 하부 표면 측에 위치하며, 상기 플라즈마 헤드의 플라즈마 배출영역이 상기 처리대상기판의 하부 표면과 마주하도록 구성될 수 있다.
바람직하게는, 상기 반응가스는 N2, O2, Ar, He, SF6, CH4, NH4, NF4 로 구성된 그룹 중에서 선택될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예로서, 노광공정전 처리대상기판의 에지 및 하부 표면의 포토레지스트 제거용 플라즈마 처리 시스템이되, 상기 에지 및 하부 표면에 대응되는 링 모양의 플라즈마 배출영역을 가지며, 상기 처리대상기판의 하부 표면 측에 위치하는 복수의 플라즈마 헤드를 포함하는 플라즈마 처리유닛; 상기 플라즈마 처리유닛에 의해 처리된 처리후 기판 및 처리되기 전의 처리전 기판을 저장하는 처리대상기판 저장유닛; 및 처리대상기판 저장유닛으로부터 처리전 기판을 플라즈마 처리유닛으로 이송하고, 플라즈마 처리유닛에서 처리된 처리후 기판을 처리대상기판 저장유닛으로 이송하는 로봇식 이송 유닛을 포함하되, 상기 플라즈마 헤드의 플라즈마 배출영역이 상기 처리대상기판의 하부 표면과 마주하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 플라즈마 처리 시스템이 제공된다.
바람직하게는, 상기 플라즈마 처리유닛의 플라즈마 헤드는, 처리대상기판에 대해 평행하되, 상기 링의 중심을 기준으로 방사형으로 배치된 N개(N>1인 자연수)의 긴 통형 유전체; 및 상기 각 유전체의 내부에 서로 일정한 간격을 두고 떨어져 배치된 복수 개의 고전압 전극을 포함하며, 상기 유전체는 상기 처리대상기판에 대해 수직인 방향으로 M층(M≥1인 자연수)으로 배치되어 있으되, 각각 상기 처리대상기판에 대해 수직인 방향으로 M개의 유전체를 둘러쌈에 의해, M개의 유전체들과의 사이에 하나의 플라즈마 발생공간을 갖도록 배치된 일체형 접지 전극을 더 포함하도록 구성될 수 있다.
바람직하게는, 상기 플라즈마 처리유닛의 플라즈마 헤드는, 상기 M개의 유전체 및 일체형 접지 전극 사이의 플라즈마 발생 공간으로 반응가스를 공급하는 가스공급구; 및 상기 일체형 접지 전극 및 상기 M개의 유전체 사이의 플라즈마 발생 공간에서 발생된 플라즈마를 처리대상기판 측으로 배출하는 플라즈마 배출구를 더 포함하도록 구성될 수 있다.
바람직하게는, 상기 플라즈마 처리유닛의 상기 플라즈마 헤드가 플라즈마 배 출영역 내측 및 외측에 구비된 복수의 흡기수단을 더 포함하도록 구성될 수 있다.
바람직하게는, 상기 처리대상기판 저장유닛은, 포토레지스트 코팅 장치 및 노광 장치를 포함하여, 포토레지스트 코팅 장치에 의해 코팅된 처리전 기판의 포토레지스트의 일부가 상기 플라즈마 처리유닛에 의해 제거되며, 상기 포토레지스트의 일부가 제거된 처리후 기판이 상기 노광 장치에 투입되도록 구성될 수 있다.
또한, 바람직하게는, 상기 처리대상기판 저장 유닛은, 포토레지스트 코팅 및 노광을 모두 수행하는 장치를 포함하여, 포토레지스트 코팅이 수행된 처리전 기판을 상기 플라즈마 처리유닛으로 보내 플라즈마 처리하며, 상기 플라즈마 처리유닛에 의해 플라즈마 처리된 처리후 기판을 받아 노광을 수행하도록 구성될 수 있다.
바람직하게는, 상기 로봇식 이송 유닛이, 일렬로 정렬된 플라즈마 헤드를 따라 이동할 수 있도록 하는 수평방향 이동수단; 상기 수평방향 이동수단에 의해 이동되는 베이스 상의 중심축 상에 360도 회전가능하게 결합되어, 처리대상기판을 수평방향으로 자유자재로 이동시킬 수 있는 정도의 자유도를 갖는 암; 상기 암의 종단에 구비되며, 처리대상기판을 이동시키는 동안 처리대상기판을 고정하는 고정수단; 및 상기 암에 연결되어 있으면서, 상기 암이 상기 베이스의 중심축을 따라 수직 방향으로 이동할 수 있도록 상기 중심축 상에서 수직이동하는 수직방향 이동수단을 포함하도록 구성될 수 있다.
바람직하게는, 상기 반응가스는 N2, O2, Ar, He, SF6, CH4, NH4, NF4 로 구성된 그룹 중에서 선택되도록 구성될 수 있다.
또, 다른 실시예로서, 노광공정전에 처리대상기판의 에지 및 하부 표면에 달라붙은 포토레지스트를 제거하는 방법이되, 상기 실시예 중 어느 하나에 따른 플라즈마 헤드의 플라즈마 배출 영역이 처리대상기판의 하부 표면과 마주하도록, 플라즈마 헤드를 상기 처리대상기판의 하부 표면측에 배치하는 단계; 및 상기 플라즈마 헤드로부터 발생되어 인가되는 플라즈마를 이용하여 처리대상기판의 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 방법이 제공된다.
바람직하게는, 상기 방법이 플라즈마 처리시 발생하는 고열 및 파티클 등을 흡입하여 배출하는 단계를 더 포함하도록 구성될 수 있다.
본 발명의 대기압 플라즈마를 이용한 포토레지스트 제거 장치, 시스템 및 방법에 따르면, 포토레지스트 코팅 공정에서 기판의 에지, 심지어 하부 표면에 달라붙은 포토레지스트를 노광공정전에 효과적으로 제거할 수 있어서, 노광공정에 있어서 하부 표면의 포토레지스트에 의해 기판의 수평이 흐트러지는 것을 방지하게 되어, 후속 공정인 노광 공정에서의 불량 발생 확률을 크게 낮출 수 있게 된다. 이로써, 생성되는 패턴 및 회로 구조의 미세화를 가능하게 하면서, 전체 공정에서의 수율 또한 향상시킬 수 있게 된다.
이하에서는, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예에 대해 보다 상세히 살펴보기로 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 헤드의 배면도이다.
본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 헤드는 도시된 바와 같이 링 모양의 플라즈마 배출영역(도 2에서 참조부호 50으로 표시)을 갖는데, 가상의 링의 중심(60)을 기준으로 일정 길이를 갖는 긴 통형 유전체(10)가 방사상으로 배치되어 있으며, 각 유전체의 내부에는 하나 이상의 고전압 전극이 일정 간격으로 배치되어 있다. 상기 유전체들은, 발생되는 플라즈마의 균일도를 보장할 수 있도록, 처리대상기판에 평행하게 배치된다. 즉, 처리대상기판에 평행한 가상의 하나의 원판 상에 복수 개의 유전체(10)가 원판의 중심으로부터 방사상으로 배치된다. 한편, 많은 양의 플라즈마를 발생시킬 필요가 있는 경우에는 많은 층으로 구성하는 등 상기 유전체들은 필요에 따라 적합한 수의 층으로 구성될 수 있다. 또한, 상기 유전체들은 일체형 접지 전극(20)에 의해 형성된 공간 내에 위치되는데, 복수의 층으로 상기 유전체들이 구성되는 경우에는 복수 층의 유전체가 한꺼번에 상기 공간 내에 있도록 한다. 예를 들어, 링의 중심을 기준으로 100개의 긴 통형 유전체가 방사상으로 배치되어 있으며, 각 유전체들은 4층으로 배치되어 있다면, 처리대상기판에 대해 수직인 방향으로 배치된 4개의 유전체 모두를 감싸는, 일체형 접지 전극에 의한 공간의 수는 100개가 된다. 이와 같이 배치함에 의해, 처리대상기판에 대해 수직으로 정렬된 복수 개의 유전체들 및 상기 일체형 접지 전극이 이루는 하나의 플라즈마 발생공간 내에서 플라즈마가 발생되게 된다.
상기와 같은 배치에 있어서, 고전압이 인가된 상태로 플라즈마 발생에 필요 한 N2, O2, Ar, He, SF6, CH4, NH4, NF4 등의 반응 가스가 가스주입구(41)(실제로는 플라즈마 헤드의 상부에 위치되어 있어서, 배면에서 바라보는 경우 육안으로 관찰할 수 없지만 위치 표시를 위해 편의상 도시함)를 거쳐 지면으로부터 나오는 방향으로 공급되는 경우, 유전체(10) 및 접지 전극(20) 사이의 공간에서는 플라즈마가 발생하게 되고, 발생된 플라즈마는 유전체 및 접지 전극 사이의 공간을 따라 이동하여 짙은 색으로 표시된, 다수의 플라즈마 배출구를 포함하는 플라즈마 배출영역을 통해 배출되어 처리대상기판에 인가되게 된다. 상기 플라즈마 헤드는 링 모양의 플라즈마 배출영역을 갖게 되므로, 처리대상기판의 특정 영역에 대해 플라즈마를 인가하는 것이 가능하다. 예를 들어, 처리대상기판의 에지 및 하부 표면에 중점적으로 플라즈마를 인가하고자 하는 경우에는, 처리대상기판의 하부 표면이 상기 플라즈마 헤드의 플라즈마 배출영역과 마주보도록, 처리대상기판의 하부 표면 측에 상기 플라즈마 헤드를 배치하여 이용할 수 있다.
또한, 상기 플라즈마 헤드는 상기 링 모양의 플라즈마 배출영역의 주위, 즉 상기 링의 중심을 기준으로 볼 때 링 내경에 인접한 원호 및 링 외경에 인접한 원호 상에 복수의 흡기 수단(32)을 구비하여, 처리대상기판에 대한 플라즈마 처리 과정 동안 또는 과정 후에 발생하는 고열, 파티클 및 여러 불순물 등을 흡입하여 배기구(31)(실제로는 플라즈마 헤드의 상부에 위치되어 있어서, 배면에서 바라보는 경우 육안으로 관찰할 수 없지만 위치 표시를 위해 편의상 도시함)를 통해 외부로 배출하는 역할을 수행하도록 한다. 본 발명에 따른 상기 플라즈마 헤드는 상기 흡 기 수단(32)을 플라즈마 배출영역의 주위에 구비함으로써 처리대상기판에 대한 처리를 활성화할 수 있는 장점을 갖는다. 예를 들어, 플라즈마 배출영역에서의 배출되는 기체 흐름 및 상기 플라즈마 배출영역 주위의 흡기 수단으로의 흡입되는 기체 흐름에 의해 상기 플라즈마 배출영역의 가장자리측의 기체 흐름이 흡기 수단측으로 향하는 등의 일정한 기체 흐름이 생성되는데, 이러한 기체 흐름을 처리대상기판의 에지에 달라붙은 포토레지스트를 제거하는데 사용하는 등 적절히 이용할 수 있다.
상기 흡기 수단이 최적의 효율을 갖기 위해 구비되어야 할 개수, 상기 흡기 수단의 흡입력 및 플라즈마 배출영역으로부터의 거리 등의 요소는 플라즈마 헤드 제작 과정에서 얻어지는 실험치 등을 이용하여 적절하게 조정될 수 있을 것이므로, 본 명세서에서는 상세히 다루지 않기로 한다.
또한, 상기 플라즈마 배출영역의 넓이(즉, 상기 링의 중심(60)을 기준으로, 상기 플라즈마 배출영역을 정의하는 내경 및 외경 간의 거리), 각 유전체의 층의 개수, 한 층에 배치될 유전체의 개수, 상기 흡기 수단의 성능 등의 요소 또한 처리대상기판의 크기, 처리 목적 등에 따라 다르게 설계될 수 있을 것이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 헤드의 측단면도이다. 도 2를 참고하여 도 1에서 설명된 플라즈마 헤드를 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1에서 설명된 바와 같이, 상기 플라즈마 헤드의 플라즈마 배출영역(50)은 링의 중심(60)으로부터 일정한 간격을 두고 떨어져 링 모양으로 형성되어 있다. 상기 플라즈마 헤드의 링의 중심을 기준으로 볼 때, 플라즈마 배출영역의 내외에 흡기 수단(32)이 구비되어 있음을 역시 확인할 수 있다. 도 2는 3층의 유전체(10)가 적층되어 있는 것으로 예시적으로 도시하고 있으며, 가스 주입구(41)는 상기 플라즈마 헤드의 플라즈마 배출영역의 상부에 배치되어 있어서, 반응시 공급되는 반응 가스가 가스버퍼(42)를 통해 처리대상기판에 수직 하강하는 방향으로 이동하게 되며, 일체형 접지 전극 및 3층의 유전체 사이의 플라즈마 발생영역 내에서 발생한 플라즈마 또한 상기 반응 가스의 공급 방향과 일치하는 방향으로 인가된다. 도 2는 반응 가스가 공급되는 방향 및 발생된 플라즈마가 인가되는 방향이 수직 하강하는 방향인 것으로 도시하고 있으나, 도 2의 도시와 반대로 배치된 상태로 이용될 수 있어서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 헤드는 처리대상기판의 에지 및 하부 표면을 처리하기 위해 처리대상기판의 하부 표면 측에 배치되어, 수직 상승하는 방향으로 반응 가스 공급 및 발생 플라즈마 인가를 수행한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 헤드를 이용한 플라즈마 처리 시스템을 위에서 내려다 본 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 헤드를 이용한 플라즈마 처리 시스템은, 처리대상기판의 특정 영역(예를 들어, 에지 및 하부 표면)의 포토레지스트를 제거하기 위해 상기 특정 영역에 대응되는 링 모양의 플라즈마 배출영역을 갖는 플라즈마 헤드가 처리대상기판의 아래에 배치된 복수의 플라즈마 헤드를 포함하는 플라즈마 처리유닛(2100); 상기 플라즈마 처리유닛에 의해 처리된 처리후 기판 및 처리되기 전의 처리전 기판을 저장하는 처리대상기판 저장유닛(2300); 및 처리대상기 판 저장유닛으로부터 처리전 기판을 플라즈마 처리유닛으로 이송하고, 플라즈마 처리유닛에서 처리된 처리후 기판을 처리대상기판 저장유닛으로 이송하는 로봇식 이송 유닛(2200)을 포함한다.
도시된 바와 같이, 로봇식 이송 유닛이 플라즈마 처리유닛 및 처리대상기판 저장유닛 사이에 배치되며, 상기 로봇식 이송 유닛은 상기 플라즈마 처리유닛 및 처리대상기판 저장유닛 사이에서 처리대상기판 교환을 자유롭게 수행할 수 있도록, 플라즈마 처리유닛의 일렬로 정렬된 복수의 플라즈마 헤드를 따라 슬라이드 방식으로 자유롭게 이동하도록 설계된다. 또한, 상기 로봇식 이송 유닛은 플라즈마 처리유닛으로부터 수취한 처리후 기판을 처리대상기판 저장유닛으로 이동시키고, 처리대상기판 저장유닛으로부터 수취한 처리전 기판을 플라즈마 처리유닛으로 이동시키는 데 충분한 정도의 자유도를 갖도록 설계된다.
또한, 상기 플라즈마 처리 시스템은, 상기 플라즈마 처리유닛, 처리대상기판 저장유닛, 및 로봇식 이송 유닛의 동작 시퀀스를 제어할 수 있는 제어유닛(도시되지 않음)을 더 포함한다. 상기 제어유닛은 상기 복수의 플라즈마 헤드가 개별적으로 동작할 수 있도록 제어함과 동시에, 개별 플라즈마 헤드의 처리 시퀀스에 맞춰 로봇식 이송유닛 및 처리대상기판 저장유닛이 동작할 수 있도록 제어하게 된다. 이로써, 도시된 바와 같이 플라즈마 처리유닛 내에 복수의(예를 들어, 4개의) 플라즈마 헤드가 구비되고, 처리대상기판 저장유닛 내에 복수의(예를 들어, 4개의) 카세트가 구비된 경우에 있어서는, 4개의 플라즈마 헤드의 동작이 동시 다발적으로 이뤄질 수 있게 되어, 높은 처리 효율의 플라즈마 처리 시스템을 구현하는 것이 가 능하게 된다.
또한, 상기 플라즈마 처리 시스템은 플라즈마 인가 시간, 플라즈마 헤드 간의 간격, 플라즈마 헤드 이동을 위한 속도, 처리대상기판을 고정하고 있기 위한 진공의 강도, 처리대상기판을 보유지지한 상태에서의 로봇식 이송수단의 이동 속도 등의 시스템 운용 조건을 입력받는 조작패널부(2400)를 더 포함하여, 시스템 운용자가 상기 조작패널부(2400)를 통해 입력하는 조건에 따라 상기 플라즈마 처리 시스템이 운용되도록 할 수 있다. 상기 조작패널부(2400)를 통해 입력되는 여러 조건들은 상기 제어유닛으로 전달되어 입력되며, 상기 제어유닛은 상기 조건들에 따라 플라즈마 처리유닛, 처리대상기판 저장유닛 및 로봇식 이송유닛의 동작을 제어하게 된다. 이처럼, 상기 플라즈마 처리 시스템은 조작패널부(2400)를 통해 사전에 입력된 동작 조건에 따라 자동으로 조작될 수 있을 것이며, 다르게는 시스템 운용자의 수동 조작에 따라 플라즈마 처리 시스템이 운용될 수도 있을 것이다.
상기 플라즈마 처리 시스템의 각 구성요소에 대해 구체적으로 살펴보면, 상기 플라즈마 처리유닛(2100)은 처리대상기판에 대한 플라즈마 처리를 실시하는 역할을 하는 것으로서, 주로 원형인 처리대상기판의 모양과 유사한 모양을 갖는 플라즈마 헤드를 구비하되, 상기 플라즈마 헤드는 처리대상기판의 특정 영역(예를 들어, 처리대상기판의 외곽부 및 측면)에 대한 처리를 집중적으로 수행하기 위해 링 모양의 플라즈마 배출영역을 갖도록 구성될 수 있다. 또한, 상기 플라즈마 헤드를 수직방향으로 이송할 수 있는 수직이송수단을 구비하여, 처리대상기판의 투입 및 배출이 자유롭도록 처리대상기판이 투입되기 전후에 플라즈마 헤드를 수직방향으로 이동시킬 수 있도록 한다.
상기 플라즈마 헤드는 처리대상기판의 상하면에 대해 처리가능하도록 상부 플라즈마 헤드 및 하부 플라즈마 헤드의 상하 2개가 구비될 수 있으며, 하부 플라즈마 헤드는 고정해 두되, 상부 플라즈마 헤드를 필요에 따라 적정한 수치만큼 이송될 수 있도록 구성하거나, 상부 플라즈마 헤드를 고정시킨 상태에서, 하부 플라즈마 헤드가 적정 수치만큼 수직으로 이송될 수 있도록 구성할 수 있다. 상하 2개의 플라즈마 헤드가 구비된 경우에 있어서, 하부 플라즈마 헤드는 처리대상기판의 하부측으로부터 상승하는 방향으로 발생 플라즈마를 인가할 수 있도록 하고, 상부 플라즈마 헤드는 처리대상기판의 상부에 위치하여 하강하는 방향으로 발생 플라즈마를 인가하도록 하여, 처리대상기판의 상하에서 플라즈마를 인가하는 방식으로 운용될 수 있으며, 이로써 처리대상기판의 상부 표면, 하부 표면 및 에지에 대한 처리가 모두 가능하게 된다.
링 모양 플라즈마 배출영역이 상부를 향하도록 배치된 상태의 플라즈마 헤드(상하 2개의 플라즈마 헤드가 셋트로서 이용되는 경우에는, 하부 플라즈마 헤드)의 중심의 빈 공간을 통해 상기 링의 중심축과 일치하는 축을 따라 진공 척이 이동할 수 있으며, 상기 진공 척에 의해 고정지지되는 처리대상기판의 높이는 상기 링 모양 플라즈마 배출영역의 높이보다 높다.
또한, 상기 플라즈마 헤드는 링 모양의 플라즈마 배출영역의 주위에 복수의 흡기 수단을 구비하여, 처리대상기판에 대한 플라즈마 처리 과정 동안 또는 과정 후에 발생하는 고열, 파티클 및 여러 불순물 등을 흡입하여 배기구를 통해 외부로 배출하는 역할을 수행하도록 한다.
상기 처리대상기판 저장유닛은 하나 이상의 카세트를 포함하도록 구성되어, 처리전 기판 및 처리후 기판을 보관하는 역할을 하게 되며, 필요에 따라 상기 처리전 기판 및 처리후 기판이 대기 중에서 부유하는 파티클 등에 의한 오염 피해를 입지 않도록 처리대상기판 저장유닛이 밀폐되도록 구성될 수 있으며 상기 처리대상기판 저장유닛 이외에 로봇식 이송 유닛 및 플라즈마 처리유닛 또한 하나의 밀폐된 공간 내에 있도록 구성될 수 있다.
한편, 상기 처리대상기판 저장유닛은, 복수 개의 처리대상기판을 보관하는 카세트를 포함하는 대신, 필요에 따라 하나의 독립된 기판 처리 장치로 구성될 수 있다. 예를 들어, 포토레지스트 코팅 장치가 상기 처리대상기판 저장유닛으로서 구현된 경우, 포토레지스트 코팅이 수행된 후의 기판이 상기 로봇식 이송 유닛에 의해 플라즈마 처리유닛으로 이송되고 플라즈마 처리될 수 있게 된다. 이 경우, 플라즈마 처리유닛은 처리대상기판의 에지 및 하부 표면의 외곽부에 불필요하게 달라붙은 포토레지스트를 제거하도록 동작하게 된다. 따라서, 포토레지스트 공정이 수행된 이후에 동일한 장치 내에서 노광 등의 공정이 수행되도록 설계된 경우에는, 플라즈마 처리유닛에서의 플라즈마 처리 이후에 포토레지스트 공정이 수행된 원래의 장치로 투입될 것이고, 포토레지스트 공정 이후의 공정이 별개의 장치 내에서 수행되도록 설계된 경우라면, 플라즈마 처리유닛에서의 플라즈마 처리 이후에 포토레지스트 공정 이후의 공정이 수행될 별개 장치를 상기 로봇식 이송 수단에 의해 플라즈마 처리유닛으로부터 손쉽게 이송시킬 수 있는 영역에 구비함으로써, 포토레 지스트 제거 이후의 공정 수행이 원활하게 될 수 있도록 한다. 즉, 도 3의 플라즈마 처리 시스템은, 4개의 플라즈마 헤드 셋트를 갖는 플라즈마 처리유닛과 함께, 4개의 카세트를 구비하고 있는 것으로 도시하였으나, 예를 들어 상기 카세트 대신에 4개의 패턴형성장치(포토레지스트 코팅 및 노광 등 모두 수행) 또는 2쌍의 포토레지스트 코팅 장치 및 노광 장치 등으로 구성할 수 있을 것이다.
상기 플라즈마 처리 시스템의 로봇식 이송 유닛은 일렬로 정렬된 플라즈마 헤드 셋트를 따라 이동할 수 있도록 하는 수평방향 이동수단; 상기 수평방향 이동수단에 의해 이동되는 베이스 상의 중심축 상에 360도 회전가능하게 결합되어, 처리대상기판을 수평방향으로 자유자재로 이동시킬 수 있는 정도의 자유도를 갖는 암; 상기 암의 종단에 구비되며, 처리대상기판을 이동시키는 동안 처리대상기판을 고정하는 고정수단; 상기 암에 연결되어 있으면서, 상기 암이 상기 베이스의 중심 축을 따라 수직 방향으로 이동할 수 있도록 상기 중심축 상에서 수직이동하는 수직방향 이동수단을 포함하여 구성된다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 헤드를 이용한 플라즈마 처리 시스템을 측면에서 바라본 것이다.
좌측에 도시된 바와 같이, 플라즈마 헤드 셋트의 상부 플라즈마 헤드가 수직방향으로 이동할 수 있음을 나타내고 있으며, 로봇식 이송 유닛이 우측의 카세트로부터 처리대상기판을 좌측의 플라즈마 처리유닛으로 이동시킬 수 있음을 알 수 있다. 도 4에서 도시한 바와는 상이하게, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈 마 처리 시스템에서는, 처리대상기판에 대한 플라즈마 처리를 위해 하나의 플라즈마 헤드만을 처리대상기판의 하부 표면 측에 배치하여 운용할 수 있으며, 도 4의 기재에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석되어서는 안 될 것이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 헤드를 이용한 플라즈마 처리 시스템의 로봇식 이송 유닛의 일부 구성을 위에서 내려다 본 것이다.
도 5에서는, 일렬로 정렬된 플라즈마 헤드들을 따라 이동할 수 있도록 하는 수평방향 이동수단을 개시하지는 않는 대신, 수평방향 이동수단에 의해 이동되는 베이스(190) 상의 중심축 상에 360도 회전가능하게 결합되어, 처리대상기판을 수평방향으로 자유자재로 이동시킬 수 있는 정도의 자유도를 갖는 암(180); 및 상기 암의 종단에 구비되며, 처리대상기판을 이동시키는 동안 처리대상기판을 고정하는 고정수단(170)을 개시하고 있다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 헤드의 유전체, 고전압 전극, 접지 전극의 배치를 나타낸 것이다.
도 6a는 링 모양 플라즈마 배출영역에 있어서 링의 중심에 가장 가까운 측에서 절단한 단면도로서, 플라즈마 헤드의 유전체들이 모두 평행하게 배열된 것으로 보일 수도 있으나, 플라즈마 헤드 내의 가스공급구(1011), 접지 전극(1020), 유전체(1010), 고전압 전극(1013), 플라즈마 배출구(1051) 및 플라즈마 발생영역(1090)의 예시적 구조를 쉽게 설명하기 위한 것일 뿐인 것으로서, 본 발명의 실시예에 따 른 플라즈마 헤드의 유전체들이 링의 중심을 기준으로 방사형으로 배치되어 있다는 사실에는 변함이 없다. 물론, 동일한 플라즈마 발생영역 내의 유전체들 및 고전압 전극들은 서로 평행하게 배치되어 있다.
도 6b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 헤드의 유전체, 고전압 전극, 접지 전극의 배치를 나타낸 것이다.
마찬가지로, 도 6b의 플라즈마 헤드의 유전체들이 모두 평행하게 배열된 것으로 보일 수도 있으나, 도 6b는 플라즈마 헤드 내의 유전체(1110), 고전압 전극(1113), 접지 전극(1120), 플라즈마 발생영역(1190), 플라즈마 배출구(1151)의 구조를 쉽게 설명하기 위한 것일 뿐인 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 헤드의 유전체들이 링의 중심을 기준으로 방사형으로 배치되어 있다는 사실에는 변함이 없다. 물론, 동일한 플라즈마 발생영역 내의 유전체들 및 고전압 전극들은 서로 평행하게 배치되어 있다.
여기서, 상기 고전압 전극(1113)은 상기 유전체(1110)의 내부에, 상기 유전체와 동심이되 상기 유전체의 내면에 밀착되도록 배치되어 있으며, 상기 접지 전극은 상기 유전체의 외면에 인접하게 배치되어 있다.
도 6c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 헤드의 유전체, 고전압 전극, 접지 전극의 배치를 나타낸 것이다.
마찬가지로, 도 6c의 플라즈마 헤드의 유전체들이 모두 평행하게 배열된 것 으로 보일 수도 있으나, 이는 유전체(1210), 고전압 전극(1213), 접지 전극(1220), 플라즈마 발생영역(1290), 플라즈마 배출구(1251)의 구조를 쉽게 설명하기 위한 것일 뿐인 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 헤드의 유전체들이 링의 중심을 기준으로 방사형으로 배치되어 있다는 사실에는 변함이 없다.
상기 유전체(1210)의 상부에는 가스공급구(도시되지 않음)가 상기 유전체의 길이 방향을 따라 배치되어 있어서, 플라즈마 발생에 필요한 반응 가스를 공급하게 되며, 상기 반응 가스가 공급되면서 상기 고전압 전극에 고전압이 인가되면, 상기 플라즈마 발생영역(1290)에는 플라즈마가 발생하게 된다. 플라즈마는 상기 접지전극의 수평면에 형성된 플라즈마 배출구(1251)를 통해 처리대상기판으로 하강하여 인가된다. 상기 유전체의 형태는 타원형에 가까운 것으로 도시되어 있으나, 상기 유전체의 외면이 일체형 접지 전극의 수직면과 평행한 구간을 많이 갖는 것이면 충분한 것으로서, 유전체의 형태는 타원형으로 제한되지 않는다.
도 6d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 헤드의 유전체, 고전압 전극, 접지 전극의 배치를 나타낸 것이다.
마찬가지로, 도 6d의 플라즈마 헤드의 유전체들이 모두 평행하게 배열된 것으로 보일 수도 있으나, 이는 유전체(1310), 고전압 전극(1313), 일체형 접지 전극(1320), 플라즈마 발생영역(1390), 플라즈마 배출구(1351)의 구조를 쉽게 설명하기 위한 것일 뿐인 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 헤드의 유전체들이 링의 중심을 기준으로 방사형으로 배치되어 있다는 사실에는 변함이 없다. 물 론, 동일한 플라즈마 발생영역 내의 유전체들 및 고전압 전극들은 서로 평행하게 배치되어 있다.
상기 반응 가스를 공급하기 위한 구간은 가스공급구(1343)가 배치된 방향을 향해 상기 유전체의 길이방향을 따라 형성된 연속적 또는 불연속적 선형 구간일 수 있으며, 상기 발생된 플라즈마를 배출하기 위한 구간은 플라즈마 배출구(1351)가 배치된 방향을 향해 상기 유전체의 길이방향을 따라 형성된 연속적 또는 불연속적 선형 구간일 수 있다. 한편, 상기 유전체(1310)는 처리대상기판(1370)에 대해 수직인 방향으로 복수 개가 나란히 놓이도록 배치될 수 있으며, 이 경우, 일부 접지 전극의 발생 플라즈마를 배출하기 위한 구간은 아래 위치한 유전체에 반응 가스를 공급하기 위한 구간과 일치할 수 있다.
가스공급구(1343)는 상기 유전체의 길이 방향을 따라 배치되어 있어서, 플라즈마 발생에 필요한 반응 가스를 공급하게 되며, 상기 반응 가스가 공급되면서 상기 고전압 전극에 고전압이 인가되면, 상기 유전체를 에워싸는 접지 전극 내의 영역(즉, 플라즈마 영역(1390))에는 플라즈마가 발생하게 된다. 상기 플라즈마는 상기 접지 전극의 수평면에 형성된 플라즈마 배출구(1351)를 통해 인가된다.
도 6e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 헤드의 유전체, 고전압 전극, 접지 전극의 배치를 나타낸 것이다.
마찬가지로, 도 6e의 플라즈마 헤드의 유전체들이 모두 평행하게 배열된 것으로 보일 수도 있으나, 이는 유전체(1410), 고전압 전극(1413), 일체형 접지 전 극(1420), 플라즈마 발생영역(1490), 플라즈마 배출구(1451)의 구조를 쉽게 설명하기 위한 것일 뿐인 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 헤드의 유전체들이 링의 중심을 기준으로 방사형으로 배치되어 있다는 사실에는 변함이 없다. 물론, 동일한 플라즈마 발생영역 내의 유전체들 및 고전압 전극들은 서로 평행하게 배치되어 있다.
상기 반응 가스를 공급하기 위한 구간은 가스공급구(1443)가 배치된 방향을 향해 상기 유전체의 길이방향을 따라 형성된 연속적 또는 불연속적 선형 구간일 수 있으며, 상기 발생된 플라즈마를 배출하기 위한 구간은 플라즈마 배출구(1451)가 배치된 방향을 향해 상기 유전체의 길이방향을 따라 형성된 연속적 또는 불연속적 선형 구간일 수 있다. 한편, 상기 유전체(1410)는 처리대상기판(1470)에 대해 수직인 방향으로 복수 개가 나란히 놓이도록 배치될 수 있으며, 이 경우, 일부 접지 전극의 발생 플라즈마를 배출하기 위한 구간은 아래 위치한 유전체에 반응 가스를 공급하기 위한 구간과 일치할 수 있다.
가스공급구(1443)는 상기 유전체의 길이 방향을 따라 배치되어 있어서, 플라즈마 발생에 필요한 반응 가스를 공급하게 되며, 상기 반응 가스가 공급되면서 상기 고전압 전극에 고전압이 인가되면, 상기 유전체를 에워싸는 접지 전극 내의 영역(즉, 플라즈마 영역(1490))에는 고밀도의 플라즈마가 발생하게 된다. 상기 플라즈마는 상기 접지 전극의 수평면에 형성된 플라즈마 배출구(1451)를 통해 처리대상기판(1470)으로 인가된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 포토레지스트 제거 방법은, 도 1에 도시된 바와 같은 플라즈마 헤드의 플라즈마 배출영역이 처리대상기판의 에지 및 하부 표면에 대응되도록 플라즈마 헤드를 배치하는 단계; 및 상기 플라즈마 헤드로부터 발생되어 인가되는 플라즈마를 이용하여 처리대상기판의 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함한다. 이 때, 상기 방법은, 플라즈마 헤드와 상기 처리대상기판 간의 거리를 조절하기 위해, 상기 플라즈마 헤드를 이동시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한, 플라즈마 처리시 발생하는 고열 및 파티클 등을 흡입하여 배출하는 단계를 더 포함한다.
로봇식 이송 수단의 고정수단과 같이, 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 이미 알려진 수단을 통해 구현될 수 있는 사항들에 대해서는 구체적으로 기재하지 않더라도, 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 현재 본 명세서의 기재만으로도 본 발명을 실시하는 데 있어서 어려움이 없을 것임이 분명하므로, 본 발명의 특징 외의 사항에 대해서는 구체적으로 기재하지 않기로 한다.
본 발명에 따른 대기압 플라즈마를 이용한 포토레지스트 제거 장치, 시스템 및 방법은 반도체 및 LCD 공정에 있어서, 포토레지스트 코팅 후에 처리대상기판의 상부 표면의 외곽부에 과도하게, 또는 에지 및 하부 표면에 불필요하게 코팅된 포토레지스트를 효과적으로 제거하는데 이용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 헤드의 배면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 헤드의 측단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 헤드를 이용한 플라즈마 처리 시스템을 위에서 내려다 본 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 헤드를 이용한 플라즈마 처리 시스템을 측면에서 바라본 것이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 헤드를 이용한 플라즈마 처리 시스템의 로봇식 이송 유닛의 일부 구성을 위에서 내려다 본 것이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 헤드의 유전체, 고전압 전극, 접지 전극의 배치를 나타낸 것이다.
도 6b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 헤드의 유전체, 고전압 전극, 접지 전극의 배치를 나타낸 것이다.
도 6c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 헤드의 유전체, 고전압 전극, 접지 전극의 배치를 나타낸 것이다.
도 6d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 헤드의 유전체, 고전압 전극, 접지 전극의 배치를 나타낸 것이다.
도 6e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 헤드의 유전체, 고전압 전극, 접지 전극의 배치를 나타낸 것이다.

Claims (17)

  1. 노광공정전 처리대상기판의 에지 및 하부표면의 포토레지스트 제거를 위해 처리대상기판에 평행한 링 모양의 플라즈마 배출영역을 갖는 플라즈마 헤드로서,
    처리대상기판에 대해 평행하되, 상기 링의 중심을 기준으로 방사형으로 배치된 N개(N>1인 자연수)의 긴 통형 유전체; 및
    상기 각 유전체의 내부에 서로 일정한 간격을 두고 떨어져 배치된 복수 개의 고전압 전극을 포함하며,
    상기 유전체는 상기 처리대상기판에 대해 수직인 방향으로 M층(M≥1인 자연수)으로 배치되어 있으되,
    각각 상기 처리대상기판에 대해 수직인 방향으로 M개의 유전체를 둘러쌈에 의해, M개의 유전체들과의 사이에 하나의 플라즈마 발생공간을 갖도록 배치된 일체형 접지 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 플라즈마 헤드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 M개의 유전체 및 일체형 접지 전극 사이의 플라즈마 발생 공간으로 반응가스를 공급하는 가스공급구; 및
    상기 일체형 접지 전극 및 상기 M개의 유전체 사이의 플라즈마 발생 공간에서 발생된 플라즈마를 처리대상기판 측으로 배출하는 플라즈마 배출구를 더 포함하 는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 플라즈마 헤드.
  3. 제2항에 있어서,
    반응가스가 상기 가스공급구로 공급되는 방향 및 상기 플라즈마 배출구를 통해 플라즈마가 배출되는 방향이 일치하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 플라즈마 헤드.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 배출영역의 외측 및 내측에, 플라즈마 처리시 발생하는 고열 및 파티클 등을 흡입하여 배출하기 위한 복수의 흡기수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 플라즈마 헤드.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 헤드의 링의 중심 및 상기 처리대상기판을 고정지지하고 있는 진공 척의 축의 중심이 일치하되, 상기 진공 척이 상기 플라즈마 헤드의 중심을 통과하여 처리대상기판을 지지하는 상태에서 대기압 플라즈마가 인가되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 플라즈마 헤드.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 헤드는 상기 처리대상기판의 하부 표면 측에 위치하며, 상기 플라즈마 헤드의 플라즈마 배출영역이 상기 처리대상기판의 하부 표면과 마주하도록 배치된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 플라즈마 헤드.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 반응가스는 N2, O2, Ar, He, SF6, CH4, NH4, NF4 로 구성된 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 플라즈마 헤드.
  8. 노광공정전 처리대상기판의 에지 및 하부 표면의 포토레지스트 제거용 플라즈마 처리 시스템으로서,
    상기 에지 및 하부 표면에 대응되는 링 모양의 플라즈마 배출영역을 가지며, 상기 처리대상기판의 하부 표면 측에 위치하는 복수의 플라즈마 헤드를 포함하는 플라즈마 처리유닛;
    상기 플라즈마 처리유닛에 의해 처리된 처리후 기판 및 처리되기 전의 처리전 기판을 저장하는 처리대상기판 저장유닛; 및
    처리대상기판 저장유닛으로부터 처리전 기판을 플라즈마 처리유닛으로 이송하고, 플라즈마 처리유닛에서 처리된 처리후 기판을 처리대상기판 저장유닛으로 이송하는 로봇식 이송 유닛을 포함하되,
    상기 플라즈마 헤드의 플라즈마 배출영역이 상기 처리대상기판의 하부 표면과 마주하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 플라즈마 처리 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리유닛의 플라즈마 헤드는,
    처리대상기판에 대해 평행하되, 상기 링의 중심을 기준으로 방사형으로 배치된 N개(N>1인 자연수)의 긴 통형 유전체; 및
    상기 각 유전체의 내부에 서로 일정한 간격을 두고 떨어져 배치된 복수 개의 고전압 전극을 포함하며,
    상기 유전체는 상기 처리대상기판에 대해 수직인 방향으로 M층(M≥1인 자연수)으로 배치되어 있으되,
    각각 상기 처리대상기판에 대해 수직인 방향으로 M개의 유전체를 둘러쌈에 의해, M개의 유전체들과의 사이에 하나의 플라즈마 발생공간을 갖도록 배치된 일체형 접지 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 플라즈마 처리 시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리유닛의 플라즈마 헤드는,
    상기 M개의 유전체 및 일체형 접지 전극 사이의 플라즈마 발생 공간으로 반응가스를 공급하는 가스공급구; 및
    상기 일체형 접지 전극 및 상기 M개의 유전체 사이의 플라즈마 발생 공간에 서 발생된 플라즈마를 처리대상기판 측으로 배출하는 플라즈마 배출구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 플라즈마 처리 시스템.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리유닛의 상기 플라즈마 헤드는 플라즈마 배출영역 내측 및 외측에 구비되어, 플라즈마 처리시 발생하는 고열 및 파티클 등을 흡입하여 배출하기 위한 복수의 흡기수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 플라즈마 처리 시스템.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 처리대상기판 저장유닛은,
    포토레지스트 코팅 장치 및 노광 장치를 포함하여,
    포토레지스트 코팅 장치에 의해 코팅된 처리전 기판의 포토레지스트의 일부가 상기 플라즈마 처리유닛에 의해 제거되며, 상기 포토레지스트의 일부가 제거된 처리후 기판이 상기 노광 장치에 투입되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 플라즈마 처리 시스템.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 처리대상기판 저장 유닛은,
    포토레지스트 코팅 및 노광을 모두 수행하는 장치를 포함하여,
    포토레지스트 코팅이 수행된 처리전 기판을 상기 플라즈마 처리유닛으로 보 내 플라즈마 처리하며, 상기 플라즈마 처리유닛에 의해 플라즈마 처리된 처리후 기판을 받아 노광을 수행하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 플라즈마 처리 시스템.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 로봇식 이송 유닛은,
    일렬로 정렬된 플라즈마 헤드를 따라 이동할 수 있도록 하는 수평방향 이동수단;
    상기 수평방향 이동수단에 의해 이동되는 베이스 상의 중심축 상에 360도 회전가능하게 결합되어, 처리대상기판을 수평방향으로 자유자재로 이동시킬 수 있는 정도의 자유도를 갖는 암;
    상기 암의 종단에 구비되며, 처리대상기판을 이동시키는 동안 처리대상기판을 고정하는 고정수단; 및
    상기 암에 연결되어 있으면서, 상기 암이 상기 베이스의 중심축을 따라 수직 방향으로 이동할 수 있도록 상기 중심축 상에서 수직이동하는 수직방향 이동수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 플라즈마 처리 시스템.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 반응가스는 N2, O2, Ar, He, SF6, CH4, NH4, NF4 로 구성된 그룹 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거용 플라즈마 처리 시스템.
  16. 노광공정전에 처리대상기판의 에지 및 하부 표면에 달라붙은 포토레지스트를 제거하는 방법으로서,
    제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 플라즈마 헤드의 플라즈마 배출 영역이 처리대상기판의 하부 표면과 마주하도록, 플라즈마 헤드를 상기 처리대상기판의 하부 표면측에 배치하는 단계; 및
    상기 플라즈마 헤드로부터 발생되어 인가되는 플라즈마를 이용하여 처리대상기판의 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    플라즈마 처리시 발생하는 고열 및 파티클 등을 흡입하여 배출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 방법.
KR1020080049207A 2008-05-27 2008-05-27 포토레지스트 제거용 플라즈마 헤드, 플라즈마 처리 시스템및 이를 이용한 포토레지스트 제거 방법 KR100972811B1 (ko)

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