KR101732307B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents
기판 처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101732307B1 KR101732307B1 KR1020160040206A KR20160040206A KR101732307B1 KR 101732307 B1 KR101732307 B1 KR 101732307B1 KR 1020160040206 A KR1020160040206 A KR 1020160040206A KR 20160040206 A KR20160040206 A KR 20160040206A KR 101732307 B1 KR101732307 B1 KR 101732307B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- trap
- arm
- rod
- point
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 기판이 놓이는 기판 지지부; 및 상기 기판 지지부에 놓인 상기 기판의 외측에서 상기 기판의 둘레를 따라 적어도 일부 영역에 제공되는 트랩을 포함하되, 상기 기판으로 제공되는 기류의 유동 경계층은 상기 트랩의 상부보다 상기 기판의 상부에서 두껍게 형성될 수 있다.
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관련된 것으로, 보다 상세하게는 기류에 노출된 기판의 오염을 방지하기 위한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 기판 제조공정은 절연막 및 금속물질의 증착(Deposition), 식각(Etching), 감광제(Photo Resist)의 도포(Coating), 현상(Develop), 애셔(Asher) 공정 등을 수회 반복하여 기판 상에 박막들로 이루어진 미세 패터닝(Patterning)을 형성한다.
한국 공개특허 제10-2010-0042493호에는 상술한 공정을 수행할 수 있는 반도체 기판 제조 장치가 개시된다. 장치는 로딩/언로딩부, 인덱스 로봇, 버퍼부, 공정 유닛들, 및 메인 이송 로봇을 포함한다. 인덱스 로봇은 버퍼부와 로딩/언로딩부 간의 기판을 이송하며, 메인 이송 로봇은 버퍼부와 공정챔버들 간의 기판을 이송한다. 공정 유닛들은 도포 및 현상 공정을 수행한다. 버퍼부는 공정 유닛들로 투입되기 위한 기판들이 대기하거나, 공정 유닛들에서 공정 완료된 기판들이 로딩/언로딩부로 이송되기 위해 대기한다.
상기 장치에서 각 단계별 공정이 수행되는 동안, 기판은 기류에 노출될 수 있다. 예컨대 인덱스 로봇 및 메인 이송 로봇과 같은 이송용 로봇들은 기판 1매를 각각 적재하는 다수의 이송 핸드들을 구비하며, 기판은 이송 핸드에 안착된 상태로 이송된다. 이 과정에서 기판은 이송 속도로 인해 기류에 노출될 수 있다. 기판이 기류에 직접 노출될 경우, 유동 경계층이 얇게 형성되는 에지 영역은 입자 오염이 발생될 수 있다.
본 발명은 기류에 의한 입자 오염 발생을 예방할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판이 놓이는 기판 지지부; 및 상기 기판 지지부에 놓인 상기 기판의 외측에서 상기 기판의 둘레를 따라 적어도 일부 영역에 제공되는 트랩을 포함하되, 상기 기판으로 제공되는 기류의 유동 경계층은 상기 트랩의 상부보다 상기 기판의 상부에서 두껍게 형성될 수 있다.
또한, 상기 트랩의 상면은 상기 기판의 상면과 동일 높이에 위치할 수 있다.
또한, 상기 트랩은 상기 기류의 흐름 방향으로 상기 기판의 전방에 위치할 수 있다.
또한, 상기 트랩은 상기 기판의 둘레 전체를 에워쌀 수 있다.
또한, 상기 기판 지지부는 제1암; 및 상기 제1암과 소정 거리를 유지하며 나란하게 배치되는 제2암를 포함하고, 상기 트랩은 상기 제1암의 전단에 회동가능하게 결합되는 제1트랩 로드; 및 상기 제2암의 전단에 회동가능하게 결합되는 제2트랩 로드를 포함하며, 상기 제1 및 제2 트랩 로드 각각은 상기 제1암 및 상기 제2암의 길이방향으로 배치되는 제1지점과, 상기 기판의 둘레를 따라 배치되는 제2지점 사이를 회동 가능할 수 있다.
또한, 상기 트랩은 상기 제1암의 외측에서 상기 기판의 둘레를 따라 배치되는 호 형상의 제3트랩 로드; 및 상기 제2암의 외측에서 상기 기판의 둘레를 따라 배치되는 호 형상의 제4트랩 로드를 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판이 상기 제1암 및 상기 제2암에 놓이는 과정에서 상기 제1 및 상기 제2 트랩 로드는 상기 제1지점에 위치하고, 상기 제1암 및 상기 제2암이 상기 기판을 이송하는 과정에서 상기 제1 및 상기 제2 트랩 로드는 상기 제2지점에 위치할 수 있다.
본 발명에 의하면, 트랩의 제공으로 기류의 유동 경계층 형성 영역이 확대되므로 기판의 에지 영역의 입자 오염 발생이 최소화될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 트랩과 기판을 나타내는 도면이다.
도 3은 트랩이 제공되지 않은 경우 발생하는 유동 경계층을 나타내는 도면이다.
도 4는 트랩이 제공되는 경우 발생하는 유동 경계층을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 트랩들의 다양한 변형 예를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 트랩을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 다양한 트랩들을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 다양한 트랩들을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 10은 도 9의 기판 처리 장치에 기판이 안착되는 구동 동작을 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 트랩과 기판을 나타내는 도면이다.
도 3은 트랩이 제공되지 않은 경우 발생하는 유동 경계층을 나타내는 도면이다.
도 4는 트랩이 제공되는 경우 발생하는 유동 경계층을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 트랩들의 다양한 변형 예를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 트랩을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 다양한 트랩들을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 다양한 트랩들을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 10은 도 9의 기판 처리 장치에 기판이 안착되는 구동 동작을 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이고, 도 2는 도 1의 트랩과 기판을 나타내는 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 기판 지지부(20)와 트랩(30)을 포함한다.
기판 지지부(20)는 기판(S)을 지지한다. 기판(S)은 반도체 제조용 웨이퍼, 포토 마스크, 레티클, 디스플레이용 유리 기판 등을 포함한다. 기판 지지부(20)는 반도체 또는 디스플레이 제조 공정에서 기판(S)을 지지할 수 있는 다양한 장치를 포함한다. 기판 지지부(20)는 기판(S)을 이송하는 이송 로봇(Transfer Robot)의 핸드를 포함할 수 있다. 또한, 기판 지지부(20)는 기체의 흐름(이하, "기류"라고 한다)에 기판(S)이 노출되는 공정 분위기에서 기판(S)을 지지하는 장치를 포함할 수 있다.
트랩(30)은 기판 지지부(20)에 놓인 기판(S)의 외측에서 기판(S)의 둘레를 따라 적어도 일부 영역을 에워싼다. 본 실시 예에 의하면, 트랩(30)은 두께가 얇은 링 형상의 판으로 제공되며, 기판(S)의 둘레 전체를 에워싼다. 트랩(30)의 내경은 기판(S)의 외경에 상응하는 크기를 가질 수 있다. 트랩(30)의 상면 높이는 기판(S) 상면에 상응하거나 동일한 높이를 가질 수 있다.
기판(S)은 이송 중 이송 속도로 인해 기류에 노출될 수 있다. 또한, 기판(S)은 하강 기류의 공정 분위기에서 기류에 노출될 수 있다. 기판(S)이 기류에 직접 노출될 경우, 도 3과 같이 기판(S)의 에지(edge) 영역은 중앙 영역보다 기류의 유동 경계층(Air Flow Boundary Layer, BL)이 얇게 형성됨에 따라 기류에 의한 입자 오염이 상대적으로 크게 발생한다. 이러한 기판(S)의 에지 영역의 오염을 예방하기 위하여, 본 발명은 트랩(30)을 제공하여 기류의 유동 경계층(BL)이 형성되는 영역을 확장시킨다. 트랩(30)의 제공으로, 도 4와 같이 트랩(30)의 에지 영역에 얇은 두께의 유동 경계층(BL)이 형성되고, 기판(S)의 에지 영역에는 상대적으로 두꺼운 유동 경계층이 형성된다. 이로 인해 기판(S)의 에지 영역의 입자 오염이 최소화된다.
도 5는 본 발명에 따른 트랩들의 다양한 변형 예를 나타내는 도면이다.
먼저 도 5의 (a)를 참조하면, 트랩(30a)은 사각 형상의 판으로 제공되며, 중앙 영역에 기판(S)이 수용되는 공간이 형성된다. 트랩(30a)은 기판(S)의 둘레 전체를 에워싼다.
도 5의 (b)를 참조하면, 트랩(30b)은 두 개의 파트(part)로 분리 가능한 사각 형상의 판으로 제공될 수 있다. 제1 및 제2파트(31, 32)의 일 측 영역에는 기판(S)의 일부가 수용되는 공간이 각각 형성된다. 제1파트(31)가 기판(S)의 일 측 영역으로 제공되고, 제2파트(32)가 기판(S)의 타 측 영역으로 제공됨으로써, 트랩(30b)이 기판(S)의 둘레 전체를 에워싼다.
도 5의 (c)를 참조하면, 트랩(30c)은 두 개의 파트(33, 34)로 분리 가능한 원형 판으로 제공될 수 있다.
도 5의 (b)와 (c)에서는 트랩(30b, 30c)이 두 개의 파트(31 내지 34)로 분리 가능한 것으로 설명하였으나, 분리 가능한 파트의 개수는 이에 한정되지 않고 다양하게 변경 가능하다. 이처럼 트랩(30b, 30c)이 다수의 파트로 분리 가능한 경우, 기판(S)과의 결합 및 분리가 용이하게 이루어질 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 트랩을 나타내는 도면이다.
상술한 기판 처리 장치(10)가 이송 로봇에 장착되는 경우, 기판(S)은 다양한 공정장치로 이동 과정에서 전방으로 직선 이동 경로를 포함한다. 이 과정에서 발생하는 기류는 기판(S)의 이동 방향으로 기판(S)의 전방 에지 영역에 입자 오염을 발생시킬 수 있다. 도 6을 참조하면, 기판(S)의 이동 방향으로 전방 영역에 트랩(30d, 30e)을 제공한다. 트랩(30d, 30e)은 (a)와 같이 반원 형상의 판으로 제공될 수 있고, (b)와 같이 사각 형상의 판으로 제공될 수 있다. 트랩(30d, 30e)은 기판(S)의 전방 영역에 제공되어 기판(S)의 직선 이동 시 발생할 수 있는 전방 에지 영역의 입자 오염을 예방한다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 다양한 트랩들을 나타내는 도면이다.
도 7을 참조하면, 트랩(30f 내지 30i) 은 디스플레이용 유리 기판(S1)의 둘레를 따라 적어도 일부 영역에 제공된다. 트랩(30f, 30g) 은 도면 (a)와 같이 일체형 원판으로 제공되거나, 도면 (b)와 같이 여러 개의 파트로 분리 가능한 원판으로 제공될 수 있다. 또한, 트랩(30h, 30i)은 도면 (c)와 같이 일체형 사각 판으로 제공되거나, 도면 (d)와 같이 여러 개의 판으로 분리 가능한 사각 판으로 제공될 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 다양한 트랩들을 나타내는 도면이다.
도 8을 참조하면, 트랩(30j, 30k)은 디스플레이용 유리 기판(S1)의 이송 방향 전방에 제공될 수 있다. 트랩(30j, 30k)은 도면 (a)와 같이 반원 형상의 판으로 제공될 수 있고, (b)와 같이 사각 형상의 판으로 제공될 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다. 도 9의 (a)와 (b)는 각각 기판 처리 장치의 동작을 나타낸다.
도 9를 참조하면, 기판 지지부(20)는 제1암(21)과 제2암(22)을 포함한다. 제1암(21)과 제2암(22)은 각각 소정 길이로 제공되며, 서로 나란하게 배치된다. 제1암(21)과 제2암(22)에는 기판(S)이 놓인다. 제1암(21)과 제2암(22)은 이송 로봇에서 기판(S)을 지지하는 핸드로 제공될 수 있다.
트랩(40)은 제1트랩 로드(41), 제2트랩 로드(42), 제3트랩 로드(43), 제4트랩 로드(44), 그리고 구동부(미도시)를 포함한다.
제1트랩 로드(41)는 소정 길이를 갖는 로드 형상으로, 제1암(21)의 전단에 힌지 결합한다. 제1트랩 로드(41)는 구동부의 구동에 의해 제1암(21)에 대해 제1지점과 제2지점 간에 회동 가능하다. 제1지점은 제1암(21)의 길이방향과 나란하게 배치되는 지점이고, 제2지점은 기판 지지부(20)에 놓인 기판(S)의 둘레를 따라 배치되는 지점이다.
제2트랩 로드(42)는 소정 길이를 갖는 로드 형상으로, 제2암(22)의 전단에 힌지 결합한다. 제2트랩 로드(42)는 구동부의 구동에 의해 제2암(22)에 대해 제1지점과 제2지점 간에 회동 가능하다. 제1지점은 제2암(22)의 길이방향과 나란하게 배치되는 지점이고, 제2지점은 기판 지지부(20)에 놓인 기판(S)의 둘레를 따라 배치되는 지점이다.
제3트랩 로드(43)는 제1암(21)의 일 측에 위치하며, 기판(S)에 대응하는 곡률을 갖는 호 형상의 로드로 제공될 수 있다. 제3트랩 로드(43)는 제1암(21)에 고정 결합되며, 기판 지지부(20)에 놓인 기판(S)의 일 측부를 에워싼다.
제4트랩 로드(44)는 제2암(22)의 일 측에 위치하며, 기판(S)에 대응하는 곡률을 갖는 호 형상의 로드로 제공될 수 있다. 제4트랩 로드(44)는 제2암(22)에 고정 결합되며, 기판 지지부(20)에 놓인 기판(S)의 타 측부를 에워싼다.
도 10은 도 9의 기판 처리 장치에 기판이 안착되는 구동 동작을 나타내는 도면이다.
먼저 도 10의 (a)를 참조하면, 제1트랩 로드(41)와 제2트랩 로드(42)는 기판(S)이 기판 지지부(20)에 안착되는 과정에서 제1지점에 위치할 수 있다. 일반적으로 기판 지지부(20)는 다른 지지 수단에 안착된 기판(S)의 아래 영역으로 진입 후 상승하는 과정에서 기판(S)을 전달받는데, 제1트랩 로드(41)와 제2트랩 로드(42)의 제1지점 위치는 기판 지지부(20)의 상술한 이동과정에서 다른 지지 수단과의 간섭을 방지한다.
그리고 도 10의 (b)를 참조하면, 기판(S)이 기판 지지부(20)에 안착된 후, 제1트랩 로드(41)와 제2트랩 로드(42)는 제2지점에 위치할 수 있다. 제2지점에서 제1트랩 로드(41)와 제2트랩 로드(42)는 제3 및 제4트랩 로드(43, 44)와 조합되어 기판(S)의 전체 둘레를 에워싼다. 제1 내지 제4트랩 로드(41 내지 44)는 기판 지지부(20)가 이동하는 과정에서 발생되는 기류로부터 기판(S)의 오염을 예방한다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다. 도 11의 (a)와 (b)는 각각 기판 처리 장치의 동작을 나타낸다.
도 11을 참조하면, 기판 지지부(20)와 트랩(50)은 도 9의 기판 지지부(20) 및 트랩(40)과 동일한 구조로 제공된다. 다만, 제1트랩 로드(51)와 제2트랩 로드(52)는 제1지점에서 제1암(21)과 제2암(22)의 전방으로 돌출되지 않고 후방으로 회동할 수 있다. 기판이 기판 지지부(20)에 안착된 후, 제1트랩 로드(51)와 제2트랩 로드(52)는 제2지점에 위치하여 기판의 전방 영역을 에워싼다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
10: 기판 처리 장치
20: 기판 지지부
21: 제1암
22: 제2암
30, 30a 내지 30i, 40, 50: 트랩
41 내지 44: 트랩로드
20: 기판 지지부
21: 제1암
22: 제2암
30, 30a 내지 30i, 40, 50: 트랩
41 내지 44: 트랩로드
Claims (7)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 기판이 놓이는 기판 지지부; 및
상기 기판 지지부에 놓인 상기 기판의 외측에서 상기 기판의 둘레를 따라 적어도 일부 영역에 제공되는 트랩을 포함하되,
상기 기판 지지부는
제1암; 및
상기 제1암과 소정 거리를 유지하며 나란하게 배치되는 제2암를 포함하고,
상기 트랩은
상기 제1암의 전단에 회동가능하게 결합되는 제1트랩 로드; 및
상기 제2암의 전단에 회동가능하게 결합되는 제2트랩 로드를 포함하며,
상기 제1 및 제2 트랩 로드 각각은 상기 제1암 및 상기 제2암의 길이방향으로 배치되는 제1지점과, 상기 기판의 둘레를 따라 배치되는 제2지점 사이를 회동 가능한 기판 처리 장치.
- 제 5 항에 있어서,
상기 트랩은
상기 제1암의 외측에서 상기 기판의 둘레를 따라 배치되는 호 형상의 제3트랩 로드; 및
상기 제2암의 외측에서 상기 기판의 둘레를 따라 배치되는 호 형상의 제4트랩 로드를 포함하는 기판 처리 장치.
- 제 5 항에 있어서,
상기 기판이 상기 제1암 및 상기 제2암에 놓이는 과정에서 상기 제1 및 상기 제2 트랩 로드는 상기 제1지점에 위치하고,
상기 제1암 및 상기 제2암이 상기 기판을 이송하는 과정에서 상기 제1 및 상기 제2 트랩 로드는 상기 제2지점에 위치하는 기판 처리 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160040206A KR101732307B1 (ko) | 2016-04-01 | 2016-04-01 | 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160040206A KR101732307B1 (ko) | 2016-04-01 | 2016-04-01 | 기판 처리 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101732307B1 true KR101732307B1 (ko) | 2017-05-02 |
Family
ID=58742531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160040206A KR101732307B1 (ko) | 2016-04-01 | 2016-04-01 | 기판 처리 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101732307B1 (ko) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003092335A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Toshiba Corp | 基板搬送装置、これを用いた基板処理装置および基板処理方法 |
JP2007088416A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-04-05 | Tokyo Electron Ltd | 半導体ウェハ用搬送トレイおよび半導体ウェハ搬送システム |
JP2012227246A (ja) | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Toshiba Corp | 半導体ウェハカバー |
-
2016
- 2016-04-01 KR KR1020160040206A patent/KR101732307B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003092335A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Toshiba Corp | 基板搬送装置、これを用いた基板処理装置および基板処理方法 |
JP2007088416A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-04-05 | Tokyo Electron Ltd | 半導体ウェハ用搬送トレイおよび半導体ウェハ搬送システム |
JP2012227246A (ja) | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Toshiba Corp | 半導体ウェハカバー |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8286293B2 (en) | Substrate cleaning device and substrate processing apparatus including the same | |
TWI421974B (zh) | 基板保持旋轉裝置,具備該裝置之基板洗淨裝置及基板處理裝置 | |
JP5008268B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4381285B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
US20080212049A1 (en) | Substrate processing apparatus with high throughput development units | |
JP2919925B2 (ja) | 処理装置 | |
JP5025231B2 (ja) | 基板搬送処理装置 | |
JP2010177673A (ja) | 基板処理設備及び基板処理方法 | |
KR102560788B1 (ko) | 주변 노광 장치, 주변 노광 방법, 프로그램, 및 컴퓨터 기억 매체 | |
JP2010040804A (ja) | 試料搬送機構 | |
JP2006080404A (ja) | 塗布、現像装置、露光装置及びレジストパターン形成方法。 | |
JPH1022358A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2011205004A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR102223763B1 (ko) | 기판처리장치 및 방법 | |
JP4463081B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
US8031324B2 (en) | Substrate processing apparatus with integrated cleaning unit | |
KR101732307B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
US20080196658A1 (en) | Substrate processing apparatus including a substrate reversing region | |
JP5311006B2 (ja) | 周辺露光装置および周辺露光方法 | |
KR102037900B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR102054221B1 (ko) | 기판반송장치 및 이를 가지는 기판처리장치 | |
US20150079795A1 (en) | Substrate Processing System with Multiple Processing Devices Deployed in Shared Ambient Environment and Associated Methods | |
KR100542630B1 (ko) | 반도체 제조 설비 | |
KR102233465B1 (ko) | 기판반송유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법 | |
KR20050104457A (ko) | 반도체 제조 설비 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |