JPWO2007080707A1 - 基板洗浄装置、基板洗浄方法、基板処理システムならびに記録媒体 - Google Patents

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Abstract

基板洗浄装置(40)は、洗浄槽(70)と、洗浄槽(70)内に回転自在に設けられ、被処理基板(W)を保持する保持台(51)と、保持台(51)を回転させる回転駆動部(52)とを備えている。保持台(51)の周外方には、当該保持台(51)に保持された被処理基板(W)の周縁部に沿って薬液を貯留してこの被処理基板(W)の周縁部を薬液に浸すための薬液貯留部(53)が設けられている。薬液貯留部(53)には、当該薬液貯留部(53)に薬液を供給する薬液供給部(54)が接続されている。さらに、保持台(51)に保持された被処理基板(W)の周縁部を摺擦するブラシ(55d)が設けられている。

Description

本発明は、半導体ウエハ等の被処理基板の洗浄を行うための基板洗浄装置、基板洗浄方法、この基板洗浄装置を備えた基板処理システム、ならびにこの基板洗浄装置に用いられる記録媒体に関し、とりわけ、被処理基板の周縁部に残留する汚れを除去することができる基板洗浄装置、基板洗浄方法、この基板洗浄装置を備えた基板処理システム、ならびにこの基板洗浄装置に用いられる記録媒体に関する。
一般に、半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板としての半導体ウエハやLCD用ガラス基板等(以下、ウエハ等という)に付着するレジスト、パーティクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネーション(汚染物、以下単に汚れともいう)を除去するために基板洗浄装置が用いられている。ウエハ等を洗浄する基板洗浄装置の一つとして、例えばスピン式のものが知られている。
従来のこの種のスピン式の基板洗浄装置は、洗浄槽内に配設される保持手段であるスピンチャックにてウエハを保持するとともに、スピンチャックを低速回転させた状態で、ウエハの表面に薬液および純水を順に供給して、薬液処理およびリンス処理を順に行い、その後、スピンチャックを高速回転させて乾燥処理を行っている(例えば、特開2001−160546号公報等参照)。
また、ウエハの周縁部(エッジ部)の洗浄処理を行うために、ウエハを回転させながら、このウエハの周縁部に洗浄水等の処理液を供給しつつ回転ブラシ等でこの周縁部を摺擦する方法が知られている(例えば、特開平6−45302号公報等参照)。
しかしながら、例えば上記の特開2001−160546号公報に示すような方法でウエハの表面の薬液処理を行った場合でも、当該ウエハの周縁部は完全にクリーニングされない場合がある。すなわち、ウエハが基板洗浄装置に送られる前にこのウエハに対してエッチング処理が施される場合には、当該エッチング処理によりウエハの表面に付着したCFxポリマー等の汚れのうち、ウエハの周縁部に付着した汚れは、前述の薬液処理においてウエハの表面中心部に送られる薬液では完全に除去することができない。
また、エッチング処理によりウエハの表面に付着したCFxポリマー等の汚れは、このウエハの周縁部に固くこびりついている。このため、特開平6−45302号公報に示すような方法を用い、回転ブラシ等でウエハの周縁部を摺擦した場合でも、この汚れをウエハの周縁部から引き剥がすことは容易ではないという問題がある。
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、被処理基板の周縁部に付着する汚れを除去することができる基板洗浄装置、基板洗浄方法、基板処理システムならびに記録媒体を提供することにある。
本発明は、洗浄槽と、前記洗浄槽内に回転自在に設けられ、被処理基板を保持する保持台と、前記保持台を回転させる回転駆動部と、前記保持台に保持された被処理基板の周縁部に沿って薬液を貯留してこの被処理基板の周縁部を薬液に浸すための薬液貯留部と、前記薬液貯留部に接続され、当該薬液貯留部に前記薬液を供給する薬液供給部と、前記保持台に保持された被処理基板の周縁部を摺擦するブラシと、を備えたことを特徴とする基板洗浄装置である。
このような基板洗浄装置によれば、薬液貯留部に薬液を貯留することにより、被処理基板の周縁部が長時間薬液に浸されることとなり、この被処理基板の周縁部に付着した汚れの当該被処理基板に対する付着力が弱くなる。そして、この被処理基板に対する付着力が弱くなった汚れをブラシにより摺擦しているので、被処理基板の周縁部に付着する汚れを除去することができる。
本発明の基板洗浄装置においては、前記薬液供給部から前記薬液貯留部に供給される薬液はフッ化水素酸(フッ化水素の水溶液)であることが好ましい。
このような基板洗浄装置によれば、被処理基板の周縁部に付着した汚れはフッ化水素酸に浸されることにより被処理基板に対する付着力がより一層弱まることとなり、被処理基板の周縁部に付着する汚れを除去することができる。
本発明の基板洗浄装置においては、前記ブラシは、前記薬液供給部により前記薬液貯留部に薬液が供給されてこの薬液貯留部に貯留された薬液に被処理基板の周縁部が浸された際に当該周縁部を摺擦することが好ましい。
このような基板洗浄装置によれば、被処理基板の周縁部に付着した汚れを薬液に浸す動作とこの汚れをブラシにより除去する動作とを同時に行うことにより、薬液によって付着力が弱くなった汚れをすぐに除去することができ、被処理基板の周縁部に付着する汚れを除去することができる。
本発明の基板洗浄装置においては、前記ブラシは、前記保持台に保持された被処理基板の周縁部に当接する当接位置と、この周縁部から離間する待避位置との間で往復移動自在となっており、当該ブラシが当接位置にある状態で前記回転駆動部により回転する被処理基板の周縁部がブラシにより摺擦されることが好ましい。
このような基板洗浄装置によれば、ブラシにより被処理基板の周縁部の摺擦を行うか否かを、当該被処理基板に対する処理状況に応じて選択することができ、必要なときのみにおいてブラシによる被処理基板の周縁部の摺擦を行うこともできる。
本発明の基板洗浄装置においては、前記薬液貯留部の上方に、前記保持台に保持された被処理基板の上面側の周縁部にガスを吐出してこのガスの吐出により被処理基板の上面側で半径方向外方に流れる気流を形成する第1ノズルが設けられていてもよい。
このような基板洗浄装置によれば、第1ノズルから被処理基板の周縁部に向かってガスを吐出することにより、薬液貯留部に貯留された薬液が被処理基板の上面側の半径方向内方に流れることを抑止することができる。
本発明の基板洗浄装置においては、前記第1ノズルは、前記保持台に保持される被処理基板の周縁部に対して水を更に供給することができるようになっていてもよい。
このような基板洗浄装置によれば、被処理基板のリンス工程において当該被処理基板の周縁部にも十分に水を供給することができる。
本発明の基板洗浄装置においては、前記第1ノズルは、前記保持台に保持される被処理基板の周縁部に対して薬液を更に供給することができるようになっていてもよい。
このような基板洗浄装置によれば、被処理基板の上面側の周縁部に対して更に薬液を供給することができ、被処理基板の周縁部に付着する汚れを除去することができる。
本発明の基板洗浄装置においては、前記保持台に保持される被処理基板の裏面側に、当該被処理基板の周縁部近傍に水を供給する第2ノズルが設けられていることが好ましい。
このような基板洗浄装置によれば、被処理基板のリンス工程において当該被処理基板の裏面側にも十分に水を供給することができる。
本発明の基板洗浄装置においては、前記薬液貯留部は、切り欠き領域を残して被処理基板の周縁部を囲むよう環状に形成され、前記ブラシは前記薬液貯留部の切り欠き領域に配設されることが好ましい。
このような基板洗浄装置によれば、薬液貯留部はブラシと衝突することなしに被処理基板の周縁部の大部分を囲むことができ、被処理基板が回転している間、この被処理基板が薬液に浸る時間を長くすることができる。
本発明は、上述の基板洗浄装置と、当該基板洗浄装置に連結され、被処理基板に対してエッチング処理を行うエッチング処理装置と、を備えたことを特徴とする基板処理システムである。
本発明は、保持台により被処理基板を保持する工程と、前記保持台を回転させる工程と、薬液貯留部に薬液を貯留してこの薬液に被処理基板の周縁部を浸す工程と、ブラシにより被処理基板の周縁部を摺擦する工程と、を備えたことを特徴とする基板洗浄方法である。
このような基板洗浄方法によれば、被処理基板の周縁部を長時間薬液に浸し、この被処理基板の周縁部に付着した汚れの当該被処理基板に対する付着力を弱くしている。そして、この被処理基板に対する付着力が弱くなった汚れをブラシにより摺擦しているので、被処理基板の周縁部に付着する汚れを除去することができる。
このような基板洗浄方法においては、前記ブラシは、前記薬液貯留部に貯留された薬液に被処理基板の周縁部が浸された際に当該周縁部を摺擦することが好ましい。
上述の問題を解決するために、基板洗浄装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムであって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板洗浄装置を制御して基板洗浄方法を実行させるものにおいて、前記基板洗浄方法が、保持台により被処理基板を保持する工程と、前記保持台を回転させる工程と、薬液貯留部に薬液を貯留してこの薬液に被処理基板の周縁部を浸す工程と、ブラシにより被処理基板の周縁部を摺擦する工程と、を実施するものであることを特徴とするプログラムを用いてもよい。
このようなプログラムにおいては、ブラシにより被処理基板の周縁部を摺擦する工程は、前記薬液貯留部に貯留された薬液に被処理基板の周縁部が浸された際に実施されることが好ましい。
本発明は、基板洗浄装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記録された記録媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板洗浄装置を制御して基板洗浄方法を実行させるものにおいて、前記基板洗浄方法が、保持台により被処理基板を保持する工程と、前記保持台を回転させる工程と、薬液貯留部に薬液を貯留してこの薬液に被処理基板の周縁部を浸す工程と、ブラシにより被処理基板の周縁部を摺擦する工程と、を実施するものであることを特徴とする記録媒体である。
このような記録媒体においては、ブラシにより被処理基板の周縁部を摺擦する工程は、前記薬液貯留部に貯留された薬液に被処理基板の周縁部が浸された際に実行されることが好ましい。
本発明による基板洗浄装置の構成を示す概略横断面図である。 図1の基板洗浄装置のA−A矢視による縦断面図である。 図1の基板洗浄装置のB−B矢視による縦断面図である。 図1の基板洗浄装置のC−C矢視による縦断面図である。 図2の基板洗浄装置の領域Dの拡大図である。 図2の基板洗浄装置において、ウエハを洗浄槽内に搬入する前の状態を示す縦断面図である。 基板処理システムの構成を示す概略上面図である。 図7の基板処理システムの概略側面図である。 図1の基板洗浄装置に接続される制御コンピュータの概略を説明するための説明用ブロック図である。 図4の基板洗浄装置におけるブラシ機構の構成の詳細を示す説明図である。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
以下に示す実施の形態においては、本発明による基板洗浄装置を、略円板状の輪郭を有する半導体ウエハ等の被処理基板の薬液処理、リンス処理(濯ぎ処理)および乾燥処理を行うための洗浄ユニットとして用い、エッチング装置とともに基板処理システムに組み込んだ例を示している。しかしながら、当然に、本発明による基板洗浄装置および基板洗浄方法は、このような適用に限定されるものではない。
図1乃至図10は、本発明による基板洗浄装置40の一実施の形態を示す図である。このうち、まず図7および図8を用いて基板洗浄装置40が組み込まれた基板処理システムの全体的な構成および処理方法について説明する。なお、図7は基板処理システム10の構成を示す概略上面図であり、図8は、図7の基板処理システム10の概略側面図である。
図7および図8に示すように、基板処理システム10は、処理前および処理後の半導体ウエハW(以下、ウエハWという)が載置される載置部10aと、ウエハWに対して例えばエッチング等の処理を行う処理部10eとを備えている。また、載置部10aと処理部10eとの間には、この処理部10eにおいて処理が施されたウエハWを洗浄するための洗浄部10cが設けられている。また、載置部10aと洗浄部10cとの間には、これらの間でウエハWの受け渡しを担う第1搬送部10bが配置されている。同様に、洗浄部10cと処理部10eとの間には、これらの間でウエハWの受け渡しを担う第2搬送部10dが配置されている。
以下、基板処理システム10の各構成要素について詳述する。
まず、載置部10aについて説明する。載置部10aにおいて、基板処理システム10は載置台11を備えている。この載置台11には、エッチング等の処理を行うべきウエハWを収納するためのキャリアCが着脱自在に取り付けられるようになっている。
図7および図8に示すように、本実施の形態においては、載置台11に3つのキャリアCが載置されるようになっている。各キャリアCには蓋体13が設けられており、この蓋体13を開くことによって、その内部にウエハWを収納することができるようになっている。各キャリアC内には、複数の、具体的には例えば25枚の処理前のウエハWが所定間隔を空けて収納されるようになっている。本実施の形態において、ウエハWは表面(半導体デバイスが形成される処理面)が上面となるようにして、略水平状態でキャリアC内に収納されている。
次に、第1搬送部10bについて説明する。図8に示すように、第1搬送部10bは区画壁に覆われた空間を有している。そして、キャリアCとの間で、ならびに洗浄部10cの受け渡しユニット22(後述)との間でウエハWの受け渡しをそれぞれ行う第1ウエハ搬送装置20がこの空間内に設置されている。図7に示すように、載置部10aと第1搬送部10bとの間に設けられた区画壁15には窓部(開口)が形成されており、また、この窓部の開閉を行うため、シャッター等からなる窓部開閉機構17が設けられている。また、キャリアCを載置台11に取り付けた場合、キャリアCの蓋体13が区画壁15の窓部の近傍に位置するようになっている。なお、窓部開閉機構17が窓部の開閉を行う際に、キャリアCの蓋体13を同時に開閉することができるようになっていることが好ましい。
図7に示すように、第1ウエハ搬送装置20はX方向およびY方向(ともに水平方向)に移動可能であり、キャリアC、および洗浄部10cの受け渡しユニット22(後述)へアクセスすることができるようになっている。また、図8に示すように、第1ウエハ搬送装置20は、ウエハWを保持するためのウエハ保持アーム21a、21bを有している。これらの2本のウエハ保持アーム21a、21bは、高さ方向において間隔を空けて設けられている。各ウエハ保持アーム21a、21bは、水平面であるX−Y平面内(図7のθ方向)で回転可能、かつZ方向(鉛直方向)へ移動可能となっており、さらに互いに独立して進退自在となっている。第1ウエハ搬送装置20が移動するとともに、ウエハ保持アーム21a、21bが回転、昇降および進退運動を行うことにより、ウエハ保持アーム21a、21bに保持されたウエハWをキャリアC内または受け渡しユニット22内に運び入れることができるようになっている。また、この第1ウエハ搬送装置20においては、キャリアC内または受け渡しユニット22内からウエハ保持アーム21a、21b上へウエハWを運び出すこともできるようになっている。
次に、洗浄部10cについて説明する。図8に示すように、洗浄部10cは区画壁に覆われた空間を有している。図7に示すように、この区画壁に覆われた空間内において、基板処理システム10は、第1搬送部10bに接続する第1受け渡しユニット22と、第2搬送部10dに接続する第2受け渡しユニット24と、基板洗浄装置(ウエハ洗浄ユニット)40と、洗浄部10c内でウエハWを搬送するための主ウエハ搬送装置26とを備えている。
主ウエハ搬送装置26は、X方向およびY方向に移動可能であり、各ユニット22、24、40へアクセスすることができるようになっている。また、図8に示すように、主ウエハ搬送装置26は、ウエハWを保持するためのウエハ保持アーム27a、27b、27cを有している。これらの3本のウエハ保持アーム27a、27b、27cは、高さ方向において互いに間隔を空けて設けられている。各ウエハ保持アーム27a、27b、27cは、X−Y平面内(θ方向)で回転可能、かつZ方向へ移動可能であり、さらに互いに独立して進退可能となっている。一方、各ユニット22、24、40には、それぞれウエハWを受け入れるための開閉自在な窓部(図示せず)が設けられている。そして、この主ウエハ搬送装置26が移動するとともに、ウエハ保持アーム27a、27b、27cが回転、昇降および進退運動を行うことにより、ウエハ保持アーム27a、27b、27cに保持されたウエハWを各ユニット22、24、40内に運び入れることができるようになっている。また、この主ウエハ搬送装置26により、各ユニット22、24、40からウエハ保持アーム27a、27b、27c上へウエハWを運び出すことができるようになっている。
図8に示すように、基板処理システム10の洗浄部10cは、上下二段に重ねて配置された2つの第1の受け渡しユニット22a、22bを備えている。また、各第1受け渡しユニット22a、22bの第1搬送部10b側には開閉自在の窓部(図示せず)が設けられている。すなわち、この窓部を介して洗浄部10cと第1搬送部10bとが連通するようになっている。そして、この窓部を介し、ウエハ保持アーム21a、21bに保持されたウエハWを第1受け渡しユニット22内に運び入れること、あるいは受け渡しユニット22からウエハ保持アーム21a、21b上へウエハWを運び出すことができる。
第2受け渡しユニット24は、上述した第1受け渡しユニット22と略同様の構成となっている。すなわち、図8に示すように、基板処理システム10の洗浄部10cは、上下二段に重ねて配置された2つの第2受け渡しユニット24a、24bを備えている。また、各受け渡しユニット24a、24bの第2搬送部10d側には開閉自在の窓部(図示せず)が設けられている。すなわち、この窓部を介して洗浄部10cと第2搬送部10dとが連通するようになっている。そして、この窓部を介して、第2受け渡しユニット24と第2ウエハ搬送装置28(後述)との間でウエハWの受け渡しが行われるようになっている。
また、本実施の形態においては、洗浄部10cに、合計8つの基板洗浄装置(ウエハ洗浄ユニット)40a〜40hが、それぞれ4個ずつ上下2段に重ねて配置されている。
次に、第2搬送部10dについて説明する。第2搬送部10dは、上述した第1搬送部10bと略同様の構成となっている。具体的には、図8に示すように、第2搬送部10dは区画壁に覆われた空間を有している。この空間内に第2ウエハ搬送装置28が設けられている。第2ウエハ搬送装置28は、洗浄部10cの第2受け渡しユニット24との間で、および後述する処理部10eの第3受け渡しユニット30との間でウエハWの受け渡しを行うようになっている。図7の矢印に示すように、第2ウエハ搬送装置28はX方向およびY方向に移動可能であり、第2受け渡しユニット24および後述の処理部10eへアクセスすることができるようになっている。また、図8に示すように、第2ウエハ搬送装置28はウエハWを保持するためのウエハ保持アーム29a、29bを有している。これらの2本のウエハ保持アーム29a、29bは高さ方向に間隔を空けて設けられている。各ウエハ保持アーム29a、29bは、X−Y平面内(図7のθ方向)で回転可能、かつZ方向へ移動可能であり、さらに互いに独立して進退自在となっている。第2ウエハ搬送装置28が移動するとともに、ウエハ保持アーム29a、29bが回転および昇降運動を行うことにより、ウエハ保持アーム21a、21bに保持されたウエハWを第2受け渡しユニット24内または後述の第3受け渡しユニット30内に運び入れることができる。また、この第2ウエハ搬送装置28により、第2受け渡しユニット24内または第3受け渡しユニット30内からウエハ保持アーム29a、29b上へウエハWを運び出すことができる。
次に、処理部10eについて説明する。図7に示すように、処理部10eには、ウエハWにエッチング処理を施すエッチング処理装置32a、32bがY方向に離間して2つ設けられている。また、各エッチング処理装置32a、32bと第2搬送部10dとの間に、それぞれ上下2段に重ねて配置された合計4つの第3受け渡しユニット30a、30b、30c、30dが設けられている(図7および図8参照)。各第3受け渡しユニット30a、30b、30c、30dには、第2搬送部10d側に開閉自在の窓部(図示せず)が設けられており、この窓部を介して処理部10eと第2搬送部10dとが連通するようになっている。そして、上述のようにこの窓部を介してウエハ保持アーム29a、29bに保持されたウエハWを第3受け渡しユニット30に運び入れること、あるいは第3受け渡しユニット30内からウエハ保持アーム29a、29b上へウエハWを運び出すことができる。同様に、各第3受け渡しユニット30a、30b、30c、30dのエッチング処理装置32側、およびエッチング処理装置32の第3受け渡しユニット30側のそれぞれに開閉自在の窓部(図示せず)が設けられており、この窓部を介してエッチング処理装置32および第3受け渡しユニット30間におけるウエハWの受け渡しが行われるようになっている。
次に、このような基板処理システム10によるウエハWの全体的な処理方法について説明する。
まず、処理されるべきウエハWを例えば25枚収納したキャリアCが載置台11に取り付けられる。次に、窓部開閉機構17およびキャリアCの蓋体13が開かれる。このキャリアCに対して第1ウエハ搬送装置20が接近および進入を行い、第1ウエハ搬送装置20の例えば下段のウエハ保持アーム21bが、窓部を介してキャリアC内から1枚のウエハWを取り上げる。その後、このウエハ保持アーム21bが後退するとともに回転し、また、第1ウエハ搬送装置20が移動することによって、キャリアCから取り出されたウエハWが、例えば下段の第1受け渡しユニット22bへ搬送される。
次に、下段の第1受け渡しユニット22b内に載置されたウエハWは、主ウエハ搬送装置26によって受け取られ、第2受け渡しユニット24bへ搬送される。具体的には、ウエハWは、例えば主ウエハ搬送装置26の下段のウエハ保持アーム27cによって保持され、下段の第2受け渡しユニット24bへ持ち込まれる。
その後、下段の第2受け渡しユニット24b内に載置されたウエハWは、第2ウエハ搬送装置28によって受け取られ、第3受け渡しユニット30へ搬送される。具体的には、ウエハWは、例えば第2ウエハ搬送装置28の下段のウエハ保持アーム29bによって保持され、いずれか一方の下段に配置された第3受け渡しユニット30b、30dへ持ち込まれる。
次に、下段の第3受け渡しユニット30b、30d内に載置されたウエハWは、対応するエッチング処理装置32に持ち込まれ、エッチング処理を受ける。
エッチング処理が施されたウエハWは、再び第3受け渡しユニット30へ運び出される。具体的には、ウエハWは、例えばエッチング処理装置32への搬入前に用いられた受け渡しユニットとは異なる第3の受け渡しユニット、すなわち上段の第3受け渡しユニット30a、30cへ運び出される。
その後、上段の第3受け渡しユニット30a、30cに送られたウエハWは、第2ウエハ搬送装置28により受け取られ、第2受け渡しユニット24へ搬送される。具体的には、ウエハWは第2ウエハ搬送装置28の上段のウエハ保持アーム29aによって保持され、上段の第2受け渡しユニット24aへ持ち込まれる。
次に、上段の第2受け渡しユニット24a内に送られたウエハWは、主ウエハ搬送装置26により受け取られ、いずれかの基板洗浄装置40内へ持ち込まれる。そして、この基板洗浄装置40により、後に詳述するような洗浄処理がウエハWに対して施される。具体的には、ウエハWは、例えば主ウエハ搬送装置26の中段のウエハ保持アーム27bにより保持され、このウエハ保持アーム27bにより基板洗浄装置40内へ送られる。
洗浄処理および乾燥処理が施されたウエハWは再び主ウエハ搬送装置26に受け取られ、第1受け渡しユニット22へ持ち込まれる。この場合、ウエハWは、例えば主ウエハ搬送装置26の上段のウエハ保持アーム27aにより保持され、上段の第1受け渡しユニット22へ持ち込まれる。
その後、上段の第1受け渡しユニット22a内に送られたウエハWは、第1ウエハ搬送装置20によって受け取られ、再びキャリアC内へ収納される。この際に、ウエハWは、例えば第1ウエハ搬送装置20の上段のウエハ保持アーム21aにより保持される。このようにして、基板処理システムにおける、1枚のウエハWに対する一連の処理が終了する。
なお、上述の処理において各ユニット内からウエハWが搬出されるあるいは各ユニット内へウエハWが搬入される場合には、当然ながら、当該ユニットに設けられた窓部は開いた状態となり、それ以外の場合には、この窓部は閉じた状態となっている。また、以上のようなキャリアCからのウエハWの搬送は順次行われ、空いているエッチング処理装置32内に順次ウエハWが持ち込まれてエッチング処理が順次施されるとともに、空いている基板洗浄装置40に順次ウエハWが持ち込まれて洗浄処理および乾燥処理が行われる。また、各ウエハ搬送装置20、26、28が複数のウエハ保持アームを有しており、各受け渡しユニット22、24、30が上下に重なるよう複数配置されている。このような構成は、反対方向へのウエハWの受け渡しが同時に行われるので生産効率上好ましく、また、各ユニットの窓部の開口時間を短時間に抑えて各ユニット内を清浄な状態に維持する上でも好ましい。
次に、本発明に係る基板洗浄装置40の一実施の形態について、図1乃至図6を用いて説明する。なお、図1は、本発明による基板洗浄装置の構成を示す概略横断面図であり、図2は、図1の基板洗浄装置のA−A矢視による縦断面図であり、図3は、図1の基板洗浄装置のB−B矢視による縦断面図であり、図4は、図1の基板洗浄装置のC−C矢視による縦断面図であり、図5は、図2の基板洗浄装置の領域Dの拡大図である。また、図6は、図2の基板洗浄装置において、ウエハを洗浄槽内に搬入する前の状態を示す縦断面図である。
上述のように、基板処理システム10には合計8台の基板洗浄装置40が配設されており、各基板洗浄装置40は略同一に構成されている。図1に示すように、各基板洗浄装置40は、当該装置を他の装置から区画する密閉構造の隔壁(ユニットチャンバー)60をそれぞれ有している。この隔壁60は、開口60aおよび当該開口60aを開閉するための隔壁メカシャッター60bを有している。なお、図2乃至図6において、隔壁60は省略されている。
図1および図2に示すように、基板洗浄装置40は、略円筒形の洗浄槽70と、洗浄槽70内に回転自在に設けられ、ウエハWを裏面から保持するスピンチャック(保持台)51と、スピンチャック51を回転させる中空モータ(回転駆動部)52とを備えている。また、スピンチャック51の上方には、当該スピンチャック51により保持されるウエハWの表面に薬液、純水(DIW)あるいは窒素ガス(N2ガス)等を供給する主ノズル56が設けられている。この主ノズル56は水平面内で揺動自在の主ノズルアーム57に取り付けられている。また、スピンチャック51の周外方には、このスピンチャック51に保持されたウエハWの周縁部に沿って薬液を貯留してこのウエハWの周縁部を薬液に浸すリング部材(薬液貯留部)53が設けられている。このリング部材53には、当該リング部材53に薬液を供給する薬液供給管(薬液供給部)54が接続されている。さらに、図1および図4に示すように、スピンチャック51の周外方には、このスピンチャック51に保持されたウエハWの周縁部を摺擦する機能を有するブラシ機構55が設置されている。
このような基板洗浄装置40の各構成要素について、以下に詳述する。
図1に示すように、隔壁60の内部には略円筒形の洗浄槽70が設けられている。まず、この洗浄槽70の構成について具体的に説明する。
図2および図6に示すように、洗浄槽70は、スピンチャック51を選択的に収容すべく当該スピンチャック51に対して相対的に昇降可能な略円筒形のインナーカップ71と、インナーカップ71を囲むよう設けられた略円筒形のアウターチャンバー72とから構成されている。アウターチャンバー72における隔壁60の開口60aと対向する部位には、ウエハWを搬入出させるための開口73が形成されており、この開口73を開閉するシャッター74が当該開口73に設置されている。シャッター74は環状に形成されており、その内側面には、ウエハWの周囲に飛散した薬液等を受け止めるための下方側に拡開する傾斜面74aが形成されている。また、シャッター74は、図示しない開閉機構、例えばシリンダによってアウターチャンバー72の内壁面に周設されたシール部材75に摺擦しつつ昇降し、閉鎖時においてOリング76を介してアウターチャンバー72に密接されるよう構成されている。シャッター74により開口73が閉塞された場合は、アウターチャンバー72内部の雰囲気は当該開口73から外部に漏出することはない。
アウターチャンバー72の上部には、円筒状の上部側壁77が形成されている。この上部側壁77における、開口73とほぼ反対側の位置には、主ノズルアーム57を通過させるためのノズル用開口77aが形成されている。
また、上部側壁77の上端部は天井78によって塞がれている。天井78には、N2ガス(窒素ガス)あるいはクリーンエア等のダウンフロー用の流体DFを誘導する導入口78aが、天井78の中央と、中央を囲むように複数例えば5箇所に設けられている。
そして、図2に示すように、インナーカップ71が上昇してこのインナーカップ71の側壁71dによってウエハWを囲む状態においては、ダウンフロー用流体はウエハWの上方からモータ囲繞筒体69(後述)と側壁71dとの間に流入して、当該インナーカップ71の下部に配設されたインナーカップ排出路71cによって排気されるようになっている。一方、インナーカップ71を下降させ、アウターチャンバー72によってウエハWを囲む状態においては、ダウンフロー用流体はウエハWの上方からモータ囲繞筒体69とアウターチャンバー72の内側面72aとの間に流入して、アウターチャンバー排出路72cによって排気されるようになっている。
図2に示すように、このアウターチャンバー排出路72cはアウターチャンバー72の底部に設けられている。アウターチャンバー排出路72cは、導入口78aから導入されたダウンフロー用流体を排気するとともに、アウターチャンバー72内の液滴を排出するようになっている。
インナーカップ71は、スピンチャック51を囲むように形成されており、当該スピンチャック51により保持されたウエハWを囲む上昇位置(図2参照)とウエハWより下方の下降位置(図6参照)との間で昇降可能に形成されている。このインナーカップ71は、略円筒状の側壁71dと、側壁71dの下端部に沿って形成された底部71eとから構成されている。図2に示すように、インナーカップ71には連結シャフト80が下方に延びるよう連結されており、この連結シャフト80は水平部材81に連結されている。さらに、当該水平部材81は昇降シリンダ82に連結されている。この昇降シリンダ82により連結シャフト80および水平部材81を介してインナーカップ71の昇降運動が行われるようになっている。
インナーカップ71の底部71eの中心部には、円形状の開口71fが設けられており、この開口71fの内側にモータ囲繞筒体69が配設されている。また、インナーカップ71により受け止められる薬液等は、開口71fを通過して底部71eの内側下方に排出されるようになっている。すなわち、インナーカップ71の内側面とモータ囲繞筒体69の外側面との間には環状の隙間が形成されており、インナーカップ71によって受け止められた薬液等はこの隙間を通過してインナーカップ排出路71cから排出されるようになっている。
次に、ウエハWを裏面から保持するとともにこのウエハWを保持するスピンチャック(保持台)51およびこのスピンチャック51を回転させる中空モータ(回転駆動部)52について具体的に説明する。
スピンチャック51は、ウエハWを保持する保持プレート51aと、保持プレート51aの下方に連結される回転筒体51bとから構成されている。回転筒体51bの下端は、中空モータ52のシャフト52aの上端に連結されている。中空モータ52を駆動させると、シャフト52aが回転し、回転筒体51b、保持プレート51aが一体的に回転するようになっている。
保持プレート51aには1または複数の貫通孔が設けられており、保持プレート51aの下方にはこの貫通孔に連通する吸引器(図示せず)が配設されている。保持プレート51a上にウエハWが載置されたときに吸引器が吸引動作を行うことにより、ウエハWは保持プレート51aに吸着されて保持されるようになっている。
図2に示すように、中空モータ52は、円筒形のモータ囲繞筒体69の中空部分に収容されている。
次に、スピンチャック51により保持されたウエハWの表面に薬液等を供給する主ノズル56およびこの主ノズル56を支持する主ノズルアーム57について具体的に説明する。
主ノズル56は、スピンチャック51により保持されたウエハWの表面に薬液、純水(DIW)あるいは窒素ガス(N2ガス)等を供給する機能を有している。そして、この主ノズル56を支持する主ノズルアーム57の内部には、薬液やN2ガス等の流体供給路59が設けられている(図1参照)。この流体供給路59は主ノズルアーム57の先端部に装着された主ノズル56に開口している。主ノズルアーム57の基端部は、洗浄槽70の外方に配設された回転駆動機構61に連結されており、この回転駆動機構61の駆動によって主ノズルアーム57は基端を中心として水平面内で回動するようになっている。このことにより、主ノズル56は、アウターチャンバー72の外側の待避位置からノズル用開口77aを通過してウエハWの中心部上方に移動され、また、ウエハWの中心部上方からアウターチャンバー72の外側の待避位置に移動される。したがって、主ノズル56は少なくともウエハWの中心部上方から周縁上方までの間を移動することができる。
本実施の形態の基板洗浄装置40においては、図1、図2および図5に示すように、スピンチャック51の周外方に、当該スピンチャック51に保持されたウエハWの周縁部に沿って薬液を貯留するためのリング部材53が略水平状態で設置されている。スピンチャック51に保持されたウエハWは、このリング部材53に貯留された薬液に浸されるようになっている。また、リング部材53には例えば8つの薬液供給管54が接続されている。
図1に示すように、リング部材53は、切り欠き領域53pを残してウエハWの周縁部を囲むよう環状に形成されている。言い換えると、このリング部材53は洗浄槽70の上方から見ていわゆる「C字」形状となるよう形成されている。
図5にリング部材53の詳細の構成を示す。なお、図5は、図2の基板洗浄装置の縦断面図における領域Dの拡大図である。
図5に示すように、リング部材53は、略環状(上方から見てC字形状)のベース部材53aと、ベース部材53aの上面に取り付けられた略環状の本体部材53bと、本体部材53bの上面に取り付けられた略環状の貯留部材53cとから構成されている。ベース部材53aおよび本体部材53bは洗浄槽70に対して位置固定されている。一方、貯留部材53cは本体部材53bに対して取り外し可能となっており、ウエハWの大きさや厚み等に応じて様々な種類の貯留部材53cを適宜本体部材53bに取り付けることができるようになっている。この貯留部材53cを取り替えることにより、当該貯留部材53cによる薬液の貯留量等を調整することができる。
図5に示すように、本体部材53bには、薬液供給管54に連通するとともに上面に開口する薬液供給路53dが設けられている。また、貯留部材53cには、前述の薬液供給路53dに連通するとともに上面に開口する薬液供給路53eが設けられている。薬液供給管54から送られた薬液は、薬液供給路53dおよび薬液供給路53eを介して当該貯留部材53cの上面に送られ、この貯留部材53cの上面において図5の符号Mに示すような状態で貯留されるようになっている。
ここで、図5に示すように、貯留部材53cの上面における薬液供給路53eの開口は、ウエハWの表面側(上面側)に薬液が飛び散ることのないよう、ウエハWの内周側下方に位置するようになっている。
図5においてウエハWの裏面と本体部材53bの上面とは鉛直方向において例えば6.5mm離間している。また、貯留部材53cの薬液供給路53eは断面が円形となるよう延びており、この円形断面の直径は1mmとなっている。また、ウエハWの裏面と貯留部材53cの上面(薬液供給路53eの上端付近)は鉛直方向において例えば1mm離間している。さらに、貯留部材53cの上面の一部53fは上方に拡がるテーパ形状となっているが、このことについては後に詳述する。
薬液供給管54は、リング部材53に一端が接続されるとともに、このリング部材53にフッ化水素酸(フッ化水素の水溶液)等の薬液を供給する薬液供給源54aに他端が接続されている。薬液供給管54における薬液供給源54aの近傍には電動バルブ54bが設けられており、後述する制御コンピュータ90により電動バルブ54bの開閉が制御されることによって、薬液の供給の制御が行われている。1つのリング部材53に対して薬液供給管54は8つ設けられており、図1に示すように各薬液供給管54はリング部材53に対して切り欠き領域53pを避けながら等間隔で接続されている。
また、図1および図4に示すように、洗浄槽70の内部において、スピンチャック51の周外方には、スピンチャック51に保持されるウエハWの周縁部を摺擦するブラシ機構55が設けられている。このブラシ機構55は、モータ、アクチュエータ等の回転駆動機構55eに取り付けられた軸部55aと、ブラシアーム55bと、先端部55cとを有しており、軸部55aを中心としてブラシアーム55bが回動自在となっている。また、図4に示すように、ブラシ機構55の先端部55cには、スピンチャック51に保持されるウエハWと略同一レベルとなるよう回転ブラシ55dが接続されている。さらに、回転ブラシ55dを回転させるモータ等の回転制御機構55fが先端部55cに設けられている。
図1に示すように、ブラシアーム55bは、スピンチャック51に保持されたウエハWに回転ブラシ55dが当接するような当接状態と、このウエハWから回転ブラシ55dが離間するような待避状態との間で揺動自在となっている(図1の矢印参照)。なお、回転ブラシ55dはウエハWの周縁部に当接する際にリング部材53の切り欠き領域53pに進入するようになっており、この回転ブラシ55dはリング部材53とは接触しないよう配設されている。図4は、回転ブラシ55dがスピンチャック51に保持されたウエハWの周縁部に当接するような当接位置にある状態を示している。この状態で、ウエハW自体が回転するとともに、回転駆動機構55fによって回転ブラシ55dが例えば1秒間に1回転の割合で回転することによりウエハWの周縁部を摺擦するようになっている。
この際に、回転ブラシ55dがウエハWの周縁部に薬液または純水を供給することができるようになっていてもよい。この場合、回転ブラシ55dは多数の小孔を有する樹脂材料から形成されている。具体的には、図10に示すように、一端が回転ブラシ55dに接続された供給管55gが中空の回転モータ55fおよび回転軸(中空軸)を貫通しており、この供給管55gの他端は分岐して薬液供給源55hおよび純水供給源55iにそれぞれ接続されている。薬液供給源55hおよび純水供給源55iの近傍にはそれぞれ電動バルブ55j、55kが設けられており、この電動バルブ55j、55kの開閉は、後述する制御コンピュータ90により制御されるようになっている。
また、図2および図5に示すように、リング部材53の上方には第1ノズル62が設置されている。具体的には、この第1ノズル62は、薬液ノズル62a、洗浄水ノズル62bおよび不活性ガスノズル62cから構成されている。これらのノズルは、ウエハWの周縁部から近い順に、薬液ノズル62a、洗浄水ノズル62b、不活性ガスノズル62cという順番で配設されている。薬液ノズル62aは、スピンチャック51に保持されたウエハWの上面側の周縁部にフッ化水素酸等の薬液を吐出するようになっている。不活性ガスノズル62cは、このウエハWの上面側の周縁部にN2ガス等の不活性ガスを吐出し、この不活性ガスの吐出によりウエハWの上面側で半径方向外方に流れる気流を形成し、貯留部材53cに貯留された薬液MがウエハWの上面側の半径方向内方(図5の左方)に流れることを抑止するようになっている。また、洗浄水ノズル62bは、ウエハWの上面側の周縁部に純水を吐出するようになっている。
ここで、貯留部材53cの表面の一部53fは、上方に拡がるようなテーパ形状となっている。このことにより、薬液ノズル62aや洗浄水ノズル62bから薬液や純水が吐出された際に、このテーパ形状の表面53fにより跳ね返されることによって、これらの薬液や純水が貯留部材53cの半径方向外方(図5の右方)に回り込むことを抑止することができる。
図5に示すように、薬液ノズル62a、洗浄水ノズル62b、不活性ガスノズル62cはそれぞれ供給管を介して薬液供給源62d、洗浄水供給源62e、不活性ガス供給源62fに接続されており、各供給管には電動バルブ62g、62h、62iが設けられている。これらの電動バルブ62g、62h、62iの開閉は後述する制御コンピュータ90により制御されるようになっている。
図2に示すように、この第1ノズル62は第1ノズルアーム63に支持されており、この第1ノズルアーム63により第1ノズル62は先端がウエハWの周縁部に近接する位置とウエハWから離間する位置との間で移動自在となっている。第1ノズルアーム63は、当該第1ノズルアーム63を水平方向に移動させて第1ノズル62によるウエハWの表面側(上面側)の洗浄範囲を制御することができる駆動機構に接続されている。この駆動機構は、第1ノズル62の先端を例えば図5の矢印Eに示す範囲で移動させることができるようになっている。
なお、このような第1ノズル62および第1ノズルアーム63を設ける代わりに、主ノズル56が第1ノズル62と同様の機能を兼ね備えるようになっていてもよい。すなわち、第1ノズル62および第1ノズルアーム63を設ける代わりに、主ノズル56がウエハWの周縁部に近接する位置となるよう主ノズルアーム57が移動し、この状態で主ノズル56がウエハWの周縁部にN2ガス等の不活性ガスや純水、薬液等を吐出するようになっていてもよい。
さらに、図1および図3に示すように、スピンチャック51に保持されるウエハWの裏面側に、例えば4つの第2ノズル66が設置されている。図1に示すように各第2ノズル66は等間隔で配設されている。この第2ノズル66はスピンチャック51に保持されるウエハWの裏面側の周縁部近傍に対して純水を吐出するようになっている。図3に示すように、第2ノズル66は供給管を介して純水供給源66aに接続されている。この供給管には電動バルブ66bが設けられており、この電動バルブ66bの開閉は後述する制御コンピュータ90により制御されるようになっている。
図3に示すように、各第2ノズル66は、スピンチャック51の外方であってウエハWの下方に設けられた円環状の支持リング64に支持されている。また、この支持リング64の上面には、円環状の遮断リング65が配設されている。遮断リング65の上端は、スピンチャック51に保持されるウエハWの裏面に対してわずかに離間している。具体的には、この遮断リング65の上端は、ウエハWの裏面に対して例えば1mm離間しており、スピンチャック51に保持されるウエハWの裏面と支持リング64との間の空間をほぼ遮断(区画)している。このような遮断リング65が設けられていることにより、ウエハWの洗浄に用いられる薬液や純水等がウエハWの裏面側で半径方向内方に進入してスピンチャック51に付着することを防止することができ、また、中空モータ52の駆動により発生するパーティクル(粉塵)がシャフト52a付近から半径方向外方に拡散することを防止することができる。
図9に示すように、基板洗浄装置40の各機能要素は、当該基板洗浄装置40の動作を自動制御する制御コンピュータ90に信号ライン91を介して接続されている。この制御コンピュータ90には、基板洗浄装置40に対するウエハWの搬出入を行う主ウエハ搬送装置26にも接続されており、この主ウエハ搬送装置26の制御も行うようになっている。ここで基板洗浄装置40の各機能要素とは、中空モータ52、薬液供給管54への薬液の供給を調整する電動バルブ54b、ブラシ機構55の回転駆動機構55e、55f、流体供給路59に流体を送る流体供給源(図示せず)、隔壁メカシャッター60bの開閉機構(図示せず)、回転駆動機構61、第1ノズル62の各ノズル62a、62b、62cへの各流体の供給を調整する電動バルブ62g、62h、62i、第1ノズルアーム63の駆動機構(図示せず)、シャッター74の開閉機構(図示せず)、第2ノズル66への純水の供給を調整する電動バルブ66b、回転ブラシ55dへの純水または薬液の供給を調整する電動バルブ55j、55k、昇降シリンダ82等(これらのみには限定されない)の、所定のプロセス条件を実現するために動作する全ての要素を意味している。制御コンピュータ90は、典型的には、実行するプログラム(ソフトウェア)に依存して任意の機能を実現することができる汎用コンピュータである。
制御コンピュータ90は、中央演算装置(CPU)92、この中央演算装置92をサポートする回路93、および制御プログラムを格納した記録媒体94を有している。制御プログラムを実行することにより、制御コンピュータ90は、基板洗浄装置40の各機能要素を、所定のプロセスレシピにより定義された様々なプロセス条件(スピンチャック51の回転速度、リング部材53への薬液の供給量等)が実現されるように制御する。
記録媒体94としては、制御コンピュータ90に固定的に設けられるもの、あるいは制御コンピュータ90に設けられた読み取り装置に着脱自在に装着されてこの読み取り装置により読み取り可能なものが用いられる。最も典型的な実施の形態においては、記録媒体94は、基板処理システム10のメーカーのサービスマンによって制御プログラムがインストールされたハードディスクドライブである。他の実施の形態においては、記録媒体94は、制御プログラムが書き込まれたCD−ROMまたはDVD−ROMのようなリムーバブルディスクであり、このようなリムーバブルディスクは制御コンピュータ90に設けられた光学的読み取り装置により読み取られる。記録媒体94は、RAM(random
access memory)またはROM(read only memory)のいずれの形式のものであってもよく、また、記録媒体94は、カセット式のROMのようなものであってもよい。要するに、コンピュータの技術分野において知られている任意のものを記録媒体94として用いることが可能である。この記録媒体94に記録されるプログラムは、基板洗浄装置40を制御して以下に詳述するようなウエハWの洗浄方法を実行させるものである。
次に、このような構成からなる基板洗浄装置40によるウエハWの洗浄方法について説明する。
まず、ウエハWが基板洗浄装置40に送られる前に、ウエハWに対してエッチング処理装置32a、32bによりエッチング処理を施す。
具体的には、前述のように、第2受け渡しユニット28から第3受け渡しユニット30にウエハWが受け渡され、この第3受け渡しユニット30からウエハWがエッチング処理装置32a、32bに持ち込まれる。このようにしてエッチング処理装置32a、32bに持ち込まれたウエハWは当該エッチング処理装置32a、32b内でエッチング処理を受ける。
エッチング処理が施されたウエハWは、再び第3受け渡しユニット30に運び出され、次に第2ウエハ搬送装置28により受け取られ、第2受け渡しユニット24へ搬送される。その後、主ウエハ搬送装置26により受け取られ、この主ウエハ搬送装置26により基板洗浄装置40内へ持ち込まれる。
ウエハWを基板洗浄装置40に搬入する前の状態においては、図6に示すようにインナーカップ71を予め下降させておき、スピンチャック51の上部をインナーカップ71の上方に突出させておく。また、シャッター74を下降させて、アウターチャンバー72の開口73を開いておく。この状態において、主ノズルアーム57は、ノズル用開口77aの外側に待機している。
図6に示すような状態において、ウエハWを保持した主ウエハ搬送装置26のウエハ保持アーム27bを隔壁60の開口60aおよびアウターチャンバー72の開口73からアウターチャンバー72内に進入させる。そして、このウエハ保持アーム27bにより保持されたウエハWをスピンチャック51の保持プレート51a上に載置させる。その後、この保持プレート51aの下方に設けられた吸引器が吸引動作を行い、ウエハWを保持プレート51aに吸着させる。このようにしてウエハWがスピンチャック51の保持プレート51aに保持される。
ウエハWをスピンチャック51に受け渡した後、ウエハ保持アーム27bをスピンチャック51から後退させ、アウターチャンバー72の外部へ退出させる。ウエハ保持アーム27bの退出後、シャッター60bによって開口60aを閉じる。そして、シャッター74およびインナーカップ71を上昇させ、図2に示すような状態とする。
次に、回転駆動機構61を駆動させて主ノズルアーム57を回動させ、この主ノズルアーム57の先端にある主ノズル56をノズル用開口77aからインナーカップ71内に進入させ、ウエハWの中心部上方まで移動させる。そして、中空モータ52の駆動によりスピンチャック51を低速回転させ、ウエハWをスピンチャック51と一体的に低速回転させる。その後、主ノズル56から薬液を吐出してウエハWの上面中心部近傍に薬液を供給する。ウエハWの中心部に供給された薬液は、ウエハWの回転による遠心力でウエハWの外周縁側に流れる。このようにして、ウエハWの表面を薬液処理によって処理する。
少なくともウエハWの処理中は、導入口78aからダウンフロー用ガスを導入し、アウターチャンバー72内にダウンフローDFが形成される。
ウエハWの表面の薬液処理が終了したら、主ノズル56から純水を供給し、薬液を除去する。その後、純水の供給を停止し、乾燥を行う。その際に、主ノズル56からN2ガスを供給してもよい。
しかしながら、上述のようなウエハWの薬液処理を行った場合でも、当該ウエハWの周縁部は完全に洗浄されない場合がある。すなわち、ウエハWは基板洗浄装置40に送られる前にエッチング処理装置32a、32bによりエッチング処理が施されるが、このエッチング処理によりウエハWの表面に付着したCFxポリマー等のうち、ウエハWの周縁部に付着したCFxポリマー等は、主ノズル56からウエハWの表面中心部に送られる薬液では完全に除去することができない。したがって、ウエハWの周縁部に付着したCFxポリマー等を以下の方法により除去する必要がある。
主ノズル56によるウエハWの表面全体の洗浄工程が終了した後に、薬液供給管54により略環状のリング部材53に例えばフッ化水素酸からなる薬液を供給する。具体的には、図5に示すように、薬液供給管54から供給される薬液Mは、薬液供給路53dおよび薬液供給路53eを介して貯留部材53cの表面に送られる。そして、貯留部材53cの表面とウエハWの周縁部とにより挟まれるようにして、薬液M自体の表面張力によって当該薬液Mは貯留部材53c上で貯留される。
一方、第1ノズルアーム63を駆動し、この第1ノズルアーム63の先端に取り付けられた第1ノズル62の吐出口をウエハWの周縁部に近接する位置に移動させる。そして、この第1ノズル62の不活性ガスノズル62cからN2ガス等の不活性ガスを吐出させる。この不活性ガスの吐出により形成される気流によって、貯留部材53cの表面に送られた薬液MがウエハWの上面側の半径方向内方(中心側)に進入することを抑止することができる。
また、この際に、第1ノズル62の薬液ノズル62aからもウエハWの周縁部に向かってフッ化水素酸等の薬液が吐出される。これにより、洗浄範囲がより制御可能となる。ここで、薬液ノズル62aは不活性ガスノズル62cよりもウエハWの半径方向外方に設けられている。このため、薬液ノズル62aから供給される薬液も不活性ガスノズル62cから吐出される不活性ガスの気流によって、半径方向内方(中心側)に進入することはない。
略環状のリング部材53に薬液が貯留された状態で、中空モータ52の駆動によりスピンチャック51を低速回転させ、ウエハWをスピンチャック51と一体的に低速回転させる。この際に、図5に示すようにウエハWの周縁部は薬液に長時間浸された状態となっている。このため、ウエハWの周縁部に付着したCFxポリマー等の汚濁物は、薬液に長時間浸されることによりウエハWへの吸着力が弱くなり、当該ウエハWから浮かび上がるようになる。
そして、上述のような薬液供給管54によるリング部材53への薬液の供給と同時に、ブラシ機構55のブラシアーム55bを回動させ、図4に示すようにこのブラシアーム55bの先端に取り付けられた回転ブラシ55dをウエハWの周縁部に当接させる。そして、ウエハWの周縁部に当接した状態で回転ブラシ55dを回転させる。この際に、薬液供給源55hに対応する電動バルブ55jを開状態として回転ブラシ55dから薬液を吐出させるとより洗浄効果が上がる。このようにして、ウエハWの周縁部に付着して薬液に長時間浸されたCFxポリマー等の汚濁物が回転ブラシ55dの摺擦により除去される。
以上のような、主ノズル56からウエハWの表面中心部に薬液を送って薬液処理を行う工程およびウエハWの周縁部をリング部材53に貯留された薬液に浸して周縁部処理を行う工程が終了した後、インナーカップ71を下降させ、ウエハWがアウターチャンバー72に囲まれた状態とする。
その後、第1ノズル62の洗浄水ノズル62bからウエハWの表側の周縁部に向かって純水を吐出させるとともに不活性ガスノズル62cから不活性ガスを吐出させる。さらに、第2ノズル66からウエハWの裏側の周縁部近傍に向かって純水を吐出させる。このようにして、ウエハWに付着した薬液を純水によって洗い流す。
この際に、ブラシ機構55の回転ブラシ55dはウエハWの周縁部に当接したまま回転を続けている。このとき、純水供給源55iに対応する電動バルブ55kを開状態とすることにより、回転ブラシ55dからウエハWの周縁部に純水を供給している。このことにより、ウエハWの周縁部の汚れをより一層除去することができる。
なお、ブラシ機構55の回転ブラシ55dは、薬液処理および純水によるリンス(濯ぎ)処理の両方に用いられる必要はなく、前述のような薬液処理のみに用いられるようになっていてもよい。また、薬液処理においては回転ブラシ55dが待避状態となっており、純水によるリンス処理時のみにおいて回転ブラシ55dがウエハWの周縁部に当接してこのウエハWの周縁部に対して摺擦を行うようになっていてもよい。どちらの場合であっても、ウエハWの周縁部に付着したCFx等の汚れは薬液に浸されることにより当該ウエハWに対する付着力が弱くなっているので、回転ブラシ55dによる摺擦動作によってこのCFx等の汚れをウエハWの周縁部から除去することができる。
ウエハWに供給された純水は、アウターチャンバー72によって受け止められる。そして、この純水はアウターチャンバー72の側壁とインナーカップ71の側壁71dとの間からアウターチャンバー72の下部に落下してアウターチャンバー排出路72cによって基板洗浄装置40の外部に排出される。
ウエハWに対して十分なリンス処理を行ったあと、第1ノズル62および第2ノズル66からの純水の供給を停止させる。そして、第1ノズル62の不活性ガスノズル62cからのN2ガス等の不活性ガスの吐出を継続させて、ウエハWを乾燥させる。乾燥処理時においては、スピンチャック51とウエハWを薬液処理時よりも高速で回転させる。
ウエハWに対して十分な乾燥処理を行ったあと、第1ノズル62からのN2ガス等の供給を停止させる。そして、第1ノズルアーム63をウエハWから離間させる。その後、中空モータ52の駆動を停止させ、スピンチャック51とウエハWの回転を停止させる。
次に、シャッター74を下降させて開口73を開き、主ウエハ搬送装置26のウエハ保持アーム27aを隔壁60の開口60aおよびアウターチャンバー72の開口73からアウターチャンバー72内に進入させる。そして、スピンチャック51まで到達したウエハ保持アーム27aによりスピンチャック51上のウエハWを保持させる。このようにしてスピンチャック51からウエハ保持アーム27aにウエハWが受け渡されるようにする。ウエハWをウエハ保持アーム27aによって保持させた後、当該ウエハ保持アーム27aをアウターチャンバー72の内部から退出させ、シャッター74によって開口73を閉じる。このようにして、洗浄処理および乾燥処理が行われたウエハWが基板洗浄装置40から搬出される。
以上のように本実施の形態の基板洗浄装置40によれば、薬液供給管(薬液供給部)54によりリング部材(薬液貯留部)53に薬液が供給され、このリング部材53に貯留された薬液に、スピンチャック(保持台)51に保持されたウエハWの周縁部が浸されるようになっており、また、回転ブラシ55dによりスピンチャック51に保持されたウエハWの周縁部が摺擦されるようになっている。このため、ウエハWの周縁部が長時間薬液に浸されることとなり、このウエハWの周縁部に付着した汚れの当該ウエハWに対する付着力が弱くなる。そして、このウエハWに対する付着力が弱くなった汚れを回転ブラシ55dにより摺擦しているので、ウエハWの周縁部に付着する汚れを除去することができる。
なお、前述のように、薬液ノズル62a、洗浄水ノズル62bおよび不活性ガスノズル62cを有する第1ノズル62を設ける代わりに、主ノズル56が第1ノズル62の機能を兼ね備えるようになっていてもよい。すなわち、主ノズルアーム57の位置を調節することにより、主ノズル56がウエハWの中心部および周縁部の両方に位置することができるようになっており、ウエハWの周縁部における汚れの除去作業を行う際には、主ノズル56がウエハWの周縁部近傍に移動してこの周縁部に不活性ガスや薬液等を吐出するようになっていてもよい。
なお、本実施の形態では、エッチング処理装置32と同システム内に基板洗浄装置40を構成させたが、基板洗浄装置40を単体で用いてもよい。
また、上記の説明では、本発明の基板洗浄装置40が半導体ウエハの洗浄装置に適用される場合について説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、基板は半導体ウエハに限られず、その他のLCD用ガラス基板やCD基板等であってもよい。

Claims (14)

  1. 洗浄槽と、
    前記洗浄槽内に回転自在に設けられ、被処理基板を保持する保持台と、
    前記保持台を回転させる回転駆動部と、
    前記保持台に保持された被処理基板の周縁部に沿って薬液を貯留してこの被処理基板の周縁部を薬液に浸すための薬液貯留部と、
    前記薬液貯留部に接続され、当該薬液貯留部に前記薬液を供給する薬液供給部と、
    前記保持台に保持された被処理基板の周縁部を摺擦するブラシと、
    を備えたことを特徴とする基板洗浄装置。
  2. 前記薬液供給部から前記薬液貯留部に供給される薬液はフッ化水素酸であることを特徴とする請求項1記載の基板洗浄装置。
  3. 前記ブラシは、前記薬液供給部により前記薬液貯留部に薬液が供給されてこの薬液貯留部に貯留された薬液に被処理基板の周縁部が浸された際に当該周縁部を摺擦することを特徴とする請求項1記載の基板洗浄装置。
  4. 前記ブラシは、前記保持台に保持された被処理基板の周縁部に当接する当接位置と、この周縁部から離間する待避位置との間で往復移動自在となっており、当該ブラシが当接位置にある状態で前記回転駆動部により回転する被処理基板の周縁部がブラシにより摺擦されることを特徴とする請求項1記載の基板洗浄装置。
  5. 前記薬液貯留部の上方に、前記保持台に保持された被処理基板の上面側の周縁部にガスを吐出してこのガスの吐出により被処理基板の上面側で半径方向外方に流れる気流を形成する第1ノズルが設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板洗浄装置。
  6. 前記第1ノズルは、前記保持台に保持される被処理基板の周縁部に対して水を更に供給することができるようになっていることを特徴とする請求項5記載の基板洗浄装置。
  7. 前記第1ノズルは、前記保持台に保持される被処理基板の周縁部に対して薬液を更に供給することができるようになっていることを特徴とする請求項5記載の基板洗浄装置。
  8. 前記保持台に保持される被処理基板の裏面側に、当該被処理基板の周縁部近傍に水を供給する第2ノズルが設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板洗浄装置。
  9. 前記薬液貯留部は、切り欠き領域を残して被処理基板の周縁部を囲むよう環状に形成され、前記ブラシは前記薬液貯留部の切り欠き領域に配設されることを特徴とする請求項1記載の基板洗浄装置。
  10. 請求項1記載の基板洗浄装置と、
    当該基板洗浄装置に連結され、被処理基板に対してエッチング処理を行うエッチング処理装置と、
    を備えたことを特徴とする基板処理システム。
  11. 保持台により被処理基板を保持する工程と、
    前記保持台を回転させる工程と、
    薬液貯留部に薬液を貯留してこの薬液に被処理基板の周縁部を浸す工程と、
    ブラシにより被処理基板の周縁部を摺擦する工程と、
    を備えたことを特徴とする基板洗浄方法。
  12. 前記ブラシは、前記薬液貯留部に貯留された薬液に被処理基板の周縁部が浸された際に当該周縁部を摺擦することを特徴とする請求項11記載の基板洗浄方法。
  13. 基板洗浄装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記録された記録媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板洗浄装置を制御して基板洗浄方法を実行させるものにおいて、
    前記基板洗浄方法が、
    保持台により被処理基板を保持する工程と、
    前記保持台を回転させる工程と、
    薬液貯留部に薬液を貯留してこの薬液に被処理基板の周縁部を浸す工程と、
    ブラシにより被処理基板の周縁部を摺擦する工程と、
    を実施するものであることを特徴とする記録媒体。
  14. ブラシにより被処理基板の周縁部を摺擦する工程は、前記薬液貯留部に貯留された薬液に被処理基板の周縁部が浸された際に実施されることを特徴とする請求項13記載の記録媒体。
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