JPH10209112A

JPH10209112A - エッチング方法および装置

Info

Publication number: JPH10209112A
Application number: JP1277497A
Authority: JP
Inventors: Sadaji Oka; 貞治岡; Takeshi Yagihara; 剛八木原; Akira Miura; 明三浦; Shinji Kobayashi; 信治小林; Tadashige Fujita; 忠重藤田
Original assignee: TERA TEC KK
Current assignee: TERA TEC KK
Priority date: 1997-01-27
Filing date: 1997-01-27
Publication date: 1998-08-07

Abstract

(57)【要約】【課題】エッチング終点を自動的に確認してエッチン
グ工程を自動化する。【解決手段】エッチング液の一部を取り出して質量分
析し、その結果によりエッチングの終了を判断する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は積層体の一部の層を
エッチングする技術に関する。本発明は、特に半導体素
子の製造に利用するに適する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子、特に化合物半導体素子の製
造工程においては、ベース面出し、コレクタ面出しなど
を行うために、ウェットエッチングが利用されている。
ウェットエッチングでは、エッチング量を逐次測定する
などして、エッチング終点を割り出す必要がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、エッチング終
点を割り出すためには、ウェットエッチング工程と、エ
ッチング量測定、半導体極性確認あるいは半導体シート
抵抗測定などのエッチング終点確認工程とを繰り返す必
要がある。このため、手間がかかるとともに、面出し精
度も十分に確保されているとはいえない状況であった。
例えば、エミッタ層をエッチングしてベース面出しを行
う場合に、エッチングがエミッタとベースとの境界を越
えてベース層の一部まで進行することがあった。

【０００４】本発明は、このような課題を解決し、ウェ
ットエッチング工程におけるエッチング終点を自動的に
確認することのできるエッチング方法および装置を提供
することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の第一の観点はエ
ッチング方法であり、複数の層が積層された積層体にエ
ッチング液を接触させてそれらの層の少なくとも一部を
取り除くエッチング方法において、エッチング液の一部
を取り出してそのエッチング液に溶け出した元素の質量
分析を行い、その質量分析の結果によりエッチングの終
了を判断することを特徴とする。この方法によれば、エ
ッチングの終了を判断するまでに要する時間が所望のエ
ッチング精度に比べて無視できるほど少なく、リアルタ
イムな判断が可能である。

【０００６】本発明はウェット式のどのようなエッチン
グ方法の場合でも実施できる。例えば枚葉式ウェットス
ピンプロセッサで実施する場合には、平板状の積層体を
その一方の面で保持してその面内で回転させながら他方
の面にエッチング液を滴下し、この滴下されたエッチン
グ液の一部を吸入して質量分析を行う。また、平板状の
積層体を容器内のエッチング液に浸し、この容器内のエ
ッチング液の一部を取り出して質量分析を行うこともで
きる。

【０００７】エッチング対象の積層体に接触しているエ
ッチング液と接触させる前のエッチング液とを交互に取
り出して質量分析を行い、接触しているエッチング液に
対する質量分析結果から接触させる前のエッチング液に
対する質量分析結果を差し引いてバックグランド分を除
去することが望ましい。

【０００８】エッチングの終了を判断する具体的な方法
としては、エッチング対象の積層体に特定のエッチング
液によりエッチングされやすい層とその層に比較してエ
ッチングされ難い（全くエッチングされない、あるいは
「エッチングされやすい層」に比べてエッチングレート
が十分に遅い）エッチングストッパー層とが設けられて
いる場合に、質量分析の結果がエッチングされやすい層
の構成元素について実質的な変化がなくなったときにそ
の層のエッチングが終了したと判断することがよい。こ
こで、エッチング液を更新することなくエッチングを行
う場合には、エッチングされやすい層の構成元素の濃度
が飽和したときにその層のエッチングが終了したと判断
する。エッチング液を更新しながらエッチングを行う場
合には、エッチングされやすい層の構成元素の濃度が低
下したときにその層のエッチングが終了したと判断す
る。

【０００９】また、質量分析によりあらかじめ定められ
た元素が検出されたときにその元素を含まない層のエッ
チングが終了したと判断してもよい。積層体がｐｎ接合
の形成された半導体ウェハであり、このｐｎ接合の一方
の層をエッチングする場合には、他方の層のドーパント
が検出されたときに前記一方の層のエッチングが終了し
たと判断することができる。

【００１０】エッチングに伴って、エッチング速度が既
知の材料からなる層についてその層のエッチングに要し
た時間からその層の厚さを求めることができる。また、
エッチングした層に含まれる汚染物質を質量分析の結果
から検出および定量することもできる。３あるいはそれ
以上の元素の系からなる化合物半導体層をエッチングす
る場合には、質量分析の結果からその化合物半導体層の
混晶比を求めることができる。エッチングした層のドー
ピング濃度を質量分析の結果から求めることもできる。

【００１１】本発明の第二の観点は以上の方法を実行す
る装置であり、複数の層が積層された積層体にエッチン
グ液を接触させてそれらの層の少なくとも一部を取り除
くエッチング処理手段を備えたエッチング装置におい
て、エッチング処理手段からエッチング液の一部を取り
出す手段と、取り出されたエッチング液に溶け出した元
素を質量分析する手段と、この質量分析する手段の分析
結果をデータ処理してエッチングの終了を検出するデー
タ処理手段とを備えたことを特徴とする。

【００１２】エッチング処理手段としては、容器内のエ
ッチング液に積層体を浸す構造のものを用いてもよい
が、半導体プロセスで利用する場合には、枚葉式ウェッ
トスピンプロセッサを用いることがよい。すなわち、エ
ッチング処理手段には、平板状の積層体（例えば半導体
ウェハ）をその一方の面で保持してその面内で回転させ
る手段と、この平板状の積層体の他方の面にエッチング
液を滴下する手段とを備えることができる。この場合
に、取り出す手段として、平板状の積層体に滴下された
エッチング液の一部を吸入する手段、具体的にはマイク
ロキャピラリを用いることができる。また、質量分析す
る手段としては、誘電結合プラズマ質量分析装置を用い
ることができる。

【００１３】取り出す手段の取り出したエッチング液と
エッチング処理前のエッチング液とを交互に質量分析す
る手段に導く手段を備え、データ処理手段は、積層体に
接触しているエッチング液に対する質量分析結果から接
触させる前のエッチング液に対する質量分析結果を差し
引いてバックグランド分を除去する手段を含むことが望
ましい。

【００１４】データ処理手段は、エッチングしようとす
る層の構成元素に関して質量分析結果に実質的な変化が
なくなったときにその層のエッチングが終了したと判断
する手段を含むことができる。また、データ処理手段
は、質量分析結果にあらかじめ定められた元素が検出さ
れたときにそのエッチング処理が終了したと判断する手
段を含むことができる。さらに、データ処理手段は、エ
ッチング速度が既知の材料からなる層についてその層の
エッチングに要した時間からその層の厚さを求める手
段、エッチングした層の材料が例えば３元化合物半導体
である場合にその混晶比を求める手段、エッチングした
層のドーピング濃度を求める手段、あるいはエッチング
した層に含まれる汚染物質を検出および定量する手段を
含むことができる。

【００１５】データ処理手段の処理結果に基づいてエッ
チング処理手段を制御する手段を備えることが望まし
い。この制御する手段には、データ処理手段によりエッ
チングの終了が判断されたときに、エッチング処理手段
によるエッチング処理を停止させる手段を備えることが
望ましい。

【００１６】

【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態を示す図
であり、半導体ウェハのエッチングを行うエッチング装
置の構成例を示す。ここでは、半導体ウェハを１枚ずつ
処理する枚葉式のウェットスピンプロセッサ（ケミカル
プロセッサ）と、ｐｐｔオーダの微量分析が可能な誘電
結合プラズマ質量分析装置（Inductively Coupled Plas
ma-Mass Spectometer 、以下「ＩＣＰ質量分析装置」と
いう）とを用いた例について説明する。

【００１７】この実施形態のエッチング装置は、複数の
層が積層された半導体ウェハ２にエッチング液を接触さ
せてそれらの層の少なくとも一部を取り除くためのウェ
ットスピンプロセッサ１と、このウェットスピンプロセ
ッサ１からエッチング液の一部を取り出すマイクロキャ
ピラリ５と、取り出されたエッチング液に溶け出した元
素を質量分析するＩＣＰ質量分析装置７と、このＩＣＰ
質量分析装置７の分析結果をデータ処理してエッチング
の終了を検出するデータ処理装置８と、このデータ処理
装置８の処理結果に基づいてウェットスピンプロセッサ
１を制御するエッチング制御装置９とを備える。

【００１８】ウェットスピンプロセッサ１内には、半導
体ウェハ２をその一方の面で保持してその面内で回転さ
せるウェハステージ３と、半導体ウェハ２の他方の面に
エッチング液を滴下するエッチング液吐出ノズル４とを
備え、マイクロキャピラリ５は半導体ウェハ２の表面に
滴下されたエッチング液を吸入するように配置される。
また、マイクロキャピラリ５の取り出したエッチング液
とエッチング処理前のエッチング液とを交互にＩＣＰ質
量分析装置７に導くための切替弁６が設けられ、データ
処理装置８において、半導体ウェハ２に接触しているエ
ッチング液に対する質量分析結果から接触前のエッチン
グ液に対する質量分析結果を差し引いてバックグランド
分を除去できる構成となっている。

【００１９】図２はバックグランド分の除去を説明する
図であり、（ａ）は半導体ウェハ２上のエッチング液の
みをサンプリングした場合、（ｂ）はエッチング前のエ
ッチング液と交互にサンプリングした場合の例を示す。
（ａ）、（ｂ）には同じゆらぎ成分が含まれているもの
とする。エッチング前のエッチング液と半導体ウェハ２
上のエッチング液とを交互にサンプリングし、バックグ
ランドのゆらぎ成分を除去することで、質量分析の精度
を高めることができる。

【００２０】図３はデータ処理装置８による処理の流れ
を示す。エッチングを開始する前に、エッチング終了点
を検出するための監視対象元素およびどのようにして終
了点を検出するか（終了検出モード）を設定する。さら
に、エッチングされた層に関するデータが必要な場合に
はそのための分析モードを設定する。ここでは、層の厚
さ、混晶比、ドーピング濃度、不純物あるいは汚染源の
検出および定量の四つの分析モードを示す。これらの設
定が終了した後、エッチング制御装置９にエッチングの
開始を指令する。実際のエッチングでは、精度よく所望
のエッチングを得るため、エッチレートは遅いほうが望
ましく、供給律速よりも化学反応律速の状態でエッチン
グを行うほうがよい。設定された終了検出モードでエッ
チングの終了を検出するとデータ処理装置８は、エッチ
ング終了処理としてエッチング制御装置９にエッチング
終了を通知し、エッチング制御装置９はウェットスピン
プロセッサ１によるエッチング処理を停止させ、例えば
Ｈ₂Ｏリンス処理へ移行する。エッチングの終了を検出
する方法としては、設定された元素についての分析値の
変化を監視する方法と、特定元素の検出を利用する方法
とが考えられる。エッチング終了処理に続いてデータ処
理装置８は、設定された分析モードの処理を行う。

【００２１】分析値の変化を監視してエッチングの終了
を検出する方法として、半導体ウェハに特定のエッチン
グ液によりエッチングされやすい層とその層に比較して
エッチングされ難いエッチングストッパー層とが設けら
れている場合には、質量分析結果がエッチングされやす
い層の構成元素について実質的な変化がなくなったとき
に、その層のエッチングが終了したと判断することがで
きる。一例として、トランジスタのエミッタ層をエッチ
ングしてベース面を出す場合であって、エミッタ層がＡ
ｌＧａＡｓであり、エミッタ層とベース層との間にエッ
チングストッパー層が設けられている場合について説明
する。この場合、Ａｌ、ＧａまたはＡｓのいずれか、ま
たは複数の元素について、エッチングとともに分析値の
トレンドを監視する。そして、エッチング液を変更せず
にエッチングを行う場合であればその分析値が飽和した
とき、エッチング液を例えば定時間毎に更新する場合に
はその分析値が急激に低下したときあるいは分析値の積
分値が飽和したとき、エッチングが進まなくなったこと
を意味しているので、エッチングストッパー層に到達し
たことがわかる。エッチングストッパー層がない場合で
も、材料の組成やドーピング物質などが層により変化す
る場合には、その変化を監視することにより同様にエッ
チングの終了を検出することができる。

【００２２】特定元素の検出を利用してエッチングの終
了を検出する方法では、質量分析によりあらかじめ定め
られた元素が検出されたときに、その元素を含まない層
のエッチングが終了したと判断する。例えばＮＰＮトラ
ンジスタでは、ベースにｐ型ドーパントが添加されてい
る。そこで、エミッタを除去してベース面出しを行うと
きに、ＭｇあるいはＢｅなどのｐ型ドーパントが検出さ
れれば、ベース面が出たことになる。ただし、元素によ
っては、偏析や拡散により検出面が所望の面と必ずしも
一致しない場合がある。そのような場合には、検出レベ
ルを調整するなどして補正する必要がある。

【００２３】図４はエッチングされた層の厚みを求める
方法を説明する図であり、ＩｎＡｓ／ＡｌＡｓ超格子層
に対するＩｎとＡｌとの分析結果例を簡略化して示す。
エッチングされた層の厚みは、その層の材料に対するエ
ッチング速度が既知であれば、エッチングに要した時間
から求めることができる。特に、エッチング速度が遅け
れば、非常に薄い膜の厚みや超格子層の各層の厚みも求
めることができる。図４の例では、ＩｎとＡｌとの変化
とその時間Ｔ₁、Ｔ₂を測定することで、その厚さが求
められる。

【００２４】図５は混晶比の測定を説明する図であり、
Ｉｎ_0.8Ｇａ_0.2Ａｓ／Ｉｎ_0.53Ｇａ_0.47Ａｓに対する
ＩｎとＧａとの分析結果の例を簡略化して示す。定量分
析の結果から、混晶比の変化を求めることができる。ま
た、同位体の存在に注意してその存在比を考慮すること
で、混晶比を算出することができる。あらかじめ既知の
混晶比の材料を基準として比較することでも混晶比を求
めることができる。

【００２５】図６はドーピング濃度の測定を説明する図
であり、ドーパントとしてＭｇを用いたｎ⁺⁺ＧａＡｓ／
ｎ⁺ＧａＡｓに対するＭｇの分析結果の例を簡略化して
示す。定量分析の結果からドーピング濃度の変化がわか
り、標準サンプルと比較することにより絶対的な濃度が
算出できる。

【００２６】さらに、エッチングされた層の不純物や汚
染源についても、検出および定量が可能である。

【００２７】以上の説明ではエッチングされる積層体と
して主に化合物半導体ウェハを用いた場合について説明
したが、Ｓｉウェハや半導体以外の材料のエッチングに
も本発明を同様に実施することができる。

【００２８】

【実施例】エッチングの進行状態と質量分析との関係を
調べる実験として、ビーカに入れたエッチング液に半導
体ウェハを漬けて１０分間連続してエッチングを行い、
エッチング前、１分後、２分後、４分後、６分後、８分
後および１０分後にスポイトでエッチング液をサンプリ
ングし、それぞれをＩＣＰ質量分析装置で分析した。こ
の実験では、半導体ウェハとして、ＧａＡｓ基板上にエ
ッチングストッパとしてのＩｎＧａＰ層と、厚さ約５０
０ｎｍのＧａＡｓ層とを形成したものを用いた。エッチ
ング液としては、クエン酸：Ｈ₂Ｏ₂：Ｈ₂Ｏ＝３００
ｇ：３０ｃｃ：９００ｃｃを用いた。ＩＣＰ質量分析装
置により⁶⁹Ｇａ、⁷¹Ｇａ、⁷⁵Ａｓおよび¹¹⁵Ｉｎを分析
した結果を図７ないし図１０に示す。

【００２９】これらの図から、エッチング液に溶け出し
た元素が時間とともに増加していることがわかる。¹¹⁵
Ｉｎに関しては、本来はＩｎＧａＰはクエン酸過水に溶
けないが、エッチングストッパ面に達すると（１０分
後）、ごくわずか、Ｇａなどに比べ１／１０００のレベ
ルで検出される。

【００３０】また、この実験では２枚のウェハを同時に
エッチングし、約５分後にその１枚を取込み出してい
る。このため、図７ないし図９に示すＧａおよびＡｓの
傾きが後半で緩やかになっている。また、図１０に示す
Ｉｎのデータでは、６分と８分のデータにその影響が表
れている。

【００３１】以上の実験結果から、エッチング液の一部
を取り出してそのエッチング液に溶け出した元素の質量
分析を行うことで、エッチングの進行状態、特にエッチ
ングの終了を判断することが可能であることがわかる。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エッチング液に溶け込んだ特定の元素を検出すること
で、あるいはエッチング液に溶け込んだ濃度の時間経過
ごとの積分値でエッチング処理の終了をリアルタイムに
判断する。これにより、エッチング不足あるいは超過に
なることなく、精度の高いエッチングが可能となる。ま
た、エッチング毎にエッチングされた量（厚み）を測定
するなどして所望のエッチングが完了したかどうかを判
別する必要がなく、リアルタイムでその判断を自動的に
行うことができるので、大幅な省力化（工数削減）およ
び時間短縮が実現できる。さらに、エッチングに伴っ
て、半導体材料の混晶比や超格子層の厚みなどのパラメ
ータを同時に得ることができ、製造される素子を評価す
る上でも大きな効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態を示す図であり、半導体ウェ
ハ用のエッチング装置の構成例を示す図。

【図２】バックグランド分の除去を説明する図。

【図３】データ処理装置による処理の流れを示す図。

【図４】層の厚みを求める方法を説明する図。

【図５】混晶比の測定を説明する図。

【図６】ドーピング濃度の測定を説明する図。

【図７】ＩＣＰ質量分析装置による⁶⁹Ｇａの分析結果例
を示す図。

【図８】ＩＣＰ質量分析装置による⁷¹Ｇａの分析結果例
を示す図。

【図９】ＩＣＰ質量分析装置による⁷⁵Ａｓの分析結果例
を示す図。

【図１０】ＩＣＰ質量分析装置による¹¹⁵Ｉｎの分析結
果例を示す図。

【符号の説明】

１ウェットスピンプロセッサ２半導体ウェハ３ウェハステージ４エッチング液吐出ノズル５マイクロキャピラリ６切替弁７ＩＣＰ質量分析装置８データ処理装置９エッチング制御装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小林信治東京都武蔵野市中町二丁目11番13号株式会社テラテック内 (72)発明者藤田忠重東京都武蔵野市中町二丁目11番13号株式会社テラテック内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の層が積層された積層体にエッチン
グ液を接触させて前記複数の層の少なくとも一部を取り
除くエッチング方法において、エッチング液の一部を取り出してそのエッチング液に溶
け出した元素の質量分析を行い、その質量分析の結果に
よりエッチングの終了を判断することを特徴とするエッ
チング方法。
【請求項２】平板状の積層体をその一方の面で保持し
てその面内で回転させながら他方の面にエッチング液を
滴下し、この滴下されたエッチング液の一部を吸入して
質量分析を行う請求項１記載のエッチング方法。
【請求項３】平板状の積層体を容器内のエッチング液
に浸し、この容器内のエッチング液の一部を取り出して
質量分析を行う請求項１記載のエッチング方法。
【請求項４】エッチング対象の積層体に接触している
エッチング液と接触させる前のエッチング液とを交互に
取り出して質量分析を行い、前記接触しているエッチン
グ液に対する質量分析結果から前記接触させる前のエッ
チング液に対する質量分析結果を差し引いてバックグラ
ンド分を除去する請求項１記載のエッチング方法。
【請求項５】エッチング対象の積層体には特定のエッ
チング液によりエッチングされやすい層とその層に比較
してエッチングされ難いエッチングストッパー層とが設
けられ、前記質量分析の結果が前記エッチングされやす
い層の構成元素について実質的な変化がなくなったとき
にその層のエッチングが終了したと判断する請求項１記
載のエッチング方法。
【請求項６】エッチング液を更新することなくエッチ
ングを行い、前記エッチングされやすい層の構成元素の
濃度が飽和したときにその層のエッチングが終了したと
判断する請求項５記載のエッチング方法。
【請求項７】エッチング液を更新しながらエッチング
を行い、前記エッチングされやすい層の構成元素の濃度
が低下したときにその層のエッチングが終了したと判断
する請求項５記載のエッチング方法。
【請求項８】前記質量分析によりあらかじめ定められ
た元素が検出されたときにその元素を含まない層のエッ
チングが終了したと判断する請求項１記載のエッチング
方法。
【請求項９】前記積層体はｐｎ接合が形成された半導
体ウェハであり、このｐｎ接合の一方の層をエッチング
し、他方の層のドーパントが検出されたときに前記一方
の層のエッチングが終了したと判断する請求項８記載の
エッチング方法。
【請求項１０】エッチング速度が既知の材料からなる
層について、その層のエッチングに要した時間からその
層の厚さを求める請求項１記載のエッチング方法。
【請求項１１】エッチングした層に含まれる汚染物質
を質量分析の結果から検出および定量する請求項１記載
のエッチング方法。
【請求項１２】前記積層体は化合物半導体層が形成さ
れた半導体ウェハであり、この化合物半導体層をエッチ
ングしたときの質量分析の結果からその化合物半導体層
の混晶比を求める請求項１記載のエッチング方法。
【請求項１３】エッチングした層のドーピング濃度を
質量分析の結果から求める請求項１記載のエッチング方
法。
【請求項１４】複数の層が積層された積層体にエッチ
ング液を接触させて前記複数の層の少なくとも一部を取
り除くエッチング処理手段を備えたエッチング装置にお
いて、前記エッチング処理手段からエッチング液の一部を取り
出す手段と、取り出されたエッチング液に溶け出した元素を質量分析
する手段と、この質量分析する手段の分析結果をデータ処理してエッ
チングの終了を検出するデータ処理手段とを備えたこと
を特徴とするエッチング装置。
【請求項１５】前記エッチング処理手段は、平板状の
積層体をその一方の面で保持してその面内で回転させる
手段と、この平板状の積層体の他方の面にエッチング液
を滴下する手段とを備え前記取り出す手段は前記平板状
の積層体に滴下されたエッチング液の一部を吸入する手
段を備えた請求項１４記載のエッチング装置。
【請求項１６】前記質量分析する手段に誘電結合プラ
ズマ質量分析装置を備えた請求項１４記載のエッチング
装置。
【請求項１７】前記取り出す手段の取り出したエッチ
ング液とエッチング処理前のエッチング液とを交互に前
記質量分析する手段に導く手段を備え、前記データ処理手段は、前記積層体に接触しているエッ
チング液に対する前記質量分析する手段の分析結果から
前記接触させる前のエッチング液に対する前記質量分析
する手段の分析結果を差し引いてバックグランド分を除
去する手段を含む請求項１４記載のエッチング装置。
【請求項１８】前記データ処理手段は、エッチングし
ようとする層の構成元素に関して前記質量分析する手段
の分析結果に実質的な変化がなくなったときにその層の
エッチングが終了したと判断する手段を含む請求項１４
記載のエッチング装置。
【請求項１９】前記データ処理手段は、前記質量分析
する手段の分析結果にあらかじめ定められた元素が検出
されたときにそのエッチング処理が終了したと判断する
手段を含む請求項１４記載のエッチング装置。
【請求項２０】前記データ処理手段は、エッチング速
度が既知の材料からなる層について、その層のエッチン
グに要した時間からその層の厚さを求める手段を含む請
求項１４記載のエッチング装置。
【請求項２１】前記データ処理手段は、エッチングし
た層の材料が化合物半導体である場合にその混晶比を求
める手段を含む請求項１４記載のエッチング装置。
【請求項２２】前記データ処理手段は、エッチングし
た層のドーピング濃度を求める手段を含む請求項１４記
載のエッチング装置。
【請求項２３】前記データ処理手段は、エッチングし
た層に含まれる汚染物質を検出および定量する手段を含
む請求項１４記載のエッチング装置。
【請求項２４】前記データ処理手段の処理結果に基づ
いて前記エッチング処理手段を制御する手段を備えた請
求項１４記載のエッチング装置。
【請求項２５】前記制御する手段は、前記データ処理
手段によりエッチングの終了が判断されたときに、前記
エッチング処理手段によるエッチング処理を停止させる
手段を含む請求項２４記載のエッチング装置。