KR100251875B1 - 기판 세정장치 및 기판 세정방법 - Google Patents

기판 세정장치 및 기판 세정방법 Download PDF

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Abstract

기판 세정장치는, 기판의 한 쪽면을 스크래빙하는 스크레버를 가지는 제 1 유니트와, 기판을 반전하는 반전기구를 가지는 제 2 유니트와, 제 1 및 제 2 유니트 사이에서 기판을 반송하는 반송로보트를 가진다.

Description

기판 세정장치 및 기판 세정방법
본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 브러시로 스크래빙하는 기판 세정장치 및 기판세정 방법에 관한 것으로, 특히, 기판의 양면을 스크래빙할 때에 기판을 반전시키는 반전장치 및 반전방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조에 있어서는, 기판(반도체 웨이퍼, LCD 기판등)의 전면이 세정된 상태에 있는 것을 전제로 하여 각 미세가공이 이루어진다. 따라서, 각 가공처리에 앞서서, 또는 각 가공처리 사이에 기판전면이 세정된다.
예를 들면, 포토리소그라피 공정에서는, 레지스트 도포에 앞서서 기판의 전면을 스크래버(scrubber)로 스크래빙(브러시 세정)한다. 또, 기판의 이면에 파티클 등이 부착하고 있으면, 노광 시에 기판이 경사져서 양호한 패턴이 형성되지 않게 되기 때문에, 기판의 전면뿐만 아니라, 이면도 스크래빙되는 것이 통례로 되어 있다.
종려로부터 스크래버에는, 기판의 한 쪽면만을 스크래빙하는 단면형 스크래버와, 기판의 양면을 동시에 스크래빙하는 양면형 스크래버의 2종류가 있다.
단면형 스크래버는, 기판을 회전척으로 지지하여 회전시키면서 기판의 상면에 브러시를 가볍게 맞추고 세정액으로 오염을 씻어내도록 한 기구로 되어 있다.
양면형 스크래버는, 기판의 상면만이 아니라 하면에도 브러시를 가볍게 맞추어 양면의 오염을 씻어내도록 한 기구로 되어 있다.
종래의 단면형 스크래버는 기판의 전면만을 세정하는 공정밖에 사용되어 있지 않고, 상기의 포토리소그라피 공정과 같이 기판의 전면 뿐만 아니라, 이면도 세정하는 경우에는 양면형 스크래버가 사용되어 왔다.
그러나, 양면형 스크래버는, 기판을 회전 지지하면서, 기판의 양면에 브러시를 눌러 붙여서 세정수를 공급하도록 하는 기능이기 때문에, 장치의 제조가 복잡화로 되고, 높은 단가로 된다.
이와 같은 종래의 스크래버의 결점을 해소하기 위하여, 기판을 반전하기 위한 아암을 양면형 스크래버 및 단면형 스크래버의 회전척 근방에 설치하고, 기판의 전면과 이면을 선택적 또는 번갈아서 스크래빙할 수 있도록 한 한 쪽면 세정/양면 세정 겸용형 스크래버가 있다. 이 겸용형의 스크래버에서는, 기판(반도체 웨이퍼)의 전면을 스크래빙한 후에, 이 아암이 웨이퍼를 잡고 있던 회전척으로부터 이탈하고, 회전척으로부터 이탈된 위치에서 웨이퍼를 반전하고 웨이퍼의 이면을 상면으로 하여 회전척상에 놓는 다. 이에 따라 1개의 브러시로 웨이퍼의 전면만이 아니라, 이면도 스크래빙할 수 있도록 되어 있다.
또, 이 아암에는 오리플러 맞춤기구가 탑재되어 있으며 웨이퍼가 아암에 지지된 상태에서 오리플러 맞춤되도록(웨이퍼의 오리엔테이션 플래트를 원하는 위치로 향한다)되어 있다.
그러나, 종래의 단면세정/양면세정 겸용형 스크래버는, 1개의 아암이 웨이퍼의 반입/반출, 반전 및 오리플러 맞춤의 3개의 기능을 겸하고 있기 때문에, 아암 구동기구는 복잡한 구조로 되며, 장치는 대형으로 된다. 또, 웨이퍼 전면을 스크래빙한 후에, 반전과 오리플러 맞춤을 하기 않으면, 웨이퍼 이면의 스크래빙 공정으로 옮겨지지 않으므로 세정처리의 처리율이 낮다.
각 유니트 내의 여러 가지 구동장치는 부식의 영향을 받기 쉽고, 구동모터에 과부하가 걸리는 등의 오동작을 일으키기 쉽다.
본 발명의 목적은, 기판의 한 쪽면을 스크래빙한 후에 반전하여 기판의 다른 면을 스크래빙하는 기능을 가지며 간단한 구조로 소형의 기판 세정장치를 제공함에 있다.
본 발명의 목적은, 오동작을 일으키는 일이 없이 높은 처리효율의 세정처리를 할 수 있는 기판 세정방법을 제공함에 있다.
제 1 도는 스크래빙/레지스트 도포 시스템의 전체 개요를 나타내는 사시도,
제 2 도는 반전 유니트를 절단하여 측면에서 내부를 보고 나타내는 측면 투시도,
제 3 도는 반전 유니트를 절단하여 전면에서 내부를 보고 나타내는 정면 투시도,
제 4 도는 반전 유니트를 절단하여 위쪽에서 내부를 보고 나타내는 측평면 투시도,
제 5 도는 반전 유니트의 하실을 옆쪽에서 내부를 보고 나타내는 측면 투시도,
제 6 도는 반전 유니트 내의 각종기구를 나타내는 분해사시도,
제 7A 도 ~ 제 7F 도는 웨이퍼 반전동작을 설명하기 위하여 각각 반전 기구 및 승강 스테이지를 나타내는 분해사시도,
제 8 도는 웨이퍼 반전동작을 포함하는 일련의 세정공정을 나타내는 플로우챠트,
제 9 도는 스테핑 모터의 구동회로를 나타내는 블록회로도,
제 10 도는 스테핑 모터의 구동회로의 A상(相), A-상 구동부를 나타내는 회로도,
제 11 도는 정상시에 있어서의 구동부의 동작을 설명하기 위하여 각부의 전압 및 전류의 파형을 (A) ~ (I) 까지 나타내는 특성 파형도,
제 12A도, 제 12B 도는 각각 이상시에 있어서의 구동부의 동작을 설명하기 위하여 전류검출전압 및 여자전류를 나타내는 특성 파형도,
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
2 : 기둥 3,4,5,6 : 패널벽
8,56a : 개구 9 : 칸막이
10,12 : 상하실 14 : 지지판
16 : 반전구동부 18 : 모터
18a : 구동축 20,24,42a,42b : 풀리
26,44 : 벨트 28 : 전달축
30 : 축받이 32 : 개폐 구동부
33 : 보울트 34a,34b : 고정아암(홀더)
35 : 접촉부재 35a : 절단홈
36a,36b : 지지체 38 : 가이드봉
40 : 에어 실린더 40a : 로드
46a,46b : 셔터판 48 : 플랜지판
50 : 광센서 52 : 회전척
53 : 발광부 54 : 케이스
54a : 모터축 55 : 수광부
56 : 스테이지 58 : 지지핀
60a, 60b : 지지아암(지지봉) 61 : 핀
62 : 커버 64 : 승강구동부
66 : 승강기구 68 : 리니어 가이드
70 : 실린더 72 : 스토퍼
76 : 지지부재 77 : 에어 실린더
77a : 승강로드 81 : 배기덕트
82 : 배기구 83 : 블로어
92 : 제어회로 94A,94B,106 : 다이오드
96,98 : 저항 100 : 컨덴서
102 : 트랜지스터 104 : 릴레이
108, 110 : 비교기 112 : 반전회로
114 : AND 회로 200 ~ 216 : 유니트
200 : 로더부 201, 209 : 프로세스부
207 : 인터페이스부 218 : 반송로
220 : 반송로보트 220a, 220b : 아암(홀더)
W : 반도체 웨이퍼
L A,L A-, L B- : 여자코일
SW : 스의치
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 기판 세정장치는, 기판의 한 쪽면을 스크래빙하는 스크래버 수단을 가지는 제 1 유니트와, 기판을 반전하는 반전수단을 가지는 제 2 유니트와,
상기 제 1 및 제 2 유니트 사이에서 기판을 반송하는 반송수단을 가지며,
기판의 전면을 상기 스크래버 수단에 의하여 스크래빙하고, 상기 반송수단에 의하여 기판을 제 1 유니트로부터 제 2 유니트로 반송하고, 상기 반전수단에 의하여 기판을 반전하며, 상기 반송수단에 의하여 기판을 제 2 유니트로부터 제 1 유니트로 반송하고, 기판의 이면을 상기 스크래버 수단에 의하여 스크래빙한다.
본 발명의 기판 세정방법은, 기판의 한 쪽면을 스크래빙하는 스크래버 수단과, 기판을 재치하는 스테이지 수단과, 이 스테이지 수단과 상기 스크래버 수단 사이에서 기판을 반송하는 반송수단과, 기판을 반전하는 반전수단을 준비하고,
기판의 전면을 상기 스크래버 수단에 의하여 스크래빙하고,
상기 반송수단에 의하여 기판을 상기 스크래버 수단으로부터 상기 스테이지 수단으로 반송하며,
상기 반전수단으로부터 기판을 상기 스테이지 수단으로부터 집어 올리고 기판을 반전하며,
상기 반전수단으로부터 상기 스테이지 수단으로 기판을 되돌리고,
상기 반전수단에 의하여 기판을 상기 스테이지 수단으로부터 상기 스크래버 수단으로 반송하고,
기판의 이면을 상기 스크래버 수단에 의하여 스크래빙하는 것을 포함한다.
[실시예]
이하, 첨부도면을 참조하면서 본 발명에 관한 기판세정장치를 반도체 웨이퍼의 스크래빙/레지스트 도포에 적용한 실시예에 대하여 설명한다.
제 1 도에 나타낸 바와 같이, 스크래빙/레지스트 도포 시스템은 로더/언로더부(200), 제 1 프로세스부(201), 인터페이스부(207), 제 2 프로세스부(209)를 가지고 있다.
시스템의 중앙에는 반송로(218)가 설치되며 긴 쪽방향으로 뻗어 있다.
제 1, 제 2 프로세스부(201, 209)의 반송로 (218)에는 반송 로보트(220)가 각각 설치되어 있다.
8인치 직경의 실리콘 웨이퍼(W)가 로보트(도시하지 않음)에 의하여 로더/언로더부(200)로 반입되며, 반송 로보트(220)에 의하여 로더/언로더부(200)로부터 제 1프로세스부(201)로 반송되도록 되어 있다. 각 유니트 (200~216)는, 반송로(218)에 각각의 정면을 향하여 배치되어 있다.
인터페이스부(207)에는 웨이퍼를 건네 받는 기구가 설치되며, 웨이퍼를 건네 받는 기구에 의하여 웨이퍼(W)가 제 1 프로세스부(201)의 반송로보트(220)와 제 2 프로세스부(209)의 반송 로보트(220) 사이에서 건네 받도록 되어 있다.
제 1 프로세스부(201)에는, 2 대의 스크래빙 유니트(202, 203)와, 접착처리 유니트(204)와, 반전 유니트(206)가 설치되어 있다.
각 스크래빙 유니트(202, 203) 내에는 회전 브러시와 회전척이 설치되며, 웨이퍼(W)의 한 쪽면에만 회전 브러시를 눌러 붙이면서 회전척에 의하여 웨이퍼(W)를 회전(스핀)하도록 되어 있다. 이와 같은 단면형 스크래버는 일본국 특개평 3-52226 호 및 특개평 3-52228 호에 개시되어 있다.
제 2 프로세스부(209)에는 열처리 유니트(214)와, 레지스ㅌ 제거처리 유니트(216)가 설치되어 있다. 열처리 유니트(214)에서는 레지스트 도포의 전후로 웨이퍼(W)를 프리베이크 또는 포스트베이크 하도록 되어 있다. 레지스트 제거 처리 유니트(216)에서는 웨이퍼(W) 의 주위부로부터 레지스트를 제거하도록 되어 있다.
이어서, 제 2 도 내지 제 6 도를 참조하면서 반전 유니트(206)에 대하여 상세하게 설명한다.
반전 유니트(206)는, 사방을 스테인레스강제의 패널벽(3, 4, 5, 6)으로 둘러싸고 있다.
패널벽(3, 4, 5, 6) 및 천정패널은 4개의 주 기둥(2)에 의하여 지지되어 있다.
제 2 도 및 제 3 도에 나타낸 바와 같이, 반전 유니트(206) 내에는 칸막이(9)로 상하가 구획되며, 상하 2 개의 실(室)(10, 12)로 나누어진다.
이들 상하실(10, 12)에 걸쳐서 배기덕트(81)가 관통하며, 여러 개의 배기구(82)가 각실(10, 12)내에 뚫려 있다.
배기덕트(81)는, 그 기초단측이 블로어(83)에 연결되어 통하며, 또 공장의 집합배기장치(도시하지 않음)에 연결되어 통하여 있다. 또 배기덕트(81)는 스테인레스강제의 각 파이프로 만들어져 있다.
상하실(10, 12)의 전면벽(3)에는 개구(반입반출구)(8)가 형성되며, 개구(8)를 통하여 웨이퍼(W)가 각 실 (10, 12)내에 반입 또는 반출되도록 되어 있다.
상하실(10, 12) 내에는 스테이지(56) 및 반전기구 (16)가 각각 설치 되어 있다.
또, 하실(12) 내에는 회전척(52)이 설치되어 있다. 회전척(52)의 배관 (87)은 진공펌프(도시하지 않음)에 연결되어 통하여 있으며 웨이퍼(W)가 회전척(52)의 상면에 흡착유지되도록 되어 있다.
제 6 도에 나타낸 바와 같이, 회전척(52)의 상부는 케이스(54)에 수납된 모터축(54a)에 연결되어 있다. 회전척 케이스(54)는 지지부재(76)에 의하여 지지되며, 또 지지부재(76)는 승강로드(77a)에 연결되어 있다.
케이스(54) 및 에어 실린더(77)는 컴퓨터 시스템에 백업된 콘트롤러(도시하지 않음)에 의하여 제어되도록 되어 있다.
스테이지(56)는 지지봉(60a, 60b)을 통하여 승강기구(66)에 연결되며, 승강기구(66)의 구동부는 리니어 가이드 (68)의 흠에 끼워져 있다. 리니어 가이드(68)는 측벽(5)에 고정되어 있다. 회전척(52)과 스테이지(56)는 서로 간섭하지 않도록 스테이지(56)의 개구(56a)를 회전척(52) 상부가 통과할 수 있도록 되어 있다.
제 2 도, 제 4 도 및 제 5 도에 나타낸 바와 같이, 각실(10, 12)의 후면벽(4)에는 반전구동부(16)가 설치되어 있다. 반전구동부(16)는 지지판(14)의 위에 놓여져 있다.
이 반전구동부(16)는 벨트기구와 실린더/벨트를 조합한 것이고, 벨트기구는 모터(18), 풀리(20, 24 및 26)로 구성되며, 실린더/벨트 기구는 한 쌍의 아암 지지체(36a, 36b), 에어 실린더(40), 풀리(42a, 42b) 및 벨트(44)로 구성된다.
풀리(20, 24)는 모터 구동축(18a) 및 전달축(28)에 각각 부착되며, 벨트(26)는 양 풀리(20, 24) 사이에 걸쳐져 있다.
모터(18)의 회전력은 전달축(28)에 의하여 웨이퍼 척(34a, 34b)으로 전달된다. 또, 실린더/벨트 기구의 아암 지지체(36a, 36b)는, 로드(40a)가 실린더 (40)로부터 돌출하면 서로 떨어지고, 로드(40a)가 실린더(40)내로 후퇴하면 서로 접근하도록 되어 있다.
또, 전달축(28)은 축받이 (30)를 통하여 반전구동부(16)내의 지지블록(31)에 회전이 가능하게 지지되어 있다.
전달축(28)의 선단부에는 보울트(33)를 통하여 아암 개폐구동부(32)가 부착되어 있다.
제 2 도 내지 제 4 도에 나타낸 바와 같이, 아암 개폐구동부(32)내에는 아암 지지체(36a, 36b)는 반원형의 에이퍼 고정용아암(34a, 36b)의 기초단부에 각각 부착되어 있다.
가이드봉(38)은, 양 아암 지지체(36a, 36b)를 X축 방향으로 이동가능하게 지지되어 있다.
제 3 도에 나타낸 바와 같이, 아암지지체(36a, 36b)는, 수평 가이드봉(38)과 평행하게 부착된 한 쌍의 풀리(42a, 42b)사이에 걸쳐친 벨트(44)의 상측부와 하측부에 각각 고정부착되며, 실린더(40)의 피스톤 로드(40a)의 선단부는 한 쪽의 아암 지지체(36a)에 고정부착되어 있다.
제 3 도의 상태에서는, 아암지지체(36a, 36b)는, 양 아암(34a, 34b)은 웨이퍼(W)를 지지할 수 있을 정도의 거리까지 서로 근접하고 있다.
반전 구동부(16)의 모터(18)를 구동시켜서 전달축(28)을 회전하키면, 전달축(28)과 함께 아암 구동부(32)및 웨이퍼 고정아암(34a, 34b)이 회전하도록 되어 있다.
아암 개폐 구동부(32)의 양측면에는 한 쌍의 셔터판(46a, 46b)이 부착되어 있다.
또, 지지판(14)에 수직으로 세워진 플랜지판(48)의 상단부에 차광성의 광센서(50)가 부착되어 있다. 결국 통상의 상태에서는 셔터판(46a)은 광센서(50)의 광축을 차단하는 부위에 위치하고 있다.
이 상태에서 반전동작이 행해지는 때에는, 아암 개폐 구동부(32)가 180도 회전(반전)하는 것으로, 셔터판(46a)이 광센서(50)로부터의 빔광을 막으면서, 그 차광 타이밍으로 축(28)의 회전이 정지하도록 모터(18)가 구동제어되도록 되어 있다.
이와 같이 웨이퍼 고정아암(34a, 34b)은, 하실의 소정 위치에서 180도 회전(반전) 동작하고, 또 개폐(웨이퍼 고정) 동작하도록 되어 있다.
웨이퍼 고정아암(34a, 34b)의 바로 아래에는 회전척(52)이 설치되며, 웨이퍼(W)의 오리플러 맞춤이 이루어지도록 되어 있다. 또, 회전척(52)의 본체 케이스(54)는 하실(12)의 저부에 고정되어 있다.
제 2 도 및 제 4 도에 나타낸 바와 같이, 하실(12)의 전면측의 주기둥(2)에는 발광부(53) 및 수광부(55)가 각각 부착되며, 양자는 서로 마주보고 있다.
발광부(53)의 광축은 수광부(55)의 광축에 일치하도록 발광부(53) 및 수광부(55)가 설치되며 양자의 조합에 의하여 광센서가 구성되어 있다.
후술하는 바와 같이, 오리플러 맞춤은 회전척(52)이 웨이퍼(W)를 회전하고, 수광부(55)가 발광부(53)로부터의 빛을 모니터하는 것에 의하여 이루어진다.
웨이퍼 고정아암(34a, 34b)과 회전척(52) 사이에는 스테이지(56)가 Z축 방향에 설치되어 있다.
제 4 도에 나타낸 바와 같이, 이 스테이지(56)는 중앙부로부터 120도 간격으로 3방향으로 각각 뻗은 3개의 단편판부로 구성되며, 각 단편판부의 선단부에는 웨이퍼(W)의 주위를 지지하기 위한 지지핀(58)이 설치되어 있다. 지지핀(58)이 고정아암(34a, 34b)과 간섭하지 않도록, 고정아암(34a, 34b) 의 접촉부재(35)에는 절단홈(35a) 이 설치되어 있다.
또, 스테이지(56)의 중앙부에는 회전척(52)이 통과하도록 중앙개구(56a)가 형성되어 있다.
스테이지(56)는 측벽(5)으로부터 뻗은 한 쌍의 지지아암(60a, 60b)에 의하여 지지되어 있다. 이들 지지아암(60a, 60b)은 커버(62)에 수납된 승강구동부(64)에 의하여 승강구동 된다.
각 지지아암(60a, 60b)에는 핀 (61)이 각각 수직으로 설치되며 이들 4개의 핀 (61)에 의하여 스테이지(56)는 지지되어 있다.
또, 웨이퍼(W)에 직접적으로 접촉하는 부재(35, 58, 220a, 220b)는 합성수지로 만들어 진다.
제 4 도 및 제 5 도에 나타낸 바와 같이, 승강기구부(64)는, 블록(66), 가이드(68) 및 실린더(70)를 가진다. 블록(66)은, 지지아암(60a, 60b)의 기초단부에 고정되어 있다.
가이드(68)는 블록(66)을 Z축방향으로 안내하기 위한 것이다. 실린더(70)의 피스톤 로드(70a)는 선단부가 블록(66)에 고정되어 있다. 커버(62)는, 양 지지아암(60a, 62b)을 각각 통과하기 위한 한 쌍의 세로홈 (62a, 62b)이 형성되어 있다.
제 2 도에 도시한 바와 같이, 각 스테이지(56)의 이동 스트로크는 제 1 위치에서 제 3 위치까지이다. 즉, 제 1 위치(P 1)는 스테이지(56)와 고정아암(34a, 34b)사이에서 웨이퍼(W)의 건네받음을 하는 위치이고, 제 2 위치(P 2 : 제 1 위치와 제 3 위치 사이의 중간위치)는, 반송로보트(220)가 홀더(220a 및 220b)사이에서 웨이퍼(W)의 건네받음을 하는 위치이며, 제 3 위치(P 3)는 고정아암(34a, 및 34b)에서 고정된 웨이퍼(W)의 반전동작을 가능하게 하기 위하여, 또는 회전척(52)과 스테이지 (56)사이에서 웨이퍼(W)를 건네 받기 위한 위치이다.
또, 블록(68)의 머리위에는 쇽 업소버로 구성하는 스토퍼(72)가 배열설치되어 있으며, 블록(68)이 이 스토퍼(72)에 맞닿을 때까지 상술함으로서 스테이지(56)가 신속 정확하게 제 1 위치에 위치결정되도록 되어 있다.
상실(10)은, 회전척(52)을 포함하는 오리플러 맞춤기구가 없는 점을 제외하고는, 상기 하실(12)과 실질적으로 같은 구성이다.
즉, 상실(10)의 고정아암(34a, 34b), 반전구동부(16), 웨이퍼 개폐기구(32), 스테이지(56)는, 하실(12)의 각각과 같다.
스테이지(56)의 이동 스트로크는, 제 1 위치(제 3 도중에 실선으로 나타내는 위치)로부터 제 3 위치(제 3 도중에 이점쇄선으로 나타내는 위치)까지 이다.
이와 같이 하실(10)에서는 웨이퍼(W)의 반전만이 이루어지도록 되어 있다.
이어서, 제 6 도 내지 제 8 도를 참조하면서 상기 스테이지 내에 있어서의 일련의 동작에 대하여 설명한다.
웨이퍼(W)는, 로더/언로더부(200)로부터 제 1 프로세스부 (201)내로 도입되면, 스크래버 유니트(202, 203)에서 전면 및 이면이 스크래빙된다.
또, 접착 유니트(204)에서 소수화 처리를 실시하면서 레지스트 도포 유니트(212)에서 레지스트가 도포된다.
그리고, 이들의 주요한 처리공정 전후 또는 사이에, 웨이퍼(W)는, 건조처리 유니트(208), 냉각처리 유니트(210), 가열처리 유니트(214), 레지스트제거 처리유니트(216)에서 소요의 부수적 조작 또는 처리를 실시한다.
제 1 스크래버 유니트(202) 내에서 웨이퍼(W1)의 전면(레지스트 액이 도포될 한 쪽의 면)을 스크래빙하고 (공정 1 ), 이것을 반송로보트(220)에 의하여 유니트(202)로부터 반출된다(공정 2). 반전유니트(206)의 하실(12)내에 들어오면, 먼저, 반전 그리고 오리플러 맞춤이 완료된 웨이퍼(W2)를 스테이지(56)로부터 하부 아암(220b)으로 받아들인다(공정 3). 이어서, 제 7A도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W2)를 제 2 위치에서 대기하고 있는 스테이지(56)상에 재치한다. 이 단계에서, 웨이퍼(W1)는 웨이퍼 전면이 상측으로 되어 있고, 웨이퍼(W2)는 웨이퍼 이면(레지스트 액이 도포되지 않은면의 다른 쪽 면)이 상측으로 되어 있다.
즉, 홀더(220a, 220b)과 스테이지(56) 사이에서 웨이퍼(W1)와 웨이퍼(W2)를 교환하다(공정 4).
웨이퍼(W1)는 후술하는 공정 5 ~ 12로 진행한다.
한편, 웨이퍼(W2)는 후술하는 공정 13 ~ 22로 진행한다.
제 7B도에 나타낸 바와 같이, 스테이지(56)를 제 3 위치까지 하강시키고, 웨이퍼(W1)를 스테이지 (56)로부터 회전척(52)으로 옮겨싣는다(공정 5). 회전척(52)을 회전시키면서, 발광부(53)으로부터 수광부(55)를 향하여 빔광을 쏘고, 웨이퍼(W1)의 오리플러 맞춤을 한다. 즉, 오리플러부(O. F)의 중앙이 빔광(BM)에 가장 접근하는 위치로 되면, 빔광(BM)은 오리플러부(O. F)의 중앙의 외측을 통하여 수광부위(55)에 입사한다.
이것에 의하여 수광부(55)에서 수광되며, 광검출 신호가 콘트롤러로 출력되고, 이것에 의거하여 회전척(52)의 회전을 정지한다(공정 5). 오리플러 맞춤이 종료하면, 스테이지(56)를 상승시키고, 웨이퍼(W1)를 회전척(52)으로부터 스테이지(56)로 옮겨싣는다(공정 7).
제 7C 도에 나타낸 바와 같이, 스테이지(56)를 제 1 위치까지 상승시키고, 스테이지(56)로부터 웨이퍼 고정아암(34a, 34b)에 웨이퍼(W1)를 받아서 건네준다. 즉, 홀더(34a, 34b)에 의하여 웨이퍼(W1)를 고정한다(공정 8).
이어서 스테이지 (56)를 제 3 위치까지 하강시킨다(공정 9). 제 7D도에 나타낸 바와 같이, 홀더(34a, 34b)를 전달축(28)의 회전으로 반전시키고, 웨이퍼(W1)의 전면과 이면을 교체한다(공정 10). 스테이지(56)를 다시 제 1 위치까지 상승시킨다(공정 11).
제 7 E도에 나타낸 바와 같이, 홀더(34a, 34b)를 서로 떨어지는 쪽으로 동작하고, 웨이퍼(W1)를 홀더(34a, 34b)로부터 스테이지(56)상으로 옮겨 싣는다(공정 12)
또, 스테이지(56)를 제 2 위치까지 하강시키고, 반송로보트(220)가 접근하기까지의 사이, 웨이퍼(W1)를 재치한 그대로의 상태에서 스테이지(56)를 대기시킨다.
한편, 반전 유니트(206)의 하실(12) 내에서 웨이퍼(W1)의 반전 및 오리플러 맞춤이 이루어지는 사이에, 웨이퍼(W2)를 제 1 스크래버 유니트(202)로 반입하고(공정 13). 웨이퍼(W2)의 이면을 스크래빙한다(공정 14).
또, 전면을 상측으로 한 웨이퍼(W3)를 제 2 스크래버 유니트(203)로 반입하며, 웨이퍼(W3)의 전면을 스크래빙한다.
이면이 세정된 웨이퍼(W2)는 제 1 스크래버 유니트(202)로부터 반출되며(공정 15). 이어서, 반전유니트(206)의 상실(10)로 반입된다(공정 16).
전면을 세정한 웨이퍼(W3)는, 제 2 스크래버 유니트(203)로부터 반출되며, 이어서 반전유니트(206)의 하실(12)로 반입된다.
그리고 제 7E 도에 나타낸 바와 같이, 제 2 위치까지 대기하고 있는 스테이지(56)의 위치에 웨이퍼(W3)를 반송한다.
반전 및 오리플러 맞춤이 종료한 웨이퍼(W1)를 스테이지(56)로부터 하부 아암(220b)으로 옮겨 싣고, 다시 웨이퍼(W3)를 상부 아암(220a) 로부터 스테이지(56)상으로 옮겨 싣는다(공정 17).
이 단계에서, 웨이퍼(W1)는, 이면이 상측으로 되어 있으며, 웨이퍼(W3)는, 이면이 상측으로 되어 있다.
웨이퍼(W3)를 반전시키고, 그 이면을 상측을 향하여 제 1 또는 제 2 스크래버 유니트(202, 203)에 웨이퍼(W3)를 반송하며, 이면을 스크래빙 한다.
한편, 홀더(34a, 34b)로 웨이퍼(W1)를 고정하고 스테이지(56)를 하강시킨다(공정 18).
이어서, 웨이퍼(W1)를 반전시키며, 웨이퍼(W1)의 전면을 상측을 향하여 반전한다(공정 19).
스테이지(56)를 상승시키고(공정 20), 홀더(34a, 34b)로부터 스테이지(56)상으로 웨이퍼(W1)를 이송하여 재치한다.
또한, 스테이지(56)로부터 반송로보트의 하부 홀더(220b) 상으로 웨이퍼(W1)를 옮겨놓고(공정 21), 상실(10)로부터 접착 유니트(204)로 웨이퍼(W1)를 반송한다(공정 22).
상기 시리시예에 의하면, 2 개의 스크래버 유니트(202, 203)에 있어서의 단면 스크래빙 동작과, 반전 유니트(206)의 상하실(10, 12)에 있어서의 반전동작과 병렬적으로 동시 진행하는 것에 의하여, 세정처리 전체의 처리효율이 크게 향상한다.
더구나, 각 스크래버 유니트(202, 203)에는 간단한 구조의 단면형 스크래버를 채용하고 있으며 낮은 비용으로 처리된다.
또 상술한 실시예에서는, 2 대의 스크래버 유니트(202, 203)와 1대의 반전 유니트(206)를 조합한 예에 대하여 설명하였으나, 이것만에 한정되는 것은 아니고, 임의 대수의 스크래버 유니트 및 반전 유니트를 조합 할 수 있다.
또는 하실(반전 및 오리플러 맞춤실)(12)만으로의 구성으로 하여도 좋다.
또, 반도체 웨이퍼에 한정되는 것은 아니고, LCD 기판에 본 발명을 사용하여도 좋다.
또, 상기의 단면 세정형 스크래버(202, 203)만에 한정되는 것은 아니며, 이외의 한 쪽면 세정형의 장치를 가지는 세정 시스템에 본 발명을 사용하여도 좋다.
또, 반송로보트(220)와 스테이지(56)사이에 있어서의 웨이퍼의 받아 건네는 장소는, 제 2 위치만에 한정되는 것은 아니고, 제 1 위치여도 좋다.
이 경우에, 제 2 위치는 조정이나 점검시의 매뉴얼 받아 건넴에 활용하여도 좋으며, 없애도 좋다.
이어서, 제 9 도 ~ 제 11 도를 참조하면서 반송 로보트(220)의 구동부의 제어방식에 대하여 설명한다.
반송 로보트(220)의 구동부에는, 스테핑 모터가 사용된다. 스테핑 모터의 구동방식은 여러 가지가 있으나, 고속회전이 필요한 용도에는 쵸퍼방식의 정(定)전류 구동방식이 많이 사용되고 있다. 이 방식은, 1 클럭펄스의 기간중에 구동 트랜지스터를 높은 주파수로 온/오프 제어(쵸퍼 제어)함으로써, 큰 구동전류로 모터의 코일선을 여자(勵磁)하고 높은 토오크를 얻을 수 있다. 그러나, 종래 쵸퍼제어방식의 스테핑 모터에 있어서는, 노이즈나 열 등에 의하여 쵸핑동작이 동작하지 않게 되면, 구동 트랜지스터(DA)에 과전류가 계속 흘러서 구동 트랜지스터(DA)가 파손할 수 있다.
그래서, 본 실시예의 스테핑모터 구동회로에서는, 그와 같은 과전류를 조기에 방지하여 구동 크랜지스터(DA)를 보호하도록 하고 있다.
제 9 도에 나타낸 바와 같이, 스테핑모터 구동회로에서는, A상(相), A-상, B상, B-상의 코일선(여자코일)을 가지는 4상형의 스테핑모터용 구동회로이다.
드라이버(90)에는, 마이크로 컴퓨터(도시하지 않음)로부터 여자방식(2상 여자, 1-2상 여자 등)을 지정하는 2 개의 여자신호(IN A, IN B)가 클럭신호에 동기하여 부여된다. 드라이버(90)는, 여자신호(IN A, IN B)의 논리값에 따라서 소정의 시퀸스로 각 여자코일(L A, L A-, L B, L B-)에 쵸핑 제어된 여자전류(I A, L A-, I B, I B-)를 흐른다.
드라이버(90)에는, A상, A-상 용의 저항(R SA)및 플라이 휠·다이오드(DA)와, B상, B-상용의 저항(R SB)및 플라이 휠·다이오드(DB)가, 각각 외측부착형태로 접속되어 있다.
이상의 구성은, 일반적으로 사용되어 있는 종래의 구동회로와 공통하는 부분이다.
본 실시예에서는, 외부부착 저항 (R SA, R SB)의 한쪽단, 예를 들면, 어스측이 스위치(SW)를 통하여 접지됨과 동시에, 이 스위치(SW)를 제어하는 스위치 제어회로(92)가 설치되어 있다.
이 제어회로(92)는, 다이오드(94A, 94B) 및 저항(96)과, 저항(98) 및 컨덴서9100)와, 트랜지스터(102)와, 릴레이(104)와, 보호 다이오드(106)를 가진다. 다이오드(94A, 94 B) 및 저항(96)은 외부부착 저항 (R SA, R SB)에 흐르는 전류를 검출하기 위한 것이다. 저항 (98) 및 컨덴서(100)는, 지연회로를 구성한다. 트랜지스터(102)는, 외부부착 저항(R SA, R SB)에 흐르는 전류에 따라서 스위치(SW)를 제어하기 위한 것이다.
릴레이(104)는 스위치(SW)의 교체를 하기 위한 것이다. 제 10 도에 A상, A-상의 여자코일(L A, L A-)에 대한 구동부의 회로구성을 나타낸다. 이 구동부에 대하여, 비교기(108, 110), 반전회로(112), AND회로(114), MOSFET(구동 트랜지스터)(116), 플라이 휠·다이오드(118)는 집적회로로서 드라이버(90)에 내장되어 있다. B상, B-상의 여자코일 (L B, K B-)에 대한 구동부도 이 A상, A-상용 구동부와 동일한 회로구성이며, 위상이 다르기 때문에, 같은 동작이 이루어진다. 이하, 이 A상, A-상 구동부에 대하여 설명한다.
스위치(SW)는 정상시에는 닫혀져 있고, 여자전류가 도통 가능한 상태로 되어 있다.
외부부착 저항(R SA)의 한 쪽의 단자는 스위치(SW)를 통하여 접지되며, 다른 쪽의 단자는 FET(116)를 통하여 A상 여자코일(L A), 플라이휠·다이오드(118)를 통하여 A-상 여자코일(L A-)에 직렬접속된다.
또, 외부부착 저항(R SA)의 다른 쪽의 단자는 비교기(108)의 반전입력단자에 접속된다. 비교기(108)의 비반전 입력단자에는, 기준전압 발생회로(EO)로부터 제 1 기준전압(V ref)이 부여된다.
비교기(108)의 출력단자는, 저항(RO) 및 콘덴서(CO)로 구성되는 시정수(時定數) 회로를 통하여 비교기(110)의 반전입력단자에 접속된다. 비교기(110)의 비반전 입력단자에는 기준전압 발생회로(도시하지 않음)로부터 제 2 기준전압(V M)이 부여된다. 비교기(108)의 출력단자는, 반전회로(112)를 통하여 AND회로(114)의 한 쪽의 입력단자에 접속된다. AND회로 (114)의 다른 쪽의 입력단자에는 여자신호(IN 4)가 부여된다.
AND 회로(114)의 출력단자는 FET(116)의 게이트단자에 접속된다.
이어서, 제 11 도의 (A) ~ (I) 를 참조하면서 A상, A-상 구동부의 동작에 대하여 설명한다.
제 11(A)도에 나타낸 바와 같이, 어느 클럭 기간의 개시시각(tO)에서 여자신호(IN A)가 H 레벨로 되면, AND 회로(114)의 출력단자가 L 레벨로 되고, FET(116)이 온으로 된다. 이것에 의하여 제 11 도의 (G) 에 나타낸 바와 같이, 여자코일(L A)에 여자전류(I A )가 흐르기 시작한다.
제 11 도의(B)에 나타낸 바와 같이, 이 여자전류(I A )가 상승함에 따라서, 저항 (R SA)의 전류 검출단자(N A)에 얻어지는 전압 (V RS)이 상승한다.
제 11 도의(C)에 나타낸 바와 같이, 시각(t1)에서, 이 전압 (V RS)이 제 1 기준전압(V ref)에 도달하면, 비교기(108)의 출력전압(V td)이 H 레벨(V B )으로부터 L 레벨(0)로 반전한다.
제 11 도의 (C)에 나타낸 바와 같이, 비교기(110)의 출력전압이 L 레벨로부터 H 레벨로 반전하고, 반전회로(112)의 출력전압(V G)이 H 레벨로부터 L 레벨로 반전한다. 이에 따라 제 11도의 (G)에 아타낸 바와 같이, AND 회로(114)의 출력전압이 L 레벨로 되어 FET(116)가 오프로 되며, 여자전류(I A)가 멈추게 된다.
제 11 도의(H)에 나타낸 바와 같이, FET(116)가 오프로 되면, 여자코일(L A)에 역기전력이 발생하고, 이 역기전력에 의하여 어스측으로부터 저항(R SA), 플라이 휠·다이오드(118)를 통하여 여자코일(L A-)에 여자전류 (I A-)가 흐른다. 이에 따라, 전류검출단자(N A)의 전류검출전압(V RS)은 제 1 기준전압(V ref)으로부터 부(負)전압가지 급격하게 떨어진다.
한편, 제 11 도의 (C)에 나타낸 바와 같이, 비교기(110)의 출력전압(V td)은, 시각(td)에서 L레벨(0)로 떨어진 후에, 콘덴서(C0)의 충전에 따라서 서서히 상승한다.
제 11 도의 (D)에 나타낸 바와 같이, FET(116)가 오프로 되면, 여자코일(L A-)에 시각(t2)에서 이 전압(Vtd)이 제 2 기준전압(V M)을 넘으면, 비교기(110), 반전회로(112) 및 AND회로(114)의 각 출력전압이 반전하며, FET(116)이 온으로 된다.
제 11 도의 (G) 및 (H)에 나타낸 바와 같이, FET(116)가 온하는 것에 의하여, A상측으로 여자전류(I A-)가 흐르기 시작함과 동시에, A-상 제어의 여자전류(I A-)가 멈춘다.
제 11 도의 (B)에 나타낸 바와 같이, 시각(t2)에서 A-상 제어의 여자전류(I A-)가 흐르기 시작하면, 전류검출단자(N A)의 전류검출전압(V RS)은 정(正)의 전압까지 급격하게 일어서고, 여자전류(I A)의 증대와 함께 전류검출전압(V RS)도 상승한다.
그리고, 시각(t3)에서 전류검출전압(V RS)이 A-상 제어의 여자전류(I A-)가 흐르기 시작하면, 전류검출단자(N A)의 제 1 기준전압 (V ref)에 도달하면, 제 11 도의 (C)에 나타낸 바와 같이, 다시 비교기(108)의 출력 전압(td)이 H 레벨(V B)로부터 L레벨(0)로 반전하고, 이후, 상기와 같은 동작이 되풀이된다.
이와 같이, 1클럭펄스의 기간중에 FET(116)가 소정 주파수로 온·오프제어(쵸퍼제어)되는 것에 의하여, 여자코일(L A, L A-)에 일정한 여자전류(I A, I A-)가 흐른다.
이 쵸퍼제어는 구동부내의 발진회로에 의하여 이루어지는 것이지만, 노이즈나 열 등에 의하여 발진할 수 없게 되는 수가 있다.
그 경우, FET(116)가 온을 계속하면 제 12A 도에 나타낸 바와 같이, 여자전류(I A)는 계속흐르고, 전류검출전압(V RS)이 계속하여 상승한다.
그러나, 상기 구동회로에서는, FET(16)에 과전류가 계속 흐르는 일이 없고, FET(16)의 파손이 방지된다.
또, 상기 실시예의 구동제어회로는, 반전 유니트(206)의 구동모터(18)나 척 본체(54)내에 내장된 스테핑 모터에 사용하여도 좋다.
이상 설명한 바와 같이, 본원 발명의 기판세정장치에 의하면, 제 1 유니트에 있어서 한쪽면, 세정처리와 제 2 의 유니트에 있어서의 반전동작이 병렬적으로 행하여짐으로써, 세정처리 전체의 효율을 대폭적으로 향상시키는 것이 가능함과 동시에, 장치전체로서의 설계·제작을 용이하게 하고, 장치 코스트의 저감을 도모할 수 있다. 또한, 본 발명의 제 2 의 기판 세정창치에 의하면, 제 2 유니트에 있어서 반전동작을 일치시켜서 위치정렬도 행하였기 때문에, 제 2 유니트로부터 제 1 유니트 또는 다른 유니트에 옮겨진 후 바로 세정 또는 다른 처리를 개시하는 것이 가능하여, 한층 더 효율의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 본 발명이 스텝핑 모터의 구동회로에 의하면, 노이즈나 열등에 의해 쵸핑동작이 행해지지 않는 경우, 구동 트랜지스터에 흐르는 과대한 여자전류를 조기에 검출하여 차단하였기 때문에 구동트랜지스터의 파손을 방지하고, 모터의 신뢰성을 보증할 수 있다.

Claims (10)

  1. 기판의 한 쪽면을 스크래빙하는 스크래버 수단과,
    상기 스크래버 수단이 내부에 배치된 제 1 유니트,
    상기 기판의 전면 및 이면이 교대로 위쪽을 향하도록 수평유지축을 중심으로 상기 기판을 반전시키기 위하여 실질적으로 수평으로 기판을 유지하는 수평유지추글 가지는 반전수단과,
    상기 반전수단이 내부에 배치된 제 2 유니트와,
    상기 제 1 및 제 2 유니트 사이에서 상기 기판을 반송하는 반송수단과,
    그 위에 상기 기판을 장착시키고, 상기 제 2 유니트내에서 수직방향으로 이동가능하므로, 상기 반송수단과 상기 반전수단 사이에서 기판이 전달될 수 있게 하는 스테이지를 구비하고,
    상기 기판의 전면은 상기 스크래버 수단에 의하여 스크래빙되고, 상기 기판은 상기 반송수단에 의하여 상기 제 1 유니트로부터 상기 제 2 유니트로 반송괴고, 상기 기판은 상기 반전수단에 의하여 상측면이 아래로 반전되며, 상기 기판은 상기 반송수단에 의하여 상기 제 2 유니트로부터 상기 제 1 유니트로 반송되어, 상기 기판의 이면은 상기 스크래버 수단에 의하여 스크래빙되는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 스테이지 하부에 장착되어서, 상기 스테이지가 아래방향으로 이동할 때, 그 상면에 기판을 흡착유지하도록 스테이지의 중심 개구를 부드럽게 통과하는 회전척(52)과,
    상기 회전척(52)을 회전시키는 횐전수단과,
    상기 기판의 방향을 검출하는 광센서(50)와,
    상기 광센서로부터 발생되는 신호에 기초하여 상기 회전수단을 제어하는 제어수단을 더욱 가지며,
    상기 회전척(52)이 상승되어, 상기 스테이지(56)에 중앙 개구를 통과하고, 상기 기판이, 상기 스테이지로부터 상기 회전척(52)상에 전달되며, 상기 기판이 회전하는 동안, 상기 기판이 회전판 방향을 정렬하기 위해 광센서에 의해 검출되는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 반전수단은,
    상기 기판을 잡는 한 쌍의 고정부재(34a, 34b)와,
    수평 지지축 주위로 상기 고정부재(34a, 34b)와 함께 기판을 회전시키는 스테핑 모터(18)와,
    상기 스테핑 모터(18) 각 상의 여자코일(L A, L A-, L B , L B-)을 구동하기 위한 모터 구동회로를 가지며,
    상기 모터 구동회로는,
    상기 여자코일(L A, L A-, L B , L B-)에 접속된 구동 트랜지스터에 흐르는 여자전류(I A, L A-, I B , I B-)를 검출하기 위한 여자전류 검출 수단과,
    상기 여자전류(I A, L A-, I B , I B-)를 도통 및 차단 가능하게 접속된 스위치(SW)와,
    상기 여자전류 검출수단에 의하여 얻어지는 여자전류 검출값이 미리 정해진 설정치에 도달한 때에 상기 스위치(SW)를 열림 상태로 변환하여 상기 여자전류(I A, L A-, I B , I B-)를 차단시키는 스위치 제어수단을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 반송수단은,
    상기 기판을 잡는 한 쌍의 고정부재(34a, 34b)와,
    이들의 고정부재(34a, 34b)에 연결된 지지축과,
    상기 지지축 주위에 상기 고정부재(34a, 34b)와 함께 기판을 회전시키는 스테핑 모터와,
    상기 스테핑 모터 각 상의 여자코일을 구동하기 위한 모터 구동회로를 가지며,
    상기 모터 구동회로는,
    상기 여자코일에 접속된 구동트랜지스터에 흐르는 여자전류를 검출하기 위한 여자전류 검출수단과,
    상기 여자전류를 도통 및 차단 가능하게 접속된 스위치와,
    상기 여자전류 검출수단에 의하여 얻어지는 여자전류 검출값이 미리 정해진 설정치에 도달한 때에 상기 스위치를 열림 상태로 변환하여 상기 여자전류를 차단시키는 스위치 제어수단을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 유니트는 , 2 개의 스크래버 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 유니트는, 2 개의 스크래버수단을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치
  7. 제 6 항에 있어서, 기판을 원하는 방위로 향하게 하는 수단이, 한 쪽의 반전수단에만 달려 있는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치
  8. 기판의 한 쪽면을 스크래빙하는 수단과, 상기 스크래버 수단이 내부에 배치된 제 1 유니트와, 상기 기관의 전면 및 이면이 교대로 위쪽을 향햐도록 수평유지축을 중심으로 기판을 발전시키기 위하여 실질적으로 수평으로 기판을 유지하는 수평유지축을 가지는 반전 수단과, 상기 반전수단이 내부에 배치돤 제 2 유니트와, 상기 제 1 및 상기 제 2 유니트 사이에서 기판을 반송하는 반송수단과, 상기 반송수단과 상기 반전수단 사이에서 기판이 전달될 수 있도록, 상기 제 2 유니트내에서 그 위에 기판을 장작시키는 스테이지를 가지는 기판세정장치를 준비하는 단계,
    상기 기판의 전면을 상기 스크래버 수단에 의하여 스크래빙하는 단계,
    상기 반송수단에 의하여 기판을 상기 스크래버 수단으로부터 상기 스테이지 수단으로 반송하는 단계,
    상기 스테이지에 기판을 위치시키는 단계,
    상기 스테이지로부터 상기 반전 수단으로 상기 기판을 전달하도록 아래쪽으로 상기 스테이지를 이동하는 단계,
    상기 반전 수단에 의해 상기 기판 상측면을 아래로 반전하는 단계,
    상기 반전 수단으로부터 상기 스테이지로 상기 기판을 전달하기 위해 상기 스테이지를 상부로 이동하는 단계,
    상기 기판의 이면을 상기 스크래버 수단에 의하여 스크래빙하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 스테이지 하부에 장착되어, 상기 스테이지가 아래방향으로 이동할 때, 회전척이 기판을 흡입할 수 있도록 스테이지의 중앙 개구를 부드럽게 통과하는 회전척(52)과, 상기 회전척(52)을 회전시키는 회전수단과, 상기 기판의 방향을 검출하는 광센서(50)와, 상기 회전수단을 제어하는 제어수단을 준비하는 단계,
    상기 회전척(52)의 상부를 상기 스테이지(56)에 형성된 개구에 통과하여 기판과 접하도록 스테이지를 아래로 이동시키는 단계,
    상기 회전척이 상기 기판을 흡입하게 하는 단계,
    상기 광센서(50)에 의하여 기판의 방향을 검출하면서 수평면상에 기판을 회전시키는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정방법.
  10. 기판의 한 쪽면을 스크래빙하는 스크레버 수단과,
    기판의 전면 및 이면일 교대로 위쪽을 향하도록 수평유지축을 중심으로 기판을 반전시키기 위하여 실질적으로 수평으로 기판을 유지하는 수평유지축을 가지는 반전수단이 내부에 배치된 제 1 유니트와,
    실질적으로 수평방향으로 지지된 기판을 가지며, 수직방향으로 이동가능한 스테이지와,
    유니트내에서 수직방향으로 이동가능한 기판이 내부에 배치되고, 반전수단을 가지는 제 2 유니트와,
    상기 제 2 유니트와, 상기 제 1 및 제 2 유니트 사이에서 기판을 반송하는 반송수단을 가지며,
    상기 기판의 전면은 상기 스크래버 수단에 의하여 스크래빙되고,
    상기 기판은 상기 반송수단에 의하여 제 1 유니트로부터 제 2 유니트로 반송되며,
    상기 기판은 상기 스테이지상에 배치되고,
    상기 스테이지는 상기 기판을 상기 반전수단에서 상기 스테이지로 전달하기 위해 위쪽으로 이동되며,
    상기 기판은 상기 반전수단에 의해 상측면을 아래로 반전되고,
    상기 스테이지는 상기 기판을 상기 반전수단에서 상기 스테이지로 전달하기 위해 위쪽으로 이동되며,
    상기 기판의 이면은 상기 스크래버 수단에 의해 스크래버되는 것을 특징으로 하는 기관 세정장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100413067B1 (ko) * 2001-09-28 2003-12-31 한국디엔에스 주식회사 반도체 제조 장비의 웨이퍼 세정 장비
KR100431515B1 (ko) * 2001-07-30 2004-05-14 한국디엔에스 주식회사 반도체 세정설비에서의 웨이퍼 반전 유닛

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5885138A (en) 1993-09-21 1999-03-23 Ebara Corporation Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device
US5518542A (en) * 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
JP3388628B2 (ja) * 1994-03-24 2003-03-24 東京応化工業株式会社 回転式薬液処理装置
JP3328426B2 (ja) * 1994-05-12 2002-09-24 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
US5655954A (en) * 1994-11-29 1997-08-12 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Polishing apparatus
JPH08238463A (ja) * 1995-03-03 1996-09-17 Ebara Corp 洗浄方法及び洗浄装置
GB9509055D0 (en) * 1995-05-04 1995-06-28 Newbridge Networks Corp Test probe cleaning apparatus
TW317644B (ko) * 1996-01-26 1997-10-11 Tokyo Electron Co Ltd
US6059517A (en) * 1996-09-17 2000-05-09 Begin; Robert George End effector assembly for inclusion in a system for producing uniform deposits on a wafer
JP3330300B2 (ja) * 1997-02-28 2002-09-30 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置
JP3180893B2 (ja) * 1997-02-28 2001-06-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US6079073A (en) * 1997-04-01 2000-06-27 Ebara Corporation Washing installation including plural washers
US5993148A (en) 1997-07-22 1999-11-30 Micron Technology, Inc. Article transfer methods
JP3320640B2 (ja) * 1997-07-23 2002-09-03 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
JPH1154471A (ja) 1997-08-05 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
EP0898301B1 (en) 1997-08-18 2006-09-27 Tokyo Electron Limited Apparatus for cleaning both sides of a substrate
JP2959763B1 (ja) * 1998-01-13 1999-10-06 島田理化工業株式会社 ウェーハ洗浄装置
US6293855B1 (en) * 1998-03-09 2001-09-25 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6543461B2 (en) * 1999-02-11 2003-04-08 Nova Measuring Instruments Ltd. Buffer system for a wafer handling system field of the invention
KR100335736B1 (ko) * 1999-11-15 2002-05-09 고석태 웨이퍼 반전을 위한 로봇 핑거 어셈블리
US6945258B2 (en) * 2001-04-19 2005-09-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and method
JP3888608B2 (ja) * 2001-04-25 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板両面処理装置
KR100466294B1 (ko) * 2001-09-25 2005-01-13 한국디엔에스 주식회사 반도체 제조 설비에서의 웨이퍼 반전 유닛
US6860710B1 (en) * 2002-08-30 2005-03-01 Novellus Systems, Inc. Lifting mechanism for integrated circuit fabrication systems
DE10314383A1 (de) * 2003-03-28 2004-10-07 Integrated Dynamics Engineering Gmbh Schnelle Wechselstation für den Wafertransport
KR100568104B1 (ko) * 2003-08-26 2006-04-05 삼성전자주식회사 반도체 기판 세정 장치 및 세정 방법
TW200609060A (en) 2004-07-02 2006-03-16 Sintokogio Ltd Method and facility for after-treatment of aluminum casting coarse material
US20060046376A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Hofer Willard L Rotating gripper wafer flipper
JP2007294817A (ja) * 2006-04-27 2007-11-08 Sokudo:Kk 基板処理方法、基板処理システムおよび基板処理装置
JP4744426B2 (ja) * 2006-12-27 2011-08-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4726776B2 (ja) * 2006-12-27 2011-07-20 大日本スクリーン製造株式会社 反転装置およびそれを備えた基板処理装置
JP4744425B2 (ja) * 2006-12-27 2011-08-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5014811B2 (ja) * 2007-01-22 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法
KR100901493B1 (ko) * 2007-10-11 2009-06-08 세메스 주식회사 매엽식 기판 세정 설비 및 기판의 이면 세정 방법
JP5107122B2 (ja) 2008-04-03 2012-12-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US9620401B2 (en) * 2008-10-22 2017-04-11 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Pre-aligner apparatus
KR101838109B1 (ko) * 2011-12-06 2018-03-14 삼성전자주식회사 컨택터 및 이를 포함하는 반도체 테스트 장치
JP5993625B2 (ja) 2012-06-15 2016-09-14 株式会社Screenホールディングス 基板反転装置、および、基板処理装置
JP6009832B2 (ja) 2012-06-18 2016-10-19 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP5973306B2 (ja) * 2012-09-28 2016-08-23 Dowaサーモテック株式会社 熱処理装置
KR102439085B1 (ko) * 2016-12-31 2022-08-31 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 공간적 ald 프로세스 균일성을 개선하기 위한 웨이퍼 회전을 위한 장치 및 방법들
US10322444B2 (en) * 2017-01-17 2019-06-18 Honda Motor Co., Ltd. Apparatus, system, and method for manipulation of nested stamped parts
US9983118B1 (en) * 2017-06-03 2018-05-29 Himax Technologies Limited Wafer holding apparatus
CN114899132A (zh) * 2022-07-12 2022-08-12 太原市立科致业科技有限公司 一种智能电子检测仪加工用半导体晶圆清理设备
CN116845026B (zh) * 2023-08-11 2024-01-30 芜湖义柏载具精密技术有限公司 晶圆载具及用于操作该晶圆载具的夹持调整装置及方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6247153A (ja) * 1985-08-27 1987-02-28 Ibiden Co Ltd 半導体装置
KR0134962B1 (ko) * 1989-07-13 1998-04-22 나까다 구스오 디스크 세척장치
JP2746669B2 (ja) * 1989-07-20 1998-05-06 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
JP2746670B2 (ja) * 1989-07-20 1998-05-06 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
JP2683940B2 (ja) * 1989-08-09 1997-12-03 信越半導体 株式会社 ワークの自動洗浄装置
JPH0414494A (ja) * 1990-05-07 1992-01-20 Toppan Printing Co Ltd 印刷物
JP2926944B2 (ja) * 1990-09-18 1999-07-28 松下電器産業株式会社 光ディスク装置用クリーナー
US5144711A (en) * 1991-03-25 1992-09-08 Westech Systems, Inc. Cleaning brush for semiconductor wafer
JP2571487B2 (ja) * 1991-12-27 1997-01-16 信越半導体株式会社 薄円板状ワークのスクラバー洗浄装置
US5345639A (en) * 1992-05-28 1994-09-13 Tokyo Electron Limited Device and method for scrubbing and cleaning substrate

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100431515B1 (ko) * 2001-07-30 2004-05-14 한국디엔에스 주식회사 반도체 세정설비에서의 웨이퍼 반전 유닛
KR100413067B1 (ko) * 2001-09-28 2003-12-31 한국디엔에스 주식회사 반도체 제조 장비의 웨이퍼 세정 장비

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Publication number Publication date
US5498294A (en) 1996-03-12
JPH06163493A (ja) 1994-06-10
KR940012522A (ko) 1994-06-23
JP3052105B2 (ja) 2000-06-12

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