KR20170128188A - 처리액 분사 유닛 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 기판 처리 장치는 내부에 공정을 수행하는 처리 공간이 형성된 하우징; 상기 처리공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드; 그리고 상기 스핀헤드에 지지된 기판 상으로 처리액을 공급하는 분사 노즐을 갖는 처리액 분사 유닛을 포함하되, 상기 분사 노즐은 처리액을 수용하는 내부 공간 및 상기 내부공간과 연결되어 상기 처리액을 하방으로 토출하는 미세홀들을 갖는 노즐 몸체를 포함할 수 있다.

Description

처리액 분사 유닛 및 기판 처리 장치{CHEMICAL NOZZLE AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 기판 처리용 약액을 공급하는 처리액 분사 유닛, 이를 갖는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 기판의 제조 공정은 박막 증착 공정, 식각 공정 및 세정 공정 등을 거쳐 형성된다. 특히, 습식 식각 공정과 세정 공정은 약액을 이용하여 반도체 기판을 처리하는 공정으로서, 다양한 약액을 이용하여 이루어진다.
습식 식각 장치나 세정 장치와 같은 기판 처리 장치에 약액을 공급하는 약액 처리 장치는 약액의 농도 및 온도를 조절하여 해당 장치에 제공한다. 약액 처리 장치는 약액을 저장하는 저장 탱크를 구비하고, 저장 탱크의 수용된 약액의 농도를 조절한 후 기판 처리 장치에 제공한다.
이러한 기판 처리 장치는 반도체 기판이 안착되는 스핀 헤드 및 스핀 헤드에 안착된 기판에 약액을 분사하는 노즐을 구비한다. 노즐은 공급라인과 연결되고, 공급라인은 약액 처리 장치로부터 약액을 공급받아 노즐에 제공한다. 공급라인에는 노즐에 공급되는 약액의 양을 조절하는 조절 밸브, 및 노즐에 잔존하는 약액을 석-백(suck-back)하여 노즐에 잔존하는 약액을 제거하는 석-백 밸브가 설치된다. 조절 밸브가 오프되어 노즐에 공급되는 약액을 차단할 경우, 석-백 밸브는 노즐에 잔존하는 약액을 석-백하여 노즐에 잔존하는 약액이 외부로 유출되는 것을 방지한다.
그러나, 최근에 약액 토출량 증가를 위해 노즐 토출구의 구경이 커지게 되면서 약액 드롭 현상이 현저하게 증가되고 있고, 계면활성 성분의 약액이나 점도가 낮은 약액(액상의 유기용제(IPA), 오존을 포함하는 용액)의 경우, 표면 장력이 현저하게 감소되므로, 석-백을 하더라도 공급라인 안의 약액이 중력에 의해 노즐측으로 유입되어 외부로 누설되기 쉽다. 특히, 외부 충격이 있을 경우 노즐의 유로(path)상에서 토출구와 가까운 곳에 잔류하는 약액이 간헐적으로 드롭되는 현상이 발생된다.
따라서, 필요이상의 약액은 기판을 오염, 손상 시키게 되고, 이러한 과정이 반복적으로 계속되다 보면, 결국 사용자가 원하는 품질을 갖는 기판을 생산하지 못하게 된다. 뿐만 아니라, 복수개의 노즐을 사용하여 기판을 세정하는 경우에 있어서, 원하지 않는 이종의 약액이 떨어지는 경우, 역시 기판이나 스핀 헤드가 오염되고 세정효율이 저하되는 문제가 발생한다. 최종적으로 기판의 생산성 악화라는 문제점이 야기된다.
한국 공개특허 10-2011-0071840(공개일자 2011년06월29일)
본 발명의 일 과제는, 유량을 증가시키면서 처리액 드롭 현상을 방지할 수 있는 처리액 분사 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 내부에 공정을 수행하는 처리 공간이 형성된 하우징; 상기 처리공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드; 그리고 상기 스핀헤드에 지지된 기판 상으로 처리액을 공급하는 분사 노즐을 갖는 처리액 분사 유닛을 포함하되, 상기 분사 노즐은 처리액을 수용하는 내부 공간 및 상기 내부공간과 연결되어 상기 처리액을 하방으로 토출하는 미세홀들을 갖는 노즐 몸체를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 미세홀들은 횡단면 형상이 원형, 타원형 또는 다각형일 수 있다.
또한, 상기 미세홀들 상호간의 간격은 동일할 수 있다.
또한, 상기 미세홀들 상호간의 간격은 상기 미세홀 지름의 2배 이하일 수 있다.
또한, 상기 미세홀들 중에서 가장자리에 위치하는 미세홀들은 처리액이 중앙으로 모일 수 있도록 상기 몸체의 중심부 방향으로 경사지게 제공될 수 있다.
또한, 상기 분사 노즐은 외곽에서 중심방향으로 오목하게 형성되는 노즐팁을 포함할 수 있다.
또한, 상기 분사 노즐은 중심에서 외곽방향으로 하향경사지게 형성되는 노즐팁을 포함할 수 있다.
또한, 상기 분사 노즐은 외곽에서 중심방향으로 볼록하게 형성되는 노즐팁을 포함할 수 있다.
또한, 상기 분사 노즐은 상기 미세홀들을 통해 분사되는 처리액이 주위로 퍼지지 않도록 상기 노즐팁의 가장자리에 제공되는 가이드를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 처리액의 유동 경로를 제공하는 처리액 공급라인; 및 상기 처리액 공급 라인에 설치되어 처리액를 토출시키는 분사 노즐을 포함하되; 상기 분사 노즐은 처리액을 수용하는 내부 공간 및 상기 내부공간과 연결되어 상기 처리액을 하방으로 토출하는 미세홀들을 갖는 노즐 몸체를 포함하는 처리액 분사 유닛이 제공될 수 있다.
또한, 상기 처리액 공급 라인에 설치되는 석백(suck-back) 밸브 그리고 유량 온오프 밸브를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 미세홀들은 횡단면 형상이 원형, 타원형 또는 다각형일 수 있다.
또한, 상기 미세홀들 상호간의 간격은 상기 미세홀 지름의 2배 이하일 수 있다.
또한, 상기 미세홀들 중에서 가장자리에 위치하는 미세홀들은 처리액이 중앙으로 모일 수 있도록 상기 몸체의 중심부 방향으로 경사지게 제공될 수 있다.
또한, 상기 분사 노즐의 노즐팁은 상기 미세홀들 각각으로 분사되는 처리액이 서로 하나로 뭉쳐 하나의 줄기를 이루도록 외곽에서 중심방향으로 오목하게 형성될 수 있다.
또한, 상기 분사 노즐의 노즐팁은 상기 미세홀들 각각으로 분사되는 처리액이 서로 하나로 뭉쳐 하나의 줄기를 이루도록 중심에서 외곽방향으로 하향경사지게 형성될 수 있다.
또한, 상기 분사 노즐의 노즐팁은 상기 미세홀들 각각으로 분사되는 처리액이 서로 하나로 뭉쳐 하나의 줄기를 이루도록 외곽에서 중심방향으로 볼록하게 형성될 수 있다.
또한, 상기 분사 노즐은 상기 미세홀들을 통해 분사되는 처리액이 주위로 퍼지지 않도록 상기 노즐팁의 가장자리에 제공되는 가이드를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판으로 액을 공급하는 처리액 분사 유닛에 있어서, 내부에 처리액이 흐르는 액 라인이 형성된 노즐 몸체 및 상기 액 라인으로부터 연장되며 복수의 미세홀들을 갖는 노즐팁을 가지는 분사 노즐; 상기 분사 노즐에 연결되며 상기 노즐 몸체로 액을 공급하는 처리액 공급라인; 상기 처리액 공급라인에 설치되며, 상기 분사 노즐에 잔류하는 액을 상기 노즐팁으로부터 멀어지는 방향으로 흡입하는 석백밸브를 포함하는 처리액 분사 유닛이 제공될 수 있다.
또한, 각각의 상기 미세홀은 육각형의 형상으로 제공되고, 상기 미세홀들간의 간격은 조밀하게 제공될 수 있다.
또한, 내측에 위치하는 상기 미세홀들은 수직 아래 방향으로 액을 토출하도록 형성되고, 외측에 위치하는 상기 미세홀들은 아래로 갈수록 상기 내측에 위치하는 미세홀들에 가까워지도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 미세홀들의 하단은 중앙에 위치하는 미세홀일수록 높은 위치에 제공될 수 있다.
또한, 상기 액은 이소프로필 알콜올 또는 오존을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 분사 노즐에 미세홀들을 형성하여 처리액과 미세홀과의 접착계면을 증가시킴으로써 처리액의 드롭 형상을 방지할 수 있는 각별한 효과를 갖는다.
본 발명의 실시예에 의하면, 미세홀들을 통해 분사되는 처리액이 흐트러지지 않고 서로 뭉쳐서 하나의 줄기를 갖도록 하여 공정 결함을 최소화할 수 있는 각별한 효과를 갖는다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3은 기판 처리 장치 각각에 제공되는 처리액 공급 유닛을 보여주는 구성도이다.
도 4는 분사 노즐의 측단면도이다.
도 5는 분사 노즐의 요부 확대도이다.
도 6은 기존 분사 노즐과 본 발명의 분사 노즐의 포스 분포를 분석한 도면이다.
도 7은 미세홀들의 다양한 예를 보여주는 도면들이다.
도 8은 미세홀들의 간격을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 처리액의 갈라짐 현상을 방지할 수 있는 분사 노즐의 제1변형예를 보여주는 도면이다.
도 10은 처리액의 갈라짐 현상을 방지할 수 있는 분사 노즐의 제2변형예를 보여주는 도면이다.
도 11은 처리액의 갈라짐 현상을 방지할 수 있는 분사 노즐의 제3변형예를 보여주는 도면이다.
도 12는 분사 노즐의 제4변형예를 보여주는 도면이다.
도 13은 분사 노즐의 제5변형예를 보여주는 도면이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(1000)은 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)를 포함할 수 있다. 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)는 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스부(10)와 공정 처리부(20)가 배열된 방향을 제1 방향(1)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제 1 방향(1)의 수직인 방향을 제 2 방향(2)이라 하며, 제 1 방향(1)과 제 2 방향(2)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향(3)이라 정의한다.
인덱스부(10)는 기판 처리 시스템(1000)의 제 1 방향(1)의 전방에 배치된다. 인덱스부(10)는 로드 포트(12) 및 이송 프레임(14)을 포함한다.
로드 포트(12)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(11)가 안착된다. 로드 포트(12)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향(2)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(12)의 개수는 기판 처리 장치(1000)의 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(11)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. 캐리어(11)에는 기판들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯이 형성된다.
이송 프레임(14)은 로드 포트(12)와 이웃하여 제 1 방향으로 배치된다. 이송 프레임(14)은 로드 포트(12)와 공정 처리부(20)의 버퍼부(30) 사이에 배치된다. 이송 프레임(14)은 인덱스 레일(15) 및 인덱스 로봇(17)을 포함한다. 인덱스 레일(15) 상에 인덱스 로봇(17)이 안착된다. 인덱스 로봇(17)은 버퍼부(30)와 캐리어(11)간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 로봇(17)은 인덱스 레일(210)을 따라 제 2 방향으로 직선 이동하거나, 제 3 방향(3)을 축으로 하여 회전한다.
공정 처리부(20)는 인덱스부(10)에 이웃하여 제 1 방향(1)을 따라 기판 처리 시스템(1000)의 후방에 배치된다. 공정 처리부(20)은 버퍼부(30), 이동 통로(40), 메인 이송 로봇(50) 그리고 기판 처리 장치(60)를 포함한다.
버퍼부(30)는 제 1 방향(1)을 따라 공정 처리부(20)의 전방에 배치된다. 버퍼부(30)는 기판 처리 장치(60)와 캐리어(11) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 일시적으로 수납되어 대기하는 장소이다. 버퍼부(30)는 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제 3 방향(3)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다.
이동 통로(40)는 버퍼부(30)와 대응되게 배치된다. 이동 통로(40)는 그 길이방향이 제 1 방향(1)에 따라 나란하게 배치된다. 이동 통로(40)은 메인 이송 로봇(50)이 이동하는 통로를 제공한다. 이동 통로(40)의 양측에는 기판 처리 장치(60)들이 서로 마주보며 제 1 방향(1)을 따라 배치된다. 이동 통로(40)에는 메인 이송 로봇(50)이 제 1 방향(1)을 따라 이동하며, 기판 처리 장치(60)의 상하층, 그리고 버퍼부(30)의 상하층으로 승강할 수 있는 이동 레일이 설치된다.
메인 이송 로봇(50)은 이동 통로(40)에 설치되며, 기판 처리 장치(60) 및 버퍼부(30) 간에 또는 각 기판 처리장치(60) 간에 기판(W)을 이송한다. 메인 이송 로봇(50)은 이동 통로(400)을 따라 제 2 방향(2)으로 직선 이동하거나, 제 3 방향(3)을 축으로 하여 회전한다.
기판 처리 장치(60)는 복수개 제공되며, 제 2 방향(2)을 따라 이동 통로(30)을 중심으로 양측에 배치된다. 기판 처리 장치(60)들 중 일부는 이동 통로(30)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 기판 처리 장치(60)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이동 통로(30)의 일측에는 기판 처리 장치(60)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제 1 방향(1)을 따라 일렬로 제공된 기판 처리 장치(60)의 수이고, B는 제 2 방향(2)을 따라 일렬로 제공된 기판 처리 장치(60)의 수이다. 이동 통로(30)의 일측에 기판 처리 장치(60)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 기판 처리 장치(60)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 기판 처리 장치(60)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 기판 처리 장치(60)는 이동 통로(30)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 기판 처리 장치(60)는 이동 통로(30)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
기판 처리 장치(60)는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(60)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 기판 처리 장치(60)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 기판 처리 장치(60)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 기판 처리 장치(60)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 기판 처리 장치(60)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다. 예컨대, 기판 처리 장치(60)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송 챔버(240)의 일측에는 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공되고, 이송 챔버(240)의 타측에는 제 2 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송 챔버(240)의 양측에서 하층에는 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공되고, 상층에는 제 2 그룹의 기판 처리 장치(60)들이 제공될 수 있다. 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)와 제 2 그룹의 기판처리 장치(60)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. 이와 달리, 제 1 그룹의 기판 처리 장치(60)와 제 2 그룹의 기판 처리 장치(60)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수 행하도록 제공될 수 있다.
도 2는 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이고, 도 3은 기판 처리 장치 각각에 제공되는 처리액 분사 유닛을 보여주는 구성도이다.
아래의 실시예에서는 처리액들을 사용하여 기판을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판으로 처리액를 공급하면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 기판 처리 장치(60)가 처리하는 기판으로 반도체 기판을 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(60)는 공정 챔버(700), 처리 용기(100), 기판 지지부재(200) 그리고 처리액 분사 유닛(300)을 포함한다.
공정 챔버(700)는 밀폐된 공간을 제공하며. 상부에는 팬 필터 유닛(710)이 설치된다. 팬 필터 유닛(710)은 공정챔버(700) 내부에 수직 기류를 발생시킨다.
팬 필터 유닛(710)은 필터와 공기공급팬이 하나의 유니트로 모듈화된 것으로, 청정공기를 필터링하여 공정 챔버(700) 내부로 공급해주는 장치이다. 청정공기는 팬 필터 유닛(710)을 통과하여 공정 챔버(700) 내부로 공급되어 수직기류를 형성하게 된다. 이러한 공기의 수직기류는 기판 상부에 균일한 기류를 제공하게 되며, 처리액에 의해 기판 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 퓸(Fume)등 오염기체는 공기와 함께 처리 용기(100)의 회수 용기들을 통해 배기부재(400)로 배출되어 제거됨으로써 처리 용기 내부의 청정도를 유지하게 된다.
공정 챔버(700)는 수평 격벽(714)에 의해 공정 영역(716)과 유지보수 영역(718)으로 구획된다. 도면에는 일부만 도시하였지만, 유지보수 영역(718)에는 처리 용기(100)와 연결되는 회수라인(141,145), 서브배기라인(410) 이외에도 처리액 분사 유닛(300)의 분사 노즐(320)과 연결되는 처리액 공급라인 등이 위치되는 공간으로, 이러한 유지보수 영역(718)은 기판 처리가 이루어지는 공정 영역으로부터 격리되는 것이 바람직하다.
처리 용기(100)는 상부가 개구된 원통 형상을 갖고, 기판(w)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다. 처리 용기(100)의 개구된 상면은 기판(w)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 공정 공간에는 기판 지지부재(200)가 위치된다. 처리 용기(100)는 공정 공간 아래에 제2배기부재(400)와 연결되는 제2배기덕트(190)가 제공된다. 제2배기덕트(190)는 바닥면에 드레인 라인(192)이 제공된다.
처리 용기(100)는 회수통들(121,122,123)과 제1승강 부재(130)를 포함한다.
회수통(121,122,123)들은 회전되는 기판상에서 비산되는 약액과 기체를 유입 및 흡입하기 위해 다단으로 배치된다. 각각의 회수통(121,122,123)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액를 회수할 수 있다.
제3고정 회수통(123)은 기판 지지부재(311)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 제2고정 회수통(122)은 제3고정 회수통(123)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 제1고정 회수통(121)은 제2고정 회수통(122)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제3고정 회수통(123)의 내측 공간(123a)은 제3고정 회수통(123)으로 약액과 기체가 유입되는 유입구로서 제공된다. 제3고정 회수통(123)과 제2고정 회수통(122)의 사이 공간(122a)은 제2고정 회수통(122)으로 약액과 기체가 유입되는 유입구로서 제공된다. 그리고, 제2고정 회수통(122)과 제1고정 회수통(121)의 사이 공간은 제1고정 회수통(121)으로 약액과 기체가 유입되는 유입구로서 제공된다.
본 실시예에서, 처리 용기는 3개의 고정 회수통을 갖는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않으며, 상기 처리용기는 2개의 고정 회수통 또는 3개 이상의 고정 회수통을 포함할 수 있다.
배기 부재(400)는 기판 처리 공정시 처리 용기(100) 내에 배기압력을 제공하기 위한 것이다. 제2배기부재(400)는 제2배기덕트(190)와 연결되는 서브 배기 라인(410), 댐퍼(420)를 포함한다. 서브 배기 라인(410)은 배기펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인의 바닥 공간에 매설된 메인 배기 라인과 연결된다.
기판 지지부재(200)는 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판을 회전시킨다. 기판 지지부재(200)는 스핀 헤드(210), 지지축(220), 회전 구동부(230)을 포함한다. 스핀 헤드는 지지핀(212), 척핀(214)을 포함한다. 스핀 헤드(210)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 스핀 헤드(210)의 저면에는 회전구동부(230)에 의해 회전가능한 지지축(220)이 고정결합된다.
처리액 분사 유닛(300)은 기판 지지부재(200)의 스핀헤드(210)에 놓인 기판의 처리면으로 처리액를 분사한다.
처리액 분사 유닛(300)는 처리액의 유동 경로를 제공하는 처리액 공급라인(302)과 처리액 공급 라인(302)과 연결되어 처리액를 토출시키는 분사 노즐(320)을 갖는 분사 부재(310)를 포함할 수 있다.
처리액 공급라인(302)에는 석백(SuckBack) 밸브(304) 그리고 유량 on/off 기능을 갖는 밸브(306)가 설치될 수 있다.
분사 부재(310)는 지지축(312), 구동기(314), 노즐 지지대(316) 그리고 분사 노즐(320)을 포함할 수 있다. 지지축(312)은 그 길이 방향이 제 3 방향(3)으로 제공되며, 지지축(312)의 하단은 구동기(314)와 결합된다. 구동기(314)는 지지축(312)을 회전 및 직선 운동시킨다. 노즐 지지대(316)는 지지축(312)에 결합되어 분사 노즐(320)을 기판 상부로 이동시키거나, 기판 상부에서 분사 노즐(320)이 처리액를 분사하면서 이동되도록 한다.
분사 노즐(320)은 노즐 지지대(316)의 끝단 저면에 설치될 수 있다. 분사 노즐(320)은 구동기(314)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동될 수 있다. 공정 위치는 분사 노즐(320)이 처리 용기(100)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기위치는 분사 노즐(320)이 처리 용기(100)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 분사 노즐(320)은 처리액 공급 라인(302)으로부터 공급된 처리액를 분사한다. 또한, 분사 노즐(320)은 처리액 공급 라인(302)에서 공급된 처리액 외에 다른 처리액를 직접 노즐로 공급받아 분사할 수 있다.
도 4는 분사 노즐의 측단면도이고, 도 5는 분사 노즐의 요부 확대도이며, 도 6은 기존 분사 노즐과 본 발명의 분사 노즐의 포스 분포를 분석한 도면이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 분사 노즐의 노즐 몸체는 처리액을 수용하는 내부 공간과 내부공간과 연결되어 처리액을 하방으로 토출하는 미세홀들을 포함한다.
도 6에서와 같이, 기존 분사 노즐과 본 발명의 분사 노즐의 force 분포를 분석하면 다음과 같다. 우선, 수식에서 F=adhesion force, σ=surface tension, θ=contact angle 을 의미한다.
위쪽 그림은 1/4" 단일 분사공을 갖는 기존 분사 노즐(이하 단일 노즐이라고 함)을 예를 든 것이고, 아래쪽 그림은 Φ0.5 홀이 63개의 분사공(미세홀)들이 뚫린 본 발명의 분사 노즐(이하 다공 노즐이라고 함)을 예를 든 것이다.
단일 노즐의 단면적은 12.24mm2, 다공노즐의 단면적은 12.36mm2으로 거의 유사하다. 응착력(Adhesion force)는 처리액과 분사공의 접착 계면 길이(πD)에 비례 하게 되는데, 다공노즐의 경우 그 길이가 크게 늘어나게 된다. 결과적으로 약 8배의 응착력(adhesion force)을 갖게 되어 처리액 드롭을 효과적으로 방지 할 수 있게 된다.
도 7은 미세홀들의 다양한 예를 보여주는 도면들이다.
도 7에서와 같이, 분사 노즐(320)의 미세홀(332)들은 그 단면형상이 원형이거나 또는 다각형으로 제공될 수 있다. 특히, 육각형의 단면을 갖는 미세홀들의 경우 미세홀들 간의 간격을 조밀하게 제공할 수 있고, 또한 미세홀(332)들 간의 간격을 일정하게 제공할 수 있다. 즉, 미세홀들 간의 간격이 줄어들어 처리액이 뭉쳐서 하나의 줄기를 이룰 수 있는 각별한 효과가 있다.
도 8을 참조하면, 미세홀들은 미세홀 지름(D)보다 작은 간격으로 제공될 수 있다. 다시 말해, 미세홀들 중심간의 간격(L1)이 미세홀 지름(D)의 2배 이하로 제공되는 것이 바람직하다.
분사 노즐(320)은 미세홀(332)을 가공하는 과정에서 노즐 끝 부분의 형태를 일정하게 유지하는 것이 어렵고, 만약 끝 부분의 가공이 불완전한 경우 처리액이 갈라져서 분사되는 현상이 발생될 수 있다. 처리액이 갈라져서 분사되는 문제는 아래와 같은 분사 노즐의 구조 변경을 통해 해결할 수 있다.
도 9는 처리액의 갈라짐 현상을 방지할 수 있는 분사 노즐의 제1변형예를 보여주는 도면이다.
도 9를 참조하면, 분사 노즐(320a)은 가장자리에 위치하는 미세홀(332a)들을 처리액이 중앙으로 모일 수 있도록 노즐 몸체(322)의 중심부 방향으로 경사지게 제공된다. 즉, 분사 노즐(320a)은 최외각 미세홀(332a)들과 중앙 미세홀(332)들로 구분하고, 중앙 미세홀(332)들은 수직하게 가공하고, 최외각 미세홀(332a)들은 중심부 방향으로 경사지게 가공하여 처리액이 중앙으로 모여 분사될 수 있도록 하였다.
도 10은 처리액의 갈라짐 현상을 방지할 수 있는 분사 노즐의 제2변형예를 보여주는 도면이다.
도 10을 참조하면, 분사 노즐(320b)은 단부에 해당되는 노즐팁(330b)의 형상을 변경하여 처리액의 갈라짐 현상을 방지할 수 있다. 분사 노즐(320b)은 외곽에서 중심방향으로 오목하게 형성한 노즐팁(330b)을 가짐으로써 미세홀(332)들을 통해 분사되는 처리액을 중앙으로 모여 분사될 수 있도록 하였다.
도 11은 처리액의 갈라짐 현상을 방지할 수 있는 분사 노즐의 제3변형예를 보여주는 도면이다.
도 11을 참조하면, 분사 노즐(320c)은 단부에 해당되는 노즐팁(330c)의 형상을 변경하여 처리액의 갈라짐 현상을 방지할 수 있다. 분사 노즐(320c)은 중심에서 외곽방향으로 하향경사지게 형성한 노즐팁(330c)을 가짐으로써 미세홀(332)들을 통해 분사되는 처리액을 중앙으로 모여 분사될 수 있도록 하였다.
도 12는 분사 노즐의 제4변형예를 보여주는 도면이다.
도 12에서와 같이, 분사 노즐(320d)의 노즐팁(330d)은 볼록한 형태로 제공될 수 있다.
도 13은 분사 노즐의 제5변형예를 보여주는 도면이다.
분사 노즐(320e)는 가이드(392)를 포함할 수 있다. 가이드(392)는 미세홀(332)들을 통해 분사되는 처리액이 주위로 퍼지지 않도록 노즐팁(330)의 가장자리에 설치된다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
700: 공정 챔버 100 : 처리 용기
200 : 기판 지지부재 300 : 처리액 분사 유닛

Claims (13)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    내부에 공정을 수행하는 처리 공간이 형성된 하우징;
    상기 처리공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드; 그리고
    상기 스핀헤드에 지지된 기판 상으로 처리액을 공급하는 분사 노즐을 갖는 처리액 분사 유닛을 포함하되,
    상기 분사 노즐은
    처리액을 수용하는 내부 공간을 제공하는 노즐 몸체; 및 상기 노즐 몸체 하단에 제공되고 상기 내부 공간과 연결되어 상기 처리액을 하방으로 토출하는 미세홀들을 갖는 노즐 팁을 포함하며,
    상기 노즐 팁의 단부는 외곽에서 중심방향으로 오목하게 형성되고, 상기 미세홀들은 기판 표면에 대해 수직하게 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 기판 처리 장치에 있어서,
    내부에 공정을 수행하는 처리 공간이 형성된 하우징;
    상기 처리공간에서 기판을 지지 및 회전시키는 스핀헤드; 그리고
    상기 스핀헤드에 지지된 기판 상으로 처리액을 공급하는 분사 노즐을 갖는 처리액 분사 유닛을 포함하되,
    상기 분사 노즐은
    처리액을 수용하는 내부 공간을 제공하는 노즐 몸체; 및 상기 노즐 몸체 하단에 제공되고 상기 내부공간과 연결되어 처리액을 하방으로 토출하는 미세홀들을 갖는 노즐 팁을 포함하며,
    상기 미세홀들은
    상호간의 간격은 동일하고, 횡단면 형상이 육각형인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 미세홀들 상호간의 간격은 동일한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 미세홀들 상호간의 간격은
    상기 미세홀 지름의 2배 이하인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 분사 노즐은
    상기 미세홀들을 통해 분사되는 처리액이 주위로 퍼지지 않도록 상기 노즐팁의 가장자리에 제공되는 가이드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 처리액 분사 유닛에 있어서:
    처리액의 유동 경로를 제공하는 처리액 공급라인; 및
    상기 처리액 공급 라인에 설치되어 처리액를 토출시키는 분사 노즐을 포함하되;
    상기 분사 노즐은
    처리액이 흐르는 액 라인을 갖는 노즐 몸체 및 상기 액 라인과 연결되어 상기 처리액을 하방으로 토출하는 미세홀들을 갖는 노즐팁을 포함하며,
    상기 노즐 팁의 단부는
    상기 미세홀들 각각으로 분사되는 처리액이 서로 하나로 뭉쳐 하나의 줄기를 이루도록 외곽에서 중심방향으로 오목하게 형성되고, 상기 미세홀들은 기판 표면에 대해 수직하게 형성되는 것을 특징으로 하는 처리액 분사 유닛.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 처리액 공급 라인에 설치되는 석백(suck-back) 밸브 그리고 유량 온오프 밸브를 더 포함하는 특징으로 하는 처리액 분사 유닛.
  8. 처리액 분사 유닛에 있어서:
    처리액의 유동 경로를 제공하는 처리액 공급라인; 및
    상기 처리액 공급 라인에 설치되어 처리액을 토출시키는 분사 노즐을 포함하되;
    상기 분사 노즐은
    처리액이 흐르는 액 라인을 갖는 노즐 몸체 및 상기 액 라인과 연결되어 상기 처리액을 하방으로 토출하는 미세홀들을 갖는 노즐 팁을 포함하며,
    상기 미세홀들은
    상호간의 간격은 동일하고,
    횡단면 형상이 육각형인 것을 특징으로 하는 처리액 분사 유닛.
  9. 제 7 항 또는 제 8항에 있어서,
    상기 미세홀들 상호간의 간격은
    상기 미세홀 지름의 2배 이하인 것을 특징으로 하는 처리액 분사 유닛.
  10. 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 분사 유닛에 있어서,
    내부에 처리액이 흐르는 액 라인이 형성된 노즐 몸체 및 상기 액 라인으로부터 연장되며 복수의 미세홀들을 갖는 노즐팁을 가지는 분사 노즐;
    상기 분사 노즐에 연결되며 상기 노즐 몸체로 액을 공급하는 처리액 공급라인;
    상기 처리액 공급라인에 설치되며, 상기 분사 노즐에 잔류하는 액을 상기 노즐팁으로부터 멀어지는 방향으로 흡입하는 석백밸브를 포함하되;
    상기 노즐 팁의 단부는
    상기 미세홀들 각각으로 분사되는 처리액이 서로 하나로 뭉쳐 하나의 줄기를 이루도록 외곽에서 중심 방향으로 오목하게 형성되고, 상기 미세홀들은 기판 표면에 대해 수직하게 형성되는 처리액 분사 유닛.
  11. 기판으로 처리액을 공급하는 처리액 분사 유닛에 있어서,
    내부에 처리액이 흐르는 액 라인이 형성된 노즐 몸체 및 상기 액 라인으로부터 연장되며 복수의 미세홀들을 갖는 노즐팁을 가지는 분사 노즐;
    상기 분사 노즐에 연결되며 상기 노즐 몸체로 액을 공급하는 처리액 공급라인;
    상기 처리액 공급라인에 설치되며, 상기 분사 노즐에 잔류하는 액을 상기 노즐팁으로부터 멀어지는 방향으로 흡입하는 석백밸브를 포함하되;
    상기 미세홀들은 상호간의 간격은 동일하고, 횡단면은 육각형의 형상으로 제공되는 처리액 분사 유닛.
  12. 제 10 항 또는 제 11항에 있어서,
    상기 액은 이소프로필 알콜올을 포함하는 처리액 분사 유닛.
  13. 제 10 항 또는 제 11항에 있어서,
    상기 액은 오존을 포함하는 처리액 분사 유닛.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108389818A (zh) * 2018-05-14 2018-08-10 安徽宏实自动化装备有限公司 一种湿式制程设备动态蚀刻药液均匀化装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004016878A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置及び処理液供給用ノズル装置
KR20060017350A (ko) * 2004-08-20 2006-02-23 주성엔지니어링(주) 샤워헤드
JP3845424B2 (ja) * 2003-04-30 2006-11-15 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー． インクジェットプリントヘッド
JP2008126200A (ja) * 2006-11-24 2008-06-05 Taco Co Ltd ノズル装置
KR20100048402A (ko) * 2008-10-31 2010-05-11 세메스 주식회사 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
KR20110071840A (ko) 2009-12-21 2011-06-29 주식회사 케이씨텍 세정장치의 노즐유닛
WO2016025187A1 (en) * 2014-08-15 2016-02-18 Applied Materials, Inc. Nozzle for uniform plasma processing
JP2016032107A (ja) * 2014-07-25 2016-03-07 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 半導体素子の製造方法及び基板処理方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004016878A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置及び処理液供給用ノズル装置
JP3845424B2 (ja) * 2003-04-30 2006-11-15 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー． インクジェットプリントヘッド
KR20060017350A (ko) * 2004-08-20 2006-02-23 주성엔지니어링(주) 샤워헤드
JP2008126200A (ja) * 2006-11-24 2008-06-05 Taco Co Ltd ノズル装置
KR20100048402A (ko) * 2008-10-31 2010-05-11 세메스 주식회사 처리액 공급 유닛과, 이를 이용한 기판 처리 장치 및 방법
KR20110071840A (ko) 2009-12-21 2011-06-29 주식회사 케이씨텍 세정장치의 노즐유닛
JP2016032107A (ja) * 2014-07-25 2016-03-07 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 半導体素子の製造方法及び基板処理方法
WO2016025187A1 (en) * 2014-08-15 2016-02-18 Applied Materials, Inc. Nozzle for uniform plasma processing

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108389818A (zh) * 2018-05-14 2018-08-10 安徽宏实自动化装备有限公司 一种湿式制程设备动态蚀刻药液均匀化装置

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