JP2010056574A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電極の側壁にスペーサを有する半導体装置の製造方法であって、電極を覆う絶縁膜を形成する工程と、電極の側壁にスペーサを形成するために絶縁膜にドライエッチングを行う工程と、水素単体ガスまたは窒素を含むガスによるプラズマ放電により、ドライエッチングにより生じた反応生成物を除去する工程と、反応生成物を除去した後、少なくとも絶縁膜にオーバーエッチングを行う工程とを有するものである。
【選択図】図6
Description
電極の側壁にスペーサを有する半導体装置の製造方法であって、
前記電極を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記電極の側壁に前記スペーサを形成するために前記絶縁膜にドライエッチングを行う工程と、
水素単体ガスまたは窒素を含むガスによるプラズマ放電により、前記ドライエッチングにより生じた反応生成物を除去する工程と、
前記反応生成物を除去した後、少なくとも前記絶縁膜にオーバーエッチングを行う工程と、
を有するものである。
(実施例1)
本実施例は、シングルダマシンプロセスにおいてエッチング処理で生成されるデポ物除去のためのドライクリーニングを行うものである。
(実施例2)
本実施例は、デュアルダマシンプロセスにおいてエッチング処理で生成されるデポ物除去のためのドライクリーニングを行うものである。
(実施例3)
本実施例は、配線上にコンタクトホールを形成するプロセスにおいてエッチング処理で生成されるデポ物除去のためのドライクリーニングを行うものである。
(実施例4)
本実施例は、poly−Si電極にスペーサを形成する際のプロセスにおいてエッチング処理で生成されるデポ物除去のためのドライクリーニングを行うものである。
12 下部電極
14 上部電極
16 下部RF電源
18 上部RF電源
50 Cu配線
52 絶縁膜
54 SiCN膜
56 SiOC膜
62、72 SiO2膜
63、67 ビアホール
64、66、74 フォトレジスト
65、69 配線用溝
68 ビアプラグ
70、78 SiN膜
71 コンタクトホール
76 Si基板
77 ゲート酸化膜
80 poly−Si電極
82 スペーサ
Claims (8)
- 電極の側壁にスペーサを有する半導体装置の製造方法であって、
前記電極を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記電極の側壁に前記スペーサを形成するために前記絶縁膜にドライエッチングを行う工程と、
水素単体ガスまたは窒素を含むガスによるプラズマ放電により、前記ドライエッチングにより生じた反応生成物を除去する工程と、
前記反応生成物を除去した後、少なくとも前記絶縁膜にオーバーエッチングを行う工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記窒素を含むガスは、窒素単体ガスである請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記窒素を含むガスは、窒素ガスと他のガスとの混合ガスであって、該窒素ガスの成分が80%以上100%未満である請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記混合ガスが、N2/H2、N2/O2、およびN2/NH3のうち少なくともいずれかである請求項3記載の半導体装置の製造方法。
- 前記窒素を含むガスは、窒素を成分の一元素とするガスと他のガスとの混合ガスであって、窒素を成分の一元素とするガスが80%以上100%未満である請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記混合ガスが、NH3/O2である請求項5記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜は、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、および、該シリコン酸化膜よりも誘電率の低い低誘電率絶縁膜のうち少なくともいずれかを含んでいる請求項1から6のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ドライエッチングに用いられるガスに、炭素、酸素、窒素、フッ素、水素、およびアルゴンのうち少なくともいずれかを含んでいる請求項1から7のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
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