JP2006120708A - 処理方法および処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被処理体に存在する第1の膜および第2の膜の少なくとも2層の積層膜に対しウェットエッチングによる除去処理を行うにあたり、第1処理液を被処理体の第1の膜に接触させて第1の膜をエッチングし(ステップ2)、第1の膜が除去されたか否かを判断し(ステップ3)、第1の膜が除去されたと判断された際に、第1処理液を、第1処理液とは状態が異なる第2処理液に切り換え(ステップ4)、第2処理液を第2の膜に接触させて第2の膜をエッチングする(ステップ5)。
【選択図】図3
Description
ここでは、シリコン基板上に形成された、酸化シリコン(SiO2)または酸窒化シリコン(SiOxNy)からなる界面膜およびhigh−k材料膜からなる2層構造のゲート絶縁膜をウェットエッチングにより除去する場合について説明する。
ここでは、処理液として希フッ酸(DHF)/エタノール系処理液と、希フッ酸(DHF)処理液とを用い、前者ではエタノール濃度を変化させ、後者ではpH調整剤により処理液のpHを変化させて、これらの液をHfO2膜とSiO2膜に供給し、これら膜のエッチングレートを測定した。なお、希フッ酸としては、温度25℃で濃度0.05Mのものを用いた。この際のエッチングレートを表1,2に示す。
2……チャンバー(収容部)
3……スピンチャック
4……モーター
10……処理液供給ノズル
13,54……切り換えバルブ
15,56……第1処理液供給源
17,58……第2処理液供給源
31,65……濃度測定装置(検出部)
32,68……CPU(制御部)
51……内槽(収容部)
W……半導体ウエハ
Claims (18)
- 被処理体に存在する第1の膜および第2の膜の少なくとも2層の積層膜に対しウェットエッチングによる除去処理を行う処理方法であって、
第1処理液を被処理体の前記第1の膜に接触させて前記第1の膜をエッチングする工程と、
前記第1の膜が除去されたか否かを判断する工程と、
前記第1の膜が除去されたと判断された際に、前記第1処理液を、前記第1処理液とは状態が異なる第2処理液に切り換える工程と、
前記第2処理液を前記第2の膜に接触させて前記第2の膜をエッチングする工程と
を有することを特徴とする処理方法。 - 被処理体に存在する第1の膜および第2の膜の少なくとも2層の積層膜に対しウェットエッチングによる除去処理を行う処理方法であって、
前記第2の膜に対して前記第1の膜を高い選択性でエッチング可能な第1処理液を被処理体の前記第1の膜に接触させて前記第1の膜をエッチングする工程と、
前記第1の膜が除去されたか否かを判断する工程と、
前記第1の膜が除去されたと判断された際に、前記第1処理液を、前記第1処理液とは状態が異なり、かつ前記第1の膜に対して前記第2の膜を高い選択性でエッチング可能な第2処理液に切り換える工程と、
前記第2の処理液を前記第2の膜に接触させて前記第2の膜をエッチングする工程と
を有することを特徴とする処理方法。 - 前記第1処理液は、前記第1の膜および前記第2の膜の両方を溶解することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の処理方法。
- 前記第1の膜が除去されたか否かを判断する工程は、被処理体に接触した前記第1処理液の所定物質の濃度を測定することによりなされることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の処理方法。
- 前記第1処理液中の前記第1の膜の成分の量、または前記第1処理液中の前記第1の膜の成分の増加率が設定値よりも低くなった時点で前記第1の膜が除去されたと判断することを特徴とする請求項4に記載の処理方法。
- 前記第1処理液中の前記第2の膜の成分の量が設定値より増加した時点で前記第1の膜が除去されたと判断することを特徴とする請求項4に記載の処理方法。
- 前記第1の膜が高誘電率材料膜であり、前記第2の膜が酸化シリコン(SiO2)または酸窒化シリコン(SiOxNy)からなる界面膜であり、前記被処理体は、シリコン基板上に第2の膜が形成され、その上に前記第1の膜が形成されて2層構造のゲート絶縁膜を構成し、その上にゲート電極が形成された構造を有することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の処理方法。
- 前記第1処理液と前記第2処理液とは化学種が異なることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の処理方法。
- 前記第1処理液と前記第2処理液とは、同種の薬液であり、成分濃度および/またはpHが異なることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の処理方法。
- 前記第1処理液と前記第2処理液とは、同種の薬液であり、温度が異なることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の処理方法。
- 被処理体に存在する第1の膜および第2の膜の少なくとも2層の積層膜に対しウェットエッチングによる除去処理を行う処理装置であって、
被処理体を収容する収容部と、
第1処理液を前記収容部内の被処理体に供給して前記第1の膜に接触させ、前記第1の膜のエッチングを進行させる第1処理液供給部と、
前記第1処理液とは状態が異なる第2処理液を前記収容部内の被処理体に供給して前記第2の膜に接触させ、前記第2の膜のエッチングを進行させる第2処理液供給部と、
前記第1の膜の除去状態を検出する検出部と、
前記被処理体に接触させる処理液を前記第1処理液から前記第2処理液に切り換える切り換え部と、
前記検出部の検出値に基づいて、前記第1の膜が除去されたか否かを判断し、前記第1の膜が除去されたと判断した場合に、前記切り換え部に、前記被処理体に接触させる処理液を前記第1処理液から前記第2処理液に切り換える指令を送信する制御部と
を具備することを特徴とする処理装置。 - 前記第1処理液は、前記第2の膜に対して前記第1の膜を高い選択性でエッチング可能であり、前記第2処理液は、前記第1の膜に対して前記第2の膜を高い選択性でエッチング可能であることを特徴とする請求項11に記載の処理装置。
- 前記検出部は、被処理体に接触した前記第1処理液の所定物質の濃度を測定することを特徴とする請求項11または請求項12に記載の処理装置。
- 前記制御部は、前記検出部が検出する、前記第1処理液中の前記第1の膜の成分の量、または前記第1処理液中の前記第1の膜の成分の増加率が設定値よりも低くなった時点で前記第1の膜が除去されたと判断することを特徴とする請求項13に記載の処理装置。
- 前記制御部は、前記検出部が検出する、前記第1処理液中の前記第2の膜の成分の量、または第1処理液中の前記第2の膜の成分の増加率が設定値より増加した時点で前記第1の膜が除去されたと判断することを特徴とする請求項13に記載の処理装置。
- 前記第1処理液供給部および前記第2処理液供給部は、それぞれ前記第1処理液および前記第2処理液を被処理体の表面に供給することを特徴とする請求項11から請求項15のいずれか1項に記載の処理装置。
- 前記第1処理液供給部および前記第2処理液供給部は、前記収容部内の被処理体がそれぞれ前記第1処理液および前記第2処理液に浸漬されるように前記第1処理液および前記第2処理液を前記収容部に供給することを特徴とする請求項11から請求項15のいずれか1項に記載の処理装置。
- 被処理体に存在する第1の膜および第2の膜の少なくとも2層の積層膜に対しウェットエッチングによる除去処理を行う処理であって、
第1処理液を被処理体の前記第1の膜に接触させて前記第1の膜をエッチングするステップと、
前記第1の膜が除去されたか否かを判断するステップと、
前記第1の膜が除去されたと判断された際に、前記第1処理液を、前記第1処理液とは状態が異なる第2処理液に切り換えるステップと、
前記第2処理液を前記第2の膜に接触させて前記第2の膜をエッチングするステップと
を有する処理を実行するようにコンピュータが処理装置を制御するソフトウェアを含むコンピュータプログラム。
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